JPH08227933A - 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 - Google Patents
静電吸着機能を有するウエハ加熱装置Info
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- JPH08227933A JPH08227933A JP3048395A JP3048395A JPH08227933A JP H08227933 A JPH08227933 A JP H08227933A JP 3048395 A JP3048395 A JP 3048395A JP 3048395 A JP3048395 A JP 3048395A JP H08227933 A JPH08227933 A JP H08227933A
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- Ceramic Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置におい
て、５００〜６５０℃の中温域での使用に際し、十分な
静電吸着力が得られ、かつリ−ク電流によるデバイスの
損傷も起こらないウエハ加熱装置を得る。 【構成】 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置におい
て、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体からなる
支持基材１の一方の面に熱分解グラファイトからなる発
熱層２を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる絶縁
層３を接合し、基材の他方の面に熱分解グラファイトか
らなる静電吸着用電極４を接合し、その上に１〜１０重
量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる絶縁層５
を接合してなる静電吸着機能を有するウエハ加熱装置。
て、５００〜６５０℃の中温域での使用に際し、十分な
静電吸着力が得られ、かつリ−ク電流によるデバイスの
損傷も起こらないウエハ加熱装置を得る。 【構成】 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置におい
て、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体からなる
支持基材１の一方の面に熱分解グラファイトからなる発
熱層２を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる絶縁
層３を接合し、基材の他方の面に熱分解グラファイトか
らなる静電吸着用電極４を接合し、その上に１〜１０重
量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる絶縁層５
を接合してなる静電吸着機能を有するウエハ加熱装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は昇温工程を含む半導体プ
ロセスに使用される静電吸着機能を有するウエハ加熱装
置に関するものである。
ロセスに使用される静電吸着機能を有するウエハ加熱装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程における半導
体ウエハの加熱には、従来金属線を巻いたヒーターが使
用されていたが、これについては半導体ウエハへの金属
汚染の問題があるため、セラミックスの薄膜を発熱体と
して使用した、セラミックス一体型ウエハ加熱装置の使
用が提案されている（特開平４−１２４０７６号公報参
照）。また、この半導体ウエハの加熱に当たってはヒー
ター上に半導体ウエハを固定するために減圧雰囲気では
静電吸着装置が使用されているが、プロセスの高温化に
伴ってその材質が樹脂からセラミックスに移行されてお
り（特開昭５２−６７３５３号公報、特開昭５９−１２
４１４０号公報参照）、また最近ではこれらのセラミッ
クス一体型ウエハ加熱装置と静電吸着装置を合体した静
電吸着機能を有するウエハ加熱装置も提案されており、
エッチング工程などの低温域では静電吸着装置の絶縁層
にアルミナを用いたものが（特開昭５９−１２４１４０
号公報参照）、またＣＶＤ工程などの高温域においては
静電吸着装置の絶縁層に熱分解窒化硼素を用いたものが
使用されている（特開平４−３５８０７４号公報、特開
平５−１０９８７６号公報、特開平５−１２９２１０号
公報、特願平５−１５２０１５号公報参照）。
体ウエハの加熱には、従来金属線を巻いたヒーターが使
用されていたが、これについては半導体ウエハへの金属
汚染の問題があるため、セラミックスの薄膜を発熱体と
して使用した、セラミックス一体型ウエハ加熱装置の使
