JPH091542A - 薄板状素材の切断方法 - Google Patents
薄板状素材の切断方法Info
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- JPH091542A JPH091542A JP15755695A JP15755695A JPH091542A JP H091542 A JPH091542 A JP H091542A JP 15755695 A JP15755695 A JP 15755695A JP 15755695 A JP15755695 A JP 15755695A JP H091542 A JPH091542 A JP H091542A
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- cutting
- semiconductor wafer
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- thin plate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハ等の薄板状素材から複数の規定
寸法の部材を切り出す切断工程において、薄板状素材の
周辺部の小片が飛散して切断ブレードや薄板状素材に当
たり、これらを破損するおそれを回避する。 【構成】 半導体ウェハ１１に沿う切断ストローク（切
断領域）１４をスクライブライン１３の全長より短く設
定して半導体ウェハ１１の周辺部に切断しない部分を残
す。
寸法の部材を切り出す切断工程において、薄板状素材の
周辺部の小片が飛散して切断ブレードや薄板状素材に当
たり、これらを破損するおそれを回避する。 【構成】 半導体ウェハ１１に沿う切断ストローク（切
断領域）１４をスクライブライン１３の全長より短く設
定して半導体ウェハ１１の周辺部に切断しない部分を残
す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ等の薄板
状素材から複数の規定寸法の部材を切り出す工程におけ
る切断方法に関するものである。
状素材から複数の規定寸法の部材を切り出す工程におけ
る切断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄板状素材の切断方法、特に半導
体ウェハから複数の部材（ＩＣ等の半導体素子）を切り
出すための切断方法（ダイシング）は、以前のハーフカ
ット・アンド・ブレーク工法からフルカット・ダイシン
グ工法（以下、単にフルカット工法という）へと改善さ
れている。これは、整った切断面の確保と生産性の向上
を目的とするものである。
体ウェハから複数の部材（ＩＣ等の半導体素子）を切り
出すための切断方法（ダイシング）は、以前のハーフカ
ット・アンド・ブレーク工法からフルカット・ダイシン
グ工法（以下、単にフルカット工法という）へと改善さ
れている。これは、整った切断面の確保と生産性の向上
を目的とするものである。
【０００３】以下、図面を参照しながら、フルカット工
法について説明する。図４に、半導体素子が行列状に配
置された半導体ウェハの切断作業終了後の平面模式図を
示す。図４に於いて、４１は半導体ウェハ、４２は半導
体ウェハ４１に行列状に配置された半導体素子、４３は
半導体ウェハ４１上の各半導体素子４２を隣接する半導
体素子４２から分離し切り出すために切削する領域であ
るスクライブライン、４４はスクライブライン４３に沿
って切削された切断領域、４５，４６は切断領域４４で
分離された半導体ウェハ４１周辺の無効領域を示す。
法について説明する。図４に、半導体素子が行列状に配
置された半導体ウェハの切断作業終了後の平面模式図を
示す。図４に於いて、４１は半導体ウェハ、４２は半導
体ウェハ４１に行列状に配置された半導体素子、４３は
半導体ウェハ４１上の各半導体素子４２を隣接する半導
体素子４２から分離し切り出すために切削する領域であ
るスクライブライン、４４はスクライブライン４３に沿
って切削された切断領域、４５，４６は切断領域４４で
分離された半導体ウェハ４１周辺の無効領域を示す。
【０００４】図５に、半導体素子４２が行列状に配置さ
れた半導体ウェハ４１の切断作業前の平面模式図を示
す。図５に於いて、４１，４２，４３は、図４の半導体
ウェハ４１，半導体素子４２，スクライブライン４３と
同じものである。
れた半導体ウェハ４１の切断作業前の平面模式図を示
す。図５に於いて、４１，４２，４３は、図４の半導体
ウェハ４１，半導体素子４２，スクライブライン４３と
同じものである。
【０００５】図６に、半導体ウェハ４１の切断方法を説
明するための側面模式図を示す。図６に於いて、４１は
図４の半導体ウェハ４１と同じものであり、６１は半導
体ウェハ４１及び切断後の半導体素子４２を固定するた
