JPH0895233A - Production of sapphire substrate for photomask - Google Patents
Production of sapphire substrate for photomaskInfo
- Publication number
- JPH0895233A JPH0895233A JP23387794A JP23387794A JPH0895233A JP H0895233 A JPH0895233 A JP H0895233A JP 23387794 A JP23387794 A JP 23387794A JP 23387794 A JP23387794 A JP 23387794A JP H0895233 A JPH0895233 A JP H0895233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sapphire
- polishing
- rough
- photomask
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程で使
用されるフォトマスク用透明基板及びレチクル用透明基
板として用いるサファイヤ基板の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sapphire substrate manufacturing method used as a transparent substrate for a photomask and a transparent substrate for a reticle used in a semiconductor manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来は、主にソーダライムガラスあるい
は石英ガラスがフォトマスク用透明基板として使用され
ていた。2. Description of the Related Art Conventionally, soda lime glass or quartz glass has been mainly used as a transparent substrate for a photomask.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のフォト
マスク用透明基板及びレチクル用透明基板においては、
機械的耐久性に乏しいため、ガラス面に傷やたわみが発
生するという課題があった。However, in the conventional transparent substrate for photomask and transparent substrate for reticle,
Since the mechanical durability is poor, there is a problem that scratches and bending occur on the glass surface.
【０００４】サファイヤガラスはモース硬度９と高いた
め、フォトマスク用透明基板又はレチクル用透明基板と
して用いる５〜６インチ角のサファイヤガラスを面内を
均一を厚みで製造するのは困難であるという課題があっ
た。そして、本発明においては、５インチ角のサファイ
ヤガラスを製造したときに、面内の厚み分布が６ミクロ
ン以下に抑えるサファイヤ基板の製造方法の開発が必要
であった。Since sapphire glass has a high Mohs hardness of 9, it is difficult to manufacture a 5-6 inch square sapphire glass used as a transparent substrate for a photomask or a transparent substrate for a reticle with a uniform thickness within the surface. was there. Further, in the present invention, when a 5-inch square sapphire glass was manufactured, it was necessary to develop a method for manufacturing a sapphire substrate that suppresses the in-plane thickness distribution to 6 microns or less.
【０００５】そこで、この発明の目的は、機械的及び化
学的耐久性の高いサファイヤガラスフォトマスク用及び
レチクル用サファイヤ基板の製造方法を得ることにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to obtain a method of manufacturing a sapphire substrate for a sapphire glass photomask and a reticle, which has high mechanical and chemical durability.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決すべくなされたものであり、機械的及び化学的耐久
性の高いサファイヤガラスフォトマスク用及びレチクル
用サファイヤ基板を得るものである。The present invention has been made to solve the above problems and provides a sapphire substrate for a sapphire glass photomask and a reticle having high mechanical and chemical durability. .
【０００７】アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からサファイヤの
単結晶を作成する。作成されたサファイヤの単結晶を、
必要なフォトマスク及びレチクルの大きさと厚みに合わ
せて、サファイヤの四角形の板に切断加工する。サファ
イヤの四角形の板を、外周整形機を用いて外周仕上げを
行う。A sapphire single crystal is prepared from alumina (Al 2 O 3 ). The sapphire single crystal created,
The sapphire square plate is cut and processed according to the size and thickness of the required photomask and reticle. The sapphire rectangular plate is subjected to outer peripheral finishing using an outer peripheral shaping machine.
【０００８】外周整形の終わった四角形の板の表面の研
磨を行なう。研磨方法は両面同時及び片面づつ行う方法
が取られる。表面研磨の終わったサファイヤの四角形の
板を洗浄する。The surface of the rectangular plate whose outer circumference has been shaped is polished. As a polishing method, a method of performing simultaneous both sides and one side can be adopted. The sapphire square plate whose surface has been polished is washed.
【０００９】[0009]
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面により説明す
る。 （１）実施例１ 図１は、本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
行程の実施例１の工程図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (1) First Embodiment FIG. 1 is a process diagram of a first embodiment of a manufacturing process of a sapphire substrate for a photomask of the present invention.
