JPH08222517A - 半導体製造装置のコリメータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップの接続孔底部における被覆性を
高め、同時に成膜速度の低下を抑え、かつ生産性を向上
させる。 【構成】 スパッタ粒子が通過する同一直径の多数の貫
通孔４を有する２枚のコリメータ板１、２と、これらの
コリメータ板１、２を所定の間隔で支持する３本のスペ
ーサ３とによって構成されている。コリメータ板１側か
ら、斜めに入射したスパッタ粒子はコリメータ板２のウ
エハーと反対側の面で阻止され、その部分に付着するの
で、目詰まりが起り難い。従って、接続孔底部の被覆性
を高めるため、コリメータのアスペクト比を大きくして
も、成膜速度が低下せず、また発塵も少ない。そしてコ
リメータ交換の周期を長くできるので稼働率が向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特にスパッタ粒子の飛翔方向を整える半導体製造装置の
コリメータに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップの異なる層に形成された配
線などは、各層を電気的に分離する層間絶縁膜に設けた
貫通孔、すなわち接続孔（コンタクトホールともいう）
を通じて接続される。図９にこのような接続孔の一例を
示す。１２１は半導体基板、１２２は層間絶縁膜、１２
３は層間絶縁膜の上に形成された金属配線である。１２
４が接続孔であり、接続孔１２４の底部には、スパッタ
リングによってチタン（Ｔｉ）の膜１２５が形成され、
その上にブランケット・タングステン１２６が充填され
て、配線１２３が基板１２１に接続されている。

【０００３】ところで、ＬＳＩの高密度化に伴って半導
体チップに形成される接続孔のアスペクト比（深さＤｐ
を直径Ｄｉで割った値）はますます大きくなってきてお
り、従来のスパッタ技術では接続孔底部に必要量のスパ
ッタ粒子が到達せず、接続孔底部に十分に被着させるこ
とが難しくなっている。スパッタ粒子の被着が不十分と
なると、例えば図９の例では、チタン膜１２５が適切に
成膜せず、接続孔底部のチタン膜１２５による被覆率が
低下して配線１２３の基板１２１への接続が不良とな
る。

【０００４】このような被覆率の低下は、スパッタ装置
にコリメータを組み込むことによって改善することがで
きる。コリメータを用いたスパッタ装置の一例を図１０
に示す。フレーム１０１にスパッタ粒子源のターゲット
１０２が取り付けられ、このターゲット１０２と平行
に、一定の距離をおいてコリメータ１０３が取り付けら
れている。ターゲット１０２の背面側にはターゲット１
０２に負の高電圧を印加するカソード１０５が設けられ
ている。そして、コリメータ１０３の、ターゲット１０
２と反対の側にはウエハー１０４が、コリメータ１０３
と平行に、一定の距離をおいて配置されている。コリメ
ータ１０３は、図１１の（ａ）の平面図および図１１の
（ｂ）の断面図（図１１の（ａ）における直線ｂでの断
面図）に示すように、円形の板に多数の貫通孔を開けた
ものである。貫通孔の形状は円形に限らず、図１２に示
すように６角形のものもある。なお、図１０ではこれら
の貫通孔は省略されている。このようなコリメータを備
えたコリメート・スパッタ装置は真空チェンバ内に配置
され、スパッタリングが行われる。

【０００５】ターゲット１０２を出たスパッタ粒子はさ
まざまな角度でコリメータ１０３の各貫通孔に入射す
る。それらの粒子の中、図１３に示すように、斜めに入
射したスパッタ粒子１１０，１１１は貫通孔１０６の内
壁１０７に当たり、その部分に被着する。従って、これ
らの粒子はコリメータ１０３によって遮られ、ウエハー
１０４には到達しない。一方、コリメータ１０３に対し
て垂直に入射したスパッタ粒子１１２はコリメータ１０
３の貫通孔１０６を通過し、ウエハー１０４に到達す
る。すなわち、ウエハー１０４に対して垂直に飛翔する
スパッタ粒子のみがウエハー１０４に入射することにな
る。従って、このようなコリメータを用いることによっ
て、接続孔のアスペクト比が大きい場合でも、接続孔底
部に十分な量のスパッタ粒子を被着させることができ、
接続孔底部において良好な被覆性を実現できる。なお、
図では説明のため、スパッタ粒子１１０〜１１２は実際
のサイズとは無関係に、大きく描かれている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなコ
リメート・スパッタ装置でも、接続孔のアスペクト比が
さらに大きくなると必ずしも十分な性能が得られなくな
る。接続孔のアスペクト比が大きくなることにより、接
続孔底部の被覆率がどのように低下するかを図１４のグ
ラフに示す。このグラフはメーカの異なる３種類のスパ
ッタ装置による実験結果であり、３本の曲線Ｆ、Ｊ、Ｈ
が、各スパッタ装置でチタンをスパッタリングした場合
の、接続孔のアスペクト比と接続孔底部の被覆率との関
係を示している。グラフの横軸はアスペクト比を表し、
縦軸は被覆率を表している。このグラフから分るよう
に、いずれの装置でも、アスペクト比が大きくなると、
被覆率は急速に低下する。

【０００７】コリメータを用いた場合、接続孔底部の被
覆性をさらに高めるためには、図１３を参照して分るよ
うに、コリメータの貫通孔をできるだけ小さくし、一
方、貫通孔の深さはできるだけ深く、従ってコリメータ
の厚さをできるだけ厚くすればよい。そうすることによ
って、少しでも斜めに飛翔するスパッタ粒子はコリメー
タ１０３によって遮られ、垂直に飛翔するスパッタ粒子
のみがウエハー１０４に入射するようになるので、接続
孔底部により多くのスパッタ粒子を被着させることがで
きる。

【０００８】しかしコリメータの貫通孔を深くした場合
には、貫通孔１０６の内壁１０７に被着する粒子が多く
なり、その結果、目詰まりが起り易くなる。そしてコリ
メータの貫通孔を小さくすると、目詰まりはますます起
り易くなる。目詰まりが発生すると、ウエハーに到達す
るスパッタ粒子が減少して、ウエハーにおける成膜速度
（デポジション・レートともいう）が低下する。

【０００９】図１５のグラフは、コリメータ板の目詰ま
りによって、成膜速度が低下することを示す実験結果で
ある。スパッタリングによりウエハー上にチタン膜を形
成し、その際の成膜速度と、形成された膜厚の均一性を
測定した。横軸はカソードを通じてＴｉターゲットに供
給した電力量（ＫＷｈ）を表し、左の縦軸は成膜速度
（ｎｍ／ｍｉｎ）、右の縦軸は膜厚の均一性（％）をそ
れぞれ表している。そして○印の折れ線が成膜速度の測
定結果、●印の折れ線が膜厚均一性の測定結果である。
また、実験は３回に分けて行い、ｔ１、ｔ２、ｔ３の各
範囲の折れ線がそれぞれの実験結果を示している。

【００１０】膜厚の均一性については、●印の折れ線か
ら分るように、比較的良好な結果が得られているが、成
膜速度については、○印の折れ線から分るように、供給
した電力量が大きくなると、従っておおむねスパッタリ
ングを行う時間が長くなると、成膜速度はしだいに低下
している。このことはコリメータ板で目詰まりが発生
し、ウエハーに到達するスパッタ粒子の量が低下してい
ることを示している。成膜速度の低下は、コリメータ板
の貫通孔のアスペクト比が大きくなるほど、強く現れる
ことになる。

【００１１】従って、貫通孔のアスペクト比を大きくす
ると、コリメータを短い周期で交換しなければならなく
なり、生産性の低下を招く。コリメータを交換するため
には、真空チェンバを大気に開放する必要があり、交換
後はチェンバ内を真空にするため、立ち上げには通常１
０〜１５時間もの長時間を必要とする。そのため、コリ
メータ交換の頻度が高いと稼働率は大幅に低下する。ま
た、貫通孔のアスペクト比を大きくすると、発生するダ
ストの量（発塵量ともいう）も多くなるので、この点で
も、コリメータを短い周期で交換しなければならなくな
る。

【００１２】本発明の目的は、このような問題を解決
し、接続孔底部の被覆性を高め同時に成膜速度の低下を
抑え、かつ生産性の向上を可能とする半導体製造装置の
コリメータを提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、スパッタ粒子の飛翔方向を整える半導体製造
装置のコリメータにおいて、多数の貫通孔を有する複数
のコリメータ板と、前記複数のコリメータ板の間隔を決
めるコリメータ板の支持部材とを備えたことを特徴とす
る。

【００１４】また、本発明は、スパッタ粒子の飛翔方向
を整える半導体製造装置のコリメータにおいて、多数の
貫通孔を有する複数のコリメータ板と、前記複数のコリ
メータ板の間隔を決め、かつ少なくとも１つの前記コリ
メータ板を回転可能に支持する支持部材とを備え、この
支持部材が回転可能に支持する前記コリメータ板は、そ
の周辺部の少なくとも一部に歯を有し、この歯に係合す
る歯車と、この歯車の軸とを備えたことを特徴とする。

【００１５】

【作用】本発明では、多数の貫通孔を有する複数のコリ
メータ板が所定の間隔で支持部材により支持されてい
る。従って、各コリメータ板を薄くしても、それらの間
隔を十分にとることにより、必要なアスペクト比を確保
でき、コリメータに対して垂直に入射したスパッタ粒子
のみを通過させるコリメータを形成して、コンタクト底
部においても十分な被覆性を達成できる。そして、コリ
メータに対して斜めに入射したスパッタ粒子は、従来の
ようにコリメータ板の貫通孔の側壁に付着するのではな
く、進行方向側のコリメータ板の背面（ウエハーと反対
側の面）に主に付着する。

【００１６】さらに、複数のコリメータ板をそれらの貫
通孔の位置をずらして配置した場合には、必要に応じて
そのずれの程度を変えることにより、貫通孔内壁へのス
パッタ粒子の付着によってコリメータの開口率が変化し
た場合でも、それを容易に補正することができる。

【００１７】コリメータ板は薄板とできるので、コリメ
ータ板にさまざまな大きさの貫通孔を簡単に形成でき、
ターゲットのエロージョン・プロファイルに合わせて、
貫通孔の大きさをコリメータ板上の部位によって変える
ことは容易である。

【００１８】また、本発明では、多数の貫通孔を有する
複数のコリメータ板が所定の間隔で支持部材によって支
持され、そして少なくとも１つのコリメータ板は回転可
能となっている。さらに、回転可能に支持されたコリメ
ータ板は、その周辺部に歯を有し、歯車がその歯に係合
しているので、歯車の軸を回転させることにより、上記
コリメータ板を回転させ、そのコリメータ板の貫通孔の
位置を他のコリメータ板の貫通孔の位置に対して変える
ことができる。従って、コリメータの開口率を容易に制
御することができる。

【００１９】

【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図１
は本発明のコリメータの一例を示す斜視図である。この
コリメータは、スパッタ粒子が通過する同一直径の多数
の貫通孔４を有する２枚のコリメータ板１、２と、これ
らのコリメータ板１、２を所定の間隔で支持する３本の
スペーサ３とによって構成されている。なお、図では簡
単のため、貫通孔４はその一部のみを示したが、実際に
はコリメータ板全体に規則的に形成されている。

【００２０】スペーサ３の両端部にはメネジが形成され
ており、コリメータ板１、２の対応する位置には穴が開
けられている。その穴を通じてボルト５を挿入し、ネジ
止めすることにより、コリメータ板１、２がスペーサ３
に締め付け固定されている。コリメータ板１、２には上
述のように多数の貫通孔４が設けられているが、それら
の貫通孔の形状は円形であり、また、コリメータ板１と
コリメータ板２の各貫通孔は、それらの中心が一致する
ように配置されている。なお、貫通孔４の形状は、それ
ぞれのプロセスに合った形状とすればよく、例えば図１
２に示したように６角形とすることももちろん可能であ
る。

【００２１】このように構成されたコリメータは、図１
１のコリメート・スパッタ装置において、コリメータ１
３と置き換えて使用する。

【００２２】図２により明瞭に示すように、コリメータ
板１の各貫通孔４と、コリメータ板２の各貫通孔４とは
その位置が一致している。従って、スパッタ粒子１１２
など、コリメータにほぼ垂直に入射した粒子は、コリメ
ータ板１、２の位置が一致している対応する貫通孔を通
じて、コリメータを通り抜けることができ、それらの粒
子は、ウエハーにほぼ垂直に入射する。

【００２３】一方、スパッタ粒子１１０、１１１など、
コリメータに対して斜めに入射した粒子は、図のよう
に、コリメータ板２の背面部（ターゲット側の面）で阻
止され、コリメータを通り抜けることができず、従って
ウエハーには到達しない。すなわち、本実施例のコリメ
ータを用いることにより、従来と同じように、ウエハー
に対してほぼ垂直に飛翔するスパッタ粒子のみをウエハ
ーに入射させることができる。

【００２４】そして、本実施例のコリメータでは、斜め
に入射したスパッタ粒子は、従来のように貫通孔の側壁
に付着するのではなく、コリメータ板の主に背面部に付
着するので、目詰まりは起り難くい。従って、接続孔底
部における十分な被覆性を得るために、コリメータ板
１、２の間隔を大きくしたり、あるいは貫通孔４の直径
を小さくしてコリメータ貫通孔の実質的なアスペクト比
を大きくしても、長時間に渡って成膜速度が低下せず、
また発塵も少なくなり、そしてメンテナンス・サイクル
を延ばして生産性を高めることができる。また、アスペ
クト比の変更は、スペーサ３の長さを変えるのみで行え
るので極めて容易である。従って、従来のようにアスペ
クト比の異なるコリメータを何枚も試作するといったこ
とは不要であり、コスト削減に有効である。

【００２５】なお、本実施例では、２枚のコリメータ板
を用いたが、図３に示すように、さらに１枚のコリメー
ト板１０を追加して、例えば３枚のコリメータ板を所定
の間隔で配置し、コリメータを構成することも可能であ
る。その場合には、斜めに入射したスパッタ粒子１１
０、１１１をより確実に阻止することができる。また、
コリメータ板の数をさらに増すことももちろん可能であ
る。

【００２６】上記実施例では、コリメータ板１、２の貫
通孔４の位置は一致させるとしたが、貫通孔の位置をず
らしておくことにより、開口率（コリメータ板の全面積
に対する貫通孔部分の総面積の割合）の変化を補正し、
さらにメンテナンス・サイクルを延長することができ
る。すなわち、図４に示すように、コリメータ板１の貫
通孔４（実線）と、コリメータ板２の貫通孔４（点線）
とがずれた状態で各コリメータ板１、２をスペーサ３に
取り付ける。具体的には、例えばコリメータ板２をコリ
メータ板１に対して若干回転させ、またそれに応じてス
ペーサ取り付け穴の位置を変更すればよい。このように
した場合、実際の開口は、各コリメータ板１、２の貫通
孔が重なった領域、例えば領域Ｒとなる。コリメータ板
１、２をこのように配置して使用を開始し、その後、ス
パッタ粒子の付着によって各貫通孔４が小さくなり、従
って領域Ｒなどの重なった領域も狭くなってきた場合に
は、コリメータ板２を、貫通孔４のずれが少なくなる方
向に回転させる。それによってコリメータ板１、２の貫
通孔の重なった部分の面積は広くなり、従って、開口率
の低下を補正することができる。

【００２７】このようなコリメータ板の回転は図５の部
分断面図に示すような機構によって容易に行うことがで
きる。１１、２２はコリメータ板１、２に対応する円形
のコリメータ板であり、それぞれには、対応する位置に
多数の貫通孔４が形成されている。図では各コリメータ
板は、その中心を通る面での断面が示されている。各コ
リメータ板１１、１２は概ね盆のような形状となってお
り、一方（コリメータ板１１）を裏返しにして２つの盆
を重ねた形でコリメータが形成されている。コリメータ
板１１の盆の縁に相当する縁１７は、その先端部が内側
に曲げられ、その部分と本体部との間に空間が形成され
ている。一方、コリメータ板１２の盆の縁に相当する縁
１４は、その先端部が外側に曲げられ、その部分が、コ
リメータ板１１の上記空間内に収められ、縁１４、１７
どうしが係合している。

【００２８】コリメータ板１２は反対側、すなわち図面
上で下側にも縁１４と同一形状の縁１５を有し、縁１７
と同様の形状のリング状のレール１３に係合している。
そして、縁１４、１５は縁１７およびレール１３に対し
てそれぞれ摺動可能となっており、従って、コリメータ
板１２はコリメータ板１１に対して回転できる。２つの
コリメータ板１１、１２の間隔は、支持部材として機能
するコリメータ板１２の縁１４によって決まるので、こ
のコリメータのアスペクト比は、縁１４の高さ、コリメ
ータ板１１、１２の厚さ、ならびに貫通孔４の直径によ
って決まる。

【００２９】コリメータ板１２はさらに、図６に一層明
瞭に示すように、その周辺部の少なくとも１部に歯１６
を有しており、この歯１６は、回転軸１９に取り付けら
れた歯車１８と係合している。従って、軸１９を回し、
歯車１８を回転させることによって、コリメータ板１２
を回転させ、コリメータ板１２の貫通孔４の位置を、コ
リメータ板１１の貫通孔４に対してずらすことができ
る。そのずれの量は回転量を調整することにより任意に
設定できる。すなわち、軸１９を回転させて、２つのコ
リメータ板１１、１２の貫通孔の位置のずれを任意に設
定し、コリメータの開口率を調整することができる。な
お、軸１９は軸受２０によって支持されており、軸受２
０はコリメート・スパッタ装置の所定部位に固定されて
いる。

