JPH09129557A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高純度かつ高品質な薄膜を成長することがで
きる薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 清浄化工程を低温化するためにクリーニ
ングガスとして三弗化塩素を室温〜５００℃で使用する
一方、遊離珪素及び遊離炭素の割合が合わせて２ｗｔ％
以下の炭化珪素で表面が形成された部材を使用して、部
材の腐食を抑制し、粒子の発生を防止する。
きる薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 清浄化工程を低温化するためにクリーニ
ングガスとして三弗化塩素を室温〜５００℃で使用する
一方、遊離珪素及び遊離炭素の割合が合わせて２ｗｔ％
以下の炭化珪素で表面が形成された部材を使用して、部
材の腐食を抑制し、粒子の発生を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に薄
膜を成長させる薄膜の製造方法に関する。
膜を成長させる薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】例えば、シリコン単結晶基板上にシリコン
単結晶薄膜を成長させるために、薄膜成長装置の反応容
器内にシリコン原料ガスを導入すると、シリコンはシリ
コン単結晶基板の主表面上のみならず、反応容器内でそ
の表面部が露出している反応容器の内壁、シリコン単結
晶基板の保持具、ガスノズル及びその他の治具に堆積す
る。
単結晶薄膜を成長させるために、薄膜成長装置の反応容
器内にシリコン原料ガスを導入すると、シリコンはシリ
コン単結晶基板の主表面上のみならず、反応容器内でそ
の表面部が露出している反応容器の内壁、シリコン単結
晶基板の保持具、ガスノズル及びその他の治具に堆積す
る。
【０００３】反応容器内において粒子状または薄片状に
形成された堆積物は、薄膜成長時にしばしば剥離して半
導体基板上に付着し、積層欠陥や突起状の異常成長を引
き起こす原因となる。そこで従来より、反応容器内の堆
積物を除去する工程を定期的に行う必要があった。
形成された堆積物は、薄膜成長時にしばしば剥離して半
導体基板上に付着し、積層欠陥や突起状の異常成長を引
き起こす原因となる。そこで従来より、反応容器内の堆
積物を除去する工程を定期的に行う必要があった。
【０００４】薄膜成長装置の反応容器内に付着した堆積
物を除去する方法の１つとして、強酸や強アルカリの水
溶液中で堆積物をエッチング除去する方法がある。例え
ば堆積物がシリコンの場合、フッ酸と硝酸の混合溶液を
強酸として用いる。この方法は水溶液を用いるため、堆
積物を除去しようとする反応容器、基板の保持具、ガス
ノズル、その他の治具を薄膜成長装置から取り外して洗
浄する事が必要であり、取り外し・取り付け作業及び再
開時の条件出しに時間がかかるので、頻繁に行う事はで
きない。
物を除去する方法の１つとして、強酸や強アルカリの水
溶液中で堆積物をエッチング除去する方法がある。例え
ば堆積物がシリコンの場合、フッ酸と硝酸の混合溶液を
強酸として用いる。この方法は水溶液を用いるため、堆
積物を除去しようとする反応容器、基板の保持具、ガス
ノズル、その他の治具を薄膜成長装置から取り外して洗
浄する事が必要であり、取り外し・取り付け作業及び再
開時の条件出しに時間がかかるので、頻繁に行う事はで
きない。
【０００５】反応容器内の堆積物を除去する別の方法と
して、薄膜成長した半導体基板を薄膜成長装置から取り
出した後に、反応容器内に１２００℃近い温度で塩化水
素ガスを導入して堆積物をエッチング除去する方法が知
られている。
して、薄膜成長した半導体基板を薄膜成長装置から取り
出した後に、反応容器内に１２００℃近い温度で塩化水
素ガスを導入して堆積物をエッチング除去する方法が知
られている。
【０００６】しかし、このような高温度で塩化水素ガス
を導入すると、反応容器内の部材に損傷が生じる一方、
塩化水素ガスと伴に導入された金属が反応領域を汚染す
るなどの不都合があった。
を導入すると、反応容器内の部材に損傷が生じる一方、
塩化水素ガスと伴に導入された金属が反応領域を汚染す
るなどの不都合があった。
【０００７】また、コールドウォール型の薄膜成長装置
において、反応容器内に塩化水素ガスを導入すると、反
応容器の壁面など反応容器内で比較的低温の非加熱領域
に存在する種々の汚れが塩化水素ガスによっては除去さ
れ難いばかりか、高温領域で一旦エッチング除去された
汚染物が非加熱領域に再度付着し、薄膜の成長中に再気