【００１０】図１において、引き上げ法或はベルヌーイ
法を用いてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からサファイヤの単
結晶４１を作成する（工程１０１）。サファイヤの単結
晶４１の大きさは、例えば、５インチ角、６インチ角、
７インチ角の平面が充分取れる大きさを持つ。In FIG. 1, a sapphire single crystal 41 is prepared from alumina (Al 2 O 3 ) by using the pulling method or the Bernoulli method (step 101). The size of the sapphire single crystal 41 is, for example, 5 inches square, 6 inches square,
Large enough to take a 7-inch square plane.
【００１１】作成されたサファイヤの単結晶４１を、必
要なフォトマスクの大きさと厚みに合わせ、サファイヤ
の四角形の板４３に切断加工する（工程１０２）。サフ
ァイヤの四角形の板４３を、外周整形機を用いて外周仕
上げを行う。（工程１０３）。The prepared sapphire single crystal 41 is cut into a sapphire rectangular plate 43 in accordance with the required size and thickness of the photomask (step 102). The sapphire quadrangular plate 43 is subjected to outer peripheral finishing using an outer peripheral shaping machine. (Step 103).
【００１２】外周整形の終わった四角形の板４３の表面
の研磨を行なう（工程１０４）。研磨方法には、例えば
２重研磨及び３重研磨方法が有る。研磨条件は、図５及
び図６に示すものが好ましい。図５は、本発明のフォト
マスク用サファイヤ基板の製造行程における３重研磨で
使用する研磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。The surface of the rectangular plate 43 whose outer circumference has been shaped is polished (step 104). The polishing method includes, for example, a double polishing method and a triple polishing method. The polishing conditions are preferably those shown in FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the relationship of the range of polishing particles used in triple polishing in the manufacturing process of the sapphire substrate for a photomask of the present invention.
【００１３】図５において、粗研磨においては、研磨に
用いられるダイヤモンド粒子は２ミクロン以上で２０ミ
クロン以下が好ましい。特に、４ミクロン以上で８ミク
ロン以下が好ましい。仕上げにおいては、研磨に用いら
れるダイヤモンド粒子は０．２ミクロン以上で５ミクロ
ン以下が好ましい。特に、０．５ミクロン以上で３ミク
ロン以下が好ましい。In FIG. 5, in the rough polishing, it is preferable that the diamond particles used for the polishing have a diameter of 2 to 20 microns. Particularly, it is preferably 4 microns or more and 8 microns or less. In finishing, the diamond particles used for polishing are preferably 0.2 micron or more and 5 micron or less. Particularly, it is preferably 0.5 micron or more and 3 micron or less.
【００１４】鏡面仕上げにおいては、シリコン乳剤を用
いるのが好ましい。図６は、本発明のフォトマスク用サ
ファイヤ基板の製造行程における２重研磨で使用する研
磨粒子の範囲の関係を示す説明図である。図６におい
て、粗研磨においては、研磨に用いられるダイヤモンド
粒子は０．２ミクロン以上で２０ミクロン以下が好まし
い。特に、０．５ミクロン以上で８ミクロン以下が好ま
しい。For mirror finishing, it is preferable to use a silicon emulsion. FIG. 6 is an explanatory diagram showing the relationship of the range of polishing particles used in double polishing in the manufacturing process of the sapphire substrate for a photomask of the present invention. In the rough polishing shown in FIG. 6, it is preferable that the diamond particles used for polishing have a diameter of 0.2 μm or more and 20 μm or less. Particularly, it is preferably 0.5 micron or more and 8 micron or less.
