JPH08292451A - 液晶アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法およびこの方法で得られたスクリーン板 - Google Patents
液晶アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法およびこの方法で得られたスクリーン板Info
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- JPH08292451A JPH08292451A JP10051096A JP10051096A JPH08292451A JP H08292451 A JPH08292451 A JP H08292451A JP 10051096 A JP10051096 A JP 10051096A JP 10051096 A JP10051096 A JP 10051096A JP H08292451 A JPH08292451 A JP H08292451A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】液晶アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・
スクリーン板の製造法およびこの方法で得られたスクリ
ーン板。 【解決手段】 本発明の方法は、画素と、アドレス行お
よび列（１２２）と、制御トランジスタとを構成する第
一ブロックをスクリーン板（１２４）へ形成し、列、
行、およびトランジスタを電気的に絶縁し、次に、画素
を構成する第二ブロック（１５８）を形成する。第二ブ
ロックは第一ブロック（１２４）を被覆し、第一ブロッ
クよりも大きい。
スクリーン板の製造法およびこの方法で得られたスクリ
ーン板。 【解決手段】 本発明の方法は、画素と、アドレス行お
よび列（１２２）と、制御トランジスタとを構成する第
一ブロックをスクリーン板（１２４）へ形成し、列、
行、およびトランジスタを電気的に絶縁し、次に、画素
を構成する第二ブロック（１５８）を形成する。第二ブ
ロックは第一ブロック（１２４）を被覆し、第一ブロッ
クよりも大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶アクティブ・
マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法およ
びこの方法で得られたスクリーン板に関する。
マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法およ
びこの方法で得られたスクリーン板に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、特に、この発明のスクリーン
板を補強板と合わせてスクリーンの主な平面を形成する
ディスプレイ・セルの製造に用いられる。このようなス
クリーンは、たとえばコンピュータ端末のディスプレイ
・スクリーンまたは投影スクリーンとして用いることが
できる。
板を補強板と合わせてスクリーンの主な平面を形成する
ディスプレイ・セルの製造に用いられる。このようなス
クリーンは、たとえばコンピュータ端末のディスプレイ
・スクリーンまたは投影スクリーンとして用いることが
できる。
【０００３】液晶ディスプレイ・スクリーンの二つの板
は、一般に、互いに離れて保持され、液晶を満たしたセ
ルの壁を構成する。
は、一般に、互いに離れて保持され、液晶を満たしたセ
ルの壁を構成する。
【０００４】スクリーン板の間に封入する液晶層は、画
像を形成するために部分的に変えることができる光学特
性を有する。光学特性を部分的に変えるには、各スクリ
ーン板にそれぞれ配置され、互いにコンデンサを形成す
る導体板の間に一定の電圧を印加すればよい。導体板の
間のスペースを満たす液晶は、各コンデンサの誘電体を
構成する。アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・ス
クリーンは、複数の画素を含み、各画素は上記の型のコ
ンデンサを少なくとも一つ含み、また好適にはＴＦＴ
（Thin Film Transistor）として知られる薄膜技術から
なる制御トランジスタを少なくとも一つ含む。このよう
なスクリーンでは、平らなスクリーン面全体に配分され
る画素のコンデンサから主として形成される電子メモリ
ーが、一画像の間中ビデオ信号を記憶し、各画素のコン
デンサの導体板の間に配置される液晶は、画素の分極に
より励起される。
像を形成するために部分的に変えることができる光学特
性を有する。光学特性を部分的に変えるには、各スクリ
ーン板にそれぞれ配置され、互いにコンデンサを形成す
る導体板の間に一定の電圧を印加すればよい。導体板の
間のスペースを満たす液晶は、各コンデンサの誘電体を
構成する。アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・ス
クリーンは、複数の画素を含み、各画素は上記の型のコ
ンデンサを少なくとも一つ含み、また好適にはＴＦＴ
（Thin Film Transistor）として知られる薄膜技術から
なる制御トランジスタを少なくとも一つ含む。このよう
なスクリーンでは、平らなスクリーン面全体に配分され
る画素のコンデンサから主として形成される電子メモリ
ーが、一画像の間中ビデオ信号を記憶し、各画素のコン
デンサの導体板の間に配置される液晶は、画素の分極に
より励起される。
【０００５】たとえばフランス特許出願Ａ−２６７９０
５７号（１）に記載されているようなディスプレイ・ス
クリーンの従来の構造では、スクリーンの複数の板の一
つは、ガラス板などの透明基板上に複数の導体板を含
み、この導体板は行と列に配置され、補強板の一つまた
は複数の電極支持体とアクティブ・マトリクスのコンデ
ンサを形成する。
５７号（１）に記載されているようなディスプレイ・ス
クリーンの従来の構造では、スクリーンの複数の板の一
つは、ガラス板などの透明基板上に複数の導体板を含
み、この導体板は行と列に配置され、補強板の一つまた
は複数の電極支持体とアクティブ・マトリクスのコンデ
ンサを形成する。
【０００６】それぞれ画素に結合するＴＦＴ型のトラン
ジスタは、それぞれ画素の導体板に接続される第一チャ
ンネル電極たとえばドレインと、アドレス列に接続され
る第二チャンネル電極たとえばソースとを含む。
ジスタは、それぞれ画素の導体板に接続される第一チャ
ンネル電極たとえばドレインと、アドレス列に接続され
る第二チャンネル電極たとえばソースとを含む。
【０００７】図１〜７は、従来型のディスプレイ・スク
リーンのアクティブ・マトリクスの構造および実施例を
示す。
リーンのアクティブ・マトリクスの構造および実施例を
示す。
【０００８】図１に断面で示された第一操作では、まず
初めにガラス基板１０上にいわゆる「黒グリッド」と呼
ばれる光学マスク１２を形成する。この光学マスクは、
たとえばクローム製で、アクティブ・マトリクスの制御
トランジスタを周囲の光から守り、それというのもこの
光はトランジスタ内に妨害光電流を引き起こし、またデ
ィスプレイ・スクリーンの機能を妨げることがあるから
である。図１の構造の上面図である図２が示すように、
マスク１２は開口部１４を含む。開口部は、アクティブ
・マトリクスの画素の導体板の場所にほぼ一致する。
初めにガラス基板１０上にいわゆる「黒グリッド」と呼
ばれる光学マスク１２を形成する。この光学マスクは、
たとえばクローム製で、アクティブ・マトリクスの制御
トランジスタを周囲の光から守り、それというのもこの
光はトランジスタ内に妨害光電流を引き起こし、またデ
ィスプレイ・スクリーンの機能を妨げることがあるから
である。図１の構造の上面図である図２が示すように、
マスク１２は開口部１４を含む。開口部は、アクティブ
・マトリクスの画素の導体板の場所にほぼ一致する。
【０００９】図３からわかるように第一パッシベーショ
ン層１８を形成した後で、板全体に透明な導電性材料た
とえばインジウム−スズのＩＴＯ層２０を形成する。
ン層１８を形成した後で、板全体に透明な導電性材料た
とえばインジウム−スズのＩＴＯ層２０を形成する。
【００１０】エッチングマスク（図示されていない）を
用いて、アドレス列２２と画素の導体板２４とに対応す
る導体パターンを金属層２０に形成する。図４に示すよ
うに、導体板２４は光学マスク１２の開口部１４とほぼ
揃っているが、アドレス列２２は、マスクの不透明部分
と一致している。マスク１２の開口部１４の端と、アド
レス列２２の最も近い端とを隔てる距離をＲで示す。
用いて、アドレス列２２と画素の導体板２４とに対応す
る導体パターンを金属層２０に形成する。図４に示すよ
うに、導体板２４は光学マスク１２の開口部１４とほぼ
揃っているが、アドレス列２２は、マスクの不透明部分
と一致している。マスク１２の開口部１４の端と、アド
レス列２２の最も近い端とを隔てる距離をＲで示す。
【００１１】さらに、導体板２４と光学マスク１２の間
を薄く被覆することができる。この被覆は、画素に入力
されるビデオ信号の補助記憶コンデンサを構成する。コ
ンデンサの導体板の面積は狭いが、パッシベーション層
１８によって優れた誘電体が形成される。
を薄く被覆することができる。この被覆は、画素に入力
されるビデオ信号の補助記憶コンデンサを構成する。コ
ンデンサの導体板の面積は狭いが、パッシベーション層
１８によって優れた誘電体が形成される。
【００１２】実際、層１８は、一般に液晶よりも電気的
絶縁性が良い材料からなる。従って画素に加えられる画
像信号は、一方で、画素の導体板２４によって形成され
るコンデンサと補強板（図示されていない）の電極支持
体とに記憶され、他方で、導体板２４の周辺部によって
形成されるコンデンサと光学マスク１２とに記憶され、
このため光学マスクは、補強板の電極支持体（図示され
ていない）と比べて一定のポテンシャルに接続されてい
る。
絶縁性が良い材料からなる。従って画素に加えられる画
像信号は、一方で、画素の導体板２４によって形成され
るコンデンサと補強板（図示されていない）の電極支持
体とに記憶され、他方で、導体板２４の周辺部によって
形成されるコンデンサと光学マスク１２とに記憶され、
このため光学マスクは、補強板の電極支持体（図示され
ていない）と比べて一定のポテンシャルに接続されてい
る。
【００１３】画素の導体板２４とマスク１２の被覆は図
５に示されているが、これは図４の構造の上面図であ
る。
５に示されているが、これは図４の構造の上面図であ
る。
【００１４】図５からわかるように、導体板２４は突出
部２６を備え、列２２に結合する肘形部２８を形成する
トラックが各突出部２６を囲んでいる。
部２６を備え、列２２に結合する肘形部２８を形成する
トラックが各突出部２６を囲んでいる。
【００１５】図６に示されたＴＦＴ型のトランジスタ３
０は列２２と導体板２４との間に形成されている。列２
２と導体板２４はそれぞれチャンネル電極すなわちドレ
インとソースを形成し、またトランジスタ３０を形成す
る。トランジスタ３０は、たとえば水素添加したアモル
ファスシリコンなどの半導体層３２と、窒化ケイ素など
の絶縁層３４と、アルミニウムなどの導電層３６とを次
々と重ねて形成される。これらの層は、図６の構造の上
面図である図７からわかるように、エッチングされて同
様にアドレス行３８を形成する。トランジスタ３０は、
列２２および導体板２４の突出部２６と、行３８との交
点に形成される。このようなスクリーンのさらに詳しい
説明は、たとえば上記の文献（１）を参照することがで
きる。
０は列２２と導体板２４との間に形成されている。列２
２と導体板２４はそれぞれチャンネル電極すなわちドレ
インとソースを形成し、またトランジスタ３０を形成す
る。トランジスタ３０は、たとえば水素添加したアモル
ファスシリコンなどの半導体層３２と、窒化ケイ素など
の絶縁層３４と、アルミニウムなどの導電層３６とを次
々と重ねて形成される。これらの層は、図６の構造の上
面図である図７からわかるように、エッチングされて同
様にアドレス行３８を形成する。トランジスタ３０は、
列２２および導体板２４の突出部２６と、行３８との交
点に形成される。このようなスクリーンのさらに詳しい
説明は、たとえば上記の文献（１）を参照することがで
きる。
【００１６】こうしたディスプレイ・スクリーンの輝度
または明度を改善するための一つの方法は、画素の面積
をスクリーン全体の面積よりも大きくすることにある。
ディスプレイ・スクリーンが光学マスクを含んでいる場
合は、このマスクの開口部の寸法を大きくすればよい。
このため以下の説明では、全体の面積に対するマスク１
４の開口部の面積の比を開口率で示す。
または明度を改善するための一つの方法は、画素の面積
をスクリーン全体の面積よりも大きくすることにある。
ディスプレイ・スクリーンが光学マスクを含んでいる場
合は、このマスクの開口部の寸法を大きくすればよい。
このため以下の説明では、全体の面積に対するマスク１
４の開口部の面積の比を開口率で示す。
【００１７】ディスプレイ・スクリーンの開口率の主な
制限は、導体板とアドレス列のトラックとの形成に関す
る。
制限は、導体板とアドレス列のトラックとの形成に関す
る。
【００１８】事実、列２２と画素の導体板２４とをエッ
チングする場合、この部分が物理的に分離するという問
題が生じる。列と導体板とを物理的かつ電気的に適切に
分離してスクリーン板の製造効率を高めるためには、双
方の間に開けるスペースを大きくしておくことが必要で
ある。たとえば対角線が２５０ｍｍ型のスクリーンで
は、アドレス列と画素の導体板との間に、一般に８μｍ
のスペースが開けられている。対角線が９４ｍｍ型のス
クリーンでは、この間隔はまだ６μｍである。
チングする場合、この部分が物理的に分離するという問
題が生じる。列と導体板とを物理的かつ電気的に適切に
分離してスクリーン板の製造効率を高めるためには、双
方の間に開けるスペースを大きくしておくことが必要で
ある。たとえば対角線が２５０ｍｍ型のスクリーンで
は、アドレス列と画素の導体板との間に、一般に８μｍ
のスペースが開けられている。対角線が９４ｍｍ型のス
クリーンでは、この間隔はまだ６μｍである。
【００１９】画素の導体板とアドレス列との間に必要な
スペースにより、導体板の相対的な寸法を大きくするこ
とはできないので、従ってスクリーンの開口率を上げる
こともできない。
スペースにより、導体板の相対的な寸法を大きくするこ
とはできないので、従ってスクリーンの開口率を上げる
こともできない。
【００２０】ディスプレイ・スクリーンの開口率のもう
一つの制限は、これらが光学マスクを備える場合、光学
マスクに対する画素の導体板とアドレス列とを揃える精
度に関するものである。このアラインメント精度は一般
に約２．５μｍである。
一つの制限は、これらが光学マスクを備える場合、光学
マスクに対する画素の導体板とアドレス列とを揃える精
度に関するものである。このアラインメント精度は一般
に約２．５μｍである。
【００２１】さらにもう一つの開口率の制限は、場合に
よっては必要となる補助記憶容量によって課されるもの
であり、この補助記憶容量は導体板と光学マスクとの被
覆によって決定され、約４〜５μｍである。
よっては必要となる補助記憶容量によって課されるもの
であり、この補助記憶容量は導体板と光学マスクとの被
覆によって決定され、約４〜５μｍである。
【００２２】その結果、図４、５に示されたような板の
構造では、列と、光学マスクの開口部の対応する端部と
の間の距離Ｒは約８〜１２μｍである。
構造では、列と、光学マスクの開口部の対応する端部と
の間の距離Ｒは約８〜１２μｍである。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従って、エッ
チング時の列と画素の導体板との物理的な分離の問題を
解消することにより、スクリーンの開口部を増すことが
できる液晶ディスプレイ・スクリーンの製造法を提案す
ることを目的とする。
チング時の列と画素の導体板との物理的な分離の問題を
解消することにより、スクリーンの開口部を増すことが
できる液晶ディスプレイ・スクリーンの製造法を提案す
ることを目的とする。
【００２４】本発明はまた、スクリーンの導体パターン
とトランジスタの光学保護マスクとのアラインメント精
度が優れたディスプレイ・スクリーンの製造法を提案す
ることを目的とする。
とトランジスタの光学保護マスクとのアラインメント精
度が優れたディスプレイ・スクリーンの製造法を提案す
ることを目的とする。
【００２５】本発明はさらに、マスク工程数をできるだ
け少なくしたディスプレイ・スクリーンの製造法を提案
することを目的とする。
け少なくしたディスプレイ・スクリーンの製造法を提案
することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、より詳しくは本発明は、液晶アクティブ・マ
トリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法に関す
るものであって、スクリーン板はディスプレイ・スクリ
ーン面を形成し、透明材料でできた複数の導体板を備
え、導体板は、画素を決定し、導体板の行と列に応じて
配置され、またスクリーン板は、第一チャンネル電極に
よってそれぞれ個々の導体板に接続される複数の制御ト
ランジスタと、各一列の導体板の各制御トランジスタの
第二チャンネル電極にそれぞれ接続される導電性トラッ
クいわゆるアドレス列とを備え、アドレス列は導体板の
列の間にそれぞれ配置され、さらにスクリーン板は、各
一行の導体板の制御トランジスタの制御電極にそれぞれ
接続される導電性トラックいわゆるアドレス行とを備え
たものであり、このスクリーン板の製造法は以下の工程
を含む。 − 基板プレートを被覆する透明な導電性材料の層に第
一ブロックとアドレス列を形成し、第一ブロックはブロ
ックの行と列に応じて配置され、各アドレス列と、各ブ
ロック列のブロックとの間にそれぞれスペースを保持
し、 − アドレス行と制御トランジスタを形成する。
るために、より詳しくは本発明は、液晶アクティブ・マ
トリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法に関す
るものであって、スクリーン板はディスプレイ・スクリ
ーン面を形成し、透明材料でできた複数の導体板を備
え、導体板は、画素を決定し、導体板の行と列に応じて
配置され、またスクリーン板は、第一チャンネル電極に
よってそれぞれ個々の導体板に接続される複数の制御ト
ランジスタと、各一列の導体板の各制御トランジスタの
第二チャンネル電極にそれぞれ接続される導電性トラッ
クいわゆるアドレス列とを備え、アドレス列は導体板の
列の間にそれぞれ配置され、さらにスクリーン板は、各
一行の導体板の制御トランジスタの制御電極にそれぞれ
接続される導電性トラックいわゆるアドレス行とを備え
たものであり、このスクリーン板の製造法は以下の工程
を含む。 − 基板プレートを被覆する透明な導電性材料の層に第
一ブロックとアドレス列を形成し、第一ブロックはブロ
ックの行と列に応じて配置され、各アドレス列と、各ブ
ロック列のブロックとの間にそれぞれスペースを保持
し、 − アドレス行と制御トランジスタを形成する。
【００２７】本発明によれば、この方法はさらに以下の
工程を含む。 − アドレス列、アドレス行、制御トランジスタの絶縁
部を形成し、この絶縁部は、アドレス行と列に沿ってそ
の周囲の該スペースの一部に延び、 − 第一ブロックよりも大きく、第一ブロックを被覆
し、アドレス列の絶縁部まで延びる第二ブロックを形成
し、第二ブロックは第一ブロックと共に画素の導体板を
構成する。
工程を含む。 − アドレス列、アドレス行、制御トランジスタの絶縁
部を形成し、この絶縁部は、アドレス行と列に沿ってそ
の周囲の該スペースの一部に延び、 − 第一ブロックよりも大きく、第一ブロックを被覆
し、アドレス列の絶縁部まで延びる第二ブロックを形成
し、第二ブロックは第一ブロックと共に画素の導体板を
構成する。
【００２８】本発明によれば、アドレス列と、同一のエ
ッチング工程で形成される第一ブロックとの距離は、こ
の距離が画素の導体板の最終的な寸法を左右しないの
で、非常に幅広く選択することができる。そのためサイ
ズが小さい第一ブロックを製造することができ、このブ
ロックのエッチングを列のトラックと同時に行っても、
いかなる物理的問題も起こさない。
ッチング工程で形成される第一ブロックとの距離は、こ
の距離が画素の導体板の最終的な寸法を左右しないの
で、非常に幅広く選択することができる。そのためサイ
ズが小さい第一ブロックを製造することができ、このブ
ロックのエッチングを列のトラックと同時に行っても、
いかなる物理的問題も起こさない。
【００２９】従って、これらの部分が短絡する恐れは低
減される。
減される。
【００３０】その上、第二ブロックは、列を電気的に絶
縁するという理由から短絡の恐れなく寸法を大きくする
ことができる。これにより、スクリーンの開口率は改善
される。
縁するという理由から短絡の恐れなく寸法を大きくする
ことができる。これにより、スクリーンの開口率は改善
される。
【００３１】より詳しくは、トランジスタの光学保護マ
スクを含むスクリーンに用いられる本発明の特に有利な
特徴によれば、第二ブロックおよびまたはアドレス列の
絶縁をこの光学マスクと自動的に揃えて形成することが
できる。この特徴によって、マスク成形の補助的操作を
省くことができる。本発明によるスクリーンを形成する
ためには、マスキング工程は三つでよく、順に光学マス
クの形成、第一ブロックと列のエッチング、および好適
にはＴＦＴ型の制御トランジスタのエッチングからな
る。
スクを含むスクリーンに用いられる本発明の特に有利な
特徴によれば、第二ブロックおよびまたはアドレス列の
絶縁をこの光学マスクと自動的に揃えて形成することが
できる。この特徴によって、マスク成形の補助的操作を
省くことができる。本発明によるスクリーンを形成する
ためには、マスキング工程は三つでよく、順に光学マス
クの形成、第一ブロックと列のエッチング、および好適
にはＴＦＴ型の制御トランジスタのエッチングからな
る。
【００３２】列の絶縁部のエッチングまたは第二ブロッ
クの形成は、光学マスクを有効に用いたものである。
クの形成は、光学マスクを有効に用いたものである。
【００３３】かくして、このような光学マスクを含むス
クリーンに対して、本発明の方法は、従来の方法に比
べ、実施するマスク数を増やさずに実現することができ
る。
クリーンに対して、本発明の方法は、従来の方法に比
べ、実施するマスク数を増やさずに実現することができ
る。
【００３４】本発明の特徴によれば、詳しくは以下の連
続工程を含む。 − 透明基板に光学マスクを形成する。 − 光学マスクに第一パッシベーション層を蒸着し、次
に透明な第一導電層を蒸着する。 − 透明な導電層をエッチングしてアドレス列と第一ブ
ロックを形成する。 − 制御トランジスタを形成する。 − 板全体に第二パッシベーション層と、ポジ型の感光
性樹脂層とを蒸着する。 − 光学マスクを介して樹脂を光に当て、光を当てた樹
脂部分を除去することにより、第二パッシベーション層
に第一エッチングマスクを形成するが、このエッチング
マスクは光学マスクと自動的に揃えられ、アドレス列の
該絶縁部の場所を決定する。 − 該第一エッチングマスクによって第二パッシベーシ
ョン層をエッチングし、該絶縁部を形成する。 − 透明な第二導電層の蒸着および成形によって第二ブ
ロックを形成する。
続工程を含む。 − 透明基板に光学マスクを形成する。 − 光学マスクに第一パッシベーション層を蒸着し、次
に透明な第一導電層を蒸着する。 − 透明な導電層をエッチングしてアドレス列と第一ブ
ロックを形成する。 − 制御トランジスタを形成する。 − 板全体に第二パッシベーション層と、ポジ型の感光
性樹脂層とを蒸着する。 − 光学マスクを介して樹脂を光に当て、光を当てた樹
脂部分を除去することにより、第二パッシベーション層
に第一エッチングマスクを形成するが、このエッチング
マスクは光学マスクと自動的に揃えられ、アドレス列の
該絶縁部の場所を決定する。 − 該第一エッチングマスクによって第二パッシベーシ
ョン層をエッチングし、該絶縁部を形成する。 − 透明な第二導電層の蒸着および成形によって第二ブ
ロックを形成する。
【００３５】第二導電層は、板全体にＩＴＯ層を蒸着し
て形成することができる。第一エッチングマスクのパタ
ーンを被覆するこの層は、このマスクを除去することに
よってエッチングで形成できる。
て形成することができる。第一エッチングマスクのパタ
ーンを被覆するこの層は、このマスクを除去することに
よってエッチングで形成できる。
【００３６】変形例では、第一エッチングマスクを除去
し、透明なＩＴＯ層を蒸着し、この上に第二エッチング
マスクを形成することにより、第二ブロックの大きさと
場所を決定することも可能である。
し、透明なＩＴＯ層を蒸着し、この上に第二エッチング
マスクを形成することにより、第二ブロックの大きさと
場所を決定することも可能である。
【００３７】この第二マスクは、光学マスクを介して、
また既に形成されたさまざまな透明層とを介して光に当
てられるネガ型の感光性樹脂の蒸着によって形成するこ
ともできる。光に当たらない部分を除去して第二マスク
を形成することができる。
また既に形成されたさまざまな透明層とを介して光に当
てられるネガ型の感光性樹脂の蒸着によって形成するこ
ともできる。光に当たらない部分を除去して第二マスク
を形成することができる。
【００３８】本発明はまた、液晶ディスプレイ・スクリ
ーン板の構造に関し、このスクリーン板はスクリーン面
を形成し、複数の導体板を含み、導体板は画素を決定
し、導体板の行と列に応じて配置され、スクリーン板は
また、各導体板の第一チャンネル電極によってそれぞれ
接続される複数の制御トランジスタと、各一列の導体板
の各制御トランジスタの第二チャンネル電極にそれぞれ
接続される導電性トラックいわゆるアドレス列とを含
み、アドレス列はそれぞれ導体板の列の間に配置される
構造であって、各導体板は相互に接触する透明材料を重
ねた第一および第二ブロックを含み、各導体板の第一ブ
ロックとアドレス列とは構造体の同一面にあり、各導体
板の第二ブロックは、該面と平行に、各導体の第一ブロ
ックそれぞれの区域よりも上の区域を有することを特徴
とする。
ーン板の構造に関し、このスクリーン板はスクリーン面
を形成し、複数の導体板を含み、導体板は画素を決定
し、導体板の行と列に応じて配置され、スクリーン板は
また、各導体板の第一チャンネル電極によってそれぞれ
接続される複数の制御トランジスタと、各一列の導体板
の各制御トランジスタの第二チャンネル電極にそれぞれ
接続される導電性トラックいわゆるアドレス列とを含
み、アドレス列はそれぞれ導体板の列の間に配置される
構造であって、各導体板は相互に接触する透明材料を重
ねた第一および第二ブロックを含み、各導体板の第一ブ
ロックとアドレス列とは構造体の同一面にあり、各導体
板の第二ブロックは、該面と平行に、各導体の第一ブロ
ックそれぞれの区域よりも上の区域を有することを特徴
とする。
【００３９】スクリーン板の構造体の面というのは、ス
クリーン板に形成される材料層の一つの面を示す。この
場合、第一ブロックとアドレス列は、前述のスクリーン
板に最初に形成された透明材料の同一層に形成される。
クリーン板に形成される材料層の一つの面を示す。この
場合、第一ブロックとアドレス列は、前述のスクリーン
板に最初に形成された透明材料の同一層に形成される。
【００４０】本発明の他の特徴および利点は、限定的で
はなく例として挙げられた添付図面に関する以下の説明
から明らかになろう。
はなく例として挙げられた添付図面に関する以下の説明
から明らかになろう。
【００４１】
【発明の実施の形態】本発明に関する図８〜２１におい
て、１００を加えた同じ数字が、従来技術に関する図１
〜７の部分と同一または類似部分を示す。
て、１００を加えた同じ数字が、従来技術に関する図１
〜７の部分と同一または類似部分を示す。
【００４２】図８、９は、光学マスク１１２をガラス等
の基板１１０に製造する工程を示し、図１、２に対応す
る。基板上にクローム層を施し、次にこれをエッチング
し、開口部１１４を有するマスク１１２を形成する。こ
れらの開口部は、後述するように通常のマスクの開口部
よりも大きくすることができる。
の基板１１０に製造する工程を示し、図１、２に対応す
る。基板上にクローム層を施し、次にこれをエッチング
し、開口部１１４を有するマスク１１２を形成する。こ
れらの開口部は、後述するように通常のマスクの開口部
よりも大きくすることができる。
【００４３】続いて、スクリーンの製造では、図１０に
示すように、基板１１０とマスク１１２とを被覆する酸
化シリコン等のパッシベーション層１１８を形成し、ま
たＩＴＯ等の透明な導電性材料の層１２０を形成する。
示すように、基板１１０とマスク１１２とを被覆する酸
化シリコン等のパッシベーション層１１８を形成し、ま
たＩＴＯ等の透明な導電性材料の層１２０を形成する。
【００４４】次に層１２０をマスク（図示されていな
い）を介してエッチングし、アドレス列１２２と第一ブ
ロック１２４とを形成する。図１１と上面図である図１
２からわかるように、ブロック１２４は光学マスクの開
口部１１４よりも小さい。図４、５に示した構造とは逆
に、ブロック１２４とマスクの不透明部分１１２との間
にはいかなる重なりもない。各ブロック１２４と隣接す
る各列１２２との間には大きなスペース１２５がそれぞ
れ残されている。
い）を介してエッチングし、アドレス列１２２と第一ブ
ロック１２４とを形成する。図１１と上面図である図１
２からわかるように、ブロック１２４は光学マスクの開
口部１１４よりも小さい。図４、５に示した構造とは逆
に、ブロック１２４とマスクの不透明部分１１２との間
にはいかなる重なりもない。各ブロック１２４と隣接す
る各列１２２との間には大きなスペース１２５がそれぞ
れ残されている。
【００４５】これらのスペース１２５により、列と第一
ブロックとの短絡の恐れを制限することができる。マス
ク部分１１２の端部と、このマスク部分の正面に位置す
る列１２２の端部とを隔てる距離をＲ’で示す。
ブロックとの短絡の恐れを制限することができる。マス
ク部分１１２の端部と、このマスク部分の正面に位置す
る列１２２の端部とを隔てる距離をＲ’で示す。
【００４６】図１２が示すように、第一ブロックは各々
突出部１２６を備えることが可能であり、その端部は、
ブロックに対応するアドレス列１２２に結合する肘形の
導電性トラック部分１２８によって囲まれている。
突出部１２６を備えることが可能であり、その端部は、
ブロックに対応するアドレス列１２２に結合する肘形の
導電性トラック部分１２８によって囲まれている。
【００４７】図１３は、制御トランジスタ１３０の断面
を示す。トランジスタ１３０はそれぞれ各画素に結合し
ている。
を示す。トランジスタ１３０はそれぞれ各画素に結合し
ている。
【００４８】各トランジスタ１３０は、列１２２、突出
部１２６、肘形部１２８とアドレス行１３８とが重なる
ことによって形成される。列１２２と肘形部１２８と
は、たとえばトランジスタのソースを形成し、突出部１
２６はドレインを形成する。アドレス行は、水素添加し
たアモルファスシリコンなどの半導体材料の層１３２
と、窒化ケイ素などの絶縁材料の層１３４と、アルミニ
ウムなどの導電性材料の層１３６とを連続蒸着し、次に
これらの積層をエッチングして形成する。アドレス行の
半導体材料は一行の画素の各トランジスタのチャンネル
をそれぞれ形成し、絶縁材料はゲート絶縁膜を形成し、
導電性材料は各トランジスタのゲートを形成する。
部１２６、肘形部１２８とアドレス行１３８とが重なる
ことによって形成される。列１２２と肘形部１２８と
は、たとえばトランジスタのソースを形成し、突出部１
２６はドレインを形成する。アドレス行は、水素添加し
たアモルファスシリコンなどの半導体材料の層１３２
と、窒化ケイ素などの絶縁材料の層１３４と、アルミニ
ウムなどの導電性材料の層１３６とを連続蒸着し、次に
これらの積層をエッチングして形成する。アドレス行の
半導体材料は一行の画素の各トランジスタのチャンネル
をそれぞれ形成し、絶縁材料はゲート絶縁膜を形成し、
導電性材料は各トランジスタのゲートを形成する。
【００４９】図１４に示すように、アドレス行１３８
は、マスクの不透明部分１１２ならびに制御トランジス
タ１３０と一致する。光学マスク１１２は、これらのト
ランジスタ内の妨害光電流を制限する機能がある。
は、マスクの不透明部分１１２ならびに制御トランジス
タ１３０と一致する。光学マスク１１２は、これらのト
ランジスタ内の妨害光電流を制限する機能がある。
【００５０】図１５が示すように、スクリーンの製造で
は、続いて窒化ケイ素等の透明材料の第二パッシベーシ
ョン層１４０を構造体全体に蒸着する。層１４０は第一
ブロック、アドレス行と列、トランジスタ１３０、スペ
ース１２５を覆う。層１４０の上にポジ型の感光性樹脂
層１４２を形成する。ポジ型樹脂というのは、紫外線に
感光する材料を意味する。このような樹脂部分全体を紫
外線にさらし、現像の際に、現像液によって除去する。
は、続いて窒化ケイ素等の透明材料の第二パッシベーシ
ョン層１４０を構造体全体に蒸着する。層１４０は第一
ブロック、アドレス行と列、トランジスタ１３０、スペ
ース１２５を覆う。層１４０の上にポジ型の感光性樹脂
層１４２を形成する。ポジ型樹脂というのは、紫外線に
感光する材料を意味する。このような樹脂部分全体を紫
外線にさらし、現像の際に、現像液によって除去する。
【００５１】次に、矢印１４４が示すように基板１１０
の側から全体に光を当てる。かくして感光性樹脂は光学
マスク１１２を介して紫外線の作用を受ける。
の側から全体に光を当てる。かくして感光性樹脂は光学
マスク１１２を介して紫外線の作用を受ける。
【００５２】樹脂を現像し、光を当てた部分を除去した
後は、図１６が示すように、第一エッチングマスク１４
６が光学マスク１１２と自動的に揃えられる。
後は、図１６が示すように、第一エッチングマスク１４
６が光学マスク１１２と自動的に揃えられる。
【００５３】図１８以降は、単純化するためにトランジ
スタは図示されていない。パッシベーション層１４０
は、マスク１４６に応じてたとえばイオン反応エッチン
グ（ＧＩＲ）によってエッチングされ、次にこのマスク
を除去する。このようにして図１７の構造が得られる。
図が示すように、絶縁部１４８はアドレス列１２２に沿
ってその周囲に延びている。絶縁部はまたアドレス列に
沿ってスペース部分１２５にも延びているが、マスク１
１２の開口部１１４よりも小さいブロック１２４には到
達していない。これは、マスク１４６すなわち絶縁部１
４８がマスク１１２と自動的に揃えられるためである。
スタは図示されていない。パッシベーション層１４０
は、マスク１４６に応じてたとえばイオン反応エッチン
グ（ＧＩＲ）によってエッチングされ、次にこのマスク
を除去する。このようにして図１７の構造が得られる。
図が示すように、絶縁部１４８はアドレス列１２２に沿
ってその周囲に延びている。絶縁部はまたアドレス列に
沿ってスペース部分１２５にも延びているが、マスク１
１２の開口部１１４よりも小さいブロック１２４には到
達していない。これは、マスク１４６すなわち絶縁部１
４８がマスク１１２と自動的に揃えられるためである。
【００５４】図１７は示していないが、絶縁部１４８は
またアドレス行、制御トランジスタ、および通常マスク
の不透明領域と一致する全ての部分を被覆する。
またアドレス行、制御トランジスタ、および通常マスク
の不透明領域と一致する全ての部分を被覆する。
【００５５】スクリーンの製造では続いて、図１８が示
すように、ＩＴＯ等の透明な導電性材料の第二層１５０
を蒸着し、次に、この層にネガ型の第二感光性樹脂層１
５２を塗布する。
すように、ＩＴＯ等の透明な導電性材料の第二層１５０
を蒸着し、次に、この層にネガ型の第二感光性樹脂層１
５２を塗布する。
【００５６】ネガ型樹脂というのは、紫外線に感光する
材料を示す。紫外線にさらされたこのような樹脂部分全
体または一部は、現像の際に現像液に溶けない。こうし
てネガ型マスクを形成する。層１５０は絶縁部１４８と
ブロック１２４とを同時に被覆する。
材料を示す。紫外線にさらされたこのような樹脂部分全
体または一部は、現像の際に現像液に溶けない。こうし
てネガ型マスクを形成する。層１５０は絶縁部１４８と
ブロック１２４とを同時に被覆する。
【００５７】矢印１５４によって示されているように、
二回目に光に当てるときは、基板１１０の側から行う。
層１５２の樹脂は、かくして光学マスク１１２を介して
紫外線の作用を受ける。光に当て、光の当たらない部分
を現像して除去した後、光学マスク１１２と自動的に揃
った第二エッチングマスク１５６を得るが、より詳しく
は、第二エッチングマスク１５６は光学マスクの開口部
１１４の上に位置する（図１９）。
二回目に光に当てるときは、基板１１０の側から行う。
層１５２の樹脂は、かくして光学マスク１１２を介して
紫外線の作用を受ける。光に当て、光の当たらない部分
を現像して除去した後、光学マスク１１２と自動的に揃
った第二エッチングマスク１５６を得るが、より詳しく
は、第二エッチングマスク１５６は光学マスクの開口部
１１４の上に位置する（図１９）。
【００５８】このマスクは図１９に示されている。ＩＴ
Ｏ層１５０のエッチングを、たとえばイオン反応エッチ
ング技術（Reactive Ion Etching）によって、あるいは
塩酸を含む溶液に浸すことによってマスク１５６が保護
していない部分に行うと、図２０からわかるように導電
性の第二ブロック１５８を形成することができる。
Ｏ層１５０のエッチングを、たとえばイオン反応エッチ
ング技術（Reactive Ion Etching）によって、あるいは
塩酸を含む溶液に浸すことによってマスク１５６が保護
していない部分に行うと、図２０からわかるように導電
性の第二ブロック１５８を形成することができる。
【００５９】図２０、２１が示すように、ブロック１２
４とともに画素の導体板を構成するブロック１５８は、
絶縁部１４８が保護する領域まで延びている。
４とともに画素の導体板を構成するブロック１５８は、
絶縁部１４８が保護する領域まで延びている。
【００６０】ブロック１５８はブロック１２４を覆うば
かりではなく、絶縁部１４８によってまだ占められてい
ないスペース１２５を覆う。さらにブロック１５８は、
光学マスク１１２の開口部１１４と揃えられている。
かりではなく、絶縁部１４８によってまだ占められてい
ないスペース１２５を覆う。さらにブロック１５８は、
光学マスク１１２の開口部１１４と揃えられている。
【００６１】図２１は、導体板とアドレス行および列と
の短絡の恐れがないことをはっきりと示している。こう
したリスクが避けられるのは、一つには第一ブロックが
十分にアドレス列から隔てられているからであり、また
同時に絶縁部１４８が、より大きい第二ブロックと、ア
ドレス行、アドレス列およびトランジスタと常に接触し
ているからである。
の短絡の恐れがないことをはっきりと示している。こう
したリスクが避けられるのは、一つには第一ブロックが
十分にアドレス列から隔てられているからであり、また
同時に絶縁部１４８が、より大きい第二ブロックと、ア
ドレス行、アドレス列およびトランジスタと常に接触し
ているからである。
【００６２】さらに第二ブロックの方が大きいので、ス
クリーンの開口部も改善される。
クリーンの開口部も改善される。
【００６３】また、第二ブロックが光学マスクに対して
適切に揃えられているので開口部１１４の面積を増すこ
とができる。
適切に揃えられているので開口部１１４の面積を増すこ
とができる。
【００６４】たとえば、マスクの開口部の端と対応する
列との距離Ｒが従来のスクリーンでは約８μｍ〜１２μ
ｍであるのに対し、距離Ｒ’は前述した実施形態では約
２〜３μｍに低減することができる。スクリーンの開口
率は１５〜３０％高められる。
列との距離Ｒが従来のスクリーンでは約８μｍ〜１２μ
ｍであるのに対し、距離Ｒ’は前述した実施形態では約
２〜３μｍに低減することができる。スクリーンの開口
率は１５〜３０％高められる。
【００６５】本発明によるスクリーンの特定の実施形態
では、樹脂層１４２と１５２を過度に露出することがで
きるため、スペース１２５に延びる絶縁部１４８を少な
くし、およびまたは第二ブロックをマスクの開口部より
も大きくすることができる。このようにしてマスクと第
二ブロックとの重なりが得られる。この重なりは、既に
述べたようにビデオ信号の補助記憶コンデンサを構成す
る。
では、樹脂層１４２と１５２を過度に露出することがで
きるため、スペース１２５に延びる絶縁部１４８を少な
くし、およびまたは第二ブロックをマスクの開口部より
も大きくすることができる。このようにしてマスクと第
二ブロックとの重なりが得られる。この重なりは、既に
述べたようにビデオ信号の補助記憶コンデンサを構成す
る。
【図１】製造中の従来のディスプレイ・スクリーン板の
細部の概略断面図であり、光学マスクの形成工程を示
す。
細部の概略断面図であり、光学マスクの形成工程を示
す。
【図２】図１の細部の上面図である。
【図３】製造中の従来のディスプレイ・スクリーン板の
細部の概略断面図であり、画素の導体板とアドレス列と
の形成を示す。
細部の概略断面図であり、画素の導体板とアドレス列と
の形成を示す。
【図４】製造中の従来のディスプレイ・スクリーン板の
細部の概略断面図であり、画素の導体板とアドレス列と
の形成を示す。
細部の概略断面図であり、画素の導体板とアドレス列と
の形成を示す。
【図５】図４の細部の上面図である。
【図６】製造中の従来のディスプレイ・スクリーン板の
細部の概略断面図であり、制御トランジスタの製造を示
す。
細部の概略断面図であり、制御トランジスタの製造を示
す。
【図７】図６の細部の上面図である。
【図８】図１、２に対応し、本発明によるディスプレイ
・スクリーン板の光学マスクの製造を示す。
・スクリーン板の光学マスクの製造を示す。
【図９】図１、２に対応し、本発明によるディスプレイ
・スクリーン板の光学マスクの製造を示す。
・スクリーン板の光学マスクの製造を示す。
【図１０】製造中の本発明によるディスプレイ・スクリ
ーン板の細部の概略断面図であり、導電性の第一ブロッ
クとアドレス列との形成を示す。
ーン板の細部の概略断面図であり、導電性の第一ブロッ
クとアドレス列との形成を示す。
【図１１】製造中の本発明によるディスプレイ・スクリ
ーン板の細部の概略断面図であり、導電性の第一ブロッ
クとアドレス列との形成を示す。
ーン板の細部の概略断面図であり、導電性の第一ブロッ
クとアドレス列との形成を示す。
【図１２】製造中の図１１のディスプレイ・スクリーン
の細部の上面図である。
の細部の上面図である。
【図１３】製造中の本発明によるディスプレイ・スクリ
ーン板の細部の概略断面図であり、制御トランジスタの
形成を示す。
ーン板の細部の概略断面図であり、制御トランジスタの
形成を示す。
【図１４】図１３の細部の上面図である。
【図１５】ディスプレイ・スクリーン板の細部の概略断
面図であり、アドレス列の電気的な絶縁の実施工程を示
す。
面図であり、アドレス列の電気的な絶縁の実施工程を示
す。
【図１６】ディスプレイ・スクリーン板の細部の概略断
面図であり、アドレス列の電気的な絶縁の実施工程を示
す。
面図であり、アドレス列の電気的な絶縁の実施工程を示
す。
【図１７】ディスプレイ・スクリーン板の細部の概略断
面図であり、アドレス列の電気的な絶縁の実施工程を示
す。
面図であり、アドレス列の電気的な絶縁の実施工程を示
す。
【図１８】ディスプレイ・スクリーン板の細部の概略断
面図であり、導電性の第二ブロックの形成を示す。
面図であり、導電性の第二ブロックの形成を示す。
【図１９】ディスプレイ・スクリーン板の細部の概略断
面図であり、導電性の第二ブロックの形成を示す。
面図であり、導電性の第二ブロックの形成を示す。
【図２０】ディスプレイ・スクリーン板の細部の概略断
面図であり、導電性の第二ブロックの形成を示す。
面図であり、導電性の第二ブロックの形成を示す。
【図２１】図２０の細部の上面図である。
１１０ 基板プレート １１２ 光学マスク １１４ 開口部 １１８ 第一パッシベーション層 １２０ 第一導電層 １２２ アドレス列 １２４ 第一ブロック（導体板） １２５ スペース １３０ 制御トランジスタ １３８ アドレス行 １４０ 第二パッシベーション層 １４２ ポジ型の感光性樹脂層 １４６ 第一エッチングマスク １４８ 絶縁部 １５０ 第二導電層 １５２ ネガ型の感光性樹脂層 １５６ 第二エッチングマスク １５８ 第二ブロック（導体板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランソワ・モーラン フランス・22300・ランメリン・ル・カル ポン（番地なし)
Claims (12)
- 【請求項１】 液晶アクティブ・マトリクス・ディスプ
レイ・スクリーン板の製造法であって、 前記スクリーン板はディスプレイ・スクリーン面を形成
し、透明材料でできた複数の導体板（１２４、１５８）
を備え、該導体板は、画素を決定し、導体板の行と列に
応じて配置され、 また前記スクリーン板は、第一チャンネル電極によって
各導体板にそれぞれ接続される複数の制御トランジスタ
（１３０）と、各一列の導体板の各制御トランジスタ
（１３０）の第二チャンネル電極にそれぞれ接続される
導電性トラックいわゆるアドレス列（１２２）とを備
え、該アドレス列（１２２）は導体板の列の間にそれぞ
れ配置され、 さらに、前記スクリーン板は、各一行の導体板の制御ト
ランジスタの制御電極にそれぞれ接続される導電性トラ
ックいわゆるアドレス行（１３８）を備えたものであ
り、 このスクリーン板の製造法は、 透明な基板プレート（１１０）を被覆する透明な第一導
電層に第一ブロック（１２４）と前記アドレス列（１２
２）とを形成し、第一ブロックはブロックの行と列に応
じて配置され、各アドレス列（１２２）と、各ブロック
列のブロック（１２４）との間にそれぞれスペース（１
２５）を保持する工程と、 前記アドレス行（１３８）と前記制御トランジスタ（１
３０）とを形成する工程とを含み、 この方法はさらに以下の工程すなわち、 前記アドレス列（１２２）、前記アドレス行（１３
８）、前記制御トランジスタ（１３０）の絶縁部（１４
８）を形成し、この絶縁部（１４８）を、アドレス行と
列に沿ってその周囲の該スペース（１２５）の一部に延
ばす工程と、 前記第一ブロック（１２４）よりも大きく、該第一ブロ
ックを被覆し、前記アドレス列の絶縁部（１４８）まで
延びる第二ブロック（１５８）を形成して、該第二ブロ
ックが第一ブロックと共に画素の導体板を構成するよう
にした工程とを含むことを特徴とする液晶アクティブ・
マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法。 - 【請求項２】 請求項１による液晶アクティブ・ディス
プレイ・スクリーン板の製造法において、 前記スクリーン板はさらに前記制御トランジスタ（１３
０）を保護する光学マスク（１１２）を備え、この光学
マスクは基板（１１０）上に配置され、前記トランジス
タと前記アドレス列とを被覆し、また画素に対応する開
口部（１１４）を含み、 前記光学マスク（１１２）の開口部（１１４）と自動的
に揃えて第二ブロック（１５８）を形成することを特徴
とする液晶アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・ス
クリーン板の製造法。 - 【請求項３】 請求項１による液晶アクティブ・ディス
プレイ・スクリーン板の製造法において、 前記スクリーン板はさらに前記制御トランジスタ（１３
０）を保護する光学マスク（１１２）を備え、この光学
マスクはトランジスタ（１３０）と前記アドレス列（１
２２）とを被覆し、また画素に対応する開口部（１１
４）を含み、 フォトリソグラフィー法により前記光学マスク（１１
２）と自動的に揃えて前記アドレス列（１２２）の絶縁
部（１４８）を形成することを特徴とする液晶アクティ
ブ・マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造
法。 - 【請求項４】 以下の連続工程すなわち、 透明基板（１１０）に光学マスク（１１２）を形成する
工程と、 前記光学マスクに第一パッシベーション層（１１８）を
蒸着し、次に第一透明導電層（１２０）を蒸着する工程
と、 透明な該第一導電層（１２０）をエッチングして前記ア
ドレス列（１２２）と前記第一ブロック（１２４）とを
形成する工程と、 前記制御トランジスタ（１３０）の前記アドレス行（１
３８）を形成する工程と、 板全体に第二パッシベーション層（１４０）と、ポジ型
の感光性樹脂層（１４２）とを蒸着する工程と、 前記光学マスク（１１２）を介して樹脂層（１４２）に
光を当て、光を当てた樹脂部分を除去することにより、
第二パッシベーション層（１４０）に第一エッチングマ
スク（１４６）を形成するが、第一エッチングマスク
（１４６）は光学マスク（１１２）と自動的に揃えら
れ、前記アドレス列の該絶縁部の場所を決定する工程
と、 前記第一エッチングマスク（１４６）によって第二パッ
シベーション層（１４０）をエッチングし、絶縁部（１
４８）を形成する工程と、 透明な第二導電層（１５０）の蒸着および形成によって
前記第二ブロック（１５８）を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする請求項３に記載の液晶アクティブ・マト
リクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法。 - 【請求項５】 前記第二ブロック（１５８）を形成する
ために、前記スクリーン板に、板と前記第一エッチング
マスク（１４６）の全体を覆う透明な前記第二導電層
（１５０）を蒸着し、次に前記第一エッチングマスク
と、第一エッチングマスク（１４６）を覆う透明な前記
第二導電層（１５０）の一部とを、エッチングによって
除去することを特徴とする請求項４に記載の液晶アクテ
ィブ・マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造
法。 - 【請求項６】 前記第二ブロック（１５８）を形成する
ために、前記第一エッチングマスク（１４６）を除去し
た後で透明な前記第二導電層（１５０）を板全体に蒸着
し、第二ブロックの場所を決定する前記第二エッチング
マスク（１５６）をこの第二導電層に形成し、第二エッ
チングマスク（１５６）によって透明な第二導電層（１
５０）をエッチングすることにより第二ブロック（１５
８）を形成し、次に第二エッチングマスクを除去するこ
とを特徴とする請求項４に記載の液晶アクティブ・マト
リクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法。 - 【請求項７】 前記第二エッチングマスク（１５６）を
形成するために、ネガ型の感光性樹脂層（１５２）を第
二導電層（１５０）に蒸着し、前記光学マスク（１１
２）を介してネガ型の感光性樹脂層に光を当て、この層
の光を当てない部分を除去することを特徴とする請求項
６に記載の液晶アクティブ・マトリクス・ディスプレイ
・スクリーン板の製造法。 - 【請求項８】 前記第二ブロックを形成した後で前記ス
クリーン板のパッシベーションを行うことを特徴とする
請求項１に記載の液晶アクティブ・マトリクス・ディス
プレイ・スクリーン板の製造法。 - 【請求項９】 透明な前記第一および第二導電層は、イ
ンジウム−スズの酸化物（ＩＴＯ）であることを特徴と
する請求項１に記載の液晶アクティブ・マトリクス・デ
ィスプレイ・スクリーン板の製造法。 - 【請求項１０】 前記第一および第二パッシベーション
層はそれぞれ酸化ケイ素および窒化ケイ素であることを
特徴とする請求項１に記載の液晶アクティブ・マトリク
ス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法。 - 【請求項１１】 前記ポジ型の感光性樹脂に光を当てる
場合およびまたは前記ネガ型の感光性樹脂に次に光を当
てる場合、過度に露光することを特徴とする請求項７に
記載の液晶アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・ス
クリーン板の製造法。 - 【請求項１２】 スクリーン面を構成する液晶アクティ
ブ・マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の構造で
あって、画素を決定し、導体板の行と列とに応じて配置
される複数の導体板（１２４、１５８）と、第一チャン
ネル電極によって各導体板にそれぞれ接続される複数の
制御トランジスタ（１３０）と、各一列の導体板の各制
御トランジスタ（１３０）の第二チャンネル電極にそれ
ぞれ接続される導電性トラックいわゆるアドレス列（１
２２）とを含み、該アドレス列（１２２）はそれぞれ導
体板の列の間に配置される構造において、 各導体板の第一および第二ブロック（１２４、１５８）
は透明で、重ねられ、かつ相互に接触し、各導体板の第
一ブロック（１２４）と前記アドレス列（１２２）とは
構造体の同一面にあり、各導体板の第二ブロック（１５
８）は、該面と平行に、それぞれ各導体板の第一ブロッ
ク域の上に一つの区域を有することを特徴とする液晶ア
クティブ・マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の
構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9504735 | 1995-04-20 | ||
| FR9504735A FR2733342B1 (fr) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | Procede de fabrication d'une plaque d'un ecran d'affichage a cristaux liquides et a matrice active, et plaque obtenue par ce procede |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08292451A true JPH08292451A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=9478293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10051096A Withdrawn JPH08292451A (ja) | 1995-04-20 | 1996-04-22 | 液晶アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・スクリーン板の製造法およびこの方法で得られたスクリーン板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08292451A (ja) |
| FR (1) | FR2733342B1 (ja) |
| NL (1) | NL1002874C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8307549B2 (en) | 2001-11-20 | 2012-11-13 | Touchsensor Technologies, Llc | Method of making an electrical circuit |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03127030A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Sharp Corp | 表示電極基板の製造方法 |
| JP2622183B2 (ja) * | 1990-04-05 | 1997-06-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
| FR2679057B1 (fr) * | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
| JPH0651345A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-02-25 | Fujitsu Ltd | 表示装置に於ける画素電極の形成方法 |
-
1995
- 1995-04-20 FR FR9504735A patent/FR2733342B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-16 NL NL1002874A patent/NL1002874C2/xx not_active IP Right Cessation
- 1996-04-22 JP JP10051096A patent/JPH08292451A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8307549B2 (en) | 2001-11-20 | 2012-11-13 | Touchsensor Technologies, Llc | Method of making an electrical circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2733342A1 (fr) | 1996-10-25 |
| FR2733342B1 (fr) | 1997-05-23 |
| NL1002874A1 (nl) | 1996-10-22 |
| NL1002874C2 (nl) | 1996-10-22 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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