用が提案されている（特開平４−１２４０７６号公報参
照）。また、この半導体ウエハの加熱に当たってはヒー
ター上に半導体ウエハを固定するために減圧雰囲気では
静電吸着装置が使用されているが、プロセスの高温化に
伴ってその材質が樹脂からセラミックスに移行されてお
り（特開昭５２−６７３５３号公報、特開昭５９−１２
４１４０号公報参照）、また最近ではこれらのセラミッ
クス一体型ウエハ加熱装置と静電吸着装置を合体した静
電吸着機能を有するウエハ加熱装置も提案されており、
エッチング工程などの低温域では静電吸着装置の絶縁層
にアルミナを用いたものが（特開昭５９−１２４１４０
号公報参照）、またＣＶＤ工程などの高温域においては
静電吸着装置の絶縁層に熱分解窒化硼素を用いたものが
使用されている（特開平４−３５８０７４号公報、特開
平５−１０９８７６号公報、特開平５−１２９２１０号
公報、特願平５−１５２０１５号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、文献（渡部俊
也：ニューセラミックス、(７)、49〜53(1994)）に記述さ
れているように、静電吸着力はこの絶縁層の体積抵抗率
が低くなれば強くなるが、低過ぎるとリーク電流による
デバイスの破損が生じるため、静電吸着装置の絶縁層の
体積抵抗率は1010〜1013Ωcm、好ましくは1011Ωcmであ
る必要があるとされる。しかし５００℃から６５０℃ま
での中温域では、アルミナを絶縁層に用いた場合には抵
抗率が低くなり過ぎリーク電流によるデバイスの破損が
発生し、熱分解窒化硼素を用いた場合には抵抗率が高く
なり過ぎるため十分な静電吸着力（ 100〜500gf/cm2 ）
が得られないという問題があった。
也：ニューセラミックス、(７)、49〜53(1994)）に記述さ
れているように、静電吸着力はこの絶縁層の体積抵抗率
が低くなれば強くなるが、低過ぎるとリーク電流による
デバイスの破損が生じるため、静電吸着装置の絶縁層の
体積抵抗率は1010〜1013Ωcm、好ましくは1011Ωcmであ
る必要があるとされる。しかし５００℃から６５０℃ま
での中温域では、アルミナを絶縁層に用いた場合には抵
抗率が低くなり過ぎリーク電流によるデバイスの破損が
発生し、熱分解窒化硼素を用いた場合には抵抗率が高く
なり過ぎるため十分な静電吸着力（ 100〜500gf/cm2 ）
が得られないという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解消した５００〜６５０℃の中温域での使用
に適する静電吸着機能を有するウエハ加熱装置に関する
もので、これは窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結
体からなる支持基材の一方の面に熱分解グラファイトか
らなる発熱層を接合し、その上に熱分解窒化硼素からな
る絶縁層を接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファ
イトからなる静電吸着用電極を接合し、その上に１〜１
０重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる絶縁
層を接合してなることを特徴とする静電吸着機能を有す
るウエハ加熱装置を要旨とするものである。
利、欠点を解消した５００〜６５０℃の中温域での使用
に適する静電吸着機能を有するウエハ加熱装置に関する
もので、これは窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結
体からなる支持基材の一方の面に熱分解グラファイトか
らなる発熱層を接合し、その上に熱分解窒化硼素からな
る絶縁層を接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファ
イトからなる静電吸着用電極を接合し、その上に１〜１
０重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる絶縁
層を接合してなることを特徴とする静電吸着機能を有す
るウエハ加熱装置を要旨とするものである。
【０００５】すなわち、本発明者らは従来公知の絶縁層
に熱分解窒化硼素を用いた静電吸着機能を有するウエハ
加熱装置における、中温域における静電吸着力の低下を
防止する方法について種々検討した結果、これについて
は、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体からなる
支持基材の一方の面に熱分解グラファイトからなる発熱
層を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる絶縁層を
接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファイトからな
る静電吸着用電極を接合し、その上に熱分解窒化硼素か