【００１５】鏡面仕上げにおいては、シリコン乳剤を用
いるのが好ましい。また、必要に応じてバフ法による研
磨を行う。この時の総研磨代は片面で、例えば、５０ミ
クロン程度が好ましい。表面研磨の終わったサファイヤ
基板４６を、６種類の１１工程の洗浄工程を経て（工程
２０７）、フォトマスク用サファイヤ基板が完成する
（工程２０８）。For mirror finishing, it is preferable to use a silicon emulsion. In addition, polishing by the buff method is performed if necessary. At this time, the total polishing allowance is one side, and for example, it is preferably about 50 microns. The sapphire substrate 46 whose surface has been polished is subjected to six kinds of 11 cleaning steps (step 207) to complete a sapphire substrate for a photomask (step 208).
【００１６】洗浄液の種類と使用する工程は、図７に示
すものが好ましい。図７は、本発明のフォトマスク用サ
ファイヤ基板の製造行程における洗浄液の種類と使用す
る工程の説明図である。図７において、洗浄工程６にお
いては、洗浄液として冷水を用いる。The type of cleaning liquid and the steps used are preferably those shown in FIG. FIG. 7 is an explanatory diagram of the type of cleaning liquid and the steps used in the manufacturing process of the sapphire substrate for a photomask of the present invention. In the cleaning step 6 in FIG. 7, cold water is used as the cleaning liquid.
【００１７】洗浄工程１、洗浄工程３及び洗浄工程５に
おいては、洗浄液として温水を用いる。洗浄工程４にお
いては、洗浄液としてシロリンを用いる。洗浄工程２に
おいては、洗浄液として酸（Ｓ−５９）を用いる。In the cleaning step 1, the cleaning step 3 and the cleaning step 5, warm water is used as the cleaning liquid. In the cleaning step 4, syroline is used as the cleaning liquid. In the cleaning step 2, acid (S-59) is used as the cleaning liquid.
【００１８】洗浄工程７、洗浄工程８、洗浄工程９及び
洗浄工程１０においては、洗浄液としてメタノールを用
いる。洗浄工程１１においては、洗浄液として塩化メチ
レンを用いる。なお、洗浄工程の数、洗浄液の種類、洗
浄液の利用の順番はこの実施例に限るものではない。In the cleaning step 7, cleaning step 8, cleaning step 9 and cleaning step 10, methanol is used as a cleaning liquid. In the cleaning step 11, methylene chloride is used as a cleaning liquid. The number of cleaning steps, the type of cleaning liquid, and the order of using the cleaning liquid are not limited to those in this embodiment.
【００１９】また、必要に応じてバフ法による研磨を行
う。この時の総研磨代は片面で、例えば、５０ミクロン
内外が好ましい。完成時において、フォトマスク用サフ
ァイヤ基板の厚みは、例えば、５インチ角マスク用で１
ｍｍ〜２ｍｍの厚み、６インチ角マスク用で２ｍｍ〜６
ｍｍの厚み、７インチ角マスク用で２ｍｍ〜８ｍｍの厚
みを有するのが好ましい。If necessary, the buffing method is used for polishing. At this time, the total polishing allowance is on one side, and for example, the inside and outside of 50 microns is preferable. At the time of completion, the thickness of the sapphire substrate for the photomask is, for example, 1 for a 5-inch square mask.
mm-2mm thickness, 2mm-6 for 6 inch square mask
It is preferable to have a thickness of 2 mm to 8 mm for a 7-inch square mask.
【００２０】実施例１と同様の製造方法により、レチク
ル用サファイヤ基板も製造することができる。 （２）実施例２ 図３は、本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
行程の実施例２の工程図である。A sapphire substrate for a reticle can also be manufactured by the same manufacturing method as in the first embodiment. (2) Second Embodiment FIG. 3 is a process diagram of a second embodiment of the manufacturing process of the photomask sapphire substrate of the present invention.
【００２１】図４は、本発明のフォトマスク用サファイ
ヤ基板の製造工程の実施例２の説明図である。図３及び
図４において、引き上げ法或はベルヌーイ法を用いてア
ルミナ（Ａｌ2 ０3 ）からサファイヤの単結晶４１を作
成する（工程２０１）。FIG. 4 is an explanatory view of Embodiment 2 of the manufacturing process of the photomask sapphire substrate of the present invention. 3 and 4, a sapphire single crystal 41 is prepared from alumina (Al 2 O 3 ) by using the pulling method or the Bernoulli method (step 201).
【００２２】サファイヤの単結晶４１の大きさは、例え
ば、５インチ角、６インチ角、７インチ角の平面が充分
取れる大きさを持つ。作成されたサファイヤの単結晶４
１を、センタレス研削器を用い必要なマスクの対角線の
長さを直径とする太さで外周研削を行う（工程２０
２）。The size of the sapphire single crystal 41 is, for example, such that a 5-inch, 6-inch, or 7-inch square plane can be sufficiently obtained. Sapphire single crystal created 4
The outer peripheral grinding of No. 1 is performed using a centerless grinder with a thickness having a diameter of a diagonal line of a required mask as a diameter (step 20).
2).
【００２３】次に、サファイヤの単結晶４１を、ラップ
法を用いて一辺の値が希望するマスクサイズになるよう
に切断し、直方体型のサファイヤの単結晶４２を作成す
る。次に、ラップ法或いはバンド法を用いて、直方体型
のサファイヤの単結晶４２を四角形の板状４３に切断す
る（工程２０３）。ラップ法の場合、研削用ダイアモン
ド粒子の大きさは４〜８ミクロンが好ましい。Next, the sapphire single crystal 41 is cut by a lapping method so that the value of one side becomes a desired mask size, and a rectangular parallelepiped sapphire single crystal 42 is prepared. Next, the rectangular parallelepiped sapphire single crystal 42 is cut into a quadrangular plate 43 by using the lapping method or the band method (step 203). In the case of the lapping method, the size of the diamond particles for grinding is preferably 4 to 8 microns.
【００２４】サファイヤの四角形の板４３を、外周整形
機を用いて外周の面仕上げを行う。（工程２０４）。外
周の面仕上げの終わったサファイヤの四角形の板４４の
表面の研削を行なう。研磨に使われるダイヤモンド粒子
は２０ミクロン以下が好ましい（工程２０５）。The sapphire quadrangular plate 43 is surface-finished on the outer periphery by using an outer periphery shaping machine. (Step 204). The surface of the square plate 44 of sapphire whose outer peripheral surface has been finished is ground. The diamond particles used for polishing are preferably 20 microns or less (step 205).
【００２５】表面研削の終わったサファイヤの四角形の
板４５の表面の研磨を行なう（工程２０６）。研磨方法
はラップ法を用いロ−タリ−研磨機上で行う。実際の研
磨方法は、例えば２重研磨及び３重研磨方法が有る。研
磨条件は、実施例１と同様で、図５及び図６に示すもの
が好ましい。The surface of the square plate 45 of sapphire whose surface has been ground is polished (step 206). The lapping method is a lapping method and is performed on a rotary polishing machine. Actual polishing methods include, for example, double polishing and triple polishing. The polishing conditions are the same as in Example 1, and those shown in FIGS. 5 and 6 are preferable.
【００２６】このときの総研磨代は、片面で、例えば、
５０ミクロン程度が好ましい。洗浄液の種類と使用する
工程は、実施例１と同様で、図７に示すものが好まし
い。完成時において、フォトマスク用サファイヤ基板の
厚みは、例えば、５インチ角マスク用で１ｍｍ〜２ｍｍ
の厚み、６インチ角マスク用で２ｍｍ〜６ｍｍの厚み、
７インチ角マスク用で２ｍｍ〜８ｍｍの厚みを有するの
が好ましい。The total polishing allowance at this time is one side, for example,
About 50 microns is preferable. The type of cleaning liquid and the steps used are the same as in Example 1, and those shown in FIG. 7 are preferable. At the time of completion, the thickness of the sapphire substrate for the photo mask is, for example, 1 mm to 2 mm for the 5-inch square mask.
Thickness of 2 mm to 6 mm for 6 inch square mask,
It is preferably for a 7 inch square mask and has a thickness of 2 mm to 8 mm.
