JPH0825338B2 - 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法Info
- Publication number
- JPH0825338B2 JPH0825338B2 JP63153928A JP15392888A JPH0825338B2 JP H0825338 B2 JPH0825338 B2 JP H0825338B2 JP 63153928 A JP63153928 A JP 63153928A JP 15392888 A JP15392888 A JP 15392888A JP H0825338 B2 JPH0825338 B2 JP H0825338B2
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- reproducing
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大
容量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去
部材の記録再生消去方法に関するものである。
容量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去
部材の記録再生消去方法に関するものである。
従来の技術 光ディスクメモリに関しては、TeとTeO2を主成分とす
るTeOx（Ｏ＜ｘ＜2.0）薄膜を用いた追記型のディスク
がある。さらに、レーザ光により薄膜を加熱し、溶融
し、急冷することにより、非晶質化し情報を記録しまた
これを加熱し、徐冷することにより結晶化し、消去する
ことができる材料としては、エス・アール・オブシンス
キ（S.R.Ovshinsky）氏等のカルコゲン材料Ge15Te81Sb2
S2等が知られている。また、As2S3やAs2Se3あるいはSb2
Se3等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族あるいはGe等の
第IV族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られて
いる。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情
報を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化さ
せておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対
応させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディス
クを回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄
膜の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマー
クとして情報の記録がおこなえる。この情報を消去する
に際してはディスクの回転トラック方向に長いスポット
光を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いス
ポット光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法
が知られている。
るTeOx（Ｏ＜ｘ＜2.0）薄膜を用いた追記型のディスク
がある。さらに、レーザ光により薄膜を加熱し、溶融
し、急冷することにより、非晶質化し情報を記録しまた
これを加熱し、徐冷することにより結晶化し、消去する
ことができる材料としては、エス・アール・オブシンス
キ（S.R.Ovshinsky）氏等のカルコゲン材料Ge15Te81Sb2
S2等が知られている。また、As2S3やAs2Se3あるいはSb2
Se3等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族あるいはGe等の
第IV族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られて
いる。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情
報を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化さ
せておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対
応させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディス
クを回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄
膜の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマー
クとして情報の記録がおこなえる。この情報を消去する
に際してはディスクの回転トラック方向に長いスポット
光を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いス
ポット光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法
が知られている。
発明が解決しようとする課題 薄膜を加熱昇温し、溶融急冷非晶質化および加熱昇温
結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒
体における第一の課題は結晶化に際し、長いスポット光
による徐冷効果を必要とすることである。第二の課題は
加熱サイクルに対応して信号品質が変動することであ
る。この変動要因としては、記録スポット光および消去
スポット光による400℃以上の急速な加熱、冷却の多数
回のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損
傷がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷があ
る。記録薄膜については、その構成組成によっては、膜
中の組成、成分の場所的な変化いわゆる偏析が発生する
場合もある。
結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒
体における第一の課題は結晶化に際し、長いスポット光
による徐冷効果を必要とすることである。第二の課題は
加熱サイクルに対応して信号品質が変動することであ
る。この変動要因としては、記録スポット光および消去
スポット光による400℃以上の急速な加熱、冷却の多数
回のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損
