JPH09116224A - Flat type semiconductor laser module - Google Patents
Flat type semiconductor laser moduleInfo
- Publication number
- JPH09116224A JPH09116224A JP7270819A JP27081995A JPH09116224A JP H09116224 A JPH09116224 A JP H09116224A JP 7270819 A JP7270819 A JP 7270819A JP 27081995 A JP27081995 A JP 27081995A JP H09116224 A JPH09116224 A JP H09116224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- lens
- light
- laser module
- optical fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信や光計測に
使用するフラット型半導体レーザモジュールに関し、特
に、高さ方向の実装スペースの節約に適したフラット型
半導体レーザモジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat type semiconductor laser module used for optical communication and optical measurement, and more particularly to a flat type semiconductor laser module suitable for saving mounting space in the height direction.
【0001】[0001]
【従来の技術】半導体レーザモジュールは、光ファイバ
伝送システム等において、電気信号を光信号に変換する
ために用いられている。半導体レーザモジュール内に配
置された半導体レーザダイオードに変調された電流信号
を印加することにより、電気−光変換され、光信号が出
力される。このような半導体モジュールは、高速変調な
ど性能向上への対応や、パネルへの実装の容易性などの
要請から、フラット型パッケージを用いたフラット型半
導体レーザモジュールが広く用いられている。2. Description of the Related Art Semiconductor laser modules are used to convert electrical signals into optical signals in optical fiber transmission systems and the like. By applying a modulated current signal to the semiconductor laser diode arranged in the semiconductor laser module, electro-optical conversion is performed and an optical signal is output. As such a semiconductor module, a flat-type semiconductor laser module using a flat-type package is widely used because of demands for performance improvement such as high-speed modulation and ease of mounting on a panel.
【0002】フラット型半導体レーザモジュールの一例
として、特願平5−169963号公報に記載のものが
ある。図3は、上記特許公報に記載されているような従
来のフラット型半導体レーザモジュールの一例を示す縦
断面図である。An example of a flat type semiconductor laser module is disclosed in Japanese Patent Application No. 5-169963. FIG. 3 is a vertical sectional view showing an example of a conventional flat type semiconductor laser module as described in the above patent publication.
【0003】フラット型のパッケージ31の内部には、
電子冷却素子32を間に挟み込んだキャリア33が実装
されている。キャリア33の上には、半導体レーザダイ
オード34、および半導体レーザダイオード34から出
射される光を集光して光ファイバ37に光学的に結合さ
せるためのレンズ35が配置されている。Inside the flat type package 31,
A carrier 33 having the electronic cooling element 32 sandwiched therebetween is mounted. A semiconductor laser diode 34 and a lens 35 for collecting the light emitted from the semiconductor laser diode 34 and optically coupling it to an optical fiber 37 are arranged on the carrier 33.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】フラット型半導体レー
ザモジュールは、電気回路パネルに底面を向けて実装さ
れ、パッケージにある電気端子が電気回路パネルのパッ
ド等に半田付けにより固定される。このようにしてフラ
ット型半導体レーザモジュールが実装されたパネルは、
架内で互いに近接して配列される。The flat semiconductor laser module is mounted on the electric circuit panel with its bottom faced, and the electric terminals in the package are fixed to the pads and the like of the electric circuit panel by soldering. The panel on which the flat semiconductor laser module is mounted in this way is
They are arranged close to each other in the rack.