【００２７】実施例２と同様の製造方法により、レチク
ル用サファイヤ基板も製造することができる。図２は、
本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造方法によ
り製造したフォトマスクの説明図である。A sapphire substrate for a reticle can also be manufactured by the same manufacturing method as in the second embodiment. Figure 2
It is explanatory drawing of the photomask manufactured by the manufacturing method of the sapphire substrate for photomasks of this invention.
【００２８】図２において、フォトマスク４０１は、サ
ファイヤ基板４０２の表面に遮光材としての遮光層４０
３を形成し、遮光層４０３をエッチングしてパターン４
０４を形成することにより作成する。遮光層４０３とし
ては、例えばクロム層を用いる。In FIG. 2, a photomask 401 comprises a light-shielding layer 40 as a light-shielding material on the surface of a sapphire substrate 402.
3 is formed, and the light shielding layer 403 is etched to form a pattern 4.
It is created by forming 04. As the light shielding layer 403, for example, a chrome layer is used.
【００２９】パターン４０４は、半導体回路の配線形状
に合わせて作成する。フォトマスク４０１に所定の光線
をあてて、パターン４０４の形状をウエハに転写する。
このときの倍率は、好ましくは等倍を用いる。図８は、
本発明のレチクル用サファイヤ基板の製造方法により製
造したレチクルの説明図である。The pattern 404 is formed according to the wiring shape of the semiconductor circuit. A predetermined light beam is applied to the photomask 401 to transfer the shape of the pattern 404 onto the wafer.
At this time, the same magnification is preferably used. Figure 8
FIG. 5 is an explanatory diagram of a reticle manufactured by the method for manufacturing a sapphire substrate for a reticle of the present invention.
【００３０】図８において、レチクル８０１は、サファ
イヤ基板８０２の表面に遮光材としての遮光層８０３を
形成し、遮光層８０３をエッチングしてパターン８０４
を形成することにより作成する。遮光層８０３として
は、例えばクロム層を用いる。パターン８０４は、半導
体回路の配線形状の、例えば５倍の大きさに合わせて作
成する。In FIG. 8, a reticle 801 has a pattern 804 formed by forming a light shielding layer 803 as a light shielding material on the surface of a sapphire substrate 802 and etching the light shielding layer 803.
It is created by forming. As the light shielding layer 803, for example, a chrome layer is used. The pattern 804 is formed in accordance with, for example, a size five times larger than the wiring shape of the semiconductor circuit.
【００３１】レチクル８０１に所定の光線をあてて、パ
ターン８０４の形状を例えば５分の１に縮小してウエハ
に転写する。A predetermined light beam is applied to the reticle 801, and the shape of the pattern 804 is reduced to, for example, 1/5 and transferred onto the wafer.
【００３２】[0032]
【発明の効果】サファイヤガラスは高い機械的耐久性と
高い耐薬品性を有している。サファイヤガラスを用いて
フォトマスク用及びレチクル用のサファイヤ基板を実現
することによって、ガラス面上の傷及びたわみは減少す
る。The sapphire glass has high mechanical durability and high chemical resistance. By implementing sapphire substrates for photomasks and reticles using sapphire glass, scratches and flexure on the glass surface are reduced.
【００３３】そして、従来の石英ガラスを使用したフォ
トマスク及びレチクルに比べ、同一の強度のものが薄く
製造できるので、透過光の減衰の軽減とフォトマスク及
びレチクルの軽量化が可能となる。Since a photomask and reticle having the same strength can be manufactured thinner than a conventional photomask and reticle using quartz glass, it is possible to reduce attenuation of transmitted light and reduce the weight of the photomask and reticle.
【図１】本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
工程の実施例１の工程図である。FIG. 1 is a process drawing of a first embodiment of a manufacturing process of a sapphire substrate for a photomask of the present invention.
【図２】本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
方法により製造したフォトマスクの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a photomask manufactured by the method for manufacturing a sapphire substrate for a photomask of the present invention.
【図３】本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
工程の実施例２の工程図である。FIG. 3 is a process diagram of a second embodiment of a process for manufacturing a sapphire substrate for a photomask of the present invention.
【図４】本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
工程の実施例２の説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a second embodiment of the manufacturing process of the sapphire substrate for photomask of the present invention.
【図５】本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
工程における３重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係
を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a relationship between ranges of polishing particles used in triple polishing in a manufacturing process of a sapphire substrate for a photomask of the present invention.
【図６】本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
工程における２重研磨で使用する研磨粒子の範囲の関係
を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing the relationship of the range of abrasive particles used in double polishing in the manufacturing process of the photomask sapphire substrate of the present invention.
【図７】本発明のフォトマスク用サファイヤ基板の製造
工程における洗浄液の種類と使用する工程の説明図であ
る。FIG. 7 is an explanatory diagram of the type of cleaning liquid and the process used in the manufacturing process of the sapphire substrate for a photomask of the present invention.
【図８】本発明のレチクル用サファイヤ基板の製造方法
により製造したレチクルの説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a reticle manufactured by the method for manufacturing a sapphire substrate for a reticle of the present invention.
４１ サファイヤの原石 ４２ 直方体型のサファイヤの単結晶 ４３ サファイヤの四角形の板 ４４ 外周の面仕上げの終わったサファイヤの四角形の
板 ４５ 表面研削の終わったサファイヤの四角形の板41 rough sapphire 42 cuboid sapphire single crystal 43 sapphire square plate 44 sapphire quadrangular plate with outer peripheral surface finished 45 sapphire quadrangular plate after surface grinding
Claims (8)
程（工程１０１）と、 サファイヤの原石（４１）を四角形の板（４３）に加工
する工程（工程１０２）と、 サファイヤの四角形の板（４３）の外周を仕上げる工程
（工程１０３）と、 外周を仕上げたサファイヤの四角形の板（４４）の２つ
の表面を磨く工程（工程１０４）と、 表面を磨いたサファイヤの四角形の板（４５）を洗浄す
る工程（工程１０５）と、 を有する事を特徴とするフォトマスク用サファイヤ基板
の製造方法。1. A step of preparing a rough sapphire (41) (step 101), a step of processing the rough sapphire (41) into a square plate (43) (step 102), and a square plate of sapphire ( 43) a step of finishing the outer periphery (step 103), a step of polishing the two surfaces of the sapphire square plate (44) having the finished outer circumference (step 104), and a sapphire square plate (45) having a polished surface A method of manufacturing a sapphire substrate for a photomask, comprising the step of cleaning (step 105).
程（工程２０１）と、 サファイヤの原石（４１）を直方体（４２）に加工する
工程（工程２０２）と、 直方体に加工したサファイヤの原石（４２）を四角形の
板（４３）に加工する工程（工程２０３）と、 サファイヤの四角形の板（４３）の外周面を仕上げる工
程（工程２０４）と、 外周面を仕上げたサファイヤの四角形の板（４４）の表
面を研削する工程（工程２０５）と、 表面を研削したサファイヤの四角形の板（４５）の表面
を研磨する工程（工程２０６）と、 表面を研磨したサファイヤの四角形の板（４６）を洗浄
する工程（工程２０７）と、 を有する事を特徴とするフォトマスク用サファイヤ基板
の製造方法。2. A step of preparing a sapphire rough (41) (step 201), a step of processing the sapphire rough (41) into a rectangular parallelepiped (42) (step 202), and a rough sapphire rough (4) processed into a rectangular parallelepiped. 42) into a rectangular plate (43) (step 203), finishing the outer peripheral surface of the sapphire rectangular plate (43) (step 204), and finishing the outer peripheral surface of the sapphire rectangular plate (43). 44) a step of grinding the surface (step 205), a step of polishing the surface of the sapphire rectangular plate (45) whose surface has been ground (step 206), and a sapphire rectangular plate (46) whose surface has been polished A method of manufacturing a sapphire substrate for a photomask, comprising: a step of cleaning (step 207).
マスク用サファイヤ基板の製造方法において、表面を磨
く工程において用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロ
ンのダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミ
クロン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕
上げ研磨ではシリコン乳剤を使用するフォトマスク用サ
ファイヤ基板の製造方法。3. The method for manufacturing a sapphire substrate for a photomask according to claim 1 or 2, wherein the polishing material used in the step of polishing the surface uses diamond particles of 4 to 8 microns for rough polishing, and for finish polishing. A method for producing a sapphire substrate for a photomask, which uses diamond particles of 0.5 to 3 microns and uses silicon emulsion for mirror finishing polishing.
マスク用サファイヤ基板の製造方法において、表面を磨
く工程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロ
ン〜８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ
研磨ではシリコン乳剤を使用するフォトマスク用サファ
イヤ基板の製造方法。4. The method for manufacturing a sapphire substrate for a photomask according to claim 1, wherein the polishing material used in the step of polishing the surface is diamond particles of 0.5 μm to 8 μm for rough polishing, A method for manufacturing sapphire substrates for photomasks that uses silicon emulsion for mirror finish polishing.
程（工程１０１）と、 サファイヤの原石（４１）を四角形の板（４３）に加工
する工程（工程１０２）と、 サファイヤの四角形の板（４３）の外周を仕上げる工程
（工程１０３）と、 外周を仕上げたサファイヤの四角形の板（４４）の２つ
の表面を磨く工程（工程１０４）と、 表面を磨いたサファイヤの四角形の板（４５）を洗浄す
る工程（工程１０５）と、を有する事を特徴とするレチ
クル用サファイヤ基板の製造方法。5. A step of preparing a rough sapphire stone (41) (step 101), a step of processing the rough sapphire stone (41) into a square plate (43) (step 102), and a square plate of sapphire ( 43) a step of finishing the outer circumference (step 103), a step of polishing the two surfaces of the sapphire square plate (44) having a finished outer circumference (step 104), and a sapphire square board (45) having a polished surface And a step of cleaning the step (step 105), the method of manufacturing a sapphire substrate for a reticle.
程（工程２０１）と、 サファイヤの原石（４１）を直方体（４２）に加工する
工程（工程２０２）と、 直方体に加工したサファイヤの原石（４２）を四角形の
板（４３）に加工する工程（工程２０３）と、 サファイヤの四角形の板（４３）の外周面を仕上げる工
程（工程２０４）と、 外周面を仕上げたサファイヤの四角形の板（４４）の表
面を研削する工程（工程２０５）と、 表面を研削したサファイヤの四角形の板（４５）の表面
を研磨する工程（工程２０６）と、 表面を研磨したサファイヤの四角形の板（４６）を洗浄
する工程（工程２０７）と、を有する事を特徴とするレ
チクル用サファイヤ基板の製造方法。6. A step of preparing a rough sapphire (41) (step 201), a step of processing the rough sapphire (41) into a rectangular parallelepiped (42) (step 202), and a rough sapphire rough (4). 42) into a rectangular plate (43) (step 203), finishing the outer peripheral surface of the sapphire rectangular plate (43) (step 204), and finishing the outer peripheral surface of the sapphire rectangular plate (43). 44) a step of grinding the surface (step 205), a step of polishing the surface of the sapphire rectangular plate (45) whose surface has been ground (step 206), and a sapphire rectangular plate (46) whose surface has been polished And a step (step 207) for cleaning the reticle, the method for producing a sapphire substrate for a reticle.
ル用サファイヤ基板の製造方法において、表面を磨く工
程において用いる研磨材料が粗研磨で４〜８ミクロンの
ダイヤモンド粒子を用い、仕上げ研磨では０．５ミクロ
ン〜３ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ
研磨ではシリコン乳剤を使用するレチクル用サファイヤ
基板の製造方法。7. The method for manufacturing a sapphire substrate for a reticle according to claim 1 or 2, wherein the polishing material used in the step of polishing the surface uses diamond particles of 4 to 8 microns for rough polishing, and 0 for finish polishing. A method of manufacturing a sapphire substrate for a reticle, which uses diamond particles of 5 to 3 microns and uses a silicon emulsion for mirror finishing polishing.
