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JPH09181682A - 光変調器の駆動回路及び光送信機 - Google Patents

光変調器の駆動回路及び光送信機

Info

Publication number
JPH09181682A
JPH09181682A JP7339481A JP33948195A JPH09181682A JP H09181682 A JPH09181682 A JP H09181682A JP 7339481 A JP7339481 A JP 7339481A JP 33948195 A JP33948195 A JP 33948195A JP H09181682 A JPH09181682 A JP H09181682A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical modulator
drive
circuit
transmission line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7339481A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Sugata
章彦 菅田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP7339481A priority Critical patent/JPH09181682A/ja
Priority to US08/710,556 priority patent/US5706116A/en
Publication of JPH09181682A publication Critical patent/JPH09181682A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/501Structural aspects
    • H04B10/503Laser transmitters
    • H04B10/505Laser transmitters using external modulation
    • H04B10/5059Laser transmitters using external modulation using a feed-forward signal generated by analysing the optical or electrical input
    • H04B10/50593Laser transmitters using external modulation using a feed-forward signal generated by analysing the optical or electrical input to control the modulating signal amplitude including amplitude distortion
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0121Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
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    • H04B10/501Structural aspects
    • H04B10/503Laser transmitters
    • H04B10/505Laser transmitters using external modulation
    • H04B10/5057Laser transmitters using external modulation using a feedback signal generated by analysing the optical output
    • H04B10/50575Laser transmitters using external modulation using a feedback signal generated by analysing the optical output to control the modulator DC bias
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/564Power control
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
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    • H04B10/588Compensation for non-linear transmitter output in external modulation systems

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は光変調器の駆動回路及び光送信機に
関し、大きなパワーのキャリア光に対しても波形劣化が
生じにくくすることを課題とする。 【解決手段】 光源2からのキャリア光を受けて変調さ
れた信号光を出力する光変調器4の駆動回路を、電極
6,8間に接続されて駆動電圧を生じさせる終端抵抗1
2と、駆動信号を発生する駆動信号回路14と、伝送線
路16と、伝送線路16に生じる反射波を抑圧するため
の反射リジェクタ18とから構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、光変調
器の駆動及びその応用に関し、更に詳しくは、電界吸収
型光変調器に適した光変調器の駆動回路及び該駆動回路
が適用される光送信機に関する。
【0002】光ファイバ通信システムにおいては、伝送
路の大容量化に伴い変調速度が増大している。レーザダ
イオードの直接強度変調では、比較的大きな波長チャー
ピングが伝送距離及び変調速度を制限する。チャーピン
グのある信号光が色分散(波長分散)を有する光ファイ
バを通過すると、通常は波形の歪みが生じる。この問題
を避けるために、一般的にはチャーピングを生じさせに
くい外部光変調器の使用に対する期待が高まっている。
【0003】
【従来の技術】実用的な外部光変調器として、LiNb
3 基板を用いたマッハツェンダ型光変調器(MZ変調
器)が開発された。光源からの一定強度のキャリア光が
MZ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング
動作によって、強度変調された信号光が得られる。
【0004】しばしば指摘されるMZ変調器の欠点は、
比較的大きい駆動電圧が要求されること、動作点を一定
に保つための自動バイアス制御が必要であり装置が大規
模になりがちであること等である。
【0005】これらの欠点に鑑みて、低電力駆動が可能
で小型化に適した外部光変調器として、電界吸収型光変
調器(EA変調器)が提案されている。EA変調器は、
印加電圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強
度変調された信号光を生成する。
【0006】実用的なEA変調器は、半導体積層技術に
より半導体チップとして提供される。この半導体チップ
は光源としてのレーザダイオードとの一体化が容易であ
り、これにより結合損失が小さく且つ極めて小型な光送
信機の提供が可能になる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】EA変調器を駆動する
場合において、大きなパワーの光出力を得ようとしてE
A変調器に大きなパワーのキャリア光を供給するとき
に、光変調波形が劣化して伝送品質が低下することがあ
るという問題が明らかになった。
【0008】よって、本発明の目的は、大きなパワーの
キャリア光に対しても波形劣化が生じにくい光変調器の
駆動回路を提供することにある。本発明の他の目的は、
このような駆動回路を光送信機に適用することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の駆動回路は、駆
動電圧を受けるための第1及び第2の電極を有し、光源
からのキャリア光を受け、駆動電圧に応じてキャリア光
を変調して変調された信号光を出力する光変調器に適用
可能である。
【0010】光変調器の第1及び第2の電極間には、駆
動電圧を生じさせるための終端抵抗が接続される。駆動
信号回路は受けたデータ信号に基づいて駆動信号を発生
する。この駆動信号は光変調器の第1及び第2の電極間
に印加すべき駆動電圧に対応する電流信号又は電圧信号
である。
【0011】駆動信号回路と光変調器の第1及び第2の
電極のいずれか一方とが伝送線路により接続される。伝
送線路上には、伝送線路に生じる反射波を抑圧するため
の反射リジェクタが設けられる。
【0012】大きなパワーのキャリア光に対して波形劣
化が生じやすいのは、駆動回路と光変調器との間におい
て生じる反射波に起因していることが明らかになった。
本発明では、伝送線路上に反射リジェクタを設けている
ので、反射波を除去することができ、その結果、光変調
器から出力される信号光に波形劣化が生じにくくなる。
【0013】本発明の他の側面によると、バイアス電流
を供給され、該バイアス電流に応じたパワーのキャリア
光を出力する光源と、駆動電圧を受けるための第1及び
第2の電極を有し、上記キャリア光を受け、上記駆動電
圧に応じて上記キャリア光を変調して変調された信号光
を出力する光変調器と、上記第1及び第2の電極間に接
続されて上記駆動電圧を生じさせる終端抵抗と、第1端
及び第2端を有し該第1端は上記第1及び第2の電極の
いずれか一方に接続される伝送線路と、該伝送線路の第
2端に接続され、受けたデータ信号に基づいて上記駆動
電圧に対応する駆動信号を発生する駆動信号回路と、上
記伝送線路上に設けられ、該伝送線路に生じる反射波を
抑圧するための反射リジェクタとを備えた光送信機が提
供される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の望ましい実施の形
態を添付図面に従って詳細に説明する。図1は本発明の
光送信機の基本構成を示すブロック図である。この構成
は光変調器の本発明の駆動回路を含む。
【0015】光源2は、バイアス電流を供給されてバイ
アス電流に応じたパワーのキャリア光を出力する。光変
調器4は駆動電圧を受けるための電極6及び8を有して
いる。光変調器4は、光源2からのキャリア光を受け、
与えられた駆動電圧に応じてキャリア光を変調して変調
された信号光を出力する。
【0016】光変調器4の駆動回路10は、電極6及び
8間に接続されて駆動電圧を生じさせる終端抵抗12を
含む。駆動回路10は、更に、受けたデータ信号に基づ
いて駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動信号回
路14と、駆動信号回路14と電極6及び8のいずれか
一方(図では電極6)とを接続する伝送線路16と、伝
送線路16上に設けられる反射リジェクタ18とを含
む。反射リジェクタ18の具体例については後述する。
【0017】図2は本発明に適用可能な変調器集積化レ
ーザダイオード(MI−LD)の構成を示す図である。
MI−LDは、例えばGaInAsの多重量子井戸(M
QW)層を含む直接結合導波路構造を有する半導体チッ
プとして提供される。
【0018】図示された例では、MI−LD20は、キ
ャリア光を発生する発光層(活性層)22を有する分布
帰還(DFB)タイプのレーザダイオード(LD)24
と、吸収層26を有する電界吸収型の光変調器(EA変
調器)28とを一体に有している。
【0019】発光層22及び吸収層26はモノリシック
に直結されている。符号30はレーザダイオード24及
びEA変調器28に共通な電極を表しており、この電極
30は例えば接地される。レーザダイオード24はバイ
アス電流を受けるための電極32を有しており、EA変
調器28は駆動電圧を印加されるための電極34を有し
ている。
【0020】このMI−LD20は、モノリシックに直
結される発光層22及び吸収層26を有しているので、
発光層22で生じたキャリア光は効率よく吸収層26に
導入される。従って、レーザダイオード24のバイアス
電流を抑えて消費電力を低減することができる。
【0021】また、図1の光源2及び光変調器4を1つ
の微細な半導体チップとして提供することができるの
で、光送信機を小型にすることができる。図3は図2の
MI−LDの静特性の一例を示す図である。縦軸はEA
変調器28から出力される光のパワー、横軸はレーザダ
イオード24のバイアス電流を示している。
【0022】電極30を接地して、電極34の電位をそ
れぞれ0V,−1V,−2V及び−3Vに設定したとき
の静特性が示されている。この特性から、例えば、ハイ
レベルが0Vでローレベルが−3Vのパルス波形により
EA変調器28を駆動することによって、消光比が約1
1dBの光パルス波形が得られることがわかる。
【0023】図4は図2のMI−LDを駆動する場合に
おける駆動信号の反射減衰量の周波数特性を示す図であ
る。縦軸は反射減衰量(dB)、横軸は変調周波数(G
Hz)を表している。
【0024】グラフ中の矢印が向かっている方向に従っ
て、EA変調器28に導入されるキャリア光のパワーが
大きくなっている。図4の特性は、キャリア光のパワー
が増大するのに従って特に低周波数帯域において反射減
衰量が低下していることを表している。
【0025】このことは、図1の構成において、反射リ
ジェクタ18がないときに、キャリア光のパワーが大き
いと駆動信号の反射波が伝送線路16を通って駆動信号
回路14へ戻り、駆動波形が劣化することを意味してい
る。
【0026】電界吸収型光変調器の動作原理は、印加電
圧に従って吸収バンド端が変化する所謂フランツ・ケル
ディッシュ効果に従っている。光変調器に導入されるキ
ャリア光のパワーが増大すると、吸収光量が増大して吸
収による光電流が増大する。吸収光電流が増大すると、
光変調器の入力インピーダンスが変化し、駆動信号回路
と光変調器の間でインピーダンスのミスマッチングが生
じる。上述の駆動波形の劣化は、このインピーダンスの
ミスマッチングによる反射波の影響によると考えられ
る。
【0027】駆動波形の劣化は、図5の(A)に示され
るように、駆動信号の波形に反射波が重畳したものとし
て説明される。本発明では、駆動信号回路14と光変調
器4とを接続する伝送線路16上に反射リジェクタ18
を設けているので、図5の(B)に示されるように、反
射波を除去して駆動波形を改善することができる。
【0028】反射リジェクタ18は伝送線路16の途中
に設けられていてもよいが、駆動信号回路14と光変調
器4との間における伝送線路16の配線作業を考慮する
と、反射リジェクタ18は光変調器4のすぐ近傍に設け
られているのが望ましい。
【0029】図6は図1の反射リジェクタ18として用
いることができるサーキュレータの平面図である。誘電
体基板36上にY字型のマイクロストリップ線路38が
形成されている。
【0030】マイクロストリップ線路38のクロス部に
は磁化されたフェライト等の磁性体40が設けられてい
る。マイクロストリップ線路38の3つの端部がそれぞ
れポート38A,38B及び38Cとなる。ポート38
Aに供給された信号はポート38Bのみから出力され、
ポート38Bに供給された信号はポート38Cのみから
出力され、ポート38Cに供給された信号はポート38
Aのみから出力される。
【0031】従って、ポート38A,38B及び38C
のいずれか2つのポートを選択し、残りの1つのポート
を終端することによって、このサーキュレータをアイソ
レータとして用いることができる。
【0032】例えばポート38A及び38Bが選択され
た場合、ポート38Aは駆動信号回路14に接続され、
ポート38Bは光変調器4の電極6に接続される。この
ようなサーキュレータ又はアイソレータを図1の反射リ
ジェクタ18として用いることによって、伝送線路16
において生じる反射波を除去することができるので、大
きなパワーのキャリア光に対しても波形劣化がほとんど
生じなくなる。
【0033】図7は光変調器の本発明の駆動回路の第1
実施形態を示す回路図である。以下、駆動されるべき光
変調器が図2のMI−LDにおけるEA変調器28であ
るとするが、本発明はこれに限定されるものではない。
即ち、本発明は単独のEA変調器或いは他の光変調器に
も適用可能である。
【0034】図2の電極34及び30はそれぞれ図1の
電極6及び8に対応しており、ここでは電極30が接地
される。EA変調器28は電気的にはダイオード特性を
有する。
【0035】図7において、ポート42へ供給されたデ
ータ信号は、3つのFET(電界効果トランジスタ)Q
1,Q2及びQ3を有する3段構成の駆動信号回路14
により増幅されて、ポート44から駆動信号として出力
される。
【0036】ポート44はマイクロストリップライン等
からなる伝送線路16によりEA変調器28の電極34
に接続されている。伝送線路16の途中には、反射リジ
ェクタ18としての減衰器46が設けられている。減衰
器46はこの実施形態ではT型ネットワークからなる。
【0037】電極34は終端抵抗12を介して接地され
ている。終端抵抗12は伝送線路16の特性インピーダ
ンスに合わせて例えば50Ωのものが用いられる。EA
変調器28の電極34には、インダクタ48を介して可
変電圧源50により負のバイアスが与えられる。
【0038】駆動信号回路14において、ポート42と
FET Q1はキャパシタC1により、FET Q1と
FET Q2はキャパシタC2により、FET Q2と
FET Q3はキャパシタC3により、FET Q3と
ポート44はキャパシタC4により、それぞれAC結合
されている。
【0039】FET Q1,Q2及びQ3のそれぞれの
ゲートには抵抗R1,R2及びR3を介してゲート電圧
g1, g2, 及びVg3が与えられる。また、FET Q
1,Q2及びQ3のそれぞれのドレインには抵抗R4,
R5及びR6によりドレイン電圧VD1, D2, 及びVD3
が与えられる。
【0040】FET Q1,Q2及びQ3のそれぞれの
ソースは接地されている。C5,C6及びC7はそれぞ
れFET Q1,Q2及びQ3のドレインを高周波的に
接地するためのキャパシタである。
【0041】減衰器46は、伝送線路16の途中に直列
に設けられる抵抗R11及びR12とこれらの接続点を
接地する抵抗R13とを有している。伝送線路16の特
性インピーダンスをR、得るべき減衰率の逆数をKとす
ると、抵抗R11及びR12の値はR(K−1)/(K
+1)で与えられ、抵抗R13の値は2RK/(K2
1)で与えられる。
【0042】例えば特性インピーダンスRが50Ωであ
り、−6dB(K=2)の減衰が必要な場合、抵抗R1
1及びR12の値は16.7Ωとなり、抵抗R13の値
は66.7Ωとなる。
【0043】今、EA変調器28の最適な駆動振幅をV
1(V)とし、減衰器46の減衰量をX(dB)とする
と、駆動信号回路14の出力振幅は、V1/10X/20
与えられる。
【0044】減衰器46がない場合において、駆動信号
回路14の出力反射減衰量が0dB、EA変調器28の
入力反射減衰量が電力換算で−10dBであるとする
と、EA変調器28に入力される信号の10%が反射
し、その反射波すべてが駆動信号回路14において再び
反射して駆動波形が劣化する(図5の(A)参照)。
【0045】この実施形態のように伝送線路16の途中
に減衰器46を設けた場合、その減衰量が例えば−6d
Bであるとすると、反射波が減衰器46を少なくとも2
回通ることによりその影響を2.5%以下に抑えること
ができる(図5の(B)参照)。
【0046】このように本実施形態によると、図2のレ
ーザダイオード24のバイアス電流を大きくしてキャリ
ア光パワーを増大させたとしても、反射波の影響による
光出力の波形劣化を生じにくくすることができる。レー
ザダイオード24にバイアス電流を与えるための回路は
通常通り容易に作製することができるので、その説明は
省略する。
【0047】この実施形態では、反射リジェクタとして
減衰器を用いているので、その減衰率に応じて駆動信号
回路14の出力振幅を比較的大きく設定することが要求
される。この出力振幅の設定は、最終段のFET Q3
のドレイン電圧VD3の調整により行うことができる。
【0048】尚、反射リジェクタとして図6のようなサ
ーキュレータ或いはアイソレータを用いた場合には、駆
動信号回路14の出力振幅はEA変調器28の最適駆動
振幅に実質的に同じでよい。
【0049】図8は光変調器の本発明の駆動回路の第2
実施形態を示す回路図である。ここでは、反射リジェク
タとして、π型ネットワークからなる減衰器46′が用
いられている。
【0050】減衰器46′は、伝送線路16の途中に設
けられる抵抗R21と、抵抗R21の両端をそれぞれ接
地するための抵抗R22及びR23とを有している。こ
の場合、伝送線路16の特性インピーダンスをR、得ら
れるべき減衰率の逆数をKとすると、抵抗R21の値は
R(K2 −1)/2Kで与えられ、抵抗R22及びR2
3の値はR(K+1)/(K−1)で与えられる。
【0051】この実施形態によっても、キャリア光のパ
ワーが大きい場合における反射波の影響による波形劣化
を生じさせにくくすることができる。図9は光変調器の
本発明の駆動回路の第3実施形態を示す回路図である。
この駆動回路は、伝送線路16の途中に例えばトランジ
スタのエミッタフォロアからなるバッファ回路を設けて
いる点で特徴付けられる。
【0052】ここでは、バッファ回路52は第4のFE
T Q4を有している。FET Q4のゲートには抵抗
R7を介してゲート電圧Vg4が与えられ、ソースには抵
抗R8を介してソース電圧VS が与えられ、ドレインは
接地されている。
【0053】C8はポート44とFET Q4のゲート
とをAC結合するためのキャパシタ、C9はFET Q
4のソースを高周波的に接地するためのキャパシタであ
る。このバッファ回路52は機能的にはアイソレータと
同様であり、ポート44から出力される駆動信号は、そ
のままの振幅でもってEA変調器28に駆動電圧を与
え、一方、EA変調器28からの反射波はバッファ回路
52の入力側には影響を与えない。
【0054】よって、この実施形態によっても、反射波
による波形劣化を防止することができ、しかも、反射リ
ジェクタとして減衰器を用いた場合のように駆動信号回
路の出力振幅を大きく設定する必要がない。
【0055】図10は本発明の光送信機の第1実施形態
を示すブロック図である。ここでは、光変調器へ供給さ
れるキャリア光のパワーをモニタリングするために、光
源及び光変調器として別体のレーザダイオード24′及
びEA変調器28′が用いられている。
【0056】レーザダイオード24′から放射されたキ
ャリア光はレンズを有する光学系53によりEA変調器
28′に導入される。EA変調器28′から出力された
信号光は、レンズを有する光学系54によって光ファイ
バ伝送路56に導入される。
【0057】レーザダイオード24′にはバイアス回路
58からバイアス電流が与えられ、これにより一定パワ
ーのキャリア光が発生する。レーザダイオード24′の
温度変化等によりキャリア光のパワーが変動しないよう
に、図示はしないが、レーザダイオード24′のバック
ワード光のパワーを検知するようにし、検知されたパワ
ーが一定になるようにフィードバックループを構成して
もよい。
【0058】レーザダイオード24′からEA変調器2
8′に供給されるキャリア光のパワーをモニタリングす
るために、キャリア光の一部を光分岐デバイス60によ
り分岐し、その分岐光をフォトディテクタ62に入力し
ている。フォトディテクタ62は受けた分岐光のパワー
に応じた信号を出力する。
【0059】ここでは、伝送線路16の途中又は端部に
設けられる反射リジェクタは、可変の減衰率を有する減
衰器63である。駆動信号回路14に入力するデータ信
号は、データ発生器64において発生する。振幅設定回
路66は、駆動信号回路14が出力する駆動信号の振幅
を変化させるためのものである。
【0060】制御回路68は、フォトディテクタ62か
らの信号を受けて、モニタリングされたキャリア光のパ
ワーに応じて減衰器63の減衰率及び駆動信号の振幅を
制御する。
【0061】特にこの実施形態では、制御回路68は、
検出されたキャリア光のパワーが増大するのに従って減
衰器63の減衰率及び駆動信号の振幅が増大するように
制御を行う。具体的には次の通りである。尚、減衰率が
増大するというのは、XdB(X<0)の減衰において
Xの絶対値が増大することを意味する。
【0062】振幅設定回路66は、例えば駆動信号回路
14が図7に示されるような三段構成の増幅器を有して
いる場合、FET Q3のドレイン電圧VD3を変化させ
る。可変の減衰率を有する減衰器63は、例えば、減衰
率が異なる複数の減衰器と、これらを切り換える電気的
或いは機械的なスイッチとから容易に構成することがで
きる。
【0063】制御回路68は、EA変調器28′に供給
されるキャリア光のパワーが小さく駆動信号の反射波が
ほとんど生じないときには、減衰器63における減衰率
を0dBとし、駆動信号回路14の出力振幅をEA変調
器28′の最適駆動振幅V1にする。キャリア光のパワ
ーが大きくなり、駆動信号の反射波による波形劣化が生
じているときには、制御回路68は、減衰器63におけ
る減衰率を反射波が抑えられる程度のXdBとし、駆動
信号回路14の出力振幅がXdB増加するように駆動信
号回路14における利得を上げ、EA変調器28′に最
適駆動振幅V1が与えられるようにする。
【0064】制御回路68は、上述の2つの状態を切り
換えるようなものの他、減衰率及び振幅を連続的に変化
させるようなものでもよい。例えば、予めキャリア光の
パワーの変化に伴うEA変調器28′における入力反射
減衰量を測定しておき、キャリア光のパワーと入力反射
減衰量をパラメータとするマップを作成しておき、入力
反射減衰量の劣化を補償するように減衰器63における
減衰率を制御すると共にこの減衰率を相殺するように駆
動信号の振幅を制御するようにしてもよい。
【0065】この実施形態によると、キャリア光のパワ
ーが小さく反射波の影響による波形劣化の恐れがない場
合に駆動信号の振幅が小さくなるように制御されるの
で、駆動信号回路14の消費電力を抑えることができ
る。
【0066】図11は本発明の光送信機の第2実施形態
を示すブロック図である。この光送信機は、図10の実
施形態と対比して、光源及び光変調器を一体化した図2
のMI−LD20が用いられている点で特徴付けられ
る。
【0067】本実施形態の他の特徴点は、キャリア光の
パワーをモニタリングするために、レーザダイオード2
4に供給されるバイアス電流を電流検出回路70が検出
する点にある。
【0068】電流検出回路70は、バイアス電流が流れ
る抵抗値が既知の抵抗を有しており、その抵抗における
電圧効果を検出することによりバイアス電流の値が測定
される。
【0069】レーザダイオード24が発生するキャリア
光のパワーはバイアス電流によって決定されるので、バ
イアス電流の検出値に基づいてキャリア光のパワーがモ
ニタリングされるのである。
【0070】制御回路68′は電流検出回路70の出力
信号を受けて、図10の制御回路68と同様な制御を行
う。この実施形態においては、光学系53、光分岐デバ
イス60及びフォトディテクタ62が不要になるので、
構成を簡単にすることができる。また、MI−LD20
の採用により、光源と光変調器の光学的結合損失が小さ
くなり、バイアス回路58の低消費電力化が可能にな
る。
【0071】このように光源と光変調器が直結されてい
る場合、光変調器における吸収キャリア光量が大きく、
従って光変調器において駆動信号の反射波が生じやすい
ので、反射リジェクタを用いる本発明の効果は極めて大
きい。
【0072】図10及び図11の説明においては、キャ
リア光のパワーが増大するのに従って減衰器の減衰率及
び駆動信号の振幅を増大させるようにしているが、図4
と異なるような駆動信号の反射減衰率の周波数特性を有
する光変調器においては、キャリア光のパワーが増大す
るのに従って減衰器の減衰率及び駆動信号の振幅が減少
するような制御を行ってもよい。
【0073】本発明は電界吸収型以外の光変調器にも適
用可能である。供給されるキャリア光のパワーの変化に
より光変調器のインピーダンスが変化する場合には、本
発明を適用することにより上述の実施形態と同様の効果
を得ることができる。
【0074】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
大きなパワーのキャリア光に対しても波形劣化が生じに
くい光変調器の駆動回路及び光送信機の提供が可能にな
るという効果が生じる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本構成を示すブロック図である。
【図2】変調器集積化レーザダイオード(MI−LD)
の構成を示す図である。
【図3】MI−LDの静特性の一例を示す図である。
【図4】駆動信号の反射減衰量の周波数特性を示す図で
ある。
【図5】本発明による波形改善の説明図である。
【図6】本発明に適用可能なサーキュレータの平面図で
ある。
【図7】光変調器の本発明の駆動回路の第1実施形態を
示す回路図である。
【図8】光変調器の本発明の駆動回路の第2実施形態を
示す回路図である。
【図9】光変調器の本発明の駆動回路の第3実施形態を
示す回路図である。
【図10】本発明の光送信機の第1実施形態を示すブロ
ック図である。
【図11】本発明の光送信機の第2実施形態を示すブロ
ック図である。
