JPH0853763A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPH0853763A JPH0853763A JP6160021A JP16002194A JPH0853763A JP H0853763 A JPH0853763 A JP H0853763A JP 6160021 A JP6160021 A JP 6160021A JP 16002194 A JP16002194 A JP 16002194A JP H0853763 A JPH0853763 A JP H0853763A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上で均一な特性を有する薄膜を、高い蒸
着効率で得ることができる製造方法を提供する。さら
に、高い生産性で、高Ｓ／Ｎを有する薄膜型磁気記録媒
体を安定に製造する方法を提供する。 【構成】 真空薄膜形成法によって基板１上に薄膜を形
成する際に、基板１と蒸発源８との間に蒸発材料７の融
点以上に昇温された発熱体１２を配置し、この発熱体１
２により蒸発原子９を反射し、この反射された蒸発原子
９と蒸発源から直接飛来する蒸発原子９とにより薄膜を
形成する。
着効率で得ることができる製造方法を提供する。さら
に、高い生産性で、高Ｓ／Ｎを有する薄膜型磁気記録媒
体を安定に製造する方法を提供する。 【構成】 真空薄膜形成法によって基板１上に薄膜を形
成する際に、基板１と蒸発源８との間に蒸発材料７の融
点以上に昇温された発熱体１２を配置し、この発熱体１
２により蒸発原子９を反射し、この反射された蒸発原子
９と蒸発源から直接飛来する蒸発原子９とにより薄膜を
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法等の真空薄膜形成法
による薄膜の製造方法に関する。さらに、高密度記録特
性の優れた薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。
レーティング法、スパッタリング法等の真空薄膜形成法
による薄膜の製造方法に関する。さらに、高密度記録特
性の優れた薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜の一般的な形成法として、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の真
空薄膜形成法が知られている。
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の真
空薄膜形成法が知られている。
【０００３】図１２に真空蒸着装置内部の一例の概略を
示す。蒸発源８の中の蒸発材料７は、電子ビーム（図示
されていない）等の加熱手段により加熱されて蒸発す
る。蒸発した蒸発原子９は、蒸発源に対向して配置され
ている基板１に付着して薄膜が形成される。イオンプレ
ーティング法の場合も、基本的には図１２と同様の構成
で薄膜を形成する。スパッタリング法においては、真空
蒸着法の蒸発源の代わりにターゲットを用いるが、基板
とターゲットとの相対的位置は、一般に図１２に示す真
空蒸着法の場合と同様である。
示す。蒸発源８の中の蒸発材料７は、電子ビーム（図示
されていない）等の加熱手段により加熱されて蒸発す
る。蒸発した蒸発原子９は、蒸発源に対向して配置され
ている基板１に付着して薄膜が形成される。イオンプレ
ーティング法の場合も、基本的には図１２と同様の構成
で薄膜を形成する。スパッタリング法においては、真空
蒸着法の蒸発源の代わりにターゲットを用いるが、基板
とターゲットとの相対的位置は、一般に図１２に示す真
空蒸着法の場合と同様である。
【０００４】次に、薄膜型磁気記録媒体に関する従来の
技術について説明する。磁気記録再生装置は年々高密度
化しており、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体
が要望されている。現在では基板上に磁性粉を塗布した
塗布型磁気記録媒体が主に使用されており、上記要望を
満足すべく特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づ
いている。
技術について説明する。磁気記録再生装置は年々高密度
化しており、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体
が要望されている。現在では基板上に磁性粉を塗布した
塗布型磁気記録媒体が主に使用されており、上記要望を
満足すべく特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づ
いている。
【０００５】この限界を越えるものとして薄膜型磁気記
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒
体における磁性層としては、例えば、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ
−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ等が検討されている。
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒
体における磁性層としては、例えば、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ
−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ等が検討されている。
【０００６】磁気テープへの応用の点からは、これらの
中でＣｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏが最も適していると考え
られており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層とした蒸着テープ
が既にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープとして実用化されてい
る。
中でＣｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏが最も適していると考え
られており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層とした蒸着テープ
が既にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープとして実用化されてい
る。
【０００７】Ｈｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープの製造方法
の一例を、図１３を用いて以下に説明する。図１３は蒸
着テープを作製するための、従来の真空蒸着装置内部の
構成の一例である。高分子材料よりなる基板１は円筒状
キャン２に沿って矢印６の向きに走行する。蒸発材料７
を入れた蒸発源８から蒸発した蒸発原子９が、基板１に
付着することにより磁性層が形成される。蒸発源８とし
ては電子ビーム蒸発源が適しており、この中に蒸発材料
７として、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の合金を充填す
る。なお、蒸発源８として電子ビーム蒸発源を用いるの
は、Ｃｏ等の高融点金属を高い蒸発速度で蒸発させるた
めである。
の一例を、図１３を用いて以下に説明する。図１３は蒸
着テープを作製するための、従来の真空蒸着装置内部の
構成の一例である。高分子材料よりなる基板１は円筒状
キャン２に沿って矢印６の向きに走行する。蒸発材料７
を入れた蒸発源８から蒸発した蒸発原子９が、基板１に
付着することにより磁性層が形成される。蒸発源８とし
ては電子ビーム蒸発源が適しており、この中に蒸発材料
７として、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の合金を充填す
る。なお、蒸発源８として電子ビーム蒸発源を用いるの
は、Ｃｏ等の高融点金属を高い蒸発速度で蒸発させるた
めである。
【０００８】円筒状キャン２周囲の一部には不要な蒸発
原子９が基板１に付着するのを防ぐために遮蔽板３Ａ及
び３Ｂが設けられている。遮蔽板３Ａは膜形成開始部に
おける蒸発原子の基板への入射角を規制し、遮蔽板３Ｂ
は膜形成終了部における蒸発原子の基板への入射角を規
制する。θiは膜形成開始部の入射角であり、θfは膜形
成終了部の入射角である。
原子９が基板１に付着するのを防ぐために遮蔽板３Ａ及
び３Ｂが設けられている。遮蔽板３Ａは膜形成開始部に
おける蒸発原子の基板への入射角を規制し、遮蔽板３Ｂ
は膜形成終了部における蒸発原子の基板への入射角を規
制する。θiは膜形成開始部の入射角であり、θfは膜形
成終了部の入射角である。
【０００９】遮蔽板３Ｂの端部には蒸着時に真空槽内に
酸素を導入するための酸素導入口１０が設けられ、酸素
導入量を最適にすることにより、記録再生特性及び実用
特性の優れた蒸着テープが得られる。また、基板１は供
給ロール４に巻き付けられており、磁性層が形成された
後、巻き取りロール５に巻き取られる。
酸素を導入するための酸素導入口１０が設けられ、酸素
導入量を最適にすることにより、記録再生特性及び実用
特性の優れた蒸着テープが得られる。また、基板１は供
給ロール４に巻き付けられており、磁性層が形成された
後、巻き取りロール５に巻き取られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図１２に示すような真
空蒸着装置によって薄膜を形成すると、基板上の全ての
場所で均一な特性の薄膜を得ることは困難であり、一般
に基板の中央部と端部で特性が異なってしまう。さら
に、基板よりも外側に向かう蒸発原子は基板に付着しな
いので、無駄になってしまい、蒸着効率、すなわち蒸発
源８から蒸発する蒸発原子に対する基板１に付着する原
子の割合が低下する。スパッタリング法においては、真
空蒸着法の蒸発源の代わりにターゲットを用いている
が、上記と同様のことが言える。
空蒸着装置によって薄膜を形成すると、基板上の全ての
場所で均一な特性の薄膜を得ることは困難であり、一般
に基板の中央部と端部で特性が異なってしまう。さら
に、基板よりも外側に向かう蒸発原子は基板に付着しな
いので、無駄になってしまい、蒸着効率、すなわち蒸発
源８から蒸発する蒸発原子に対する基板１に付着する原
子の割合が低下する。スパッタリング法においては、真
空蒸着法の蒸発源の代わりにターゲットを用いている
が、上記と同様のことが言える。
【００１１】本発明は、従来のこのような課題を解決
し、基板上で均一な特性を有する薄膜を、高い蒸着効率
で得ることができる製造方法を提供することを第１の目
的とするものである。
し、基板上で均一な特性を有する薄膜を、高い蒸着効率
で得ることができる製造方法を提供することを第１の目
的とするものである。
【００１２】薄膜型磁気テープにおいては、今後、短波
長領域における高Ｓ／Ｎばかりでなく、高い生産性が要
求される。
長領域における高Ｓ／Ｎばかりでなく、高い生産性が要
求される。
【００１３】走行しつつある基板上に真空蒸着法によっ
て高Ｓ／Ｎを有する磁性層を形成するためには、膜形成
開始部の入射角θi及び膜形成終了部の入射角θfを大き
くすればよいことが一般に知られている。しかしなが
ら、θi及びθfを大きくすると高Ｓ／Ｎは得られるもの
の、成膜時の基板走行速度を遅くせざるを得ず、生産性
が低下する。
て高Ｓ／Ｎを有する磁性層を形成するためには、膜形成
開始部の入射角θi及び膜形成終了部の入射角θfを大き
くすればよいことが一般に知られている。しかしなが
ら、θi及びθfを大きくすると高Ｓ／Ｎは得られるもの
の、成膜時の基板走行速度を遅くせざるを得ず、生産性
が低下する。
【００１４】また、実際の生産装置における基板の幅は
一般に５０cm以上である。この場合には蒸発源８は、図
１３において通常紙面に垂直方向に長い形状をしてい
る。このような装置を用いて、幅方向に均一な特性を有
する磁気記録媒体を作製するためには、電子ビームを幅
方向に広くスキャンさせる必要がある。このスキャン幅
は通常基板の幅の１．５〜２倍程度である。従って、幅
方向における蒸発原子の損失がかなり大きい。
一般に５０cm以上である。この場合には蒸発源８は、図
１３において通常紙面に垂直方向に長い形状をしてい
る。このような装置を用いて、幅方向に均一な特性を有
する磁気記録媒体を作製するためには、電子ビームを幅
方向に広くスキャンさせる必要がある。このスキャン幅
は通常基板の幅の１．５〜２倍程度である。従って、幅
方向における蒸発原子の損失がかなり大きい。
【００１５】また、図１３に示すような真空蒸着装置で
長尺の磁気記録媒体を作製すると、遮蔽板３Ａ及び３Ｂ
の膜形成部側端部（図１３において、遮蔽板３Ａの右側
端部及び遮蔽板３Ｂの左側端部）に蒸発原子が堆積し、
その結果、θi及びθfが変化してしまう。入射角が変化
すると磁性層の磁気特性が変わるので、好ましくない。
長尺の磁気記録媒体を作製すると、遮蔽板３Ａ及び３Ｂ
の膜形成部側端部（図１３において、遮蔽板３Ａの右側
端部及び遮蔽板３Ｂの左側端部）に蒸発原子が堆積し、
その結果、θi及びθfが変化してしまう。入射角が変化
すると磁性層の磁気特性が変わるので、好ましくない。
【００１６】本発明は、従来のこのような課題を解決
し、高い生産性で高Ｓ／Ｎを有する磁気記録媒体を安定
に製造する方法を提供することを第２の目的とするもの
である。
し、高い生産性で高Ｓ／Ｎを有する磁気記録媒体を安定
に製造する方法を提供することを第２の目的とするもの
である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、真空薄
膜形成法によって基板上に薄膜を形成する際に、基板と
蒸発源との間に蒸発材料の融点以上に昇温された発熱体
を配置し、この発熱体により蒸発原子を反射し、この反
射された蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発原子と
により薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法
である。
膜形成法によって基板上に薄膜を形成する際に、基板と
蒸発源との間に蒸発材料の融点以上に昇温された発熱体
を配置し、この発熱体により蒸発原子を反射し、この反
射された蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発原子と
により薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法
である。
【００１８】第２の本発明は、走行しつつある基板上に
真空蒸着法によって磁性層を形成する際に、膜形成終了
部における蒸発原子の入射角を規制するための遮蔽板と
蒸発源との間に蒸発材料の融点以上に昇温された発熱体
を配置し、この発熱体により蒸発原子を反射し、この反
射された蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発原子と
により磁性層を形成することを特徴とする薄膜の製造方
法である。
真空蒸着法によって磁性層を形成する際に、膜形成終了
部における蒸発原子の入射角を規制するための遮蔽板と
蒸発源との間に蒸発材料の融点以上に昇温された発熱体
を配置し、この発熱体により蒸発原子を反射し、この反
射された蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発原子と
により磁性層を形成することを特徴とする薄膜の製造方
法である。
【００１９】第３の本発明は、走行しつつある基板上に
真空蒸着法によって磁性層を形成する際に、基板の幅方
向における蒸着領域を規制するための遮蔽板と蒸発源と
の間で、かつ基板の幅方向における蒸着領域の端部近傍
の位置に蒸発材料の融点以上に昇温された発熱体を配置
し、この発熱体により蒸発原子を反射し、この反射され
た蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発原子とにより
磁性層を形成することを特徴とする薄膜の製造方法であ
る。
真空蒸着法によって磁性層を形成する際に、基板の幅方
向における蒸着領域を規制するための遮蔽板と蒸発源と
の間で、かつ基板の幅方向における蒸着領域の端部近傍
の位置に蒸発材料の融点以上に昇温された発熱体を配置
し、この発熱体により蒸発原子を反射し、この反射され
た蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発原子とにより
磁性層を形成することを特徴とする薄膜の製造方法であ
る。
【００２０】第４の本発明は、走行しつつある基板上に
真空蒸着法によって磁性層を形成する際に、膜形成部に
おける蒸発原子の入射角を規制するための遮蔽板と蒸発
源との間で、かつ前記遮蔽板の膜形成部側端部近傍に蒸
発材料の融点以上に昇温された発熱体を配置し、この発
熱体により蒸発原子を反射し、この反射された蒸発原子
と蒸発源から直接飛来する蒸発原子とにより磁性層を形
成することを特徴とする薄膜の製造方法である。
真空蒸着法によって磁性層を形成する際に、膜形成部に
おける蒸発原子の入射角を規制するための遮蔽板と蒸発
源との間で、かつ前記遮蔽板の膜形成部側端部近傍に蒸
発材料の融点以上に昇温された発熱体を配置し、この発
熱体により蒸発原子を反射し、この反射された蒸発原子
と蒸発源から直接飛来する蒸発原子とにより磁性層を形
成することを特徴とする薄膜の製造方法である。
【００２１】
【作用】まず第１の本発明、すなわち請求項１の発明の
作用について、真空蒸着装置内部の概略を示す図１を用
いて説明する。この発明においては、基板１と蒸発源８
との間に蒸発材料７の融点以上に昇温された発熱体１２
を配置することにより、この発熱体１２がない場合に基
板１の外側に行っていた蒸発原子９が、発熱体１２によ
って反射される。この反射された蒸発原子９と蒸発源８
から直接飛来する蒸発原子９とが基板１に付着し、薄膜
を形成する。こうすることにより、基板１の外側に損失
していた蒸発原子９が基板１に付着するようになり、蒸
着効率が向上する。また、薄膜の特性も基板上でほぼ均
一になる。
作用について、真空蒸着装置内部の概略を示す図１を用
いて説明する。この発明においては、基板１と蒸発源８
との間に蒸発材料７の融点以上に昇温された発熱体１２
を配置することにより、この発熱体１２がない場合に基
板１の外側に行っていた蒸発原子９が、発熱体１２によ
って反射される。この反射された蒸発原子９と蒸発源８
から直接飛来する蒸発原子９とが基板１に付着し、薄膜
を形成する。こうすることにより、基板１の外側に損失
していた蒸発原子９が基板１に付着するようになり、蒸
着効率が向上する。また、薄膜の特性も基板上でほぼ均
一になる。
【００２２】次に第２の本発明、すなわち請求項５の発
明の作用について、真空蒸着装置内部の概略を示す図２
を用いて説明する。この発明においては、膜形成終了部
における蒸発原子９の入射角を規制するための遮蔽板３
Ｂと蒸発源８との間に蒸発材料７の融点以上に昇温され
た発熱体１２を配置することにより、この発熱体１２が
ない場合に遮蔽板３Ｂに付着していた蒸発原子９が、発
熱体１２によって反射されて遮蔽板３Ａ及び３Ｂの間の
開口部に向かい、基板１に付着する。発熱体１２によっ
て反射されて基板１に付着する蒸発原子９の入射角は、
図２に示されるθfよりも大きい。従って、開口幅が従
来と同じ設定の場合には、本発明により開口部を通過す
る蒸発原子数が増し、入射角も大きくなるので、従来に
比べ、生産性が向上し記録再生特性が改善される。ま
た、要求される記録再生特性が従来と同じである場合に
は、開口幅をかなり広くできるので、大幅な生産性向上
が可能となる。
明の作用について、真空蒸着装置内部の概略を示す図２
を用いて説明する。この発明においては、膜形成終了部
における蒸発原子９の入射角を規制するための遮蔽板３
Ｂと蒸発源８との間に蒸発材料７の融点以上に昇温され
た発熱体１２を配置することにより、この発熱体１２が
ない場合に遮蔽板３Ｂに付着していた蒸発原子９が、発
熱体１２によって反射されて遮蔽板３Ａ及び３Ｂの間の
開口部に向かい、基板１に付着する。発熱体１２によっ
て反射されて基板１に付着する蒸発原子９の入射角は、
図２に示されるθfよりも大きい。従って、開口幅が従
来と同じ設定の場合には、本発明により開口部を通過す
る蒸発原子数が増し、入射角も大きくなるので、従来に
比べ、生産性が向上し記録再生特性が改善される。ま
た、要求される記録再生特性が従来と同じである場合に
は、開口幅をかなり広くできるので、大幅な生産性向上
が可能となる。
【００２３】次に第３の本発明、すなわち請求項９の発
明の作用について真空蒸着装置内部の概略を示す図６及
び図７を用いて説明する。図７は、図６を左側から見た
側面図である。なお、図面が見にくくなるので、図７に
は蒸発原子を示していない。この発明においては、基板
の幅方向における蒸着領域を規制するための遮蔽板３Ｃ
及び３Ｄと蒸発源８との間で、かつ基板１の幅方向にお
ける蒸着領域の端部近傍の位置に蒸発材料７の融点以上
に昇温された発熱体１２を配置し、この発熱体１２によ
り蒸発原子９を反射し、この反射された蒸発原子９と蒸
発源８から直接飛来する蒸発原子９とにより磁性層を形
成する。こうすることにより、幅方向に損失していた蒸
発原子が基板１に付着するようになり、蒸着効率、すな
わち蒸発源８から蒸発する蒸発原子に対する基板１に付
着する原子の割合が向上する。従来は、幅方向に均一な
特性の磁性層を得るためには、電子ビームの基板幅方向
におけるスキャン幅を蒸着領域の幅の１．５〜２倍程度
にしなければならなかったが、本発明を使用すれば、こ
のスキャン幅を蒸着領域の幅程度に狭くできるので、生
産性を大幅に向上させることが可能となる。
明の作用について真空蒸着装置内部の概略を示す図６及
び図７を用いて説明する。図７は、図６を左側から見た
側面図である。なお、図面が見にくくなるので、図７に
は蒸発原子を示していない。この発明においては、基板
の幅方向における蒸着領域を規制するための遮蔽板３Ｃ
及び３Ｄと蒸発源８との間で、かつ基板１の幅方向にお
ける蒸着領域の端部近傍の位置に蒸発材料７の融点以上
に昇温された発熱体１２を配置し、この発熱体１２によ
り蒸発原子９を反射し、この反射された蒸発原子９と蒸
発源８から直接飛来する蒸発原子９とにより磁性層を形
成する。こうすることにより、幅方向に損失していた蒸
発原子が基板１に付着するようになり、蒸着効率、すな
わち蒸発源８から蒸発する蒸発原子に対する基板１に付
着する原子の割合が向上する。従来は、幅方向に均一な
特性の磁性層を得るためには、電子ビームの基板幅方向
におけるスキャン幅を蒸着領域の幅の１．５〜２倍程度
にしなければならなかったが、本発明を使用すれば、こ
のスキャン幅を蒸着領域の幅程度に狭くできるので、生
産性を大幅に向上させることが可能となる。
【００２４】次に第４の本発明、すなわち請求項１４の
発明の作用について真空蒸着装置内部の概略を示す図９
を用いて説明する。この発明においては、膜形成部にお
ける蒸発原子９の入射角を規制するための遮蔽板３Ａ、
３Ｂと蒸発源８との間で、かつ遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形
成部側端部（図９において、遮蔽板３Ａの右側端部及び
遮蔽板３Ｂの左側端部）近傍に蒸発材料７の融点以上に
昇温された発熱体１２を配置することにより、この発熱
体１２がない場合に遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形成部側端部
近傍に付着していた蒸発原子９が、発熱体１２によって
反射されて遮蔽板３Ａ及び３Ｂの間の開口部に向かい、
基板１に付着する。従って、遮蔽板３Ａ及び３Ｂの膜形
成部側端部に蒸発原子が堆積ないので、θi及びθfが変
化せず、特性の安定した長尺の磁気記録媒体が得られ
る。
発明の作用について真空蒸着装置内部の概略を示す図９
を用いて説明する。この発明においては、膜形成部にお
ける蒸発原子９の入射角を規制するための遮蔽板３Ａ、
３Ｂと蒸発源８との間で、かつ遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形
成部側端部（図９において、遮蔽板３Ａの右側端部及び
遮蔽板３Ｂの左側端部）近傍に蒸発材料７の融点以上に
昇温された発熱体１２を配置することにより、この発熱
体１２がない場合に遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形成部側端部
近傍に付着していた蒸発原子９が、発熱体１２によって
反射されて遮蔽板３Ａ及び３Ｂの間の開口部に向かい、
基板１に付着する。従って、遮蔽板３Ａ及び３Ｂの膜形
成部側端部に蒸発原子が堆積ないので、θi及びθfが変
化せず、特性の安定した長尺の磁気記録媒体が得られ
る。
【００２５】
【実施例】以下に、本発明をその実施例を示す図面に基
づいて説明する。まず第１の本発明について説明する。
づいて説明する。まず第１の本発明について説明する。
【００２６】図１は、第１の本発明にかかる一実施例の
薄膜の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の一
例を示す。基板１は、ガラス、プラスティック、アルミ
ニウム等からなり、蒸発源８の上方に配置されている。
蒸発源８には蒸発材料７が充填されている。
薄膜の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の一
例を示す。基板１は、ガラス、プラスティック、アルミ
ニウム等からなり、蒸発源８の上方に配置されている。
蒸発源８には蒸発材料７が充填されている。
【００２７】１２は、基板１と蒸発源８との間に配置さ
れた発熱体であり、蒸発材料７の融点以上に昇温されて
いる。発熱体１２としては、タングステン、タンタル、
モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、本発明者
らの実験によれば、カーボンが最も適していた。その理
由は、カーボンが蒸発材料と反応しにくいことや、昇温
しても変形しにくいこと等である。
れた発熱体であり、蒸発材料７の融点以上に昇温されて
いる。発熱体１２としては、タングステン、タンタル、
モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、本発明者
らの実験によれば、カーボンが最も適していた。その理
由は、カーボンが蒸発材料と反応しにくいことや、昇温
しても変形しにくいこと等である。
【００２８】昇温手段は、発熱体１２に直接電流を流す
抵抗加熱が、効率が高く装置も簡単なので最も適してい
る。この場合の電流は直流でも交流でもよい。ただし、
抵抗加熱を主たる昇温手段とし、電子ビーム加熱等他の
方法を併用してもよい。発熱体１２の温度は、蒸発原子
９がこの発熱体１２に到達しても付着せず反射されるよ
うな温度に設定する。具体的には、少なくとも蒸発材料
の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと発熱体
に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効果が得
られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときには、蒸発
材料の融点以上であれば、融点に近い温度でもかなりの
効果があるが、蒸発速度が速くなると、発熱体に飛来す
る蒸発原子数が多くなるので、蒸発材料の融点に近い温
度では反射しきれなくなる。発熱体を蒸発材料の融点の
１．２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速くても充分
な効果が見られるので、このようにすることがより好ま
しい。なお、以上の説明における温度の単位は℃であ
る。蒸発材料がＣｏの場合には、融点は１４９５℃であ
り、融点の１．２５倍の温度は１８６９℃である。蒸発
原子の付着を完璧になくすためには、温度は高ければ高
い程よいが、昇温の困難さ、発熱体の寿命等を考慮にい
れて温度を決定する必要がある。
抵抗加熱が、効率が高く装置も簡単なので最も適してい
る。この場合の電流は直流でも交流でもよい。ただし、
抵抗加熱を主たる昇温手段とし、電子ビーム加熱等他の
方法を併用してもよい。発熱体１２の温度は、蒸発原子
９がこの発熱体１２に到達しても付着せず反射されるよ
うな温度に設定する。具体的には、少なくとも蒸発材料
の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと発熱体
に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効果が得
られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときには、蒸発
材料の融点以上であれば、融点に近い温度でもかなりの
効果があるが、蒸発速度が速くなると、発熱体に飛来す
る蒸発原子数が多くなるので、蒸発材料の融点に近い温
度では反射しきれなくなる。発熱体を蒸発材料の融点の
１．２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速くても充分
な効果が見られるので、このようにすることがより好ま
しい。なお、以上の説明における温度の単位は℃であ
る。蒸発材料がＣｏの場合には、融点は１４９５℃であ
り、融点の１．２５倍の温度は１８６９℃である。蒸発
原子の付着を完璧になくすためには、温度は高ければ高
い程よいが、昇温の困難さ、発熱体の寿命等を考慮にい
れて温度を決定する必要がある。
【００２９】以上のような第１の本発明によれば、図１
２で示される従来の方法で薄膜を作製した場合に比べ、
発熱体１２で反射された蒸発原子９が基板１に付着する
ので、蒸発原子の蒸着効率が増加し、かつ基板上での薄
膜の特性の均一性が改善される。
２で示される従来の方法で薄膜を作製した場合に比べ、
発熱体１２で反射された蒸発原子９が基板１に付着する
ので、蒸発原子の蒸着効率が増加し、かつ基板上での薄
膜の特性の均一性が改善される。
【００３０】以下に、上記実施例を具体例を用いて説明
し、本発明の方法で作製した薄膜と、従来の方法で作製
した薄膜の蒸着効率及び薄膜の均一性の比較を行なう。
し、本発明の方法で作製した薄膜と、従来の方法で作製
した薄膜の蒸着効率及び薄膜の均一性の比較を行なう。
【００３１】本発明の第１の実施例として、図１のよう
な基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、薄膜を作製
した。辺の長さが１５cmの正方形のガラス板を基板１と
して使用した。蒸発材料７としてはＣｏを用いた。基板
１と蒸発源８との距離を２０cmとした。発熱体１２は、
高さ１５cm、幅１５cm、膜厚１mmのグラファイトカーボ
ンを使用し、図１に示すように垂直に立てた状態で基板
１の両端の位置に、基板１から２cm離して配置した。発
熱体１２には電流を流すことにより、約２０００℃に昇
温した。以上のような構成で、Ｃｏ薄膜を形成した。
な基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、薄膜を作製
した。辺の長さが１５cmの正方形のガラス板を基板１と
して使用した。蒸発材料７としてはＣｏを用いた。基板
１と蒸発源８との距離を２０cmとした。発熱体１２は、
高さ１５cm、幅１５cm、膜厚１mmのグラファイトカーボ
ンを使用し、図１に示すように垂直に立てた状態で基板
１の両端の位置に、基板１から２cm離して配置した。発
熱体１２には電流を流すことにより、約２０００℃に昇
温した。以上のような構成で、Ｃｏ薄膜を形成した。
【００３２】次に第１の比較例として、図１２に示すよ
うな従来の方法でＣｏ薄膜を形成した。作製条件は、発
熱体１２がない点以外は第１の実施例と同様にした。
うな従来の方法でＣｏ薄膜を形成した。作製条件は、発
熱体１２がない点以外は第１の実施例と同様にした。
【００３３】以上のようにして作製したＣｏ薄膜の質量
と、蒸発源から蒸発したＣｏの蒸発量から蒸着効率を求
めると、第１の実施例は第１の比較例の１．７倍であっ
た。また、基板の中心でのＣｏ薄膜の膜厚に対する基板
の端部（図１及び図１２における左右端部）での膜厚
は、第１の実施例では０．９５であるのに対し、第１の
比較例では０．７であった。このように、本発明の方法
で作製した薄膜は、従来の方法で作製した薄膜に比べ
て、蒸着効率、薄膜の均一性ともに優れている。
と、蒸発源から蒸発したＣｏの蒸発量から蒸着効率を求
めると、第１の実施例は第１の比較例の１．７倍であっ
た。また、基板の中心でのＣｏ薄膜の膜厚に対する基板
の端部（図１及び図１２における左右端部）での膜厚
は、第１の実施例では０．９５であるのに対し、第１の
比較例では０．７であった。このように、本発明の方法
で作製した薄膜は、従来の方法で作製した薄膜に比べ
て、蒸着効率、薄膜の均一性ともに優れている。
【００３４】以上の第１の本発明の説明においては、真
空蒸着法の場合の一例を取り上げたが、イオンプレーテ
ィング法の場合も全く同様の本発明の効果が得られる。
また、スパッタリング法の場合も、上記の説明における
蒸発源がターゲットに、蒸発原子がスパッタ原子に、蒸
発材料がターゲット材料に変わるだけであり、本発明の
効果は上記と同様である。また、蒸発材料、基板、発熱
体の材質、形状、サイズ等は、上記実施例に限定される
ものではない。
空蒸着法の場合の一例を取り上げたが、イオンプレーテ
ィング法の場合も全く同様の本発明の効果が得られる。
また、スパッタリング法の場合も、上記の説明における
蒸発源がターゲットに、蒸発原子がスパッタ原子に、蒸
発材料がターゲット材料に変わるだけであり、本発明の
効果は上記と同様である。また、蒸発材料、基板、発熱
体の材質、形状、サイズ等は、上記実施例に限定される
ものではない。
【００３５】次に、第２の本発明について説明する。図
２は、第２の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体の
製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の一例を示
す。すなわち、高分子材料よりなる基板１は、供給ロー
ル４に巻き付けられており、円筒状キャン２に沿って矢
印６の向きに走行し、巻き取りロール５に巻き取られ
る。
２は、第２の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体の
製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の一例を示
す。すなわち、高分子材料よりなる基板１は、供給ロー
ル４に巻き付けられており、円筒状キャン２に沿って矢
印６の向きに走行し、巻き取りロール５に巻き取られ
る。
【００３６】蒸発源８の中の蒸発部１１から蒸発した蒸
発原子９は、膜形成開始部における蒸発原子の入射角を
規制するための遮蔽板３Ａと、膜形成終了部における蒸
発原子の入射角を規制するための遮蔽板３Ｂの間の開口
部を通過して基板１に付着する。遮蔽板３Ｂの端部には
真空槽内に酸素を導入するための酸素導入口１０が配置
されている。蒸発源８には蒸発材料７が充填されてい
る。
発原子９は、膜形成開始部における蒸発原子の入射角を
規制するための遮蔽板３Ａと、膜形成終了部における蒸
発原子の入射角を規制するための遮蔽板３Ｂの間の開口
部を通過して基板１に付着する。遮蔽板３Ｂの端部には
真空槽内に酸素を導入するための酸素導入口１０が配置
されている。蒸発源８には蒸発材料７が充填されてい
る。
【００３７】１２は、遮蔽板３Ｂと蒸発源８との間に配
置された発熱体であり、蒸発材料７の融点以上に昇温さ
れている。実際の生産装置における基板の幅は一般に５
０cm以上である。この場合には蒸発源８は、通常紙面に
垂直方向に長い形状をしているので、発熱体１２は紙面
に垂直方向に長いものを用いる。すなわち、蒸発源８と
発熱体１２は斜視図の概略を示した図３のようになる。
置された発熱体であり、蒸発材料７の融点以上に昇温さ
れている。実際の生産装置における基板の幅は一般に５
０cm以上である。この場合には蒸発源８は、通常紙面に
垂直方向に長い形状をしているので、発熱体１２は紙面
に垂直方向に長いものを用いる。すなわち、蒸発源８と
発熱体１２は斜視図の概略を示した図３のようになる。
【００３８】発熱体の材料については第１の本発明の場
合と全く同様である。すなわち、タングステン、タンタ
ル、モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、カー
ボンが最も適している。
合と全く同様である。すなわち、タングステン、タンタ
ル、モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、カー
ボンが最も適している。
【００３９】昇温手段についても第１の本発明と同様
に、発熱体１２に直接電流を流す抵抗加熱が、効率が高
く装置も簡単なので最も適している。この場合の電流は
直流でも交流でもよい。ただし、抵抗加熱を主たる昇温
手段とし、電子ビーム加熱等他の方法を併用してもよ
い。発熱体の温度についても第１の本発明と同様であ
り、蒸発原子がこの発熱体に到達しても付着せず反射さ
れるような温度に設定する。具体的には、少なくとも蒸
発材料の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと
発熱体に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効
果が得られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときに
は、蒸発材料の融点以上であれば、融点に近い温度でも
かなりの効果があるが、蒸発速度が速くなると、発熱体
に飛来する蒸発原子数が多くなるので、蒸発材料の融点
に近い温度では反射しきれなくなる。発熱体を蒸発材料
の融点の１．２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速く
ても充分な効果が見られるので、このようにすることが
より好ましい。なお、以上の説明における温度の単位は
℃である。
に、発熱体１２に直接電流を流す抵抗加熱が、効率が高
く装置も簡単なので最も適している。この場合の電流は
直流でも交流でもよい。ただし、抵抗加熱を主たる昇温
手段とし、電子ビーム加熱等他の方法を併用してもよ
い。発熱体の温度についても第１の本発明と同様であ
り、蒸発原子がこの発熱体に到達しても付着せず反射さ
れるような温度に設定する。具体的には、少なくとも蒸
発材料の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと
発熱体に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効
果が得られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときに
は、蒸発材料の融点以上であれば、融点に近い温度でも
かなりの効果があるが、蒸発速度が速くなると、発熱体
に飛来する蒸発原子数が多くなるので、蒸発材料の融点
に近い温度では反射しきれなくなる。発熱体を蒸発材料
の融点の１．２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速く
ても充分な効果が見られるので、このようにすることが
より好ましい。なお、以上の説明における温度の単位は
℃である。
【００４０】発熱体１２の位置は、蒸発源８における蒸
発部１１と膜形成終了部とを結ぶ直線１３よりも後方
（図２においては、直線１３の右側）が適している。こ
こで、蒸発部とは蒸発原子９が主に蒸発している部分の
ことであり、電子ビーム蒸発源の場合には、蒸発材料７
上において電子ビームが照射している部分のことであ
る。
発部１１と膜形成終了部とを結ぶ直線１３よりも後方
（図２においては、直線１３の右側）が適している。こ
こで、蒸発部とは蒸発原子９が主に蒸発している部分の
ことであり、電子ビーム蒸発源の場合には、蒸発材料７
上において電子ビームが照射している部分のことであ
る。
【００４１】図２においては、発熱体１２が薄板状であ
り略垂直に立った状態で配置されている例を示してい
る。このように略垂直に立った状態であれば本発明の充
分な効果が得られるが、図４に示すように、薄板状の発
熱体１２を蒸発源８に向かって傾斜した状態にすること
により、蒸発原子９の基板への入射角をより大きくする
ことができるので、記録再生特性を更に向上させること
ができる。
り略垂直に立った状態で配置されている例を示してい
る。このように略垂直に立った状態であれば本発明の充
分な効果が得られるが、図４に示すように、薄板状の発
熱体１２を蒸発源８に向かって傾斜した状態にすること
により、蒸発原子９の基板への入射角をより大きくする
ことができるので、記録再生特性を更に向上させること
ができる。
【００４２】蒸発源８として電子ビーム蒸発源を使用
し、発熱体１２の昇温を発熱体中に電流を流すことによ
り行うと、この電流の作る磁界により、電子ビームが影
響を受け方向が曲げられてしまう。この曲げられる程度
がわずかであれば殆ど問題はないが、大きい場合には対
策が必要である。この対策の一例を図５を用いて説明す
る。
し、発熱体１２の昇温を発熱体中に電流を流すことによ
り行うと、この電流の作る磁界により、電子ビームが影
響を受け方向が曲げられてしまう。この曲げられる程度
がわずかであれば殆ど問題はないが、大きい場合には対
策が必要である。この対策の一例を図５を用いて説明す
る。
【００４３】図５は、蒸発源８及び発熱体１２の斜視図
であり、図３とほぼ同様であるが、導体１５が配置され
ている点が異なる。１４は発熱体１２に電流を流すため
の電極である。なお、図２、３、４のいずれにおいて
も、発熱体１２の両端には電流を流すための電極がある
が、これらの図では省略してある。
であり、図３とほぼ同様であるが、導体１５が配置され
ている点が異なる。１４は発熱体１２に電流を流すため
の電極である。なお、図２、３、４のいずれにおいて
も、発熱体１２の両端には電流を流すための電極がある
が、これらの図では省略してある。
【００４４】発熱体１２に電流を流すと周囲に磁界が発
生するために、蒸発源８の中の蒸発材料７に照射される
電子ビーム（図示されていない）が影響を受けて、電子
ビームの方向が変わってしまう。この影響を軽減あるい
は除去するために、発熱体１２の近傍に導体１５を配置
し、これに、発熱体１２と逆向きの電流を流す。すなわ
ち、発熱体１２を矢印１６の向きに電流が流れる場合に
は、導体１５には矢印１７の向きに電流を流す。こうす
ると、発熱体１２の作る磁界は導体１５の作る磁界によ
り弱めることができ、電子ビームへの影響を軽減あるい
は除去することができる。
生するために、蒸発源８の中の蒸発材料７に照射される
電子ビーム（図示されていない）が影響を受けて、電子
ビームの方向が変わってしまう。この影響を軽減あるい
は除去するために、発熱体１２の近傍に導体１５を配置
し、これに、発熱体１２と逆向きの電流を流す。すなわ
ち、発熱体１２を矢印１６の向きに電流が流れる場合に
は、導体１５には矢印１７の向きに電流を流す。こうす
ると、発熱体１２の作る磁界は導体１５の作る磁界によ
り弱めることができ、電子ビームへの影響を軽減あるい
は除去することができる。
【００４５】なお、導体１５としては線状でも板状でも
よい。また、発熱体と同じ材質のものでもよい。導体１
５の位置については、発熱体１２の近傍に配置すればよ
く、図７に示されるような位置に限定されるものではな
い。また導体１５に流す電流は、電子ビームへの磁界の
影響ができるだけ少なくなるような値に調整すればよ
い。導体１５が発熱体１２のごく近傍にある場合には、
導体１５には発熱体１２とほぼ同等の電流を流せばよ
い。
よい。また、発熱体と同じ材質のものでもよい。導体１
５の位置については、発熱体１２の近傍に配置すればよ
く、図７に示されるような位置に限定されるものではな
い。また導体１５に流す電流は、電子ビームへの磁界の
影響ができるだけ少なくなるような値に調整すればよ
い。導体１５が発熱体１２のごく近傍にある場合には、
導体１５には発熱体１２とほぼ同等の電流を流せばよ
い。
【００４６】以上説明したように第２の本発明によれ
ば、図１３で示される従来の方法で磁性層を作製した場
合に比べ、遮蔽板３Ａと３Ｂの間の開口幅を同じに設定
すると、発熱体１２で反射された蒸発原子９が遮蔽板３
Ａと３Ｂの間の開口部を通過して基板１に付着するの
で、蒸発原子の蒸着効率が増加し、かつ入射角が大きく
なる。すなわち、従来の方法に比べ生産性及びＳ／Ｎを
向上させることができる。
ば、図１３で示される従来の方法で磁性層を作製した場
合に比べ、遮蔽板３Ａと３Ｂの間の開口幅を同じに設定
すると、発熱体１２で反射された蒸発原子９が遮蔽板３
Ａと３Ｂの間の開口部を通過して基板１に付着するの
で、蒸発原子の蒸着効率が増加し、かつ入射角が大きく
なる。すなわち、従来の方法に比べ生産性及びＳ／Ｎを
向上させることができる。
【００４７】以下に、上記実施例を具体例を用いて説明
し、本発明の方法で作製した蒸着テープと、従来の方法
で作製した蒸着テープの記録再生特性及び生産性の比較
を行なう。
し、本発明の方法で作製した蒸着テープと、従来の方法
で作製した蒸着テープの記録再生特性及び生産性の比較
を行なう。
【００４８】本発明の第２の実施例として、図２のよう
な基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、蒸着テープ
を作製した。円筒状キャン２の直径は１．５mとし、テ
ープ厚７μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを
基板１として使用した。蒸発材料７としてはＣｏを用い
た。発熱体１２は、高さ１０cm、幅６０cm、膜厚１mmの
グラファイトカーボンとし、図２あるいは図３に示すよ
うに垂直に立てた状態で配置した。発熱体１２には電流
を流すことにより、約２０００℃に昇温した。なお基板
の幅は５０cmである。θiは８２゜、θfは６０゜になる
ように遮蔽板３Ａ、３Ｂを設定した。以上のような構成
で、膜厚０．１μmの磁性層を形成した。酸素導入口１
０からは、０．８l/minの割合で酸素を導入した。な
お、成膜時の基板の走行速度は４５m/minであった。
な基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、蒸着テープ
を作製した。円筒状キャン２の直径は１．５mとし、テ
ープ厚７μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを
基板１として使用した。蒸発材料７としてはＣｏを用い
た。発熱体１２は、高さ１０cm、幅６０cm、膜厚１mmの
グラファイトカーボンとし、図２あるいは図３に示すよ
うに垂直に立てた状態で配置した。発熱体１２には電流
を流すことにより、約２０００℃に昇温した。なお基板
の幅は５０cmである。θiは８２゜、θfは６０゜になる
ように遮蔽板３Ａ、３Ｂを設定した。以上のような構成
で、膜厚０．１μmの磁性層を形成した。酸素導入口１
０からは、０．８l/minの割合で酸素を導入した。な
お、成膜時の基板の走行速度は４５m/minであった。
【００４９】次に、本発明の第３の実施例として、図４
に示すように発熱体１２を垂直方向から蒸発源に向かっ
て２０゜傾斜させて配置し、それ以外は第２の実施例と
同様にして蒸着を行った。この場合の基板走行速度は４
５m/minであった。
に示すように発熱体１２を垂直方向から蒸発源に向かっ
て２０゜傾斜させて配置し、それ以外は第２の実施例と
同様にして蒸着を行った。この場合の基板走行速度は４
５m/minであった。
【００５０】本発明の第４の実施例として、θiを８２
゜、θfを５２゜、酸素導入口１０からの酸素導入量を
１．４l/minとし、それ以外は第２の実施例と同様にし
て蒸着を行った。この場合の基板走行速度は６５m/min
であった。
゜、θfを５２゜、酸素導入口１０からの酸素導入量を
１．４l/minとし、それ以外は第２の実施例と同様にし
て蒸着を行った。この場合の基板走行速度は６５m/min
であった。
【００５１】次に第２の比較例として、従来の方法で磁
性層を形成した。作製条件は、発熱体１２がない点以外
は第２の実施例と同一とした。このときの基板の走行速
度は、３６m/minであり、本発明の第２〜第４の実施例
に比べ大幅に遅かった。
性層を形成した。作製条件は、発熱体１２がない点以外
は第２の実施例と同一とした。このときの基板の走行速
度は、３６m/minであり、本発明の第２〜第４の実施例
に比べ大幅に遅かった。
【００５２】以上のようにして作製した媒体をテープ状
にスリットし、センダストから成るギャップ長０．１５
μmのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価
を行なった。測定の結果を（表１）に示す。（表１）に
は、再生出力以外に、同じ膜厚を形成する場合の蒸着時
の基板走行速度を、第２の比較例を１として示してあ
る。再生出力は、記録波長０．５μmの信号を記録再生
した際の再生出力を、第２の比較例のテープを０ｄＢと
して示してある。なお、いずれのテープもノイズはほぼ
同等であった。
にスリットし、センダストから成るギャップ長０．１５
μmのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価
を行なった。測定の結果を（表１）に示す。（表１）に
は、再生出力以外に、同じ膜厚を形成する場合の蒸着時
の基板走行速度を、第２の比較例を１として示してあ
る。再生出力は、記録波長０．５μmの信号を記録再生
した際の再生出力を、第２の比較例のテープを０ｄＢと
して示してある。なお、いずれのテープもノイズはほぼ
同等であった。
【００５３】
【表１】
【００５４】従来の方法で作製した第２の比較例の磁気
テープに比べ、本発明の第２の実施例で作製した磁気テ
ープの再生出力は２ｄＢ高く、基板走行速度は１．２５
倍である。すなわち、本発明の方法で作製した磁気テー
プは、従来の方法で作製した磁気テープに比べて、記録
再生特性及び生産性ともに優れている。
テープに比べ、本発明の第２の実施例で作製した磁気テ
ープの再生出力は２ｄＢ高く、基板走行速度は１．２５
倍である。すなわち、本発明の方法で作製した磁気テー
プは、従来の方法で作製した磁気テープに比べて、記録
再生特性及び生産性ともに優れている。
【００５５】本発明の第３の実施例で作製した磁気テー
プは、本発明の第２の実施例で作製した磁気テープより
も更に再生出力が０．５ｄＢ高かった。再生出力が０．
５ｄＢ高い理由は、入射角が高くなっていることにある
ものと考えられる。
プは、本発明の第２の実施例で作製した磁気テープより
も更に再生出力が０．５ｄＢ高かった。再生出力が０．
５ｄＢ高い理由は、入射角が高くなっていることにある
ものと考えられる。
【００５６】本発明の第４の実施例で作製した磁気テー
プは、本発明の第２の実施例で作製した磁気テープと再
生出力は同等であるが、基板走行速度は１．８倍であ
り、生産性が大幅に高かった。
プは、本発明の第２の実施例で作製した磁気テープと再
生出力は同等であるが、基板走行速度は１．８倍であ
り、生産性が大幅に高かった。
【００５７】上記の如く、本発明の方法によれば、従来
の方法に比べ高いＳ／Ｎ及び高い生産性を実現できる。
の方法に比べ高いＳ／Ｎ及び高い生産性を実現できる。
【００５８】次に、第３の本発明について説明する。図
６及び図７は、第３の本発明にかかる一実施例の磁気記
録媒体の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の
一例を示す。図７は図６を左側から見た図である。なお
前述したように、図面が見にくくなるので、図７には蒸
発原子は示していない。高分子材料よりなる基板１は、
供給ロール４に巻き付けられており、円筒状キャン２に
沿って矢印６の向きに走行し、巻き取りロール５に巻き
取られる。
６及び図７は、第３の本発明にかかる一実施例の磁気記
録媒体の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の
一例を示す。図７は図６を左側から見た図である。なお
前述したように、図面が見にくくなるので、図７には蒸
発原子は示していない。高分子材料よりなる基板１は、
供給ロール４に巻き付けられており、円筒状キャン２に
沿って矢印６の向きに走行し、巻き取りロール５に巻き
取られる。
【００５９】蒸発源８の中の蒸発部１１から蒸発した蒸
発原子９は、膜形成開始部における蒸発原子の入射角を
規制するための遮蔽板３Ａ、膜形成終了部における蒸発
原子の入射角を規制するための遮蔽板３Ｂ、基板１の幅
方向における蒸着領域を規制するための遮蔽板３Ｃ及び
３Ｄの間の開口部を通過して基板１に付着する。遮蔽板
３Ｂの端部には真空槽内に酸素を導入するための酸素導
入口１０が配置されている。蒸発源８には蒸発材料７が
充填されている。
発原子９は、膜形成開始部における蒸発原子の入射角を
規制するための遮蔽板３Ａ、膜形成終了部における蒸発
原子の入射角を規制するための遮蔽板３Ｂ、基板１の幅
方向における蒸着領域を規制するための遮蔽板３Ｃ及び
３Ｄの間の開口部を通過して基板１に付着する。遮蔽板
３Ｂの端部には真空槽内に酸素を導入するための酸素導
入口１０が配置されている。蒸発源８には蒸発材料７が
充填されている。
【００６０】発熱体１２は、基板１の幅方向における蒸
着領域を規制するための遮蔽板３Ｃ及び３Ｄと蒸発源８
との間で、かつ基板１の幅方向における蒸着領域の端部
近傍の位置に配置され、蒸発材料７の融点以上に昇温さ
れている。この発熱体１２により蒸発原子９を反射し、
この反射された蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発
原子とにより磁性層を形成する。
着領域を規制するための遮蔽板３Ｃ及び３Ｄと蒸発源８
との間で、かつ基板１の幅方向における蒸着領域の端部
近傍の位置に配置され、蒸発材料７の融点以上に昇温さ
れている。この発熱体１２により蒸発原子９を反射し、
この反射された蒸発原子と蒸発源から直接飛来する蒸発
原子とにより磁性層を形成する。
【００６１】発熱体の材料については第１の本発明の場
合と全く同様である。すなわち、タングステン、タンタ
ル、モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、カー
ボンが最も適している。
合と全く同様である。すなわち、タングステン、タンタ
ル、モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、カー
ボンが最も適している。
【００６２】昇温手段についても第１の本発明と同様
に、発熱体１２に直接電流を流す抵抗加熱が、効率が高
く装置も簡単なので最も適している。この場合の電流は
直流でも交流でもよい。ただし、抵抗加熱を主たる昇温
手段とし、電子ビーム加熱等他の方法を併用してもよ
い。発熱体の温度についても第１の本発明と同様であ
り、蒸発原子がこの発熱体に到達しても付着せず反射さ
れるような温度に設定する。実際には、少なくとも蒸発
材料の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと発
熱体に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効果
が得られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときには、
蒸発材料の融点に近い温度でもかなりの効果があるが、
蒸発速度が速くなると、発熱体に飛来する蒸発原子数が
多くなるので、蒸発材料の融点に近い温度では反射しき
れなくなる場合がある。発熱体を蒸発材料の融点の１．
２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速くても充分な効
果が見られるので、このようにすることがより好まし
い。なお、以上の説明における温度の単位は℃である。
に、発熱体１２に直接電流を流す抵抗加熱が、効率が高
く装置も簡単なので最も適している。この場合の電流は
直流でも交流でもよい。ただし、抵抗加熱を主たる昇温
手段とし、電子ビーム加熱等他の方法を併用してもよ
い。発熱体の温度についても第１の本発明と同様であ
り、蒸発原子がこの発熱体に到達しても付着せず反射さ
れるような温度に設定する。実際には、少なくとも蒸発
材料の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと発
熱体に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効果
が得られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときには、
蒸発材料の融点に近い温度でもかなりの効果があるが、
蒸発速度が速くなると、発熱体に飛来する蒸発原子数が
多くなるので、蒸発材料の融点に近い温度では反射しき
れなくなる場合がある。発熱体を蒸発材料の融点の１．
２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速くても充分な効
果が見られるので、このようにすることがより好まし
い。なお、以上の説明における温度の単位は℃である。
【００６３】発熱体１２の位置は、発熱体が蒸発源８に
おける蒸発部１１の幅方向における端部１８及び１９と
基板１の幅方向における蒸着領域の端部２０及び２１と
を結ぶ直線２２及び２３よりも外側（図７においては、
右側の発熱体１２は直線２２の右側、左側の発熱体１２
は直線２３の左側）が適している。ここで、既に説明し
たように、蒸発部１１とは蒸発原子９が主に蒸発してい
る部分のことであり、基板の幅方向に電子ビームをスキ
ャンしている電子ビーム蒸発源の場合には、蒸発材料７
上においてスキャンされている電子ビームが照射してい
る部分のことである。
おける蒸発部１１の幅方向における端部１８及び１９と
基板１の幅方向における蒸着領域の端部２０及び２１と
を結ぶ直線２２及び２３よりも外側（図７においては、
右側の発熱体１２は直線２２の右側、左側の発熱体１２
は直線２３の左側）が適している。ここで、既に説明し
たように、蒸発部１１とは蒸発原子９が主に蒸発してい
る部分のことであり、基板の幅方向に電子ビームをスキ
ャンしている電子ビーム蒸発源の場合には、蒸発材料７
上においてスキャンされている電子ビームが照射してい
る部分のことである。
【００６４】図７においては、発熱体１２が薄板状であ
り略垂直に立った状態で配置されている例を示してい
る。このように略垂直に立った状態であれば本発明の充
分な効果が得られるが、図８に示すように、薄板状の発
熱体１２が蒸発部１１に向かって傾斜した状態で、蒸発
源８における蒸発部１１の幅方向における端部１８及び
１９と基板１の幅方向における蒸着領域の端部２０及び
２１とを結ぶ直線２２及び２３よりも外側に配置するこ
とにより、同じ面積の発熱体でより多くの蒸発原子９を
反射することができるので、生産性を更に向上させるこ
とができる。
り略垂直に立った状態で配置されている例を示してい
る。このように略垂直に立った状態であれば本発明の充
分な効果が得られるが、図８に示すように、薄板状の発
熱体１２が蒸発部１１に向かって傾斜した状態で、蒸発
源８における蒸発部１１の幅方向における端部１８及び
１９と基板１の幅方向における蒸着領域の端部２０及び
２１とを結ぶ直線２２及び２３よりも外側に配置するこ
とにより、同じ面積の発熱体でより多くの蒸発原子９を
反射することができるので、生産性を更に向上させるこ
とができる。
【００６５】以上説明したように第３の本発明によれ
ば、基板の幅方向における蒸着領域を規制するための遮
蔽板３Ｃ及び３Ｄと蒸発源８との間で、かつ基板１の幅
方向における蒸着領域の端部近傍の位置に蒸発材料７の
融点以上に昇温された発熱体１２を配置し、この発熱体
１２により蒸発原子９を反射し、この反射された蒸発原
子９と蒸発源８から直接飛来する蒸発原子９とにより磁
性層を形成するので、幅方向に損失していた蒸発原子が
基板１に付着するようになり、蒸着効率が向上する。
ば、基板の幅方向における蒸着領域を規制するための遮
蔽板３Ｃ及び３Ｄと蒸発源８との間で、かつ基板１の幅
方向における蒸着領域の端部近傍の位置に蒸発材料７の
融点以上に昇温された発熱体１２を配置し、この発熱体
１２により蒸発原子９を反射し、この反射された蒸発原
子９と蒸発源８から直接飛来する蒸発原子９とにより磁
性層を形成するので、幅方向に損失していた蒸発原子が
基板１に付着するようになり、蒸着効率が向上する。
【００６６】以下に、上記第３の本発明の実施例を具体
例を用いて説明し、本発明の方法で作製した蒸着テープ
と、従来の方法で作製した蒸着テープの生産性の比較を
行なう。
例を用いて説明し、本発明の方法で作製した蒸着テープ
と、従来の方法で作製した蒸着テープの生産性の比較を
行なう。
【００６７】本発明の第５の実施例として、図６、図７
のような基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、蒸着
テープを作製した。円筒状キャン２の直径は１．５mと
し、テープ厚７μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを基板１として使用した。蒸発材料７としてはＣｏ
を用いた。発熱体１２は、高さ１０cm、幅２０cm、膜厚
１mmのグラファイトカーボンとし、図７に示すように垂
直に立てた状態で配置した。発熱体１２には電流を流す
ことにより、約２０００℃に昇温した。なお基板の幅は
５０cmである。θiは８２゜、θfは６０゜になるように
遮蔽板３Ａ、３Ｂを設定した。電子ビームの基板幅方向
におけるスキャン幅は５０cmとした。以上のような構成
で、膜厚０．１μmの磁性層を形成した。蒸発源の中の
Ｃｏが少なくなり、蒸着不可能になるまでに成膜できた
基板の長さは５０００mであった。
のような基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、蒸着
テープを作製した。円筒状キャン２の直径は１．５mと
し、テープ厚７μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを基板１として使用した。蒸発材料７としてはＣｏ
を用いた。発熱体１２は、高さ１０cm、幅２０cm、膜厚
１mmのグラファイトカーボンとし、図７に示すように垂
直に立てた状態で配置した。発熱体１２には電流を流す
ことにより、約２０００℃に昇温した。なお基板の幅は
５０cmである。θiは８２゜、θfは６０゜になるように
遮蔽板３Ａ、３Ｂを設定した。電子ビームの基板幅方向
におけるスキャン幅は５０cmとした。以上のような構成
で、膜厚０．１μmの磁性層を形成した。蒸発源の中の
Ｃｏが少なくなり、蒸着不可能になるまでに成膜できた
基板の長さは５０００mであった。
【００６８】次に、本発明の第６の実施例として、図８
に示すように発熱体１２を垂直方向から蒸発部１１に向
かって３０゜傾斜させて配置し、それ以外は第５の実施
例と同様にして蒸着を行った。この場合に蒸発源の中の
Ｃｏが少なくなり、蒸着不可能になるまでに成膜できた
基板の長さは６０００mであった。
に示すように発熱体１２を垂直方向から蒸発部１１に向
かって３０゜傾斜させて配置し、それ以外は第５の実施
例と同様にして蒸着を行った。この場合に蒸発源の中の
Ｃｏが少なくなり、蒸着不可能になるまでに成膜できた
基板の長さは６０００mであった。
【００６９】次に第３の比較例として、従来の方法で磁
性層を形成した。真空蒸着装置の基本構成は、上記の図
６、図７の場合と同様であり、発熱体１２がない点が上
記の実施例と異なっている。発熱体１２がない点、及び
電子ビームの基板幅方向におけるスキャン幅を８０cmと
した点以外は上記実施例と同様にして、膜厚０．１μm
の磁性層を形成した。この場合に蒸発源の中のＣｏが少
なくなり、蒸着不可能になるまでに成膜できた基板の長
さは３０００mであり、本発明の実施例に比べ大幅に短
かった。
性層を形成した。真空蒸着装置の基本構成は、上記の図
６、図７の場合と同様であり、発熱体１２がない点が上
記の実施例と異なっている。発熱体１２がない点、及び
電子ビームの基板幅方向におけるスキャン幅を８０cmと
した点以外は上記実施例と同様にして、膜厚０．１μm
の磁性層を形成した。この場合に蒸発源の中のＣｏが少
なくなり、蒸着不可能になるまでに成膜できた基板の長
さは３０００mであり、本発明の実施例に比べ大幅に短
かった。
【００７０】なお、上記本発明の第５及び第６の実施例
では電子ビームの基板幅方向におけるスキャン幅が５０
cmであるのに対し、上記第３の比較例の場合には８０cm
としたのは、本発明の実施例ではスキャン幅が５０cmで
も、幅方向において均一な特性が得られるのに対し、比
較例においてはスキャン幅を８０cmにしないと、幅方向
において均一な特性が得られないためである。
では電子ビームの基板幅方向におけるスキャン幅が５０
cmであるのに対し、上記第３の比較例の場合には８０cm
としたのは、本発明の実施例ではスキャン幅が５０cmで
も、幅方向において均一な特性が得られるのに対し、比
較例においてはスキャン幅を８０cmにしないと、幅方向
において均一な特性が得られないためである。
【００７１】以上の如く、第３の本発明の方法を採用す
ると、従来の方法に比べ大幅に長い磁気テープを生産で
きる。
ると、従来の方法に比べ大幅に長い磁気テープを生産で
きる。
【００７２】次に、第４の本発明について説明する。図
９は、第４の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体の
製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の一例を示
す。高分子材料よりなる基板１は、供給ロール４に巻き
付けられており、円筒状キャン２に沿って矢印６の向き
に走行し、巻き取りロール５に巻き取られる。蒸発源８
の中の蒸発部１１から蒸発した蒸発原子９は、膜形成開
始部における蒸発原子の入射角を規制するための遮蔽板
３Ａと、膜形成終了部における蒸発原子の入射角を規制
するための遮蔽板３Ｂの間の開口部を通過して基板１に
付着する。遮蔽板３Ｂの端部には真空槽内に酸素を導入
するための酸素導入口１０が配置されている。蒸発源８
には蒸発材料７が充填されている。
９は、第４の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体の
製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の一例を示
す。高分子材料よりなる基板１は、供給ロール４に巻き
付けられており、円筒状キャン２に沿って矢印６の向き
に走行し、巻き取りロール５に巻き取られる。蒸発源８
の中の蒸発部１１から蒸発した蒸発原子９は、膜形成開
始部における蒸発原子の入射角を規制するための遮蔽板
３Ａと、膜形成終了部における蒸発原子の入射角を規制
するための遮蔽板３Ｂの間の開口部を通過して基板１に
付着する。遮蔽板３Ｂの端部には真空槽内に酸素を導入
するための酸素導入口１０が配置されている。蒸発源８
には蒸発材料７が充填されている。
【００７３】発熱体１２は、膜形成部における蒸発原子
９の入射角を規制するための遮蔽板３Ａ、３Ｂと蒸発源
８との間で、かつ遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形成部側端部
（図９において、遮蔽板３Ａの右側端部及び遮蔽板３Ｂ
の左側端部）近傍に蒸発材料７の融点以上に昇温されて
配置されている。こうすることにより、この発熱体１２
がない場合に遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形成部側端部近傍に
付着していた蒸発原子９が、発熱体１２によって反射さ
れて遮蔽板３Ａ及び３Ｂの間の開口部に向かい、基板１
に付着する。従って、遮蔽板３Ａ及び３Ｂの膜形成部側
端部に蒸発原子が堆積しないので、蒸着時間が経過して
もθi及びθfが変化せず、特性の安定した長尺の磁気記
録媒体が得られる。発熱体１２は、図９に示すように、
これによってθi及びθfが決定されるような位置に配置
することが最も好ましい。なお図９は、発熱体１２を、
遮蔽板３Ａの右側端部近傍と遮蔽板３Ｂの左側端部近傍
の２箇所に配置した例を示しているが、いずれか片方だ
けでもよい。
９の入射角を規制するための遮蔽板３Ａ、３Ｂと蒸発源
８との間で、かつ遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形成部側端部
（図９において、遮蔽板３Ａの右側端部及び遮蔽板３Ｂ
の左側端部）近傍に蒸発材料７の融点以上に昇温されて
配置されている。こうすることにより、この発熱体１２
がない場合に遮蔽板３Ａ、３Ｂの膜形成部側端部近傍に
付着していた蒸発原子９が、発熱体１２によって反射さ
れて遮蔽板３Ａ及び３Ｂの間の開口部に向かい、基板１
に付着する。従って、遮蔽板３Ａ及び３Ｂの膜形成部側
端部に蒸発原子が堆積しないので、蒸着時間が経過して
もθi及びθfが変化せず、特性の安定した長尺の磁気記
録媒体が得られる。発熱体１２は、図９に示すように、
これによってθi及びθfが決定されるような位置に配置
することが最も好ましい。なお図９は、発熱体１２を、
遮蔽板３Ａの右側端部近傍と遮蔽板３Ｂの左側端部近傍
の２箇所に配置した例を示しているが、いずれか片方だ
けでもよい。
【００７４】発熱体の材料については第１の本発明の場
合と全く同様である。すなわち、タングステン、タンタ
ル、モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、カー
ボンが最も適している。
合と全く同様である。すなわち、タングステン、タンタ
ル、モリブデン、カーボン等のいずれでもよいが、カー
ボンが最も適している。
【００７５】昇温手段についても第１の本発明と同様
に、発熱体１２に直接電流を流す抵抗加熱が、効率が高
く装置も簡単なので最も適している。この場合の電流は
直流でも交流でもよい。ただし、抵抗加熱を主たる昇温
手段とし、電子ビーム加熱等他の方法を併用してもよ
い。発熱体の温度についても第１の本発明と同様であ
り、蒸発原子がこの発熱体に到達しても付着せず反射さ
れるような温度に設定する。実際には、少なくとも蒸発
材料の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと発
熱体に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効果
が得られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときには、
蒸発材料の融点に近い温度でもかなりの効果があるが、
蒸発速度が速くなると、発熱体に飛来する蒸発原子数が
多くなるので、蒸発材料の融点に近い温度では反射しき
れなくなる場合がある。発熱体を蒸発材料の融点の１．
２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速くても充分な効
果が見られるので、このようにすることがより好まし
い。なお、以上の説明における温度の単位は℃である。
に、発熱体１２に直接電流を流す抵抗加熱が、効率が高
く装置も簡単なので最も適している。この場合の電流は
直流でも交流でもよい。ただし、抵抗加熱を主たる昇温
手段とし、電子ビーム加熱等他の方法を併用してもよ
い。発熱体の温度についても第１の本発明と同様であ
り、蒸発原子がこの発熱体に到達しても付着せず反射さ
れるような温度に設定する。実際には、少なくとも蒸発
材料の融点以上に昇温する必要がある。そうしないと発
熱体に蒸発原子がかなり付着してしまい、本発明の効果
が得られない。蒸発源からの蒸発速度が遅いときには、
蒸発材料の融点に近い温度でもかなりの効果があるが、
蒸発速度が速くなると、発熱体に飛来する蒸発原子数が
多くなるので、蒸発材料の融点に近い温度では反射しき
れなくなる場合がある。発熱体を蒸発材料の融点の１．
２５倍以上の温度にすれば蒸発速度が速くても充分な効
果が見られるので、このようにすることがより好まし
い。なお、以上の説明における温度の単位は℃である。
【００７６】以上の第４の本発明に関する説明では、遮
蔽板の近傍に発熱体を配置する例を説明したが、図１０
及び図１１に示すように、遮蔽板の一部を発熱体にして
もよいし、遮蔽板そのものを発熱体にしてもよい。ただ
し、この場合の発熱体の材料、加熱手段、温度等につい
ては上記と全く同様である。
蔽板の近傍に発熱体を配置する例を説明したが、図１０
及び図１１に示すように、遮蔽板の一部を発熱体にして
もよいし、遮蔽板そのものを発熱体にしてもよい。ただ
し、この場合の発熱体の材料、加熱手段、温度等につい
ては上記と全く同様である。
【００７７】以下に、上記第４の本発明の実施例を具体
例を用いて説明し、本発明の方法で作製した蒸着テープ
と、従来の方法で作製した蒸着テープの特性の比較を行
なう。
例を用いて説明し、本発明の方法で作製した蒸着テープ
と、従来の方法で作製した蒸着テープの特性の比較を行
なう。
【００７８】本発明の第７の実施例として、図９のよう
な基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、蒸着テープ
を作製した。円筒状キャン２の直径は１．５mとし、テ
ープ厚７μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを
基板１として使用した。蒸発材料７としてはＣｏを用い
た。発熱体１２は、５mm×２cmの棒状のグラファイトカ
ーボンを、図９に示すように遮蔽板３Ａ及び３Ｂの膜形
成部側端部の近傍に、遮蔽板の膜形成部側端部に平行に
配置した。発熱体１２には電流を流すことにより、約２
０００℃に昇温した。なお基板の幅は５０cmである。θ
iは８２゜、θfは６０゜になるように遮蔽板３Ａ、３Ｂ
及び発熱体１２を配置した。以上のような構成で、磁性
層を３０００m形成した。
な基本構成を有する真空蒸着装置を用いて、蒸着テープ
を作製した。円筒状キャン２の直径は１．５mとし、テ
ープ厚７μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを
基板１として使用した。蒸発材料７としてはＣｏを用い
た。発熱体１２は、５mm×２cmの棒状のグラファイトカ
ーボンを、図９に示すように遮蔽板３Ａ及び３Ｂの膜形
成部側端部の近傍に、遮蔽板の膜形成部側端部に平行に
配置した。発熱体１２には電流を流すことにより、約２
０００℃に昇温した。なお基板の幅は５０cmである。θ
iは８２゜、θfは６０゜になるように遮蔽板３Ａ、３Ｂ
及び発熱体１２を配置した。以上のような構成で、磁性
層を３０００m形成した。
【００７９】次に第４の比較例として、従来の方法で磁
性層を形成した。真空蒸着装置の基本構成は、上記の図
９の場合と同様であり、発熱体１２がない点が上記の実
施例と異なっている。発熱体１２がない点以外は上記実
施例と同じにして、磁性層を３０００m形成した。
性層を形成した。真空蒸着装置の基本構成は、上記の図
９の場合と同様であり、発熱体１２がない点が上記の実
施例と異なっている。発熱体１２がない点以外は上記実
施例と同じにして、磁性層を３０００m形成した。
【００８０】上記第７の実施例で作製した磁気テープの
成膜開始部と、ここから約３０００m離れている成膜終
了部の磁気特性及び膜厚は殆ど差がなかった。これに対
し、第４の比較例で作製した磁気テープは、成膜開始部
に比べ成膜終了部は、保磁力及び膜厚が約０．９倍にな
っていた。以上の如く、第４の本発明の方法を採用する
と、従来の方法に比べ長尺にわたって安定な特性の磁気
テープを生産できる。
成膜開始部と、ここから約３０００m離れている成膜終
了部の磁気特性及び膜厚は殆ど差がなかった。これに対
し、第４の比較例で作製した磁気テープは、成膜開始部
に比べ成膜終了部は、保磁力及び膜厚が約０．９倍にな
っていた。以上の如く、第４の本発明の方法を採用する
と、従来の方法に比べ長尺にわたって安定な特性の磁気
テープを生産できる。
【００８１】上記第２〜第７の実施例では、いずれにお
いても蒸発材料としてＣｏを用いる場合について説明し
たが、これに限ったものではなく、蒸発材料としてＣｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等を用いる場合についても全く同
様の本発明の効果が得られる。また、磁性層の膜厚や蒸
発原子の基板への入射角についても上記実施例に限定さ
れるものではない。
いても蒸発材料としてＣｏを用いる場合について説明し
たが、これに限ったものではなく、蒸発材料としてＣｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等を用いる場合についても全く同
様の本発明の効果が得られる。また、磁性層の膜厚や蒸
発原子の基板への入射角についても上記実施例に限定さ
れるものではない。
【００８２】また、上記第２〜第７の実施例では、基板
としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いて説
明したが、これに限らず、例えばポリイミドフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポ
リエチレンナフタレートフィルム等の高分子フィルム、
あるいは下地層の形成されている高分子フィルムでも、
全く同様であることは言うまでもない。また、基板の膜
厚についても限定されるものではない。
としてポリエチレンテレフタレートフィルムを用いて説
明したが、これに限らず、例えばポリイミドフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポ
リエチレンナフタレートフィルム等の高分子フィルム、
あるいは下地層の形成されている高分子フィルムでも、
全く同様であることは言うまでもない。また、基板の膜
厚についても限定されるものではない。
【００８３】さらに、発熱体の材質、形状及びサイズ等
も、上記実施例に限定されるものではない。
も、上記実施例に限定されるものではない。
【００８４】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は高い蒸着効率で均一な特性の薄膜を製造するこ
とができるという長所を有する。さらに本発明は、Ｓ／
Ｎの高い薄膜型磁気記録媒体を高い生産性で安定に製造
することができるという長所を有する。
本発明は高い蒸着効率で均一な特性の薄膜を製造するこ
とができるという長所を有する。さらに本発明は、Ｓ／
Ｎの高い薄膜型磁気記録媒体を高い生産性で安定に製造
することができるという長所を有する。
【図１】第１の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
【図２】第２の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
【図３】第２の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための蒸発源及び発熱体の概略の
斜視図
の製造方法を実施するための蒸発源及び発熱体の概略の
斜視図
【図４】第２の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
【図５】第２の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための蒸発源、発熱体及び導体の
概略の斜視図
の製造方法を実施するための蒸発源、発熱体及び導体の
概略の斜視図
【図６】第３の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
【図７】図６の真空蒸着装置内部を左側から見た側面図
【図８】第３の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
【図９】第４の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を
示す図
【図１０】第４の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒
体の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略
を示す図
体の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略
を示す図
【図１１】第４の本発明にかかる一実施例の磁気記録媒
体の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略
を示す図
体の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略
を示す図
【図１２】従来の真空蒸着装置内部の概略を示す図
【図１３】従来の真空蒸着装置内部の概略を示す図
１ 基板 ２ 円筒状キャン ３Ａ 膜形成開始部における蒸発原子の入射角を規制す
るための遮蔽板 ３Ｂ 膜形成終了部における蒸発原子の入射角を規制す
るための遮蔽板 ３Ｃ、３Ｄ 基板の幅方向における蒸着領域を規制する
ための遮蔽板 ４ 供給ロール ５ 巻き取りロール ６ 基板走行方向 ７ 蒸発材料 ８ 蒸発源 ９ 蒸発原子 １０ 酸素導入口 １１ 蒸発部 １２ 発熱体 １３ 蒸発部と膜形成終了部を結ぶ直線 １４ 電極 １５ 導体 １６ 発熱体を流れる電流の向き １７ 導体を流れる電流の向き １８、１９ 蒸発部の端部 ２０、２１ 蒸着領域の端部 ２２ 蒸発部の端部１８と蒸着領域の端部２０とを結ぶ
直線 ２３ 蒸発部の端部１９と蒸着領域の端部２１とを結ぶ
直線
るための遮蔽板 ３Ｂ 膜形成終了部における蒸発原子の入射角を規制す
るための遮蔽板 ３Ｃ、３Ｄ 基板の幅方向における蒸着領域を規制する
ための遮蔽板 ４ 供給ロール ５ 巻き取りロール ６ 基板走行方向 ７ 蒸発材料 ８ 蒸発源 ９ 蒸発原子 １０ 酸素導入口 １１ 蒸発部 １２ 発熱体 １３ 蒸発部と膜形成終了部を結ぶ直線 １４ 電極 １５ 導体 １６ 発熱体を流れる電流の向き １７ 導体を流れる電流の向き １８、１９ 蒸発部の端部 ２０、２１ 蒸着領域の端部 ２２ 蒸発部の端部１８と蒸着領域の端部２０とを結ぶ
直線 ２３ 蒸発部の端部１９と蒸着領域の端部２１とを結ぶ
直線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 和也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (15)
- 【請求項１】真空薄膜形成法によって基板上に薄膜を形
成する際に、基板と蒸発源あるいはターゲットとの間に
蒸発材料あるいはターゲット材料の融点以上に昇温され
た発熱体を配置し、この発熱体により蒸発原子あるいは
スパッタ原子を反射し、この反射された蒸発原子あるい
はスパッタ原子と蒸発源あるいはターゲットから直接飛
来する蒸発原子あるいはスパッタ原子とにより薄膜を形
成することを特徴とする薄膜の製造方法。 - 【請求項２】真空薄膜形成法によって基板上に薄膜を形
成する際に、基板と蒸発源あるいはターゲットとの間に
蒸発材料あるいはターゲット材料の融点の１．２５倍以
上に昇温された発熱体を配置し、この発熱体により蒸発
原子あるいはスパッタ原子を反射し、この反射された蒸
発原子あるいはスパッタ原子と蒸発源あるいはターゲッ
トから直接飛来する蒸発原子あるいはスパッタ原子とに
より薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。 - 【請求項３】発熱体の主たる昇温を前記発熱体に直接流
す電流により行うことを特徴とする請求項１または２記
載の薄膜の製造方法。 - 【請求項４】発熱体がカーボンからなることを特徴とす
る請求項３記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項５】走行しつつある基板上に真空蒸着法によっ
て磁性層を形成する際に、膜形成終了部における蒸発原
子の入射角を規制するための遮蔽板と蒸発源との間に前
記発熱体を配置することを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか１項に記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項６】発熱体が蒸発源における蒸発部と膜形成終
了部とを結ぶ直線よりも後方に配置されていることを特
徴とする請求項５記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項７】発熱体が薄板状であり略垂直に立った状態
で配置されていることを特徴とする請求項６記載の薄膜
の製造方法。 - 【請求項８】発熱体が薄板状であり蒸発面に向かって傾
斜した状態で配置されていることを特徴とする請求項６
記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項９】走行しつつある基板上に真空蒸着法によっ
て磁性層を形成する際に、基板の幅方向における蒸着領
域を規制するための遮蔽板と蒸発源との間で、かつ基板
の幅方向における蒸着領域の端部近傍の位置に前記発熱
体を配置することを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１項に記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項１０】発熱体が蒸発源における蒸発部の幅方向
における端部と基板の幅方向における蒸着領域の端部と
を結ぶ直線よりも外側に配置されていることを特徴とす
る請求項９記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項１１】発熱体が薄板状であり略垂直に立った状
態で配置されていることを特徴とする請求項１０記載の
薄膜の製造方法。 - 【請求項１２】発熱体が薄板状であり蒸発部に向かって
傾斜した状態で配置されていることを特徴とする請求項
１０記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項１３】発熱体の近傍に導体を配置し、この導体
に発熱体と逆向きの電流を流すことを特徴とする請求項
１〜１２のいずれか１項に記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項１４】走行しつつある基板上に真空蒸着法によ
って磁性層を形成する際に、膜形成部における蒸発原子
の入射角を規制するための遮蔽板と蒸発源との間で、か
つ前記遮蔽板の膜形成部側端部近傍に前記発熱体を配置
することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
載の薄膜の製造方法。 - 【請求項１５】走行しつつある基板上に真空蒸着法によ
って磁性層を形成する際に、膜形成部における蒸発原子
の入射角を規制するための遮蔽板の一部あるいは全部を
前記発熱体とすることを特徴とする請求項１〜４のいず
れか１項に記載の薄膜の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP6160021A JPH0853763A (ja) | 1994-06-06 | 1994-07-12 | 薄膜の製造方法 |
| US08/462,690 US5679410A (en) | 1994-06-06 | 1995-06-05 | Continuous fabrication of thin film magnetic recording medium with vacuum deposition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-123656 | 1994-06-06 | ||
| JP12365694 | 1994-06-06 | ||
| JP6160021A JPH0853763A (ja) | 1994-06-06 | 1994-07-12 | 薄膜の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0853763A true JPH0853763A (ja) | 1996-02-27 |
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ID=26460532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6160021A Pending JPH0853763A (ja) | 1994-06-06 | 1994-07-12 | 薄膜の製造方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009203534A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 真空蒸着装置 |
| JP2012500339A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ケンナメタル インコーポレイテッド | 物理蒸着機器及び方法 |
| JP5935045B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2016-06-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| US10787734B2 (en) | 2015-07-15 | 2020-09-29 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Vapor deposition device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6312567B1 (en) | 1996-03-21 | 2001-11-06 | Tong Yang Cement Corporation | Method of forming a (200)-oriented platinum layer |
| GB2339800B (en) * | 1998-07-24 | 2003-04-09 | Gen Vacuum Equipment Ltd | A vacuum process for depositing zinc sulphide and other coatings on flexible moving web |
| JP2003513169A (ja) * | 1999-10-22 | 2003-04-08 | カート・ジェイ・レスカー・カンパニー | 真空で基板を被覆するための方法及び装置 |
| US6830626B1 (en) | 1999-10-22 | 2004-12-14 | Kurt J. Lesker Company | Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum |
| US20050147753A1 (en) * | 1999-10-22 | 2005-07-07 | Kurt J. Lesker Company | Material deposition system and a method for coating a substrate or thermally processing a material in a vacuum |
| US6571897B2 (en) * | 2001-08-13 | 2003-06-03 | Ballard Power Systems Ag | Vehicle with a fuel cell system and method for operating the same |
| EP1683889B1 (en) * | 2003-10-29 | 2012-08-29 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Surface treatment method and device |
| US7615501B2 (en) * | 2005-08-11 | 2009-11-10 | 3M Innovative Properties Company | Method for making a thin film layer |
| UA81169C2 (en) * | 2006-01-13 | 2007-12-10 | Process for preparation of coal-containing material by method of electron-beam evaporation of carbon in vacuum with subsequent condensation on substrate and a unit for realizing the same and at least one additional component | |
| JP2008285719A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 真空蒸着方法 |
| US20100189929A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Neal James W | Coating device and deposition apparatus |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194242A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63251925A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH07105045B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1995-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH083902B2 (ja) * | 1988-02-17 | 1996-01-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH02236815A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US5202149A (en) * | 1990-07-25 | 1993-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making a magnetic recording medium |
| JPH0834001B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1996-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH04328325A (ja) * | 1991-04-27 | 1992-11-17 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH05342553A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5366764A (en) * | 1992-06-15 | 1994-11-22 | Sunthankar Mandar B | Environmentally safe methods and apparatus for depositing and/or reclaiming a metal or semi-conductor material using sublimation |
| JPH06111315A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Konica Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP6160021A patent/JPH0853763A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-05 US US08/462,690 patent/US5679410A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009203534A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 真空蒸着装置 |
| JP2012500339A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | ケンナメタル インコーポレイテッド | 物理蒸着機器及び方法 |
| JP5935045B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2016-06-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| US10787734B2 (en) | 2015-07-15 | 2020-09-29 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Vapor deposition device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5679410A (en) | 1997-10-21 |
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