ル用サファイヤ基板の製造方法において、表面を磨く工
程において用いる研磨材料が粗研磨で０．５ミクロン〜
８ミクロンのダイヤモンド粒子を用い、鏡面仕上げ研磨
ではシリコン乳剤を使用するレチクル用サファイヤ基板
の製造方法。8. The method of manufacturing a sapphire substrate for a reticle according to claim 1 or 2, wherein the polishing material used in the step of polishing the surface is 0.5 micron or less by rough polishing.
A method for manufacturing a sapphire substrate for a reticle, which uses 8 micron diamond particles and uses silicon emulsion for mirror finish polishing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23387794A JP3329594B2 (en) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | Method of manufacturing sapphire substrate for photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23387794A JP3329594B2 (en) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | Method of manufacturing sapphire substrate for photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895233A true JPH0895233A (en) | 1996-04-12 |
| JP3329594B2 JP3329594B2 (en) | 2002-09-30 |
Family
ID=16961972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23387794A Expired - Fee Related JP3329594B2 (en) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | Method of manufacturing sapphire substrate for photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3329594B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019271A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
| US7045223B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-05-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel articles and methods for forming same |
| US7326477B2 (en) | 2003-09-23 | 2008-02-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same |
| US7919815B1 (en) | 2005-02-24 | 2011-04-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel wafers and methods of preparation |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP23387794A patent/JP3329594B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019271A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
| US6727025B1 (en) | 1998-09-30 | 2004-04-27 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
| US7045223B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-05-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel articles and methods for forming same |
| US7326477B2 (en) | 2003-09-23 | 2008-02-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same |
| US7919815B1 (en) | 2005-02-24 | 2011-04-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel wafers and methods of preparation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3329594B2 (en) | 2002-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6216835B2 (en) | Mask blank substrate, mask blank, reflective mask blank, transfer mask, reflective mask, and methods of manufacturing the same | |
| JP5222660B2 (en) | Mask blank substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, photomask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| KR101522295B1 (en) | Method of manufacturing substrate set for maskblank, method of manufacturing maskblank set, method of manufacturing photomask set, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2004029735A (en) | Substrate for electronic device, mask blank using the same, mask for transfer, method for producing these, polishing apparatus and polishing method | |
| KR101108562B1 (en) | Method of Making Photomask Blank Substrates | |
| KR100591602B1 (en) | Photomask Blank Substrate, Photomask Blank and Photomask | |
| WO2004083961A1 (en) | Substrate for reticle and method of manufacturing the substrate, and mask blank and method of manufacturing the mask blank | |
| KR100604214B1 (en) | Method of Selecting Photomask Blank Substrates | |
| KR20050012688A (en) | Method of Selecting Photomask Blank Substrates | |
| JP6233538B2 (en) | Mask blank substrate and mask blank | |
| JP3329594B2 (en) | Method of manufacturing sapphire substrate for photomask | |
| JP2005043830A (en) | Substrate for photomask blank, photomask blank, and photomask | |
| KR20120074328A (en) | Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask | |
| JP2004302280A (en) | Method of manufacturing substrate for mask blank, method of manufacturing mask blank and method of manufacturing transfer mask | |
| JP2005043835A (en) | Substrate for photomask blank, photomask blank and photomask | |
| JP5323966B2 (en) | Mask blank substrate, mask blank, photomask, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP3329593B2 (en) | Method for manufacturing sapphire dummy wafer | |
| TW202323975A (en) | Substrate for mask blanks and manufacturing method thereof | |
| JP2005059184A (en) | Manufacturing method for glass substrate for electronic device, and manufacturing method for mask blank and transfer mask | |
| JP2014002395A (en) | Method for producing mask blank substrate set, method for producing mask blank set, method for producing photomask set, and method for producing semiconductor device | |
| JP2001312047A (en) | Pellicle and method for producing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080719 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090719 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |