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JPH0829980A - 回路基板形成用アルカリ現像型フォトレジスト組成物 - Google Patents

回路基板形成用アルカリ現像型フォトレジスト組成物

Info

Publication number
JPH0829980A
JPH0829980A JP18534694A JP18534694A JPH0829980A JP H0829980 A JPH0829980 A JP H0829980A JP 18534694 A JP18534694 A JP 18534694A JP 18534694 A JP18534694 A JP 18534694A JP H0829980 A JPH0829980 A JP H0829980A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
weight
carboxylic acid
acid
copolymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18534694A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Shioda
淳 塩田
Kazumi Hashimoto
和美 橋本
Hideki Chiba
秀貴 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP18534694A priority Critical patent/JPH0829980A/ja
Publication of JPH0829980A publication Critical patent/JPH0829980A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 サブトラクティブ法配線形成用、電気めっき
用、無電解めっき用、バンプ形成用などに好適な回路基
板形成用アルカリ現像型液状フォトレジスト組成物を提
供する。 【構成】 (A)(a)不飽和カルボン酸と、(b)他
のラジカル重合性化合物との共重合体を、(c)エポキ
シ基を有するラジカル重合性化合物と反応せしめて得ら
れる不飽和基含有ポリカルボン酸樹脂、 (B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有
する重合性化合物、 (C)光重合開始剤、 (D)有機溶剤、 を含有するフォトレジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジスト組成物
に関し、さらに詳しくは、半導体や電子部品の回路基板
への実装の際に行うバンプ形成、配線形成などに好適に
使用できる回路基板形成用アルカリ現像型フォトレジス
トに関する。
【0002】
【従来の技術】プリント配線板等の回路を形成する方法
として電気めっき、無電解めっきによる方法が知られて
いる。電気めっきは、配線形成、電極形成やバンプと呼
ばれる外部との接合部分の形成などに用いられ、基板上
に予めめっき用電極膜を形成しておき、めっき層を形成
する以外の部分をレジストで被覆保護し、次いで、電極
の露出されている部分に電気めっきを行い、次いでレジ
ストを剥離し、エッチングすることにより所定の回路を
形成する方法である。無電解めっきは、サブトラクト
法、セミアディテイブ法、フルアディティィブ法と呼ば
れる回路形成方法に用いられ、基板表裏両面の回路、お
よびスルーホール導通メッキの形成などに用いられる。
これらの用途には、耐めっき性、耐薬品性、密着性、厚
膜形成時の高解像性等が要求される。
【0003】従来より、回路基板の製造、半導体や電子
部品の回路基板への実装などの分野においてエッチング
用、めっき用、絶縁部形成用レジストとして、溶剤現像
型のドライフィルム状フォトレジストが用いられてき
た。しかし、現像の際には大量の溶剤が必要とされる
為、大気汚染などの安全性や衛生面から使用し難い欠点
があった。そこで、有機溶剤を使用しないドライフィル
ム状フォトレジストやアルカリ現像型の液状フォトレジ
ストが開発されているが、ドライフィルム型のフォトレ
ジストは、熱圧着の際に気泡が生じやすく、また密着性
や耐熱性にも劣り、使用し難い面がある。さらにこれら
ドライフィルムレジストおよび液状レジストでは、マル
チチップモジュール用薄膜多層基板の配線やバンプの形
成に要求される50μm以下の解像度を達成することは
困難であった。
【0004】これまでに、アルカリ現像型液状フォトレ
ジストとしては、種々開示されている。例えば、メタク
リル酸とメタクリル酸アルキルの共重合体を用いるもの
(特公昭54−34327号公報、特公昭58−125
77号公報、特公昭55−38961号公報、特公昭5
4−25957号公報など)が知られている。これらを
プリント配線等の回路形成用として評価すると、いずれ
もアルカリ現像性、厚膜解像性、耐めっき性、耐薬品
性、密着性が十分なものとは言えない。これらを解決す
る為に、レジスト組成物中にエポキシ基とカルボン酸基
を共存させ、パターン形成後に両基を熱架橋させること
により、アルカリ現像性と諸特性を両立させる試みがな
されてきた。しかしながら、これらの組成物は、エポキ
シ基を含む化合物とカルボン酸を含む化合物との混合物
であったり(特開昭62−187722号報)、高分子
反応による変成化合物である(特開昭64−62375
号報)。これら従来の組成物の欠点は、混合物であると
きには、その2種類の化合物の相溶性や組成物の保存安
定性さらには塗膜の荒れ等に解決すべき問題点を有する
ことであり、また変性化合物であるときには、合成の煩
雑化や反応の定量化の困難さによる再現性に解決すべき
問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の有する問題を解決したものであって、優れたアル
カリ現像性、厚膜解像性を有し、しかも、露光部におい
て、耐めっき性、耐薬品性、半田耐熱性、密着性に優れ
た回路基板形成用アルカリ現像型液状フォトレジスト組
成物を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らはかかる実状
に鑑み上記の問題点を考慮し鋭意研究を重ねた結果、本
発明に到達したものである。即ち、本発明は、次の1.
を提供する。 1.(A)(a)不飽和カルボン酸と、(b)他のラジ
カル重合性化合物との共重合体(以下、共重合体Pと略
す)を、(c)エポキシ基を有するラジカル重合性化合
物と反応せしめて得られる不飽和基含有ポリカルボン酸
樹脂(以下、樹脂Aと略す)、 (B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有
する重合性化合物(以下、モノマーBと略す)および、 (C)光重合開始剤(以下、開始剤Cと略す)、を含有
することを特徴とする回路基板形成用アルカリ現像型フ
ォトレジスト組成物。
【0007】本発明の好ましい態様を次に列挙する。 1)(A)(a)不飽和カルボン酸からなる構成成分2
0〜75重量%と、(b)モノオレフィン化合物からな
る構成成分30〜79重量%、共役ジオレフィン化合物
からなる構成成分1〜20重量%、からなる共重合体P
を、(c)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物と
反応せしめて得られる不飽和基当量250〜1000g
/モルの不飽和基含有ポリカルボン酸樹脂(樹脂A)を
30〜90重量部、 (B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有
する重合性化合物70〜10重量部((A)成分と
(B)成分の合計100重量部)、および (C)光重合開始剤1〜20重量部、を含有することを
特徴とする回路基板形成用アルカリ現像型フォトレジス
ト組成物。
【0008】2)(A)、(B)、(C)成分を含有す
る前記1.または1)の組成物に、さらに(D)有機溶
剤10〜100重量部を含有することを特徴とする回路
基板形成用アルカリ現像型フォトレジスト組成物。 3)前記1)にて、共重合体Pは分子量3,000〜5
0,000であり、エポキシ基を有するラジカル重合性
化合物がメタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−6,
7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7
−エポキシヘプチル、アクリル酸グリシジル、シクロヘ
キセンオキシドアクリレート、シクロヘキセンオキシド
メタクリレートから選ばれたものである1)記載のフォ
トレジスト組成物。 4)モノマーBが、(メタ)アクリロイル基、(CH2
=C(H,またはCH3)−CO−) を1〜20個有し、かつ、分子量が200〜6,000
のラジカル重合性のモノマーである上記1)記載のフォ
トレジスト組成物。 5)開始剤Cが、光ラジカル重合開始剤と光カチオン重
合開始剤から選ばれたものである、上記1)記載のフォ
トレジスト組成物。
【0009】6)(A)共重合体として (a)不飽和カルボン酸20〜75重量%と、(b)他
のラジカル重合性化合物としてモノオレフィン化合物3
0〜79重量%、共役ジオレフィン化合物1〜20重量
%、を重合してなる、分子量3,000〜50,000
である共重合体Pを、メタクリル酸グリシジル、メタク
リル酸−6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリ
ル酸−6,7−エポキシヘプチル、アクリル酸グリシジ
ル、シクロヘキセンオキシドアクリレート、シクロヘキ
センオキシドメタクリレートから選ばれたエポキシ基を
有するラジカル重合性化合物(c)と反応させてなる、
不飽和基当量250〜1000g/モルの不飽和基含有
ポリカルボン酸樹脂(樹脂Aと略す)を30〜90重量
部、 (B)(メタ)アクリロイル基(CH2=C(H,また
はCH3)−CO−)を1〜6個有し、かつ、分子量が
200〜6,000のラジカル重合性のモノマーBを、
70〜10重量部(樹脂AとモノマーBは合計100重
量部) (C)光重合開始剤(開始剤Cと略す)1〜10重量部
および (D)有機溶剤10〜100重量部、 を含有することを特徴とする回路基板形成用アルカリ現
像型フォトレジスト組成物。
【0010】7)上記1)、2)、3)、4)、5)ま
たは6)記載のフォトレジスト組成物を使用することを
特徴とするバンプ形成用フォトレジスト組成物。
【0011】以下、本発明の組成物の構成成分について
説明する。 (A)樹脂A:不飽和基含有ポリカルボン酸樹脂: 本発明に用いられる樹脂Aは、アルカリ可溶性で、露光
することによって架橋することが可能な特定構造の樹脂
である。樹脂Aは、(a)不飽和カルボン酸と(b)他
のラジカル重合性化合物と共に溶媒中でラジカル共重合
して得た共重合体(共重合体P)に、さらに、(c)エ
ポキシ基を有するラジカル重合性化合物を反応せしめて
得ることができる。共重合体Pの製造に用いる不飽和カ
ルボン酸(a)としては、例えばアクリル酸、メタクリ
ル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸;マレイン酸、フ
マル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジ
カルボンを好ましいものとして挙げることができる。
【0011】共重合体P中に占める不飽和カルボン酸の
共重合割合は、好ましくは20〜75重量%、特に好ま
しくは20〜70重量%である。20重量%未満である
と、後にエポキシ基を有するラジカル重合性化合物
(c)と反応する反応部位が少なく、十分な不飽和基を
導入できない。さらに、得られた樹脂Aが、アルカリ水
溶液に溶解しにくくなるので現像後に膜残りを生じ易く
十分な解像度を得難い。逆に70重量%を越えると、エ
ポキシ基と反応する反応部位は多くなるが、不飽和基含
有ポリカルボン酸樹脂のアルカリ水溶液に対する溶解性
が大きくなりすぎて露光部の溶解、すなわち膜減りが起
こり易くなる。次に、共重合体Pの製造に用いる他のラ
ジカル重合性化合物(b)について説明する。ラジカル
重合性化合物(b)としては、モノオレフィン系不飽和
化合物と、共役ジオレフィン系不飽和化合物が用いられ
る。
【0012】また、モノオレフィン系不飽和化合物を共
重合させることによって、共重合体Pの機械的特性を適
度にコントロールし、アルカリ水溶液に対する溶解性を
調整することもできる。このモノオレフィン系不飽和化
合物としては、たとえばメチルメタクリレート、エチル
メタクリレート、n−ブチルメタクリレート、sec−
ブチルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート等の
メタクリル酸アルキルエステル;メチルアクリレート、
イソプロピルアクリレート等のアクリル酸アルキルエス
テル;シクロヘキシルメタクリレート、2−メチルシク
ロヘキシルメタクリレート、ジシクロペンタニルオキシ
エチルメタクリレート、イソボロニルメタクリレート等
のメタクリル酸環状アルキルエステル;シクロヘキシル
アクリレート、2−メチルシクロヘキシルアクリレー
ト、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンタ
オキシエチルアクリレート、イソボロニルアクリレート
等のアクリル酸環状アルキルエステル;フェニルメタク
リレート、ベンジルメタクリレート等のメタクリル酸ア
リールエステル;フェニルアクリレート、ベンジルアク
リレート等のアクリル酸アリールエステル;マレイン酸
ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等の
ジカルボン酸ジエステル;2−ヒドロキシエチルメタク
リレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート等の
ヒドロキシアルキルエステル;スチレン、α−メチルス
チレン、m−メチルステレン、p−メチルスチレン、ビ
ニルトルエン、p−メトキシスチレン、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデ
ン、アクリルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニル等
を用いることができる。これらの他のラジカル重合性化
合物は複数種用いることもできる。
【0013】共重合体P中に占めるモノオレフィン系不
飽和化合物の共重合割合は、好ましくは24〜79重量
%、特に好ましくは30〜75重量%である。また、光
照射部分の硬化収縮やパターン形成された塗膜の基板へ
の密着性を向上させるため目的で、その一部を共役ジオ
レフィン系不飽和化合物で置き換えることができる。こ
のような共役ジオレフィン系不飽和化合物としては、た
とえば1,3−ブタジエン、イソプレン、1,4−ジメ
チルブタジエン等を用いることができる。 共重合体P
中に占める共役ジオレフィン系不飽和化合物の共重合割
合は、1〜20重量%、特に好ましくは1〜15重量%
である。1重量%未満であると、得られたパターンの密
着性向上に寄与することがなく、逆に20重量%を越え
ると、アルカリ水溶液に対するベースポリマーの溶解性
が減じたり、レジストの剥離が困難になることがある。
【0014】共重合体Pは、不飽和カルボン酸(a)と
他のラジカル性化合物(b)を、溶媒中でラジカル重合
して製造する。重合溶媒としては、たとえばメタノー
ル、エタノール等のアルコール類;テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等の環状エーテル類;メチルセロソルブ
アセテート等のセロソルブエステル類;エチレングリコ
ール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテルなどの多価アルコールのアルキルエ
ーテル類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、プロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸エチ
ルなどのエステル類等が挙げられる。これらのうち、環
状エーテル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、
エステル類が好ましい。
【0015】ラジカル重合における重合触媒としては通
常のラジカル重合開始剤が使用でき、たとえば2,2’
−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−
(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾ
ビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリ
ル)等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロ
イルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、
1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキ
サン等の有機過酸化物および過酸化水素等を挙げること
ができる。過酸化物をラジカル重合開始剤に使用する場
合、還元剤を組み合わせてレドックス型の開始剤として
も良い。本発明における樹脂Aは、共重合体Pのカルボ
ン酸とエポキシ基を有するラジカル重合性化合物(c)
を、例えば、臭化テトラブチルブチルアンモニウムなど
のアンモニウム系触媒を用いて反応させることで得られ
る。
【0016】エポキシ基を有するラジカル重合性化合物
(c)としては、例えばアクリル酸グリシジル、メタク
リル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、
α−n−プロピルアクリル酸グリシジル、α−n−ブチ
ルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキ
シブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、ア
クリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−
6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−
6,7−エポキシヘプチル、、アクリル酸グリシジル、
シクロヘキセンオキシドアクリレート、シクロヘキセン
オキシドメタクリレート等を挙げることができる。これ
らの中、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−6,
7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7
−エポキシヘプチルが特に好ましい。共重合体Pに対し
て、エポキシ基を有するラジカル重合性化合物(c)を
反応させて得られた樹脂Aの不飽和基の含有量は、不飽
和基当量で好ましくは250〜1000g/mol、さ
らに好ましくは400〜750g/molの範囲であ
る。不飽和基当量が1000g/mol以上であると組
成物から得られるパターンの耐薬品性が十分なものとな
り難くなる。また、250g/mol以下であると、ア
ルカリ水溶液に溶解しにくくなるので、現像後に膜残り
を生じ易く十分な解像度を得難い。
【0017】共重合体Pのカルボン酸と、エポキシ基を
有するラジカル重合性化合物(c)との反応に用いられ
る反応溶媒は、共重合体Pの重合に用いたものと同じも
のを用いることができる。したがって、共重合体Pの重
合反応終了後、所定温度まで冷却した後、反応系にエポ
キシ基を有するラジカル重合性組成物および触媒を添加
して、カルボン酸とエポキシ基の反応を重合反応に引き
続いて行うことができる。共重合体Pの分子量およびそ
の分布は、本発明の組成物の溶液を均一に塗布すること
が可能である限り特に限定されるものではないが、アル
カリ水溶液に対する現像性を考慮すると重量平均分子量
で3,000〜50、000であることが望ましい。
【0018】モノマーB:少なくとも1個のエチレン性
不飽和二重結合を有する重合性化合物。モノマーBとし
ては、熱重合もしくは光重合するものであれば特に限定
はされないが、以下のような例を挙げることができる。 エチレン性不飽和二重結合が1つの場合:共重合体Pを
合成する際に使用したラジカル重合性化合物を使用する
ことができるが、好ましくはメタクリル酸及びアクリル
酸のモノエステルとして次式で表される化合物が使用で
きる。 CH2=CHCO−(OC24n−O−paraC64−R
1 (但し、n=0〜8、R1はHまたはC1〜C9のアル
キル基) これらの具体例として、市販品のアロニックスM−10
1(n≒2、R1=H)、同M−102(n≒4、R1
H)、同M−111(n≒1、R1=n−C919)、同
M−113(n≒4、R1=n−C919)、同M−11
4(n≒8、R1=n−C919)、同M−117(n≒
2.5、R1=n−C919)(以上東亜合成化学工業
(株)製)、KAYARAD R−564(n≒2.
