JPH09171181A - Liquid crystal display element - Google Patents
Liquid crystal display elementInfo
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- JPH09171181A JPH09171181A JP8334415A JP33441596A JPH09171181A JP H09171181 A JPH09171181 A JP H09171181A JP 8334415 A JP8334415 A JP 8334415A JP 33441596 A JP33441596 A JP 33441596A JP H09171181 A JPH09171181 A JP H09171181A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示素子につ
いてのものであり、特に、アクティブマトリクス型液晶
表示素子のブラックマトリクス及びアレイ構成に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a black matrix and array configuration of an active matrix liquid crystal display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶を用いた表示素子は、テレビ表示や
グラフィックディスプレス等を指向した大容量で高密度
のアクティッブマトリクス型表示素子の開発及び実用化
が盛んである。このような表示素子では、クロストーク
のない高コントラストの表示が行えるように、各画素の
駆動と制御を行う手段として半導体スイッチが用いられ
る。その半導体スイッチとしては、透過型表示が可能で
あり大面積化も容易である等の理由から、透明絶縁基板
上に形成された薄膜トランジスタ(TFT)やMIM素
子等が、通常用いられている。2. Description of the Related Art As a display element using liquid crystal, an active matrix type display element having a large capacity and a high density directed to a television display, a graphic display or the like has been developed and put into practical use. In such a display element, a semiconductor switch is used as a means for driving and controlling each pixel so that high-contrast display without crosstalk can be performed. As the semiconductor switch, a thin film transistor (TFT) formed on a transparent insulating substrate, a MIM element, or the like is usually used because it can be used for a transmissive display and can be easily enlarged.
【0003】そして一般に、アクティブマトクリス型の
液晶表示素子としては、ラビングによる一軸性の配向処
理がそれぞれ施された2枚の基板を、配向方向が互いに
90°をなすように平行に対向させて配置し、これらの間
にネマチックタイプの液晶組成物を挟持させたツイステ
ッドネマチック(TN)型のものが広く用いられてい
る。In general, as an active matrix type liquid crystal display element, two substrates each subjected to a uniaxial alignment treatment by rubbing have their alignment directions mutually.
Twisted nematic (TN) type devices, which are arranged parallel to each other so as to form 90 ° and in which a nematic type liquid crystal composition is sandwiched, are widely used.
【0004】なお、この種の液晶表示素子では、液晶分
子は通常、ラビング方向と関連してプレチルト角を有し
ており、ポリイミドを用いた配向の場合にはプレチルト
角は2°前後である。In this type of liquid crystal display device, the liquid crystal molecules usually have a pretilt angle in relation to the rubbing direction, and in the case of alignment using polyimide, the pretilt angle is about 2 °.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
液晶表示素子のうち例えば個々の画素を直接駆動するス
イッチング素子としてTFTを用いたタイプでは、表示
上で次のような点に問題があった。即ち、例えばノーマ
リホワイト表示(2枚の基板に被着した偏光板の透過軸
を互いに直交させる)を行なったときには、黒レベルが
十分に下がらず、コントラストの低下につながる。ま
た、ノーマリブラック表示(2枚の基板に被着した偏光
板の透過軸を互いに平行にする)を行なったときでも、
視角によって表示の見え方が異なったりしていた。However, among the above-mentioned liquid crystal display elements, for example, the type using a TFT as a switching element for directly driving individual pixels has the following problems in display. That is, for example, when normally white display is performed (the transmission axes of the polarizing plates attached to the two substrates are made orthogonal to each other), the black level is not sufficiently lowered, and the contrast is lowered. In addition, even when normally black display (the transmission axes of the polarizing plates attached to the two substrates are made parallel to each other),
The appearance of the display was different depending on the viewing angle.
【0006】この発明はこのような従来の事情に鑑みな
されたものであり、優れた表示性能を有する液晶表示素
子を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such conventional circumstances, and an object thereof is to provide a liquid crystal display element having excellent display performance.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載される発
明は、一主面上に複数個の能動素子とこれに接続された
画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素子及び前
記画素電極の周りには配線が形成された能動素子基板
と、この能動素子基板と対向して配置された共通電極を
一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板と前記
対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶組成物
とを有し、前記能動素子基板と前記対向基板の一主面上
に互いの配向軸が概略90゜をなし前記液晶分子に所定の
プレチルトを付与すようラビング処理がそれぞれ施され
た液晶表示素子において、前記能動素子は前記画素電極
における前記能動素子基板側のラビング開始側を除いて
配置され、且つ前記能動素子基板または前記対向基板の
少なくとも一方は、前記能動素子基板に対して概略平行
な横方向電界が前記液晶分子の前記プレチルトに逆らう
領域に生じるディスクリネーションラインに沿って前記
領域を遮光する遮光部を備えたことを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, a plurality of active elements and pixel electrodes connected to the active elements are provided on one main surface, and the active elements and the pixels are provided. Between the active element substrate in which wiring is formed around the electrodes, the counter substrate having a common electrode arranged facing the active element substrate on one main surface, and between the active element substrate and the counter substrate A liquid crystal composition containing liquid crystal molecules sandwiched between the active element substrate and the counter substrate, and their mutual alignment axes are approximately 90 ° on one main surface of the active element substrate and the liquid crystal molecules, and impart a predetermined pretilt to the liquid crystal molecules. In the liquid crystal display element subjected to the rubbing process as described above, the active element is disposed except for the rubbing start side of the pixel electrode on the active element substrate side, and at least one of the active element substrate or the counter substrate is Serial generally parallel transverse electric field to the active element substrate is characterized by including a light shielding part which shields the region along the disclination line caused in the area against the pretilt of the liquid crystal molecules.
【0008】請求項2に記載される発明は、一主面上に
複数個の能動素子とこれに接続された画素電極とがそれ
ぞれ配設され且つ前記能動素子及び前記画素電極の周り
には配線が形成された能動素子基板と、この能動素子基
板と対向して配置された共通電極を一主面上に有する対
向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟
持された液晶分子を含む液晶組成物とを有し、前記能動
素子基板と前記対向基板の一主面上に互いの配向軸が概
略90゜をなし前記液晶分子に所定のプレチルトを付与す
ようラビング処理がそれぞれ施された液晶表示素子にお
いて、前記能動素子は前記画素電極における前記能動素
子基板側のラビング開始側を除いて配置され、且つ前記
能動素子基板に対して概略平行な横方向電界が前記液晶
分子の前記プレチルトに逆らう領域の前記配線と前記画
素電極との距離を他の領域の前記配線と前記画素電極と
の距離よりも大きく設定したことを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, a plurality of active elements and a pixel electrode connected to the active element are arranged on one main surface, and wiring is provided around the active element and the pixel electrode. An active element substrate on which the active element substrate is formed, a counter substrate having a common electrode arranged to face the active element substrate on one main surface, and liquid crystal molecules sandwiched between the active element substrate and the counter substrate. And a rubbing treatment for imparting a predetermined pretilt to the liquid crystal molecules on the main surfaces of the active element substrate and the counter substrate, the alignment axes of which are approximately 90 °. In the liquid crystal display element, the active element is disposed except for the rubbing start side of the pixel electrode on the active element substrate side, and a lateral electric field substantially parallel to the active element substrate is applied to the liquid crystal molecules. Plethy The wiring of the area against the bets and the distance between the pixel electrode is characterized in that is set larger than the distance between the wiring and the pixel electrode in the other region.
【0009】アクティブマトリクス型の液晶表示素子で
は、能動素子基板上においてマトリクス状の配線が上下
左右に設けられ、それから僅か数μmのところに例えば
ITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極が形成さ
れている。そして、マトリクス状の配線と画素電極との
間には、強い電場が生じ、液晶分子の配列を乱す。この
液晶分子の配列不整に関係する現象は、「画素端部にお
けるチルトリバース」と呼ばれている。In the active matrix type liquid crystal display element, matrix-like wirings are provided in the vertical and horizontal directions on the active element substrate, and a pixel electrode made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is formed only a few μm from the wiring. There is. Then, a strong electric field is generated between the matrix wiring and the pixel electrode, which disturbs the alignment of the liquid crystal molecules. The phenomenon related to the misalignment of the liquid crystal molecules is called “tilt reverse at the pixel end”.
【0010】この発明は、「画素端部におけるチルトリ
バース」が限定された領域のみに現れることを利用し、
他の表示性能に影響を与えない範囲で遮光部の配置を工
夫することにより、或いは、マトリクス状の配線と画素
電極との間隔を広げて「画素端部におけるチルトリバー
ス」の発生量を抑えることにより、「画素端部における
チルトリバース」の光学特性への影響を低減している。The present invention takes advantage of the fact that "tilt reverse at the pixel edge" appears only in a limited area,
To suppress the occurrence of "tilt reverse at the pixel edge" by devising the arrangement of the light shielding part within a range that does not affect other display performance, or by widening the interval between the matrix wiring and the pixel electrode. As a result, the influence of “tilt reverse at the pixel end” on the optical characteristics is reduced.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を図面を参
照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0012】図1は請求項1記載の発明の一実施例を示
す図である。このなかで、図1(a)はこの実施例の概
略断面図を表している。図1(a)において、ガラス基
板(10)上に複数個の能動素子(11)としてのTFT及
びこれに接続された例えばITOからなる概略矩形の画
素電極(12)とがそれぞれ配設され、且つ能動素子(1
1)及び画素電極(12)の周りにはゲート線及び信号線
からなるマトリクス状の配線(13)が形成されることに
より、能動素子基板(14)が構成されている。一方、ガ
ラス基板(15)上の全面に例えばITOからなる共通電
極(16)が形成されることにより、対向基板(17)が構
成されている。そして、能動素子基板(14)の能動素子
(11)等が形成された一主面上には、更に全面に例えば
低温キュア型のポリイミド(PI)からなる配向膜(1
8)が形成されており、また、対向基板(17)の共通電
極(16)が形成された一主面上には、例えば厚さ0.15μ
mのCr(クロム)からなる格子上のブラックマトクリ
スである遮光部(19)と、これを覆うように全面に例え
ば低温キュア型のポリミイドからなる配向膜(20)が順
次形成されている。そして、能動素子基板(14)と対向
基板(17)の一主面上に、各々の配向膜(18),(20)
を所定の方向に布等でこすることにより、互いの配向軸
が概略90°をなすようなラビングによる配向処理がそれ
ぞれ施されるようになる。更に、能動素子基板(14)と
対向基板(17)とは互いの一主面側が対向し且つ互いの
配向軸が概略90°をなすように配置され、これらの間に
は例えばネマチック液晶からなる液晶組成物(21)が挟
持されている。ここで、能動素子基板(14)と対向基板
(17)とを組み合わせる際に、配向膜(18),(20)の
ラビング方向は、良視角方向が正面方向に向くように設
定されている。そして、能動素子基板(14)と対向基板
(17)の他主面側には、それぞれ偏光板(22),(23)
が被着されており、能動素子基板(14)と対向基板(1
7)の一方の他主面側から照明を行う形になっている。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the invention described in claim 1. In FIG. Among these, FIG. 1A shows a schematic sectional view of this embodiment. In FIG. 1A, a plurality of TFTs as active elements (11) and a pixel electrode (12) having a substantially rectangular shape connected to the TFTs are provided on a glass substrate (10). And active element (1
The active element substrate (14) is configured by forming a matrix-shaped wiring (13) including gate lines and signal lines around the pixel electrode (12) and the pixel electrode (12). On the other hand, a common electrode (16) made of, for example, ITO is formed on the entire surface of the glass substrate (15) to form a counter substrate (17). Then, on the main surface of the active element substrate (14) on which the active elements (11) and the like are formed, an alignment film (1) made of, for example, low temperature cure type polyimide (PI) is further formed.
8) is formed on the main surface of the counter substrate (17) on which the common electrode (16) is formed.
A light-shielding portion (19), which is a black matrix on the lattice of Cr (chrome) of m, and an alignment film (20) made of, for example, a low temperature cure type polymide, are sequentially formed on the entire surface so as to cover the light-shielding portion (19). Then, on the main surfaces of the active element substrate (14) and the counter substrate (17), respective alignment films (18) and (20) are formed.
By rubbing with a cloth or the like in a predetermined direction, the alignment treatment by rubbing such that the mutual alignment axes form approximately 90 ° is performed. Further, the active element substrate (14) and the counter substrate (17) are arranged such that their main surface sides face each other and their alignment axes form approximately 90 °, and they are made of, for example, a nematic liquid crystal. The liquid crystal composition (21) is sandwiched. Here, when the active element substrate (14) and the counter substrate (17) are combined, the rubbing directions of the alignment films (18) and (20) are set so that the good viewing angle direction is the front direction. Polarizing plates (22) and (23) are provided on the other principal surface sides of the active element substrate (14) and the counter substrate (17), respectively.
The active element substrate (14) and the counter substrate (1
7) Illumination is performed from the other main surface side on one side.
【0013】図1(b)は、この実施例における能動素
子基板(14)と遮光部(19)の対向状態を示した概略平
面図である。図1(b)からわかるように、能動素子基
板(14)においては、マトリクス状の配線(13)を構成
する点線で示したゲート線(24)と実線で示した信号線
(25)は直交するように配置されており、マトリクス状
の配線(13)で囲まれた領域が一つの画素になり、そこ
には能動素子(11)と画素電極(12)が配置されてい
る。ここでゲート線(24)は例えば能動素子(11)のゲ
ート走査信号を与えるための配線であるのに対し、信号
線(25)は例えば能動素子(11)のドレイン(或いはソ
ース)に画像信号を与えるための配線である。そして、
遮光部(19)は能動素子(11)及びマトリクス状のは配
線(13)と重なるばかりでなく、能動素子基板(14)側
のラビング方向(26)における画素電極(12)のラビン
グの開始側に位置する角部(27)も被覆するような形状
になっている。具体的には、信号線(25)のL字形に曲
がっている角(28)から、画素電極(12)にオーバーラ
ップしている遮光部(19)の端までの長さを30μmとし
ている。FIG. 1B is a schematic plan view showing a state in which the active element substrate (14) and the light shielding portion (19) face each other in this embodiment. As can be seen from FIG. 1B, in the active element substrate (14), the gate line (24) shown by the dotted line and the signal line (25) shown by the solid line are orthogonal to each other, which form the matrix-like wiring (13). The area surrounded by the matrix-shaped wiring (13) constitutes one pixel, and the active element (11) and the pixel electrode (12) are arranged therein. Here, the gate line (24) is, for example, a wiring for applying a gate scanning signal to the active element (11), while the signal line (25) is, for example, an image signal to the drain (or source) of the active element (11). Is a wiring for giving. And
The shading portion (19) not only overlaps with the active element (11) and the matrix-shaped wiring (13), but also the rubbing start side of the pixel electrode (12) in the rubbing direction (26) on the active element substrate (14) side. The corner portion (27) located at is also shaped so as to cover the corner portion (27). Specifically, the length from the corner (28) of the signal line (25) bent in an L shape to the end of the light shielding portion (19) overlapping the pixel electrode (12) is 30 μm.
【0014】図2はこの実施例についての「画素端部に
おけるチルトリバース」と呼ばれる現象(液晶分子の配
列不整)の発生機構を示すための図である。この「画素
端部におけるチルトリバース」は、図2において、能動
素子基板(14)上でラビング開始方向に相当する部分
(30)に、液晶分子(31)のプレチルトに逆らう方向に
電界がかかるため発生すると考えられる。この点に関
し、より詳細に述べれば、まず動作時には、マトリクス
状の配線(13)と画素電極(12)との間におけるガラス
基板(10)に概略平行な横方向電界(32)により、液晶
分子(31)がもともとの配向方向と異なる配列を強制さ
れる。そして、ここに歪みが生じ、弾性エネルギーの集
中が起こる。更に、液晶分子(31)間の相互作用によっ
て、歪みによるエネルギーが画素内にも及んでくること
があるため、画素内の大部分の配列と異なる部分が生じ
る。この現象が「画素端部におけるチルトリバース」で
あり、この領域と正常な領域との境界部がディスクリネ
ーションラインとなり輝線が発生する。FIG. 2 is a diagram showing the mechanism of occurrence of a phenomenon called "tilt reverse at the pixel end" (alignment irregularity of liquid crystal molecules) in this embodiment. This “tilt reverse at the pixel edge” is because an electric field is applied to the portion (30) on the active element substrate (14) corresponding to the rubbing start direction in the direction against the pretilt of the liquid crystal molecule (31) in FIG. It is thought to occur. More specifically, regarding this point, first, during operation, a liquid crystal molecule is generated by a lateral electric field (32) substantially parallel to the glass substrate (10) between the matrix wiring (13) and the pixel electrode (12). (31) is forced to have an orientation different from the original orientation. Then, distortion occurs here, and concentration of elastic energy occurs. Furthermore, since the energy due to the distortion may reach the inside of the pixel due to the interaction between the liquid crystal molecules (31), a portion different from most of the arrangement in the pixel occurs. This phenomenon is "tilt reverse at the pixel end", and the boundary between this area and a normal area becomes a disclination line, and a bright line is generated.
【0015】図3はこの実施例の一画素部において上述
の「画素端部におけるチルトリバース」が発生する領域
を示す概略平面図である。同図からわかるように、「画
素端部におけるチルトリバース」は画素電極(12)全体
に広がることはほとんどなく、極めて限定された領域
(33)にのみ発生する。この大きさは配向膜(18)の材
料にもよるが、低温キュア型PIの場合、信号線(25)
のL字形に曲がっている角(28)から20μm程度であ
り、これ以上広がることは極めて希である。一方、この
「画素端部におけるチルトリバース」領域は、信号線
(25)の端と画素電極(12)との間隔にも依存する。こ
れは、信号線(25)と画素電居(12)との間の電界によ
り、「画素端部におけるチルトリバース」が引き起こさ
せることを考えると当然のことである。本発明者の実験
によれば、この間隔が10μm以上になると、「画素端部
におけるチルトリバース」の大きさが小さくなる。FIG. 3 is a schematic plan view showing a region where the above-mentioned "tilt reverse at the pixel end portion" occurs in one pixel portion of this embodiment. As can be seen from the figure, "tilt reverse at the pixel end" hardly spreads over the entire pixel electrode (12), and occurs only in a very limited area (33). This size depends on the material of the alignment film (18), but in the case of low temperature cure PI, the signal line (25)
It is about 20 μm from the corner (28) bent in the L-shape, and it is extremely rare that it extends beyond this. On the other hand, the “tilt reverse at the pixel end” region also depends on the distance between the end of the signal line (25) and the pixel electrode (12). This is natural considering that the "tilt reverse at the pixel end" is caused by the electric field between the signal line (25) and the pixel electrode (12). According to an experiment performed by the inventor, when this interval is 10 μm or more, the magnitude of “tilt reverse at a pixel end” decreases.
【0016】そして、「画素端部におけるチルトリバー
ス」は、液晶分子(31)の配向方向と、マトリクス状の
配線(13)と画素電極(12)との間の電界との相関で発
生するため、能動素子基板(14)側のラビング方向と強
い関連があり、画素電極(12)のラビング開始方向側に
大きくなる。この部分は、液晶分子(31)の配向方向
と、マトリクス状の配線(13)と画素電極(12)との間
の電界方向が最も角度を有する部分、即ち、最も弾性エ
ネルギーの歪みが大きくなる部分だからである。故に、
この実施例では、遮光部(19)を配置するに際し、この
方向に大きく設けている。この結果、信号電圧を白から
黒までに相当する1Vから5Vまで変えても、「画素端
部におけるチルトリバース」は表示領域には全く観察さ
れず、コントラスト比は80:1から 100:1の範囲にあ
り、また、視野角も±45°と、極めて優れた表示性能を
得た。The "tilt reverse at the pixel end" occurs due to the correlation between the alignment direction of the liquid crystal molecules (31) and the electric field between the matrix wiring (13) and the pixel electrode (12). , The rubbing direction on the active element substrate (14) side has a strong relation, and the rubbing direction on the pixel electrode (12) side increases. This portion has the largest angle between the orientation direction of the liquid crystal molecules (31) and the direction of the electric field between the matrix wiring (13) and the pixel electrode (12), that is, the distortion of elastic energy is the largest. Because it is a part. Therefore,
In this embodiment, when the light shielding part (19) is arranged, it is largely provided in this direction. As a result, even if the signal voltage is changed from 1V to 5V corresponding to white to black, "tilt reverse at pixel end" is not observed in the display area at all, and the contrast ratio is 80: 1 to 100: 1. Within the range and a viewing angle of ± 45 °, we obtained extremely excellent display performance.
【0017】なお、この実施例においては、遮光部(1
9)を対向基板(17)側に設けたが、図4に示すよう
に、能動素子基板(14)側に絶縁層(40)を介して設け
ても同様であることは云うまでもない。また、遮光部
(19)を配置する際には、遮光部(19)における角部
(27)を被覆する部分の端辺は、開口率をあまり減少さ
せないようにするため、図1(b)に示したように、ラ
ビング方向(26)と概略直交させることが望ましい。In this embodiment, the light shield (1
Although 9) is provided on the counter substrate (17) side, it goes without saying that the same applies if it is provided on the active element substrate (14) side via the insulating layer (40) as shown in FIG. Further, when the light shielding portion (19) is arranged, the edge of the portion of the light shielding portion (19) that covers the corner portion (27) does not decrease the aperture ratio so much as shown in FIG. It is desirable to make it substantially orthogonal to the rubbing direction (26) as shown in FIG.
【0018】図5は請求項2記載の発明の一実施例を示
す図であり、図1と対応する部分には同一の符号を付し
てある。この実施例は、図1に示した実施例に比べ、画
素電極(12)の形状が異なる。この点について、能動素
子基板(14)と遮光部(19)の対向状態を示した平面図
である図5を用いて説明する。即ち、画素電極(12)の
形状は、概略矩形ではあるが、図1(b)における能動
素子基板(14)側のラビング方向(26)における画素電
極(12)のラビングの開始側に位置する角部(27)に相
当する部分は欠けた形状である。これにより具体的に
は、信号線(25)のL字形に曲がっている角(28)か
ら、上述の角を落とした画素電極(12)までの間隔を15
μmとしている。FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of the invention described in claim 2, and the portions corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In this embodiment, the shape of the pixel electrode (12) is different from that in the embodiment shown in FIG. This point will be described with reference to FIG. 5, which is a plan view showing a state where the active element substrate (14) and the light shielding part (19) face each other. That is, although the pixel electrode (12) has a substantially rectangular shape, it is located on the rubbing start side of the pixel electrode (12) in the rubbing direction (26) on the active element substrate (14) side in FIG. The part corresponding to the corner (27) has a chipped shape. Thereby, specifically, the distance from the corner (28) of the signal line (25) bent in an L shape to the pixel electrode (12) whose corner is reduced is set to 15
μm.
【0019】この実施例では、「画素端部におけるチル
トリバース」が発生する領域を遮光部(19)で表示上被
覆する代わりに、ラビング方向(26)における角(28)
から画素電極(12)までの間隔を15μm以上としてい
る。即ち、従来より「画素端部におけるチルトリバー
ス」が発生していた領域に、信号線(25)と画素電極
(12)によるかかる電界が減少するため、「画素端部に
おけるチルトリバース」の発生事態が極めて小さく抑え
られ、図1に示した実施例と同様に表示上、「画素端部
におけるチルトリバース」が見えなくなる。実際に、こ
の実施例では、「画素端部におけるチルトリバース」の
表示領域への侵入は1μm以内となり、実効的に表示特
性の劣化はなく、コントラスト比 100:1程度で視角の
広い優れた表示を得ることができた。In this embodiment, instead of covering the area where "tilt reverse at the pixel end" occurs on the display with the light shield (19), the corner (28) in the rubbing direction (26) is used.
The distance from to the pixel electrode (12) is 15 μm or more. That is, since the electric field applied by the signal line (25) and the pixel electrode (12) is reduced in the area where "tilt reverse at the pixel edge" has been generated conventionally, the occurrence of "tilt reverse at the pixel edge" occurs. Is suppressed to an extremely small value, and "tilt reverse at the pixel end" cannot be seen on the display as in the embodiment shown in FIG. In fact, in this embodiment, the "tilt reverse at the pixel edge" invades the display area within 1 μm, the display characteristics are not effectively degraded, and the excellent display with a wide viewing angle is provided with a contrast ratio of about 100: 1. I was able to get
【0020】なお、画素電極(12)自体の大きさを全体
的に小さくしても、ラビング方向(26)における角(2
8)から画素電極(12)までの間隔を15μm以上とでき
るが、この場合、開口率が大幅に低下してしまい実用的
でなく、この実施例のように、ラビングの開始側に位置
する角部(27)に相当する部分のみ落とした形状が望ま
しいことは言うまでもない。Even if the size of the pixel electrode (12) itself is reduced, the corner (2) in the rubbing direction (26) is reduced.
The distance from 8) to the pixel electrode (12) can be set to 15 μm or more, but in this case, the aperture ratio is drastically reduced, which is not practical. It goes without saying that it is desirable to have a shape in which only the portion corresponding to the portion (27) is dropped.
【0021】[0021]
【発明の効果】この発明は、「画素端部におけるチルト
リバース」領域を遮光部で重ねるか、或いは「画素端部
におけるチルトリバース」事態の発生を小さく抑えるこ
とにより、表示上、「画素端部におけるチルトリバー
ス」が目立たなくて、コントラスト比が高くて且つ視野
角の広いアクティブマトリクス型の液晶表示素子を得る
ことができる。According to the present invention, the "tilt reverse at the pixel end" region is overlapped by the light-shielding portion or the occurrence of the "tilt reverse at the pixel end" situation is suppressed to be small in display. It is possible to obtain an active matrix type liquid crystal display device having a high contrast ratio and a wide viewing angle, in which “tilt reverse” in the above is inconspicuous.
【図1】図1は請求項1記載の発明の一実施例を説明す
るための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the invention described in claim 1.
【図2】図2は「画素端部におけるチルトリバース」と
いう現象を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a phenomenon called “tilt reverse at a pixel end”.
【図3】図3は「画素端部におけるチルトリバース」の
発生する領域を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a region where “tilt reverse at a pixel end” occurs.
【図4】図4は請求項1記載の発明の他の実施例を説明
するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining another embodiment of the invention according to claim 1;
【図5】図5は請求項2記載の発明の一実施例を説明す
るための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining an embodiment of the invention according to claim 2;
(11)……能動素子 (12)……画素電極 (13)……配線 (14)……能動素子基板 (16)……共通電極 (17)……対向基板 (19)……遮光部 (26)……ラビング方向 (27)……角部 (11) …… Active element (12) …… Pixel electrode (13) …… Wiring (14) …… Active element substrate (16) …… Common electrode (17) …… Counter substrate (19) …… Shading part ( 26) …… Rubbing direction (27) …… Corner
Claims (2)
続された画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素
子及び前記画素電極の周りには配線が形成された能動素
子基板と、この能動素子基板と対向して配置された共通
電極を一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板
と前記対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶
組成物とを有し、前記能動素子基板と前記対向基板の一
主面上に互いの配向軸が概略90゜をなし前記液晶分子に
所定のプレチルトを付与すようラビング処理がそれぞれ
施された液晶表示素子において、 前記能動素子は前記画素電極における前記能動素子基板
側のラビング開始側を除いて配置され、且つ前記能動素
子基板または前記対向基板の少なくとも一方は、前記能
動素子基板に対して概略平行な横方向電界が前記液晶分
子の前記プレチルトに逆らう領域に生じるディスクリネ
ーションラインに沿って前記領域を遮光する遮光部を備
えたことを特徴とする液晶表示素子。1. An active element substrate in which a plurality of active elements and pixel electrodes connected to the active elements are provided on one main surface, and wiring is formed around the active elements and the pixel electrodes. A counter substrate having a common electrode disposed on one main surface facing the active element substrate, and a liquid crystal composition containing liquid crystal molecules sandwiched between the active element substrate and the counter substrate. In the liquid crystal display element, the mutual alignment axes of the active element substrate and the counter substrate on the one main surface are approximately 90 °, and the rubbing treatment is performed so as to impart a predetermined pretilt to the liquid crystal molecules. The active element is arranged except for the rubbing start side of the pixel electrode on the active element substrate side, and at least one of the active element substrate and the counter substrate is a lateral electric field substantially parallel to the active element substrate. Is provided with a light-shielding portion that shields the region along the disclination line generated in the region of the liquid crystal molecule that opposes the pretilt.
続された画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素
子及び前記画素電極の周りには配線が形成された能動素
子基板と、この能動素子基板と対向して配置された共通
電極を一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板
と前記対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶
組成物とを有し、前記能動素子基板と前記対向基板の一
主面上に互いの配向軸が概略90゜をなし前記液晶分子に
所定のプレチルトを付与すようラビング処理がそれぞれ
施された液晶表示素子において、 前記能動素子は前記画素電極における前記能動素子基板
側のラビング開始側を除いて配置され、且つ前記能動素
子基板に対して概略平行な横方向電界が前記液晶分子の
前記プレチルトに逆らう領域の前記配線と前記画素電極
との距離を他の領域の前記配線と前記画素電極との距離
よりも大きく設定したことを特徴とする液晶表示素子。2. An active element substrate in which a plurality of active elements and pixel electrodes connected to the active elements are respectively disposed on one main surface, and wiring is formed around the active elements and the pixel electrodes. A counter substrate having a common electrode disposed on one main surface facing the active element substrate, and a liquid crystal composition containing liquid crystal molecules sandwiched between the active element substrate and the counter substrate. In the liquid crystal display element, the mutual alignment axes of the active element substrate and the counter substrate on the one main surface are approximately 90 °, and the rubbing treatment is performed so as to impart a predetermined pretilt to the liquid crystal molecules. The active element is arranged except for the rubbing start side of the pixel electrode on the active element substrate side, and the wiring in a region in which a lateral electric field substantially parallel to the active element substrate opposes the pretilt of the liquid crystal molecules. A liquid crystal display element, wherein a distance from the pixel electrode is set to be larger than a distance between the wiring in another region and the pixel electrode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33441596A JP2967811B2 (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33441596A JP2967811B2 (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Liquid crystal display device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9445588A Division JP2828990B2 (en) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09171181A true JPH09171181A (en) | 1997-06-30 |
JP2967811B2 JP2967811B2 (en) | 1999-10-25 |
Family
ID=18277127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33441596A Expired - Lifetime JP2967811B2 (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2967811B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100394275C (en) * | 2004-04-23 | 2008-06-11 | 夏普株式会社 | Liquid crystal display device |
-
1996
- 1996-12-02 JP JP33441596A patent/JP2967811B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100394275C (en) * | 2004-04-23 | 2008-06-11 | 夏普株式会社 | Liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2967811B2 (en) | 1999-10-25 |
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