らなる絶縁層を接合してなる静電吸着機能を有するウエ
ハ加熱装置において、この静電吸着用電極上の絶縁層に
１〜１０重量％の珪素を含有させればこの中温域での静
電吸着力の低下が起こらなくなるということを見いだ
し、本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
に熱分解窒化硼素を用いた静電吸着機能を有するウエハ
加熱装置における、中温域における静電吸着力の低下を
防止する方法について種々検討した結果、これについて
は、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体からなる
支持基材の一方の面に熱分解グラファイトからなる発熱
層を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる絶縁層を
接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファイトからな
る静電吸着用電極を接合し、その上に熱分解窒化硼素か
らなる絶縁層を接合してなる静電吸着機能を有するウエ
ハ加熱装置において、この静電吸着用電極上の絶縁層に
１〜１０重量％の珪素を含有させればこの中温域での静
電吸着力の低下が起こらなくなるということを見いだ
し、本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
【０００６】本発明は静電吸着機能を有するウエハ加熱
装置に関するものであり、図１に示すように、これは窒
化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体からなる支持基
材１の一方の面に熱分解グラファイトからなる発熱層２
を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる第一の絶縁
層３を接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファイト
からなる静電吸着用電極層４を接合し、その上に１〜１
０重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる第二
の絶縁層５を接合してなることを特徴とするものであ
る。これによれば中温域において静電吸着力が低下する
ことがなくなるのでこの静電吸着機能を有するウエハ加
熱装置とウエハとの密着面積が増え、ウエハの温度分布
がより均一になるという有利性が与えられる。
装置に関するものであり、図１に示すように、これは窒
化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体からなる支持基
材１の一方の面に熱分解グラファイトからなる発熱層２
を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる第一の絶縁
層３を接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファイト
からなる静電吸着用電極層４を接合し、その上に１〜１
０重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる第二
の絶縁層５を接合してなることを特徴とするものであ
る。これによれば中温域において静電吸着力が低下する
ことがなくなるのでこの静電吸着機能を有するウエハ加
熱装置とウエハとの密着面積が増え、ウエハの温度分布
がより均一になるという有利性が与えられる。
【０００７】従来公知の静電吸着機能を有するウエハ加
熱装置は、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体か
らなる支持基材の一方の面に熱分解グラファイトからな
る発熱層を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる絶
縁層を接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファイト
からなる静電吸着用電極を接合し、その上に熱分解窒化
硼素からなる絶縁層を接合したものである。しかし、こ
の公知の構成では５００〜６５０℃における絶縁層の熱
分解窒化硼素の体積抵抗率が大きいため十分な静電吸着
力が得られず、ウエハとウエハ加熱装置との密着性が悪
く温度分布が不均一になり、これによって製造されるデ
バイスの特性にばらつきを生じさせるという重大な欠点
がある。
熱装置は、窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結体か
らなる支持基材の一方の面に熱分解グラファイトからな
る発熱層を接合し、その上に熱分解窒化硼素からなる絶
縁層を接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファイト
からなる静電吸着用電極を接合し、その上に熱分解窒化
硼素からなる絶縁層を接合したものである。しかし、こ
の公知の構成では５００〜６５０℃における絶縁層の熱
分解窒化硼素の体積抵抗率が大きいため十分な静電吸着
力が得られず、ウエハとウエハ加熱装置との密着性が悪
く温度分布が不均一になり、これによって製造されるデ
バイスの特性にばらつきを生じさせるという重大な欠点
がある。
【０００８】しかるに本発明に従って、静電吸着用電極
上の絶縁層を１〜１０重量％の珪素を含有する熱分解窒
化硼素からなるものとすれば、５００〜６５０℃の中温
域において十分な静電吸着力が得られ、ウエハの温度分
布はより均一なものになり、またリーク電流によるデバ
イスの損傷も発生しない。したがって本発明の静電吸着
機能を有するウエハ加熱装置を使用すれば、デバイス歩
留りが大幅に向上するという有利性が与えられる。な
お、珪素の含有率を１重量％未満とした場合はこの温度
範囲では十分な静電吸着力が得られず、一方、珪素の含
有率を１０重量％より大きくした場合は、この温度範囲
ではリーク電流によるデバイスの損傷が起こる。図２は
加熱温度に対する各種絶縁層の体積抵抗率を表したもの
であり、ＰＢＮは熱分解窒化硼素を、ＰＳｉＢＮ(1%)は
１重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素を、ＰＳｉＢ
Ｎ(10%) は10重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素
を、Ａｌ2Ｏ3 はアルミナを示す。これはＰＢＮ中のシ
リコン量を１〜１０重量％の範囲で適当に選ぶことによ
り、温度５００〜６５０℃で体積抵抗率をおよそ1010〜
1013Ωcmの範囲とすることができることを示している。
上の絶縁層を１〜１０重量％の珪素を含有する熱分解窒
化硼素からなるものとすれば、５００〜６５０℃の中温
域において十分な静電吸着力が得られ、ウエハの温度分
布はより均一なものになり、またリーク電流によるデバ
イスの損傷も発生しない。したがって本発明の静電吸着
機能を有するウエハ加熱装置を使用すれば、デバイス歩
留りが大幅に向上するという有利性が与えられる。な
お、珪素の含有率を１重量％未満とした場合はこの温度
範囲では十分な静電吸着力が得られず、一方、珪素の含
有率を１０重量％より大きくした場合は、この温度範囲
ではリーク電流によるデバイスの損傷が起こる。図２は
加熱温度に対する各種絶縁層の体積抵抗率を表したもの
であり、ＰＢＮは熱分解窒化硼素を、ＰＳｉＢＮ(1%)は
１重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素を、ＰＳｉＢ
Ｎ(10%) は10重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素
を、Ａｌ2Ｏ3 はアルミナを示す。これはＰＢＮ中のシ
リコン量を１〜１０重量％の範囲で適当に選ぶことによ
り、温度５００〜６５０℃で体積抵抗率をおよそ1010〜
1013Ωcmの範囲とすることができることを示している。
【０００９】本発明の静電吸着機能を有するウエハ加熱
装置は上記したように、窒化硼素と窒化アルミニウムの
混合焼結体からなる支持基材、該基材の一方の面に接合
された熱分解グラファイトからなる発熱層、及びその上
に設けられた主成分が熱分解窒化硼素からなる第１の絶
縁層、該基材の他方の面に接合された熱分解グラファイ
トからなる静電吸着用電極、及びその上に設けられた１
〜１０重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる
第２の絶縁層から構成されたものとされる。
装置は上記したように、窒化硼素と窒化アルミニウムの
混合焼結体からなる支持基材、該基材の一方の面に接合
された熱分解グラファイトからなる発熱層、及びその上
に設けられた主成分が熱分解窒化硼素からなる第１の絶
縁層、該基材の他方の面に接合された熱分解グラファイ
トからなる静電吸着用電極、及びその上に設けられた１
〜１０重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる
第２の絶縁層から構成されたものとされる。
【００１０】支持基材の窒化硼素と窒化アルミニウムの
混合物は公知の方法で焼結させて得たものとすれば良
い。窒化硼素と窒化アルミニウムの混合割合は、アルミ
ニウムが多すぎると線膨張係数が大きすぎるという問題
があり、少なすぎると線膨張係数が小さすぎるという問
題があるので、重量比で１：0.05〜１の範囲とすればよ
い。発熱層及び静電吸着用電極の熱分解グラファイト
は、例えばメタンガスを1900〜2200℃、５Torrという条
件下で熱分解することによって得られたものとすれば良
い。この厚さは薄すぎると強度不足の問題があり、厚す