化して薄膜内に混入するため、結晶品質を損なうなどの
問題点があった。
において、反応容器内に塩化水素ガスを導入すると、反
応容器の壁面など反応容器内で比較的低温の非加熱領域
に存在する種々の汚れが塩化水素ガスによっては除去さ
れ難いばかりか、高温領域で一旦エッチング除去された
汚染物が非加熱領域に再度付着し、薄膜の成長中に再気
化して薄膜内に混入するため、結晶品質を損なうなどの
問題点があった。
【０００８】そこで、反応性の高いガスを使用して低温
下で薄膜成長装置の反応容器内を清浄化することが試み
られており、例えば、ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，ＣｌＦ5 のう
ち少なくとも一種を含有することを特徴とする、薄膜形
成装置に堆積した金属またはその化合物よりなる堆積物
を除去するためのクリーニングガスが提案されている
（特開昭６４−１７８５７号）。
下で薄膜成長装置の反応容器内を清浄化することが試み
られており、例えば、ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，ＣｌＦ5 のう
ち少なくとも一種を含有することを特徴とする、薄膜形
成装置に堆積した金属またはその化合物よりなる堆積物
を除去するためのクリーニングガスが提案されている
（特開昭６４−１７８５７号）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、グラファイ
ト製基材を炭化珪素（ＳｉＣ）で被覆した基板保持具を
具備する反応容器内の清浄化に、クリーニングガスとし
てＣｌＦ3 （三弗化塩素）を用いると、その基板保持具
の表面が三弗化塩素により腐食されて除去され、続い
て、基材のグラファイトが激しく腐食されて粒子が発生
するという問題が頻発するため、反応容器内を三弗化塩
素を用いて清浄化する方法は実用化されていなかった。
ト製基材を炭化珪素（ＳｉＣ）で被覆した基板保持具を
具備する反応容器内の清浄化に、クリーニングガスとし
てＣｌＦ3 （三弗化塩素）を用いると、その基板保持具
の表面が三弗化塩素により腐食されて除去され、続い
て、基材のグラファイトが激しく腐食されて粒子が発生
するという問題が頻発するため、反応容器内を三弗化塩
素を用いて清浄化する方法は実用化されていなかった。
【００１０】従来使用されている炭化珪素は単体でも黒
く不透明であり、炭素または珪素のいづれかが多い組成
を有し、炭素または珪素が固体内に遊離しているので、
その場所がクリーニングガスとして用いられる三弗化塩
素により優先的に腐食されてしまうと考えられる。
く不透明であり、炭素または珪素のいづれかが多い組成
を有し、炭素または珪素が固体内に遊離しているので、
その場所がクリーニングガスとして用いられる三弗化塩
素により優先的に腐食されてしまうと考えられる。
【００１１】本発明は、清浄化工程を低温化するために
クリーニングガスとして三弗化塩素を用いる一方、表面
が炭化珪素で形成された部材の腐食を抑制して粒子の発
生を防止することにより、高純度かつ高品質な薄膜を成
長することができる薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。
クリーニングガスとして三弗化塩素を用いる一方、表面
が炭化珪素で形成された部材の腐食を抑制して粒子の発
生を防止することにより、高純度かつ高品質な薄膜を成
長することができる薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜の製造方法は、遊離珪素及び遊離炭素
の割合が合わせて２ｗｔ％以下の炭化珪素で表面が形成
された部材を具備する反応容器内に、室温〜５００℃で
弗化塩素ガスを導入して、半導体基板上に薄膜を成長す
る際に付着した堆積物をエッチング除去する工程を有す
ることを特徴とするものである。
に、本発明の薄膜の製造方法は、遊離珪素及び遊離炭素
の割合が合わせて２ｗｔ％以下の炭化珪素で表面が形成
された部材を具備する反応容器内に、室温〜５００℃で
弗化塩素ガスを導入して、半導体基板上に薄膜を成長す
る際に付着した堆積物をエッチング除去する工程を有す
ることを特徴とするものである。
【００１３】前記遊離珪素及び遊離炭素の割合は合わせ
て２ｗｔ％以下であることが必要であるが、好ましくは
合わせて１ｗｔ％以下である。遊離炭素及び遊離珪素の
総量が０ｗｔ％、即ち純粋な炭化珪素を使用することが
当然最も好ましい。この遊離炭素と遊離珪素の割合が合
わせて２ｗｔ％を超えると、本発明の効果が充分に達成
されなくなる。
て２ｗｔ％以下であることが必要であるが、好ましくは
