JPH0855897A - Boat for substrate - Google Patents
Boat for substrateInfo
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- JPH0855897A JPH0855897A JP20792494A JP20792494A JPH0855897A JP H0855897 A JPH0855897 A JP H0855897A JP 20792494 A JP20792494 A JP 20792494A JP 20792494 A JP20792494 A JP 20792494A JP H0855897 A JPH0855897 A JP H0855897A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、基板用ボートに関
し、例えば、基板を熱処理する際に用いて好適なもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate boat, which is suitable for use in heat treating a substrate, for example.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハーを熱処理する際にこの半
導体ウェハーを載せるウェハーボートの一種に横置き型
のウェハーボートがある。従来、この横置き型のウェハ
ーボートとしては、平坦なボート板の上に半導体ウェハ
ーをその面がボート板の面に接するように単に載せる形
式のものが用いられている。2. Description of the Related Art A horizontal type wafer boat is a type of wafer boat on which a semiconductor wafer is placed when heat-treating the semiconductor wafer. Conventionally, as this horizontal type wafer boat, a type in which a semiconductor wafer is simply placed on a flat boat plate so that its surface is in contact with the surface of the boat plate is used.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の横置き型
のウェハーボートにおいては、ボート板の面積によって
決まる枚数の半導体ウェハーしか一度に載せることがで
きないため、一度に処理可能な半導体ウェハーの枚数は
限られていた。In the conventional horizontal type wafer boat described above, since only the number of semiconductor wafers determined by the area of the boat plate can be loaded at one time, the number of semiconductor wafers that can be processed at one time is increased. Was limited.
【0004】一度に処理可能な半導体ウェハーの枚数を
増やすためにウェハーボートを多段積層する方法もある
が、このようにすると反応管の断面積を大きくする必要
があるため、反応管内に流す反応ガスやキャリアガスの
流量を多くする必要があり、半導体装置の製造コストが
増大してしまうという問題がある。There is also a method of stacking wafer boats in multiple stages in order to increase the number of semiconductor wafers that can be processed at one time. However, in this case, since the cross-sectional area of the reaction tube needs to be increased, the reaction gas flowing in the reaction tube is required. It is necessary to increase the flow rate of the carrier gas and carrier gas, which causes a problem of increasing the manufacturing cost of the semiconductor device.
【0005】したがって、この発明の目的は、熱処理な
どの処理を行う場合に一度に処理可能な基板の枚数を増
やすことができる基板用ボートを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate boat capable of increasing the number of substrates that can be processed at one time when processing such as heat treatment.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、ボート板(1)に少なくとも一つの貫
通穴(2)が設けられ、貫通穴(2)は少なくともその
周に沿う方向の三箇所以上の部分が基板(W)よりも小
さい第1の部分(2a)と基板(W)よりも大きい第2
の部分(2b)とから成ることを特徴とする基板用ボー
トである。In order to achieve the above object, the present invention is provided with at least one through hole (2) in a boat plate (1), and the through hole (2) extends at least along the circumference thereof. A first portion (2a) whose three or more portions in the direction are smaller than the substrate (W) and a second portion which is larger than the substrate (W).
And a part (2b).
【0007】この発明の一実施形態においては、貫通穴
(2)はその周に沿う方向の全体が基板(W)よりも小
さい第1の部分(2a)と基板(W)よりも大きい第2
の部分(2b)とから成る。具体例を挙げると、貫通穴
(2)および基板(W)は円形であり、貫通穴(2)は
基板(W)の直径よりも小さい第1の部分(2a)と基
板(W)の直径よりも大きい第2の部分(2b)とから
成る。In one embodiment of the present invention, the through hole (2) has a first portion (2a) which is smaller than the substrate (W) and a second portion which is larger than the substrate (W) in its entire circumferential direction.
Part (2b). As a specific example, the through hole (2) and the substrate (W) are circular, and the through hole (2) has a diameter of the first portion (2a) smaller than the diameter of the substrate (W) and the diameter of the substrate (W). A larger second portion (2b).
【0008】この発明においては、貫通穴(2)の第2
の部分(2b)に二枚の基板(W)がそれらの裏面同士
が互いに向き合うように重ねられて収容される。この第
2の部分(2b)は、典型的には、二枚の基板(W)を
収容可能な深さを有する。この発明において、典型的に
は、貫通穴(2)は複数設けられる。In the present invention, the second through hole (2)
In the portion (2b), the two substrates (W) are housed in such a manner that their back surfaces face each other. The second portion (2b) typically has a depth capable of accommodating two substrates (W). In the present invention, typically, a plurality of through holes (2) are provided.
【0009】この発明の好適な一実施形態においては、
基板用ボートが導入されて熱処理などの処理が行われる
反応管の床面からボート板(1)を離してそれらの間の
部分にガスが通りやすくなるようにするために、ボート
板(1)の一方の主面に脚部(4)が設けられる。In a preferred embodiment of the present invention,
In order to separate the boat plate (1) from the floor of the reaction tube in which the substrate boat is introduced and to be subjected to treatment such as heat treatment, and to allow gas to easily pass through the portion between them, the boat plate (1) A leg (4) is provided on one of the main surfaces.
【0010】この発明の好適な一実施形態においては、
基板用ボートが導入されて熱処理などの処理が行われる
反応管内に導入される反応ガスやキャリアガスの流れを
この基板用ボートの上下に振り分けるために、ガスの上
流側のボート板(1)の一辺がくさび状の形状を有す
る。In a preferred embodiment of the present invention,
In order to distribute the flow of the reaction gas or the carrier gas introduced into the reaction tube in which the substrate boat is introduced and the treatment such as the heat treatment is performed, the gas is fed to the upper and lower sides of the substrate boat so that the gas upstream of the boat plate (1) One side has a wedge shape.
【0011】この発明による基板用ボートは、典型的に
は、基板を熱処理(アニール、アロイ、拡散、エピタキ
シー、CVDなど)する場合に用いられるが、熱処理以
外の処理を行う場合に用いてもよい。The substrate boat according to the present invention is typically used when heat treating (annealing, alloying, diffusing, epitaxy, CVD, etc.) a substrate, but may be used when performing a treatment other than heat treatment. .
【0012】この発明による基板用ボートは、高温熱処
理に用いられる場合には、好適には石英などの高温に耐
えられる材料により形成されるが、一般的には、使用温
度で変形や変質が生じない材料であればどのような材料
により形成してもよく、例えば耐熱ガラス、金属、アル
ミナ、グラファイト、テフロンなどにより形成してもよ
い。When the substrate boat according to the present invention is used for high temperature heat treatment, it is preferably formed of a material such as quartz that can withstand high temperatures, but generally, it is deformed or deteriorated at the operating temperature. Any material that does not exist may be used, for example, heat-resistant glass, metal, alumina, graphite, or Teflon.
【0013】[0013]
【作用】上述のように構成されたこの発明による基板用
ボートによれば、ボート板に設けられた貫通穴の第2の
部分に二枚の基板をそれらの裏面同士が互いに向き合う
ように重ねて収容することができるので、ボート板の面
積を同一とした場合、ボート板上に単に基板を載せる形
式の上述の従来の基板用ボートに比べて、二倍の枚数の
基板を一度に載せることができる。そして、この基板用
ボートを例えば熱処理装置の反応管内に導入して熱処理
を行うことにより、ボート板の各貫通穴に収容された二
枚の基板の表面の処理を一度に行うことができる。これ
によって、一度に処理可能な基板の枚数を増やすことが
できる。According to the substrate boat of the present invention constructed as described above, the two substrates are stacked on the second portion of the through hole formed in the boat plate so that their back surfaces face each other. Since they can be accommodated, when the area of the boat plates is the same, twice as many substrates can be loaded at once as compared with the above-described conventional substrate boat in which the substrates are simply loaded on the boat plates. it can. Then, the substrate boat is introduced into, for example, the reaction tube of the heat treatment apparatus to perform heat treatment, whereby the surfaces of the two substrates accommodated in the through holes of the boat plate can be treated at once. This can increase the number of substrates that can be processed at one time.
【0014】[0014]
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。図1はこの
発明の第1実施例によるウェハーボートを示し、図1A
は平面図、図1Bは側面図である。図2はこの第1実施
例によるウェハーボートの貫通穴の近傍を拡大して示す
断面図、図3はこの第1実施例によるウェハーボートの
一辺部を拡大して示す側面図、図4はこの第1実施例に
よるウェハーボートの脚部の近傍を拡大して示す側面図
である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings of the embodiments, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals. FIG. 1 shows a wafer boat according to a first embodiment of the present invention.
Is a plan view and FIG. 1B is a side view. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the through hole of the wafer boat according to the first embodiment, FIG. 3 is an enlarged side view showing one side of the wafer boat according to the first embodiment, and FIG. It is a side view which expands and shows the vicinity of the leg part of the wafer boat by 1st Example.
【0015】図1、図2、図3および図4に示すよう
に、この第1実施例によるウェハーボートにおいては、
一方向に長く延びた長方形の平板状のボート板1に、円
形の貫通穴2が四つ設けられている。これらの四つの貫
通穴2の中心は、ボート板1の長手方向の中心線に関し
て交互に反対側にずれている。このボート板1は、例え
ば石英により形成される。As shown in FIGS. 1, 2, 3 and 4, in the wafer boat according to the first embodiment,
Four rectangular through holes 2 are provided in a rectangular flat boat plate 1 extending in one direction. The centers of these four through holes 2 are alternately displaced to the opposite sides with respect to the longitudinal centerline of the boat plate 1. The boat plate 1 is made of, for example, quartz.
【0016】貫通穴2は、処理すべきウェハーの直径よ
りも少し(例えば、1〜2mm)小さい直径の第1の部
分2aと、このウェハーの直径よりも少し(例えば、1
〜2mm)大きい直径の第2の部分2bとから成る。こ
の場合、この第2の部分2bの深さは、少なくとも処理
すべきウェハー一枚分の厚さよりも大きく選ばれ、典型
的には例えばウェハーを二枚重ねたときの合計の厚さと
ほぼ等しく選ばれる。そして、図5に示すように、この
第2の部分2bに、二枚のウェハーWが、第1の部分2
aによってその外周部が下から支持された状態で、それ
らの裏面同士が互いに向き合うように重ねられて収容さ
れるようになっている。この場合、これらの二枚のウェ
ハーWの表面はそれぞれウェハーボートの上側および下
側を向いており、反応管内においてこれらの表面に対し
て所望の熱処理が行われる。The through hole 2 has a first portion 2a having a diameter slightly smaller than the diameter of the wafer to be processed (for example, 1 to 2 mm) and a diameter slightly smaller than the diameter of this wafer (for example, 1 mm).
.About.2 mm) with a larger diameter second portion 2b. In this case, the depth of the second portion 2b is selected to be larger than at least the thickness of one wafer to be processed, and is typically selected to be approximately equal to the total thickness when two wafers are stacked. Then, as shown in FIG. 5, the two wafers W are attached to the first portion 2 in the second portion 2b.
With the outer peripheral portion thereof being supported from below by a, the back surfaces thereof are stacked so as to face each other and accommodated. In this case, the surfaces of these two wafers W face the upper side and the lower side of the wafer boat, respectively, and desired heat treatment is performed on these surfaces in the reaction tube.
【0017】上述のように貫通穴2は四つあり、各貫通
穴2には合計二枚のウェハーWが収容されるようになっ
ているので、この第1実施例によるウェハーボートに
は、合計八枚のウェハーWを載せることができる。As described above, since there are four through holes 2 and a total of two wafers W are accommodated in each through hole 2, the wafer boat according to the first embodiment has a total of two wafers W. Eight wafers W can be placed.
【0018】各貫通穴2の周辺の一部分には、ウェハー
Wをピンセットなどを用いて貫通穴2に入れたり貫通穴
2から取り出したりすることができるようにするための
溝3が設けられている。A groove 3 is provided in a part of the periphery of each through hole 2 so that the wafer W can be inserted into or removed from the through hole 2 by using tweezers or the like. .
【0019】ボート板1の一辺部は、くさび状の形状を
有している。この第1実施例によるウェハーボートを例
えば熱処理装置の反応管内に導入するときには、このボ
ート板1のくさび状の一辺部が反応管内に流される反応
ガスやキャリアガスの上流側を向くようにする。これに
よって、反応管内に反応ガスやキャリアガスを流したと
きのボート板1の上流側の一辺部の付近でのガスの流れ
の乱れを小さくすることができ、ボート板1の上下にガ
スを均等に振り分けることができる。One side of the boat plate 1 has a wedge shape. When the wafer boat according to the first embodiment is introduced into, for example, the reaction tube of the heat treatment apparatus, one side of the wedge-shaped boat plate 1 is directed toward the upstream side of the reaction gas or carrier gas flowing into the reaction tube. As a result, it is possible to reduce the turbulence of the gas flow in the vicinity of one side of the upstream side of the boat plate 1 when the reaction gas or the carrier gas is flown into the reaction tube, and the gas is evenly distributed above and below the boat plate 1. Can be assigned to.
【0020】なお、この第1実施例によるウェハーボー
トを導入する反応管は、ボート板1の面に対して上下対
称な構造になっていることが望ましい。The reaction tube for introducing the wafer boat according to the first embodiment preferably has a vertically symmetrical structure with respect to the plane of the boat plate 1.
【0021】ボート板1の下面の四隅には、ウェハーボ
ートを反応管内に置いた場合に、このボート板1の下面
を反応管の床面から離すための脚部4が設けられてい
る。このような脚部4が設けられていることにより、ボ
ート板1の下面と反応管の床面との間にすきまができる
ので、反応管の床面が平面の場合に、反応ガスやキャリ
アガスがボート板1の裏面側に流れ込まなくなるのを防
止することができる。At the four corners of the lower surface of the boat plate 1, there are provided leg portions 4 for separating the lower surface of the boat plate 1 from the floor of the reaction tube when the wafer boat is placed in the reaction tube. By providing the leg portions 4 as described above, a clearance can be formed between the lower surface of the boat plate 1 and the floor surface of the reaction tube. Therefore, when the floor surface of the reaction tube is flat, the reaction gas and the carrier gas are Can be prevented from flowing into the back surface side of the boat plate 1.
【0022】ここで、直径3インチ(76mm)、厚さ
0.6mmのウェハーWを処理する場合を考えたときの
この第1実施例によるウェハーボートの各部の寸法の一
例を挙げると次の通りである。すなわち、図1、図2、
図3および図4において、ボート板1の長さa=390
mm、ボート板1の幅b=110mm、ボート板1の厚
さc=3mm、ボート板1の長手方向の中心線と貫通穴
2の中心とのずれ幅d=10mm、ボート板1の長手方
向の一端とこれに最も近い位置にある貫通穴2の中心と
の間の距離e=65mm、貫通穴2の間隔f=80mm
である。貫通穴2の第1の部分2aの直径g=74m
m、貫通穴2の第2の部分2bの直径h=77mm、貫
通穴2の第1の部分2aの深さi=1mmである。溝3
の中心と貫通穴2の中心とを結ぶ方向とボート板1の幅
方向とのなす角θ=45°、溝3の長さj=7mm、溝
3の幅k=10mmである。ボート板1のくさび状の一
辺の部分の長さl=5mm、傾斜部の厚さm=1mmで
ある。また、脚部4の長さn=10mm、脚部4の下部
の長さo=5mm、脚部4の高さp=3.5mm、脚部
4の幅q=3mm、ボート板1の長手方向の一端と脚部
4との間の距離r=20mm、ボート板1の長手方向の
他端と脚部4との間の距離s=30mm、ボート板1の
長手方向に平行な辺と脚部4との間の距離t=10mm
である。なお、ここでは、反応管の上面および床面がい
ずれも平面で、その高さが10mmの場合を想定してい
る。Here, an example of the dimensions of each part of the wafer boat according to the first embodiment when considering the case of processing a wafer W having a diameter of 3 inches (76 mm) and a thickness of 0.6 mm is as follows. Is. That is, FIG. 1, FIG.