ぎると剥離の問題があるので10〜300 μｍとすればよ
い。第１の絶縁層は主成分が熱分解窒化硼素よりなり、
これは例えばアンモニアと三塩化硼素との容量混合比
４：１の混合気体を1800〜2000℃、１０Torrの条件下で
熱分解することによって得られたものとすれば良い。こ
の厚さは薄すぎると強度不足の問題があり、厚すぎると
剥離の問題があるので50〜500 μｍとすればよい。ま
た、第２の絶縁層は１〜１０重量％の珪素を含有した熱
分解窒化硼素からなるものとすることが必要とされるの
であるが、これは例えばアンモニアと三塩化硼素と四塩
化珪素の容量混合比40：９：１〜24：５：１の混合気体
を1600〜2000℃、５〜１０Torrの条件下で化学気相蒸着
することによって得られたものとすれば良い。また、こ
の厚さは薄すぎると絶縁破壊の問題があり、厚すぎると
静電吸着力の低下の問題があるので50〜500 μｍとすれ
ばよい。なお、第１の絶縁層は第２の絶縁層と同じ１〜
１０重量％の珪素を含有した熱分解窒化硼素からなるも
のとしてもよく、こうすると製造工程が簡略化されるの
でコスト的に有利となる。
混合物は公知の方法で焼結させて得たものとすれば良
い。窒化硼素と窒化アルミニウムの混合割合は、アルミ
ニウムが多すぎると線膨張係数が大きすぎるという問題
があり、少なすぎると線膨張係数が小さすぎるという問
題があるので、重量比で１：0.05〜１の範囲とすればよ
い。発熱層及び静電吸着用電極の熱分解グラファイト
は、例えばメタンガスを1900〜2200℃、５Torrという条
件下で熱分解することによって得られたものとすれば良
い。この厚さは薄すぎると強度不足の問題があり、厚す
ぎると剥離の問題があるので10〜300 μｍとすればよ
い。第１の絶縁層は主成分が熱分解窒化硼素よりなり、
これは例えばアンモニアと三塩化硼素との容量混合比
４：１の混合気体を1800〜2000℃、１０Torrの条件下で
熱分解することによって得られたものとすれば良い。こ
の厚さは薄すぎると強度不足の問題があり、厚すぎると
剥離の問題があるので50〜500 μｍとすればよい。ま
た、第２の絶縁層は１〜１０重量％の珪素を含有した熱
分解窒化硼素からなるものとすることが必要とされるの
であるが、これは例えばアンモニアと三塩化硼素と四塩
化珪素の容量混合比40：９：１〜24：５：１の混合気体
を1600〜2000℃、５〜１０Torrの条件下で化学気相蒸着
することによって得られたものとすれば良い。また、こ
の厚さは薄すぎると絶縁破壊の問題があり、厚すぎると
静電吸着力の低下の問題があるので50〜500 μｍとすれ
ばよい。なお、第１の絶縁層は第２の絶縁層と同じ１〜
１０重量％の珪素を含有した熱分解窒化硼素からなるも
のとしてもよく、こうすると製造工程が簡略化されるの
でコスト的に有利となる。
【００１１】
【作用】このようにして１〜１０重量％の珪素を含有す
る熱分解窒化硼素からなる絶縁層を有する、本発明の静
電吸着機能を有するウエハ加熱装置は、５００〜６５０
℃の中温域において十分な静電吸着力が得られ、したが
ってウエハ温度分布の均一性が向上し、かつリーク電流
によるデバイスの損傷も起こらないため、デバイス歩留
が大幅に向上するという有利性が与えられる。
る熱分解窒化硼素からなる絶縁層を有する、本発明の静
電吸着機能を有するウエハ加熱装置は、５００〜６５０
℃の中温域において十分な静電吸着力が得られ、したが
ってウエハ温度分布の均一性が向上し、かつリーク電流
によるデバイスの損傷も起こらないため、デバイス歩留
が大幅に向上するという有利性が与えられる。
【００１２】
【実施例】つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例 窒化硼素粉末と窒化アルミニウム粉末を重量比で３対１
の割合で混合したのち、1900℃、200kgf／mm2 の条件下
で焼結し、直径 200mm、厚さ１０mmの窒化硼素と窒化ア
ルミニウムの混合焼結体からなる円板を作った。ついで
この上でメタンガスを2200℃、５Torrの条件下で熱分解
してこの円板上に厚さ１００μｍの熱分解グラファイト
層を形成し、表面の熱分解グラファイト層より電極パタ
ーンを、また裏面の熱分解グラファイト層よりヒーター
パターンを加工してそれぞれを静電吸着用電極と発熱層
とした。ついで反応ガスとしてアンモニアと三塩化硼素
と四塩化珪素を32：７：１の容量混合比で流し、1600
℃、５Torrの条件下で熱分解反応させてこの円板上に厚
さ２００μｍの珪素含有熱分解窒化硼素絶縁層を設ける
ことにより、静電吸着機能を有するウエハ加熱装置を作
った。この絶縁層の珪素含有率を測定したところ、７重
量％であった。この静電吸着機能を有するウエハ加熱装
置を使用し、シリコンウエハを６００℃に加熱し、その
上にポリシリコン膜を堆積したところ、ウエハ上の温度
分布は±５℃、ポリシリコン膜の厚さの分布は0.10〜0.