【0005】近年では、特に装置自体の小型化の要求か
ら架が近接されて高密度に配置されている。ところが、
架の配列スペースは、他の電気回路部品等に比べて半導
体レーザモジュールの高さが高いことから、半導体レー
ザモジュールが制約要因となることが多い。半導体レー
ザモジュールの薄型化に対する要求が強く、一枚幅化の
要求も出されている。従来のフラット型半導体レーザモ
ジュールは、半導体レーザ34からの出射光38がパッ
ケージ底面に対してほぼ水平方向になるようにレンズ3
5の中心軸の高さが半導体レーザダイオード34の出射
位置と一致するようにされている。一方で、上述したよ
うに半導体レーザダイオード34は電子冷却素子32の
上に配置されるので、パッケージ内部の高い位置に配置
されることになる。In recent years, the racks have been arranged close to each other with a high density because of the demand for downsizing of the apparatus itself. However,
Since the height of the semiconductor laser module is high in the arrangement space of the rack as compared with other electric circuit components, the semiconductor laser module is often a limiting factor. There is a strong demand for thinning of the semiconductor laser module, and there is also a demand for reducing the width of one sheet. In the conventional flat type semiconductor laser module, the lens 3 is arranged so that the emitted light 38 from the semiconductor laser 34 is substantially horizontal to the bottom surface of the package.
The height of the central axis of 5 is made to coincide with the emission position of the semiconductor laser diode 34. On the other hand, since the semiconductor laser diode 34 is arranged on the electronic cooling element 32 as described above, it is arranged at a high position inside the package.
【0006】半導体レーザダイオード34から出射され
た光をそのまま水平に保ったままで集光して光ファイバ
に結合させたのでは、自ずと光ファイバの位置は高くな
る。しかも、光ファイバ自体は小径であるが、これをパ
ッケージに固定するには、光ファイバ固定部36のスペ
ースを必要とする。したがって、光ファイバの固定に必
要な部分も含めると、全体の半導体レーザモジュールは
非常に高くなってしまう。If the light emitted from the semiconductor laser diode 34 is collected while being kept horizontal and is coupled to the optical fiber, the position of the optical fiber naturally rises. Moreover, although the optical fiber itself has a small diameter, a space for the optical fiber fixing portion 36 is required to fix the optical fiber to the package. Therefore, including the part required for fixing the optical fiber, the entire semiconductor laser module becomes very expensive.
【0007】本発明のフラット型半導体レーザモジュー
ルは、上述の欠点に鑑みて、特に高さを低くして、省ス
ペース化に寄与するフラット型半導体モジュールを提供
することにある。In view of the above-mentioned drawbacks, it is an object of the present invention to provide a flat type semiconductor laser module which is particularly low in height and contributes to space saving.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上述した従来の半導体レ
ーザモジュールの欠点を除去して、特に、高さを低くす
るために、光を出射する半導体レーザダイオードと光フ
ァイバと出射光を集光して光ファイバのコアに光学的に
結合させるレンズと半導体レーザダイオードとレンズを
収容するフラット型のパッケージを備えたフラット型半
導体レーザモジュールにおいて、パッケージの底面を基
準として、コアが出射光の出射点よりも低い位置にある
ようにしている。In order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional semiconductor laser module, and particularly to reduce the height, a semiconductor laser diode for emitting light, an optical fiber, and the emitted light are condensed. In a flat type semiconductor laser module equipped with a lens that is optically coupled to the core of an optical fiber, a semiconductor laser diode, and a flat type package that accommodates the lens, the core is located at the emission point of the emitted light with respect to the bottom surface of the package. Also try to be in a low position.
【0009】また、光を出射する半導体レーザダイオー
ドと、光ファイバと、半導体レーザダイオードを収容す
るフラット型のパッケージと、出射光の位置をパッケー
ジの底面を基準としてより低い位置に下げるとともに、
集光して光ファイバのコアに光学的に結合させる集光手
段とを備えていることを特徴としている。Further, a semiconductor laser diode for emitting light, an optical fiber, a flat type package for housing the semiconductor laser diode, the position of the emitted light is lowered to a lower position with reference to the bottom surface of the package, and
It is characterized by comprising a condensing means for condensing and optically coupling with the core of the optical fiber.
【0010】ここで、集光手段は、半導体レーザダイオ
ードからの出射光を集光するとともに、パッケージの底
面を基準として、出射光を下方向に向ける第1の集光手
段を含んでいる。そして、光ファイバの端面は、光ファ
イバの中心線に対して斜めに形成されているとともに、
端面の法線方向が下方向に向けて配置されていることを
特徴としている。Here, the light collecting means includes a first light collecting means for collecting the emitted light from the semiconductor laser diode and for directing the emitted light downward with reference to the bottom surface of the package. The end face of the optical fiber is formed obliquely with respect to the center line of the optical fiber,
It is characterized in that the end face is arranged so that the normal direction is downward.
【0011】第1の集光手段は、パッケージの底面を基
準として、半導体レーザダイオードよりも低い位置に配
置されたレンズである。このレンズは、凸形状を有する
レンズであってもよいし、屈折率分布型レンズであって
もよい。The first light condensing means is a lens arranged at a position lower than the semiconductor laser diode with reference to the bottom surface of the package. This lens may be a lens having a convex shape or a gradient index lens.
【0012】上記構成の他に、本発明のフラット型半導
体レーザモジュールは、半導体レーザダイオードからの
出射光を集光して第1の集光ビームを出力する第1の集
光手段と、パッケージの底面を基準として、第1の集光
手段よりも低い位置に配置され、第1の集光ビームを集
光して第2の集光ビームを出力する第2の集光手段とを
含んでいる。第1の集光手段と第2の集光手段は、凸型
形状を有するレンズ、または、屈折率分布型レンズであ
ることを特徴としている。In addition to the above structure, the flat type semiconductor laser module of the present invention comprises a first condensing means for condensing the light emitted from the semiconductor laser diode and outputting a first converging beam, and a package. It includes a second condensing unit which is arranged at a position lower than the first condensing unit with respect to the bottom surface and which condenses the first condensed beam and outputs the second condensed beam. . The first light converging unit and the second light condensing unit are characterized by being a lens having a convex shape or a gradient index lens.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】次に、本発明の半導体レーザモジ
ュールを図面を参照して、詳細に説明する。Next, a semiconductor laser module according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0014】図1は、本発明の半導体レーザモジュール
の第1の実施例を示す縦断面図である。図1において、
パッケージ11の内部には、電子冷却素子12を間に挟
んだ状態で、キャリア13が収容されている。この電子
冷却素子12は、半導体レーザモジュールの周囲温度の
変化に対しても、半導体レーザダイオードが一定の光出
力の出射光を安定して出力するように温度制御するため
の素子で、通常、ペルチャ素子が用いられる。FIG. 1 is a vertical sectional view showing a first embodiment of a semiconductor laser module of the present invention. In FIG.
A carrier 13 is housed inside the package 11 with the electronic cooling element 12 sandwiched therebetween. The electronic cooling element 12 is an element for controlling the temperature so that the semiconductor laser diode stably outputs the emitted light of a constant optical output even when the ambient temperature of the semiconductor laser module changes, and is usually a pertier. A device is used.
【0015】キャリア13の上には、半導体レーザダイ
オード14およびレンズ15が配置されている。A semiconductor laser diode 14 and a lens 15 are arranged on the carrier 13.
【0016】一方、パッケージ11の外側には、ファイ
バ固定部16により、光ファイバ17が固定されてい
る。半導体レーザダイオード14から出射された光は、
レンズ15により集光され、光ファイバ17のコアに光
学的に結合される。ここで、半導体レーザダイオード1
4からの出射光が下向きになるように、レンズ15は配
置されている。従来の半導体レーザモジュールでは、半
導体レーザダイオード14とレンズの中心軸の高さはほ
ぼ一致するように配置されていたのに対して、本発明で
は、出射光が下向きとなるように、レンズ15の中心軸
は半導体レーザダイオード14の出射点よりも下になる
ように設計されている。On the other hand, an optical fiber 17 is fixed to the outside of the package 11 by a fiber fixing portion 16. The light emitted from the semiconductor laser diode 14 is
The light is collected by the lens 15 and optically coupled to the core of the optical fiber 17. Here, the semiconductor laser diode 1
The lens 15 is arranged so that the light emitted from the lens 4 is directed downward. In the conventional semiconductor laser module, the semiconductor laser diode 14 and the lens are arranged so that the heights of the central axes thereof are substantially the same, whereas in the present invention, the lens 15 is arranged so that the emitted light is directed downward. The central axis is designed to be below the emission point of the semiconductor laser diode 14.
【0017】このような構成を採用することにより、半
導体レーザダイオード14からの出射光がレンズ15を
経て集光されるとともに下向きになるので、光ファイバ
17のコアへの集光点も従来の位置より低くなる。この
集光点が低すぎれば光ファイバ17を光ファイバ16に
よってうまく固定できないこととなるので、パッケージ
のほぼ中間の高さになるようにしておく。このようにす
ることによって、光ファイバ固定部16自体の高さが半
導体レーザモジュールの高さを決める制約要因となり、
光ファイバ固定部16の高さとほぼ同じ高さの半導体レ
ーザモジュールを実現することができる。By adopting such a configuration, the light emitted from the semiconductor laser diode 14 is focused through the lens 15 and is directed downward, so that the focusing point on the core of the optical fiber 17 is also at the conventional position. Will be lower. If this condensing point is too low, the optical fiber 17 cannot be properly fixed by the optical fiber 16, so the height should be set approximately at the middle of the package. By doing so, the height of the optical fiber fixing portion 16 itself becomes a limiting factor that determines the height of the semiconductor laser module,
It is possible to realize a semiconductor laser module having substantially the same height as the height of the optical fiber fixing portion 16.
【0018】上記構成において、出射光を下に向けて集
光し、これをそのまま水平に固定された光ファイバに結
合させることとすると、両者の光軸の角度がずれている
ために結合効率は大幅に低下してしまう。そこで、本発
明の半導体レーザモジュールでは、光ファイバ17への
入射光の光軸の角度が集光ビームの光軸の角度に一致す
るように、光ファイバ17の端面が斜めに研磨されてい
る。そして、集光ビームは光ファイバ17に対して上方
から結合するので、光ファイバ17は端面の法線方向が
下に向くように配置されている。In the above structure, if the outgoing light is focused downward and is directly coupled to the horizontally fixed optical fiber, the coupling efficiency is high because the optical axes of both are shifted. It will drop significantly. Therefore, in the semiconductor laser module of the present invention, the end face of the optical fiber 17 is obliquely polished so that the angle of the optical axis of the light incident on the optical fiber 17 matches the angle of the optical axis of the focused beam. Since the focused beam is coupled to the optical fiber 17 from above, the optical fiber 17 is arranged so that the direction normal to the end face is downward.
【0019】なお、出射光を集光するレンズ15は、凸
型形状を有する非球面レンズ等でもよいし、ロッドレン
ズのような屈折率が分布したレンズであってもよい。The lens 15 for collecting the emitted light may be an aspherical lens having a convex shape or the like, or a lens having a distributed refractive index such as a rod lens.
【0020】次に、本発明の半導体レーザモジュールの
第2の実施例について説明する。図2は、本発明のフラ
ット型半導体レーザモジュールの第2の実施例を示す縦
断面図である。第1の実施例では、半導体レーザダイオ
ード14と光ファイバ17との結合系はレンズ15の1
枚レンズ系により構成されている。これに対して、第2
の実施例では光学結合系は、第1のレンズ25aおよび
第2のレンズ25bの2枚レンズ系からなる。Next, a second embodiment of the semiconductor laser module of the present invention will be described. FIG. 2 is a vertical sectional view showing a second embodiment of the flat type semiconductor laser module of the present invention. In the first embodiment, the coupling system of the semiconductor laser diode 14 and the optical fiber 17 is one of the lenses 15.