合わせて１ｗｔ％以下である。遊離炭素及び遊離珪素の
総量が０ｗｔ％、即ち純粋な炭化珪素を使用することが
当然最も好ましい。この遊離炭素と遊離珪素の割合が合
わせて２ｗｔ％を超えると、本発明の効果が充分に達成
されなくなる。
【００１４】前記弗化塩素ガスは、濃度が０．０１〜１
０ｖｏｌ％の三弗化塩素ガスであることが好ましい。更
に好ましくは、０．０１〜５ｖｏｌ％である。
０ｖｏｌ％の三弗化塩素ガスであることが好ましい。更
に好ましくは、０．０１〜５ｖｏｌ％である。
【００１５】また、前記炭化珪素で表面が形成された部
材とは、例えば基板の保持具である。該基板の保持具
は、グラファイト等の基材を炭化珪素で被覆したもの、
又は炭化珪素単体で形成されたもののいずれをも採用す
ることができる。
材とは、例えば基板の保持具である。該基板の保持具
は、グラファイト等の基材を炭化珪素で被覆したもの、
又は炭化珪素単体で形成されたもののいずれをも採用す
ることができる。
【００１６】従来使用されている炭化珪素は単体でも黒
く不透明であるが、気相熱分解法により形成した、高純
度であって組成が化学量論的組成を有する単体の炭化珪
素は本来透明であり、１ｍｍ程度の厚さでは淡い黄色の
半透明である。化学量論的組成を有する炭化珪素とは、
化学式と同じ組成の炭素と珪素で構成された炭化珪素の
ことである。
く不透明であるが、気相熱分解法により形成した、高純
度であって組成が化学量論的組成を有する単体の炭化珪
素は本来透明であり、１ｍｍ程度の厚さでは淡い黄色の
半透明である。化学量論的組成を有する炭化珪素とは、
化学式と同じ組成の炭素と珪素で構成された炭化珪素の
ことである。
【００１７】化学量論的組成を有する炭化珪素では、遊
離珪素及び遊離炭素が極めて少ないので、クリーニング
ガスとして用いられる三弗化塩素により殆ど腐食されに
くいのではないかと予測して実験したところ、炭化珪素
表面には腐食の痕跡が認められなかった。
離珪素及び遊離炭素が極めて少ないので、クリーニング
ガスとして用いられる三弗化塩素により殆ど腐食されに
くいのではないかと予測して実験したところ、炭化珪素
表面には腐食の痕跡が認められなかった。
【００１８】この結果、本発明の製造方法を用いること
により、薄膜成長装置の反応容器内を低温度で清浄化す
ることが可能となり、また、基板保持具表面の炭化珪素
の腐食を抑制できるので粒子の発生が防止され、従って
薄膜の結晶品質に悪影響を与えることのない状態で、表
面が炭化珪素材料からなる基板保持具を備えた反応容器
内を清浄化することが可能となった。
により、薄膜成長装置の反応容器内を低温度で清浄化す
ることが可能となり、また、基板保持具表面の炭化珪素
の腐食を抑制できるので粒子の発生が防止され、従って
薄膜の結晶品質に悪影響を与えることのない状態で、表
面が炭化珪素材料からなる基板保持具を備えた反応容器
内を清浄化することが可能となった。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明方法を実施する際
に好適に用いられる薄膜成長装置の一例を添付図面中図
１に基づいて説明する。
に好適に用いられる薄膜成長装置の一例を添付図面中図
１に基づいて説明する。
【００２０】図１は、半導体結晶基板、例えばシリコン
単結晶基板１２上に薄膜を気相成長させる場合に用いら
れる薄膜成長装置１０の一例を示す概略断面説明図であ
る。該薄膜成長装置１０は、透明石英ガラスからなる反
応容器１３の外側に輻射加熱ランプ１６を具備し、反応
容器１３の透明壁を通して内部を輻射加熱する。該反応
容器１３内の被加熱領域には、シリコン単結晶基板１２
が基板保持具１１上に載置される。なお、図１におい
て、１４は反応容器１３のガス導入側に設けられたガス
導入口、１５は反応容器１３のガス排出側に設けられた
排気口である。１７は基板保持具１１の下面に設けられ
た回転軸で、該基板保持具１１は該回転軸１７を介して
自転する。
単結晶基板１２上に薄膜を気相成長させる場合に用いら
れる薄膜成長装置１０の一例を示す概略断面説明図であ
る。該薄膜成長装置１０は、透明石英ガラスからなる反
応容器１３の外側に輻射加熱ランプ１６を具備し、反応
容器１３の透明壁を通して内部を輻射加熱する。該反応
容器１３内の被加熱領域には、シリコン単結晶基板１２
が基板保持具１１上に載置される。なお、図１におい
て、１４は反応容器１３のガス導入側に設けられたガス
導入口、１５は反応容器１３のガス排出側に設けられた
排気口である。１７は基板保持具１１の下面に設けられ
た回転軸で、該基板保持具１１は該回転軸１７を介して
自転する。
【００２１】
【実施例】上記した薄膜成長装置１０を用いて実施した
本発明の実施例を以下に挙げて説明する。
本発明の実施例を以下に挙げて説明する。
【００２２】実施例１ 本実施例に使用した基板保持具１１は、気相熱分解法に
より作成された単体の炭化珪素であり、外径１７０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍの円板状に構成される。前記基板保持具
１１は淡い黄色の半透明であり、遊離珪素が混入してい
ないことはＸ線回折パターン（図２）において炭化珪素
以外の回折ピークが認められないことにより確認し、遊
離炭素がないことはラマン散乱（図３）においてやはり
炭化珪素以外のスペクトルが観察されないことにより確
認した。炭化珪素の密度は３．２１ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
より作成された単体の炭化珪素であり、外径１７０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍの円板状に構成される。前記基板保持具
１１は淡い黄色の半透明であり、遊離珪素が混入してい
ないことはＸ線回折パターン（図２）において炭化珪素
以外の回折ピークが認められないことにより確認し、遊
離炭素がないことはラマン散乱（図３）においてやはり
炭化珪素以外のスペクトルが観察されないことにより確
認した。炭化珪素の密度は３．２１ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
【００２３】図１に示した薄膜成長装置１０の反応容器
１３内に直径１５０ｍｍφ、ｐ型で面方位（１００）の
主表面を有するシリコン単結晶基板１２を挿入し、前記
基板保持具１１上に載置した。該基板保持具１１は、シ
リコン単結晶基板１２が載置されると、気相成長工程が
終了するまでの間、回転軸１７を中心に自転する。
１３内に直径１５０ｍｍφ、ｐ型で面方位（１００）の
主表面を有するシリコン単結晶基板１２を挿入し、前記
基板保持具１１上に載置した。該基板保持具１１は、シ
リコン単結晶基板１２が載置されると、気相成長工程が
終了するまでの間、回転軸１７を中心に自転する。
【００２４】反応容器１３内にガス導入口１４から水素
ガスを導入しながら、輻射加熱ランプ１６を点灯させて
前記シリコン単結晶基板１２を１１００℃に昇温した後
に、ガス導入口１４から微量のドーパントガスと伴にト
リクロロシランガスを１３ｇ／分の流量で１分間導入し
て、シリコン単結晶薄膜を気相成長させた。反応ガス
は、排気口１５を通して排出される。
ガスを導入しながら、輻射加熱ランプ１６を点灯させて
前記シリコン単結晶基板１２を１１００℃に昇温した後
に、ガス導入口１４から微量のドーパントガスと伴にト
リクロロシランガスを１３ｇ／分の流量で１分間導入し
て、シリコン単結晶薄膜を気相成長させた。反応ガス
は、排気口１５を通して排出される。
【００２５】続いて、輻射加熱ランプ１６を消灯して反
応容器１３内を冷却した後に、雰囲気を水素ガスから窒
素ガスに切り換えてシリコン単結晶基板１２を取り出し
た。シリコン単結晶基板１２上に気相成長されたシリコ
ン単結晶薄膜の厚さは約４μｍであった。
応容器１３内を冷却した後に、雰囲気を水素ガスから窒
素ガスに切り換えてシリコン単結晶基板１２を取り出し
た。シリコン単結晶基板１２上に気相成長されたシリコ
ン単結晶薄膜の厚さは約４μｍであった。
【００２６】基板保持具１１の周辺部約１０ｍｍはシリ
コン単結晶基板１２に覆われていないので、トリクロロ
シランガスに接触することによりシリコンが堆積する。
そこで、基板保持具１１を反応容器１３から取り出して
表面に堆積しているシリコンの厚さを測定したところ、
やはり約４μｍであった。
コン単結晶基板１２に覆われていないので、トリクロロ
シランガスに接触することによりシリコンが堆積する。
そこで、基板保持具１１を反応容器１３から取り出して
表面に堆積しているシリコンの厚さを測定したところ、
やはり約４μｍであった。
【００２７】再び基板保持具１１を反応容器１３内に戻
し、輻射加熱ランプ１６を低電力にて点灯させて窒素ガ
ス雰囲気中で基板保持具１１を加熱し、該基板保持具１
１の下側に設けられた熱電対の指示温度が３００℃を保
持するようにした。温度が安定したところで、反応容器
１３内に濃度が１ｖｏｌ％の三弗化塩素を５分間導入し
た。
し、輻射加熱ランプ１６を低電力にて点灯させて窒素ガ
ス雰囲気中で基板保持具１１を加熱し、該基板保持具１
１の下側に設けられた熱電対の指示温度が３００℃を保
持するようにした。温度が安定したところで、反応容器