【００３０】このような調整機構は、真空チェンバ内に
収めることができ、回転軸１９の一端のみをチェンバの
外に出すか、あるいは、適切な伝動手段によってチェン
バの外から回転軸１９に回転力を伝達するようにすれ
ば、真空チェンバを開放することなく、コリメータの開
口率を調整することができ、高い生産性を実現できる。

【００３１】また、上記実施例では、コリメータ板１、
２に設ける貫通孔４の大きさはすべて同じとしたが、貫
通孔の大きさをコリメータ板上の場所によって変えるこ
とも可能である。本発明では、コリメータ板は薄板によ
って形成できるので、種々の大きさの貫通孔を開けるこ
とは極めて容易であり、例えば図７に示すように、最も
小さい貫通孔６から最も大きい貫通孔９まで、種々の大
きさの貫通孔をコリメータ板２４の各部位ごとに設ける
ことができる（簡単のため図には一部の貫通孔のみを示
す）。このようにした場合、大きい貫通孔の部分では、
より多くのスパッタ粒子が通過し、小さい貫通孔の部分
では、より少ないスパッタ粒子が通過する。

【００３２】従って、図８に模式的に示すように、ター
ゲット１０２のエロージョン・プロファイル（ａ）に合
わせて、貫通孔の大きさを変えれば、本来同図（ｂ）に
示すようにウエハー１０４上の成膜分布が不均一の場合
でも、均一な成膜分布（ｃ）を得ることができる。

【００３３】なお、ターゲットのエロージョン・プロフ
ァイルとは次のようなものをいう。スパッタリングを行
うとターゲットの表面からスパッタ粒子が放出されるの
で、時間の経過とともにターゲットの表面はしだいに侵
食されたようになる。そして、その侵食の程度は、カソ
ードの特性によって場所により異なったものとなるた
め、表面には凹凸が生じる。この様子を断面で見たもの
がエロージョン・プロファイルである。侵食の激しい部
分はそれだけスパッタ粒子を多く放出した部分であり、
ウエハー上の対応する部分の膜厚は厚くなる。逆に、侵
食の少ない部分はスパッタ粒子の放出が少ない部分であ
り、ウエハー上の対応する部分の膜厚は薄くなる。従っ
て、侵食の多い部分ではコリメータの貫通孔を小さく
し、侵食の少ない部分ではコリメータの貫通孔を大きく
することでウエハー上の成膜分布を均一化できる。従来
は、成膜分布はカソードの特性によって支配的に決って
いたが、本発明ではそれを補正できる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、多数の
貫通孔を有する複数のコリメータ板が所定の間隔で支持
部材により支持されている。従って、各コリメータ板を
薄くしても、それらの間隔を十分にとることにより、必
要なアスペクト比を確保でき、コリメータに対して垂直
に入射したスパッタ粒子のみを通過させるコリメータを
形成して、接続孔底部においても十分な被覆性を達成で
きる。そして、コリメータに対して斜めに入射したスパ
ッタ粒子は、従来のようにコリメータ板の貫通孔の側壁
に付着するのではなく、進行方向側のコリメータ板の背
面（ウエハーと反対側の面）に主に付着するので、目詰
まりが起りにくい。その結果、成膜速度が低下せず、ま
た発塵も少なくなり、メンテナンス・サイクルを延ばし
て生産性を高めることができる。

【００３５】また、コリメータのアスペクト比の変更
は、支持部材を変えるのみでよいので極めて容易に行え
る。従って、従来のようにアスペクト比の異なるコリメ
ータを何枚も試作するといったことは不要であり、コス
ト削減が可能となる。

【００３６】さらに、複数のコリメータ板をそれらの貫
通孔の位置をずらして配置しておき必要に応じてそのず
れの程度を変えることにより、貫通孔内側壁へのスパッ
タ粒子の付着によってコリメータの開口率が変化した場
合でも、それを容易に補正することができる。従って、
開口率を常に一定に保ち、必要な成膜速度を確保するこ
とができる。

