JPH09134891A

JPH09134891A - 半導体基板への薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH09134891A
Application number: JP25551396A
Authority: JP
Inventors: Nobuya Imazeki; 暢哉今関; Masaaki Oda; 正明小田; Izumi Nakayama; 泉中山
Original assignee: Vacuum Metallurgical Co Ltd
Current assignee: Vacuum Metallurgical Co Ltd
Priority date: 1995-09-06
Filing date: 1996-09-05
Publication date: 1997-05-20

Abstract

(57)【要約】【課題】アスペクト比の大きいコンタクトホールやビ
アホールを有する半導体基板に対して、欠陥のない薄膜
を低コストで形成させ得る方法を提供すること。【解決手段】粒子径０．０１μｍの金超微粒子をα−
テルピネオールに均一に分散させた金超微粒子分散液を
アスペクト比２のビアホール２３が形成されているシリ
コン基板２１に対してスピンコータで適用した後、温度
３００℃に加熱してα−テルピネオールを蒸発させ金の
超微粒子を融着させることによりビアホール２３を金で
埋め込み、表面に金の薄膜２５を形成させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板への薄膜
の形成方法に関するものであり、更に詳しくは金属超微
粒子の分散液を適用する半導体基板への薄膜形成方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高密度化、高集積度化のために半導体デ
バイスは一般に多層配線が行われている。図４は代表的
な多層配線を示す断面図である。シリコン基板１の表面
に絶縁膜としてＣＶＤ（化学的気相蒸着）法によるＳｉ
Ｏ₂ （酸化シリコン）膜２を形成させ、これにリソグラ
フィの手段でシリコン基板１に達するコンタクトホール
Ｃをあけた後、この上へスパッタリングしてＡｌ（アル
ミニウム）膜を形成させ、更にリソグラフィによって１
層目のＡｌ配線パターン３を形成させる。次いで、２層
目の絶縁膜としてＣＶＤ法によるＳｉＯ₂ 膜４を形成さ
せ、リソグラフィによってこれに配線層間を繁ぐビアホ
ールＶをあけた後、この上へ２層目のＡｌ膜５を形成さ
せたものである。

【０００３】しかし、このコンタクトホールＣやビアホ
ールＶへスパッタリングを行いＡｌ膜を形成させるプロ
セスには問題が多い。図５は通常のスパッタリングを概
念的に説明する模式図であり、図５のＡはスパッタ室に
おけるＡｌ粒子の飛行方向ｆ、図５のＢは半導体基板の
コンタクトホールＣ（またはビアホールＶ）へのＡｌ膜
１４の付着状況を示す。すなわち、図５のＡにおいて、
Ａｌのターゲット１１と半導体基板１２との間の距離は
３０〜６０ｍｍ、圧力は０．３〜０．５Ｐａとしてスパ
ッタリングが行われるが、ターゲット１１から飛び出す
Ａｌの粒子は半導体基板１２に到達するまでの間で衝突
を繰り返し、白抜き矢印で示すようにあらゆる方向ｆへ
飛行している。従って、図５のＢに示すように、半導体
基板１２内のコンタクトホールＣでは開口部に堆積し閉
塞するので、スパッタリング後の半導体基板１２の表面
は平坦であるがコンタクトホールＣの内部は空洞を生じ
ているようなことが多く配線の信頼性を大きく低下させ
る。この様な空洞化はコンタクトホールＣの深さをａ、
孔径をｂとした時のアスペクト比（＝ａ／ｂ）が１以上
の場合に顕著に現われる。コンタクトホールＣは孔径１
μｍ以下、すなわちサブミクロン単位に開けられるが、
特に最近の高密度化メモリでは孔径は一層微細化され、
アスペクト比３またはそれ以上となっている。勿論、こ
のことはＡｌ配線以外の各種金属類をスパッタリングす
る成膜についても同様である。

【０００４】これに対処する方法として、スパッタリン
グした後に、半導体基板１２を例えば５００℃以上の温
度に加熱してＡｌを溶融流動化させ、コンタクトホール
Ｃを埋め込むことが行われるが、流動化と言っても高粘
度でありコンタクトホールＣ内を完全に充填することは
困難で、十分な解決方法にはなっていない。

