JPH0920555A

JPH0920555A - 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品

Info

Publication number: JPH0920555A
Application number: JP7165912A
Authority: JP
Inventors: Takashi Suzuki; 孝志鈴木; Tomoaki Kawada; 智明河田; Masako Nitta; 政子新田; Kunihiko Kawasaki; 邦彦川崎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1995-06-30
Filing date: 1995-06-30
Publication date: 1997-01-21
Anticipated expiration: 2015-10-30
Also published as: EP0779257B1; DE69611892D1; US5723395A; EP0779257A4; JP3103296B2; EP0779257A1; DE69611892T2; WO1997002221A1

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもし
くはＣｕを主成分とする合金を内部導体として使用が可
能となるような低温焼結性を有する、ＴｉＯ₂とＺｎＯ
を主成分とする誘電体磁器およびその製造方法、ならび
にこれを用いた電子部品を提供する。【構成】ＴｉＯ₂とＺｎＯを主成分とする誘電体磁器に
Ｂ₂Ｏ₃またはＢ₂Ｏ₃を含むガラス成分を含有せしめるこ
とにより、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金の融点以下で焼成を可能する。ま
た、ＴｉＯ₂、ＺｎＯの組成比を選択することにより温
度係数の選択が可能であり、Ｂ₂Ｏ₃またはＢ₂Ｏ₃を含む
ガラス成分の含有量を選択することにより焼結温度の選
択が可能となる。さらにＣｕ酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｍｎ
酸化物、Ｓｉ酸化物を添加してその含有量を調整するこ
とにより、結晶構造、比誘電率、Ｑ値、温度係数、絶縁
抵抗（ＩＲ）および結晶粒径の制御が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＡｇもしくはＣｕ、ま
たはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内部導体と
して使用できるような低温焼結性を有する、ＴｉＯ₂と
ＺｎＯを主成分とする誘電体磁器およびその製造方法、
ならびにこの誘電体磁器を用いた電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＡＶ機器、コンピューター機器、
および移動体通信機器等の分野では製品の小型化、高性
能化が進み、それらに用いられる各種電子部品に関して
も小型化、高性能化、サーフェスマウントデバイス（Ｓ
ＭＤ）化に対する要求が非常に高まっている。そのため
コンデンサ部品は内部に層状に電極導体を構成する積層
チップコンデンサの市場が拡大している。

【０００３】これら積層チップコンデンサの内部導体と
してはＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属が用いられてきた
が、コストダウンの観点よりこれら導体材料より比較的
安価なＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主
成分とする合金に変わりつつある。特にＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金はその直流抵抗が低いことから、コ
ンデンサのＱ特性を向上させることができる等の利点が
ありその要求が高まっている。しかし、ＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金は融点が９６０℃程度と低く、これ
より低い温度で安定に焼成できる誘電体材料が必要とな
る。

【０００４】また、コンデンサと、他のコイル素子と回
路を形成するいわゆるＬＣ回路として用いる場合、また
はコンデンサとコイルを両方備えているような複合電子
部品を形成する場合においてはコンデンサ素子にコイル
素子の温度係数を補償するような温度係数を有するこ
と、いわゆる温度補償用コンデンサとして機能すること
が要求される。そのために誘電体磁器としてはその温度
係数を任意に調整できることが重要となる。

【０００５】さらに、誘電体磁器を用いて誘電体フィル
ターを形成する場合、以下の事柄が重要となる。（１）
携帯電話等で使用されるマイクロ波付近では誘電体の比
誘電率により共振器の長さが制約を受けるために、素子
の小型化の実現にはその比誘電率がある程度高いこと。
（２）温度変化に対する特性の変動を極力少なくするた
め、誘電体の温度係数が小さいこと。（３）誘電体のＱ
値は誘電体フィルターに要求される挿入損失に影響を及
ぼすため、誘電体のＱ値が高いこと、である。また前記
したように低抵抗の内部導体を使用することが素子のＱ
値の向上に有効である。