１３内に濃度が１ｖｏｌ％の三弗化塩素を５分間導入し
た。
【００２８】使用する弗化塩素ガスの濃度は、０．０１
〜１０ｖｏｌ％であることが好ましい。濃度が０．０１
ｖｏｌ％より低いと、基板保持具１１表面に堆積したシ
リコンを十分にエッチング除去することができない。一
方、濃度が１０ｖｏｌ％を越えると弗化塩素ガスは反応
容器１３内に表面が露出しているＳＵＳ等の金属部品を
腐食するので、通常は０．０１〜５ｖｏｌ％の範囲の濃
度で使用する。
〜１０ｖｏｌ％であることが好ましい。濃度が０．０１
ｖｏｌ％より低いと、基板保持具１１表面に堆積したシ
リコンを十分にエッチング除去することができない。一
方、濃度が１０ｖｏｌ％を越えると弗化塩素ガスは反応
容器１３内に表面が露出しているＳＵＳ等の金属部品を
腐食するので、通常は０．０１〜５ｖｏｌ％の範囲の濃
度で使用する。
【００２９】反応容器１３内に三弗化塩素を導入後、基
板保持具１１上に堆積していたシリコンは完全に除去さ
れて淡い黄色の表面のみが観察された。肉眼では基板保
持具１１の表面に損傷は認められなかったので、光学顕
微鏡を用いて１０００倍の倍率で観察したが、やはり薄
膜成長の前及びシリコン堆積物の除去を行なう前と比較
して、何等の変化も認められなかった。また、基板保持
具１１表面の劣化に起因する粒子の発生も認められなか
った。
板保持具１１上に堆積していたシリコンは完全に除去さ
れて淡い黄色の表面のみが観察された。肉眼では基板保
持具１１の表面に損傷は認められなかったので、光学顕
微鏡を用いて１０００倍の倍率で観察したが、やはり薄
膜成長の前及びシリコン堆積物の除去を行なう前と比較
して、何等の変化も認められなかった。また、基板保持
具１１表面の劣化に起因する粒子の発生も認められなか
った。
【００３０】実施例２ 実施例１と同一の条件下、異なった遊離珪素及び遊離炭
素の割合を有する単体の炭化珪素製基板保持具１１を用
いて実験を行った。化学量論的組成を有する炭化珪素は
淡い黄色であるが、遊離珪素及び遊離炭素の割合が大き
くなるほど黒くなっていく。遊離珪素及び遊離炭素の量
は、Ｘ線回折パターンとラマン散乱を用いてそれぞれ測
定した。
素の割合を有する単体の炭化珪素製基板保持具１１を用
いて実験を行った。化学量論的組成を有する炭化珪素は
淡い黄色であるが、遊離珪素及び遊離炭素の割合が大き
くなるほど黒くなっていく。遊離珪素及び遊離炭素の量
は、Ｘ線回折パターンとラマン散乱を用いてそれぞれ測
定した。
【００３１】実験の結果、遊離珪素及び遊離炭素の割合
が合わせて２ｗｔ％以下の炭化珪素の場合は、基板保持
具１１の表面に損傷は全く認められなかった。遊離珪素
及び遊離炭素の割合が合わせて２ｗｔ％を越えると、光
学顕微鏡下１０００倍の倍率で炭化珪素表面に腐食の痕
跡が認められ始めた。実際の製造において、基板保持具
１１は別のものに交換されるまでに三弗化塩素で数千回
処理される。これだけの長時間の使用に耐えうるものと
しては、遊離珪素及び遊離炭素の割合が合わせて１ｗｔ
％以下であることが好ましい。
が合わせて２ｗｔ％以下の炭化珪素の場合は、基板保持
具１１の表面に損傷は全く認められなかった。遊離珪素
及び遊離炭素の割合が合わせて２ｗｔ％を越えると、光
学顕微鏡下１０００倍の倍率で炭化珪素表面に腐食の痕
跡が認められ始めた。実際の製造において、基板保持具
１１は別のものに交換されるまでに三弗化塩素で数千回
処理される。これだけの長時間の使用に耐えうるものと
しては、遊離珪素及び遊離炭素の割合が合わせて１ｗｔ
％以下であることが好ましい。
【００３２】実施例３ 実施例１と同一の条件下、遊離珪素及び遊離炭素の割合
が合わせて約１ｗｔ％の単体の炭化珪素製基板保持具１
１を用いて、三弗化塩素を導入する温度を室温から８０
０℃まで変化させながら一連の実験を行ない、基板保持
具１１の表面状態を観察した。
が合わせて約１ｗｔ％の単体の炭化珪素製基板保持具１
１を用いて、三弗化塩素を導入する温度を室温から８０
０℃まで変化させながら一連の実験を行ない、基板保持
具１１の表面状態を観察した。
【００３３】その結果、室温から５００℃までは温度を
上げるに伴ないシリコン堆積物を除去する必要時間が異
なったものの、表面状態の劣化に伴う粒子発生は認めら
れなかった。多数回を長期間に渡って使用した後の表面
は、高温側において少々変化したことが観察されたが、
シリコン単結晶薄膜を製造するにあたって表面に突起な
どの欠陥が発生するに到ることはなかった。
上げるに伴ないシリコン堆積物を除去する必要時間が異
なったものの、表面状態の劣化に伴う粒子発生は認めら
れなかった。多数回を長期間に渡って使用した後の表面
は、高温側において少々変化したことが観察されたが、
シリコン単結晶薄膜を製造するにあたって表面に突起な
どの欠陥が発生するに到ることはなかった。
【００３４】実施例４ 実施例１〜３で使用した炭化珪素単体からなる基板保持
具１１を形成したのと同じ製造方法で、炭素基材表面に
炭化珪素皮膜を設けた基板保持具１１を使用して実施例
１〜３と同様の実験を行なったところ、炭化珪素単体か
らなる基板保持具１１と同様の結果が得られた。
具１１を形成したのと同じ製造方法で、炭素基材表面に
炭化珪素皮膜を設けた基板保持具１１を使用して実施例
１〜３と同様の実験を行なったところ、炭化珪素単体か
らなる基板保持具１１と同様の結果が得られた。
【００３５】上記実施例では、シリコン単結晶基板１２
上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる場合について
説明したが、他の材料からなる半導体結晶基板上に薄膜
を成長させる場合についても適用可能である。
上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる場合について
説明したが、他の材料からなる半導体結晶基板上に薄膜
を成長させる場合についても適用可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、清
浄化工程を低温化するためにクリーニングガスとして三
弗化塩素を室温〜５００℃で使用する一方、表面が炭化
珪素で形成された部材の腐食を抑制して粒子の発生を防
止することにより、高純度かつ高品質な薄膜を成長する
ことができるという著大な効果を奏する。
浄化工程を低温化するためにクリーニングガスとして三
弗化塩素を室温〜５００℃で使用する一方、表面が炭化
珪素で形成された部材の腐食を抑制して粒子の発生を防
止することにより、高純度かつ高品質な薄膜を成長する
ことができるという著大な効果を奏する。
【図１】本発明の薄膜の製造方法の実施に用いる薄膜成
長装置の一例を示す概略断面説明図である。
長装置の一例を示す概略断面説明図である。
【図２】実施例１で使用した基板保持具のＸ線回折パタ
ーンを示すグラフである。
ーンを示すグラフである。
【図３】実施例１で使用した基板保持具のラマン散乱ス
ペクトルを示すグラフである。
ペクトルを示すグラフである。
１０ 薄膜成長装置 １１ 基板保持具 １２ 半導体結晶基板 １３ 反応容器 １４ ガス導入口 １５ 排気口 １６ 輻射加熱ランプ １７ 回転軸
Claims (3)
- 【請求項１】 遊離珪素及び遊離炭素の割合が合わせて
２ｗｔ％以下の炭化珪素で表面が形成された部材を具備
する反応容器内に、室温〜５００℃で弗化塩素ガスを導
入して、半導体基板上に薄膜を成長する際に付着した堆
積物をエッチング除去する工程を有することを特徴とす
る薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記弗化塩素ガスは、濃度が０．０１〜
１０ｖｏｌ％の三弗化塩素ガスであることを特徴とする
請求項１記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記炭化珪素で表面が形成された部材
は、基板の保持具であることを特徴とする請求項１又は
２記載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280891A JPH09129557A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 薄膜の製造方法 |
| KR1019960044738A KR970023672A (ko) | 1995-10-27 | 1996-10-09 | 박막제조방법 |
| TW085112473A TW322641B (ja) | 1995-10-27 | 1996-10-12 | |
| US08/729,367 US5858881A (en) | 1995-10-27 | 1996-10-17 | Method of producing thin film |
| DE69601452T DE69601452T2 (de) | 1995-10-27 | 1996-10-21 | Verfahren zur Aufbringung einer dünnen Schicht |
| EP96307621A EP0770704B1 (en) | 1995-10-27 | 1996-10-21 | Method of producing thin film |
| MYPI96004423A MY132332A (en) | 1995-10-27 | 1996-10-24 | Method of producing thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280891A JPH09129557A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129557A true JPH09129557A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17631388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280891A Pending JPH09129557A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5858881A (ja) |
| EP (1) | EP0770704B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09129557A (ja) |
| KR (1) | KR970023672A (ja) |
| DE (1) | DE69601452T2 (ja) |
| MY (1) | MY132332A (ja) |
| TW (1) | TW322641B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093785A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 複合金属酸化物膜の除去方法、クリーニング方法及びエッチング方法 |
| US6383890B2 (en) | 1997-12-26 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck |
| JP2002313888A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Ibiden Co Ltd | 半導体用治具 |
| US6936102B1 (en) | 1999-08-02 | 2005-08-30 | Tokyo Electron Limited | SiC material, semiconductor processing equipment and method of preparing SiC material therefor |
| WO2007055381A1 (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜装置用の載置台 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3441499B1 (en) * | 2016-04-05 | 2023-07-26 | Kanto Denka Kogyo Co., Ltd. | Storage container for clf, valve installed in said storage container and method of manufacturing the same |
| JP6400227B2 (ja) | 2016-04-05 | 2018-10-03 | 関東電化工業株式会社 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2185758B (en) * | 1985-12-28 | 1990-09-05 | Canon Kk | Method for forming deposited film |
| JP2720966B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1998-03-04 | セントラル硝子株式会社 | 薄膜を付着した部品の再生利用方法 |
| JP2918892B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング処理方法 |
| JP3140068B2 (ja) * | 1991-01-31 | 2001-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
| US5443686A (en) * | 1992-01-15 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation Inc. | Plasma CVD apparatus and processes |