It is composed of a single lens system. In contrast, the second
In this embodiment, the optical coupling system includes a two-lens system including a first lens 25a and a second lens 25b.
【0021】半導体レーザダイオード14から出射され
た光は、まず第1のレンズ25aにより水平方向より下
向きでほぼコリメートビームに近いビーム18に変換さ
れる。さらに、ビーム18は第2のレンズ25bにより
集束光に変換されるとともに、再び水平な方向に進行す
る光に変換され、光ファイバ17に結合する。The light emitted from the semiconductor laser diode 14 is first converted by the first lens 25a into a beam 18 which is downward from the horizontal direction and which is substantially a collimated beam. Further, the beam 18 is converted into focused light by the second lens 25b, and again converted into light traveling in the horizontal direction, and is coupled to the optical fiber 17.
【0022】本実施例では、第1のレンズは出射光を下
向きにするために、第1のレンズ25aは半導体レーザ
ダイオード14の出射点よりも低い位置に配置される。
一方、第2のレンズは下向きの光を再び水平方向の光に
戻す必要があることから、第1のレンズの位置よりもさ
らに低い位置に配置される。In the present embodiment, the first lens 25a is arranged at a position lower than the emission point of the semiconductor laser diode 14 in order to direct the emitted light downward.
On the other hand, since the second lens needs to return the downward light to the horizontal light again, it is arranged at a position lower than the position of the first lens.
【0023】第2の実施例では、2枚のレンズが必要と
なるが、半導体レーザダイオード14から出射された光
は、一旦下向きになるが、再び水平方向に進行する光と
なって光ファイバ17に結合するため、第1の実施例の
ように端面を斜めにすることなく高い結合効率が得られ
る。In the second embodiment, two lenses are required, but the light emitted from the semiconductor laser diode 14 is once directed downward, but becomes light that travels in the horizontal direction again, and becomes the optical fiber 17. Therefore, a high coupling efficiency can be obtained without making the end faces oblique as in the first embodiment.
【0024】なお、本実施例においても、第1の実施例
と同様、レンズには非球面レンズなどの凸形状を有する
レンズの他、ロッドレンズを用いることもできる。Also in this embodiment, similarly to the first embodiment, a rod lens can be used as the lens in addition to a lens having a convex shape such as an aspherical lens.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフラット
型半導体レーザモジュールは、光を出射する半導体レー
ザダイオードと光ファイバと出射光を集光して光ファイ
バのコアに光学的に結合させるレンズと半導体レーザダ
イオードとレンズを収容するフラット型のパッケージを
備えたフラット型半導体レーザモジュールにおいて、パ
ッケージの底面を基準として、コアが出射光の出射点よ
りも低い位置にあるようにしている。したがって、光フ
ァイバの固定される位置が低くすることができるので、
モジュール全体の高さを低くすることができ、パネルの
狭配列化、ひいては装置全体の小型化に寄与することと
なる。As described above, in the flat type semiconductor laser module of the present invention, the semiconductor laser diode for emitting light, the optical fiber, and the lens for converging the emitted light and optically coupling them to the core of the optical fiber. In a flat-type semiconductor laser module including a flat-type package that accommodates a semiconductor laser diode and a lens, the core is located at a position lower than the emission point of emitted light with reference to the bottom surface of the package. Therefore, since the position where the optical fiber is fixed can be lowered,
The height of the entire module can be reduced, which contributes to narrowing the array of the panels and eventually to downsizing the entire device.
【図1】本発明のフラット型半導体レーザモジュールの
第1の実施例を示す縦断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view showing a first embodiment of a flat type semiconductor laser module of the present invention.
【図2】本発明のフラット型半導体レーザモジュールの
第2の実施例を示す縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view showing a second embodiment of the flat type semiconductor laser module of the present invention.
