JPH088481A - Laser gas control device for discharge excitation type laser device - Google Patents
Laser gas control device for discharge excitation type laser deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、材料の加工、縮小投影
露光用の光源等に用いられる放電励起型レーザ装置に関
し、特にレーザガスの供給を制御する装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a discharge excitation type laser device used as a light source for processing materials, reducing projection exposure, and the like, and more particularly to a device for controlling the supply of a laser gas.
【0002】[0002]
【従来の技術】放電励起型のレーザ装置は、マーキン
グ、穴開け、アニーリングなどの材料加工のほか大規模
集積回路(LSI)の回路パターン製作のための光リソ
グラフィー用光源として用いられている。2. Description of the Related Art A discharge-excited laser device is used as a light source for photolithography for material processing such as marking, drilling and annealing, and for producing a circuit pattern of a large scale integrated circuit (LSI).
【0003】ガスレーザの中でも特にエキシマレーザ
は、強力な紫外光源であり、その特性を生かして材料加
工用として主に樹脂等の有機材料へのマーキング、穴開
けなどに用いられている。また、光リソグラフィーに
は、主に縮小投影法が使われており、照明光源により照
らされた原画(レチクル)パターンの透過光を縮小投影
光学系により半導体基板上の光感光性物質に投影して回
路パターンを形成する。[0003] Among gas lasers, an excimer laser is a powerful ultraviolet light source, and is used mainly for marking and drilling an organic material such as a resin for material processing by utilizing its characteristics. In optical lithography, the reduction projection method is mainly used, and the transmitted light of an original image (reticle) pattern illuminated by an illumination light source is projected onto a photosensitive material on a semiconductor substrate by a reduction projection optical system. Form a circuit pattern.
【0004】この投影像の分解能は、用いられる光源の
波長で制限されるため、光源の波長は、可視領域から紫
外領域へと次第に短波長化している。従来、この紫外領
域の光源として高圧水銀ランプから発生するg線(43
6nm)、i線(365nm)が使用されてきた。しか
しながら、最小パターン線幅が64MBで要求される
0.35μm以下となると、i線でもすでに波長として
はそろそろ限界にきている。Since the resolution of this projected image is limited by the wavelength of the light source used, the wavelength of the light source is gradually shortened from the visible region to the ultraviolet region. Conventionally, g-line (43) generated from a high pressure mercury lamp has been used as a light source in the ultraviolet region.
6 nm), i-line (365 nm) has been used. However, when the minimum pattern line width is 0.35 μm or less required for 64 MB, the wavelength of the i-line is almost at its limit.
【0005】この技術的限界を解決するものとして深紫
外(Deep Ultra Violet)のレーザ光
源が有望視されている。特にエキシマレーザは高出力、
高効率で媒質ガスの組成によりKrF(248nm)、
ArF(193nm)などの波長で強い発振を得ること
ができる。一方、このDeep―UV領域では、縮小投
影レンズ系を構成するガラス、結晶材料が非常に制約さ
れるため水銀ランプを用いた縮小投影レンズ系で用いら
れてきた色収差補正が困難となる。As a solution to this technical limitation, a deep ultra violet laser light source is expected. In particular, excimer lasers have high output,
KrF (248 nm) depending on the composition of the medium gas with high efficiency,
Strong oscillation can be obtained at a wavelength such as ArF (193 nm). On the other hand, in the Deep-UV region, it is difficult to correct the chromatic aberration that has been used in the reduction projection lens system using the mercury lamp, because the glass and the crystal material forming the reduction projection lens system are very limited.
【0006】そこで、レンズ系を色収差補正するのでは
なく、レーザ共振器内に波長選択素子を配設し、出力光
のスペクトル幅をレンズ材の色収差が無視できる程度ま
で小さくすることで、その困難さを除去している。この
方法で、自然発振の場合にスペクトル幅で数nmあった
出力が数pmにまで細く狭帯域化することができる。さ
て、このように狭帯域化に適しているエキシマレーザ装
置のレーザの出力(パワー)は、レーザを励起するため
にコンデンサに蓄積しておいた電気エネルギを放電空間
に投入してレーザ媒質ガス中で放電させることにより得
られる。Therefore, instead of correcting the lens system for chromatic aberration, a wavelength selecting element is provided in the laser resonator, and the spectral width of the output light is reduced to such an extent that the chromatic aberration of the lens material can be ignored. Has been removed. With this method, the output which was several nm in the spectrum width in the case of natural oscillation can be narrowed to a few pm and the band can be narrowed. Now, the output (power) of the laser of the excimer laser device, which is suitable for narrowing the band in this way, is that the electric energy stored in the capacitor for exciting the laser is injected into the discharge space and the laser medium gas It is obtained by discharging at.
【0007】図15は、従来のエキシマレーザ装置の構
成を、そして図16は特にその充放電回路を示してい
る。充放電回路には、一般に自動予備電離型の容量移行
型回路が、構造の簡便さから一般的に使用されている。FIG. 15 shows a structure of a conventional excimer laser device, and FIG. 16 shows a charge / discharge circuit particularly. As the charge / discharge circuit, an automatic preionization type capacity transfer type circuit is generally used because of its simple structure.
【0008】すなわち、充電器によって蓄積用の1次コ
ンデンサC1が所定電圧まで充電され、その後にトリガ
パルス発生器25から出力されるトリガパルスによって
サイラトロン等放電により通電がなされるスイッチ素子
Qが導通され、2次コンデンサ(ピーキングコンデン
サ)C2への充電(電荷移行)が開始される。この電荷
移行時にその充電電流i1が主電極(レーザチャンバ内
放電電極)5の両側面に配置された数十本の予備電離電
極6に通電される。このとき予備電離放電が発生され、
自動予備電離がなされる。That is, the primary capacitor C1 for storage is charged to a predetermined voltage by the charger, and thereafter, the switch element Q, which is energized by thyratron or the like discharge, is turned on by the trigger pulse output from the trigger pulse generator 25. Then, charging (charge transfer) to the secondary capacitor (peaking capacitor) C2 is started. At the time of this charge transfer, the charging current i1 is applied to dozens of preliminary ionization electrodes 6 arranged on both side surfaces of the main electrode (laser chamber discharge electrode) 5. At this time, a preliminary ionization discharge is generated,
Automatic preionization is performed.
【0009】こうした予備電離放電によって発生した紫
外光によって放電空間が照射され、主放電空間に初期電
子を発生させる。そして2次コンデンサC2の電圧が放
電開始電圧に達すると、主放電が発生し、レーザ媒質に
反転分布が形成され、レーザ発振が生成される。The discharge space is irradiated with the ultraviolet light generated by such preliminary ionization discharge, and initial electrons are generated in the main discharge space. When the voltage of the secondary capacitor C2 reaches the discharge starting voltage, a main discharge occurs, a population inversion is formed in the laser medium, and laser oscillation is generated.
【0010】また、レーザチャンバ4内には、熱交換器
7およびレーザ媒質ガス(以下「レーザガス」という)
を強制対流、冷却させるブロア8が組み込まれており、
数十〜数百Hzの高い繰返し周波数での運転を可能とし
ている。また、運転中のレーザ出力を安定化するため
に、レーザ出力を光センサでモニタし、このモニタ結果
に基づいて充電電圧を変化させて、レーザガスの劣化、
ウインドの汚損等に伴う出力低下をきたさないような出
力安定化制御を行っている。In the laser chamber 4, a heat exchanger 7 and a laser medium gas (hereinafter referred to as "laser gas") are provided.
Blower 8 for forced convection and cooling is incorporated,
It enables operation at high repetition frequencies of tens to hundreds of Hz. In addition, in order to stabilize the laser output during operation, the laser output is monitored by an optical sensor, and the charging voltage is changed based on the monitoring result to deteriorate the laser gas.
The output stabilization control is performed so that the output does not decrease due to stains on the window.
【0011】従来のレーザ装置に使用されているサイラ
トロンで代表される放電スイッチQは、電極の蒸発等に
伴う消耗や動作に必要なヒータ等の消耗によって耐久性
が損なわれることがあり、実用化の面で障害がある。The discharge switch Q typified by a thyratron used in a conventional laser device may lose durability due to consumption of electrodes due to evaporation and consumption of heaters necessary for operation. There are obstacles in terms of.