【０００５】上記とは別な解決方法として、図６に示す
ように、コリメータを使用するスパッタリングが行われ
ている。すなわち、図６のＡはスパッタ室におけるＡｌ
粒子の飛行方向ｆ、ｆ’図６のＢはコンタクトホールＣ
へのＡｌ膜１４の付着状況を示す。すなわち、図６のＡ
において、Ａｌのターゲット１１と半導体基板１２との
間にコリメータ１３を設置することが行われている。図
６のＡにおいてターゲット１１から矢印の方向ｆへスパ
ッタされるＡｌ粒子のうち、コリメータ１３を通過し垂
直方向ｆ’に飛行するＡｌ粒子のみを半導体基板１２へ
到達させる方法である。この方法によって図６のＢに示
すように微細な孔径のコンタクトホールＣの底面にも十
分な量のＡｌの粒子が到達するが、コリメータ１３が目
詰まりし易くメンテナンスサイクルが短いことや、コン
タクトホールＣの側壁において厚みが薄くトラブルを生
じ易いことなどの欠点を有している。

【０００６】更には、ターゲット１１と半導体基板１２
との間の距離を１２０〜３００ｍｍと長くし、スパッタ
時の圧力を１０^-2Ｐａ範囲の低圧とすることによってス
パッタ粒子が飛行中に衝突しないようにし、垂直方向に
飛行する成分を高める遠距離スパッタも行われるが、半
導体基板１２の直径が大きい場合に中央部と周辺部との
間で均一性が失われ易い。

【０００７】上記の成膜上の欠点のほか、通常のスパッ
タリングでは半導体基板１２へ付着する粒子はスパッタ
される粒子の２０〜２５％であり、残りは半導体基板１
２以外の箇所へ付着するが、コリメータ１３を使用する
場合、遠距離でスパッタする場合には半導体基板１２へ
の付着率は一層低下するので、ターゲット１１のロスの
増大、スパッタリング装置の生産性の低下を招きコスト
を一層上昇させる。また、ＣＶＤによる成膜でもアスペ
クト比の大きい各種ホールの埋め込みには問題があるほ
か、原料ガスの５〜６％しか薄膜とならずスパッタリン
グ以上にロスが大きい。

【０００８】なお、本願出願人の出願による特開平３−
２８１７８３号公報に係る「金属薄膜の形成方法」に
は、金属の超微粒子を分散させたペーストを使用する薄
膜形成方法が開示されているが、これはプリント基板、
サーマルヘッド、コンデンサ等に対して導体回路を形成
させる方法を開示するものであり、全ての実施例におい
て金属ペーストはスクリーン印刷の方法によって適用さ
れている。そして微細なコンタクトホールやビアホール
を設けた半導体基板に対する薄膜形成については開示さ
れておらず、また示唆するものでもない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みてなされ、アスペクト比の大きいコンタクトホール
やビアホール、ないしは断面の深さと幅との比が同等な
溝などの微細な凹部を有する半導体基板に対し、凹部に
空洞を生ずることなく埋め込み、かつ低コストで薄膜を
形成させる方法を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】以上の課題は、粒径０．
００１〜０．１μｍの金属超微粒子を有機分散媒中に均
一に分散させた金属超微粒子分散液を、アスペクト比１
〜１００のコンタクトホールやビアホール、ないしは断
面の深さと幅との比が同等な溝などの微細な凹部を有す
る半導体基板へ適用し、加熱して前記有機分散媒を蒸発
させ前記金属超微粒子を融着させることによって、前記
微細な凹部を前記金属で埋め込み、かつ前記半導体基板
の表面を前記金属の平坦な薄膜で覆うことを特徴とする
半導体基板への薄膜形成方法、によって解決される。

【００１１】以上のように構成したことにより、金属の
超微粒子を有機分散媒中に均一に分散させた分散液は半
導体基板上のアスペクト比の大きいコンタクトホール、
ビアホール、ないしは断面が同等の比を有する溝などの
凹部に対し何等の支障なく入り込み、表面に液膜を形成
する。そして、これを加熱することにより分散媒が蒸発
され、金属超微粒子が融着して凹部に空洞なく金属が埋
め込まれ半導体基板に薄膜が形成される。また、金属超
微粒子分散液を適用する薄膜形成方法では殆ど原料ロス
を発生せず、かつ基本的には真空装置を必要としない。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
半導体基板への薄膜形成方法について図面を参照して具
体的に説明する。