【図3】従来のフラット型半導体レーザモジュールの一
例を示す縦断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing an example of a conventional flat type semiconductor laser module.
11 パッケージ 12 電子冷却素子 13 キャリア 14 半導体レーザダイオード 15 レンズ 16 ファイバ固定部 17 光ファイバ 18 ビーム 25a レンズ 25b レンズ 31 パッケージ 32 電子冷却素子 33 キャリア 34 半導体レーザダイオード 35 レンズ 36 ファイバ固定部 37 光ファイバ 38 ビーム 11 package 12 electronic cooling element 13 carrier 14 semiconductor laser diode 15 lens 16 fiber fixing part 17 optical fiber 18 beam 25a lens 25b lens 31 package 32 electronic cooling element 33 carrier 34 semiconductor laser diode 35 lens 36 fiber fixing part 37 optical fiber 38 beam
Claims (10)
と、 光ファイバと、 前記出射光を集光して、前記光ファイバのコアに光学的
に結合させるレンズと、 前記半導体レーザダイオードと前記レンズを収容するフ
ラット型のパッケージを備えたフラット型半導体レーザ
モジュールにおいて、 前記パッケージの底面を基準として、前記コアが前記出
射光の出射点よりも低い位置にあることを特徴とするフ
ラット型半導体レーザモジュール。1. A semiconductor laser diode that emits light, an optical fiber, a lens that collects the emitted light and optically couples the emitted light to the core of the optical fiber, and the semiconductor laser diode and the lens are housed. In the flat type semiconductor laser module including the flat type package, the core is located at a position lower than the emission point of the emitted light with reference to the bottom surface of the package.
と、 光ファイバと、 前記半導体レーザダイオードを収容するフラット型のパ
ッケージと、 前記出射光の位置を前記パッケージの底面を基準として
より低い位置に下げるとともに、集光して前記光ファイ
バのコアに光学的に結合させる集光手段とを備えている
ことを特徴とするフラット型半導体レーザモジュール。2. A semiconductor laser diode that emits light, an optical fiber, a flat package that accommodates the semiconductor laser diode, and the position of the emitted light is lowered to a lower position with reference to the bottom surface of the package. A flat-type semiconductor laser module comprising: a light-collecting unit that collects light and optically couples it to the core of the optical fiber.
ともに、 前記パッケージの底面を基準として、前記出射光を下方
向に向ける第1の集光手段を含むことを特徴とする請求
項2記載のフラット型半導体レーザモジュール。3. The light condensing unit includes a first light condensing unit that condenses the emitted light from the semiconductor laser diode and directs the emitted light downward with reference to the bottom surface of the package. The flat semiconductor laser module according to claim 2, wherein
バの中心線に対して斜めに形成されているとともに、 前記端面の法線方向が下方向に向けて配置されているこ
とを特徴とする請求項3記載のフラット型半導体レーザ
モジュール。4. The end surface of the optical fiber is formed obliquely with respect to the center line of the optical fiber, and the normal line direction of the end surface is arranged downward. The flat type semiconductor laser module according to claim 3.
ダイオードよりも低い位置に配置されたレンズであるこ
とを特徴とする請求項4記載のフラット型半導体レーザ
モジュール。、5. The flat type semiconductor according to claim 4, wherein the first condensing unit is a lens arranged at a position lower than the semiconductor laser diode with respect to the bottom surface of the package. Laser module. ,
あることを特徴とする請求項5記載のフラット型半導体
レーザモジュール。、6. The flat-type semiconductor laser module according to claim 5, wherein the lens is a lens having a convex shape. ,
ることを特徴とする請求項5記載のフラット型半導体レ
ーザモジュール。、7. The flat semiconductor laser module according to claim 5, wherein the lens is a gradient index lens. ,
1の集光ビームを出力する第1の集光手段と、 前記パッケージの底面を基準として、前記第2の集光手
段よりも低い位置に配置され、前記第1の集光ビームを
集光して第2の集光ビームを出力する第2の集光手段と
を含むことを特徴とする請求項2記載のフラット型半導
体レーザモジュール。8. The light condensing unit condenses the light emitted from the semiconductor laser diode to output a first condensing beam; and the bottom face of the package as a reference. A second light condensing unit arranged at a position lower than the second light condensing unit and condensing the first condensed beam to output a second condensed beam. Item 2. A flat semiconductor laser module according to item 2.
段は、凸型形状を有するレンズであることを特徴とする
請求項8記載のフラット型半導体レーザモジュール。9. The flat-type semiconductor laser module according to claim 8, wherein the first condensing unit and the second condensing unit are lenses having a convex shape.
手段は、屈折率分布型レンズであることを特徴とする請
求項8記載のフラット型半導体レーザモジュール。10. The flat type semiconductor laser module according to claim 8, wherein the first condensing unit and the second condensing unit are gradient index lenses.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7270819A JP2910642B2 (en) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | Flat type semiconductor laser module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7270819A JP2910642B2 (en) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | Flat type semiconductor laser module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09116224A true JPH09116224A (en) | 1997-05-02 |
JP2910642B2 JP2910642B2 (en) | 1999-06-23 |
Family
ID=17491462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7270819A Expired - Lifetime JP2910642B2 (en) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | Flat type semiconductor laser module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2910642B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019140240A (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | 住友電気工業株式会社 | Optical module and manufacturing method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521456U (en) * | 1991-08-27 | 1993-03-19 | 三菱電機株式会社 | Laser diode module |
JPH05150146A (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Anritsu Corp | Semiconductor laser module |
JPH05224100A (en) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Nec Corp | Semiconductor laser module |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP7270819A patent/JP2910642B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521456U (en) * | 1991-08-27 | 1993-03-19 | 三菱電機株式会社 | Laser diode module |
JPH05150146A (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Anritsu Corp | Semiconductor laser module |
JPH05224100A (en) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Nec Corp | Semiconductor laser module |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019140240A (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | 住友電気工業株式会社 | Optical module and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2910642B2 (en) | 1999-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5546212A (en) | Optical module for two-way transmission | |
JP2684603B2 (en) | Transmission and reception module for two-way communication network and manufacturing method thereof | |
US7128477B2 (en) | Optical transmitter and receiver module | |
JP2003329892A (en) | Optical transmission/reception module and optical communication system using the same | |
JPH10111439A (en) | Optoelectronic module | |
JP2004264362A (en) | Optical module | |
US5995525A (en) | Semiconductor laser module | |
EP0466975B1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US5974065A (en) | Semiconductor laser module | |
US6529535B2 (en) | Laser diode module | |
US5229879A (en) | Semiconductor laser amplifier | |
US20050036730A1 (en) | COB package type bi-directional transceiver module | |
EP0763760B1 (en) | Semiconductor laser module | |
US7099536B1 (en) | Single lens system integrating both transmissive and reflective surfaces for light focusing to an optical fiber and light reflection back to a monitor photodetector | |
US5122652A (en) | Means for deflecting and focusing a light beam with silicon optical members | |
JPH09116224A (en) | Flat type semiconductor laser module | |
EP0133367A2 (en) | Photodetector | |
JP2002189148A (en) | Optical semiconductor element module | |
JPH09231303A (en) | Composite optical device for bar code reader | |
JP2819861B2 (en) | Optical device | |
CN221614376U (en) | Semiconductor laser | |
US7080946B2 (en) | Electro-optical device for coupling light-signals into a waveguide | |
US20240280771A1 (en) | 400g silicon photonic integrated optical module with embedded thermoelectric cooler (tec) substrate | |
JP3508396B2 (en) | Method of manufacturing bar code reading composite optical device | |
EP1102425A2 (en) | Optical transmission/reception apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990309 |