| CA2099788A1 (en) * | 1992-07-31 | 1994-02-01 | Michael A. Pickering | Ultra pure silicon carbide and high temperature semiconductor processing equipment made therefrom |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP7280891A patent/JPH09129557A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-09 KR KR1019960044738A patent/KR970023672A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-10-12 TW TW085112473A patent/TW322641B/zh active
- 1996-10-17 US US08/729,367 patent/US5858881A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-21 EP EP96307621A patent/EP0770704B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-21 DE DE69601452T patent/DE69601452T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-24 MY MYPI96004423A patent/MY132332A/en unknown
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383890B2 (en) | 1997-12-26 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck |
| KR100400590B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2003-11-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 기판처리장치,기판지지장치,기판처리방법및기판제조방법 |
| US6936102B1 (en) | 1999-08-02 | 2005-08-30 | Tokyo Electron Limited | SiC material, semiconductor processing equipment and method of preparing SiC material therefor |
| US7410923B2 (en) | 1999-08-02 | 2008-08-12 | Tokyo Electron Limited | SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method |
| JP2002093785A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 複合金属酸化物膜の除去方法、クリーニング方法及びエッチング方法 |
| JP2002313888A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Ibiden Co Ltd | 半導体用治具 |
| WO2007055381A1 (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜装置用の載置台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0770704B1 (en) | 1999-01-27 |
| DE69601452T2 (de) | 1999-09-23 |
| US5858881A (en) | 1999-01-12 |
| KR970023672A (ko) | 1997-05-30 |
| DE69601452D1 (de) | 1999-03-11 |
| EP0770704A1 (en) | 1997-05-02 |
| TW322641B (ja) | 1997-12-11 |
| MY132332A (en) | 2007-10-31 |
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