傷がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷があ
る。記録薄膜については、その構成組成によっては、膜
中の組成、成分の場所的な変化いわゆる偏析が発生する
場合もある。
基板あるいは記録膜が以上のような変化を生じた場
合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大
を生じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があ
った。
合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大
を生じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があ
った。
本発明の目的は第一に短い、サークルスポットで結晶
化をおこなえる部材を提供することである。第二の目的
はサイクル特性の安定な部材を提供することである。
化をおこなえる部材を提供することである。第二の目的
はサイクル特性の安定な部材を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、レーザ光等の照射により熱的に薄膜の状態
を変化させて情報を記録および消去する部材において、
薄膜材料として、GeTeと、Geの混合体とし、GeとGeTeの
モル比をＸとして、Ｘ＝Ge/GeTeを０＜Ｘ＜0.3に選び、
これを基板に形成してなることを特徴とする光学情報記
録再生消去部材の記録再生消去方法を提供するものであ
る。
を変化させて情報を記録および消去する部材において、
薄膜材料として、GeTeと、Geの混合体とし、GeとGeTeの
モル比をＸとして、Ｘ＝Ge/GeTeを０＜Ｘ＜0.3に選び、
これを基板に形成してなることを特徴とする光学情報記
録再生消去部材の記録再生消去方法を提供するものであ
る。
作用 GeTe合金は融点が、Tm＝725℃と高く、薄膜化するこ
とにより、非晶質膜が得られ、この膜にレーザ光を照射
し、昇温溶融急冷あるいは、昇温徐冷することにより非
晶質化、結晶化の記録作用を有する。
とにより、非晶質膜が得られ、この膜にレーザ光を照射
し、昇温溶融急冷あるいは、昇温徐冷することにより非
晶質化、結晶化の記録作用を有する。
この組成体は結晶化速度が速く、短いレーザスポット
やサークルスポットで結晶化する性質を有する。しかし
ながら、逆に結晶化速度が速いために非晶質化マーク形
成に、冷却速度の制限をうける。そこで、融点の高い、
Tm＝936℃のGeを混合することにより、結晶化速度を制
御する。Geの混合量を多くすることにしたがって結晶化
速度が低下し、逆に非晶質化マーク形成が容易になる。
このGeは結晶化、非晶質化の過程において、GeTeの結晶
化粒径の成長に対する阻止効果を有し、記録、消去のサ
イクルにおいて結晶化粒径による感度変化を押さえサイ
クル特性の向上をもたらす。
やサークルスポットで結晶化する性質を有する。しかし
ながら、逆に結晶化速度が速いために非晶質化マーク形
成に、冷却速度の制限をうける。そこで、融点の高い、
Tm＝936℃のGeを混合することにより、結晶化速度を制
御する。Geの混合量を多くすることにしたがって結晶化
速度が低下し、逆に非晶質化マーク形成が容易になる。
このGeは結晶化、非晶質化の過程において、GeTeの結晶
化粒径の成長に対する阻止効果を有し、記録、消去のサ
イクルにおいて結晶化粒径による感度変化を押さえサイ
クル特性の向上をもたらす。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明す
る。
る。
記録層である薄膜を形成する基板としては、あらかじ
め、レーザ光案内用の溝あるいは、ピット列を形成した
ポリカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用
いる。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたZnSある
いはSiO2等の第一の無機誘電体層を形成しておく。この
誘電体層としてはSiO2を15モル％以上含ませたZnS誘電
体層が好ましい。
め、レーザ光案内用の溝あるいは、ピット列を形成した
ポリカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用
いる。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたZnSある
いはSiO2等の第一の無機誘電体層を形成しておく。この
誘電体層としてはSiO2を15モル％以上含ませたZnS誘電
体層が好ましい。
この上に、GeTe合金および過剰Geからなる混合薄膜を
形成する。さらにこの記録薄膜層の上に第二の無機誘電
体層を設けることにより耐熱性の向上をはかることがで
きる。薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは、ス
パッタ法が使用できる。第二の無機誘電体層の上に反射
層を設けることにより、感度の向上をはかることもでき
る。この薄膜の膜厚として80nmを選ぶ。さらに保護板と
してポリカーボネイト板を接着剤で密着する。φ130mm
のディスクとして、1800rpm回転でf1＝3.43MHzの信号
と、f2＝1.0MHzの信号のオーバーライト特性を測定す
る。オーバーライトは、１ヶのサークルスポットφ１μ
ｍのレーザ光により、高いパワーレベル18mW、低いパワ
ーレベル10mWのパワーレベル間の変調で、高いパワーレ
ベルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで非
晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法であ
る。
形成する。さらにこの記録薄膜層の上に第二の無機誘電
体層を設けることにより耐熱性の向上をはかることがで
きる。薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは、ス
パッタ法が使用できる。第二の無機誘電体層の上に反射
層を設けることにより、感度の向上をはかることもでき
る。この薄膜の膜厚として80nmを選ぶ。さらに保護板と
してポリカーボネイト板を接着剤で密着する。φ130mm
のディスクとして、1800rpm回転でf1＝3.43MHzの信号
と、f2＝1.0MHzの信号のオーバーライト特性を測定す
る。オーバーライトは、１ヶのサークルスポットφ１μ
ｍのレーザ光により、高いパワーレベル18mW、低いパワ
ーレベル10mWのパワーレベル間の変調で、高いパワーレ
ベルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで非
晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法であ
る。
第１図に記録薄膜の組成と記録特性および消去特性の
関係をしめす。記録薄膜の組成はＸ＝Ge/GeTeであらわ
す。記録特性はC/Nであらわす。消去特性は消去率であ
らわす。Ｘ＝０つまり、過剰Geがない場合は記録C/Nは
低く、これは、非晶質化マークが形成されにくいことに
対応している。Geが少し入るだけで記録C/Nは急に増大
しＸ＝0.1以上で50dB以上になる。ただし、消去率は逆
にＸ＝０つまり、過剰Geがない場合の方が高く、Ge量が
増加するにしたがって低下する。Ｘ＝0.4以上で20dB以
下になる。サイクル特性は、Geが少ない領域では記録振
幅の低下により限界が生ずる。Geが多い領域ではノイズ
レベルの増大により限界が生ずる。Ｘ＝0.2では、C/Nお
よび消去率が高く、さらに、1E＋５サイクル以上安定で
ある。
関係をしめす。記録薄膜の組成はＸ＝Ge/GeTeであらわ
す。記録特性はC/Nであらわす。消去特性は消去率であ
らわす。Ｘ＝０つまり、過剰Geがない場合は記録C/Nは
低く、これは、非晶質化マークが形成されにくいことに
対応している。Geが少し入るだけで記録C/Nは急に増大
しＸ＝0.1以上で50dB以上になる。ただし、消去率は逆
にＸ＝０つまり、過剰Geがない場合の方が高く、Ge量が
増加するにしたがって低下する。Ｘ＝0.4以上で20dB以
下になる。サイクル特性は、Geが少ない領域では記録振
幅の低下により限界が生ずる。Geが多い領域ではノイズ
レベルの増大により限界が生ずる。Ｘ＝0.2では、C/Nお
よび消去率が高く、さらに、1E＋５サイクル以上安定で
ある。
発明の効果 レーザ光による記録再生消去をおこなう部材におい
て、GeTe合金に過剰Geを混合した記録薄膜によりつぎの
効果を得る。
て、GeTe合金に過剰Geを混合した記録薄膜によりつぎの
効果を得る。
（１） 非晶質化記録および、結晶化消去が容易で１ス
ポットサークルビームオーバライトが可能。
ポットサークルビームオーバライトが可能。
（２） 多サイクル記録および消去においてC/N,消去率
特性がすぐれる。
特性がすぐれる。
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の記録薄膜の組成とレーザ記録、消去特性をあら
わすグラフである。 １……記録特性C/N、２……消去特性、消去率。
去部材の記録薄膜の組成とレーザ記録、消去特性をあら
わすグラフである。 １……記録特性C/N、２……消去特性、消去率。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯村 秀己 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 内田 正美 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−157894（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−160026（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−118290（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】レーザー光の照射により、そのエネルギー
を吸収して昇温し、溶融し、急冷し、アモルファス化す
る性質とアモルファスの状態を昇温することにより、結
晶化する性質を有する記録薄膜として、GeTe合金と過剰
Geの混合体とし、Ge/GeTeのモル比をＸとして、０＜Ｘ
＜0.3に選び基板に形成してなる光学情報記録再生消去
部材を用い、結晶状態から非晶質状態に変化させて情報
を記録し、非晶質状態から結晶状態に変化させて情報を
消去することを特徴とする光学情報記録再生消去部材の
記録再生消去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153928A JPH0825338B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153928A JPH0825338B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025237A JPH025237A (ja) | 1990-01-10 |
| JPH0825338B2 true JPH0825338B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=15573142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153928A Expired - Fee Related JPH0825338B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825338B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2979620B2 (ja) * | 1990-10-09 | 1999-11-15 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
| JP2000195110A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Teijin Ltd | 相変化型光記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157894A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-19 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS6166696A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ−記録媒体 |
| JPS62279533A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JPH0822614B2 (ja) * | 1986-08-05 | 1996-03-06 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63153928A patent/JPH0825338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH025237A (ja) | 1990-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |