JPH08311655A - 導電性無電解めっき粉体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マトリックス材料に対し優れた分散性で複合
化でき、常に高水準の高導電性能性を付与することがで
きる導電性無電解めっき粉体を提供する。 【構成】 実質的に球状粒子であって、平均粒子径が１
〜３０μm の範囲にあり、平均粒子径±２０％範囲の粒
分容積比率が７０％以上を占め、かつ平均粒子径±２０
％範囲を外れた粒分のうち微細側の粒分容積比率が１０
％以下の粒子性状を備える樹脂粉末を基材とし、この基
材表面に無電解めっき法により金属被覆を形成してなる
導電性無電解めっき粉体。基材としては、ベンゾグアナ
ミン系樹脂またはスチレン系樹脂が好ましく用いられ、
めっき層はＮｉまたはＮｉ−Ａｕの被膜であることが好
ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、各種のマトリックス材
料に配合した際に優れた分散性ならびに高導電性能を付
与することができる無電解めっき粉体、特にプラスチッ
ク材料に複合化して電子機器類の微小部位を電気的接続
する目的に好適な導電性無電解めっき粉体に関する。

【０００２】

【従来の技術】導電性を付与したプラスチック材料は、
電子機器やその部品の静電防止、電波吸収あるいは電磁
波シールド等の部材として広く使用されている。プラス
チック材料に導電性を付与する方法としては、従来から
マトリックス樹脂成分に微粉状の導電性フィラーを分散
複合化する手段が主要な技術とされており、無電解めっ
き粉体を導電性フィラーとすることも公知である（特開
昭59−182961号公報、特開昭60−181294公報、特開平１
−242782公報等）。また、基材にベンゾグアナミン系樹
脂を用いて金属めっきを施した導電性充填剤（特開昭57
−49632 号公報）やスチレン系樹脂を基材として金属め
っきを施した導電性充填剤（特開昭60−12603 号公報）
なども提案されている。

【０００３】しかしながら、従来技術により得られる導
電性めっき粉末は、無電解めっき工程中に基材粒子同士
が凝集化し、金属めっき層の膜厚が増すに従って凝集が
大きく強固となって分散性を損ねる難点がある。導電性
粉末の分散性はプラスチック材料に混合した際の導電性
能に大きな影響を与えるため、めっき粉末にあってはこ
の分散性の後退現象が解消されない限り再現性のある高
導電性能を期待することができない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近時、液晶ディスプレ
ーパネルの電極と駆動用ＬＳＩチップの回路基板への接
続、その他微小ピッチの電極端子間の接続など電子機器
類の微小部位を電気的接続するための導電材料と対して
導電性を付与したプラスチック材料が使用されている
が、これらの用途目的には特に高度かつ再現性の良好な
導電性能が要求されており、より分散性が改善された導
電性フィラーの開発が待たれている。

【０００５】導電性無電解めっき粉体の分散性を高める
には、粒径範囲を調整することが有効であるため、篩分
けや粉砕処理によって一定の粒子性状に整えることも行
われている。しかし、高精度の分級処理を施しても製造
過程で生成した凝集体を完全に除去することは困難であ
り、また粉砕処理を行うと粒子表面の金属被膜が破壊し
て導電性能の低下を招く。したがって、優れた導電性能
を発揮する無電解めっき粉体を得るためには、めっき基
材となる樹脂粉末の粒子性状を吟味して良好な分散性お
よび密着性を確保する必要がある。

【０００６】本発明者らは、かかる観点からめっき基材
となる樹脂粉末の粒子性状について多角的に検討を進め
た結果、基材として実質的に球状で、特定範囲の粒子性
状を備える樹脂を選択し、この表面に無電解めっき法に
より金属被覆を施すと、極めて密着性に優れためっき被
膜が形成されるうえ、対象マトリックス成分に対する分
散性が効果的に改善されて常に高度の導電性能が付与さ
れる事実を解明した。

【０００７】本発明は上記の知見に基づいて開発された
もので、その目的とするところは、マトリックス成分に
対して常に優れた分散性ならびに高導電性能を付与する
ことができる高品位の導電性無電解めっき粉末を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による導電性無電解めっき粉体は、実質的に
球状粒子であって、平均粒子径が１〜３０μm の範囲に
あり、平均粒子径±２０％範囲の粒分比率が７０％以上
を占め、かつ平均粒子径±２０％範囲を外れた粒分のう
ち微細側の粒分比率が１０％以下の粒子性状を備える樹
脂粉末を基材とし、該基材表面に無電解めっき法により
金属被膜を形成してなることを構成上の特徴とする。

【０００９】本発明において、無電解めっき基材として
使用する樹脂の種類には格別の制約はない。使用可能な
樹脂類としては、例えばポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン
等のポリオレフィン、スチレン−アクリロニトリルコポ
リマー、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンター
ポリマー等のオレフィンコポリマー、ポリアクリレー
ト、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリルアミド等
のアクリル酸誘導体、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアル
コール等のポリビニル化合物、ポリアセタール、ポリエ
チレングリコール、ポリプロピレングリコール、エポキ
シ樹脂等のエーテルポリマー、ベンゾグアナミン、尿
素、チオ尿素、メラミン、アセトグアナミン、ジシアン
アミド、アニリン等のアミノ化合物とホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グリオ
キザールのようなアルデヒド類とからなるアミノ系樹
脂、ポリウレタン、ポリエステル、含弗素樹脂、ニトリ
ル系樹脂などを挙げることができる。しかし、これらの
中では例えばベンゾグアナミン・ホルムアルデヒド樹脂
またはベンゾグアナミン・メラミン・ホルムアルデヒド
樹脂などのベンゾグアナミン系樹脂、もしくはポリスチ
レン樹脂に代表されるスチレン系樹脂が好適に用いられ
る。

【００１０】このうちベンゾグアナミン系樹脂は、特公
昭４６−９４２０号公報、特公昭５２−２７６７９号公
報、特開昭５２−１６５９４号公報または特開昭５２−
５１４９３号公報に開示されている方法によって製造す
ることができる。具体的には、ベンゾグアナミンもしく
はベンゾグアナミンとメラミンとからなる混合物を例え
ばホルマリンに添加してｐＨを５〜１０に調整し、５０
〜１００℃の温度で反応生成物が疎水化するまで反応さ
せ、反応終了後に適当な保護コロイド溶液を反応生成物
１００重量部に対して１〜３０重量部の量比で撹拌下に
加えて乳化させ、次いで重合触媒の存在下に５０〜１０
０℃の温度で乳化状態で重合硬化させる方法により微細
かつ実質的に球状の粒子として得ることができる。

【００１１】一方、スチレン系樹脂はスチレンを主体と
する重合体であるが、スチレンと少量の多官能性単量体
との共重合による架橋重合体であってもよい。スチレン
と共重合可能な単量体としては、アクリル酸エステル、
メタクリル酸エステル、不飽和カルボン酸、アクリロニ
トリル、プタジエンなどが挙げられる。共重合して架橋
重合体を形成する多官能性単量体は、例えばジビニベン
ゼン、多価アルコールのジまたはトリ（メタ）アクリル
酸エステルなどである。これらの単量体、ラジカル重合
開始剤および懸濁安定剤を添加した混合液を加熱下で撹
拌することにより微細で実質的に球状のスチレン系樹脂
粉末を得ることができる。

【００１２】上記の樹脂基材は、粒子形状として実質的
に球状の粉末が用いられる。実質的に球状とは、完全な
球形のほか、楕円形のような球形に近い形状を含むこと
を意味し、好ましくはワーデルの球形度として０．５〜
１．０の範囲にある球状形態を呈する粉末が対象とな
る。ワーデルの球形度とは、粒子の球形度を（粒子の投
影面積に等しい円の直径）／（粒子の投影像に外接する
最小円の直径）で測定される指数で、この指数が１．０
に近似するほど真球体に近い粒子であることを示す。こ
の球形度が０．５未満では粉末形状が鋭利な突片を呈す
ることが多く、めっき被膜の密着性を損ねたり分散性を
減退させる原因となる。

【００１３】樹脂基材の粒子性状としては、平均粒子径
が１〜３０μm の範囲にあり、平均粒子径±２０％範囲
の粒分容積比率が７０％以上を占め、かつ平均粒子径±
２０％範囲を外れた粒分のうち微細側の粒分容積比率が
１０％以下のものが選択使用される。

【００１４】平均粒子径を１〜３０μm の範囲に限定す
る理由は、平均粒子径が１μm 未満の超微細粒子を得る
ことは実質的に困難であり、また３０μm を越えると比
表面積が低下して導電性能を減退させるからである。よ
り好ましい平均粒子径の範囲は、５〜１０μm である。
この平均粒子径に対し±２０％の粒子径範囲における粒
分容積比率が７０％を下回ると粒度分布がブロード化し
て均一な分散性を損ね、また平均粒子径±２０％範囲を
外れた粒分のうち微細側の粒分容積比率が１０％を越え
ると微細粒子が増加して無電解めっき工程中での凝集が
生じ易くなり、結果的にめっき層を密着性や分散性を低
下させる要因となる。より好ましい粒度分布は、平均粒
子径±２０％範囲の粒分容積比率が９０％以上で、平均
粒子径±２０％範囲を外れた粒分のうち微細側の粒分容
積比率が１％以下である。

【００１５】上記の粒子性状を備える樹脂基材には、表
面に無電解メッキ法による金属被膜が形成される。被覆
する金属は、無電解めっき操作が可能な導電性金属、例
えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ
などが対象となり、これら金属は合金であってもよく、
２種以上の複層被覆であってもよい。しかし、本発明の
目的には、金属被膜がＮｉ被膜またはＮｉ−Ａｕ複層被
膜であることが好ましい。Ｎｉ被膜は基材樹脂粒子と強
固に密着して耐剥離性の良好な無電解めっき層を形成す
ることができるうえ、その上面にＡｕを複層形成するよ
うな場合に上層のめっき被膜層との強固な結合性を確保
する中間層として有効に機能する有利性がある。また、
Ｎｉ−Ａｕ複層被膜にすると、単独被膜に比べて導電性
能を一層向上させることができる。形成する無電解めっ
き層の好ましい膜厚は、単層被膜では１０〜２００nm、
複層被膜では１０〜３００nmの範囲であるが、これに制
限されるものではない。

【００１６】本発明に係る導電性無電解めっき粉体は、
実質的に球状で特定の粒子性状を備える樹脂粉末を基材
とし、該基材の表面にパラジウムイオンを捕捉させたの
ち、これを還元してパラジウムを基材面に担持させる触
媒化処理工程と、触媒化処理を施した基材の水性スラリ
ーに錯化剤を添加して十分に分散させ、ついで金属無電
解めっき液を少なくとも２液に分別添加して金属被膜を
形成する無電解めっき工程を施すことによって製造する
ことができる。また、複層被膜を形成するには、前記の
工程で金属被膜を形成した基材を対象に他の金属無電解
めっきを施し、初期金属めっき層の上面に他の金属被膜
を被膜する方法が採られている。

【００１７】無電解めっき法の具体的手段は、次のよう
に行われる。まず、基材となる基材樹脂粒子の表面に触
媒捕捉能を付与する改質処理を行う。触媒捕捉能とは、
触媒化処理工程において基材表面がパラジウムイオンを
キレートまたは塩として捕捉しうる機能であり、改質化
は特開昭６１−６４８８２号公報記載の方法、すなわち
アミノ基置換オルガノシラン系カップリング剤やアミン
系硬化剤により硬化するエポキシ系樹脂を用いて行うこ
とができる。

【００１８】触媒化処理工程は、改質化により触媒捕捉
能を付与した基材を塩化パラジウムの希薄な酸性水溶液
に十分に分散させて表面上にパラジウムイオンを捕捉さ
せ、ついで捕捉させたパラジウムイオンを還元処理して
基材粒子の表面にパラジウムを担持させる方法で行われ
る。この際、塩化パラジウム水溶液の濃度は、０．０５
〜１g/l の範囲とし、還元剤には次亜リン酸ナトリウ
ム、水酸化ほう素ナトリウム、水素化ほう素カリウム、
ジメチルアミンボラン、ヒドラジンまたはホルマリンな
どが用いられる。還元剤の添加量は基材の粒径により異
なるが、概ね水溶液に対して０．０１〜１０g/l g/l の
範囲が適当である。

【００１９】無電解めっき工程は、第１段として触媒化
処理を施した基材粒子を水に十分均一に分散し、分散濃
度が２〜５００g/l 、好ましくは５〜３００g/l の水性
スラリーを調製する。分散操作には、通常撹拌、高速撹
拌あるいはコロイドミルまたはホモジナイザーのような
剪断分散装置を用いて行うことができる。ついで水性ス
ラリーに錯化剤を添加して十分に分散させる。錯化剤と
しては、例えばクエン酸、ヒドロキシ酢酸、酒石酸、リ
ンゴ酸、乳酸、グルコン酸またはそのアルカリ金属塩や
アンモニウム塩などのカルボン酸（塩）、グリシンなど
のアミノ酸、エチレンジアミン、アルキルアミンなどの
アミン酸、その他のアンモニウム、ＥＤＴＡ、ピロリン
酸（塩）など、金属イオンに対し錯化作用のある化合物
の少なくとも１種が用いられる。錯化剤は通常水溶液の
状態で添加されるが、その濃度は１〜１００g/l 、好ま
しくは５〜５０g/l の範囲に設定する。この段階での好
ましい水性スラリーのｐＨは、４〜１４の範囲である。

【００２０】このようにして調製した水性スラリーに、
無電解めっき液として金属塩、次亜リン酸ナトリウムお
よび水酸化ナトリウムの各水溶液を、少なくとも２液に
してそれぞれ個別かつ同時に分別添加することにより無
電解めっき反応を行う。水性スラリーに無電解めっき液
を添加すると速やかにめっき反応が始まるが、その添加
量を調整することにより形成される金属被膜を所望の膜
厚に制御することができる。無電解めっき液の添加終了
後、水素ガスの発生が完全に認められなくなってから暫
く液温を保持しながら撹拌を継続して反応を完結させ
る。

【００２１】上記の工程により金属被膜が濃密で連続的
薄膜として形成されるが、さらにその表面に他の金属め
っき処理を施すことにより、一層導電性能に優れる複層
被膜を形成することができる。例えばＡｕ被膜の形成に
おいては、ＥＤＴＡ−４Ｎａ、クエン酸−２Ｎａのよう
な錯化剤およびシアン化金カリウムに水酸化ナトリウム
水溶液でｐＨを弱酸性領域に調整した加温無電解めっき
液に、前記めっき粉末を撹拌しながら添加して分散懸濁
液としたのち、シアン化金カリウム、ＥＤＴＡ−４Ｎａ
およびクエン酸−２Ｎａの混合水溶液と、水素化ほう素
カリウム、水酸化ナトリウムの混合水溶液を別個に添加
してめっき反応させる操作によって行われる。以下、同
様に常法により後処理することにより製品として回収す
る。

【００２２】このようにして無電解めっき法により金属
被覆が施された導電性無電解めっき粉体は、被覆金属層
が緻密で連続性の薄膜として形成されているため、その
粒子性状は基材樹脂粒子に比べて僅かに粒径が大きくな
る程度で、粒度分布等に実質的に相違をもたらすことは
ない。

【００２３】

【作用】本発明は、導電性金属を無電解めっきする基材
となる樹脂粉末として、粒子形態が実質的に球状を呈
し、平均粒子径が１〜３０μm の範囲にあり、平均粒子
径±２０％範囲の粒分容積比率が７０％以上を占め、か
つ平均粒子径±２０％範囲を外れた粒分のうち微細側の
粒分容積比率が１０％以下の粒子性状を備えるものを選
択使用した点に主要な特徴がある。

【００２４】このうち、実質的に球状の粒子形態は優れ
た流動性があり、個々の粒子相互が凝集化する現象を防
止するとともに均一なめっき層を形成するために有効に
機能する。平均粒子径１〜３０μm の範囲は、比表面積
が大きな微細粒子として無電解めっき粉体をマトリック
スに分散複合させた際に導電性能を高めるために寄与す
る。平均粒子径±２０％範囲の粒分容積比率が７０％以
上を占め、かつ平均粒子径±２０％範囲を外れた粒分の
うち微細側の粒分容積比率が１０％以下の限定は、粒度
分布がシャープで凝集化を促進する微細粒分が相対的に
少ない粒子性状であり、無電解めっき金属の密着性を高
めると同時にめっき粉体の分散性を著しく改善する作用
を営む。このような作用が相俟って、マトリックス材料
に対して常に分散性よく配合でき、かつ高導電性能の付
与ができる無電解めっき粉体を提供することが可能とな
る。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具
体的に説明する。

【００２６】実施例１〜５、比較例１〜４ (1) 基材樹脂粉末；基材として、ワーデルの球形度が
０．５以上の実質的に球状の粉末であって、表１に示す
粒子性状のベンゾグアナミン・ホルムアルデヒド樹脂
（ＢＡ）、ベンゾグアナミン・メラミン・ホルムアルデ
ヒド樹脂（ＢＭＡ）およびポリスチレン樹脂（ＰＳ）を
用いた。

【００２７】

【表１】 〔表注〕ＢＡ；ベンゾグアナミン・ホルムアルデヒド樹脂、ＢＭＡ；ベンゾグア ナミン・メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、ＰＳ；ポリスチレン樹脂。

【００２８】(2) Ｎｉ無電解めっき処理；表１の各基材
樹脂粉末１０g を、コンディショナー液〔シプレイ
製、”クリーナーコンディショナー２３１”〕４０ml/l
水溶液２００mlに撹拌しながら投入し、引き続き５分間
撹拌処理して表面改質を行った。水溶液を濾過し、１回
リパルブ水洗した基材樹脂粉末を常温の１g/l 塩化第一
錫水溶液２００mlに５分間浸漬し、濾過・洗浄して増感
処理を施した。ついで、０．１ml/l塩化パラジウム水溶
液および０．１ml/lの塩酸からなる触媒化液２００mlに
撹拌しながら投入し、引き続き５分間撹拌処理してパラ
ジウムイオンを捕捉させた。水溶液を濾過し、１回リパ
イブ水洗した基材粉体を、常温の１g/l 次亜リン酸ナト
リウム水溶液に５分間浸漬して還元処理を施し、基材表
面にパラジウムを担持させた。基材を６５℃の温度に加
温した表２に示す各錯化剤水溶液に撹拌しながら添加
し、十分に撹拌分散させて水性スラリーを調製したの
ち、表３に示すＮｉ無電解めっき液をａ液とｂ液に分け
て各々８０mlを５ml／分の添加速度で撹拌しながら同時
に添加した。

【００２９】

【表２】

【００３０】

【表３】

【００３１】Ｎｉ無電解めっき液の全量を添加後、水素
の発泡が停止するまで６５℃の温度を保持しながら撹拌
を継続した。ついで、めっき液を濾過し、濾過物を３回
リパルブ洗浄したのち、真空乾燥機で１００℃で乾燥し
てＮｉ被膜を有する粉末を得た。めっき反応後の濾液は
いずれも無色透明であり、供しためっき液は完全にめっ
き反応に消費されたことが認められた。得られたＮｉ無
電解めっき粒子につき、電子顕微鏡で観察したところ、
凝集粒子が殆ど存在しない独立した粒子であって、いず
れも微細なＮｉ金属粒子による均質で平滑な被覆層を呈
する実質的に球状粒子であり、めっき被膜が濃密で連続
的被膜として形成されていることが確認された。

【００３２】(3) Ａｕ無電解めっき処理；上記の工程で
得られたＮｉ無電解めっき粒子１０．０ｇを、ＥＤＴＡ
−４Ｎａ(10g/l) 、クエン酸−２Ｎａ(10g/l) およびシ
アン化金カリウム(3.0g/l 、Ａｕとして2.1g/l）からな
る組成で水酸化ナトリウム水溶液によりｐＨ６に調整し
た液温６０℃の無電解めっき液（Ａ液）に撹拌しながら
添加し、１０分間Ａｕめっき処理を施した。ついで、シ
アン化金カリウム(10g/l、Ａｕとして6.8g/l) 、ＥＤＴ
Ａ−４Ｎａ(10g/l) およびクエン酸−２Ｎａ(10g/l) の
混合水溶液（Ｂ液）と、水素化ほう素カリウム(30g/l)
、水酸化ナトリウム(60g/l) の混合水溶液（Ｃ液）を
送液ポンプを通して個別かつ同時に２０分間で添加し
た。この際のＡ液量、Ｂ液量およびＣ液量は、表４に示
す量比に設定した。

【００３３】

【表４】

【００３４】引き続き、液を濾過し、濾過物を３回リパ
ルブ洗浄した後、熱風乾燥機で１００℃の温度で乾燥し
てＮｉ被膜上にＡｕ無電解めっき被覆処理を施し、基材
面にＮｉ−Ａｕの複層被膜を形成した。図１は実施例２
により得られたＮｉ−Ａｕの複層被膜による導電性無電
解めっき粉体（平均粒径；4.84μm)の粒子構造を示した
電子顕微鏡写真（倍率；約330 倍) であり、図２は比較
例４により得られたＮｉ−Ａｕの複層被膜による導電性
無電解めっき粉体（平均粒径； 9.8μm)の粒子構造を示
した電子顕微鏡写真（倍率；約330 倍) である。

【００３５】(3) 物性評価；このようにして得られた導
電性無電解めっき粉体の平均粒径、Ｎｉ無電解めっき処
理後のＮｉ被膜の膜厚および導電性、分散性、耐剥離
性、Ｎｉ−Ａｕ複層被膜の膜厚および導電性、分散性、
耐剥離性をそれぞれ測定評価し、その結果を表５および
表６に示した。なお、各物性評価は次の方法によって行
った。

【００３６】めっき粉体の平均粒子径の測定；コール
ターカウンター法およびレーザー回析法により測定し
た。 めっき膜厚の算出；めっき膜厚は下式により算出し
た。 但し、r は基材粒子の半径 (μm)、t はめっき膜厚 (μ
m)、d₁はめっき膜の比重、d₂は基材粒子の比重である。 導電性の測定；めっき粉末１．５g を垂直に立てた内
径１０mmの樹脂製円筒内に入れ、５kgの荷重をかけた状
態で上下電極間の電気抵抗を測定する方法で行った。

【００３７】分散性の測定；めっき粉末０．１g を１
００mlのビーカーに入れ、トルエン５０mlを加え、ミク
ロスパーテルでかき混ぜながら、１分間超音波洗浄機
〔本多電子（株）製、28kHz,100W）で処理する。処理し
たスラリーを、ミクロスパーテルで取り出し、スライド
ガラス上に直径１cmとなる程度に広げる。スライドガラ
スを金属顕微鏡（オリンパス製、５００倍）の台にセッ
トし、透過光を照射してから１分後の様子を撮影する。
評価方法は、上記方法で撮影した写真２０視野で平均粒
子径の縦・横方向で５倍以上の大きさでめっき粒子が凝
集している数を計測し、下記の基準で評価判定する。 ５個以下…◎、 ５〜１０個…○、 １０個以上…×

【００３８】密着性の測定；めっき粉末２．２ｇ、ジ
ルコニアビーズ９０g を１００mlのマヨネーズビンに入
れ、ホールピペットでトルエン１０mlを加える。撹拌機
（スリーワンモーター）で１０分間４００rpm で１０分
間撹拌する。終了後、ピペットで試料溶液を吸い上げ、
スライド上に直径約１cmになるように広げる。トルエン
が蒸発してから、分散剤を１滴たらし、スパチラで均一
に広げる。金属顕微鏡で観察し、５視野透過撮影（５０
０倍）し、最もめっき層剥離の激しい視野を観察し、そ
の剥離数から下記の判定基準で評価する。 ２個以下…◎、 ２〜１０個…○、 １０個以上…×

【００３９】比較例５ 比較例１で作製した無電解めっき粉体を、アルミナボー
ルを入れたボールミル中で基材粒子とほぼ同等の粒子分
布を示すまで乾式粉砕を行い、粉体の性状を測定評価
し、表５および表６に併載した。

【００４０】

【表５】

【００４１】

【表６】

【００４２】表５および表６の結果から、実施例による
導電性無電解めっき粉体は本発明の要件を外れる比較例
に比べて導電性、分散性、密着性ともに優れており、特
に分散性が著しく改善されていることが認められる。

【００４３】実施例６ (1) Ａｇ無電解めっき処理；表１に示した実施例１と同
一のベンゾグアナミン・ホルムアルデヒド樹脂粉末を基
材とし、この樹脂粉末１０g をコンディショナー液〔シ
プレイ製、”クリーナーコンディショナー２３１”〕４
０ml/l水溶液２００mlに撹拌しながら投入し、引き続き
５分間撹拌処理して表面改質を行った。水溶液を濾過
し、１回リパルプ水洗した基材粉末を常温の１g/l 塩化
第一錫水溶液２００mlに５分間浸漬し、濾過・洗浄して
増感処理を施した。次いで、０．１ml/l塩化パラジウム
水溶液および０．１ml/lの塩酸からなる触媒化液２００
mlに撹拌しながら投入し、引き続き５分間撹拌処理して
パラジウムイオンを捕捉させた。水溶液を濾過し、１回
リパルブ水洗した基材粉末を、常温の１g/l 次亜リン酸
ナトリウム水溶液に５分間浸漬して還元処理を施し、基
材表面にパラジウムを担持させた。次いで、水酸化ナト
リウムおよびシアン化ナトリウム各４g/l を含む液を８
０℃に加温した液中に分散させ、実施例１と同様にして
表７に示すＡｇ無電解めっき液をａ液とｂ液に分けて各
々８０mlを５ml／分の添加速度で撹拌しながら同時に添
加した。

【００４４】

【表７】

【００４５】Ａｇ無電解めっき液の全量を添加したの
ち、水素の発泡が停止するまで６５℃の温度を保持しな
がら撹拌を継続した。ついで、めっき液を濾過し、濾過
物を３回リパルプ洗浄し、真空乾燥機で１００℃で乾燥
してＡｇ被膜を有する粉末を得た。めっき反応後の濾液
はいずれも無色透明であり、供しためっき液は完全にめ
っき反応に消費されたことが認められた。得られたＡｇ
無電解めっき粒子につき、電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、いずれも微細なＡｇ金属粒子による均質で平滑な被
覆層を呈する球状粒子であり、めっき被膜が濃密で実質
的に連続被膜として形成されていることが確認された。

【００４６】(2) Ａｕ無電解めっき処理；上記(1) の工
程で得られたＡｇ無電解銀めっき処理粉体に対し、実施
例１と同一操作で無電解Ａｕめっき処理を行った。

【００４７】このようにして得られたＡｇ−Ａｕ複層被
膜を有する導電性無電解めっき粉体を実施例１と同様に
して各種の物性を評価し、その結果を表８に示した。

【００４８】実施例７ 基材樹脂粉末を実施例２と同一のベンゾグアナミン・ホ
ルムアルデヒド樹脂に代え、その他は実施例６と同一の
操作によりＡｇ−Ａｕ複層被膜を有する導電性無電解め
っき粉体を作製した。この導電性無電解めっき粉体を実
施例１と同様にして各種の物性を評価し、その結果を表
８に併載した。

【００４９】比較例６ 基材として、平均粒子径９．６μm 、平均粒子径±２０
％範囲の粒分容積比率が４４．７％、平均粒子径±２０
％範囲を外れた粒分のうち微細側の粒分容積比率が２
５．６％の実質的に球状のベンゾグアナミン・メラミン
・ホルムアルデヒド樹脂粉末を用い、実施例６と同一の
操作によりＡｇ−Ａｕ複層被膜を有する導電性無電解め
っき粉体を作製した。この導電性無電解めっき粉体を実
施例１と同様にして各種の物性を評価し、その結果を表
８に併載した。

【００５０】

【表８】

【００５１】

【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば基材とし
て実質的に球状であって、粒度分布がシャープな特定範
囲の微粒子樹脂粉末を用いて表面に無電解金属めっき層
を被覆することにより、緻密で連続的なめっき層が密着
性よく被着し、かつ複合マトリックス材料に対する分散
性に優れる導電性無電解めっき粉体を提供することが可
能となる。したがって、例えば液晶ディスプレーパネル
用の精密導電材のような高度の導電性能が要求される用
途に極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例２により得られたＮｉ−Ａｕの複層被膜
による導電性無電解めっき粉体（平均粒径；4.84μm)の
粒子構造を示した電子顕微鏡写真（倍率；約330 倍) で
ある。

【図２】比較例４により得られたＮｉ−Ａｕの複層被膜
による導電性無電解めっき粉体（平均粒径； 9.8μm)の
粒子構造を示した電子顕微鏡写真（倍率；約330 倍) で
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２３Ｃ 18/52 Ｃ２３Ｃ 18/52 Ｂ Ｃ０８Ｌ 25:00 61:28

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 実質的に球状粒子であって、平均粒子径
   が１〜３０μm の範囲にあり、平均粒子径±２０％範囲
   の粒分容積比率が７０％以上を占め、かつ平均粒子径±
   ２０％範囲を外れた粒分のうち微細側の粒分容積比率が
   １０％以下の粒子性状を備える樹脂粉末を基材とし、該
   基材表面に無電解めっき法により金属被膜を形成してな
   ることを特徴とする導電性無電解めっき粉末。
2. 【請求項２】 基材となる樹脂が、ベンゾグアナミン系
   樹脂である請求項１記載の導電性無電解めっき粉体。
3. 【請求項３】 基材となる樹脂が、スチレン系樹脂であ
   る請求項１記載の導電性無電解めっき粉体。
4. 【請求項４】 金属被膜が、膜厚１０〜２００nmのＮｉ
   被膜である請求項１、２又は３記載の導電性無電解めっ
   き粉体。
5. 【請求項５】 金属被膜が、膜厚１０〜３００nmのＮｉ
   −Ａｕ複層被膜である請求項１、２又は３記載の導電性
   無電解めっき粉体。