【符号の説明】
2 光源 4 光変調器 6,8 電極 10 駆動回路 12 終端抵抗 14 駆動信号回路 16 伝送線路 18 反射リジェクタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/03 502

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 駆動電圧を受けるための第1及び第2の
    電極を有し、光源からのキャリア光を受け、上記駆動電
    圧に応じて上記キャリア光を変調して変調された信号光
    を出力する光変調器の駆動回路であって、 上記第1及び第2の電極間に接続されて上記駆動電圧を
    生じさせる終端抵抗と、 第1端及び第2端を有し該第1端は上記第1及び第2の
    電極のいずれか一方に接続される伝送線路と、 該伝送線路の第2端に接続され、受けたデータ信号に基
    づいて上記駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動
    信号回路と、 上記伝送線路上に設けられ、該伝送線路に生じる反射波
    を抑圧するための反射リジェクタとを備えた光変調器の
    駆動回路。
  2. 【請求項2】 上記反射リジェクタは減衰器からなる請
    求項1に記載の光変調器の駆動回路。
  3. 【請求項3】 上記反射リジェクタはアイソレータから
    なる請求項1に記載の光変調器の駆動回路。
  4. 【請求項4】 上記反射リジェクタはトランジスタを有
    するバッファ回路からなる請求項1に記載の光変調器の
    駆動回路。
  5. 【請求項5】 上記反射リジェクタは可変の減衰率を有
    する減衰器からなり、 上記キャリア光のパワーをモニタリングする第1の手段
    と、 上記駆動信号回路が発生する駆動信号の振幅を変化させ
    る第2の手段と、 上記第1の手段によりモニタリングされたパワーに応じ
    て上記減衰器の減衰率及び上記駆動信号の振幅を制御す
    る第3の手段とを更に備えた請求項1に記載の光変調器
    の駆動回路。
  6. 【請求項6】 上記第3の手段は上記モニタリングされ
    たパワーが増大するのに従って上記減衰率及び上記振幅
    を増大させる請求項5に記載の光変調器の駆動回路。
  7. 【請求項7】 上記第1の手段は、上記キャリア光を第
    1及び第2の分岐光に分岐する手段と、該第1の分岐光
    を受けそのパワーに応じた信号を出力するフォトディテ
    クタとを含み、 上記第2の分岐光が上記光変調器へ供給される請求項5
    に記載の光変調器の駆動回路。
  8. 【請求項8】 上記光源はバイアス電流を供給されるレ
    ーザダイオードからなり、 上記第1の手段は上記バイアス電流を検出する手段を含
    む請求項5に記載の光変調器の駆動回路。
  9. 【請求項9】 上記光変調器は、上記駆動電圧に応じて
    上記キャリア光を吸収することにより強度変調された信
    号光を出力する電界吸収型光変調器である請求項1に記
    載の光変調器の駆動回路。
  10. 【請求項10】 バイアス電流を供給され、該バイアス
    電流に応じたパワーのキャリア光を出力する光源と、 駆動電圧を受けるための第1及び第2の電極を有し、上
    記キャリア光を受け、上記駆動電圧に応じて上記キャリ
    ア光を変調して変調された信号光を出力する光変調器
    と、 上記第1及び第2の電極間に接続されて上記駆動電圧を
    生じさせる終端抵抗と、 第1端及び第2端を有し該第1端は上記第1及び第2の
    電極のいずれか一方に接続される伝送線路と、 該伝送線路の第2端に接続され、受けたデータ信号に基
    づいて上記駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動
    信号回路と、 上記伝送線路上に設けられ、該伝送線路に生じる反射波
    を抑圧するための反射リジェクタとを備えた光送信機。
  11. 【請求項11】 上記光源は上記キャリア光を発生する
    発光層を有するレーザダイオードからなり、 上記光変調器は上記駆動電圧に応じて上記キャリア光を
    吸収する吸収層を有する電界吸収型光変調器からなり、 該吸収層は上記発光層とモノリシックに直結されている
    請求項10に記載の光送信機。
  12. 【請求項12】 上記反射リジェクタは可変の減衰率を
    有する減衰器からなり、 上記バイアス電流を検出することにより上記キャリア光
    のパワーをモニタリングする手段と、 該モニタされたキャリア光のパワーが増大するのに従っ
    て上記減衰率及び上記駆動信号の振幅が増大するように
    これらを制御する手段とを更に備えた請求項11に記載
    の光送信機。
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