3 and 4, the length a of the boat plate 1 is a = 390.
mm, width b of boat plate 1 = 110 mm, thickness c of boat plate 1 = 3 mm, deviation width d = 10 mm between the center line of the boat plate 1 in the longitudinal direction and the center of the through hole 2, longitudinal direction of the boat plate 1 Between one end of the through hole 2 and the center of the through hole 2 closest to this, e = 65 mm, distance f between the through holes 2 = 80 mm
Is. Diameter g of first portion 2a of through-hole 2 g = 74 m
m, the diameter h of the second portion 2b of the through hole 2 is 77 mm, and the depth i of the first portion 2a of the through hole 2 is 1 mm. Groove 3
Is 45 °, the length j of the groove 3 is 7 mm, and the width k of the groove 3 is 10 mm. The length 1 of the wedge-shaped one side portion of the boat plate 1 is 5 mm, and the thickness m of the inclined portion is 1 mm. Further, the length of the leg portion 4 is n = 10 mm, the length o of the lower portion of the leg portion 4 is o = 5 mm, the height of the leg portion 4 is p = 3.5 mm, the width of the leg portion 4 is q = 3 mm, and the length of the boat board 1. The distance r between one end in the direction and the leg portion 4 = 20 mm, the distance s = 30 mm between the other end in the longitudinal direction of the boat board 1 and the leg portion 4, the side and the leg parallel to the longitudinal direction of the boat board 1. Distance t = 10 mm from the part 4
Is. Here, it is assumed that the upper surface and the floor surface of the reaction tube are both flat and the height thereof is 10 mm.
【0023】以上のように、この第1実施例によれば、
処理すべきウェハーWの直径よりも少し小さい第1の部
分2aとこの直径よりも少し大きい第2の部分2bとか
ら成る貫通穴2をボート板1に設け、各貫通穴2の第2
の部分2bに二枚のウェハーWをそれらの裏面同士が互
いに向き合うように重ねられた状態で収容するようにし
ているので、ボート板上に単にウェハーWを載せる形式
の上述の従来のウェハーボートと比べて、一度に処理可
能なウェハーWの枚数を二倍にすることができる。これ
によって、ウェハーWの処理能力の向上を図ることがで
きる。また、ボート板1に貫通穴2を設けているので、
ウェハーボートを軽量化することもできる。As described above, according to this first embodiment,
The boat plate 1 is provided with a through hole 2 composed of a first portion 2a slightly smaller than the diameter of the wafer W to be processed and a second portion 2b slightly larger than this diameter.
Since the two wafers W are accommodated in the portion 2b in such a manner that their back surfaces face each other, the wafer W is simply placed on the boat plate. In comparison, the number of wafers W that can be processed at one time can be doubled. As a result, the processing capacity of the wafer W can be improved. Moreover, since the through hole 2 is provided in the boat plate 1,
It is also possible to reduce the weight of the wafer boat.
【0024】次に、この発明の第2実施例について説明
する。図6に示すように、この第2実施例によるウェハ
ーボートにおいては、ボート板1の貫通穴2の第2の部
分2bに、二枚のウェハーWがそれらの裏面同士がこの
ウェハーWと同一の直径の石英板5を介して互いに向き
合うように重ねられて収容されるようになっている。こ
の場合、この第2の部分2bの深さは、少なくとも一枚
のウェハーWと石英板5との合計の厚さよりも大きく選
ばれ、典型的には、二枚のウェハーWとこの石英板5と
の合計の厚さとほぼ等しい深さに選ばれる。この第2実
施例によるウェハーボートの上記以外の構成は第1実施
例によるウェハーボートと同様であるので、説明を省略
する。Next, a second embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 6, in the wafer boat according to the second embodiment, two wafers W are formed on the second portion 2b of the through hole 2 of the boat plate 1 such that their back surfaces are the same as the wafer W. The quartz plates 5 having a diameter are stacked so as to face each other and are housed. In this case, the depth of the second portion 2b is selected to be larger than the total thickness of at least one wafer W and the quartz plate 5, and typically, two wafers W and the quartz plate 5 are selected. The depth is selected to be approximately equal to the total thickness of and. The structure of the wafer boat according to the second embodiment other than the above is the same as that of the wafer boat according to the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
【0025】この第2実施例によれば、第1実施例と同
様な利点に加えて、次のような利点を得ることができ
る。すなわち、ボート板1の貫通穴2の第2の部分2b
に石英板5を介して二枚のウェハーWがそれらの裏面同
士が向き合うように重ねられて収容されるようになって
いるので、ウェハーWの部分とその周囲のボート板1の
部分との間の熱特性(熱容量、熱伝導など)の差を少な
くすることができ、それによってウェハーWの面内の温
度差を小さくすることができる。さらに、二枚のウェハ
ーWが石英板5を介して重ねられた状態で熱処理が行わ
れるので、これらのウェハーWの裏面同士が熱の影響で
互いに貼り付かないようにすることもできる。According to the second embodiment, in addition to the same advantages as the first embodiment, the following advantages can be obtained. That is, the second portion 2b of the through hole 2 of the boat plate 1
Since the two wafers W are stacked and accommodated so that their back surfaces face each other via the quartz plate 5, the space between the wafer W and the surrounding boat plate 1 is accommodated. The difference in the thermal characteristics (heat capacity, heat conduction, etc.) of the wafer W can be reduced, and thus the temperature difference in the plane of the wafer W can be reduced. Further, since the heat treatment is performed in a state where the two wafers W are stacked via the quartz plate 5, it is possible to prevent the back surfaces of these wafers W from sticking to each other due to the influence of heat.
【0026】次に、この発明の第3実施例について説明
する。図7に示すように、この第3実施例によるウェハ
ーボートにおいては、貫通穴2の第1の部分2aがこの
貫通穴2の周に沿う方向の三箇所に120°間隔で設け
られている。すなわち、この場合、第2の部分2aはツ
メ状の形状を有し、それが三つ設けられている。そし
て、これらの三つのツメ状の第2の部分2aによってウ
ェハーWが支持されるようになっている。この第3実施
例によるウェハーボートの上記以外の構成は第1実施例
によるウェハーボートと同様であるので、説明を省略す
る。Next, a third embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 7, in the wafer boat according to the third embodiment, the first portions 2a of the through holes 2 are provided at three intervals along the circumference of the through holes 2 at 120 ° intervals. That is, in this case, the second portion 2a has a tab-like shape, and three thereof are provided. The wafer W is supported by these three tab-shaped second portions 2a. Since the structure of the wafer boat according to the third embodiment is the same as that of the wafer boat according to the first embodiment except for the above, the description thereof will be omitted.
【0027】この第3実施例によれば、第1実施例と同
様な利点に加えて、次のような利点を得ることができ
る。すなわち、ウェハーWは三つのツメ状の第2の部分
2aによって支持されるようになっているので、第1実
施例におけるようにウェハーWの周辺部全体が貫通穴2
の第1の部分2aによって支持される場合に比べて、ウ
ェハーWの汚染を少なくすることができる。According to the third embodiment, in addition to the same advantages as the first embodiment, the following advantages can be obtained. That is, since the wafer W is supported by the three tab-shaped second portions 2a, the entire peripheral portion of the wafer W is provided with the through hole 2 as in the first embodiment.
Contamination of the wafer W can be reduced as compared with the case where the wafer W is supported by the first portion 2a.
【0028】以上、この発明の実施例について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。The embodiments of the present invention have been specifically described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
【0029】例えば、上述の第1実施例、第2実施例ま
たは第3実施例によるウェハーボートを多段に積層し、
これらの積層されたウェハーボートを熱処理装置の反応
管内に導入してウェハーWの熱処理を行うようにしても
よく、このようにすることにより一度に処理可能なウェ
ハーWの枚数を大幅に増やすことができる。一例とし
て、ウェハーボートを三段積層した例を図8に示す。こ
の場合、ウェハーボートの上面に別のウェハーボートを
単に順次重ねてもよいが、積層されたウェハーボート同
士の位置ずれを防止するために、図1において一点鎖線
で示すように、ウェハーボートの上面に、その上に重ね
られるウェハーボートの脚部4の位置を規定するための
突起6を設けるようにしてもよい。さらには、この突起
6の代わりに、脚部4がはまる溝を設けるようにしても
よい。このようにウェハーボートを多段に積層する場合
には、多段に積層しない場合に比べて反応管の断面積を
大きくする必要があるが、一度に処理するウェハーWの
枚数を同一とした場合、上述の従来のウェハーボートを
積層する場合に比べて、ウェハーボートの段数を半分に
することができるので、反応管の断面積の増加を少なく
することができる。For example, the wafer boats according to the above-mentioned first embodiment, second embodiment or third embodiment are laminated in multiple stages,
These stacked wafer boats may be introduced into the reaction tube of the heat treatment apparatus to heat-treat the wafers W. By doing so, the number of wafers W that can be processed at one time can be significantly increased. it can. As an example, FIG. 8 shows an example in which three wafer boats are stacked. In this case, other wafer boats may be simply sequentially stacked on the upper surface of the wafer boat, but in order to prevent the positional deviation between the stacked wafer boats, the upper surface of the wafer boat is indicated by a dashed line in FIG. In addition, a protrusion 6 for defining the position of the leg portion 4 of the wafer boat to be overlaid thereon may be provided. Further, instead of the protrusion 6, a groove into which the leg portion 4 fits may be provided. When the wafer boats are stacked in multiple stages in this way, the cross-sectional area of the reaction tube needs to be larger than in the case where the wafer boats are not stacked in multiple stages. However, when the number of wafers W processed at one time is the same, Since the number of stages of the wafer boat can be halved as compared with the case where the conventional wafer boats are stacked, the increase in the cross-sectional area of the reaction tube can be suppressed.
【0030】なお、上述のようにウェハーボートを多段
に積層する場合、各ウェハーボート間の間隔、脚部4の
高さ、および、最上段のウェハーボートの上面と反応管
の上面との間の間隔を等しくするのが好ましく、このよ
うにすることによって各ウェハーボート上に載せられる
ウェハーWに均等にガスが供給されるようにすることが
できる。When the wafer boats are stacked in multiple layers as described above, the distance between the wafer boats, the height of the legs 4, and the distance between the upper surface of the uppermost wafer boat and the upper surface of the reaction tube. It is preferable to make the intervals equal, and by doing so, the gas can be evenly supplied to the wafers W mounted on the wafer boats.
【0031】なお、場合によっては、その幅方向が上下
方向になるようにウェハーボートを立てた状態で反応管
内に設置するようにしてもよい。この場合には、貫通穴
2の第2の部分2b側の周辺部にウェハーWの落下防止
用のストッパーを設け、上述のように幅方向が上下方向
になるようにウェハーボートを立てたときにボート板1
の貫通穴2からウェハーWが外れて落下するのを防止す
る。In some cases, the wafer boat may be installed in the reaction tube in an upright state such that the width direction thereof is the vertical direction. In this case, a stopper for preventing the wafer W from dropping is provided in the peripheral portion of the through hole 2 on the side of the second portion 2b, and when the wafer boat is set up so that the width direction is the vertical direction as described above. Boat board 1
The wafer W is prevented from coming off from the through hole 2 and dropping.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、この発明による基
板用ボートによれば、貫通穴の第2の部分に二枚の基板
を第1の部分により支持された状態でそれらの裏面が互
いに向き合うように重ねられて収容することができるこ
とにより、一度に処理可能な基板の枚数を増やすことが
できる。As described above, according to the substrate boat of the present invention, the back surfaces of the two substrates face each other in the second portion of the through hole while being supported by the first portion. By stacking and accommodating the substrates in this manner, the number of substrates that can be processed at one time can be increased.
【図1】この発明の第1実施例によるウェハーボートの
平面図および側面図である。FIG. 1 is a plan view and a side view of a wafer boat according to a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の第1実施例によるウェハーボートの
貫通穴の近傍を拡大して示す断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view showing the vicinity of a through hole of the wafer boat according to the first embodiment of the present invention.
【図3】この発明の第1実施例によるウェハーボートの
一辺部を拡大して示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing an enlarged side portion of the wafer boat according to the first embodiment of the present invention.
【図4】この発明の第1実施例によるウェハーボートの
脚部の近傍を拡大して示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing, in an enlarged manner, the vicinity of the legs of the wafer boat according to the first embodiment of the present invention.
【図5】この発明の第1実施例によるウェハーボートの
貫通穴に二枚のウェハーが収容された状態を示す断面図
である。FIG. 5 is a sectional view showing a state in which two wafers are accommodated in the through hole of the wafer boat according to the first embodiment of the present invention.
【図6】この発明の第2実施例によるウェハーボートの
貫通穴に二枚のウェハーが収容された状態を示す断面図
である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where two wafers are accommodated in the through hole of the wafer boat according to the second embodiment of the present invention.
【図7】この発明の第3実施例によるウェハーボートを
示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a wafer boat according to a third embodiment of the present invention.
【図8】この発明の第1実施例、第2実施例または第3
実施例によるウェハーボートを三段積層した例を示す側
面図である。FIG. 8 is a first embodiment, a second embodiment or a third embodiment of the present invention.
It is a side view which shows the example which laminated the wafer boat by 3 steps by the Example.
1 ボート板 2 貫通穴 2a 第1の部分 2b 第2の部分 3 溝 4 脚部 1 Boat Plate 2 Through Hole 2a First Part 2b Second Part 3 Groove 4 Leg
Claims (9)
けられ、 上記貫通穴は少なくともその周に沿う方向の三箇所以上
の部分が基板よりも小さい第1の部分と上記基板よりも
大きい第2の部分とから成ることを特徴とする基板用ボ
ート。1. A boat plate is provided with at least one through hole, and the through hole has at least three portions in a direction along the circumference thereof, a first portion smaller than the substrate and a second portion larger than the substrate. A board boat comprising:
上記基板よりも小さい上記第1の部分と上記基板よりも
大きい上記第2の部分とから成ることを特徴とする請求
項1記載の基板用ボート。2. The through hole comprises the first portion which is smaller than the substrate and the second portion which is larger than the substrate in the entire direction along the circumference thereof. Board for boats.
り、上記貫通穴は上記基板の直径よりも小さい上記第1
の部分と上記基板の直径よりも大きい上記第2の部分と
から成ることを特徴とする請求項1記載の基板用ボー
ト。3. The through hole and the substrate are circular and the through hole is smaller than the diameter of the substrate.
2. The boat for a substrate according to claim 1, wherein the boat for a substrate comprises a portion of the substrate and the second portion having a diameter larger than the diameter of the substrate.
第1の部分により支持された状態でそれらの裏面同士が
互いに向き合うように重ねられて収容されることを特徴
とする請求項1記載の基板用ボート。4. The two substrates are accommodated in the second portion in a state of being supported by the first portion while being stacked so that their back surfaces face each other. 1. The board boat according to 1.
可能な深さを有することを特徴とする請求項1記載の基
板用ボート。5. The substrate boat according to claim 1, wherein the second portion has a depth capable of accommodating two substrates.
特徴とする請求項1記載の基板用ボート。6. The substrate boat according to claim 1, wherein a plurality of the through holes are provided.
られていることを特徴とする請求項1記載の基板用ボー
ト。7. The substrate boat according to claim 1, wherein leg portions are provided on one main surface of the boat plate.
有することを特徴とする請求項1記載の基板用ボート。8. The substrate boat according to claim 1, wherein one side of the boat plate has a wedge shape.
るために用いられる基板用ボートであることを特徴とす
る請求項1記載の基板用ボート。9. The substrate boat according to claim 1, wherein the substrate boat is a substrate boat used for heat treating the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20792494A JPH0855897A (en) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | Boat for substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20792494A JPH0855897A (en) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | Boat for substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0855897A true JPH0855897A (en) | 1996-02-27 |
Family
ID=16547815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20792494A Pending JPH0855897A (en) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | Boat for substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0855897A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009081259A (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
JP2015156485A (en) * | 2010-02-23 | 2015-08-27 | サン−ゴバン グラス フランス | Device for forming reduction chamber space, and method of positioning multilayer body |
CN105026315A (en) * | 2012-12-28 | 2015-11-04 | 阿尔比马尔欧洲有限公司 | Production method of a novel polishing alumina |
-
1994
- 1994-08-09 JP JP20792494A patent/JPH0855897A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009081259A (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
JP2015156485A (en) * | 2010-02-23 | 2015-08-27 | サン−ゴバン グラス フランス | Device for forming reduction chamber space, and method of positioning multilayer body |
CN105026315A (en) * | 2012-12-28 | 2015-11-04 | 阿尔比马尔欧洲有限公司 | Production method of a novel polishing alumina |
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