【００３７】上述のようにコリメータ板は薄板とできる
ので、コリメータ板に、さまざまな大きさの貫通孔を容
易に形成できる。従って、ターゲットのエロージョン・
プロファイルに合わせて、貫通孔の大きさをコリメータ
板上の部位によって変え、ウエハー上に形成される膜の
厚さの均一性を高めることができる。

【００３８】また、本発明では、多数の貫通孔を有する
複数のコリメータ板が所定の間隔で、支持部材によって
支持されている。従って上記請求項１の発明と同じ効果
が得られる。さらに、回転可能に支持されたコリメータ
板は、その周辺部に歯を有し、歯車がその歯に係合して
いるので、歯車の軸を回転させることにより、上記コリ
メータ板を回転させ、そのコリメータ板の貫通孔の位置
を他のコリメータ板の貫通孔の位置に対して変えること
ができる。従って、コリメータの開口率を容易に制御す
ることができ、スパッタ粒子の付着によって開口率が変
化しても、それを補正して必要な成膜速度を確保でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のコリメータの一例を示す斜視図であ
る。

【図２】図１のコリメータを示す部分拡大断面図であ
る。

【図３】本発明のコリメータの他の例を示す部分拡大断
面図である。

【図４】本発明のコリメータの他の例を示す模式平面図
である。

【図５】本発明のコリメータを示す部分断面図である。

【図６】図５のコリメータを示す部分斜視図である。

【図７】本発明のコリメータの他の例を示す部分平面図
である。

【図８】図７のコリメータを用いた場合の効果を示す説
明図である。

【図９】導電材料を充填した接続孔を示す部分断面図で
ある。

【図１０】従来のコリメータを用いたコリメート・スパ
ッタ装置を示す断面図である。

【図１１】従来のコリメータを示す平面図および断面図
である。

【図１２】コリメータの一部を拡大して示す部分平面図
である。

【図１３】コリメータの一部を拡大して示す部分断面図
である。

【図１４】従来のコリメート・スパッタ装置の性能を示
すグラフである。

【図１５】従来のコリメート・スパッタ装置の性能を示
すもう１つのグラフである。

【符号の説明】

１、２、１０、１１、１２ コリメータ板 ３ スペーサ ４、６〜９ 貫通孔 ５ ボルト １３ レール １４、１５、１７ 縁 １６ 歯 １８ 歯車 １９ 回転軸 ２０ 軸受 １０１ フレーム １０２ ターゲット １０３ コリメータ １０４ ウエハー １０５ カソード １２１ 半導体基板 １２２ 層間絶縁膜 １２３ 金属配線 １２４ 接続孔 １２５ チタン膜 １２６ ブランケット・タングステン

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパッタ粒子の飛翔方向を整える半導体
   製造装置のコリメータにおいて、 多数の貫通孔を有する複数のコリメータ板と、 前記複数のコリメータ板の間隔を決めるコリメータ板の
   支持部材と、 を備えたことを特徴とする半導体製造装置のコリメー
   タ。
2. 【請求項２】 前記支持部材は、前記コリメータ板の間
   に配置された柱状のスペーサである請求項１記載の半導
   体製造装置のコリメータ。
3. 【請求項３】 前記貫通孔の大きさが、前記コリメータ
   板上の位置によって異なる請求項１記載の半導体製造装
   置のコリメータ。
4. 【請求項４】 前記複数のコリメータ板の中の少なくと
   も１つに形成された貫通孔の中心の位置が、他のコリメ
   ータ板に形成された貫通孔の中心の位置と一致していな
   い請求項１記載の半導体製造装置のコリメータ。
5. 【請求項５】 前記支持部材は、少なくとも１つの前記
   コリメータ板を回転可能に支持する請求項１記載の半導
   体製造装置のコリメータ。
6. 【請求項６】 ２枚のコリメータ板を備えた請求項１記
   載の半導体製造装置のコリメータ。
7. 【請求項７】 ３枚のコリメータ板を備えた請求項１記
   載の半導体製造装置のコリメータ。
8. 【請求項８】 スパッタ粒子の飛翔方向を整える半導体
   製造装置のコリメータにおいて、 多数の貫通孔を有する複数のコリメータ板と、 前記複数のコリメータ板の間隔を決め、かつ少なくとも
   １つの前記コリメータ板を回転可能に支持する支持部材
   とを備え、 この支持部材が回転可能に支持する前記コリメータ板
   は、その周辺部の少なくとも一部に歯を有し、 この歯に係合する歯車と、 この歯車の軸と、 を備えたことを特徴とする半導体製造装置のコリメー
   タ。