3、R1=H)(日本化薬(株)製))が挙げられる。
この他の類似化合物として、市販品のKAYARAD
TC−110S、同TC−120S(日本化薬(株)
製)、V−158、V−2311(大阪有機化学工業
(株)製)等を挙げることができる。また、不飽和カル
ボン酸ジエステルも用いることができる。不飽和カルボ
ン酸ジエステルの例としては、マレイン酸ジメチル、マ
レイン酸ジエチルなどを挙げることができる。
【0019】エチレン性不飽和二重結合が2つの場合:
2価アルコールの(メタ)アクリル酸ジエステルである
2官能(メタ)アクリレートを用いることができる。2
官能(メタ)アクリレートの好ましい例としては、次式
で示される化合物が挙げられる。 CH2=CHCO−(OC24n−O−paraC64−C
(R22−paraC64−O−(C24O)m−COCH
=CH2 (但しn,m=0〜8、R2はHもしくはCH3) これらの具体例として、市販品のアロニックスM−21
0(n≒2、m≒2、R2=CH3)(東亜合成化学工業
(株)製)、KAYARAD R−551(n+m≒
4、R2=CH3)、同R−712(n+m≒4、R2
H)(以上日本化薬(株)製)が挙げられる。また、次
式で示される化合物も好適に使用できる。 CH2=CHCOO−R3−COCH=CH2 (但しR3=炭素数2〜8のオキシアルキル基もしくは
エチレングリコール基、プロピレングリコール基を1〜
10繰り返したもの) これらの具体例として、市販品のアロニックスM−24
0(R3=−(CH2CH2O)n−、n≒4)、同M−2
45(R3=−(CH2CH2O)n−、n≒9)(東亜合
成化学工業(株)製)、KAYARAD HDDA(R
3=−(CH2CH2CH2CH2CH2O)−)、同NPG
DA(R3=−(CH2C(CH32CH2O)−)、同
TPGDA(R3=−(CH2CH(CH3)O−)、同
PEG400DA(R3=−(CH2CH2O)n−、n≒
8)、同MANDA(R3=−(CH2C(CH32CH
2O)−)、同HX−220(R3=−(CH2CH2CH
2CH2CH2O)m−CH2−C(CH32COOCH2
(CH32CH2O(COCH2CH2CH2CH2CH
2O)n−、m+n=2)、同HX−620(R3=−
(CH2CH2CH2CH2CH2O)m−CH2−C(C
32COOCH2C(CH32CH2O(COCH2
2CH2CH2O)n−、m+n=4)(日本化薬(株)
製))を挙げることができる。
【0020】また、次式で示される化合物も好適に使用
できる。 A−(M−N)n−M−A (但しAは(メタ)アクリル酸残基(CH2=C(Hま
たはCH3)COO−)、Mは2価のアルコール残基、
Nは2塩基酸残基を示し、n=0〜15) これらの具体例として、オリゴエステルアクリレート
(市販品としてM−6100、同M−6200、同M−
6250、同M−6300、同M−6400、同M−6
500(東亜合成化学工業(株)製)を挙げることがで
きる。またその他の例として市販品のR−604(日本
化薬(株)製)、V260、V312、V335HP
(以上大阪有機化学工業(株)製)等を挙げることがで
きる。
【0021】エチレン性不飽和二重結合が3つまたはそ
れ以上の場合:3価以上のアルコールの(メタ)アクリ
ル酸エステルを用いることができる。構造としては次式
にに示される化合物を使用できる。 [CH2=CHCO−(OC36n−OCH23−CC
24 (但しnは0〜8、R4=H、OH、CH3)これらの具
体例として、市販品のアロニックスM−309(n=
0、R4=CH3)、同M−310(n≒1、R4=C
3)(東亜合成化学工業(株)製)、KAYARAD
TMPTA(n=0、R4=CH3)(日本化薬(株)
製)、V−295(n=0、R4=CH3)、V−300
(n=0、R4=OH)(大阪有機化学工業(株)製)
を挙げることができる。
【0022】また次式に示されるような化合物も好適に
使用できる。 [(CH2=CHCOOCH23−CCH22−R5(R
5=O、CH2) 具体例としては、市販品のアロニックスM−400(東
亜合成化学工業(株)製)を挙げることができる。同様
に次式に示されるような化合物も好適に使用できる。 A−(X(A)−Y)n−XA2 (但しAは(メタ)アクリル酸、Xは多価アルコール、
Yは多塩基酸を示し、n=0〜15) 具体例としては市販品のアロニックスM−7100、同
M−8030、同M−8060、同M−8100、同M
−9050(東亜合成化学工業(株)製))を挙げるこ
とができる。
【0023】また次式に示されるような化合物も好的に
使用することができる。 [CH2=CHCO−(OC510CO)ma[(OCH
23CCH2OCH2C(CH2O)3](COCH=CH
2b (但しm≒1もしくは2、a≒2〜6の整数、b≒0〜
6の整数) 市販品としてはKAYARAD DPCA−20(m≒
1、a≒2、b≒4)、同DPCA−30(m≒1、a
≒3、b≒3)、同DPCA−60(m≒1、a≒6、
b≒0)、同DPCA−120(m≒2、a≒6、b≒
0)(以上日本化薬(株)製))が挙げられる。その他
にV−360、同−GPT、同−3PA、同−400
(大阪有機化学工業(株)製)等を挙げることができ
る。
【0024】モノマーBは単独でまたは2種以上用いて
もよい。樹脂AとモノマーBの合計100重量部使用す
るとき、樹脂A/モノマーB=30〜90/70〜10
重量部、好ましくは40〜70/60〜30重量部であ
る。モノマーBが10重量部未満であると、感度が低下
し易く、70重量部を越えると、共重合体Pとの相溶性
が悪くなり、塗膜形成後の塗膜表面に膜荒れを生じるこ
とがある。
【0025】開始剤Cとしては、エチレン性化合物を反
応せしめることが可能な光ラジカル重合開始剤、光カチ
オン重合開始剤を好適に使用できる。光ラジカル重合開
始剤としては、たとえばベンジル、ジアセチル等のα−
ジケトン類;ベンゾイン等のアシロイン類;ベンゾイン
メチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイ
ンイソプロピルエーテル等のアシロインエーテル類;チ
オキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、チオ
キサントン−4−スルホン酸、ベンゾフェノン、4,
4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,
4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン等のベン
ゾフェノン類;アセトフェノン、p−ジメチルアミノア
セトフェノン、α,α’−ジメトキシアセトキシベンゾ
フェノン、2,2’−ジメトキシ−2−フェニルアセト
フェノン、p−メトキシアセトフェノン、2−メチル
[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−
1−プロパノン、2−ベンジル−2−ジネチルアミノ−
1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン
等のアセトフェノン類;アントラキノン、1,4−ナフ
トキノン等のキノン類;フェナシルクロライド、トリブ
ロモメチルフェニルスルホン、トリス(トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン等のハロゲン化合物;ジ−t−ブ
チルパーオキサイド等の過酸化物;2,4,6−トリメ
チルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなど
のアシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。
【0026】また、光カチオン重合開始剤としては以下
に示すような市販品を使用することができる。ジアゾニ
ウム塩であるアデカウルトラセットPP−33(旭電化
工業(株)製)、スルホニウム塩であるOPTOMER
SP−150、170(旭電化工業(株)製)、メタ
ロセン化合物であるIRGACURE261(CIBA
−GEIGY(社)製)等を挙げることができる。上述
した種々の光重合開始剤の中で好ましい化合物として
は、光ラジカル重合開始剤として、2−メチル−[4−
(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プ
ロパン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4
−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン等のアセ
トフェノン類またはフェナシルクロライド、トリブロモ
メチルフェニルスルホン、2,4,6−トリメチルベン
ゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、トリス(ト
リクロロメチル)−s−トリアジン等のハロゲン化合物
と光カチオン重合開始剤のすべてを挙げることができ
る。その使用量は、樹脂A100重量部に対して1.0
〜50重量部が好ましく、特に5〜30重量部が好まし
い。1重量部未満であると、酸素によるラジカルの失活
(感度の低下)が生じ易く、50重量部を越えると相溶
性が悪くなったり、保存安定性が低下したりする。ま
た、これら光ラジカル重合開始剤と光カチオン重合開始
剤または光増感剤とを併用することも可能である。
【0027】本発明の組成物には、上述した各成分を均
一に混合する目的で溶剤を添加する。用いる溶剤として
は、樹脂A、モノマーBおよび開始剤Cを均一に溶解さ
せることができ、各成分と反応しないものが用いられ
る。かかる溶剤としては、たとえばメタノール、エタノ
ール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、1,4−
ジオキサン等の環状エーテル類;エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル等のグリコールエーテル類;メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリ
コールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル等のジエチレングリコール類;プロピレングリコール
メチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロ
ピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアル
キルエーテルアセテート類;トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等の
ケトン類;2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒ
ドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロ
キシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エ
チル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メ
チルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチ
ル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプ
ロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類を用いることが
できる。
【0028】さらに、N−メチルホルムアミド、N,N
−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、
N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベ
ンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニ
ルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1
−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテー
ト等の高沸点溶媒を添加することもできる。これらの溶
剤の中で、溶解性、各成分との反応性および塗膜の形成
のしやすさから、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル等のグリコールエーテル類;エチルセロソルブアセテ
ート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテー
ト類;2−ヒドロキシプロピオン酸エチル等のエステル
類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のジエ
チレングリコール類が好適である。上記溶剤の使用量
は、用途、塗布方法に応じて調整することができ、組成
物を均一に混合させることができれば特に限定されるも
のではないが、樹脂AとモノマーBの合計100重量部
に対して10〜100重量部、好ましくは20〜50重
量部である。
【0029】本発明の組成物は、樹脂A、モノマーB、
開始剤Cを必須とするが、目的に応じてこの他の添加剤
を加えることができる。例えば、パターンの耐熱性、硬
度をさらに向上させる目的で、エポキシ化合物を配合す
ることができる。このようなエポキシ化合物としては、
相溶性に影響がない限り限定されるものではないが、好
ましくは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエ
ステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹
脂、複素環式エポキシ樹脂の他、オプトマーSS(日本
合成ゴム(株)製)のようなグリシジルメタクリレート
含有樹脂組成物を挙げる ことができる。これらの中で
特に好ましくは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂等である。これらエポキシ化合物の使
用量は、樹脂A100重量部に対して好ましくは5〜1
00重量部、より好ましくは10〜80重量部である。
【0030】本発明の組成物は、塗布性、消泡性、レベ
リング性を向上する目的で界面活性剤を配合することも
できる。界面活性剤としては、たとえばBM−100
0、BM−1100(BM Chemie社製)、メガ
ファックF142D、同F172、同F173、同F1
83(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードF
C−135、同FC−170C、同FC−430、同F
C−431(住友スリーエム(株)製)、サーフロンS
−112、同S−113、同S−131、同S−14
1、同S−145(旭硝子(株)製)、SH−28P
A、同−190、同−193、SZ−6032、SF−
8428(東レシリコーン(株)製)等の名称で市販さ
れているフッ素系界面活性剤を使用することができる。
これらの界面活性剤の使用量は、樹脂A100重量部に
対して好ましくは5重量部以下、より好ましくは0.0
1〜2重量部の範囲である。
【0031】また、基板との接着性を向上させるために
接着助剤を使用することもできる。使用される接着助剤
としては、官能性シランカップリング剤が有効である。
ここで、官能性シランカップリング剤とは、カルボキシ
ル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ
基、メルカプト基等の反応性置換基を有するシランカッ
プリング剤を意味し、具体例としてはトリメトキシシリ
ル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメト
キシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルト
リメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン等を挙げることができる。これらの接着助剤
は、単独でも2種以上の組み合わせでも使用することが
できる。その配合量は、重合体A100重量部当たり2
0重量部以下が好ましく、より好ましくは、0.05〜
10重量部の範囲である。
【0032】さらに、本発明の組成物には必要に応じ
て、充填材、着色剤、粘度調整剤などを添加することが
できる。充填剤としては、シリカ、アルミナ、タルク、
ベントナイト、ジルコニウムシリケート、粉末ガラスな
どを挙げることができる。着色剤としては、アルミナ
白、クレー、炭酸バリウム、硫酸バリウム等の体質顔
料、亜鉛華、鉛白、黄鉛、鉛丹、群青、紺青、酸化チタ
ン、クロム酸亜鉛、ベンガラ、カーボンブラックなどの
無機顔料、ブリリアントカーミン6B、パーマネントレ
ッド6B、パーマネントレッドR、ベンジジンイエロ
ー、フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーンな
どの有機顔料、マゼンタ、ローダミンなどの塩基性染
料、ダイレクトスカーレット、ダイレクトオレンジ等の
直接染料、ローセリン、メタニルイエロー等の酸性染料
などが挙げられる。粘度調整剤として、ベントナイト、
シリカゲル、アルミニウム粉末などを挙げることができ
る。これらの添加剤は、組成物の本質的な特性を損なわ
ない範囲、好ましくは、得られる組成物に対して、50
重量%以下であることが好ましい。
【0033】本発明の組成物の調製は、充填材、顔料を
添加しない場合には、通常の方法で混合、攪拌するだけ
でよく、充填材、顔料を添加する場合にはディゾルバ
ー、ホモジナイザー、3本ロールミル等の分散機を用い
分散、混合させればよい。また、必要に応じて、メッシ
ュ、メンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよ
い。次に本発明の組成物の使用方法について説明する。
塗膜の形成方法:本発明においては、上述した組成物溶
液を所定の被処理基板上にに塗布し、加熱により溶媒を
除去することによって所望の塗膜を形成することができ
る。被処理基板上への塗布方法は特に限定されず、スピ
ンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプ
リケーター法などの方法を採用することができる。
【0034】なお、本発明の組成物の塗膜の乾燥条件
は、組成物各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によっ
て異なるが、通常は70〜100℃で5〜20分間程度
である。乾燥時間が短すぎると、現像時の密着状態が悪
くなり、また、長すぎると熱かぶりによる解像度の低下
を招く。 露光方法:得られた塗膜に所定のパターンのマスクを介
して、200〜500nmの紫外線または可視光線を照
射することにより、必要な部分のみ光硬化させることで
きる。これらの活性光線の線源として、低圧水銀灯、高
圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アル
ゴンガスレーザーなどを用いることができる。また、X
線、電子線なども活性エネルギー線として組成物の硬化
に用いることができる。
【0035】露光量は、組成物各成分の種類、配合量、
乾燥膜厚によってことなるが、高圧水銀灯使用の場合、
100〜500mJ/cm2((株)オーク製UV42)であ
る。本発明のレジスト組成物は、光硬化後、光硬化しな
かった部分を、アルカリ性水溶液を現像液として用い
て、溶解、除去し、露光部分のみ残存させ、パターンを
形成させる。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミ
ン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プ
ロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジ
ン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウン
デセン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−
ノナン等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノ
ール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した
水溶液を現像液として使用することもできる。
【0036】現像時間は、組成物各成分の種類、配合割
合、組成物の乾燥膜厚によってことなるが、通常30〜
180秒間であり、また現像の方法は液盛り法、デイッ
ピング法、パドル法、スプレー現像法等のいずれでも良
い。現像後は、流水洗浄を30〜90秒間行い、エア−
ガン等を用いて風乾させたり、オーブン中で乾燥させ
て、所望のパターンを得ることができる。 後処理:本発明のフォトレジスト組成物は、前記活性光
線またはエネルギー線の照射のみでも、十分に硬化させ
ることができるが、用途に応じてさらに、露光後、加熱
硬化させる(以下、後露光と記す)ことができる。特
に、永久膜として用いる場合には、後露光することが好
ましい。後露光としては、前記露光方法と同様の方法で
行うことができ、露光量は特に限定されるものではない
が、高圧水銀灯使用の場合100〜1000mj/cm
2((株)オーク製UV42)が好ましい。また、加熱
硬化の方法は、ホットプレート、オーブン等の加熱装置
を用いて、所定の温度たとえば80〜200℃で所定の
時間、たとえばホットプレート上なら10〜60分間、
オーブン中では30〜90分間加熱処理をさせればよ
い。こうすることによって、さらに良好な特性を有する
硬化物を得ることができる。
【0037】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。また、
特にことわりの無い限り、部は重量部、%は重量%を示
す。 樹脂Aの製造:実施例として、樹脂A−1〜A−10、
比較例としてA−11〜15を製造した。詳細を以下に
記す。 樹脂A−1の合成:ドライアイス/メタノール還流器の
付いたフラスコを窒素置換した後、重合開始剤として
2,2’−アゾビスイソブチロニトリル10.0gと溶
媒としてジエチレングリコールジメチルエーテル51
0.0gを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌す
る。引き続いて、メタクリル酸42.5g、ジシクロペ
ンタニルメタクリレート95.0g、ブタジエン12.
5gを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。そして、
溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を5時間保持
した後、90℃で1時間加熱させて重合を終結させ、共
重合体Pを得た。さらに、フラスコ内を空気で置換した
後、メタクリル酸グリシジル31.33g、臭化テトラ
ブチルアンモニウムを300mgおよびブシルヒドロキ
シトルエン50mgを加え、50℃にて35時間系内を
攪拌して、カルボン酸とエポキシ基を反応させた。その
後、反応生成物を多量のメタノール/水2:1混合液に
滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝
固物と同重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量の
メタノール/水2:1混合液で再度凝固させた。この再
溶解−凝固操作を計3回行った後、得られた凝固物を6
0℃で48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カルボン
酸樹脂(樹脂A−1)を得た。
【0038】樹脂A−2の合成:ドライアイス/メタノ
ール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開
始剤として2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバレ
ロニトリル10.0gと溶媒としてジオキサン510.
0gを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌する。引
き続いて、クロトン酸78.95g、イソボルニルメタ
クリレート63.08g、スチレン22.53g、イソ
プレン18.03gを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始
めた。その後、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温
度を5時間保持した後、90℃で1時間加熱させて重合
を終結させ、樹脂Pを得た。さらに、フラスコ内を空気
で置換した後、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチ
ル78.20g、臭化テトラブチルアンモニウムを85
0mgおよびブシルヒドロキシトルエン200mgを加
え、60℃にて24時間系内を攪拌して、カルボン酸と
エポキシ基を反応させた。その後、反応生成物を多量の
メタノール/水2:1混合液に滴下して反応物を凝固さ
せた。この凝固物を水洗後、凝固物と3倍重量のテトラ
ヒドロフランに再溶解し、多量のメタノール/水2:1
混合液で再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計3
回行った後、得られた凝固物を60℃で48時間真空乾
燥し、目的とする不飽和カルボン酸樹脂(樹脂A−2)
を得た。
【0039】樹脂A−3の合成:ドライアイス/メタノ
ール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開
始剤としてベンゾイルペルオキシド10.0gと溶媒と
してジエチレングリコールモノメチルエーテル510.
0gを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌する。引
き続いて、イタコン酸136.50g、ベンジルメタク
リレート89.63g、α−メチルスチレン11.8
g、ブタジエン14.16gを仕込んだ後、ゆるやかに
攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃に上昇さ
せ、この温度を5時間保持した後、90℃で1時間加熱
させて重合を終結させ、共重合体Pを得た。さらに、フ
ラスコ内を空気で置換した後、α−エチルアクリル酸−
6,7−エポキシヘプチル159.3、臭化テトラブチ
ルアンモニウムを750mgおよびブシルヒドロキシト
ルエン50mgを加え、50℃にて35時間系内を攪拌
して、カルボン酸とエポキシ基を反応させた。その後、
反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物を凝固
させた。この凝固物を水洗後、凝固物と3倍重量のテト
ラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再度凝
固させた。この再溶解−凝固操作を計3回行った後、得
られた凝固物を60℃で48時間真空乾燥し、目的とす
る不飽和カルボン酸樹脂(樹脂A−3)を得た。
【0040】樹脂A−4の合成 ドライアイス/メタノール還流器の付いたフラスコを窒
素置換した後、重合開始剤として2,2’−アゾビスイ
ソブチロニトリル10.0gと溶媒としてジエチレング
リコールジメチルエーテル510.0gを仕込み、重合
開始剤が溶解するまで攪拌する。引き続いて、メタクリ
ル酸190.00g、sec−ブチルメタクリレート1
14.28g、スチレン11.9g、イソプレン11.
9gを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、
溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を5時間保持
した後、90℃で1時間加熱させて重合を終結させ、共
重合体Pを得た。さらに、フラスコ内を空気で置換した
後、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル181.
30g、臭化テトラブチルアンモニウムを1.35gお
よびブシルヒドロキシトルエン500mgを加え、55
℃にて28時間系内を攪拌して、カルボン酸とエポキシ
基を反応させた。その後、反応生成物を多量のメタノー
ル/水2:1混合液に滴下して反応物を凝固させた。こ
の凝固物を水洗後、凝固物と3倍重量のテトラヒドロフ
ランに再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。
この再溶解−凝固操作を計3回行った後、得られた凝固
物を60℃で48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カ
ルボン酸樹脂(樹脂A−4)を得た。
【0041】樹脂A−5の合成 ドライアイス/メタノール還流器の付いたフラスコを窒
素置換した後、重合開始剤として2,2’−アゾビス−
2,4−ジメチルバレロニトリル10.0gと溶媒とし
てジオキサン510.0gを仕込み、重合開始剤が溶解
するまで攪拌する。引き続いて、クロトン酸194.0
0g、マレイン酸ジエチル65.20g、α−メチルス
チレン25.0g、ブタジエン2.5gを仕込んだ後、
ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃
に上昇させ、この温度を5時間保持した後、90℃で1
時間加熱させて重合を終結させ、共重合体Pを得た。さ
らに、フラスコ内を空気で置換した後、α−エチルアク
リル酸−6,7−エポキシヘプチル250.0g、臭化
テトラブチルアンモニウム2.0gおよびブシルヒドロ
キシトルエン700mgを加え、55℃にて35時間系
内を攪拌して、カルボン酸とエポキシ基を反応させた。
その後、反応生成物を多量のメタノール/水2:1混合
液に滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗
後、凝固物と3倍重量のテトラヒドロフランに再溶解
し、多量のメタノール/水2:1混合液で再度凝固させ
た。この再溶解操作を計3回行った後、得られた凝固物
を60℃で48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カル
ボン酸樹脂(樹脂A−5)を得た。
【0042】樹脂A−6の合成:ドライアイス/メタノ
ール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開
始剤としてベンゾイルペルオキシド10.0gと溶媒と
してジエチレングリコールモノエチルエーテル510.
0gを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌する。引
き続いて、イタコン酸97.50g、メチルメタクリレ
ート30.95g、スチレン47.63g、イソプレン
11.90gを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。
そして、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を5
時間保持した後、90℃で1時間加熱させて重合を終結
させ、共重合体Pえお得た。さらに、フラスコ内を空気
で置換した後、メタクリル酸グリシジル82.5g、臭
化テトラブチルアンモニウムを500mgおよびブシル
ヒドロキシトルエン150mgを加え、60℃にて24
時間系内を攪拌して、カルボン酸とエポキシ基を反応さ
せた。その後、反応生成物を多量のメタノールに滴下し
て反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と
3倍重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタ
ノールで再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計3
回行った後、得られた凝固物を60℃で48時間真空乾
燥し、目的とする不飽和カルボン酸樹脂(樹脂A−6)
を得た。
【0043】樹脂A−7の合成:ドライアイス/メタノ
ール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開
始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル1
0.0gと溶媒としてジエチレングリコールジメチルエ
ーテル510.0gを仕込み、重合開始剤が溶解するま
で攪拌する。引き続いて、メタクリル酸167.50
g、ジシクロペンタニルメタクリレート43.0g、ス
チレン50.0g、ブタジエン2.80gを仕込んだ
後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を8
0℃に上昇させ、この温度を5時間保持した後、90℃
で1時間加熱させて重合を終結させ、共重合体Pを得
た。さらに、フラスコ内を空気で置換した後、メタクリ
ル酸グリシジル147。80g、臭化テトラブチルアン
モニウムを1.05gおよびブシルヒドロキシトルエン
300mgを加え、60℃にて30時間系内を攪拌し
て、カルボン酸とエポキシ基を反応させた。その後、反
応生成物を多量のメタノール/水2:1混合液に滴下し
て反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と
3倍重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタ
ノール/水2:1混合液で再度凝固させた。この再溶解
−凝固操作を計3回行った後、得られた凝固物を60℃
で48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カルボン酸樹
脂(樹脂A−7)を得た。
【0044】樹脂A−8の合成:ドライアイス/メタノ
ール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開
始剤として2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバレ
ロニトリル10.0gと溶媒としてプロピレングリコー
ルメチルエーテルアセテート510.0gを仕込み、重
合開始剤が溶解するまで攪拌する。引き続いて、メタク
リル酸67.5g、ジシクロペンタニルメタクリレート
80.00g、スチレン50.0g、ブタジエン6。3
0gを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、
溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を5時間保持
した後、90℃で1時間加熱させて重合を終結させ、共
重合体Pを得た。さらに、フラスコ内を空気で置換した
後、メタクリル酸グリシジル60.06g、臭化テトラ
ブチルアンモニウムを400mgおよびブシルヒドロキ
シトルエン150mgを加え、55℃にて45時間系内
を攪拌して、カルボン酸とエポキシ基を反応させた。そ
の後、反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物
を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と3倍重量
のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで
再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計3回行った
後、得られた凝固物を60℃で48時間真空乾燥し、目
的とする不飽和カルボン酸樹脂(樹脂A−8)を得た。
【0045】樹脂A−9の合成:ドライアイス/メタノ
ール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合開
始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル1
0.0gと溶媒としてジエチレングリコールジメチルエ
ーテル510.0gを仕込み、重合開始剤が溶解するま
で攪拌する。引き続いて、メタクリル酸85.45g、
イソボルニルメタクリレート65.00g、スチレン3
3.10g、ブタジエン25.00gを仕込んだ後、ゆ
るやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃に
上昇させ、この温度を5時間保持した後、90℃で1時
間加熱させて重合を終結させ、共重合体Pを得た。さら
に、フラスコ内を空気で置換した後、メタクリル酸グリ
シジル81.25g、臭化テトラブチルアンモニウムを
900mgおよびブシルヒドロキシトルエン300mg
を加え、50℃にて35時間系内を攪拌して、カルボン
酸とエポキシ基を反応させた。その後、反応生成物を多
量のメタノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝
固物を水洗後、凝固物と3倍重量のテトラヒドロフラン
に再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。この
再溶解−凝固操作を計3回行った後、得られた凝固物を
60℃で48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カルボ
ン酸樹脂(樹脂A−9)を得た。
【0046】樹脂A−10の合成:ドライアイス/メタ
ノール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合
開始剤として2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバ
レロニトリル10.0gと溶媒としてジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル510.0gを仕込み、重合開
始剤が溶解するまで攪拌する。引き続いて、クロトン酸
45.00g、ジシクロペンタニルメタクリレート11
3.15g、メタクリル酸ヒドロキシエチル52.63
g、ブタジエン13.15gを仕込んだ後、ゆるやかに
攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃に上昇さ
せ、この温度を5時間保持した後、90℃で1時間加熱
させて重合を終結させ、共重合体Pを得た。さらに、フ
ラスコ内を空気で置換した後、メタクリル酸グリシジル
49.40g、臭化テトラブチルアンモニウムを250
mgおよびブシルヒドロキシトルエン90mgを加え、
50℃にて35時間系内を攪拌して、カルボン酸とエポ
キシ基を反応させた。その後、反応生成物を多量のメタ
ノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水
洗後、凝固物と3倍重量のテトラヒドロフランに再溶解
し、多量のメタノールで再度凝固させた。この再溶解−
凝固操作を計3回行った後、得られた凝固物を60℃で
48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カルボン酸樹脂
(樹脂A−10)を得た。
【0047】樹脂A−11の合成:ドライアイス/メタ
ノール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合
開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル1
0.0gと溶媒としてジエチレングリコールジメチルエ
ーテル510.0gを仕込み、重合開始剤が溶解するま
で攪拌する。引き続いて、メタクリル酸42.50g、
ジシクロベンタニルメタクリレート95。00gを仕込
んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度
を80℃に上昇させ、この温度を5時間保持した後、9
0℃で1時間加熱させて重合を終結させ、共重合体Pを
得た。さらに、フラスコ内を空気で置換した後、メタク
リル酸−6,7−エポキシヘプチル58。60g、臭化
テトラブチルアンモニウムを500mgおよびブシルヒ
ドロキシトルエン200mgを加え、50℃にて35時
間系内を攪拌して、カルボン酸とエポキシ基を反応させ
た。その後、反応生成物を多量のメタノールに滴下して
反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と3
倍重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノ
ールで再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計3回
行った後、得られた凝固物を60℃で48時間真空乾燥
し、目的とする不飽和カルボン酸樹脂(樹脂A−11)
を得た。
【0048】樹脂A−12の合成 ドライアイス/メタノール還流器の付いたフラスコを窒
素置換した後、重合開始剤として2,2’−アゾビスイ
ソブチロニトリル10.0gと溶媒としてジエチレング
リコールジメチルエーテル510.0gを仕込み、重合
開始剤が溶解するまで攪拌する。引き続いて、クロトン
酸34。50g、イソボルニルメタクリレート63。0
8g、スチレン22。53g、イソプレン18。03g
を仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液
の温度を80℃に上昇させ、この温度を5時間保持した
後、90℃で1時間加熱させて重合を終結させ、共重合
体Pを得た。さらに、フラスコ内を空気で置換した後、
メタクリル酸グリシジル43.15g、臭化テトラブチ
ルアンモニウムを300mgおよびブシルヒドロキシト
ルエン100mgを加え、55℃にて28時間系内を攪
拌して、カルボン酸とエポキシ基を反応させた。その
後、反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物を
凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と3倍重量の
テトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再
度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計3回行った
後、得られた凝固物を60℃で48時間真空乾燥し、目
的とする不飽和カルボン酸樹脂(樹脂A−12)を得
た。
【0049】樹脂A−13の合成:ドライアイス/メタ
ノール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合
開始剤としてベンゾイルペルオキシド10.0gと溶媒
としてジエチレングリコールモノメチルエーテル51
0.0gを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌す
る。引き続いて、イタコン酸89.55g、ベンジルメ
タクリレート89.63g、α−メチルスチレン11.
8g、ブタジエン14.16gを仕込んだ後、ゆるやか
に攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃に上昇さ
せ、この温度を5時間保持した後、90℃で1時間加熱
させて重合を終結させ、共重合体Pを得た。さらに、フ
ラスコ内を空気で置換した後、α−エチルアクリル酸−
6,7−エポキシヘプチル50。31g臭化テトラブチ
ルアンモニウムを500mgおよびブシルヒドロキシト
ルエン150mgを加え、60℃にて24時間系内を攪
拌して、カルボン酸とエポキシ基を反応させた。その
後、反応生成物を多量のメタノール/水2:1混合液に
滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝
固物と3倍重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量
のメタノール/水2:1混合液で再度凝固させた。この
再溶解−凝固操作を計3回行った後、得られた凝固物を
60℃で48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カルボ
ン酸樹脂(樹脂A−13)を得た。
【0050】樹脂A−14の合成:ドライアイス/メタ
ノール還流器の付いたフラスコを窒素置換した後、重合
開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル1
0.0gと溶媒としてジエチレングリコールジメチルエ
ーテル510.0gを仕込み、重合開始剤が溶解するま
で攪拌する。引き続いて、メタクリル酸174.60
g、sec−ブチルメタクリレート11.90g、スチ
レン11.9g、イソプレン11.9gを仕込んだ後、
ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃
に上昇させ、この温度を5時間保持した後、90℃で1
時間加熱させて重合を終結させ、共重合体Pを得た。さ
らに、フラスコ内を空気で置換した後、メタクリル酸グ
リシジル108.6g、臭化テトラブチルアンモニウム
を1.35gおよびブシルヒドロキシトルエン500m
gを加え、55℃にて28時間系内を攪拌して、カルボ
ン酸とエポキシ基を反応させた。その後、反応生成物を
多量のメタノール/水2:1混合液に滴下して反応物を
凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と3倍重量の
テトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再
度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計3回行った
後、得られた凝固物を60℃で48時間真空乾燥し、目
的とする不飽和カルボン酸樹脂(樹脂A−14)を得
た。
【0051】樹脂A−15の合成 ドライアイス/メタノール還流器の付いたフラスコを窒
素置換した後、重合開始剤として2,2’−アゾビス−
2,4−ジメチルバレロニトリル10.0gと溶媒とし
てプロピレングリコールメチルエーテルアセテート51
0.0gを仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌す
る。引き続いて、メタクリル酸174.60g、ジシク
ロペンタニルメタクリレート32.50g、スチレン3
3.40g、ブタジエン69.40gを仕込んだ後、ゆ
るやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃に
上昇させ、この温度を5時間保持した後、90℃で1時
間加熱させて重合を終結させ、共重合体Pを得た。さら
に、フラスコ内を空気で置換した後、メタクリル酸グリ
シジル195.00g、臭化テトラブチルアンモニウム
を2.0gおよびブシルヒドロキシトルエン750mg
を加え、55℃にて45時間系内を攪拌して、カルボン
酸とエポキシ基を反応させた。その後、反応生成物を多
量のメタノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝
固物を水洗後、凝固物と3倍重量のテトラヒドロフラン
に再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。この
再溶解−凝固操作を計3回行った後、得られた凝固物を
60℃で48時間真空乾燥し、目的とする不飽和カルボ
ン酸樹脂(樹脂A−15)を得た。
【0052】樹脂Aのアクリル当量の定量 樹脂A1〜A15の合成の途中における共重合体Pの、
不飽和カルボン酸の共重合量とジエン共重合量(重量
%)を、仕込みモノマー量から算出し、表1に示した。
(なお、共重合体Pの重合における重合転化率は、ほぼ
100%である。) また、樹脂Aについて、全不飽和二重結合量をヨウ素化
法(ウィジス法)を用いて定量した。次に、樹脂Aにつ
いて、H1−NMR測定を行い、この結果からジエン化
合物由来の不飽和結合と(メタ)アクリル由来の不飽和
結合の比率を求めた。両者の結果より(メタ)アクリル
由来の不飽和結合量を算出し、アクリル当量(樹脂A中
の(メタ)アクリロイル基1モル当たりの樹脂Aのグラ
ム数)求めた。これらの結果を表1に記載した。
【0053】
【表1】
【0054】アルカリ現像型液状フォトレジスト組成物
の調製 樹脂A、溶剤D、モノマーB、触媒Cおよびその他の添
加剤を表2の如く配合して、ヘンシェルミキサーを用い
て混合、攪拌を行った。表2において、樹脂AのA−1
〜10は、本発明の不飽和カルボン酸樹脂であり、A−
11〜15は、本発明の不飽和カルボン酸樹脂ではな
い。なお、樹脂A−16は、従来より、アルカリ現像型
フォトレジスト組成物において、しばしば用いられるビ
スフェノールA型エポキシアクリレートである。これら
組成物は、すべてヘンシェルミキサーを用いて混合、攪
拌を行った。
【0055】
【表2】
【0056】表2の記号の説明: S−1;エチレングリコールモノエチルエーテル S−2;エチルセルソルブアセテート S−3;ジエチレングリコールジメチルエーテル B−1;アロニックスM−8060(東亜合成化学工業
(株)製) B−2;アロニックスM−210 (東亜合成化学工業
(株)製) B−3;KAYARAD TMPTA(日本化薬(株)
製) B−4;KAYARAD DPCA−60(日本化薬
(株)製) C−1;2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4
−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン(CIB
A−GAIGY社製 イルガキュア−369) C−2;2,4,6−トリメチルベンゾイイルジフェニ
ルフォスフィンオキサイド(BASF社製 ルミリンT
PO) C−3;2−メチル−(4−(メチルチオ)フェニル)
−2−モルフォリノ−1−プロパン(CIBA−GAI
GY社製 イルガキュア−907) C−4;(1−6−η−クメン)(η−シクロペンタジ
エニル)鉄(+1)6フッ化リン酸(CIBA−GAI
GY社製 イルガキュア−261) C−5;トリス(トリクロロメチル)−S−トリアジン
(みどり化学(株)製、光カチオン重合開始剤)
【0057】諸特性の評価: 厚膜解像性の評価 SiO2ガラス基板上にスピンナーを用いて、該組成物
を塗布した後、80℃で10分間ホットプレート上プレ
ベークして、膜厚30μmの塗膜を形成した。次に、解
像度測定用のネガマスク(TOPPAN-TEST-CHART-N)を介
して、高圧水銀灯(ミカサ電機製ML−3型)を用いて
300mJ/cm2(オーク製作所製UV−42)露光し
た。これを、0.5%のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液中で現像した。この後、流水洗浄し、窒
素ブローして残存パターンを得た。これを実体顕微鏡で
観察し、解像度を測定した。また、現像後の膜厚測定
(HERZ社製αステップ100)し、残膜率(%)を
求めた。ここで、残膜率とは、現像後の膜厚をプレベー
ク後の膜厚で除して、100をかけた値である。結果を
表3に示す。
【0058】 電気めっき用レジストとしての性能評
価 電気めっき用レジストとしての性能を評価する為、レジ
ストパターンの電気めっき液耐性を調べた。また、実際
に電気めっき法によるバンプ形成を行い、形成されたパ
ンブの状態を調べた。まず、レジストパターンの電気め
っき液耐性につして説明する。表2の組成物のうち組成
物1〜10、15〜20および24を用い、ステンレス
(SUS304)基板上にと同じ方法で膜厚30μm
のレジストパターンを得たのち、150℃で30分間ホ
ットプレート上で加熱硬化させ、試験体とした。金めっ