【０００６】そこで、これらの要求を満たすために、こ
れまで９００℃程度で焼成可能な誘電体磁器としては、
特公昭６２−５７０４２号公報のＴｉＯ₂を主成分とす
るもの、特開平１−２３６５１４号公報のＳｒＴｉＯ₃
を主成分とするもの、特開平６−２４３７２５号公報の
の（ＳｒＣａ）ＴｉＯ₃を主成分とするもの、また温度
係数の極めて小さな特性を有する誘電体フィルター用材
料としては特開平５−３２５６４１号公報のＢａＯ−Ｔ
ｉＯ₂系を主成分とするもの、特開平５−２３４４２０
号公報のＢａＯ−ＴｉＯ₂−Ｎｄ₂Ｏ₃系を主成分とする
ものなどの発明があるが、いずれのものも特定の温度係
数を有しており、広範な温度係数を任意に選択できるも
のではない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ＴｉＯ₂とＺｎＯを主
成分とする誘電体磁器はその配合比を変えることにより
任意の温度係数を選択でき、特にある特定の組成では温
度係数が極めて小さくなることが知られている（素木洋
一著、“ファインセラミックス”、技報堂出版株式会
社、７８８頁〜７８９頁）。よって、これは温度補償用
コンデンサ、磁性材と一体化したＬＣフィルターのコン
デンサ素子または誘電体フィルター等の誘電体材料とし
て非常に有用である。

【０００８】しかし、その焼結温度は約１３００℃と高
く、そのためこれを用いて積層チップ部品を構成する場
合には、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを
主成分とする低融点の合金を内部導体として用いること
ができなかった。また、これまでＴｉＯ₂とＺｎＯを主
成分とする誘電体においてこれら低融点の電極材料を用
いることができるような誘電体磁器の発明はなされてい
ない。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＴｉＯ₂とＺ
ｎＯを主成分とする誘電体磁器にＢ₂Ｏ₃またはＢ₂Ｏ₃を
含むガラス成分を含有せしめることにより、Ａｇもしく
はＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金の
融点以下での焼成を可能とし、これにより、これら金属
を内部導体として電子部品を構成することが可能とな
り、結果として電気的諸特性の向上および製造コストの
低減が実現できる誘電体磁器を提供する。

【００１０】また、ＴｉＯ₂、ＺｎＯの組成比の選択に
より温度係数の選択が可能であり、Ｂ₂Ｏ₃またはＢ₂Ｏ₃
を含むガラス成分の含有量の選択により焼結温度の選択
が可能である。さらにＣｕ酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｍｎ酸
化物、Ｓｉ酸化物を添加してその含有量を調整すること
により、結晶構造、比誘電率、Ｑ値、温度係数、絶縁抵
抗（ＩＲ）および結晶粒径の制御が可能である。

【００１１】

【作用】ＴｉＯ₂とＺｎＯを主成分とする誘電体磁器は
その組成比を選択することにより、任意の温度係数を広
範に得ることが可能であるが、その組成はＴｉＯ₂が４
０〜９０ｍｏｌ％、ＺｎＯが６０〜１０ｍｏｌ％の範囲
であることが好ましい。ＴｉＯ₂が９０ｍｏｌ％を越え
る場合、すなわちＺｎＯが１０ｍｏｌ％より少ない場合
は、温度係数がほぼ一定となり広範に選択できる効果が
十分に得られない。またＴｉＯ₂が４０ｍｏｌ％より少
ない場合、すなわちＺｎＯが６０ｍｏｌ％を越える場合
は、その温度係数は大きな正の値をとるが、一般にコイ
ル素子の温度係数は正であることから、温度補償用誘電
体材料としては有用でない。

【００１２】また、Ｂ₂Ｏ₃またはＢ₂Ｏ₃を含むガラス成
分を含有することにより、誘電体材料の低温焼成が可能
となるが、Ｂ₂Ｏ₃の含有量は０．１〜６．０ｗｔ％が好
ましい。この範囲より少ない場合は焼結温度が、Ａｇも
しくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合
金の融点以上の温度となり、本発明の目的のひとつであ
るこれら電極の使用ができなくなる。またこの範囲を越
える場合は耐酸性が弱くなり、メッキ時に素地が酸に浸
食され誘電特性が劣化するため好ましくない。

【００１３】ここで、本発明における副成分の中で必須
成分であるＢ₂Ｏ₃はＴｉＯ₂とＺｎＯを主成分とする誘
電体磁器の低温焼結化に効果的な成分でありＢ₂Ｏ₃単独
にても十分な効果が得られる他、ガラス化したＢ₂Ｏ₃成
分でもその効果は十分に得られる。Ｂ₂Ｏ₃を成分のひと
つとして含むガラスとしては、ＺｎＯ−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ
₃系、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系
などが挙げられ、本発明ではそれらいずれのガラスも有
用に利用することができる。

【００１４】また、ＴｉＯ₂とＺｎＯを主成分とする誘
電体磁器はＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金を内部導体として使用可能な温度付
近にて焼成すると主にＺｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル、ＺｎＴｉ
Ｏ₃＋ルチル、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄+ＺｎＴｉＯ₃の３つの相が
生成される。それぞれの相は異なった誘電特性を有して
おり、生成相を安定化させることはコンデンサ、誘電体
フィルターの品質を安定させる上で非常に重要である。

【００１５】Ｃｕ酸化物またはＮｉ酸化物は必ずしも含
有せしめる必要はないが、これが誘電体磁器中に存在す
ることによりＺｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル相が安定して生成さ
れる。これら酸化物の含有量はＣｕＯまたはＮｉＯ換算
で１０ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％は含まず）の範囲で
あることが好ましい。Ｃｕ酸化物がこの範囲より多い場
合は、内部導体の拡散による断線やメッキ時に素地もメ
ッキされる等の不都合を生じる。一方、Ｎｉ酸化物がこ
の範囲より多い場合は、焼結温度が高くなりＡｇもしく
はＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を
内部導体として使用できなくなる。

【００１６】Ｍｎ酸化物は必ずしも含有せしめる必要は
ないが、これが誘電体磁器中に存在することにより絶縁
抵抗を高める効果がある。Ｍｎ酸化物の含有量はＭｎＯ
換算で１０ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の範
囲であることが好ましい。この範囲を越える場合は焼結
温度が高くなり、積層チップ部品を構成する場合にＡｇ
もしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする
合金を内部導体として使用できなくなる。

【００１７】製造工程に関しては、前記組成となるよう
に混合、成形、焼成により要求される誘電特性を得るこ
とができるが、全成分の混合に先んじてＴｉＯ₂とＺｎ
Ｏの混合物を仮焼きすることが望ましい。この仮焼きに
より誘電特性は変化しないが、焼成後の結晶粒子の成長
が抑制され、積層チップコンデンサにした場合、薄層化
の面で有利である。

【００１８】また、必ずしも必要ないが、仮焼き時にＴ
ｉＯ₂とＺｎＯの混合物にＳｉＯ₂を添加することにより
さらに焼成後の結晶粒子の成長を制御できる。ＳｉＯ₂
の添加量は５ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の
範囲であることが望ましい。この範囲を越える場合は焼
結温度が高くなり、積層チップ部品を構成する場合にＡ
ｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とす
る合金を内部導体として使用できなくなる。

【００１９】

【実施例】

（実施例１）ＴｉＯ₂、ＺｎＯおよびＢ₂Ｏ₃もしくはＢ₂
Ｏ₃を含むガラスを表１となるように秤量し、ボールミ
ルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥した。次に乾燥
した粉末を空気中８００℃にて２時間仮焼きを行い、仮
焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径が０．１〜０．
３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾燥して誘電体粉
末を得た。次にその誘電体粉末１００重量部に対し、バ
インダーとしてエチルセルロースを３．２重量部、ポリ
ビニルブチラールを２．８重量部加え、さらに溶剤とし
てテルピネオールを８７重量部、ブチルカルビトールを
５重量部加え、ライカイ機にて混合し、３本ロールにて
分散を行い誘電体ペーストを作成した。この誘電体ペー
ストおよびＡｇペーストをスクリーン印刷法により交互
に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍのチップに切断
した。得られたグリーンチップを空気中８７０℃にて２
時間焼成し、外部電極としてＡｇを焼き付けしてチップ
コンデンサを作成した。

【００２０】チップコンデンサの断面図を図１に示し、
得られた誘電特性を表１に示す。

【００２１】表１からわかるようにＢ₂Ｏ₃またはガラス
中のＢ₂Ｏ₃量が請求範囲内においては実用十分な誘電特
性を有している。請求範囲より少ない場合、８７０℃の
焼成温度では焼結後緻密化せず、本来の誘電特性が得ら
れない。また、請求範囲を越えた場合には耐酸性が低下
し、メッキ時の素地の浸食が大きくなり、誘電特性が大
幅に劣化する。

【００２２】（実施例２）ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＣｕＯ、
ＮｉＯおよびＢ₂Ｏ₃を含むガラスを表２となるように秤
量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥
した。次に乾燥した粉末を空気中８００℃にて２時間仮
焼きを行い、仮焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径
が０．１〜０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾
燥して誘電体粉末を得た。次にその誘電体粉末１００重
量部に対し、バインダーとしてエチルセルロースを３．
２重量部、ポリビニルブチラールを２．８重量部加え、
さらに溶剤としてテルピネオールを８７重量部、ブチル
カルビトールを５重量部加え、ライカイ機にて混合し、
３本ロールにて分散を行い誘電体ペーストを作成した。
この誘電体ペーストおよびＡｇペーストをスクリーン印
刷法により交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍ
のチップに切断した。得られたグリーンチップを空気中
８７０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇを焼き
付けしてチップコンデンサを作成した。

【００２３】得られた誘電特性を表２に、および焼結体
のＸ線回折パターンを図２に示す。

【００２４】図２のＸ線回折パターンからわかるように
ＣｕＯを含有する場合、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル相とな
り、ＣｕＯ、ＮｉＯを含有しない場合はＺｎＴｉＯ₃＋
ルチル相となる。図３にＴｉＯ₂−ＺｎＯ系の状態図を
示すが、通常Ｚｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル相は９４５℃以上で
生成され、本実施例の焼成温度８７０℃ではこの相は現
れずＺｎＴｉＯ₃＋ルチル相が生成するはずである。し
かし、ＣｕＯおよびＢ₂Ｏ₃もしくはＢ₂Ｏ₃を含むガラス
を含有することにより、９４５℃に満たない温度でもＺ
ｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル相を安定に生成することができる。
また図示していないがＮｉＯを含有する場合も同様の結
果が得られる。

【００２５】ＣｕＯまたはＮｉＯを含有する誘電体材料
は、表２から請求範囲において実用十分の誘電特性を示
すことがわかる。また、温度係数は＋１００〜−７２０
ｐｐｍ／℃の広範な値をとり得ることができ、すなわち
ＴｉＯ₂とＺｎＯの組成比を選択することにより温度係
数を広範に選択することが可能である。特にＴｉＯ₂が
４０〜５０ｍｏｌ％、すなわちＺｎＯが６０〜５０ｍｏ
ｌ％の範囲では、その温度係数が非常に小さな値とな
り、誘電体フィルター用の誘電体材料として好ましい。

【００２６】一方、ＣｕＯまたはＮｉＯを含有しない誘
電体材料もまた、表２から請求範囲において実用十分の
誘電特性を示すことがわかる。特にＴｉＯ₂が５０〜６
０ｍｏｌ％、すなわちＺｎＯが５０〜４０ｍｏｌ％の範
囲では温度係数が非常に小さな値となり、この組成系も
また誘電体フィルター用の誘電体材料として好ましい。
さらにＺｎＴｉＯ₃＋ルチル相はＺｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル
相に比して高いＱ値が得られる。

【００２７】（実施例３）ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＣｕＯ、
ＮｉＯ、ＭｎＣＯ₃（ただし表中はＭｎＯ換算）および
Ｂ₂Ｏ₃を含むガラスを表３に示すように秤量し、ボール
ミルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥した。次に乾
燥した粉末を空気中８００℃にて２時間仮焼きを行い、
仮焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径が０．１〜
０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾燥して誘電
体粉末を得た。次にその誘電体粉末１００重量部に対
し、バインダーとしてエチルセルロースを３．２重量
部、ポリビニルブチラールを２．８重量部加え、さらに
溶剤としてテルピネオールを８７重量部、ブチルカルビ
トールを５重量部加え、ライカイ機にて混合し、３本ロ
ールにて分散し誘電体ペーストを作成した。この誘電体
ペーストおよびＡｇペーストをスクリーン印刷法により
交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍのチップに
切断した。得られたグリーンチップを空気中で８５０℃
および８９０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇ
を焼き付けしてチップコンデンサを作成した。

【００２８】また、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＭｎＣＯ₃（ただ
し表中はＭｎＯ換算）およびＢ₂Ｏ₃を含むガラスを表４
に示すように秤量し、前記と同様な操作をしてチップコ
ンデンサを作成した。但し焼成温度は８７０℃である。

【００２９】得られた誘電特性を表３、４に示す。

【００３０】表３からＺｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル相の場合に
は、ＣｕＯまたはＮｉＯを請求範囲において含有するこ
とにより、焼成温度に対する温度係数の変化が抑えら
れ、生成相が安定していることがわかる。この生成相の
安定は製品化した場合の諸特性の安定化を意味する。Ｃ
ｕＯ量が請求範囲を越える場合には内部導体の拡散によ
る断線があり好ましくない。またＮｉＯが請求範囲を越
える場合には焼結温度が高くなり、ＡｇもしくはＣｕ、
またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内部導体
として使用できなくなる。特にＣｕＯ、ＮｉＯ量が１〜
１０ｗｔ％の範囲では焼成温度に対する温度係数、Ｑ値
の変化が少なく、すなわちＺｎ₂ＴｉＯ₄＋ルチル相をさ
らに安定して生成でき好ましい。

【００３１】表４からわかるように、Ｍｎ酸化物を請求
範囲において含有することにより、絶縁抵抗特性が向上
する。請求範囲を越える場合焼結温度が高くなり、Ａｇ
もしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする
合金を内部導体として使用できなくなる。特にＭｎＯ量
が１ｗｔ％の場合絶縁抵抗だけでなく、比誘電率、Ｑ
値、温度係数等の誘電体諸特性向上に効果がある。