【0012】すなわち、図17に示されるように、サイ
ラトロンQがオフ状態からオン状態へ移行する際の導通
抵抗R(ターンオン抵抗)が高い時期に大きな電流i1
が流れることで、斜線で示される大きなサイラトロン損
失(オーム損失(i1)2・R;(i1)2とはi1の2乗
を意味する)が発生し、これと同時にサイラトロンQの
消耗が起こっていると考えられる。That is, as shown in FIG. 17, when the conduction resistance R (turn-on resistance) when the thyratron Q shifts from the off state to the on state is high, a large current i1 is generated.
Causes a large thyratron loss (Ohm loss (i1) 2.R; (i1) 2 means the square of i1), which is indicated by oblique lines. At the same time, thyratron Q is consumed. It is thought that there is.
【0013】そこで、こうしたスイッチング直後の高い
ターンオン抵抗が存在する時期における導通電流を抑制
するために、可飽和リアクトルを磁気スイッチとして使
用した充放電回路を用いるようにしている。この種の技
術は、例えば、日立金属技報vol.8 1992.1
「ファインメットを用いたパルスパワー用磁気スイッチ
磁芯の動特性」に記載されている。Therefore, in order to suppress the conduction current when there is a high turn-on resistance immediately after such switching, a charge / discharge circuit using a saturable reactor as a magnetic switch is used. This type of technology is described in, for example, Hitachi Metals Technical Report vol. 8 1992.1
It is described in "Dynamic characteristics of magnetic core for pulse power magnetic switch using Finemet".
【0014】磁気スイッチとして使用される可飽和リア
クトルは、磁性材料の磁束の飽和現象を利用した素子で
あり、層間絶縁したFe基またはCo基アモルファス巻
磁芯、Fe基超微結晶磁性合金(日立金属の商標「ファ
インメット」)を用いた磁芯等が使用されている。The saturable reactor used as a magnetic switch is an element utilizing the saturation phenomenon of the magnetic flux of a magnetic material, and Fe-based or Co-based amorphous winding magnetic cores with an interlayer insulation and Fe-based ultrafine crystalline magnetic alloy (Hitachi) Magnetic cores using the metal trademark "Finemet") are used.
【0015】ここで、磁気スイッチを用いた回路の代表
的方式である磁気パルス圧縮回路をパルスレーザのパル
ス電源に適用した場合の動作について図18を用いて説
明する。Here, the operation when a magnetic pulse compression circuit, which is a typical system of a circuit using a magnetic switch, is applied to a pulse power supply of a pulse laser will be described with reference to FIG.
【0016】図18において、C1=C2=C3の条件下
でコンデンサC1に蓄積された電荷がすべてC2に転送さ
れた時点で磁気スイッチSRが飽和するように設計され
た場合に、コンデンサC1に蓄積された電荷が最も効率
的にコンデンサC3に転送される。この条件が満たされ
るときの主要各部の電圧、電流波形を図19に示す。In FIG. 18, when the magnetic switch SR is designed to saturate when all the charges stored in the capacitor C1 are transferred to C2 under the condition of C1 = C2 = C3, The transferred charge is most efficiently transferred to the capacitor C3. FIG. 19 shows the voltage and current waveforms of the main parts when this condition is satisfied.
【0017】主スイッチQがターンオン後、主コンデン
サC1に蓄積されていた電荷がすべてコンデンサC2に転
送されるまでの期間をτ1とする。τ1の期間、磁芯の動
作点は図14のループ上の非飽和領域にあり、時間の経
過と共にa点からb点に向かって移動する。このときの
磁気スイッチSRの磁芯の透磁率μrsは非常に高いた
め、出力巻き線NのインダクタンスLSRuはインダクタ
ンスL1に比べて十分大きく出力巻き線Nにはほとんど
電流は流れない。したがって、磁気スイッチSRは、図
19の斜線部分で示す電圧時間積の間、電流を阻止し次
式が成り立つ。After the main switch Q is turned on, τ1 is the period until all the charges accumulated in the main capacitor C1 are transferred to the capacitor C2. During the period of τ1, the operating point of the magnetic core is in the unsaturated region on the loop of FIG. 14, and moves from the point a to the point b over time. At this time, since the magnetic permeability μrs of the magnetic core of the magnetic switch SR is very high, the inductance LSRu of the output winding N is sufficiently larger than the inductance L1, and almost no current flows through the output winding N. Therefore, the magnetic switch SR blocks the current during the voltage-time product indicated by the hatched portion in FIG. 19, and the following equation holds.
【0018】 vsr:磁芯印加電圧 N:磁気スイッチ巻数 Ae:磁芯有効断面積 ΔBm:最大動作磁束密度量 ここで、ターンオン後の電流パルスの時間幅τ1は次式
で与えられる。[0018] vsr: Voltage applied to the magnetic core N: Number of turns of the magnetic switch Ae: Effective area of the magnetic core ΔBm: Maximum operating magnetic flux density Here, the time width τ1 of the current pulse after turn-on is given by the following equation.
【0019】 τ1=π√(L1C1C2/(C1+C2)) …(2) 磁芯の動作点が図14上のループ上のb点に達してから
c点を経由してd点まで移動するとき磁芯は飽和してお
り、磁芯の透磁率μrsは、真空の透磁率μ0にほぼ等し
い。このときインダクタンスLSRsはインダクタンスL1
より十分小さく、コンデンサC2に転送された電荷のほ
とんどが図19に示すパルス幅τ2でコンデンサC3に転
送される。Τ1 = π√ (L1C1C2 / (C1 + C2)) (2) When the operating point of the magnetic core reaches point b on the loop in FIG. 14 and then moves to point d via point c The core is saturated, and the magnetic permeability μrs of the magnetic core is almost equal to the magnetic permeability μ0 of vacuum. At this time, the inductance LSRs is the inductance L1
Most of the electric charge transferred to the capacitor C2 is sufficiently smaller and transferred to the capacitor C3 with the pulse width τ2 shown in FIG.
【0020】 τ2=π√(LSRsC2C3/(C2+C3)) …(3) 転送電流i2の向きが反転すると、磁芯の動作点は図1
4のループ上のd点からa点に向かって移動するが、確
実にa点に向かって移動する。ここで、τ1とτ2の比を
圧縮利得Gcと呼び、以下の関係がある。Τ2 = π√ (LSRsC2C3 / (C2 + C3)) (3) When the direction of the transfer current i2 is reversed, the operating point of the magnetic core is as shown in FIG.
Although it moves from point d on the loop of No. 4 to point a, it surely moves toward point a. Here, the ratio between τ1 and τ2 is called a compression gain Gc, and has the following relationship.
【0021】Gc=τ1/τ2=I2m/I1m …(4) I1m:i1の波高値 I2m:i2の波高値 このように磁気パルス圧縮回路を用いることにより、用
いない場合に比べて主スイッチQを流れる電流のパルス
幅と波高値をおのおのGc倍と1/Gc倍にすることがで
きる。このため、主スイッチQのスイッチング損失を低
下させることができ、高出力化や高繰返し化が可能とな
る。また、サイラトロンなどの放電スイッチに比べ最大
順方向抵抗や、ターンオン時間が長い半導体スイッチ素
子を用いることができるようになる。そして磁気スイッ
チは、本質的に消耗部分が存在しないため半導体スイッ
チと組み合わせることによりメンテナンス不要な非常に
耐久性の高いパルス電源を実現できる。Gc = τ1 / τ2 = I2m / I1m (4) I1m: peak value of i1 I2m: peak value of i2 By using the magnetic pulse compression circuit as described above, the main switch Q can be used as compared with the case where it is not used. The pulse width and peak value of the flowing current can be made Gc times and 1 / Gc times respectively. Therefore, the switching loss of the main switch Q can be reduced, and high output and high repetition can be achieved. Further, it becomes possible to use a semiconductor switch element having a maximum forward resistance and a long turn-on time as compared with a discharge switch such as a thyratron. Since the magnetic switch essentially has no consumable part, a highly durable pulse power supply requiring no maintenance can be realized by combining the magnetic switch with a semiconductor switch.
【0022】[0022]
【発明が解決しようとする課題】磁気スイッチを用いた
充放電回路には、上記のような長所がある反面、次のよ
うな本質的な問題点があるため実用機への適用が困難で
あり、実用化できなかった。The charging / discharging circuit using the magnetic switch has the advantages as described above, but has the following essential problems and is difficult to apply to a practical machine. , Could not be put to practical use.
【0023】すなわち、上述するように磁気圧縮回路に
おける圧縮用素子(可飽和リアクトル)の電流阻止時間
τ1は、上記(1)式に示されるように磁芯への印加電
圧vsrにより変化する。それゆえに、従来のようにレー
ザ光の出力をフィードバックして、充電電圧を変化させ
る制御を行った場合には、可飽和リアクトルの阻止時間
まで変化してしまうという問題点があった。That is, as described above, the current blocking time τ1 of the compression element (saturable reactor) in the magnetic compression circuit changes depending on the voltage vsr applied to the magnetic core as shown in the above equation (1). Therefore, when the output of the laser beam is fed back to control the charge voltage to be changed as in the related art, there is a problem that the stop time of the saturable reactor is changed.
【0024】もう少し具体的に述べると、エキシマレー
ザ等のガスレーザの場合には、運転の経過とともにレー
ザガス中に不純物ガスが発生したり、成分ガスが消耗し
たり、光取出し用の窓が汚れたりして発振効率が低下
し、レーザ出力が低下する。そこで、従来はこの出力低
下を補償し一定の出力を得るために運転電圧(充電電
圧)を増加させて出力の安定化を行うようにしている。More specifically, in the case of a gas laser such as an excimer laser, an impurity gas is generated in the laser gas, a component gas is consumed, and a window for extracting light is contaminated as the operation proceeds. As a result, the oscillation efficiency decreases, and the laser output decreases. Therefore, conventionally, in order to compensate for this output decrease and obtain a constant output, the operating voltage (charging voltage) is increased to stabilize the output.
【0025】しかしながら、磁気圧縮回路を用いた場合
には、運転電圧を増加させると電流阻止時間が短くな
り、圧縮のタイミングがずれてしまい、エネルギー転送
効率が悪化し、レーザ出力が逆に低下してしまう。すな
わち、図13に示すように最大エネルギー転送効率をη
maxとして、効率がその1/2となる電圧の最大値と最
小値をそれぞれVmax、Vminとすると、この範囲Vm
(Vmin〜Vmax)を越えると、エネルギー効率的にもほ
とんど実用性が無くなってしまう。したがって、最適の
運転電圧範囲Vmin〜Vmaxというものが存在しており、
この電圧範囲を維持する電圧制御を行う必要がある。逆
に狭い電圧範囲を維持しなければならないため電圧制御
性が悪く、このことが磁気スイッチを使用した充放電回
路をレーザ装置に適用し、実用化する上での障害となっ
ていた。However, when the magnetic compression circuit is used, when the operating voltage is increased, the current blocking time is shortened, the compression timing is shifted, the energy transfer efficiency is deteriorated, and the laser output is reduced. Would. That is, as shown in FIG.
Assuming that the maximum value and the minimum value of the voltage at which the efficiency is そ の are Vmax and Vmin, respectively, this range Vm
If it exceeds (Vmin to Vmax), practicality is almost lost in terms of energy efficiency. Therefore, there is an optimum operating voltage range of Vmin to Vmax,
It is necessary to perform voltage control that maintains this voltage range. Conversely, since a narrow voltage range must be maintained, voltage controllability is poor. This has been an obstacle to applying a charge / discharge circuit using a magnetic switch to a laser device and putting it into practical use.
【0026】本発明はこうした実状に鑑みてなされたも
のであり、磁気スイッチを有した充放電回路を放電励起
型のレーザ装置に適用した場合であっても、レーザ出力
変動に対する補償を、制御性よく行うことができ、もっ
てレーザ出力安定化制御を容易になし得る装置を提供す
ることを目的とするものである。The present invention has been made in view of these circumstances, and even when a charge / discharge circuit having a magnetic switch is applied to a discharge excitation type laser device, compensation for laser output fluctuation is controlled. It is an object of the present invention to provide an apparatus which can be well operated and can easily perform laser output stabilization control.
【0027】[0027]
【課題を解決するための手段】そこで、この発明の主た
る発明では、電源と、該電源の電圧を放電電極に印加さ
せる主スイッチと、該主スイッチと前記放電電極との間
に介在されて、前記電源から前記放電電極に流れる電流
を前記電源の電圧の大きさに応じた時間の間阻止する磁
気スイッチとを有した充放電回路を具えるとともに、前
記放電電極が配設されたレーザチャンバ内にレーザガス
を供給して前記放電電極間の放電によって前記レーザガ
スを励起し、レーザ光を発振、出力させるようにした放
電励起型レーザ装置において、前記出力レーザ光のパワ
ーを検出するパワー検出手段と、前記パワー検出手段に
よって前記出力レーザ光のパワーが目標値または目標範
囲からずれたことが検出された場合に、前記出力レーザ
光のパワーが前記目標値に一致するか、前記目標範囲内
に入るように、前記電源の電圧を一定値に維持しつつ前
記レーザチャンバ内に供給されるレーザガスの供給量ま
たは該レーザチャンバから排出されるレーザガスの排気
量を制御する制御手段とを具えている。Therefore, in the main invention of the present invention, a power supply, a main switch for applying a voltage of the power supply to a discharge electrode, and a main switch interposed between the main switch and the discharge electrode, In a laser chamber in which a charging / discharging circuit having a magnetic switch for blocking a current flowing from the power source to the discharge electrode for a time period according to the magnitude of the voltage of the power source is provided and in which the discharge electrode is arranged. In the discharge excitation type laser device, which supplies the laser gas to excite the laser gas by the discharge between the discharge electrodes, and oscillates and outputs the laser light, a power detection unit that detects the power of the output laser light, When the power detection unit detects that the power of the output laser light deviates from the target value or the target range, the power of the output laser light is The supply amount of the laser gas supplied into the laser chamber or the exhaust of the laser gas discharged from the laser chamber while maintaining the voltage of the power supply at a constant value so as to match the standard value or fall within the target range. And control means for controlling the quantity.
【0028】ここで、パワー検出手段は、光パワーを直
接的に検出するものでもよく、ハロゲンガス濃度、希ガ
ス濃度等光パワーに関連するパラメータを検出すること
によって、間接的に光パワーを検出するものであっても
よい。Here, the power detecting means may directly detect the optical power, and indirectly detects the optical power by detecting a parameter related to the optical power such as a halogen gas concentration and a rare gas concentration. It may be one that does.
【0029】[0029]
【作用】かかる構成によれば、パワー検出手段によって
出力レーザ光のパワーが目標値または目標範囲からずれ
たことが検出された場合に、出力レーザ光のパワーが目
標値に一致するか、目標範囲内に入るように、電源の電
圧が一定値に維持されつつレーザチャンバ内に供給され
るレーザガスの供給量またはレーザチャンバから排出さ
れるレーザガスの排気量が制御される。このように電圧
制御を伴うことなくレーザガス給・排気の制御のみによ
って制御性よくレーザ出力の変動が補償される。According to this structure, when the power detection means detects that the power of the output laser light deviates from the target value or the target range, the power of the output laser light matches the target value or the target range. The amount of laser gas supplied into the laser chamber or the amount of laser gas exhausted from the laser chamber is controlled while the voltage of the power supply is maintained at a constant value. In this way, the fluctuation of the laser output is compensated with good controllability only by controlling the laser gas supply / exhaust without voltage control.
【0030】[0030]
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る放電励起
型レーザ装置のレーザガス制御装置の実施例について説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a laser gas control device of a discharge excitation laser device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0031】・第1の実施例 図1は、第1の実施例におけるレーザ装置の構成を示し
ている。なお、従来装置と重複する構成要素には同一符
号を付しており、すでに説明した内容についての重複し
た説明は省略する。First Embodiment FIG. 1 shows the configuration of a laser device according to a first embodiment. The same components as those of the conventional device are denoted by the same reference numerals, and the description of the contents already described is omitted.
【0032】同図に示すように、実施例装置は、大きく
は、主電極5、5間における放電を行わせる充放電回路
1と、レーザガスが供給、充填され、主電極5、5間の
放電によってレーザガスの励起、レーザ光Laの発振が
行われるレーザチャンバ4と、レーザチャンバ4にレー
ザガスを供給し、チャンバ4内からレーザガスを排気す
る給・排気回路2と、後述する図10に示されるように
圧力センサ13の出力等に基づいて充放電回路1および
給・排気回路2を制御する制御器3とから構成されてい
る。As shown in the figure, the apparatus of the embodiment is mainly composed of a charge / discharge circuit 1 for performing a discharge between the main electrodes 5 and 5, a laser gas supplied and filled, and a discharge between the main electrodes 5 and 5. As shown in FIG. 10, which will be described later, a laser chamber 4 in which laser gas is excited and laser light La is oscillated, a laser gas is supplied to the laser chamber 4, and a laser gas is exhausted from the chamber 4. And a controller 3 for controlling the charge / discharge circuit 1 and the supply / exhaust circuit 2 based on the output of the pressure sensor 13 and the like.
【0033】すなわち、希ガスボンベ9には、希ガス
(Xe、Kr、Ar等)が充填され、ハロゲンガスボンベ
10には、ハロゲンガス(F2、HCl等をバッファガ
スによって希釈したガス)が充填され、バッファガスボ
ンベ11には、バッファガス(He、Ne等)が充填され
ている。これら各ボンベ9、10、11とレーザチャン
バ4との間は、各バルブ14a〜14fおよび排気ポン
プ12を介して配管がなされており、制御器3から各バ
ルブ14a〜14fに対してバルブ開閉信号S1が出力
されるとともに排気ポンプ12に対してポンプ駆動信号
S2が出力されることによって、レーザチャンバ4への
レーザガスの供給およびチャンバ4内からのガス排気が
制御される。That is, the rare gas cylinder 9 is filled with a rare gas (Xe, Kr, Ar, etc.), and the halogen gas cylinder 10 is filled with a halogen gas (a gas obtained by diluting F2, HCl, etc. with a buffer gas). The buffer gas cylinder 11 is filled with a buffer gas (He, Ne, etc.). A pipe is provided between each of the cylinders 9, 10, 11 and the laser chamber 4 via each of the valves 14a to 14f and the exhaust pump 12, and a valve opening / closing signal is sent from the controller 3 to each of the valves 14a to 14f. The output of S1 and the output of the pump drive signal S2 to the exhaust pump 12 control the supply of the laser gas to the laser chamber 4 and the exhaust of gas from the chamber 4.
【0034】圧力センサ13は、レーザチャンバ4内の
ガス圧Pを検出し、その検出出力Pを制御器3に入力さ
せる。The pressure sensor 13 detects the gas pressure P in the laser chamber 4 and inputs the detected output P to the controller 3.
【0035】レーザチャンバ4内でレーザガスが放電励
起され、これによって発光した光が図示されていない共
振器によって共振されることによりレーザ発振が行われ
る。発振レーザ光Laは図示されていない、ウインド
ウ、フロントミラー等を介して出力される。Laser gas is discharge-excited in the laser chamber 4, and light emitted thereby is resonated by a resonator (not shown), so that laser oscillation is performed. The oscillation laser light La is output through a window, a front mirror, and the like (not shown).
【0036】出力されたレーザ光Laは、光出力検出器
15に入力され、この光出力検出器15によってレーザ
出力(パワー)Eが検出され、該検出出力Eが制御器3
に入力される。なお、光出力検出器15は、たとえばピ
ンフォトダイオードのピーク値をホールドすることによ
りレーザ出力Eを検出するものである。さて、光出力検
出器15としては、光パワーを直接的に検出するもので
もよく、ハロゲンガス濃度、希ガス濃度等光パワーに関
連するパラメータを検出することによって、間接的に光
パワーを検出するものであってもよい。The output laser beam La is input to the optical output detector 15, the laser output (power) E is detected by the optical output detector 15, and the detected output E is detected by the controller 3.
Is input to The optical output detector 15 detects the laser output E by holding the peak value of the pin photodiode, for example. The light output detector 15 may be one that directly detects the light power, and indirectly detects the light power by detecting a parameter related to the light power such as a halogen gas concentration and a rare gas concentration. It may be one.
【0037】また、光出力検出器15で光が検出される
毎にこれをカウントするカウンタ(図示せず)が設けら
れている。このカウンタによってレーザ光Laの発振パ
ルス数Nがカウントされ、このカウンタの出力Nが制御
器3に入力される。Further, a counter (not shown) for counting light every time light is detected by the light output detector 15 is provided. The oscillation pulse number N of the laser light La is counted by this counter, and the output N of this counter is input to the controller 3.
【0038】充放電回路1は、直流高圧電源17を駆動
源として主電極5、5間で放電を行わせる。この電源1
7の充電電圧Vも図示されていない電圧検出器によって
検出され、制御器3に入力される。The charging / discharging circuit 1 discharges between the main electrodes 5 and 5 by using the DC high voltage power supply 17 as a driving source. This power supply 1
The charging voltage V of 7 is also detected by a voltage detector (not shown) and input to the controller 3.
【0039】制御器3は、光出力検出器15で検出した
レーザ出力E、圧力センサ13で検出したガス圧P、上
記パルスカウンタで検出したカウント数Nおよび上記電
圧検出器で検出した電源17の充電電圧Vに基づいて電
源17に指令電圧Vaを出力し、該電源17の充電電圧
Vが指令した電圧値Vaになるように充電電圧の制御を
行う。The controller 3 includes a laser output E detected by the optical output detector 15, a gas pressure P detected by the pressure sensor 13, a count number N detected by the pulse counter, and a power supply 17 detected by the voltage detector. A command voltage Va is output to the power supply 17 based on the charging voltage V, and the charging voltage is controlled so that the charging voltage V of the power supply 17 becomes the commanded voltage value Va.
【0040】充放電回路1は、磁気アシスト19が付設
された主スイッチであるサイリスタ18がオンされるこ
とにより動作する。制御器3は、充放電回路1を動作さ
せるための駆動信号S3を駆動回路16に送出し、これ
に応じて駆動回路16がオン信号S4を主スイッチ18
に加えることにより充放電回路1が動作する。The charge / discharge circuit 1 operates when a thyristor 18 as a main switch provided with a magnetic assist 19 is turned on. The controller 3 sends a drive signal S3 for operating the charge / discharge circuit 1 to the drive circuit 16, and in response to this, the drive circuit 16 sends an ON signal S4 to the main switch 18
, The charge / discharge circuit 1 operates.
【0041】なお、主スイッチ18は、サイリスタを使
用しているが、他の半導体スイッチ例えばGTO、IG
BTを使用することもできる。Although the main switch 18 uses a thyristor, other semiconductor switches such as GTO and IG are used.
BT can also be used.
【0042】充放電回路1は、パルストランス20を有
した2段の磁気圧縮回路、つまり磁気スイッチSRを2
つ具えた回路構成となっている。The charge / discharge circuit 1 is a two-stage magnetic compression circuit having a pulse transformer 20, that is, a magnetic switch SR having two stages.
It has a complete circuit configuration.
【0043】レーザ装置の運転開始にあたり、まず真空
ポンプによって所定のガス圧になるまで排気が行われ、
レーザチャンバ4内の旧ガスが排気される。つぎにバル
ブ14a…が所要に開閉され、圧力センサ13の出力P
が所定の設定値になるまで、希ガス、ハロゲンガスおよ
びバッファガスのそれぞれが順次注入される。At the start of operation of the laser apparatus, first, the vacuum pump evacuates the gas to a predetermined gas pressure,
The old gas in the laser chamber 4 is exhausted. Next, the valves 14a ... Are opened and closed as required, and the output P of the pressure sensor 13 is output.
Until a predetermined value is reached, each of a rare gas, a halogen gas and a buffer gas is sequentially injected.
【0044】こうしたレーザガスのチャンバ4内への注
入がなされると、その後チャンバ4内のガス循環用のブ
ロア8の起動、電源17のウオームアップ等といったシ
ーケンシャルな制御が順次実行されていき、レーザ装置
の運転が可能な状態となる。そこで、レーザ装置の運転
に先だって、まず、図10のステップ101に示される
ように、目標レーザ出力Ec、ハロゲンガス注入パルス
数間隔Nc、充電電圧変化量ΔV、希ガスについての1
回分の補給ガス量ΔG1、ハロゲンガスについての同補
給ガス量ΔG2、バッファガスについての同補給ガス量
ΔG3および1回分の排気ガスの排気量ΔG4、限界ガス
圧力(Pmax、Pmin)が予め設定されるとともに、パル
ス数カウンタのリセット(N=0)が行われる。After the laser gas is injected into the chamber 4, sequential control such as activation of the gas circulation blower 8 in the chamber 4 and warming up of the power supply 17 is sequentially executed, and the laser device is sequentially executed. Is ready for operation. Therefore, prior to the operation of the laser apparatus, first, as shown in step 101 of FIG. 10, the target laser output Ec, the halogen gas injection pulse number interval Nc, the charging voltage change ΔV, and the 1
The replenishment gas amount ΔG1, the replenishment gas amount ΔG2 for the halogen gas, the replenishment gas amount ΔG3 for the buffer gas, the exhaust gas amount ΔG4 for one exhaust gas, and the limit gas pressures (Pmax, Pmin) are preset. At the same time, the pulse number counter is reset (N = 0).