き液、ニッケルめっき液、銅めっき液の各めっき液の攪
拌液中に60℃で60分間、試験体を浸漬後、これを取
り出し、流水洗浄の後乾燥し、被処理試験体を得た。被
処理試験体を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパタ
ーンの状態を観察し、電気めっき液耐性を評価した。次
に、別に用意したステンレス基板を用い、露光におい
て、50μm×50μmの正方形が陰影部として描かれた
マスクを用いた以外は上記と同じ方法、条件で試験体を
得、これを用いてバンプ形成のテストを実施した。試験
体のレジストパターンには50μm×50μmの凹形状が
形成されている。各めっき液を用い、60℃で40〜6
0分かけて電気めっきを行った。次いで、電気めっきを
施した試験体から、レジストを剥離する為に、剥離液の
攪拌液中に該試験体を50℃で60分間浸漬してレジス
トを剥離した。レジストを剥離したのち、基板上に形成
された50μm×50μmのバンプを走査型電子顕微鏡で
観察した。各めっき液および剥離液の仕様を以下に示
し、結果を表3に示す。
【0059】(電解金めっき液の仕様) クエン酸ナトリウム : 100g/l KAu(CN)2 : 8g/l スルファミン酸ニッケル: 3g/l 酢酸亜鉛 0.5g/l 水 : 全体が1lになる量 PH : 4.5 電流密度 : 2.0A/dm2 (電解ニッケルめっき液の仕様) 塩化ニツケルル : 100g/l ほう酸 : 8g/l スルファミン酸ニッケル: 600g/l 水 : 全体が1lになる量 PH : 4.0 電流密度 : 3.0A/dm2
【0060】(電解銅めっき液の組成と条件) 硫酸銅 : 210g/l 硫酸 : 52g/l 水 : 全体が1lになる量 PH : 1.0 電流密度 : 3.0A/dm2 (剥離液の組成) フェノール : 25部 ジメチルスルフォキシド : 20部 オルトジクロルベンゼン : 55部
【0061】 無電解めっき用レジストとしての性能
評価 無電解めっき用レジストとしての性能を評価する為、実
際にの無電解銅めっきを行い、形成された銅の配線パタ
ーンの状態、めっき後レジストパターンの状態を調べ
た。以下に詳細を説明する。活性化処理を施したガラス
エポキシ基板に、305メッシュのポリエステルスクリ
ーンを用いて、表3の組成物11〜14、21〜23お
よび25をスクリーン印刷して塗布し、80℃で10分
間ホットプレート上で加熱し、35μmの乾燥塗膜を得
た。次に、露光においてJIS−Z−3197(2形)
に準ずるくし形電極パターンが陰影部分として描かれて
いるマスクを用いた以外は、と同じ方法、条件でレジ
ストパターンを得た。1000mJ/cm2の後露光を行
い、さらに150℃、2時間の熱硬化を施して試験体と
した。試験体を無電解銅めっき液に60℃で24時間浸
漬し、くし形電極上の無電解銅めっきを形成させた。こ
の試験体は、フルアディティブ法によるプリント回路基
板に相当する。実体顕微鏡により、形成された銅の配線
パターンの形状、レジストパターンの劣化状態を観察し
た。また、無電解銅めっき工程後の試験体について、パ
ターンの形成されている以外の部分を用いて、クロスカ
ット試験を行い、密着性の評価とした。下記にめっき液
の仕様を示し、表3に結果を示す。
【0062】(無電解銅めっき液の仕様) 硫酸銅 : 10g/l エチレンジアミン4酢酸 : 30g/l 35%ホルマリン : 4ml/lホ゜リエチレンク゛リコール (分子量400) : 3g/l ジピリジル : 40mg/l 水酸化ナトリウム :PH13となる量 水 : 全体が1lになる量
【0063】 エッチングレジストとしての性能評価 エッチング用レジストとしての性能を評価するために、
実際にシリコンウエハー上に形成したクロム(750
Å)/銅(1.5μm)/クロム(750Å)のエッチ
ングを行いエッチング中でのレジストの脱離の有無およ
び形成されたエッチングパターンの状態を調べた。以下
に詳細を説明する。先に述べたクロム/銅/クロム基盤
上にレジストを15μmの厚さで塗布してから90℃で
5分間ホットプレート上で加熱して溶媒を除去した。次
に、解像度測定用のネガマスク(TOPPAN-TEST-CHART-
N)を介して、高圧水銀灯(ミカサ電機製ML−3型)
を用いて300mJ/cm2(オーク製作所製UV−42)
露光した。これを、0.5%のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液中で現像した。この後、流水洗浄
し、窒素ブローして残存パターンを得た。こうしてレジ
ストパターンを形成した基板を、先ず下記に示すクロム
エッチング液に1〜2分間浸漬して第一層のクロムのエ
ッチングを行い、超純水を用いてエッチング液を洗い流
した。ついで、下記に示す銅エッチング液に3〜5分間
浸漬して第二層の銅のエッチングを行い、超純水を用い
てエッチング液を洗い流した。最後に、再びクロムエッ
チング液に1〜2分間浸漬して第三層目のクロムのエッ
チングを行い、超純水を用いてエッチング液を洗い流し
た。この間レジストの脱離が生じていないかどうかを逐
次実体顕微鏡で確認をおこなった。レジストの脱離が生
じなかった試料については、下記に示す剥離液を用いて
レジストの剥離を行い、水洗、窒素ブローの後、実体顕
微鏡にてエッチングされたパターンの観察を行った。
【0064】(クロムエッチング液の仕様) フェロシアン化カリウム : 250g 水酸化カリウム : 40g 塩化カリウム : 40g 水 : 全体が1lとなる量 (銅エッチング液の仕様) リン酸 : 75体積% 酢酸 : 15体積% 硝酸 : 5体積% 水 : 5体積%
【0065】表3によれば、本発明のアルカリ現像型液
状フォトレジスト組成物である。実施例用組成物1〜1
4は、電気めっき工程中で、優れた形状保持性を示し、
良好なバンプを形成することができた。また、アルカリ
性エッチング液、酸性エッチング液の両者に対して優れ
た耐性を示し、両者を用いた多層エッチングにおいても
良好なエッチングパターンを得ることができた。さら
に、膜厚30μmという厚膜において、高残膜率を維持
しつつ良好な解像性を示したことから、優れたアルカリ
現像性と厚膜解像性を有することが判る。一方、共重合
体Aが本発明の不飽和カルボン酸樹脂ではない比較例用
組成物15、17、20は、電気めっき工程中またはエ
ッチング中の密着状態が劣り、比較例用組成物16、1
8は、アルカリ現像性を有しないものであった。また、
比較例用組成物は、蜜着状態は良好ながら、レジストの
剥離が困難であった。
【0066】
【表3】
【0067】
【発明の効果】本発明のアルカリ現像型液状フォトレジ
スト組成物は、不飽和カルボン酸と他のラジカル重合性
化合物との共重合体を、エポキシ基を有するラジカル重
合性化合物と反応せしめて得られる、不飽和基含有ポリ
カルボン酸樹脂を特徴とするものである。ここで、不飽
和カルボン酸樹脂の不飽和カルボン酸量をコントロール
することによって、レジスト組成物に、優れたアルカリ
現像性と厚膜解像性を付与することができる。また、露
光時に、該不飽和カルボン酸樹脂と少なくとも1個のエ
チレン性不飽和二重結合を有するモノマーとがラジカル
重合により光架橋するため、その不飽和結合の密度をコ
ントロールすることによって、用途に応じた、耐めっき
液性などの耐薬品性、密着性、耐半田性を持たせること
ができる。こうした組成物は、回路基板形成における電
気めっき用、無電解めっき用などのめっき用レジスト、
およびエッチングレジストとしても用いることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/18 D 7511−4E 3/28 D

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)(a)不飽和カルボン酸と、
    (b)他のラジカル重合性化合物との共重合体を、
    (c)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物と反応
    せしめて得られる不飽和基含有ポリカルボン酸樹脂、 (B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有
    する重合性化合物および (C)光重合開始剤、を含有することを特徴とする回路
    基板形成用アルカリ現像型フォトレジスト組成物。
JP18534694A 1994-07-14 1994-07-14 回路基板形成用アルカリ現像型フォトレジスト組成物 Pending JPH0829980A (ja)

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