JPH0851061A - Method and device for formation of coating film - Google Patents
Method and device for formation of coating filmInfo
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- JPH0851061A JPH0851061A JP6204196A JP20419694A JPH0851061A JP H0851061 A JPH0851061 A JP H0851061A JP 6204196 A JP6204196 A JP 6204196A JP 20419694 A JP20419694 A JP 20419694A JP H0851061 A JPH0851061 A JP H0851061A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えばレジスト膜の
ような溶剤による液状塗布膜を、LCD基板のような塗
布体上やこの上に形成された層の上に形成するための塗
布膜形成方法及びその装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating film formation for forming a liquid coating film of a solvent such as a resist film on a coating body such as an LCD substrate or a layer formed thereon. The present invention relates to a method and an apparatus thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】周知のように、半導体技術の分野では、
LCD基板の上に形成された半導体層、絶縁体層、電極
層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合に、
半導体ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングと
して層の表面にレジスト膜を形成することが行われてい
る。As is well known, in the field of semiconductor technology,
When selectively etching the semiconductor layer, the insulator layer, and the electrode layer formed on the LCD substrate into a predetermined pattern,
As in the case of a semiconductor wafer, a resist film is formed on the surface of the layer as a mask for the pattern portion.
【0003】例えば、レジスト膜の形成方法として、角
形のLCD基板(以下に基板という)を、処理容器内に
配設される載置台上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器と載置台を回転さ
せ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光性樹脂
とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板
の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向け
て渦巻状に拡散させて塗布する方法が知られている。For example, as a method of forming a resist film, a rectangular LCD substrate (hereinafter referred to as a substrate) is mounted and fixed on a mounting table disposed in the processing container, and the opening of the processing container is covered. Closing with the body, rotating the processing container and the mounting table, for example, a resist solution consisting of a solvent and a photosensitive resin is dropped on the central portion of the upper surface of the substrate, and the resist solution is applied to the rotational force and centrifugal force of the substrate. There is known a method in which the coating is applied by diffusing in a spiral shape from the central part of the substrate toward the peripheral part.
【0004】この方法においては、レジスト液が基板の
中心位置から周縁部に向けて拡散していく過程におい
て、レジスト液中の溶剤が蒸発する。このために拡散す
る方向でレジスト液の粘度が異なり、中心部と周辺部と
では形成されたレジスト膜の厚さが異なる。また、基板
は、中心位置よりも外周部で周速がはるかに増加するの
で、飛散する量も多い。すなわち、均一な塗布に限界が
あった。In this method, the solvent in the resist solution evaporates in the process in which the resist solution diffuses from the central position of the substrate toward the peripheral portion. For this reason, the viscosity of the resist liquid varies in the direction of diffusion, and the thickness of the formed resist film differs between the central portion and the peripheral portion. Further, since the peripheral speed of the substrate is much higher at the outer peripheral portion than at the center position, the amount of scattering is large. That is, there was a limit to uniform coating.
【0005】このため、例えば、レジスト液の温度調
整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使用
されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の溶
剤の蒸発を抑制する方法や、レジスト液塗布前にレジ
スト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法が考えられ
る。Therefore, for example, a method of controlling the temperature of the resist solution or filling the same solvent as that used in the resist solution in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution, or the resist solution A method of dropping the solvent of the resist solution on the surface of the substrate before coating can be considered.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわちレジスト液の温度調整あるいはレジスト膜形成
雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ溶剤を
充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する方法で
は、レジスト液の使用量が多く、例えば、レジスト液の
塗布量の、数%しか実際のレジスト膜の形成に寄与して
いない。しかも、レジスト液の量が多いため、基板角部
裏面への廻り込みが生じ、基板角部裏面に付着したレジ
スト液が乾燥し、パーティクルの発生原因となるという
問題もあった。また、後者すなわちレジスト液塗布前
にレジスト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、
基板上の溶剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いによ
り、均一な塗布が困難で上記問題を充分に解決すること
はできない。However, the former, that is, the temperature adjustment of the resist solution or the same solvent as that used in the resist solution is filled in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution. In the method, the amount of the resist solution used is large, and for example, only a few% of the applied amount of the resist solution contributes to the actual formation of the resist film. Moreover, since the amount of the resist solution is large, the resist solution spills over to the back surface of the corner portion of the substrate, and the resist solution adhering to the back surface of the substrate corner portion is dried, which causes the generation of particles. In the latter case, that is, by dropping the solvent of the resist solution on the substrate surface before applying the resist solution,
Due to the homogeneity of the solvent itself on the substrate and the difference in the dried state, uniform coating is difficult and the above problems cannot be solved sufficiently.
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、レジスト液等の塗布液の使用量が少なくて済み、か
つ均一な厚さの塗布膜を形成することの可能な塗布膜形
成方法及びその装置を提供することを目的とするもので
ある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a method of forming a coating film which requires a small amount of a coating liquid such as a resist liquid and can form a coating film having a uniform thickness, and a method thereof. The purpose is to provide a device.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、この発明の塗布膜形成方法は、処理容器内に収容さ
れる基板を、処理容器と共に回転させると共に、基板一
面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法におい
て、上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、上記基
板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転数で回転さ
せて、基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記
処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入す
る工程と、上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を第
2の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程と
を有することを特徴とするものである(請求項1)。In order to achieve the above object, a method of forming a coating film according to the present invention comprises rotating a substrate contained in a processing container together with the processing container and applying a coating liquid onto the entire surface of the substrate. In the method of supplying and forming a coating film, a step of applying a solvent on one surface of the substrate, supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate, and rotating the substrate at a first rotation speed The step of diffusing over the entire surface, the step of closing the lid of the processing container to seal the substrate in the processing vessel, and the step of closing the lid of the processing container and the substrate at the second rotation speed. And a step of adjusting the thickness of the coating film by rotating the coating film (claim 1).
【0009】この発明の塗布膜形成方法において、塗布
液の量は、基板の第1の回転数に応じて設定される(請
求項2)。In the coating film forming method of the present invention, the amount of the coating liquid is set according to the first rotation speed of the substrate (claim 2).
【0010】また、塗布液の量と、基板の回転数とは、
塗布膜の膜厚変動が平均膜厚の±2%程度以下になるよ
うに設定されている(請求項3)。The amount of coating liquid and the number of rotations of the substrate are
The variation in the thickness of the coating film is set to about ± 2% or less of the average film thickness (claim 3).
【0011】また、溶剤の塗布を基板の回転にて行うこ
とができる(請求項4)。この場合、基板の回転にて行
う溶剤塗布の回転数と、第1の回転数と第2の回転数と
は異なる回転数に設定されている(請求項5)。The solvent can be applied by rotating the substrate (claim 4). In this case, the number of rotations of the solvent application performed by rotating the substrate and the number of rotations different from the first number of rotations and the second number of rotations are set (claim 5).
【0012】また、上記溶剤として塗布液の溶剤を塗布
する方が好ましい(請求項6)。Further, it is preferable to apply a solvent of a coating liquid as the above solvent (claim 6).
【0013】また、塗布液の基板上への供給は任意の位
置であってもよいが、好ましくは基板のほぼ中心部上に
塗布液を供給する方がよい(請求項7)。The coating liquid may be supplied onto the substrate at any position, but it is preferable to supply the coating liquid onto substantially the center of the substrate (claim 7).
【0014】また、この発明の塗布膜形成装置は、基板
の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直
な軸を中心として基板を回転させる手段と、上記基板を
包囲するカップ状をなし、基板を回転させる手段と共に
回転する処理容器と、上記処理容器の開口部を閉止する
蓋体と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手
段と、上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段とを
具備することを特徴とするものである(請求項8)。Further, the coating film forming apparatus of the present invention supports the one surface of the substrate facing upward, rotates the substrate about an axis perpendicular to the one surface of the substrate, and a cup-like shape surrounding the substrate. And a processing container that rotates together with the means for rotating the substrate, a lid that closes the opening of the processing container, a solvent supply unit that supplies the solvent of the coating liquid to the substrate, and a coating liquid that supplies to the substrate. And a coating liquid supply means for performing the above (claim 8).
【0015】この発明の塗布膜形成装置において、塗布
液供給手段と塗布液を収容する塗布液供給源とを供給管
を介して連通し、上記供給管に、塗布液の供給量の調整
可能なポンプ手段を介設する方が好ましい(請求項
9)。この場合、上記ポンプ手段として、例えばベロー
ズポンプと、このベローズポンプにより塗布液が供給さ
れるようにこのベローズポンプを伸縮するステッピング
モータとを有するものを使用することができるし、ダイ
ヤフラムポンプ使用できる。勿論ポンプを使用せず圧送
にて吐出することもできる。In the coating film forming apparatus of the present invention, the coating liquid supply means and the coating liquid supply source for containing the coating liquid are connected to each other through the supply pipe, and the supply amount of the coating liquid can be adjusted to the supply pipe. It is preferable to provide a pump means (Claim 9). In this case, as the pump means, for example, one having a bellows pump and a stepping motor for expanding and contracting the bellows pump so that the coating liquid is supplied by the bellows pump can be used, and a diaphragm pump can be used. Of course, it is also possible to discharge by pressure feeding without using a pump.
【0016】また、上記溶剤供給手段と塗布液供給手段
の少なくとも1つに、温度調整手段を設ける方が好まし
い(請求項10)。Further, it is preferable to provide a temperature adjusting means in at least one of the solvent supplying means and the coating liquid supplying means (claim 10).
【0017】また、上記処理容器の開口部を閉止する蓋
体を、処理容器の閉止位置と処理容器から外れた待機位
置との間、移動可能に支持する蓋体移動手段を具備する
ことができる(請求項11)。Further, it is possible to provide a lid moving means for movably supporting the lid for closing the opening of the processing container between the closed position of the processing container and the standby position separated from the processing container. (Claim 11).
【0018】また、上記溶剤供給手段と塗布液供給手段
との少なくとも一方を支持し、支持した溶剤供給手段、
塗布液供給手段を、基板上方の供給位置と、供給位置か
ら外れた待機位置との間、移動可能に支持する手段を具
備することができる(請求項12)。Further, a solvent supply means that supports and supports at least one of the solvent supply means and the coating liquid supply means,
A means for supporting the coating liquid supply means so as to be movable between a supply position above the substrate and a standby position deviated from the supply position can be provided (claim 12).
【0019】[0019]
【作用】上記技術的手段によるこの発明によれば、基板
の一面上に塗布液の溶剤を塗布して拡散させた後、基板
のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を供給し、第1の回
転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させ、
そして、処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内
に封入した後、蓋体が閉止された処理容器及び基板を第
2の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を整える。これ
により、溶剤に対する適正な配合割合の塗布液を供給す
ることができ、塗布液の使用量が少なくすることがで
き、塗布液の基板角部裏面への廻り込みを防止すること
ができる。また、溶剤と塗布液との接触による塗布液の
粘度を均一にして均一な厚さの塗布膜を形成することが
できる。According to the present invention by the above-mentioned technical means, after the solvent of the coating liquid is applied to one surface of the substrate and diffused, a predetermined amount of the coating liquid is supplied to almost the central portion of the substrate, Rotate at 1 rpm to spread over the whole surface of the substrate,
Then, after closing the lid of the processing container and sealing the substrate in the processing container, the processing container and the substrate of which the lid is closed are rotated at the second rotation speed to adjust the film thickness of the coating film. . This makes it possible to supply the coating liquid in an appropriate mixing ratio with respect to the solvent, reduce the amount of the coating liquid used, and prevent the coating liquid from flowing around to the back surface of the corner portion of the substrate. Further, it is possible to form a coating film having a uniform thickness by making the viscosity of the coating liquid uniform by the contact between the solvent and the coating liquid.
【0020】[0020]
【実施例】以下にこの発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。ここでは、この発明の塗布膜成形方法
及び塗布膜形成装置をLCD(液晶表示)基板(ガラス
基板)のレジスト膜の形成方法及び形成装置に適用した
場合について説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the coating film forming method and the coating film forming apparatus of the present invention are applied to a method and a forming apparatus for a resist film on an LCD (liquid crystal display) substrate (glass substrate) will be described.
【0021】この発明の塗布膜形成装置は、図1に示す
ように、被塗布体である角形状の基板、例えばLCD基
板G(以下に基板という)を水平状態に真空によって吸
着保持する回転体例えばスピンチャック10と、このス
ピンチャック10の上部及び外周部を包囲する処理室1
1を有する上方部が開口したカップ状の処理容器12
(以下に回転カップという)と、回転カップ12の開口
部12aに閉止可能に被着(着脱)される蓋体16と、
この蓋体16を閉止位置と待機位置に移動する蓋体移動
手段であるロボットアーム20と、回転カップ12の外
周側を取囲むように配置される中空リング状のドレンカ
ップ14と、スピンチャック10と回転カップ12を回
転する手段である駆動モータ21と、上記スピンチャッ
ク10の上方位置に移動可能に構成される塗布液の溶剤
(溶媒)Aの供給ノズル40(溶剤供給手段)と塗布液
例えばレジスト液Bの供給ノズル50(塗布液供給手
段)とを近接させて一体に取り付けた噴頭60と、この
噴頭60を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で移
動させる移動手段であるスキャン機構70とを有する。
ノズル40,50からの溶剤供給路及びレジスト液供給
路のそれぞれには、中を流れる溶剤A及びレジスト液B
を予め設定された温度(例えば23℃)に設定するため
の温度調整液Cを循環供給する温度調整機構61が設け
られている。As shown in FIG. 1, the coating film forming apparatus of the present invention is a rotator for sucking and holding a rectangular substrate, which is an object to be coated, for example, an LCD substrate G (hereinafter referred to as a substrate) in a horizontal state by vacuum suction. For example, the spin chuck 10 and a processing chamber 1 that surrounds the upper and outer peripheral portions of the spin chuck 10.
1 is a cup-shaped processing container 12 having an open upper portion.
(Hereinafter, referred to as a rotary cup), a lid body 16 that is removably attached (removed) to the opening 12a of the rotary cup 12,
A robot arm 20 as a lid moving means for moving the lid 16 to a closed position and a standby position, a hollow ring-shaped drain cup 14 arranged so as to surround the outer peripheral side of the rotary cup 12, and a spin chuck 10. And a drive motor 21 which is a means for rotating the rotary cup 12, a supply nozzle 40 (solvent supply means) for the solvent (solvent) A of the coating liquid and a coating liquid which are configured to be movable above the spin chuck 10. A nozzle head 60 in which the supply nozzle 50 (coating liquid supply means) for supplying the resist solution B is brought close to and integrally attached, and a scanning mechanism which is a moving means for gripping the nozzle head 60 and moving it between the nozzle head standby position and the substrate upper position. 70 and.
The solvent A and the resist solution B flowing through the solvent supply path and the resist solution supply path from the nozzles 40 and 50, respectively.
A temperature adjusting mechanism 61 for circulating and supplying the temperature adjusting liquid C for setting the temperature to a preset temperature (for example, 23 ° C.) is provided.
【0022】上記スピンチャック10は、予め設定され
たプログラムに基いて駆動し、回転速度を可変できる駆
動モータ21の駆動によって回転される回転軸22を介
して水平方向に回転(自転)可能になっており、また回
転軸22に連結される昇降シリンダ23の駆動によって
上下方向に移動し得るようになっている。この場合、回
転軸22は、固定カラー24の内周面にベアリング25
aを介して回転可能に装着される回転内筒26aの内周
面に嵌着されるスプライン軸受27に摺動可能に連結さ
れている。スプライン軸受27には従動プーリ28aが
装着されており、従動プーリ28aには駆動モータ21
の駆動軸21aに装着された駆動プーリ21bとの間に
ベルト29aが掛け渡されている。したがって、駆動モ
ータ21の駆動によってベルト29aを介して回転軸2
2が回転してスピンチャック10が回転される。また、
回転軸22の下部側は図示しない筒体内に配設されてお
り、筒体内において回転軸22はバキュームシール部3
0を介して昇降シリンダ23に連結され、昇降シリンダ
23の駆動によって回転軸22が上下方向に移動し得る
ようになっている。The spin chuck 10 can be driven in accordance with a preset program, and can be rotated (rotated) in the horizontal direction via a rotary shaft 22 which is rotated by the drive of a drive motor 21 whose rotational speed can be varied. Further, it can be moved in the vertical direction by driving an elevating cylinder 23 connected to the rotary shaft 22. In this case, the rotary shaft 22 has a bearing 25 on the inner peripheral surface of the fixed collar 24.
It is slidably connected to a spline bearing 27 fitted to the inner peripheral surface of a rotating inner cylinder 26a rotatably mounted via a. A driven pulley 28a is mounted on the spline bearing 27, and the driven motor 28 is attached to the driven pulley 28a.
A belt 29a is stretched between the drive shaft 21a and a drive pulley 21b mounted on the drive shaft 21a. Therefore, the rotation of the rotary shaft 2 via the belt 29a by the drive of the drive motor 21.
2 rotates to rotate the spin chuck 10. Also,
The lower side of the rotary shaft 22 is arranged in a cylinder body (not shown), and the rotary shaft 22 is arranged in the cylinder body by the vacuum seal portion 3
It is connected to the elevating cylinder 23 via 0, and the rotating shaft 22 can be moved in the vertical direction by driving the elevating cylinder 23.
【0023】上記回転カップ12は、上記固定カラー2
4の外周面にベアリング25bを介して装着される回転
外筒26bの上端部に固定される連結筒31を介して取
付けられており、回転カップ12の底部12bとスピン
チャック10の下面との間にはシール機能を有するベア
リング32が介在されてスピンチャック10と相対的に
回転可能になっている。そして、回転外筒26bに装着
される従動プーリ28bと上記駆動モータ21に装着さ
れる駆動プーリ21bに掛け渡されるベルト29bによ
って駆動モータ21からの駆動が回転カップ12に伝達
されて回転カップ12が回転される。この場合、従動プ
ーリ28bの直径は上記回転軸22に装着された従動プ
ーリ28aの直径と同一に形成され、同一の駆動モータ
21にベルト29a,29bが掛け渡されているので、
回転カップ12とスピンチャック10は同一回転する。
なお、固定カラー24と回転内筒26a及び回転外筒2
6bとの対向面にはラビリンスシール部33が形成され
て回転処理時に下部の駆動系から回転カップ12内にご
みが進入するのを防止している(図3参照)。The rotary cup 12 has the fixed collar 2
4 is attached to the outer peripheral surface of the rotary cup 4 via a bearing 25b and a connecting cylinder 31 fixed to the upper end of the rotating outer cylinder 26b, and between the bottom 12b of the rotary cup 12 and the lower surface of the spin chuck 10. A bearing 32 having a sealing function is interposed therebetween to be rotatable relative to the spin chuck 10. The drive from the drive motor 21 is transmitted to the rotary cup 12 by the driven pulley 28b attached to the rotary outer cylinder 26b and the belt 29b that is stretched around the drive pulley 21b attached to the drive motor 21. Is rotated. In this case, since the diameter of the driven pulley 28b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 28a mounted on the rotating shaft 22, and the belts 29a and 29b are wound around the same drive motor 21.
The rotating cup 12 and the spin chuck 10 rotate in the same direction.
The fixed collar 24, the rotating inner cylinder 26a, and the rotating outer cylinder 2
A labyrinth seal portion 33 is formed on the surface facing 6b to prevent dust from entering the rotary cup 12 from the lower drive system during rotation processing (see FIG. 3).
【0024】また、回転カップ12は、側壁12cが上
側に向って縮径されたテーパ面12eを形成してなり、
この側壁12cの上端から内方側に向って内向きフラン
ジ12dが形成されている。そして、回転カップ12の
上部周辺部すなわち内向きフランジ12dには周方向に
適宜間隔をおいて給気孔34が穿設され、下部周辺部す
なわち側壁12cの下部側の周方向の適宜位置には排気
孔35が穿設されている。このように給気孔34と排気
孔35を設けることにより、回転カップ12が回転する
際に、給気孔34から処理室11内に流れる空気が排気
孔35から外部に流れるので、回転カップ12の回転時
に処理室11内が負圧になるのを防止することができ、
処理後に回転カップ12から蓋体16を開放する際に大
きな力を要することなく,蓋体16を容易に開放するこ
とができる。The rotary cup 12 has a side wall 12c formed with a tapered surface 12e having a diameter reduced upward,
An inward flange 12d is formed from the upper end of the side wall 12c toward the inner side. Further, air supply holes 34 are formed in the upper peripheral portion of the rotary cup 12, that is, the inward flange 12d at appropriate intervals in the circumferential direction, and exhaust gas is provided at an appropriate circumferential position on the lower peripheral portion, that is, the lower side of the side wall 12c. A hole 35 is provided. By providing the air supply hole 34 and the exhaust hole 35 in this manner, when the rotary cup 12 rotates, the air flowing from the air supply hole 34 into the processing chamber 11 flows from the exhaust hole 35 to the outside, so that the rotation cup 12 rotates. Sometimes it is possible to prevent negative pressure in the processing chamber 11,
It is possible to easily open the lid body 16 without requiring a large force when releasing the lid body 16 from the rotary cup 12 after the processing.
【0025】一方、上記ドレンカップ14の内部には環
状通路14aが設けられており、この環状通路14aの
外周壁の適宜箇所(例えば周方向の4箇所)には図示し
ない排気装置に接続する排気口36が設けられると共
に、ドレンカップ14の内周側上方部に排気口36と連
通する放射状の排気通路37が形成されている(図1参
照)。このようにドレンカップ14の外周部に排気口3
6を設けると共に、ドレンカップ14の内周側上方部に
排気口36と連通する排気通路37を形成することによ
り、回転処理時に処理室11内で遠心力により飛散し排
気孔34を通ってドレンカップ14内に流れ込んだミス
トが回転カップ12の上部側へ舞い上がるのを防止し
て、排気口36から外部に排出することができる。On the other hand, an annular passage 14a is provided inside the drain cup 14, and exhaust gas connected to an exhaust device (not shown) is provided at appropriate locations (for example, four locations in the circumferential direction) on the outer peripheral wall of the annular passage 14a. A port 36 is provided, and a radial exhaust passage 37 that communicates with the exhaust port 36 is formed in the upper portion on the inner peripheral side of the drain cup 14 (see FIG. 1). In this way, the exhaust port 3 is provided on the outer peripheral portion of the drain cup 14.
6 is provided, and an exhaust passage 37 communicating with the exhaust port 36 is formed in the upper portion on the inner peripheral side of the drain cup 14, so that the centrifugal force scatters in the process chamber 11 during the rotation process and the drain passes through the exhaust hole 34. The mist that has flowed into the cup 14 can be prevented from rising to the upper side of the rotary cup 12 and discharged from the exhaust port 36 to the outside.
【0026】上記環状通路14aは、ドレンカップ14
の底部から起立する外側壁14bとドレンカップ14の
天井部から垂下する内側壁14cとで迂回状に区画され
て、排気が均一に行えるようになっており、外側壁14
bと内側壁14cとの間に位置する底部14dには周方
向に適宜間隔をおいてドレン孔14eが設けられてい
る。The annular passage 14a has a drain cup 14a.
The outer wall 14b standing up from the bottom of the drain cup 14 and the inner wall 14c hanging from the ceiling of the drain cup 14 are detoured so that exhaust can be performed uniformly.
Drain holes 14e are provided in the bottom portion 14d located between b and the inner wall 14c at appropriate intervals in the circumferential direction.
【0027】また、ドレンカップ14の内周面には、上
記回転カップ12のテーパ面12eに近接すべく上側に
向って縮径されたテーパ面14fが形成されて、回転カ
ップ12のテーパ面12eとドレンカップ14のテーパ
面14fとの間に微少隙間が形成されている。このよう
に下方に向って拡開するテーパ状の微少隙間を形成する
ことによって、回転カップ12の回転時に回転カップ1
2とドレンカップ14との間の上記微少隙間の上下の間
で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力差が回
転カップ12の外周部の微少隙間の上側から下側に向う
気流を助長させてドレンカップ14内の排気ミストが上
記微少隙間を通って回転カップ12外へ飛散するのを防
止することができる。A tapered surface 14f having a diameter reduced upward is formed on the inner peripheral surface of the drain cup 14 so as to be close to the tapered surface 12e of the rotary cup 12, and the tapered surface 12e of the rotary cup 12 is formed. And a tapered surface 14f of the drain cup 14 forms a minute gap. In this way, by forming the taper-shaped minute gap that expands downward, the rotary cup 1 is rotated when the rotary cup 12 is rotated.
A pressure difference is induced from the peripheral speed difference between the upper and lower sides of the minute gap between the drain cup 14 and the drain cup 14, and this pressure difference causes the air flow from the upper side to the lower side of the minute gap in the outer peripheral portion of the rotary cup 12. It is possible to prevent the exhaust mist in the drain cup 14 from scattering outside the rotary cup 12 through the minute gap.
【0028】また、微少隙間を通って上方に向い回転カ
ップ12外へ飛散しおうとするミストがあっても、排気
通路37により吸引されてドレンカップ14内に向い排
気口36から排出される。Further, even if there is a mist that is directed upward through the minute gap and is scattered outside the rotary cup 12, it is sucked by the exhaust passage 37 and discharged into the drain cup 14 from the exhaust port 36.
【0029】上記実施例では、ドレンカップ14が回転
カップ12の外周側を取囲むように配置される場合につ
いて説明したが、ドレンカップ14は必ずしも回転カッ
プ12の外周側に配置される必要はなく、回転カップ1
2の下部側に配置してもよい。In the above embodiment, the case where the drain cup 14 is arranged so as to surround the outer peripheral side of the rotary cup 12 has been described, but the drain cup 14 does not necessarily have to be arranged on the outer peripheral side of the rotary cup 12. , Rotating cup 1
You may arrange | position on the lower part side of 2.
【0030】上記蓋体16は回転処理時には回転カップ
12の開口部12aに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図4に示すように、回転カップ12の
上部に突出する固定ピン17aと、この固定ピン17a
に嵌合する嵌合凹所17bとを互いに嵌合させて蓋体1
6を回転カップ12に固定している。この場合、固定ピ
ン17aの頂部を球面状に形成することにより、嵌合凹
所17bとの接触によって発生するごみを少なくしてい
る。なお、固定ピン17aは必ずしも回転カップ側に突
出する必要はなく、蓋体側に固定ピン17aを突出さ
せ、回転カップ側に嵌合凹所17bを設けてもよい。ま
た、嵌合凹所17b内を図示しない吸引手段に接続させ
て固定ピン17aと嵌合凹所17bとの接触によって発
生するごみを外部に排出させるようにしてもよい。The lid 16 must be fixed to the opening 12a of the rotary cup 12 and rotated integrally during the rotation process. Therefore, as shown in FIG. 4, the fixing pin 17a protruding above the rotary cup 12 and the fixing pin 17a
The fitting recess 17b that fits into the
6 is fixed to the rotating cup 12. In this case, the top of the fixing pin 17a is formed into a spherical shape to reduce dust generated by contact with the fitting recess 17b. The fixed pin 17a does not necessarily need to project to the rotary cup side, and the fixed pin 17a may project to the lid side and the fitting recess 17b may be provided on the rotary cup side. Further, the inside of the fitting recess 17b may be connected to a suction means (not shown) so that dust generated by the contact between the fixing pin 17a and the fitting recess 17b can be discharged to the outside.
【0031】上記蓋体16を開閉する場合には、図1に
想像線で示すように、蓋体16の上面に突設された膨隆
頭部18の下にロボットアーム20を挿入し、膨隆頭部
18に設けられた係止溝18aにロボットアーム20か
ら突出する係止ピン20aを係合させた後、ロボットア
ーム20を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体16を開放するときの膨隆頭部18の係
止溝18aとロボットアーム20の係止ピン20aとの
位置合せ、及び蓋体16を閉じるときの固定ピン17a
と嵌合凹所17bの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ21の回転角を制御することによっ
て行うことができる。When the lid 16 is opened and closed, as shown in phantom in FIG. 1, the robot arm 20 is inserted under the bulging head 18 projecting from the upper surface of the lid 16, and the bulging head is bulged. This can be performed by engaging the locking pin 20a protruding from the robot arm 20 with the locking groove 18a provided in the portion 18 and then moving the robot arm 20 up and down. The locking groove 18a of the bulging head 18 and the locking pin 20a of the robot arm 20 are aligned when the lid 16 is opened, and the fixing pin 17a when the lid 16 is closed.
The position of the fitting recess 17b can be adjusted by controlling the rotation angle of the drive motor 21 formed by a servomotor or the like.
【0032】上記実施例では、蓋体16と回転カップ1
2との固定を固定ピン17aと嵌合凹所17bの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体16
を回転カップ12に固定すれば、蓋体16の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体16のガタツキ等を防止す
ることができる。In the above embodiment, the lid 16 and the rotating cup 1
The case where the fixing pin 17a and the fitting recess 17b are fixed to each other has been described, but it is not always necessary to have such a structure, and the lid body 16 is separately provided by using a pressing mechanism.
If is fixed to the rotating cup 12, it is possible to prevent dust from being generated when the lid 16 is opened and rattling of the lid 16 during rotation processing.
【0033】なお、上記蓋体16と基板Gとの中間位置
に、中心部分で蓋体16に取着された基板G以上の大き
さの多孔板等にて形成されるバッフル板(図示せず)を
配置することも可能である。このようにバッフル板を配
置することにより、塗布処理時に更に確実に処理室11
内の乱流の発生を防止することができる。A baffle plate (not shown) formed at an intermediate position between the lid 16 and the substrate G by a perforated plate having a size larger than that of the substrate G attached to the lid 16 at the central portion. ) Can also be arranged. By arranging the baffle plate in this way, the processing chamber 11 can be more reliably operated during the coating process.
It is possible to prevent the generation of turbulent flow inside.
【0034】一方、上記溶剤供給ノズル40は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ41と開閉バルブ42を介し
て溶剤タンク43に接続されており、溶剤タンク43内
に供給される窒素(N2 )ガスの加圧を制御することに
よって溶剤タンク43内の溶剤Aが基板G上に所定時間
中所定量の溶剤Aの供給が可能となっている。On the other hand, the solvent supply nozzle 40 is connected to a solvent tank 43 through a solvent supply tube 41 which is a solvent supply path and an opening / closing valve 42, and nitrogen (N 2 ) gas supplied into the solvent tank 43 is supplied. By controlling the pressurization of the solvent A, the solvent A in the solvent tank 43 can be supplied onto the substrate G in a predetermined amount for a predetermined time.
【0035】レジスト液供給ノズル50は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ51を介してレジ
スト液Bを収容するレジスト液タンク52(塗布液供給
源)に連通されている。このチューブ51には、サック
バックバルブ53、エアーオペレーションバルブ54、
レジスト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機
構55、フィルタ56及びベローズポンプ57が順次設
けられている。このベローズポンプ57は、駆動部によ
り制御された状態で伸縮可能となっており、所定量のレ
ジスト液Bをレジスト液供給ノズル50を介して基板G
の中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来のレ
ジスト液Bの供給量より少量のレジスト液Bの供給量制
御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポ
ンプの一端に吸着されたネジと、このネジに螺合される
ナットとからなるボールネジ58と、このナットを回転
させることによりネジを直線動させるステッピングモー
タ59とにより構成されている。レジスト液供給ノズル
50の口径は、具体的には、500×600mmの基板
用の場合には、内径がφ0.5〜φ5mm、好ましくは
φ3mmに設定されている。このように、ノズルの径を
基板の寸法に応じて設定することにより、なるべく少量
のレジスト液Bをなるべく長い時間をかけて供給できる
ようになっている。供給時間が短いと膜厚の均一性が良
くなく、また長すぎるとレジスト液が基板の周縁部まで
いかなくなる。ここでなるべく少量とは、上記ノズルの
口径そしてレジスト液供給圧力に依存する。The resist solution supply nozzle 50 is connected to a resist solution tank 52 (coating solution supply source) for containing the resist solution B via a resist solution supply tube 51 which is a resist solution supply passage. This tube 51 has a suck back valve 53, an air operation valve 54,
A bubble removing mechanism 55 for separating and removing bubbles in the resist liquid B, a filter 56, and a bellows pump 57 are sequentially provided. The bellows pump 57 is capable of expanding and contracting under the control of the drive unit, and a predetermined amount of resist liquid B is passed through the resist liquid supply nozzle 50 to the substrate G.
It is possible to supply, for example, drip to the central part of the. It is possible to control the supply amount of the resist liquid B which is smaller than the conventional supply amount of the resist liquid B. This drive unit includes a ball screw 58 having a screw whose one end is attracted to one end of the bellows pump, a nut screwed to the screw, and a stepping motor 59 that linearly moves the screw by rotating the nut. It is configured. Specifically, in the case of a substrate of 500 × 600 mm, the inner diameter of the resist solution supply nozzle 50 is set to φ0.5 to φ5 mm, preferably φ3 mm. In this way, by setting the diameter of the nozzle according to the size of the substrate, it is possible to supply a small amount of the resist solution B as long as possible. If the supply time is short, the film thickness is not uniform, and if it is too long, the resist solution does not reach the peripheral portion of the substrate. Here, the smallest possible amount depends on the diameter of the nozzle and the resist solution supply pressure.
【0036】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ57
のステッピングモータ59の駆動時間によって制御(制
御精度:±2msec)されるようになっている。ま
た、レジスト液の吐出量はベローズポンプ57の駆動動
作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液供給
路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ54の
開閉動作(ON−OFF動作)によって設定されるよう
になっている。上記ベローズポンプ57の駆動時間の設
定及びエアーオペレーションバルブ54のON−OFF
動作は、予め設定されたプログラムに基いてコンピュー
タの作用で自動的に制御される。In the resist solution supply system constructed as described above, the discharge time of the resist solution is determined by the bellows pump 57.
The stepping motor 59 is controlled by the driving time (control accuracy: ± 2 msec). Further, the discharge amount of the resist liquid is set by the driving operation of the bellows pump 57, for example, the driving time and the driving speed, and the opening / closing operation (ON-OFF operation) of the air operation valve 54 for opening / closing the resist liquid supply passage. It has become. Setting of driving time of the bellows pump 57 and ON / OFF of the air operation valve 54
The operation is automatically controlled by the action of the computer based on a preset program.
【0037】レジスト液Bの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル50に設けた可変オリフィス(図示せず)
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ57を用いずにレジスト液タンク52へのN
2 ガスの加圧によってレジスト液Bの供給を行うことも
可能であり、この場合のレジスト液Bの吐出時間制御は
N2 ガスの加圧量の調整によって行うことができる。The discharge time of the resist solution B is controlled by a variable orifice (not shown) provided in the resist solution supply nozzle 50.
It is also possible to perform the opening and closing operation of. Further, without using the bellows pump 57, the N
It is also possible to supply the resist solution B by pressurizing the 2 gas, and in this case, the discharge time of the resist solution B can be controlled by adjusting the pressurizing amount of the N 2 gas.
【0038】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ53は、レジスト液供給ノズル50からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル50先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレジ
スト液供給ノズル50内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Bを吐出す
るレジスト液供給ノズル50において、通常通りサック
バックバルブ53の負圧作用によってレジスト液Bをレ
ジスト液供給ノズル50内に引き戻すと、ノズル50先
端付近の空気も一緒にノズル50内に巻き込まれてしま
い、ノズル50先端に付着したレジスト液Bの残滓がノ
ズル50内に入り、ノズル50の目詰まりを起こすばか
りか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板Gが
汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞れ
がある。After sucking the resist solution from the resist solution supply nozzle 50, the suck back valve 53 provided in the resist solution supply system removes the resist solution B remaining on the inner wall of the tip of the resist solution supply nozzle 50 due to surface tension. A valve for returning the resist liquid to the inside of the resist liquid supply nozzle 50, thereby preventing solidification of the residual resist liquid. In this case, in the resist solution supply nozzle 50 that discharges a small amount of the resist solution B, when the resist solution B is pulled back into the resist solution supply nozzle 50 by the negative pressure action of the suck back valve 53 as usual, the air near the tip of the nozzle 50 is also removed. The resist solution B remaining on the tip of the nozzle 50 is also entrained in the nozzle 50, and the residue of the resist solution B enters the nozzle 50, causing the nozzle 50 to be clogged, and the dried resist becoming particles to contaminate the substrate G. In addition, there is a risk that the yield will decrease.
【0039】この問題を解決するために、図5(a)に
示すように、レジスト液供給ノズル50のノズル孔50
aに比較して、開口部近くの部分の肉厚50bを厚くし
ている。すなわち、このノズル50は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図5(b)に示すように、レジスト液供
給ノズル50の筒状の先端部又は開口部に外フランジ5
0cを設けることにより、サックバックの際にノズル5
0先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図5(c)に示すように、レジスト液供給ノズル
50の垂直に延びた円筒状の先端に横S字状に延びた細
径の屈曲部50dを形成し、この屈曲部50dの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。To solve this problem, as shown in FIG. 5A, the nozzle hole 50 of the resist solution supply nozzle 50 is provided.
The wall thickness 50b near the opening is made thicker than that of a. That is, the nozzle 50 has a tubular tip portion and an inverted frustoconical portion that follows the tubular tip portion. Instead, as shown in FIG. 5B, the outer flange 5 is attached to the cylindrical tip portion or opening of the resist solution supply nozzle 50.
By providing 0c, the nozzle 5
It is possible to prevent the entrapment of air near the zero tip.
Further, as shown in FIG. 5C, a small-diameter bent portion 50d extending in a lateral S shape is formed at the vertically extending cylindrical tip of the resist solution supply nozzle 50, and the center of the bent portion 50d is formed. By sucking back to the vicinity, it is possible to prevent air from being entrained in the nozzle tip portion in the same manner.
【0040】上記温度調整機構61(温度調整手段)
は、図6に示すように、溶剤供給チューブ41及びレジ
スト供給チューブ51の外周をそれぞれ包囲するように
設けられる温度調整液供給路62と、この温度調整液供
給路62の両側の端部に両端がそれぞれ接続された循環
路63と、循環路63のそれぞれに設けられた循環ポン
プ64と、循環路63の途中に接続された温度調整液C
(例えば恒温水)を一定温度に維持するサーモモジュー
ル65とにより構成されている。このように構成された
温度調整機構61により、溶剤供給チューブ41内を流
れる溶剤Aとレジスト供給チューブ51内を流れるレジ
スト液Bを所定温度(例えば、約23℃)に維持するこ
とができる。The temperature adjusting mechanism 61 (temperature adjusting means)
As shown in FIG. 6, the temperature adjusting liquid supply passage 62 is provided so as to surround the outer peripheries of the solvent supply tube 41 and the resist supply tube 51, and both ends of the temperature adjusting liquid supply passage 62 are provided at both ends. , A circulation pump 64 provided in each circulation passage 63, and a temperature adjusting liquid C connected in the middle of the circulation passage 63.
The thermo module 65 maintains a constant temperature (for example, constant temperature water). With the temperature adjusting mechanism 61 thus configured, the solvent A flowing in the solvent supply tube 41 and the resist solution B flowing in the resist supply tube 51 can be maintained at a predetermined temperature (for example, about 23 ° C.).
【0041】図6上では、溶剤供給ノズル40と溶剤供
給チューブ41とが、また、レジスト液供給ノズル50
とレジスト液供給チューブ51とが、それぞれ一体に形
成されているが、図7を参照して以下に詳述するよう
に、別体として形成することも好ましい。In FIG. 6, the solvent supply nozzle 40 and the solvent supply tube 41 are shown as well as the resist solution supply nozzle 50.
Although the resist solution supply tube 51 and the resist solution supply tube 51 are formed integrally with each other, it is also preferable to form them separately as described in detail below with reference to FIG. 7.
【0042】上記噴頭60は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭60の上面には迂回通路60bの一部をなすU字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭60の下
面まで延出した垂直貫通孔60cが形成されている。各
貫通孔60cは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部60dと、大径の下部60eとを有し、この下部6
0eの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭60に、ノズル40,50を装着する場合に
は、貫通孔60c中に、円筒状のノズル40,50をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
40,50が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材66を傾斜中部60dに
詰め、ノズル40,50が貫通可能な垂直貫通孔を有す
る取付けねじ部材67をねじ付け下部5c中に捩入する
ことにより、シール部材66を中部60dの傾斜内周面
に押圧させている。このようにして、ノズル40,50
は噴頭60に液密に装着されている。この場合、中間部
5bの上面とシール部材66との上面との間に図示のよ
うにOリング68を介在させることにより、迂回通路1
5とノズル40,50との間の水密維持を更に確実にす
ることができる。The nozzle head 60 is made of, for example, a stainless steel or aluminum alloy member. A U-shaped hole forming a part of the bypass passage 60b is formed on the upper surface of the jet nozzle 60, and a vertical through hole 60c extending to the lower surface of the nozzle nozzle 60 is formed at the bottom of the hole. Each through hole 60c has an inclined middle portion 60d having a larger diameter as it goes downward and a lower portion 60e having a larger diameter.
A female screw is formed on the inner peripheral surface of 0e. When the nozzles 40 and 50 are mounted on the nozzle head 60 having such a configuration, the cylindrical nozzles 40 and 50 are inserted into the through hole 60c so that the upper portion and the lower portion thereof respectively extend, and the nozzle 40, A sealing member 66 made of a substantially conical synthetic resin having a vertical through hole through which 50 can penetrate is packed in the inclined middle portion 60d, and a mounting screw member 67 having a vertical through hole through which the nozzles 40 and 50 can penetrate is screwed to the lower portion. The seal member 66 is pressed against the inclined inner peripheral surface of the middle portion 60d by being screwed into the 5c. In this way, the nozzles 40, 50
Is attached to the nozzle head 60 in a liquid-tight manner. In this case, by interposing an O-ring 68 between the upper surface of the intermediate portion 5b and the upper surface of the seal member 66 as shown in the drawing, the bypass passage 1
The watertightness between the nozzle 5 and the nozzles 40 and 50 can be further ensured.
【0043】上記噴頭60の一側の上面には保持ピン6
0aが突設されており、この保持ピン60aを把持する
スキャンアーム71がスキャン機構70によってX,Y
(水平)及びZ(垂直)方向に移動することにより、噴
頭60すなわち溶剤供給ノズル40及びレジスト液供給
ノズル50が基板Gの中心部上方の作動位置とノズル待
機部72上方の待機位置との間に選択的に移動されるよ
うになっている。A holding pin 6 is provided on the upper surface of one side of the jet nozzle 60.
0a is provided in a protruding manner, and the scan arm 71 that holds the holding pin 60a is moved by the scan mechanism 70 in X, Y directions.
By moving in the (horizontal) and Z (vertical) directions, the spray head 60, that is, the solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 50 are located between the operating position above the central portion of the substrate G and the standby position above the nozzle standby portion 72. It is designed to be moved selectively.
【0044】なおこの場合、レジスト液の種類に応じて
4種類の噴頭60が配設されている(図2参照)。すな
わち、ノズル待機部72には、4つの噴頭60が準備さ
れており、これらの噴頭60のレジスト液供給ノズル5
0は、それぞれ粘性等の異なる別のレジスト液が入った
タンクに連通されている。この場合、各噴頭60にはレ
ジスト液供給ノズル50のみを設けておき、溶剤供給ノ
ズル40はスキャンアーム71の先端に予め取着してお
いて全ての噴頭60に対して共通に使用できるようにし
てもよい。また、この場合には、溶剤供給ノズル40を
複数個、例えば直線状に配管して、基板の径方向に沿っ
て一度に複数箇所から溶剤を供給するようにしてもよ
い。この場合、異なる吐出径のノズルを備え、吐出流量
の大小や吐出流量の変化に対応させて、各ノズルからの
吐出を任意に制御するようにしてもよい。In this case, four types of jet nozzles 60 are provided according to the type of resist liquid (see FIG. 2). That is, four nozzle heads 60 are prepared in the nozzle standby portion 72, and the resist solution supply nozzles 5 of these nozzle heads 60 are provided.
0 is communicated with a tank containing different resist solutions having different viscosities and the like. In this case, only the resist liquid supply nozzle 50 is provided in each of the jet heads 60, and the solvent supply nozzle 40 is attached to the tip of the scan arm 71 in advance so that it can be commonly used for all the jet heads 60. May be. Further, in this case, a plurality of solvent supply nozzles 40, for example, linear pipes may be provided to supply the solvent from a plurality of locations at a time along the radial direction of the substrate. In this case, nozzles having different discharge diameters may be provided, and the discharge from each nozzle may be arbitrarily controlled in accordance with the magnitude of the discharge flow rate and the change in the discharge flow rate.
【0045】なお、ノズル待機部72と対向する側には
リンス液供給ノズル45の待機部46が設けられている
(図2参照)。また、上記回転カップ12の下部側の回
転せず固定された連結筒31内に洗浄ノズル47を配設
することにより、回転カップ12及び蓋体16の内面を
洗浄することができる。すなわち、回転軸22に取付け
られたブラケット48にて洗浄ノズル47を保持し、洗
浄ノズル47に接続する洗浄液供給管49を固定カラー
24内に設けた通路(図示せず)を介して外部の図示し
ない洗浄液供給源に接続することによって、図3に想像
線で示すように、スピンチャック10を上昇させてスピ
ンチャック10と回転カップ12の底部との間から洗浄
ノズル47を臨ませて洗浄液を回転する回転カップ12
及び蓋体16の内面に噴射することができる。A standby portion 46 of the rinse liquid supply nozzle 45 is provided on the side facing the nozzle standby portion 72 (see FIG. 2). Further, by disposing the cleaning nozzle 47 in the connection cylinder 31 which is fixed on the lower side of the rotating cup 12 and does not rotate, the inner surfaces of the rotating cup 12 and the lid 16 can be cleaned. That is, a cleaning nozzle 47 is held by a bracket 48 attached to the rotary shaft 22, and a cleaning liquid supply pipe 49 connected to the cleaning nozzle 47 is provided to the outside through a passage (not shown) provided in the fixed collar 24. By connecting to the cleaning liquid supply source, the spin chuck 10 is lifted to expose the cleaning nozzle 47 from between the spin chuck 10 and the bottom of the rotating cup 12 to rotate the cleaning liquid, as shown by an imaginary line in FIG. Rotating cup 12
And, it can be sprayed on the inner surface of the lid 16.
【0046】次に、上記のように構成される塗布膜形成
装置によるレジスト膜の形成手順を、図8のフローチャ
ートを参照して説明する。Next, the procedure for forming a resist film by the coating film forming apparatus having the above-described structure will be described with reference to the flowchart of FIG.
【0047】まず、回転カップ12の蓋体16を開放
し、そして、基板Gを、図示しない搬送アームによって
静止したスピンチャック10上に移動させ、基板Gを真
空吸着によってスピンチャック10が保持し基板Gを支
持する。次に、スピンチャック10の回転駆動により基
板Gを処理時の定常回転より低速に回転(回転数:例え
ば100〜600rpm,加速度:300〜500rp
m/sec)させると共に、回転カップ12を同じ速度
で回転させる。この回転中に、スキャン機構70によっ
てスキャンアーム71に把持されて基板Gの中心部上方
に移動させられた噴頭60の溶剤供給ノズル40から基
板表面に塗布液の溶剤Aとして例えばエチルセロソルブ
アセテート(ECA)を例えば20秒(sec)間で例
えば26.7cc供給例えば滴下する(ステップ)。
この供給手段はスプレーでもよい。また、基板Gを回転
させずに静止した状態で溶剤Aを滴下し、その後回転し
てもよい。このようにして溶剤Aを20sec間供給し
た後、スピンチャック10及び回転カップ12の回転数
を上記低速回転数による回転状態で溶剤Aの供給を停止
する(ステツプ)。First, the lid 16 of the rotary cup 12 is opened, and the substrate G is moved onto the stationary spin chuck 10 by a transfer arm (not shown). The substrate G is held by the spin chuck 10 by vacuum suction. Support G. Next, the rotation of the spin chuck 10 causes the substrate G to rotate at a lower speed than the steady rotation during processing (rotation speed: 100 to 600 rpm, acceleration: 300 to 500 rp, for example).
m / sec), and the rotating cup 12 is rotated at the same speed. During this rotation, the solvent A of the coating liquid is applied to the surface of the substrate from the solvent supply nozzle 40 of the jet nozzle 60 which is grasped by the scanning mechanism 71 by the scanning mechanism 70 and moved above the central portion of the substrate G, such as ethyl cellosolve acetate (ECA). ) Is supplied for, for example, 26.7 cc for 20 seconds (sec), for example, dropped (step).
This supply means may be a spray. Alternatively, the solvent A may be dropped while the substrate G is stationary without being rotated, and then the substrate G may be rotated. After the solvent A has been supplied for 20 seconds in this way, the supply of the solvent A is stopped (step) while the spin chuck 10 and the rotary cup 12 are rotated at the low rotation speed.
【0048】次に、スピンチャック10を、高速回転
(第1の回転数:600から1000rpm程度の範囲
例えば1000rpm,加速度:300〜600rpm
/sec)させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部にレジスト液供給ノズル50aから塗布液例えばレ
ジスト液Bを例えば5sec間供給例えば10cc滴下
する(ステップ)。このときの溶剤Aが乾燥する時期
は、予め実験により求めることができる。例えば、基板
Gの表面を目視し、光の干渉縞が見えている間は乾燥し
ておらず、乾燥したら干渉縞が見えなくなるので、その
時期を知ることができる。この場合5sec間の供給時
期には、上記したベローズポンプ57の駆動時間を制御
でき、レジスト液の供給量を正確にかつ微妙に制御でき
るように構成されている。このようにしてレジスト液B
を5sec供給(滴下)した後、レジスト液Bの供給を
停止すると同時に、スピンチャック10及び回転カップ
12の回転を停止する(ステップ)。Next, the spin chuck 10 is rotated at high speed (first rotation speed: in the range of 600 to 1000 rpm, for example, 1000 rpm, acceleration: 300 to 600 rpm).
At the same time, the coating liquid, for example, the resist liquid B is supplied from the resist liquid supply nozzle 50a to the central portion on the solvent film on the surface of the substrate for, eg, 5 sec, and, for example, 10 cc is dropped (step). The time at which the solvent A is dried can be determined in advance by experiments. For example, by visually observing the surface of the substrate G, it is not dried while the interference fringes of light are visible, and the interference fringes are not visible when dried, so the time can be known. In this case, at the supply time of 5 seconds, the driving time of the bellows pump 57 described above can be controlled, and the supply amount of the resist solution can be accurately and delicately controlled. In this way, the resist liquid B
Is supplied (dropped) for 5 seconds, the supply of the resist solution B is stopped, and at the same time, the rotations of the spin chuck 10 and the rotating cup 12 are stopped (step).
【0049】レジスト液供給を停止し、レジスト液供給
ノズル50を待機位置に移動した後、ロボットアーム2
0によって蓋体16を回転カップ12の上方開口部12
aに閉止して回転カップ12内に基板Gを封入する(ス
テップ)。After stopping the supply of the resist solution and moving the resist solution supply nozzle 50 to the standby position, the robot arm 2
The lid 16 is opened by the upper opening 12 of the rotary cup 12
The substrate G is closed in a and the substrate G is enclosed in the rotary cup 12 (step).
【0050】このようにして回転カップ12の開口部1
2aを蓋体16で閉止し密閉した状態で、スピンチャッ
ク10及び回転カップ12を例えば15sec間、回転
(第2の回転数:例えば1350rpm,加速度:50
0rpm/sec)させてレジスト膜の膜厚を整える
(ステップ)。塗布処理が終了した後、スピンチャッ
ク10及び回転カップ12の回転を停止した後、ロボッ
トアーム20によって蓋体16を待機位置に移動させ
て、図示しない搬送アームによって基板Gを取出して、
塗布作業を完了する。In this way, the opening 1 of the rotary cup 12
In the state where 2a is closed and sealed by the lid body 16, the spin chuck 10 and the rotating cup 12 are rotated (second rotation speed: for example, 1350 rpm, acceleration: 50) for, for example, 15 seconds.
0 rpm / sec) to adjust the thickness of the resist film (step). After the coating process is completed, the spin chuck 10 and the rotary cup 12 are stopped from rotating, the robot arm 20 moves the lid 16 to the standby position, and the transfer arm (not shown) removes the substrate G.
Complete the coating operation.
【0051】上記のように構成されるこの発明に係る塗
布膜形成装置はLCD基板Gのレジスト塗布装置として
単独で使用される他、後述するLCD基板Gのレジスト
塗布・現像処理システムに組み込んで使用することがで
きる。以下に、上記実施例の塗布膜形成装置を組み込ん
だレジスト塗布・現像処理システムの構造について説明
する。The coating film forming apparatus according to the present invention configured as described above is used alone as a resist coating apparatus for the LCD substrate G, and is also used by being incorporated in a resist coating / developing processing system for the LCD substrate G described later. can do. The structure of a resist coating / developing system incorporating the coating film forming apparatus of the above embodiment will be described below.
【0052】上記レジスト塗布・現像処理システムは、
図9に示すように、基板Gを搬入・搬出するローダ部9
0と、基板Gの第1処理部91と、中継部93を介して
第1処理部91に連設される第2処理部92とで主に構
成されている。なお、第2処理部92には受渡し部94
を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するた
めの露光装置95が連設可能になっている。The above resist coating / developing system is
As shown in FIG. 9, a loader unit 9 for loading and unloading the substrate G
0, the first processing unit 91 of the substrate G, and the second processing unit 92 that is connected to the first processing unit 91 via the relay unit 93. The second processing unit 92 has a delivery unit 94.
An exposure device 95 for exposing a predetermined fine pattern to the resist film can be connected via the via.
【0053】上記ローダ部90は、未処理の基板Gを収
容するカセット96と、処理済みの基板Gを収容するカ
セット97を載置するカセット載置台98と、このカセ
ット載置台98上のカセット96,97との間で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9
9とで構成されている。The loader section 90 has a cassette 96 for accommodating an unprocessed substrate G, a cassette mounting table 98 for mounting a cassette 97 for accommodating the processed substrate G, and a cassette 96 on the cassette mounting table 98. , 97 to substrate G
Substrate loading / unloading tweezers 9 capable of moving and rotating (θ) in horizontal (X, Y) and vertical (Z) directions for loading / unloading
It is composed of 9 and 9.
【0054】上記第1処理部91は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム80の搬送路102
の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置
120と、基板Gを高圧ジェット水で洗浄するジェット
水洗浄装置130と、基板Gの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置105と、基板Gを所定温度に冷
却する冷却処理装置106とを配置し、搬送路102の
他方の側に、この発明の塗布膜形成装置である塗布処理
装置107及び塗布膜除去装置108を配置してなる。The first processing section 91 is a transport path 102 for the main arm 80 which is movable in the X, Y and Z directions and is rotatable by θ.
On one side, a brush cleaning device 120 for brush cleaning the substrate G, a jet water cleaning device 130 for cleaning the substrate G with high-pressure jet water, an adhesion treatment device 105 for hydrophobicizing the surface of the substrate G, and a substrate A cooling processing device 106 for cooling G to a predetermined temperature is arranged, and a coating processing device 107 and a coating film removing device 108, which are coating film forming devices of the present invention, are arranged on the other side of the transport path 102.
【0055】一方、上記第2処理部92は、第1処理部
91と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム80aを有し、このメインアーム80aの
搬送路102aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置109を配置し、搬送路102aの他方の側
に、現像装置110を配置している。On the other hand, the second processing section 92 has a main arm 80a capable of moving in the X, Y and Z directions and rotating by the same as the first processing section 91, and the main path 80a of the main arm 80a. A heat treatment device 109 that heats the substrate G before and after applying the resist solution to perform pre-baking or post-baking is arranged on one side, and a developing device 110 is arranged on the other side of the transport path 102a.
【0056】また、上記中継部93は、基板Gを支持す
る支持ピン93aを立設する受渡し台93bを有する箱
体93cの底面にキャスタ93dを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部93を第1処理部
91及び第2処理部92から引出して、第1処理部91
又は第2処理部92内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる。Further, the relay portion 93 has a structure in which casters 93d are provided on the bottom surface of a box body 93c having a transfer table 93b on which support pins 93a for supporting the substrate G are erected. The relay unit 93 is pulled out from the first processing unit 91 and the second processing unit 92, and the first processing unit 91
Alternatively, a worker can enter the second processing section 92 to easily perform repairs and inspections.
【0057】なお、上記受渡し部94には、基板Gを一
時待機させるためのカセット111と、このカセット1
11との間で基板Gの出入れを行う搬送用ピンセット1
12と、基板Gの受渡し台113が設けられている。The delivery section 94 has a cassette 111 for temporarily holding the substrate G, and the cassette 1
Transport tweezers 1 for moving the substrate G in and out of
12 and a transfer table 113 for the substrate G are provided.
【0058】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット96内に収容された未処理の
基板Gはローダ部90の搬出入ピンセット99によって
取出された後、第1処理部91のメインアーム80に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置120内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置120内にてブラシ洗浄された
基板Gは引続いてジェット水洗浄装置130内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アド
ヒージョン処理装置105にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置106にて冷却された後、この発明に係る塗
布膜形成装置107にて、上述した手順によりフォトレ
ジストすなわち感光膜が塗布形成され、引続いて塗布膜
除去装置108によって基板Gの辺部の不要なレジスト
膜が除去される。したがって、この後、基板Gを搬出す
る際には縁部のレジスト膜は除去されているので、メイ
ンアーム80にレジストが付着することもない。そし
て、このフォトレジストが加熱処理装置109にて加熱
されてベーキング処理が施された後、露光装置95にて
所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板G
は現像装置110内へ搬送され、現像液により現像され
た後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完
了する。In the coating / development processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 96 is taken out by the carry-in / take-out tweezers 99 of the loader section 90, and then the first processing section 91. It is delivered to the main arm 80 and then conveyed into the brush cleaning device 120. The substrate G brush-cleaned in the brush cleaning device 120 is subsequently cleaned in the jet water cleaning device 130 with high-pressure jet water. After that, the substrate G is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion treatment device 105 and cooled by the cooling treatment device 106, and then the coating film forming device 107 according to the present invention performs the photoresist treatment by the above-described procedure. A photosensitive film is formed by coating, and then the unnecessary resist film on the side portion of the substrate G is removed by the coating film removing device 108. Therefore, after this, when the substrate G is carried out, the resist film on the edge is removed, so that the resist does not adhere to the main arm 80. Then, after the photoresist is heated by the heat treatment device 109 to be subjected to a baking treatment, a predetermined pattern is exposed by the exposure device 95. And the substrate G after exposure
Is conveyed into the developing device 110, and after being developed with the developing solution, the developing solution is washed away with the rinse solution to complete the developing process.
【0059】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部90のカセット97内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。The developed and processed substrate G is accommodated in the cassette 97 of the loader unit 90, then carried out and transferred to the next processing step.
【0060】なお、上記実施例においては、溶剤供給ノ
ズル40を噴頭60にレジスト液供給ノズル50と一体
的に備えた構成について説明したが、これに限定される
ものではなく、図10に示す実施例のように示すよう
に、リンス液供給ノズル45を有する噴頭46と一体的
に設けて溶剤を供給してもよい。In the above embodiment, the structure in which the solvent supply nozzle 40 is integrally provided with the resist liquid supply nozzle 50 on the nozzle head 60 has been described, but the present invention is not limited to this, and the embodiment shown in FIG. As shown in the example, the solvent may be supplied by being provided integrally with the nozzle head 46 having the rinse liquid supply nozzle 45.
【0061】この例では、溶剤の供給路とレジスト液の
供給路とに、共通の温度調節機構61が配設されている
(図11参照)。噴頭60とスキャン機構70のスキャ
ンアーム71とは一体に形成され、噴頭60とスキャン
アーム71に温度調整液供給路62を形成し、この供給
路62内に溶剤供給チューブ41とレジスト液供給チュ
ーブ51とを配管して、同一の温度調整液Cによって溶
剤Aとレジスト液Bとの温度調節を行えるようにしてい
る。このように構成することにより、温度調節機構61
の構造を簡略化することができると共に、溶剤Aとレジ
スト液Bとを同一の温度に維持することができる。In this example, a common temperature adjusting mechanism 61 is provided in the solvent supply path and the resist solution supply path (see FIG. 11). The nozzle head 60 and the scan arm 71 of the scan mechanism 70 are integrally formed, and a temperature adjusting liquid supply passage 62 is formed in the nozzle head 60 and the scan arm 71, and the solvent supply tube 41 and the resist liquid supply tube 51 are provided in the supply passage 62. Are connected by piping so that the temperature of the solvent A and the resist liquid B can be adjusted by the same temperature adjusting liquid C. With this configuration, the temperature adjustment mechanism 61
The structure can be simplified, and the solvent A and the resist solution B can be maintained at the same temperature.
【0062】噴頭60とノズル40,50との配列並び
に構成は上記例に限定されるものではなく、例えば図1
2ないし図15に示すようにしてもよい。図12に示す
例は、レジスト液供給ノズル50の外周にこれと同軸的
に溶剤供給ノズル40を配置した場合である。このため
に、レジスト液供給ノズル50と溶剤供給ノズル40と
を二重管構造にし、かつ溶剤供給ノズル40の先端をレ
ジスト液供給ノズル50の先端よりも下方に突出させて
いる。勿論、溶剤供給ノズル40の先端をレジスト液供
給ノズル50の先端とが同一レベルになるように、もし
くは前者の方が短くなるように構成してもよい。代わっ
て、溶剤供給ノズル40の外側にレジスト液供給ノズル
50を配設するようにしてもよい。また、図13に示す
ように、レジスト液供給ノズル50と溶剤供給ノズル4
0とが併設され、これらの吐出口69が共通となってい
る機構を採用してもよい。The arrangement and configuration of the nozzle head 60 and the nozzles 40, 50 are not limited to the above-mentioned example, and for example, FIG.
2 to 15 may be used. In the example shown in FIG. 12, the solvent supply nozzle 40 is arranged on the outer periphery of the resist solution supply nozzle 50 coaxially therewith. For this reason, the resist solution supply nozzle 50 and the solvent supply nozzle 40 have a double pipe structure, and the tip of the solvent supply nozzle 40 is projected below the tip of the resist solution supply nozzle 50. Of course, the tip of the solvent supply nozzle 40 may be at the same level as the tip of the resist solution supply nozzle 50, or the former may be shorter. Alternatively, the resist solution supply nozzle 50 may be arranged outside the solvent supply nozzle 40. Further, as shown in FIG. 13, the resist liquid supply nozzle 50 and the solvent supply nozzle 4
It is also possible to adopt a mechanism in which 0 and 0 are provided side by side and these discharge ports 69 are common.
【0063】図14に示すように、噴頭60内に形成さ
れ中央に吐出口69を有する環状の溶剤貯留タンク60
f内の溶剤中に溶剤供給ノズル40の先端を挿入すると
共に、レジスト液供給ノズル50の先端をタンク60f
内の上部に位置させて、気化した溶剤の雰囲気にノズル
50の先端を晒すようにしてもよい。このように、レジ
スト液供給ノズル50の先端外周に溶剤供給ノズル40
の先端を配置することにより、レジスト液供給ノズル5
0に付着するレジストを溶剤によって洗浄することがで
きると共に、レジスト液の乾燥を防止することができ、
レジスト液の乾燥によるパーティクルの発生を防止する
ことができる。As shown in FIG. 14, an annular solvent storage tank 60 formed in the nozzle head 60 and having a discharge port 69 in the center.
The tip of the solvent supply nozzle 40 is inserted into the solvent inside the tank f, and the tip of the resist solution supply nozzle 50 is inserted into the tank 60f.
Alternatively, the tip of the nozzle 50 may be exposed to the atmosphere of the vaporized solvent. In this way, the solvent supply nozzle 40 is attached to the outer periphery of the tip of the resist solution supply nozzle 50.
By disposing the tip of the resist liquid supply nozzle 5
The resist adhering to 0 can be washed with a solvent, and the resist liquid can be prevented from drying.
Generation of particles due to drying of the resist solution can be prevented.
【0064】また、図15に示すように、レジスト液供
給ノズル50の外周に沿って平行に溶剤供給ノズル40
を配置すると共に、このノズル40の先端を複数、この
例では4つ分岐させるようにしてもよい。この結果、溶
剤は一度に4箇所に供給される。好ましくは、これら分
岐ノズル部40aは、基板Gと相似形をなす矩形の4つ
の角にそれぞれ対応するように配設され、基板Gの中心
に対して対角線上の対称位置に同時に溶剤が供給され
る。このようにすれば、矩形の基板において溶剤の拡散
をある程度均一にすることができる。Further, as shown in FIG. 15, the solvent supply nozzle 40 is arranged in parallel along the outer periphery of the resist solution supply nozzle 50.
May be arranged, and the tip of this nozzle 40 may be branched into a plurality, in this example, four. As a result, the solvent is supplied to four locations at once. Preferably, the branch nozzle portions 40a are arranged so as to respectively correspond to the four corners of a rectangle similar to the substrate G, and the solvent is simultaneously supplied to the center of the substrate G at symmetrical positions on a diagonal line. It By doing so, the diffusion of the solvent can be made uniform to some extent on the rectangular substrate.
【0065】次に、この発明のレジスト膜形成方法の例
を、実験に基いて説明する。 ★実験1 溶剤Aとして、例えば、ECAを使用し、この溶剤Aを
一定量(例えば25cc)、上述したステップの条件
すなわち回転数:500rpm、時間:20secの下
で供給した後、レジスト液供給ノズル50から基板G上
にレジスト液Bを供給(滴下)させる場合について、以
下の条件の下で実験を行った。Next, an example of the resist film forming method of the present invention will be described based on experiments. [Experiment 1] For example, ECA was used as the solvent A, and a fixed amount (for example, 25 cc) of this solvent A was supplied under the conditions of the above step, that is, the rotation speed: 500 rpm, the time: 20 sec, and then the resist solution supply nozzle. An experiment was performed under the following conditions for supplying (dropping) the resist solution B onto the substrate G from 50.
【0066】条件 レジスト液吐出(供給)時間:2sec、5sec 回転数:300,500,600,800,1000r
pm 基板Gの寸法:500×600mm 上記実験1の結果、回転数:600rpm(厳密には、
500〜800rpm未満の吐出回転数),時間:5s
ecで、レジスト液Bを8cc/枚供給したときが基板
Gの全面に塗れるのに必要なレジスト量を最小にするこ
とができ(図16参照)、また、膜厚プロファイルは図
17に示すような傾向となり、しかも、塗布膜の膜厚変
動(レンジ)が597オングストローム(Å)となり、
平均膜厚の±2%程度の約600オングストローム
(Å)の均一な膜厚を形成できることが判明した。な
お、回転数を800rpm,1000rpmに変えて5
sec間レジスト液Bを供給する場合には、それぞれ塗
布膜の膜厚変動(レンジ)が412,240オングスト
ローム(Å)と小さくすることができるが、レジスト量
が10cc/枚と若干多くなることが判明した。Conditions Discharge (supply) time of resist liquid: 2 sec, 5 sec Rotation speed: 300, 500, 600, 800, 1000 r
pm Substrate G dimensions: 500 × 600 mm As a result of the above Experiment 1, the rotation speed: 600 rpm (strictly speaking,
Discharge rotation speed of 500 to less than 800 rpm), time: 5 s
In ec, when the resist solution B is supplied at 8 cc / sheet, the amount of resist required to coat the entire surface of the substrate G can be minimized (see FIG. 16), and the film thickness profile is as shown in FIG. In addition, the thickness variation (range) of the coating film is 597 angstroms (Å),
It was found that a uniform film thickness of about 600 Å (Å), which is about ± 2% of the average film thickness, can be formed. In addition, changing the rotation speed to 800 rpm and 1000 rpm, 5
When the resist solution B is supplied for sec, the thickness variation (range) of the coating film can be reduced to 412 and 240 angstroms (Å), but the resist amount may be slightly increased to 10 cc / sheet. found.
【0067】★実験2 溶剤Aとしてエチルセロソルブアセテート(ECA)を
使用し、この溶剤Aを以下の条件の下で供給した後、レ
ジスト液供給ノズル50から基板G上にレジスト液Bを
供給(滴下)させる場合の実験を行った。Experiment 2 Ethyl cellosolve acetate (ECA) was used as the solvent A, the solvent A was supplied under the following conditions, and then the resist solution B was supplied (dripping) from the resist solution supply nozzle 50 onto the substrate G. ) Was performed.
【0068】条件 レジスト:TSMR−8900 粘度:15cp 回転数:300,500,800,1000rpm 溶剤流量:80,100,120,150cc/min 基板Gの寸法:500×600mm 上記条件の下で実験したところ、表1に示すような結果
が得られた。Conditions Resist: TSMR-8900 Viscosity: 15 cp Rotational speed: 300, 500, 800, 1000 rpm Solvent flow rate: 80, 100, 120, 150 cc / min Substrate G dimension: 500 × 600 mm Experiments under the above conditions The results shown in Table 1 were obtained.
【0069】[0069]
【表1】 [Table 1]
【0070】上記実験2の結果、図18に示すように、
回転数が高い程、また、単位時間当りの溶剤の流量が多
い程、吐出(供給)時間が短くて済むことが判り、ま
た、見方を変えて流量×時間=実使用量の値で見ると、
図19に示すように、回転数が高い程溶剤の使用量が少
なくて済むことが判った。As a result of the above experiment 2, as shown in FIG.
It can be seen that the higher the number of revolutions and the higher the flow rate of the solvent per unit time, the shorter the discharge (supply) time will be. Also, from a different point of view, the flow rate x time = actual usage value ,
As shown in FIG. 19, it was found that the higher the rotation speed, the smaller the amount of solvent used.
【0071】上記実験2に基いて、塗布膜の膜厚プロフ
ァイルを測定したところ、表2に示すような結果が得ら
れた。When the film thickness profile of the coating film was measured based on the above Experiment 2, the results shown in Table 2 were obtained.
【0072】[0072]
【表2】 [Table 2]
【0073】上記実験2の結果、回転数:800rp
m,溶剤流量:150cc/min,溶剤吐出時間:9
sec,溶剤量:22.5ccのとき、膜厚変動(レン
ジ)が364オングストローム(Å)であり、また、回
転数:1000rpm,溶剤流量:150cc/mi
n,溶剤吐出時間:8sec,溶剤量:20ccのと
き、膜厚変動(レンジ)が582オングストローム
(Å)であり、共に膜厚の均一を図ることができた。As a result of the experiment 2, the rotation speed is 800 rp.
m, solvent flow rate: 150 cc / min, solvent discharge time: 9
sec, solvent amount: 22.5 cc, film thickness variation (range) is 364 angstrom (Å), rotation speed: 1000 rpm, solvent flow rate: 150 cc / mi
When n, solvent discharge time: 8 sec, and solvent amount: 20 cc, the film thickness variation (range) was 582 Å (Å), and it was possible to achieve uniform film thickness.
【0074】上記塗布液としては、レジスト(フェノー
ルノボラック樹脂とナフトキノンジアジドエステル),
ARC(反射防止膜;Anti Reflection
Coating)が使用され得る。上記溶剤として
は、メチル−3−メトキシプロピオネート(MMT,沸
点:145℃,粘度:1.1cps)の他、乳酸エチル
(EL,沸点:154℃,粘度:2.6cps)、エチ
ル−3−エトキシプロピオネート(EEP,沸点:17
0℃,粘度:1.3cps),ピルビン酸エチル(E
P,沸点:144℃,粘度:1.2cps)、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGME
A,沸点:146℃,粘度:1.3cps)、2−ヘプ
タノン(沸点:152℃,粘度:1.1cps)、シク
ロヘキサノン(ARCの溶剤)等この分野で知られてい
るものが使用され得る。As the coating liquid, a resist (phenol novolac resin and naphthoquinone diazide ester),
ARC (Anti-reflection film; Anti Reflection)
Coating) can be used. Examples of the solvent include methyl-3-methoxypropionate (MMT, boiling point: 145 ° C., viscosity: 1.1 cps), ethyl lactate (EL, boiling point: 154 ° C., viscosity: 2.6 cps), ethyl-3. -Ethoxypropionate (EEP, boiling point: 17
0 ° C, viscosity: 1.3 cps, ethyl pyruvate (E
P, boiling point: 144 ° C., viscosity: 1.2 cps), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGME
A, boiling point: 146 ° C., viscosity: 1.3 cps), 2-heptanone (boiling point: 152 ° C., viscosity: 1.1 cps), cyclohexanone (solvent for ARC) and the like known in this field can be used.
【0075】なお、上記実施例では、回転カップ12の
蓋体16をロボットアーム20で移動させて開放し、溶
剤Aの供給ノズル40,レジスト液Bの供給ノズル50
などを、スキャン機構70で基板Gの中心部上方に移動
して、溶剤A,レジスト液Bを滴下する構成について説
明したが、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で
閉止した状態で滴下するように構成してもよい。In the above embodiment, the lid 16 of the rotary cup 12 is moved and opened by the robot arm 20 to supply the solvent A supply nozzle 40 and the resist solution B supply nozzle 50.
In the above description, the scanning mechanism 70 moves the substrate G above the center of the substrate G to drop the solvent A and the resist solution B. However, the opening 12a of the rotary cup 12 is dropped with the lid 16 closed. It may be configured to do so.
【0076】例えば、図20に示すように、蓋体16の
膨隆頭部18部分を中空状に形成し、また、この上端部
を蓋18Aで閉止可能に構成する。そして、蓋18Aを
開け、スキャン機構70により上記ノズルを膨隆頭部1
8の中空上方すなわち基板Gの中心部上方に移動させ、
溶剤A,レジスト液Bを滴下する。For example, as shown in FIG. 20, the bulging head portion 18 of the lid 16 is formed in a hollow shape, and the upper end portion of the lid 16 can be closed by the lid 18A. Then, the lid 18A is opened, and the nozzle is swung up by the scanning mechanism 70.
8 above the hollow, that is, above the center of the substrate G,
The solvent A and the resist solution B are dropped.
【0077】また、図21に示すように、膨隆頭部18
の内側にノズル取付部材18Bをベアリング18Cなど
により、蓋体16が回転可能に取付ける。そして、回転
カップ12の開口部12aを蓋体16で閉止した状態
で、ノズル取付部材18Bに取着したノズル40,50
から溶剤A,レジスト液Bを基板Gの中心部に滴下す
る。Further, as shown in FIG.
The lid 16 is rotatably attached to the inside of the nozzle mounting member 18B by a bearing 18C or the like. The nozzles 40, 50 attached to the nozzle mounting member 18B in a state where the opening 12a of the rotary cup 12 is closed by the lid 16.
The solvent A and the resist solution B are dropped from the center of the substrate G.
【0078】上記したように、蓋体16で開口部12a
を閉止した状態で溶剤A,レジスト液Bを滴下すること
により、スキャン機構70による移動式に比べて処理ス
ループットの短縮化、密閉状態下での溶剤Aの滴下から
塗布処理終了までの処理プロセスを実現することが可能
となる。例えば、溶剤Aの供給後、レジスト液Bを供給
しながら回転カップ12を回転し、次にレジスト液Bの
供給を停止して、回転カップ12を回転するというよう
なプロセスも実現できる。As described above, the opening 16a is formed in the lid 16.
By dropping the solvent A and the resist solution B in the closed state, the processing throughput is shortened compared to the moving type by the scanning mechanism 70, and the treatment process from the dropping of the solvent A in the sealed state to the end of the coating treatment is performed. It can be realized. For example, a process of rotating the rotary cup 12 while supplying the resist solution B after supplying the solvent A, then stopping the supply of the resist solution B, and rotating the rotary cup 12 can be realized.
【0079】上記実施例では、この発明に係る塗布膜形
成装置をLCD基板のレジスト塗布装置に適用した場合
について説明したが、LCD基板以外の半導体ウエハや
CD等の被処理体の塗布膜形成装置にも適用でき、レジ
スト以外のポリイミド系塗布液(PIQ)やガラス剤を
含有する塗布液(SOG)等にも適用できることは勿論
である。In the above embodiment, the case where the coating film forming apparatus according to the present invention is applied to the resist coating apparatus for the LCD substrate has been described. However, the coating film forming apparatus for the object other than the LCD substrate, such as a semiconductor wafer or a CD, is to be processed. Needless to say, the present invention can also be applied to a polyimide-based coating liquid (PIQ) other than resist, a coating liquid (SOG) containing a glass agent, and the like.
【0080】[0080]
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、基板の一面上に溶剤を塗布した後、基板上に、所定
量の塗布液を供給し、第1の回転数で回転させて、基板
の一面全体に渡って拡散させ、処理容器に蓋体を閉止し
て基板を処理容器内に封入した後、蓋体が閉止された処
理容器及び基板を第2の回転数で回転させて、塗布膜の
膜厚を整えるので、溶剤に対する適正な配合割合の塗布
液を供給することができ、塗布液の使用量が少なくする
ことができ、塗布液の基板角部裏面への廻り込みを防止
することができる。また、溶剤と塗布液との接触による
塗布液の粘度を均一にして均一な厚さの塗布膜を形成す
ることができる。As described above, according to the present invention, after coating the solvent on one surface of the substrate, a predetermined amount of the coating liquid is supplied onto the substrate and rotated at the first rotation speed. Then, the substrate is diffused over the entire surface, the lid is closed in the processing container, the substrate is sealed in the processing container, and then the processing container and the substrate with the lid closed are rotated at the second rotation speed. By adjusting the film thickness of the coating film, it is possible to supply the coating liquid with an appropriate mixing ratio to the solvent, reduce the amount of coating liquid used, and sneak the coating liquid to the back surface of the corner of the substrate. Can be prevented. Further, it is possible to form a coating film having a uniform thickness by making the viscosity of the coating liquid uniform by the contact between the solvent and the coating liquid.
【図1】この発明の一実施例に係わる塗布膜の形成方法
を実施するための塗布膜形成装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a coating film forming apparatus for carrying out a coating film forming method according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す塗布膜形成装置の概略平面図であ
る。FIG. 2 is a schematic plan view of the coating film forming apparatus shown in FIG.
【図3】塗布膜形成装置の要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a coating film forming apparatus.
【図4】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional perspective view showing a processing container and a lid according to the present invention.
【図5】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing different modified examples of the tip portion of the resist liquid supply nozzle according to the present invention.
【図6】塗布膜形成装置に使用されている噴頭を拡大し
て示す斜視図である。FIG. 6 is an enlarged perspective view showing a nozzle head used in a coating film forming apparatus.
【図7】噴頭の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a jet nozzle.
【図8】塗布膜形成装置を使用してレジスト膜を形成す
る方法を説明するためのフローチャトである。FIG. 8 is a flow chart for explaining a method for forming a resist film using a coating film forming apparatus.
【図9】塗布膜形成装置が適用されたレジスト塗布・現
像システムの全体を概略的に示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view schematically showing an entire resist coating / developing system to which a coating film forming apparatus is applied.
【図10】噴頭の変形例を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a modified example of the jet nozzle.
【図11】噴頭の変形例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a modified example of the jet nozzle.
【図12】噴頭のノズル集合体の別の変形例を示す断面
図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing another modified example of the nozzle assembly of the jet nozzle.
【図13】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing still another modified example of the nozzle assembly of the jet nozzle.
【図14】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing still another modified example of the nozzle assembly of the jet nozzle.
【図15】ノズル集合体の変形例と、塗布膜形成体であ
るLCD基板とを示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing a modified example of a nozzle assembly and an LCD substrate that is a coating film forming body.
【図16】基板の回転数と基板全面に塗れるのに必要な
レジスト量との関係を示すグラフである。FIG. 16 is a graph showing the relationship between the number of rotations of the substrate and the amount of resist required to coat the entire surface of the substrate.
【図17】基板の回転数の関係からレジスト膜の膜厚変
動範囲を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing a variation range of the thickness of the resist film from the relationship of the rotation speed of the substrate.
【図18】レジスト液の吐出時間と基板の回転数との関
係を示すグラフである。FIG. 18 is a graph showing the relationship between the discharge time of the resist liquid and the rotation speed of the substrate.
【図19】溶剤の使用量と基板の回転数との関係を示す
グラフである。FIG. 19 is a graph showing the relationship between the amount of solvent used and the rotation speed of the substrate.
【図20】液滴下方法の他の一例を示す説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram showing another example of the droplet dropping method.
【図21】液滴下方法の更に他の一例を示す構成図であ
る。FIG. 21 is a configuration diagram showing still another example of a droplet dropping method.
10 スピンチャック 12 回転カップ(処理容器) 16 蓋体 20 ロボットアーム(蓋体移動手段) 21 駆動モータ 40 溶剤供給ノズル(溶剤供給手段) 50 レジスト液供給ノズル(塗布液供給手段) 52 レジスト液タンク(塗布液供給源) 57 ベローズポンプ 59 ステッピングモータ 70 スキャン機構(溶剤・塗布液供給手段の移動手
段) G LCD基板(基板) A 溶剤 B レジスト液(塗布液)10 Spin Chuck 12 Rotating Cup (Processing Container) 16 Lid Body 20 Robot Arm (Lid Body Moving Means) 21 Drive Motor 40 Solvent Supply Nozzle (Solvent Supply Means) 50 Resist Liquid Supply Nozzle (Coating Liquid Supply Means) 52 Resist Liquid Tank ( Coating liquid supply source) 57 Bellows pump 59 Stepping motor 70 Scan mechanism (moving means of solvent / coating liquid supply means) G LCD substrate (substrate) A solvent B resist liquid (coating liquid)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 賢治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 大森 伝 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東京 エレクトロン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Kenji Sekiguchi, Kenji Sekiguchi 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Kumamoto Plant (72) Inventor Omori Den 2-3-1, Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo No. Tokyo Electron Limited
Claims (12)
器と共に回転させると共に、基板一面上に塗布液を供給
して、塗布膜を形成する方法において、 上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転数で
回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させる工程
と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を第2の回転数
で回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程とを有するこ
とを特徴とする塗布膜形成方法。1. A method for forming a coating film by rotating a substrate housed in a processing container together with the processing container and supplying a coating liquid onto the one surface of the substrate, wherein a solvent is applied onto the one surface of the substrate. A step of supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate, rotating the substrate at a first rotation speed to diffuse the coating liquid over the entire one surface of the substrate, and closing the lid of the processing container. Coating comprising the steps of enclosing the substrate in a processing container, and rotating the processing container and the substrate with the lid closed at a second rotation speed to adjust the film thickness of the coating film. Film forming method.
て、 塗布液の量は、基板の第1の回転数に応じて設定されて
いることを特徴とする塗布膜形成方法。2. The coating film forming method according to claim 1, wherein the amount of the coating liquid is set according to the first rotation speed of the substrate.
て、 塗布液の量と、基板の回転数とは、塗布膜の膜厚変動が
平均膜厚の±2%程度以下になるように設定されている
ことを特徴とする塗布膜形成方法。3. The coating film forming method according to claim 2, wherein the amount of the coating liquid and the number of rotations of the substrate are set so that the fluctuation of the coating film thickness is about ± 2% or less of the average film thickness. A coating film forming method, characterized in that
て、 溶剤の塗布を基板の回転にて行うことを特徴とする塗布
膜形成方法。4. The coating film forming method according to claim 1, wherein the solvent is coated by rotating the substrate.
て、 基板の回転にて行う溶剤塗布の回転数と、第1の回転数
と第2の回転数とは異なることを特徴とする塗布膜形成
方法。5. The coating film forming method according to claim 4, wherein the rotation number of the solvent coating performed by rotating the substrate is different from the first rotation number and the second rotation number. Forming method.
て、 溶剤として塗布液の溶剤を塗布することを特徴とする塗
布膜形成方法。6. The method for forming a coating film according to claim 1, wherein the solvent of the coating liquid is applied as the solvent.
て、 基板のほぼ中心部上に塗布液を供給することを特徴とす
る塗布膜形成方法。7. The coating film forming method according to claim 1, wherein the coating liquid is supplied onto substantially the center of the substrate.
に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させ
る手段と、 上記基板を包囲するカップ状をなし、基板を回転させる
手段と共に回転する処理容器と、 上記処理容器の開口部を閉止する蓋体と、 上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、 上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段とを具備す
ることを特徴とする塗布膜形成装置。8. A means for supporting one surface of the substrate upward and rotating the substrate about an axis perpendicular to the one surface of the substrate, and a means for rotating the substrate having a cup shape surrounding the substrate. The processing container includes a rotating processing container, a lid that closes the opening of the processing container, a solvent supply unit that supplies a solvent of the coating liquid to the substrate, and a coating liquid supply unit that supplies the coating liquid to the substrate. A coating film forming apparatus characterized by the above.
て、 塗布液供給手段と塗布液を収容する塗布液供給源とを供
給管を介して連通し、 上記供給管に、塗布液の供給量の調整可能なポンプ手段
を介設することを特徴とする塗布膜形成装置。9. The coating film forming apparatus according to claim 8, wherein the coating liquid supply means and the coating liquid supply source containing the coating liquid are communicated with each other through a supply pipe, and the supply amount of the coating liquid is supplied to the supply pipe. A coating film forming apparatus, characterized in that the adjustable pump means is provided.
て、 溶剤供給手段と塗布液供給手段の少なくとも1つに、温
度調整手段を設けたことを特徴とする塗布膜形成装置。10. The coating film forming apparatus according to claim 8, wherein temperature adjusting means is provided in at least one of the solvent supplying means and the coating liquid supplying means.
て、 開口部を閉止する蓋体を、処理容器の閉止位置と処理容
器から外れた待機位置との間、移動可能に支持する蓋体
移動手段を具備することを特徴とする塗布膜形成装置。11. The coating film forming apparatus according to claim 8, wherein a lid body that movably supports a lid body that closes the opening between a closed position of the processing container and a standby position separated from the processing container. An apparatus for forming a coating film, which comprises:
て、 溶剤供給手段と塗布液供給手段との少なくとも一方を支
持し、支持した溶剤供給手段、塗布液供給手段を、基板
上方の供給位置と、供給位置から外れた待機位置との
間、移動可能に支持する手段を具備することを特徴とす
る塗布膜形成装置。12. The coating film forming apparatus according to claim 8, wherein at least one of the solvent supply unit and the coating liquid supply unit is supported, and the supported solvent supply unit and coating liquid supply unit are provided at a supply position above the substrate. An apparatus for forming a coating film, comprising means for movably supporting a standby position apart from a supply position.
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