【0045】その後、レーザ装置の運転が開始される
と、光出力検出器15によって検出されたレーザ出力
E、圧力センサ13によって検出されたチャンバ内圧力
Pおよび電圧検出器によって検出された充電電圧Vが制
御器3に逐次取り込まれる。ただし、充電電圧Vは、指
令電圧Vaで代用することもできる(ステップ10
2)。Thereafter, when the operation of the laser device is started, the laser output E detected by the optical output detector 15, the chamber pressure P detected by the pressure sensor 13, and the charging voltage V detected by the voltage detector are detected. Are sequentially taken into the controller 3. However, the charging voltage V can be substituted by the command voltage Va (step 10).
2).
【0046】制御器3は、検出レーザ出力Eを目標レー
ザ出力Ecと比較し(ステップ103)、E<Ecであれ
ば、充電電圧Vを上記微小電圧ΔVだけ増加させて指令
充電電圧Vaとし(ステップ105)、E=Ecであれ
ば、検出電圧Vをそのまま指令充電電圧Vaとし(ステ
ップ104)、E>Ecであれば、検出充電電圧Vを上
記微小電圧ΔVだけ下げて指令充電電圧Vaとする(ス
テップ106)。The controller 3 compares the detected laser output E with the target laser output Ec (step 103), and if E <Ec, increases the charging voltage V by the minute voltage ΔV to obtain the command charging voltage Va ( If E = Ec, the detected voltage V is directly used as the command charging voltage Va (step 104). If E> Ec, the detected charging voltage V is lowered by the minute voltage ΔV to become the command charging voltage Va. (Step 106).
【0047】さて、一般に、目標値に近づける制御を行
う場合には、検出器の分解能や各種ノイズを考慮して不
感帯が設けられる。よって、上記目標レーザ出力Ec
は、ある幅をもっていてもよい。すなわち、目標範囲を
設定して、この目標範囲内にレーザ出力が入るような制
御を行うようにしてもよい。In general, when performing control to approach the target value, a dead zone is provided in consideration of the resolution of the detector and various noises. Therefore, the target laser output Ec
May have a certain width. That is, a target range may be set and control may be performed such that the laser output falls within this target range.
【0048】さらに、制御器3は、上記指令充電電圧V
a(現在の充電電圧V)を充電電圧制御範囲Vmの最大値
Vmaxおよび最小値Vminと比較し(ステップ107)、
Va≦VmaxかつVa≧Vminであれば、ガス圧Pを現在
の圧力に維持した状態で(ステップ108)、つぎのス
テップ111に移行させる。Further, the controller 3 controls the command charging voltage V
a (current charging voltage V) is compared with the maximum value Vmax and the minimum value Vmin of the charging voltage control range Vm (step 107),
If Va ≦ Vmax and Va ≧ Vmin, the process proceeds to the next step 111 while maintaining the gas pressure P at the current pressure (step 108).
【0049】しかし、指令充電電圧Vaが、Va>Vmax
のときは、希ガスボンベ9およびバッファガスボンベ1
1から所定量の希ガスΔG1およびバッファガスΔG3を
レーザチャンバ4内に補給する処理を行い、ガス圧Pを
微小量ΔPだけ増加させた後ステップ111に移行させ
る(ステップ110)。また、Va<Vminとのときに
は、レーザチャンバ4内のレーザガスが所定量ΔG4だ
け排気する処理を行い、ガス圧Pを微小量ΔPだけ減少
させた後ステップ111に移行させる(ステップ10
9)。However, if the command charging voltage Va is Va> Vmax
In case of, a rare gas cylinder 9 and a buffer gas cylinder 1
The process of replenishing the predetermined amount of the rare gas ΔG1 and the buffer gas ΔG3 from 1 to the laser chamber 4 is performed, and the gas pressure P is increased by a minute amount ΔP, and then the process proceeds to step 111 (step 110). When Va <Vmin, the laser gas in the laser chamber 4 is exhausted by a predetermined amount ΔG4, the gas pressure P is reduced by a minute amount ΔP, and then the process proceeds to step 111 (step 10).
9).
【0050】通常は、不純物ガスの発生およびウインド
等の汚損によりレーザ出力は低下する傾向にあり、全圧
はガス補給と共に上昇するので、排気工程を省略できる
場合が多い。よってステップ109の処理を省略するよ
うにしてもよい。Normally, laser output tends to decrease due to generation of impurity gas and fouling of windows and the like, and the exhaust pressure step can be omitted in many cases because the total pressure increases with gas supply. Therefore, the process of step 109 may be omitted.
【0051】レーザ装置の運転中には、ハロゲンガスを
補給する制御も行われている(ステップ113〜11
6)。During operation of the laser device, control for replenishing halogen gas is also performed (steps 113 to 11).
6).
【0052】すなわち、レーザ装置の運転中には、電極
蒸発物との反応等によってハロゲンガスが減少し、この
減少量は運転時間、つまり運転パルス数Nに比例してい
る。そこで、運転パルス数Nに比例した量のハロゲンガ
スを補給するために、カウントパルス数Nが所定の値N
cに達する毎に、ハロゲンガスを所定量ΔG2だけ補給し
ている。そしてハロゲンガスの補給がなされた時点でカ
ウント値Nが零にリセットされ、つぎの処理であるステ
ップ111に移行される(ステップ114、115、1
16)。なお、この実施例では、パルス数Nは、光出力
検出器15の検出信号をカウントすることによって求め
ているが、発振命令であるトリガ信号をカウントするこ
とによって求めるようにしてもよい。That is, during the operation of the laser apparatus, the halogen gas decreases due to the reaction with the electrode evaporant and the like, and the amount of the decrease is proportional to the operation time, that is, the number N of operation pulses. Therefore, in order to replenish the halogen gas in an amount proportional to the operation pulse number N, the count pulse number N is set to a predetermined value N
Every time the temperature reaches c, the halogen gas is replenished by a predetermined amount ΔG 2. Then, when the supply of the halogen gas is performed, the count value N is reset to zero, and the process proceeds to step 111, which is the next process (steps 114, 115, 1).
16). In this embodiment, the pulse number N is obtained by counting the detection signal of the optical output detector 15, but it may be obtained by counting the trigger signal which is an oscillation command.
【0053】ステップ111では、レーザチャンバ4内
のガス圧力Pが所定の範囲Pmin≦P≦Pmaxにあるか否
かを判断しており、この圧力範囲を越えた場合には、レ
ーザ出力Eの維持が困難となるため、ガス交換あるいは
劣化部品の交換等を行うためのサービスリクエスト信号
の出力等、所要のアラーム表示あるいはエラー処理とい
った異常処理がなされる(ステップ112)。In step 111, it is determined whether or not the gas pressure P in the laser chamber 4 is within a predetermined range Pmin ≦ P ≦ Pmax. If the gas pressure P exceeds this range, the laser output E is maintained. Therefore, an abnormal process such as a required alarm display or an error process such as the output of a service request signal for gas replacement or replacement of a deteriorated part is performed (step 112).
【0054】なお、この実施例では、充電電圧制御範囲
Vm内に入るように充電電圧Vを制御しているが、充電
電圧を一定のままとしレーザガスの給排気制御のみを行
うようにしてもよい。In this embodiment, the charging voltage V is controlled so as to fall within the charging voltage control range Vm. However, only the supply and exhaust control of the laser gas may be performed while keeping the charging voltage constant. .
【0055】この場合は、ステップ103の処理に引き
続きステップ108〜110の処理が行われて(ステッ
プ104〜106の処理の代わりに)、ステップ111
に移行されることになる。In this case, the processes of steps 108 to 110 are performed after the process of step 103 (instead of the processes of steps 104 to 106), and then step 111.
Will be moved to.
【0056】すなわち、制御器3は、検出レーザ出力E
を目標レーザ出力Ecと比較し(ステップ103)、E
<Ecであれば、レーザチャンバ4内のレーザガスが所
定量ΔG4だけ排気する処理を行い(ステップ10
9)、E=Ecであれば、ガス圧Pを現在の圧力に維持
し(ステップ108)、E>Ecであれば、希ガスボン
ベ9およびバッファガスボンベ11から所定量の希ガス
ΔG1およびバッファガスΔG3をレーザチャンバ4内に
補給する処理を行う(ステップ110)。That is, the controller 3 detects the detection laser output E
Is compared with the target laser output Ec (step 103).
If <Ec, a process of exhausting the laser gas in the laser chamber 4 by a predetermined amount ΔG4 is performed (step 10).
9) If E = Ec, the gas pressure P is maintained at the current pressure (step 108). If E> Ec, predetermined amounts of the rare gas ΔG1 and the buffer gas ΔG3 are supplied from the rare gas cylinder 9 and the buffer gas cylinder 11. Is performed in the laser chamber 4 (step 110).