めのダイシングテープ、６２は半導体ウェハ４１を切断
するためのダイシングブレードである。６３は半導体ウ
ェハ４１に沿うダイシングブレード６２の移動距離、即
ち切断ストロークを示している。ａ，ｂ，ｃ，ｄは半導
体ウェハ４１を切断する際にダイシングブレード６２が
移動する位置を示している。つまり、ダイシングブレー
ド６２はａ，ｂ，ｃ，ｄの順番で各位置間を移動する。
明するための側面模式図を示す。図６に於いて、４１は
図４の半導体ウェハ４１と同じものであり、６１は半導
体ウェハ４１及び切断後の半導体素子４２を固定するた
めのダイシングテープ、６２は半導体ウェハ４１を切断
するためのダイシングブレードである。６３は半導体ウ
ェハ４１に沿うダイシングブレード６２の移動距離、即
ち切断ストロークを示している。ａ，ｂ，ｃ，ｄは半導
体ウェハ４１を切断する際にダイシングブレード６２が
移動する位置を示している。つまり、ダイシングブレー
ド６２はａ，ｂ，ｃ，ｄの順番で各位置間を移動する。
【０００６】以上のような構成のフルカット工法にあっ
ては、以下のように切断作業が行われる。まず、図５の
半導体ウェハ４１をダイシングテープ６１に固定した状
態を示す図６に於いて、高速回転しているダイシングブ
レード６２を位置決めした後、ａの位置から規定高さの
ｂの位置まで下降させる。その後、スクライブライン４
３に沿ってダイシングブレード６２をｃの位置まで移動
させることにより半導体ウェハ４１を完全に切断する。
一つのスクライブライン４３に沿った切断の終了後、ダ
イシングブレード６２をｄの位置まで上昇させ、次のス
クライブライン４３に沿う切断を行うべく、ダイシング
ブレード６２を移動させて位置決めを行う。
ては、以下のように切断作業が行われる。まず、図５の
半導体ウェハ４１をダイシングテープ６１に固定した状
態を示す図６に於いて、高速回転しているダイシングブ
レード６２を位置決めした後、ａの位置から規定高さの
ｂの位置まで下降させる。その後、スクライブライン４
３に沿ってダイシングブレード６２をｃの位置まで移動
させることにより半導体ウェハ４１を完全に切断する。
一つのスクライブライン４３に沿った切断の終了後、ダ
イシングブレード６２をｄの位置まで上昇させ、次のス
クライブライン４３に沿う切断を行うべく、ダイシング
ブレード６２を移動させて位置決めを行う。
【０００７】以上の動作を繰り返すことにより、図４に
示されるように各半導体素子４２が隣接する半導体素子
４２からスクライブライン４３に沿う切断領域４４で分
離された状態になる。
示されるように各半導体素子４２が隣接する半導体素子
４２からスクライブライン４３に沿う切断領域４４で分
離された状態になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来方法では、ダイシングブレード６２の移動距離である
切断ストローク６３は切断対象であるスクライブライン
４３の長さより長く、半導体ウェハ４１は各切断領域４
４ごとに完全に切断される。この際、図４に示した切断
後の半導体ウェハ４１周辺の無効領域４５，４６、特に
ダイシングテープ６１との接触面積が小さい無効領域４
６がダイシングテープ６１によって十分に固定されずに
飛散する場合がある。このため、飛散した無効領域がダ
イシングブレード６２や半導体素子４２に衝突し、ダイ
シングブレード６２の破損や半導体素子４２の破壊を引
き起こす虞があった。
来方法では、ダイシングブレード６２の移動距離である
切断ストローク６３は切断対象であるスクライブライン
４３の長さより長く、半導体ウェハ４１は各切断領域４
４ごとに完全に切断される。この際、図４に示した切断
後の半導体ウェハ４１周辺の無効領域４５，４６、特に
ダイシングテープ６１との接触面積が小さい無効領域４
６がダイシングテープ６１によって十分に固定されずに
飛散する場合がある。このため、飛散した無効領域がダ
イシングブレード６２や半導体素子４２に衝突し、ダイ
シングブレード６２の破損や半導体素子４２の破壊を引
き起こす虞があった。
【０００９】本発明は、上記のような従来の欠点を改善
し、半導体ウェハ周辺部の無効領域の飛散を防止し、ダ
イシングブレードの破損や半導体素子の破壊を引き起こ
す虞がない切断方法を提供することを目的とする。
し、半導体ウェハ周辺部の無効領域の飛散を防止し、ダ
イシングブレードの破損や半導体素子の破壊を引き起こ
す虞がない切断方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】この目的を達成するた
めの本発明による切断方法は、薄板状素材から複数の規
定寸法の部材を切り出す際に、前記薄板状素材の周辺部
に切断しない部分を残しておくことを特徴とする。つま
り、ダイシングブレードの移動距離である切断ストロー
クを切断対象となるスクライブラインの長さよりも短く
設定して、薄板状素材の周辺部の無効領域は切断せずに
つながったままにしておく。この切断方法は、曲線の輪
郭を有する（ほぼ円形の）半導体ウェハのような薄板状
素材から、直線で仕切られた複数のＩＣ等の部材を切り
出す場合に特に適している。
めの本発明による切断方法は、薄板状素材から複数の規
定寸法の部材を切り出す際に、前記薄板状素材の周辺部
に切断しない部分を残しておくことを特徴とする。つま
り、ダイシングブレードの移動距離である切断ストロー
クを切断対象となるスクライブラインの長さよりも短く
設定して、薄板状素材の周辺部の無効領域は切断せずに
つながったままにしておく。この切断方法は、曲線の輪
郭を有する（ほぼ円形の）半導体ウェハのような薄板状
素材から、直線で仕切られた複数のＩＣ等の部材を切り
出す場合に特に適している。
【００１１】
【作用】本発明も切断方法によれば、薄板状素材（半導
体ウェハ）の周辺部にダイシングテープとの接触面積が
少ない無効領域ができないので、切削時に無効領域がダ
イシングテープから飛散してダイシングブレードの破損
や半導体素子の破壊を引き起こす虞がない。
体ウェハ）の周辺部にダイシングテープとの接触面積が
少ない無効領域ができないので、切削時に無効領域がダ
イシングテープから飛散してダイシングブレードの破損
や半導体素子の破壊を引き起こす虞がない。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１３】図１に、複数の半導体素子（ＩＣ）が行列
状に配置された半導体ウェハの切断作業終了後の平面模
式図を示す。図１に於いて、１１は半導体ウェハ、１２
は半導体ウェハ１１に行列状に配置された半導体素子、
１３は半導体ウェハ１１上の各半導体素子１２を隣接す
る半導体素子１２から分離し切り出すために切削する領
域であるスクライブライン、１４はスクライブライン１
３に沿って切削された切断領域、１５，１６は切断領域
１４で分離された半導体ウェハ１１周辺の無効領域を示
す。
状に配置された半導体ウェハの切断作業終了後の平面模
式図を示す。図１に於いて、１１は半導体ウェハ、１２
は半導体ウェハ１１に行列状に配置された半導体素子、
１３は半導体ウェハ１１上の各半導体素子１２を隣接す
る半導体素子１２から分離し切り出すために切削する領
域であるスクライブライン、１４はスクライブライン１
３に沿って切削された切断領域、１５，１６は切断領域
１４で分離された半導体ウェハ１１周辺の無効領域を示
す。
【００１４】図２に、半導体素子１２が行列状に配置さ
れた半導体ウェハ１１で切断作業前の平面模式図を示
す。図２に於いて、１１，１２，１３は図１の半導体ウ
ェハ１１，半導体素子１２，スクライブライン１３と同
じものである。
れた半導体ウェハ１１で切断作業前の平面模式図を示
す。図２に於いて、１１，１２，１３は図１の半導体ウ
ェハ１１，半導体素子１２，スクライブライン１３と同
じものである。
【００１５】図３に、半導体ウェハ１１の切断方法を説
明するための側面模式図を示す。図３に於いて、１１は
図１の半導体ウェハ１１と同じものであり、３１は半導
体ウェハ１１及び切断後の半導体素子１２を固定するた
めのダイシングテープ、３２は半導体ウェハ１１を切断
するためのダイシングブレードである。３３は半導体ウ
ェハ１１に沿うダイシングブレード３２の移動距離であ
る切断ストロークを示している。Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは半導
体ウェハ１１を切断する際にダイシングブレード３２が
移動する位置を示しており、ダイシングブレード３２は
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの順番で各位置間を移動する。尚、ダイ
シングブレード３２は矢印で示す方向に回転する。
明するための側面模式図を示す。図３に於いて、１１は
図１の半導体ウェハ１１と同じものであり、３１は半導
体ウェハ１１及び切断後の半導体素子１２を固定するた
めのダイシングテープ、３２は半導体ウェハ１１を切断
するためのダイシングブレードである。３３は半導体ウ
ェハ１１に沿うダイシングブレード３２の移動距離であ
る切断ストロークを示している。Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは半導
体ウェハ１１を切断する際にダイシングブレード３２が
移動する位置を示しており、ダイシングブレード３２は
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの順番で各位置間を移動する。尚、ダイ
シングブレード３２は矢印で示す方向に回転する。
【００１６】以上のような図面に従って、半導体ウェハ
１１を切断する手順は次のようになる。まず、図２に示
された半導体ウェハ１１をダイシングテープ３１に固定
した状態の図３に於いて、高速回転しているダシングブ
レード３２を位置決めした後、Ａの位置から規定の高さ
のＢの位置まで下降させる。次にスクライブライン１３
に沿ってダシングブレード３２をＣの位置まで移動させ
ることにより、半導体ウェハ１１を切削する。
１１を切断する手順は次のようになる。まず、図２に示
された半導体ウェハ１１をダイシングテープ３１に固定
した状態の図３に於いて、高速回転しているダシングブ
レード３２を位置決めした後、Ａの位置から規定の高さ
のＢの位置まで下降させる。次にスクライブライン１３
に沿ってダシングブレード３２をＣの位置まで移動させ
ることにより、半導体ウェハ１１を切削する。
【００１７】この際、ダシングブレード３２のスクライ
ブライン１３に沿った移動距離、即ち切削ストロークは
スクライブライン１３の長さより短い。切削開始地点、
終了地点共に半導体ウェハ１１の内部にあり、半導体ウ
ェハ１１の周辺部に未切断領域が残されることになる。
もっとも、全てのスクライブライン１３について、その
両側に未切断領域が残るとは限らない。半導体ウェハ１
１の輪郭と最外端の半導体素子１２の位置によっては、
半導体ウェハ１１の周辺部に未切断領域が残らない場合
もある。
ブライン１３に沿った移動距離、即ち切削ストロークは
スクライブライン１３の長さより短い。切削開始地点、
終了地点共に半導体ウェハ１１の内部にあり、半導体ウ
ェハ１１の周辺部に未切断領域が残されることになる。
もっとも、全てのスクライブライン１３について、その
両側に未切断領域が残るとは限らない。半導体ウェハ１
１の輪郭と最外端の半導体素子１２の位置によっては、
半導体ウェハ１１の周辺部に未切断領域が残らない場合
もある。
【００１８】一つのスクライブライン１３に沿った切削
の終了後、ダイシングブレード３２をＤの位置まで上昇
させ、次のスクライブライン１３に沿う切削を行うべ
く、ダイシングブレード３２を移動させて位置決めを行
う。
の終了後、ダイシングブレード３２をＤの位置まで上昇
させ、次のスクライブライン１３に沿う切削を行うべ
く、ダイシングブレード３２を移動させて位置決めを行
う。
【００１９】以上の動作を繰り返すことにより、図１に
示されるように各半導体素子１２が隣接する半導体素子
１２よりスクライブライン１３に沿う切断領域１４で分
離された状態になる。
示されるように各半導体素子１２が隣接する半導体素子
１２よりスクライブライン１３に沿う切断領域１４で分
離された状態になる。
【００２０】なお、上記実施例では、ほぼ円形の半導体
ウェハから直線で区切られた複数の半導体素子を切り出
す際の切断方法について説明したが、本発明はこの実施
例に限らず薄板状素材から複数の規定寸法の部材を切り
出すための切断方法に広く適用することができる。
ウェハから直線で区切られた複数の半導体素子を切り出
す際の切断方法について説明したが、本発明はこの実施
例に限らず薄板状素材から複数の規定寸法の部材を切り
出すための切断方法に広く適用することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングブレードの移動距離である切削ストロークを
切断対象であるスクライブラインの全長より短く設定
し、薄板状素材（半導体ウェハ）の周辺部に切削されな
い領域が残されるので、半導体ウェハ周辺部の無効領域
がダイシングテープとの接触面積が小さい小片に切断さ
れない。従って、従来の切断方法のように、小片となっ
た無効領域がダイシングテープから剥がれて飛散し、ダ
イシングブレードや半導体素子に当たってそれらを破壊
するおそれは解消される。
ダイシングブレードの移動距離である切削ストロークを
切断対象であるスクライブラインの全長より短く設定
し、薄板状素材（半導体ウェハ）の周辺部に切削されな
い領域が残されるので、半導体ウェハ周辺部の無効領域
がダイシングテープとの接触面積が小さい小片に切断さ
れない。従って、従来の切断方法のように、小片となっ
た無効領域がダイシングテープから剥がれて飛散し、ダ
イシングブレードや半導体素子に当たってそれらを破壊
するおそれは解消される。
【図１】本発明の実施例に係る切断作業終了後の半導体
ウェハの平面模式図
ウェハの平面模式図
【図２】図１の半導体ウェハの切断前の平面模式図
【図３】実施例における切断方法を説明するための側面
模式図
模式図
【図４】従来例に係る切断作業終了後の半導体ウェハの
平面模式図
平面模式図
【図５】図４の半導体ウェハの切断前の平面模式図
【図６】従来例における切断方法を説明するための側面
模式図
模式図
１１，４１ 半導体ウェハ １２，４２ 半導体素子 １３，４３ スクライブライン １４，４４ 切断領域 １５，４５ 無効領域 ３１，６１ ダイシングテープ ３２，６２ ダイシングブレード ３３，６３ 切断ストローク
フロントページの続き (72)発明者 丸山 真吾 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 山崎 光広 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 小川 潤 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 薄板状素材から複数の規定寸法の部材を
切り出すための切断方法において、前記薄板状素材の周
辺部に切断しない部分を残しておくことを特徴とする切
断方法 - 【請求項２】 曲線の輪郭を有する前記薄板状素材から
直線で仕切られた複数の前記部材を切り出すための請求
項１記載の切断方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15755695A JPH091542A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 薄板状素材の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15755695A JPH091542A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 薄板状素材の切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH091542A true JPH091542A (ja) | 1997-01-07 |
Family
ID=15652271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15755695A Pending JPH091542A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 薄板状素材の切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH091542A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7662699B2 (en) | 2005-11-24 | 2010-02-16 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
| JP2011096867A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Lintec Corp | 半導体チップの中間体、半導体ウエハの加工装置及び加工方法 |
| JP2015144197A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015159155A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-09-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2017050319A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社東京精密 | ダイシング方法及びダイシング装置 |
| JP2019012773A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP15755695A patent/JPH091542A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7662699B2 (en) | 2005-11-24 | 2010-02-16 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
| JP4783381B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-09-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011096867A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Lintec Corp | 半導体チップの中間体、半導体ウエハの加工装置及び加工方法 |
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| JP2019012773A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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