【００１３】（実施の形態１）粒子径０．０１μｍの独
立したＡｕ（金）の超微粒子に界面活性剤を加えてα−
テルピネオールに分散させ、Ａｕ４５ｗｔ％、界面活性
剤１ｗｔ％、α−テルピオネール５４ｗｔ％からなり、
透明感のあるＡｕ超微粒子分散液を作製した。また、シ
リコン基板２１の一部分の断面図である図１を参照し、
図１のＡに示すようなシリコン基板２１を用意した。す
なわち、シリコン基板２１に形成されているＳｉＯ₂ 膜
２２には孔径０．５μｍ、深さ１．０μｍ（アスペクト
比２．０）のビアホール２３があけられており、ビアホ
ール２３の内表面を含むシリコン基板２１の表面はニッ
ケルスパッタされている（極く薄いので図示せず）。

【００１４】上記のシリコン基板２１をスピンコータに
セットして１５００ｒ．ｐ．ｍ．で回転させ、その上方
から上記のＡｕ超微粒子分散液を滴下することによっ
て、図１のＢに示すように、コンタクトホール２３内に
Ａｕ超微粒子分散液が充填されシリコン基板２１の表面
に平坦なＡｕ超微粒子分散液の液膜２４が形成された。
この図１のＢの状態のシリコン基板２１を温度３００℃
に加熱することにより、有機分散媒としてのα−テルピ
ネオール及び界面活性剤が蒸発すると共にＡｕの超微粒
子が融着して、図１のＣに示すように、ビアホール２３
内がＡｕで空洞なく埋め込まれて表面に平坦なＡｕの薄
膜２５が形成された。必要な場合にはリソグラフィの手
段によってＡｕの薄膜２５に配線パターンを形成させ得
る。なお、上記では濃度４５ｗｔ％のＡｕ超微粒子分散
液を使用したが、２０ｗｔ％濃度としても７０ｗｔ％濃
度としても同様な結果が得られた。

【００１５】上述のＡｕ超微粒子分散液をシリコン基板
２１へ適用するＡｕ薄膜の形成方法は、スパッタリング
やＣＶＤなどの薄膜形成方法のように真空装置を使用す
る必要がないので設備コストが低く、かつスピンコータ
による適用時にシリコン基板２１から外へ流れ出るＡｕ
超微粒子分散液は回収してそのまま再使用できるので殆
どロスを発生せず、極めて低コストでの薄膜形成が可能
である。

【００１６】（実施の形態２）粒子径０．０１μｍの独
立したＡｕの超微粒子と粒子径０．０２μｍの独立した
Ｃｕ（銅）の超微粒子とをＡｕ／Ｃｕ＝９５／５の比に
混合して、（Ａｕ・Ｃｕ）２５ｗｔ％、界面活性剤１ｗ
ｔ％、α−テルピネオール７４ｗｔ％からなる（Ａｕ・
Ｃｕ）超微粒子分散液を用意した。

【００１７】一方、実施の形態１で使用した図１のＡに
示すと同様な、アスペクト比２のビアホール２３を有す
シリコン基板２１を用意した。実施の形態２では、ビア
ホールの内表面を含むシリコン基板の表面はニッケルス
パッタされていない。このシリコン基板２１をスピンコ
ータにセットして１５００ｒ．ｐ．ｍ．で回転させ、そ
の上へ上記の（Ａｕ・Ｃｕ）超微粒子分散液を滴下し、
ビアホール２３内に充填させシリコン基板２１の表面に
液膜を形成させた。この状態のシリコン基板２１を温度
３００℃に加熱することにより、α−テルピネオール及
び界面活性剤が蒸発し（Ａｕ・Ｃｕ）超微粒子が融着し
て、ビアホール２３内が（Ａｕ・Ｃｕ）合金で埋め込ま
れシリコン基板２１の表面に（Ａｕ・Ｃｕ）合金の薄膜
が形成された。

【００１８】この（Ａｕ・Ｃｕ）合金はビアホール２３
内での密着性が大であり、表面をニッケルスパッタされ
ていないシリコン基板ではＡｕ単独の場合よりも剥離に
対し抵抗性を有していた。

【００１９】（実施の形態３）実施の形態２の（Ａｕ・
Ｃｕ）超微粒子分散液の代わりに、粒子径０．００８μ
ｍの独立したＡｇ超微粒子３０ｗｔ％、界面活性剤１ｗ
ｔ％、キシレン６９ｗｔ％からなるＡｇ超微粒子分散液
とシランカップリング剤（ケイ素の化合物）を、９５：
５の重量比で混合して、Ａｇ超微粒子とシランカップリ
ング剤混合液を作製した。

【００２０】一方、実施の形態２と同様にニッケルスパ
ッタされていないシリコン基板２１をスピンコータにセ
ットし１５００ｒｐｍで回転させ、その上へこの混合液
を滴下し、ビアホール２３内に充填させシリコン基板２
１の表面に液膜を形成させた。この状態のシリコン基板
２１を３００℃に加熱することにより、キシレン及び界
面活性剤が蒸発し、ビアホール２３内が（Ａｇ・ＳｉＯ
₂ ）混合物で埋め込まれたシリコン基板２１の表面に
（Ａｇ・ＳｉＯ₂ ）混合物の薄膜が形成された。

【００２１】この（Ａｇ・ＳｉＯ₂ ）混合物は実施の形
態２と同様にビアホール２３内での密着性が大きく、表
面をニッケルスパッタされていないシリコン基板ではＡ
ｇ単独の場合よりも剥離に対して抵抗性を有していた。

【００２２】（実施の形態４）粒子径０．０２μｍの独
立したＣｕ（銅）の超微粒子に界面活性剤を加えて有機
分散媒としてのトルエンに分散させ、Ｃｕ３５ｗｔ％、
界面活性剤１ｗｔ％、トルエン６４ｗｔ％からなり、透
明感のあるＣｕ超微粒子分散液を作製した。また、図２
にその一部分を破断斜視図として示すようなシリコン基
板４１を用意した。すなわち、シリコン基板４１の絶縁
膜としてのＳｉＯ₂ 膜４２には幅０．５μｍ、深さ０．
５μｍの溝４３がパターン状に形成されており、溝４３
の内表面も含めシリコン基板４１の表面はニッケルスパ
ッタされている。

【００２３】上記のＣｕ超微粒子分散液に上記のシリコ
ン基板４１を浸漬した後、０．５〜５ｃｍ・ｓｅｃ^-1の
速度で引き上げることにより、パターン状の溝４３内に
Ｃｕ超微粒子分散液が充填されシリコン基板４１の表面
に平坦なＣｕ超微粒子分散液の液膜が形成された。この
状態のシリコン基板４１を窒素ガス雰囲気の電気炉内に
装填し、約１００℃の温度でトルエン及び界面活性剤を
大部分を蒸発させた後、約３００℃の温度に加熱して残
るトルエン及び界面活性剤を蒸発させると共にＣｕ超微
粒子を融着させることにより、パターン状の溝４３にＣ
ｕが充填され、表面に平坦なＣｕ薄膜の形成されたシリ
コン基板４１が得られた。

【００２４】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、勿論、本発明はこれらに限られることなく、本
発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

【００２５】例えば各実施の形態においてＡｕ、Ｃｕの
超微粒子、または（Ａｕ・Ｃｕ）混合の超微粒子を例示
したが、金属としてはこれら以外の金属、例えばＡｇ
（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｉｎ（インジウム）、
Ｚｎ（亜鉛）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウ
ム）、Ｐｔ（白金）、Ｃｏ（コバルト）、Ｒｈ（ロジウ
ム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｒｕ（ルテニ
ウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タ
ングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｂ
ｉ（ビスマス）、Ｐｂ（鉛）、Ｂ（ホウ素）、Ｓｉ（ケ
イ素）、Ｓｎ（スズ）、Ｂａ（バリウム）等のうちの少
なくとも一種、またはこれらの中の二種以上の混合物が
使用され得る。

【００２６】そして、これら各種の金属は粒子径が０．
００１〜０．１μｍの範囲にあって、かつ独立した超微
粒子であることが好ましく、その製造方法は本願出願人
の出願による特開平３−３４２１１号公報に係る「金属
ペースト及びその製造方法」に開示されている。可視光
線の波長より遥かに小さい粒径の超微粒子を分散させる
のでその分散液は透明感を有し、かつ独立した超微粒子
は高濃度に分散され得る。

【００２７】また、各実施の形態では金属超微粒子を分
散させる有機分散媒として、α−テルピネオール、トル
エンまたはキシレンを例示したが、有機分散媒はこれら
以外のもの、例えば炭素数５以上の炭化水素、アルコー
ル、エステル、エーテル、ケトンの中の少なくとも一
種、またはこれらの中の二種以上の混合物が使用され得
る。そして必要に応じて適切な界面活性剤等の有機物を
少量混合してもよく、またフリットを添加して半導体基
板への密着強度を向上させることもできる。

【００２８】また、各実施の形態においては、金属超微
粒子分散液をスピンコータまたは浸漬によって半導体基
板へ適用したが、これ以外の方法、例えばノズルから噴
霧状に吹き付けて適用してもよい。

【００２９】また、実施の形態４においては、窒素ガス
雰囲気の電気炉において加熱し、形成されるＣｕ膜の酸
化を防いだが、同様な考えで、金属超微粒子分散液の適
用前、ないしは適用中における半導体基板を水分や酸素
から保護するようにしてもよい。例えば、半導体基板の
表面、およびリソグラフィによってあけた各種ホールや
溝の如き凹部の内表面は清浄化や良好な電気的コンタク
トの確保のために、例えばＡｒ⁺ （アルゴンイオン）で
プリエッチングされることが多いが、プリエッチング後
の半導体基板の搬送、金属超微粒子分散液の適用、加熱
しての薄膜の形成に至る過程を真空下、または窒素ガス
の如き不活性ガスの雰囲気下で行うようにしてもよい。

【００３０】また、各実施の形態においてはアスペクト
比１〜２のコンタクトホール、ビアホールを例示したが
本発明の方法は各ホールに対し金属超微粒子を表面張力
の小さい有機分散媒中に分散させた分酸液を適用するの
でアスペクト比の大きさに関係なく埋め込みが可能であ
り、アスペクト比１００程度の微細なホールについても
全く問題を生じない。

【００３１】また、実施の形態１においては同一アスペ
クト比のビアホール２３を設けたシリコン基板２１につ
いてＡｕ超微粒子分散液を適用して、各ビアホール２３
にＡｕを埋め込んだが、図３の断面図に示すように、同
一半導体基板内の各種のビアホール、コンタクトホール
についての埋め込みも可能である。図３のＡは半導体基
板のＳｉＯ₂ 膜５２中に形成されている金属配線５３に
対してアスペクト比２のビアホール５４をあけた後、金
属超微粒子分散液を適用して金属薄膜５５を形成させた
ものであり、実施の形態１と同様な例であるが、このほ
か図３のＢのように、半導体基板のＳｉＯ₂ 膜６２中の
深さの異なる金属配線６３、６３’に対してアスペクト
比１のビアホール６４とアスペクト比３のビアホール６
４’をあけたものについて、金属超微粒子分散液を適用
して、ビアホール６４、６４’に空洞等を生ずることな
く金属を埋め込んで平坦な金属薄膜６５を形成させ得
る。

【００３２】更には、図３のＣに示すように、シリコン
基板７１に設けたＳｉＯ₂ 膜７２中に金属配線７３が設
けられ、ＳｉＯ₂ 膜７２の表面に起伏のある場合におい
ても、アスペクト比の異なるコンタクトホール７４、７
４’や、金属配線７３に対してのビアホール７４”内に
空洞を生ずることなく金属を埋め込むことができ、かつ
平坦に近い滑らかな金属薄膜７５を形成させることがで
きる。

【００３３】また、本実施の形態においては金属超微粒
子分散液を適用してビアホール、コンタクトホールや溝
を金属で埋め込む場合を説明したが、ビアホール、コン
タクトホールや溝の内面に薄膜を形成させるような適用
も可能である。

【００３４】また実施の形態３ではシランカップリング
剤をケイ素の化合物として用いたが、これに代えて、
金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、亜鉛、ニッケ
ル、パラジウム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウ
ム、鉄、ルテニウム、オスミウム、クロム、タングステ
ン、タンタル、チタン、ビスマス、鉛、ホウ素、スズ、
バリウムを含む化合物の一種又は二種以上を用いるよう
にしてもよい。

【００３５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体基板
への薄膜形成方法によれば、アスペクト比の大きいコン
タクトホール、ビアホールや、断面の深さと幅との比が
同等である溝などの微細な凹部を有する半導体基板に対
し金属超微粒子分散液を適用し加熱することによって、
凹部内に空洞を生ずることなく金属を埋め込み半導体基
板上に平坦な薄膜を形成させ得るので信頼性の高い配線
が得られる。

【００３６】また、通常のスパッタリングではスパッタ
粒子の２０〜２５％しか基板に付着せず、ＣＶＤにおい
ては使用する原料ガスの５％程度しか基板上に薄膜とし
て形成されないに対し、本発明の金属超微粒子分散液を
適用する薄膜形成方法においては、浸漬による適用では
必要量の分散液が半導体基板上に残って引き上げられ、
スピンコータによる適用においても半導体基板上からオ
ーバーフローする金属超微粒子分散液は回収してそのま
ま手を加えることなく再使用できるので、高価な薄膜形
成用金属でも無駄なく利用し得る。また、スパッタリン
グ、ＣＶＤの何れの方法も真空プロセスであり、薄膜形
成には専用の真空装置一式を必要とするに対し、本発明
の薄膜形成方法は、基本的には半導体基板に対して常
温、常圧で金属超微粒子分散液を適用した後に、加熱炉
で３００℃程度の温度に加熱するだけで薄膜が形成さ
れ、大がかりな設備を必要としないので半導体基板上に
極めて低いコストで薄膜を形成させ得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１における薄膜形成のプロセスを示
すシリコン基板の一部分の断面図であり、Ａはビアホー
ルがあけられたシリコン基板、Ｂは同シリコン基板に金
超微粒子分散液が適用された状態、Ｃはビアホールを埋
めてシリコン基板に金属薄膜が形成された状態を示す。

【図２】実施の形態４で使用されるパターン溝の形成さ
れたシリコン基板の一部分の破断斜視図である。

【図３】金属超微粒子分散液が適用され薄膜が形成され
得る同一半導体基板内の各種のホールを示す断面図であ
り、Ａはアスペクト比が同一のビアホール、Ｂはアスペ
クト比の異なるビアホール、Ｃは表面に起伏のある半導
体基板についてのビアホールとコンタクトホールを示
す。

【図４】代表的な多層配線の断面図である。

【図５】通常のスパッタリングを示す模式図であり、Ａ
はスパッタ室内におけるスパッタ粒子の飛行方向、Ｂは
半導体基板のコンタクトホールにおけるスパッタ粒子の
付着状況を示す。

【図６】コリメータを付したスパッタリングを示す模式
図であり、Ａはスパッタ室におけるスパッタ粒子の飛行
方向、Ｂは半導体基板のコンタクトホールにおけるスパ
ッタ粒子の付着状況を示す。

【符号の説明】

２１シリコン基板２２ＳｉＯ₂ 膜２３ビアホール２４Ａｕ超微粒子分散液の液膜２５Ａｕ薄膜４１シリコン基板４２ＳｉＯ₂ 膜４３溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】粒径０．００１〜０．１μｍの金属超微
粒子を有機分散媒中に均一に分散させた金属超微粒子分
散液を、アスペクト比１〜１００のコンタクトホールや
ビアホール、ないしは断面の深さと幅との比が同等な溝
などの微細な凹部を有する半導体基板へ適用し、加熱し
て前記有機分散媒を蒸発させ前記金属超微粒子を融着さ
せることによって、前記微細な凹部を前記金属で埋め込
み、かつ前記半導体基板の表面を前記金属の平坦な薄膜
で覆うことを特徴とする半導体基板への薄膜形成方法。
【請求項２】前記金属が金、銀、銅、アルミニウム、
インジウム、亜鉛、ニッケル、パラジウム、白金、コバ
ルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミ
ウム、クロム、タングステン、タンタル、チタン、ビス
マス、鉛、ホウ素、ケイ素、スズ、バリウムの中の少な
くとも一種、またはこれらの中の二種以上の混合物であ
る請求項１に記載の半導体基板への薄膜形成方法。
【請求項３】前記金属に金、銀、銅、アルミニウム、
インジウム、亜鉛、ニッケル、パラジウム、白金、コバ
ルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミ
ウム、クロム、タングステン、タンタル、チタン、ビス
マス、鉛、ホウ素、ケイ素、スズ、バリウムを含む化合
物の少なくとも一種またはこれらの中の二種以上を添加
したものである請求項１又は請求項２に記載の半導体基
板への薄膜形成方法。
【請求項４】前記有機分散媒が炭素数５以上の炭化水
素、アルコール、エステル、エーテル、ケトンの中の少
なくとも一種、またはこれらの中の二種以上の混合物で
ある請求項１、請求項２及び請求項３の何れかに記載の
半導体基板への薄膜形成方法。
【請求項５】前記金属超微粒子分散液がスピンコー
タ、浸漬、スプレー等の手段によって前記半導体基板に
適用される請求項１から請求項４までの何れかに記載の
半導体基板への薄膜形成方法。
【請求項６】前記金属超微粒子分散液が適用された前
記半導体基板を不活性ガスの雰囲気下で加熱する請求項
１から請求項５までの何れかに記載の半導体基板への薄
膜形成方法。
【請求項７】予めプリエッチングされて真空下または
不活性ガス雰囲気下に保持された前記半導体基板に前記
金属超微粒子分散液が適用される請求項１から請求項６
までの何れかに記載の半導体基板への薄膜形成方法。