【0057】また、この実施例では、定期的にハロゲン
ガスを補給する処理(ステップ113〜116)を行っ
ているが、場合によってはこれを省略してもよい。ま
た、ハロゲンガスの補給は、ステップ110において他
の希ガス、バッファガスの補給と併せて行うようにして
もよい。Further, in this embodiment, the process of replenishing the halogen gas at regular intervals (steps 113 to 116) is performed, but this may be omitted depending on the case. Further, the replenishment of the halogen gas may be performed together with the replenishment of the other rare gas and the buffer gas in step 110.
【0058】また、この実施例では、充電電圧Vを直接
検出しているが、充電電圧Vとレーザ光Laのビーム幅
Δwは、ほぼ比例関係にあるため、ビーム幅Δwを検出
することによって充電電圧Vを検出するようにしてもよ
い。ここで、ビーム幅Δwとは、図1に示すように主電
極5、5間の放電方向に垂直な方向の幅のことをいい、
レーザ光をラインセンサ上に転写することによって検出
することができる。In this embodiment, the charging voltage V is directly detected. However, since the charging voltage V and the beam width Δw of the laser light La are in a substantially proportional relationship, the charging is performed by detecting the beam width Δw. The voltage V may be detected. Here, the beam width Δw means a width in a direction perpendicular to the discharge direction between the main electrodes 5 and 5, as shown in FIG.
It can be detected by transferring the laser light onto the line sensor.
【0059】また、充電電圧Vとレーザ光Laの周波数
スペクトル分布におけるスペクトル幅Δλ、たとえば半
値幅との関係も、ほぼ比例関係にあるため、スペクトル
幅Δλを検出することによって充電電圧Vを検出するよ
うにしてもよい。Further, since the relationship between the charging voltage V and the spectral width Δλ in the frequency spectrum distribution of the laser light La, for example, the half value width, is also in a substantially proportional relationship, the charging voltage V is detected by detecting the spectral width Δλ. You may do it.
【0060】また、上述した第1の実施例に示される充
放電回路1の代わりに図2ないし図7に示される充放電
回路1を使用する実施も可能である。It is also possible to use the charging / discharging circuit 1 shown in FIGS. 2 to 7 instead of the charging / discharging circuit 1 shown in the first embodiment.
【0061】図2は、主スイッチとしてサイラトロン1
8´を採用した2段磁気圧縮回路が適用される第2の実
施例を示している。FIG. 2 shows a thyratron 1 as a main switch.
8 shows a second embodiment to which a two-stage magnetic compression circuit adopting 8'is applied.
【0062】図3は、パルストランス20の代わりに可
飽和トランス20´を使用した1段の磁気圧縮回路が適
用される第3の実施例を示している。FIG. 3 shows a third embodiment in which a one-stage magnetic compression circuit using a saturable transformer 20 'instead of the pulse transformer 20 is applied.
【0063】図4、図5は、可飽和トランス20´を使
用した2段の磁気圧縮回路が適用される第4、第5の実
施例を示している。FIGS. 4 and 5 show fourth and fifth embodiments to which a two-stage magnetic compression circuit using a saturable transformer 20 'is applied.
【0064】図6は、LC反転による倍電圧回路21に
1段の磁気圧縮回路を追加した第6の実施例を示してい
る。FIG. 6 shows a sixth embodiment in which one-stage magnetic compression circuit is added to the voltage doubler circuit 21 by LC inversion.
【0065】図7は、LC反転による倍電圧回路21に
さらに2段の磁気圧縮回路を追加した第7の実施例を示
している。FIG. 7 shows a seventh embodiment in which a two-stage magnetic compression circuit is added to the voltage doubler circuit 21 by LC inversion.
【0066】さて、図8は、図1と同じ回路構成の充放
電回路1が適用される第8の実施例装置の構成を示して
おり、図1と異なるのは、レーザ光Laの周波数スペク
トル分布におけるスペクトル幅Δλ(たとえば半値幅)
を検出するスペクトル幅検出器22を付加した点であ
る。スペクトル幅検出器22の検出出力Δλは、制御器
3に入力されて、図11に示す処理が行われる。Now, FIG. 8 shows the structure of an eighth embodiment device to which the charging / discharging circuit 1 having the same circuit structure as that of FIG. 1 is applied. What is different from FIG. 1 is the frequency spectrum of the laser beam La. Spectral width Δλ in distribution (for example, full width at half maximum)
This is the point where a spectrum width detector 22 for detecting is added. The detection output Δλ of the spectrum width detector 22 is input to the controller 3 and the processing shown in FIG. 11 is performed.
【0067】以下、図11を参照して制御器3で行われ
る処理内容について説明する。なお、図10の処理と重
複する処理内容については説明を省略する。Hereinafter, the processing performed by the controller 3 will be described with reference to FIG. Note that the description of the processing content that is the same as the processing of FIG. 10 will be omitted.
【0068】まず、ステップ201では、上記ステップ
101と同様の処理が実行されるとともに、目標スペク
トル幅Δλcの設定も併せて行われる。First, in step 201, the same processing as in step 101 is performed, and the setting of the target spectrum width Δλc is also performed.
【0069】つぎのステップ202では、上記ステップ
102と同様な処理が実行されるとともに、スペクトル
幅検出器22で検出されたスペクトル幅Δλが逐次制御
器3に取り込まれる(ステップ202)。In the next step 202, the same processing as in step 102 is executed, and the spectrum width Δλ detected by the spectrum width detector 22 is sequentially fetched by the controller 3 (step 202).
【0070】そして、ステップ203〜ステップ210
では、上記ステップ103〜ステップ110と同様に充
電電圧制御、ガス給・排気制御が実行される。また、ス
テップ213〜ステップ216では、上記ステップ11
3〜ステップ116と同様に定期的なハロゲンガスの補
給処理が実行される。Then, step 203 to step 210
Then, the charging voltage control and the gas supply / exhaust control are executed in the same manner as in steps 103 to 110. Also, in steps 213 to 216, the above-described step 11
Similar to 3 to step 116, a periodical halogen gas supply process is executed.
【0071】そして、ハロゲンガス補給処理が終了した
後のステップ217〜ステップ220では、スペクトル
幅安定化制御が実行される。Then, in steps 217 to 220 after the halogen gas replenishment process is completed, the spectrum width stabilization control is executed.
【0072】すなわち、角度分散型の狭帯域化素子を用
いた狭帯域化エキシマレーザは、分散角方向のレーザ利
得分布によってスペクトルプロファイル、つまりスペク
トル幅が変化するという特性を有している。そして、レ
ーザガス組成、特にハロゲンガスの分圧とスペクトルプ
ロファイルとが強い依存性を有していることは、本発明
者らの既出願に開示されているところである(特願平4
―312202号等)。そこで、この第8の実施例で
は、スペクトル幅検出器22の出力に応じてハロゲンガ
スの補給量ΔG2を増減させ、ハロゲン分圧を安定化
し、もってスペクトル幅Δλの安定化を図っている。That is, the narrow band excimer laser using the angular dispersion type narrow band element has a characteristic that the spectral profile, that is, the spectral width, changes according to the laser gain distribution in the dispersion angle direction. And, the fact that the composition of the laser gas, particularly the partial pressure of the halogen gas, and the spectral profile have a strong dependence has been disclosed in the present application of the present inventors (Japanese Patent Application No. Hei.
-312202). Therefore, in the eighth embodiment, the supply amount ΔG2 of the halogen gas is increased or decreased according to the output of the spectrum width detector 22 to stabilize the halogen partial pressure, thereby stabilizing the spectrum width Δλ.
【0073】まず、検出スペクトル幅Δλが目標スペク
トル幅Δλcと比較され(ステップ217)、Δλ<Δ
λcであれば、ハロゲンガス補給量ΔG2を微小量dG2
だけ増加させて、補給量ΔG2を更新し(ステップ22
0)、Δλ=Δλcであれば、現在のハロゲンガス補給
量ΔG2を増減させることなく現在の補給量ΔG2のまま
で更新を行い(ステップ218)、Δλ>Δλcであれ
ば、ハロゲンガス補給量ΔG2を微小量dG2だけ下げ
て、補給量ΔG2を更新する(ステップ219)。その
後、手順はステップ211に移行されて、上記ステップ
111、112と同様なガス圧比較処理、異常処理が実
行される(ステップ211、212)。First, the detected spectrum width Δλ is compared with the target spectrum width Δλc (step 217), and Δλ <Δ
If λc, the halogen gas replenishment amount ΔG2 is a minute amount dG2
And the supply amount ΔG2 is updated (step 22)
0), if Δλ = Δλc, the current halogen gas replenishment amount ΔG2 is updated without changing the present replenishment amount ΔG2 (step 218). If Δλ> Δλc, the halogen gas replenishment amount ΔG2 is obtained. Is reduced by a minute amount dG2 to update the replenishment amount ΔG2 (step 219). After that, the procedure moves to step 211, and the gas pressure comparison processing and abnormality processing similar to those in steps 111 and 112 are executed (steps 211 and 212).
【0074】さて、また図9は、図1と同じ回路構成の
充放電回路1が適用される第9の実施例装置の構成を示
しており、図1と異なるのは、主電極5、5間の放電方
向に垂直な方向のビーム幅Δwを検出するビームプロフ
ァイル検出器23を付加した点である。このビームプロ
ファイル検出器23は、レーザ光Laをラインセンサ上
に転写させることによってビーム幅Δwを検出するもの
である。プロファイル検出器23の検出出力Δwは、制
御器3に入力されて、図12に示す処理が行われる。FIG. 9 shows the configuration of a ninth embodiment to which the charging / discharging circuit 1 having the same circuit configuration as that of FIG. 1 is applied. The difference from FIG. The point is that a beam profile detector 23 for detecting a beam width Δw in a direction perpendicular to the discharge direction is added. The beam profile detector 23 detects the beam width Δw by transferring the laser beam La onto a line sensor. The detection output Δw of the profile detector 23 is input to the controller 3 and the processing shown in FIG. 12 is performed.
【0075】以下、図12を参照して制御器3で行われ
る処理内容について説明する。なお、図10の処理と重
複する処理内容については説明を省略する。The contents of processing performed by the controller 3 will be described below with reference to FIG. Note that the description of the processing content that is the same as the processing of FIG. 10 will be omitted.
【0076】まず、ステップ301では、上記ステップ
101と同様の処理が実行されるとともに、目標ビーム
幅Δwcの設定も併せて行われる。First, in step 301, the same processing as in step 101 is performed, and the setting of the target beam width Δwc is also performed.
【0077】つぎのステップ302では、上記ステップ
102と同様な処理が実行されるとともに、ビーム幅検
出器23で検出されたビーム幅Δwが逐次制御器3に取
り込まれる(ステップ302)。In the next step 302, the same processing as in step 102 is executed, and the beam width Δw detected by the beam width detector 23 is sequentially fetched by the controller 3 (step 302).
【0078】そして、ステップ303〜ステップ310
では、上記ステップ103〜ステップ110と同様に充
電電圧制御、ガス給・排気制御が実行される。また、ス
テップ313〜ステップ316では、上記ステップ11
3〜ステップ116と同様に定期的なハロゲンガスの補
給処理が実行される。Then, steps 303 to 310
Then, the charging voltage control and the gas supply / exhaust control are executed in the same manner as in steps 103 to 110. In step 313 to step 316, the above step 11
Similar to 3 to step 116, a periodical halogen gas supply process is executed.
【0079】そして、ハロゲンガス補給処理が終了した
後のステップ317〜ステップ320では、ビーム幅安
定化制御が実行される。Then, in steps 317 to 320 after the halogen gas supply processing is completed, beam width stabilization control is executed.
【0080】すなわち、エキシマレーザは、レーザ利得
分布によってビームプロファイル、つまりビーム幅Δw
が変化するという特性を有している。そして、ガス組
成、特にハロゲンガスの分圧はビームプロファイルに強
く依存していることが本発明者らによって発見され、既
出願である特願平6―73389号にも示されている。
そこで、ビームプロファイル検出器23の検出出力に応
じてハロゲンガスの補給量ΔG2を増減させ、ハロゲン
ガス分圧を安定化し、もってビーム幅、つまりプロファ
イルの安定化を図っている。That is, the excimer laser has a beam profile, that is, a beam width Δw according to the laser gain distribution.
Change. The inventors have found that the gas composition, especially the partial pressure of the halogen gas, strongly depends on the beam profile, and it is also shown in Japanese Patent Application No. 6-73389, which has already been filed.
Therefore, the supply amount ΔG2 of the halogen gas is increased or decreased in accordance with the detection output of the beam profile detector 23 to stabilize the partial pressure of the halogen gas, thereby stabilizing the beam width, that is, the profile.
【0081】まず、検出ビーム幅Δwが目標ビーム幅Δ
wcと比較され(ステップ317)、Δw<Δwcであれ
ば、ハロゲンガス補給量ΔG2を微小量dG2だけ増加さ
せて、補給量ΔG2を更新し(ステップ320)、Δw
=Δwcであれば、現在のハロゲンガス補給量ΔG2を増
減させることなく現在の補給量ΔG2のままで更新を行
い(ステップ318)、Δw>Δwcであれば、ハロゲ
ンガス補給量ΔG2を微小量dG2だけ下げて、補給量Δ
G2を更新する(ステップ319)。その後、手順はス
テップ311に移行されて、上記ステップ111、11
2と同様なガス圧比較処理、異常処理が実行される(ス
テップ311、312)。First, the detected beam width Δw is equal to the target beam width Δ
is compared with wc (step 317). If .DELTA.w <.DELTA.wc, the supply amount .DELTA.G2 of the halogen gas is increased by a small amount dG2, and the supply amount .DELTA.G2 is updated (step 320).
= Δwc, the current halogen gas replenishment amount ΔG2 is updated without changing the present replenishment amount ΔG2 (step 318). If Δw> Δwc, the halogen gas replenishment amount ΔG2 is set to a minute amount dG2. Just lower the supply amount Δ
G2 is updated (step 319). After that, the procedure moves to Step 311, and the above Steps 111 and 11 are performed.
Gas pressure comparison processing and abnormality processing similar to those in 2 are executed (steps 311 and 312).
【0082】[0082]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、出
力レーザ光のパワーが目標値になるように、電源の電圧
を一定値に維持するか、あるいは一定範囲内に収まるよ
うに電圧を制御しつつ、レーザガスの給・排気量を制御
するようにしたので、磁気スイッチを有した充放電回路
を放電励起型のレーザ装置に適用した場合であっても、
レーザ出力変動に対する補償を、制御性よく行うことが
できる。このため、上記磁気スイッチを有した充放電回
路の採用により電極等の耐久性が向上するとともに、上
記制御性向上によりレーザ出力の安定化を容易に行うこ
とができる。As described above, according to the present invention, the voltage of the power supply is maintained at a constant value or the voltage is controlled so that the power of the output laser light becomes a target value. Since the supply / exhaust amount of the laser gas is controlled while controlling, even when the charging / discharging circuit having the magnetic switch is applied to the discharge excitation type laser device,
The laser output fluctuation can be compensated with good controllability. Therefore, by adopting the charging / discharging circuit having the magnetic switch, the durability of the electrodes and the like can be improved, and the laser output can be easily stabilized by the controllability.
【図1】図1は本発明に係る放電励起型レーザ装置のレ
ーザガス制御装置の第1の実施例の構成を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment of a laser gas control device of a discharge excitation type laser device according to the present invention.
【図2】図2は第2の実施例の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a second embodiment.
【図3】図3は第3の実施例の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a third exemplary embodiment.
【図4】図4は第4の実施例の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a fourth embodiment.
【図5】図5は第5の実施例の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a fifth embodiment.
【図6】図6は第6の実施例の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a sixth embodiment.
【図7】図7は第7の実施例の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a seventh embodiment.
【図8】図8は第8の実施例の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an eighth embodiment.
【図9】図9は第9の実施例の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a ninth embodiment.
【図10】図10は第1ないし第7の実施例の処理手順
を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart illustrating a processing procedure according to the first to seventh embodiments.
【図11】図11は第8の実施例の処理手順を示すフロ
ーチャートである。FIG. 11 is a flowchart illustrating a processing procedure according to an eighth embodiment;
【図12】図12は第9の実施例の処理手順を示すフロ
ーチャートである。FIG. 12 is a flowchart showing a processing procedure of a ninth embodiment.
【図13】図13は、磁気圧縮回路を使用した場合にお
ける正規化運転電圧とエネルギー転送効率の関係を示す
グラフである。FIG. 13 is a graph showing a relationship between normalized operating voltage and energy transfer efficiency when a magnetic compression circuit is used.
【図14】図14は、磁気スイッチ磁芯の動作を示すグ
ラフである。FIG. 14 is a graph showing the operation of the magnetic switch magnetic core.
【図15】図15は従来のレーザ装置の構成を示す図で
ある。FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a conventional laser device.
【図16】図16は従来のレーザ装置の充放電回路の構
成を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a charge / discharge circuit of a conventional laser device.
【図17】図17は図16の回路における主スイッチの
電圧、電流の波形を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing waveforms of a voltage and a current of a main switch in the circuit of FIG. 16;
【図18】図18は磁気圧縮回路を示す回路図である。FIG. 18 is a circuit diagram showing a magnetic compression circuit.
【図19】図19は、図18の磁気圧縮回路の各部の電
圧、電流の波形を示すグラフである。19 is a graph showing voltage and current waveforms at various parts of the magnetic compression circuit of FIG. 18.
1 充放電回路 2 給・排気回路 3 制御器 4 レーザチャンバ 5 主電極 SR 磁気スイッチ 15 光出力検出器 17 直流高圧電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Charge / discharge circuit 2 Supply / exhaust circuit 3 Controller 4 Laser chamber 5 Main electrode SR Magnetic switch 15 Optical output detector 17 DC high voltage power supply
Claims (4)
印加させる主スイッチと、該主スイッチと前記放電電極
との間に介在されて、前記電源から前記放電電極に流れ
る電流を前記電源の電圧の大きさに応じた時間の間阻止
する磁気スイッチとを有した充放電回路を具えるととも
に、前記放電電極が配設されたレーザチャンバ内にレー
ザガスを供給して前記放電電極間の放電によって前記レ
ーザガスを励起し、レーザ光を発振、出力させるように
した放電励起型レーザ装置において、 前記出力レーザ光のパワーを検出するパワー検出手段
と、 前記パワー検出手段によって前記出力レーザ光のパワー
が目標値または目標範囲からずれたことが検出された場
合に、前記出力レーザ光のパワーが前記目標値に一致す
るか、前記目標範囲内に入るように、前記電源の電圧を
一定値に維持しつつ前記レーザチャンバ内に供給される
レーザガスの供給量または該レーザチャンバから排出さ
れるレーザガスの排気量を制御する制御手段とを具えた
放電励起型レーザ装置におけるレーザガスの制御装置。1. A power source, a main switch for applying a voltage of the power source to a discharge electrode, and a current flowing from the power source to the discharge electrode, which is interposed between the main switch and the discharge electrode. A charging / discharging circuit having a magnetic switch for blocking for a time corresponding to the magnitude of the voltage is provided, and a laser gas is supplied into the laser chamber in which the discharging electrodes are arranged to discharge the discharge electrodes. In a discharge excitation type laser device that excites the laser gas and oscillates and outputs laser light, a power detection unit that detects the power of the output laser light, and the power of the output laser light is the target by the power detection unit. When the value or the deviation from the target range is detected, the power of the output laser light matches the target value or falls within the target range, In a discharge excitation type laser device, comprising: a control means for controlling the supply amount of the laser gas supplied into the laser chamber or the exhaust amount of the laser gas discharged from the laser chamber while maintaining the voltage of the power supply at a constant value. Laser gas control device.
印加させる主スイッチと、該主スイッチと前記放電電極
との間に介在されて、前記電源から前記放電電極に流れ
る電流を前記電源の電圧の大きさに応じた時間の間阻止
する磁気スイッチとを有した充放電回路を具えるととも
に、前記放電電極が配設されたレーザチャンバ内にレー
ザガスを供給して前記放電電極間の放電によって前記レ
ーザガスを励起し、レーザ光を発振、出力させるように
した放電励起型レーザ装置において、 前記出力レーザ光のパワーを検出するパワー検出手段
と、 前記パワー検出手段によって前記出力レーザ光のパワー
が目標値または目標範囲からずれたことが検出された場
合に、前記出力レーザ光のパワーが前記目標値に一致す
るか、前記目標範囲内に入るように、前記電源の電圧を
変化させる電圧制御手段と、 前記電源の電圧調整範囲を予め設定しておき、前記電圧
制御手段によって前記電源の電圧が変化された結果、前
記電圧調整範囲外となった場合に、前記電源の電圧が前
記電圧調整範囲内に入るように、前記レーザチャンバ内
に供給されるレーザガスの供給量または該レーザチャン
バから排出されるレーザガスの排気量を制御する給・排
気制御手段とを具えた放電励起型レーザ装置におけるレ
ーザガスの制御装置。2. A power supply, a main switch for applying a voltage of the power supply to a discharge electrode, and a current flowing from the power supply to the discharge electrode, which is interposed between the main switch and the discharge electrode. A charging / discharging circuit having a magnetic switch for blocking for a time corresponding to the magnitude of the voltage is provided, and a laser gas is supplied into the laser chamber in which the discharging electrodes are arranged to discharge the discharge electrodes. In a discharge excitation type laser device that excites the laser gas and oscillates and outputs laser light, a power detection unit that detects the power of the output laser light, and the power of the output laser light is the target by the power detection unit. When the value or the deviation from the target range is detected, the power of the output laser light matches the target value or falls within the target range, The voltage control means for changing the voltage of the power supply and the voltage adjustment range of the power supply are set in advance, and when the voltage of the power supply is changed by the voltage control means, the voltage is out of the voltage adjustment range. A supply / exhaust control means for controlling the supply amount of the laser gas supplied into the laser chamber or the exhaust amount of the laser gas discharged from the laser chamber so that the voltage of the power supply falls within the voltage adjustment range. A laser gas control device in the discharge excitation type laser device.
布におけるスペクトル幅を検出するスペクトル幅検出手
段を具え、このスペクトル幅検出手段によってスペクト
ル幅が目標スペクトル幅からずれたことが検出された場
合に、前記スペクトル幅が目標スペクトル幅になるよう
にレーザガスをレーザチャンバ内に供給するか、該レー
ザチャンバから排出する制御を行うようにした請求項1
または2記載の放電励起型レーザ装置におけるレーザガ
スの制御装置。3. A spectrum width detecting means for detecting a spectrum width in a frequency spectrum distribution of output laser light, wherein the spectrum width detecting means detects the spectrum width from a target spectrum width when the spectrum width is detected. The laser gas is supplied into the laser chamber or discharged from the laser chamber so that the width becomes a target spectral width.
Alternatively, a laser gas control device in the discharge excitation type laser device according to the second aspect.
向のビーム幅を検出するビーム幅検出手段を具え、この
ビーム幅検出手段によってビーム幅が目標ビーム幅から
ずれたことが検出された場合に、前記ビーム幅が目標ビ
ーム幅になるようにレーザガスをレーザチャンバ内に供
給するか、該レーザチャンバから排出する制御を行うよ
うにした請求項1または2記載の放電励起型レーザ装置
におけるレーザガスの制御装置。4. A beam width detecting means for detecting a beam width in a direction substantially perpendicular to a discharge direction between discharge electrodes, wherein the beam width detecting means detects that the beam width deviates from a target beam width. And controlling the supply of the laser gas into the laser chamber so that the beam width becomes the target beam width or the discharge of the laser gas from the laser chamber. Control device.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6134468A JP2601410B2 (en) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | Laser gas control device in discharge excitation type laser device |
PCT/JP1995/001015 WO1995034927A1 (en) | 1994-06-16 | 1995-05-26 | Laser gas controller and charging-discharging device for discharge-excited laser |
KR1019960706798A KR100325995B1 (en) | 1994-06-16 | 1995-05-26 | Laser gas control device and charging / discharging device in discharged excitation laser device |
US08/750,538 US5754579A (en) | 1994-06-16 | 1995-05-26 | Laser gas controller and charging/discharging device for discharge-excited laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6134468A JP2601410B2 (en) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | Laser gas control device in discharge excitation type laser device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH088481A true JPH088481A (en) | 1996-01-12 |
JP2601410B2 JP2601410B2 (en) | 1997-04-16 |
Family
ID=15129031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6134468A Expired - Fee Related JP2601410B2 (en) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | Laser gas control device in discharge excitation type laser device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2601410B2 (en) |
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WO2015068205A1 (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-14 | ギガフォトン株式会社 | Laser device and non-transitory computer-readable storage medium |
JP2018093211A (en) * | 2018-01-10 | 2018-06-14 | ギガフォトン株式会社 | Laser device and non-transitory computer-readable recording medium |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7830934B2 (en) | 2001-08-29 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing |
US7209507B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-04-24 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge MOPA laser system |
US7277464B2 (en) | 2003-12-18 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge laser system |
US7679029B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
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1994
- 1994-06-16 JP JP6134468A patent/JP2601410B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP2601410B2 (en) | 1997-04-16 |
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