【００３２】（実施例４）ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂、
ＭｎＣＯ₃（ただし表中はＭｎＯ換算）を表５となるよ
うに秤量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後
に乾燥した。次に乾燥した粉末を空気中９５０℃にて２
時間仮焼きを行い、これを母材としこの母材にＣｕＯ、
およびＢ₂Ｏ₃またはＢ₂Ｏ₃を含むガラスを表５に示すよ
うに秤量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後
に乾燥した。次に乾燥した粉末を空気中８００℃にて２
時間仮焼きを行い、仮焼き粉末をボールミルにて最終平
均粒径が０．１〜０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、
後に乾燥して誘電体粉末を得た。次にその誘電体粉末１
００重量部に対し、バインダーとしてエチルセルロース
を３．２重量部、ポリビニルブチラールを２．８重量部
加え、さらに溶剤としてテルピネオールを８７重量部、
ブチルカルビトールを５重量部加え、ライカイ機にて混
合し、３本ロールにて分散し誘電体ペーストを作成し
た。この誘電体ペーストおよびＡｇペーストをスクリー
ン印刷法により交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２
ｍｍのチップに切断した。得られたグリーンチップを空
気中８７０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇを
焼き付けしてチップコンデンサを作成した。

【００３３】得られた誘電特性を表５に示す。

【００３４】母材の仮焼きの有無、またはＳｉＯ₂の添
加量にかかわらず誘電特性は変化しない。しかしこの仮
焼きの有無、請求範囲内でのＳｉＯ₂の添加量に応じて
焼成後の結晶粒径を制御でき、チップコンデンサの薄層
化の面で有利である。しかし、請求範囲を越えてＳｉＯ
₂を添加する場合、焼結温度が高くなり、Ａｇもしくは
Ｃｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内
部導体を使用できなくなる。

【００３５】

【発明の効果】本発明の組成からなるＴｉＯ₂とＺｎＯ
を主成分とする誘電体磁器を用いることにより、従来困
難であったＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金の融点以下での焼成が可能となり、
電子チップ部品を構成する場合これら金属を内部導体と
して使用することができる。また組成により広範に温度
係数を有する温度補償用磁器コンデンサ、挿入損失が少
なく小型化可能な誘電体フィルター等への展開が可能と
なる。さらにこれら比較的安価な電極を使用することに
より、素子のコストダウン化が可能となる。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【表３】

【００３９】

【表４】

【００４０】

【表５】

【図面の簡単な説明】

【図１】積層チップコンデンサの断面図

【図２】焼結体のＸ線回折パターン

【図３】ＴｉＯ₂−ＺｎＯ系の状態図

【符号の説明】１．積層チップコンデンサ２．誘電体３．内部導体４．外部導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川崎邦彦東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＴｉＯ₂とＺｎＯを主成分としＢ₂Ｏ₃また
はＢ₂Ｏ₃を含むガラス成分を含有することを特徴とする
誘電体磁器。
【請求項２】ＴｉＯ₂が４０〜９０ｍｏｌ％、ＺｎＯが
６０〜１０ｍｏｌ％からなる誘電体磁器においてＢ₂Ｏ₃
またはＢ₂Ｏ₃を成分のひとつとして含むガラスをＢ₂Ｏ₃
量換算にて０．１〜６ｗｔ％の範囲で含有せしめた誘電
体磁器。
【請求項３】請求項１、請求項２の誘電体磁器にＣｕ酸
化物、Ｎｉ酸化物またはＭｎ酸化物の少なくとも１種以
上をそれぞれＣｕＯ、ＮｉＯまたはＭｎＯ換算にて１０
ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の範囲で含有せ
しめた誘電体磁器。
【請求項４】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を製造する際に、ＴｉＯ₂とＺｎＯを混合した後
仮焼きし、これに他の成分を混合し焼成することを特徴
とする誘電体磁器の製造方法。
【請求項５】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を製造する際に、ＴｉＯ₂とＺｎＯおよびＴｉＯ₂
とＺｎＯに対してＳｉＯ₂を５ｗｔ％以下（ただし０ｗ
ｔ％は含まず）を混合した後仮焼きし、これに他の成分
を混合し焼成することを特徴とする誘電体磁器の製造方
法。
【請求項６】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を用いた積層チップコンデンサ。
【請求項７】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を用いた誘電体フィルター。
【請求項８】請求項６のコンデンサおよび積層チップイ
ンダクタを備えている電子部品。