11μｍであった。
の割合で混合したのち、1900℃、200kgf／mm2 の条件下
で焼結し、直径 200mm、厚さ１０mmの窒化硼素と窒化ア
ルミニウムの混合焼結体からなる円板を作った。ついで
この上でメタンガスを2200℃、５Torrの条件下で熱分解
してこの円板上に厚さ１００μｍの熱分解グラファイト
層を形成し、表面の熱分解グラファイト層より電極パタ
ーンを、また裏面の熱分解グラファイト層よりヒーター
パターンを加工してそれぞれを静電吸着用電極と発熱層
とした。ついで反応ガスとしてアンモニアと三塩化硼素
と四塩化珪素を32：７：１の容量混合比で流し、1600
℃、５Torrの条件下で熱分解反応させてこの円板上に厚
さ２００μｍの珪素含有熱分解窒化硼素絶縁層を設ける
ことにより、静電吸着機能を有するウエハ加熱装置を作
った。この絶縁層の珪素含有率を測定したところ、７重
量％であった。この静電吸着機能を有するウエハ加熱装
置を使用し、シリコンウエハを６００℃に加熱し、その
上にポリシリコン膜を堆積したところ、ウエハ上の温度
分布は±５℃、ポリシリコン膜の厚さの分布は0.10〜0.
11μｍであった。
【００１３】比較例 比較のために、絶縁層の反応ガスから四塩化珪素を除い
た以外は、実施例と同じ構成で、該静電吸着機能を有す
るウエハ加熱装置を作り、これについて同様の方法でシ
リコンウエハの上にポリシリコン膜の堆積を行ったとこ
ろ、ウエハ上の温度分布は±１３℃、ポリシリコン膜の
厚さの分布は0.08〜0.12μｍと悪かった。
た以外は、実施例と同じ構成で、該静電吸着機能を有す
るウエハ加熱装置を作り、これについて同様の方法でシ
リコンウエハの上にポリシリコン膜の堆積を行ったとこ
ろ、ウエハ上の温度分布は±１３℃、ポリシリコン膜の
厚さの分布は0.08〜0.12μｍと悪かった。
【００１４】
【発明の効果】本発明の装置を用いれば、５００〜６５
０℃の中温域において十分な静電吸着力が得られ、した
がってウエハ温度分布の均一性が向上し、かつリーク電
流によるデバイスの損傷も起こらないため、デバイス歩
留りが大幅に向上するという有利性が与えられる。
０℃の中温域において十分な静電吸着力が得られ、した
がってウエハ温度分布の均一性が向上し、かつリーク電
流によるデバイスの損傷も起こらないため、デバイス歩
留りが大幅に向上するという有利性が与えられる。
【図１】本発明による、静電吸着機能を有するウエハ加
熱装置の断面模式図。
熱装置の断面模式図。
【図２】下記絶縁層の、加熱温度に対する体積抵抗率。 □ ＰＢＮ 熱分解窒化硼素 ● ＰＳｉＢＮ(1%) １重量％の珪素を含有する熱分
解窒化硼素 ○ ＰＳｉＢＮ(10%) 10重量％の珪素を含有する熱分
解窒化硼素 △ Ａｌ2 Ｏ3 アルミナ
解窒化硼素 ○ ＰＳｉＢＮ(10%) 10重量％の珪素を含有する熱分
解窒化硼素 △ Ａｌ2 Ｏ3 アルミナ
１ 支持基材 ２ 発熱層 ３ 第一の絶縁層 ４ 静電吸着用電極層 ５ 第二の絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長尾 貴章 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 窒化硼素と窒化アルミニウムの混合焼結
体からなる支持基材の一方の面に熱分解グラファイトか
らなる発熱層を接合し、その上に熱分解窒化硼素からな
る絶縁層を接合し、該基材の他方の面に熱分解グラファ
イトからなる静電吸着用電極を接合し、その上に１〜１
０重量％の珪素を含有する熱分解窒化硼素からなる絶縁
層を接合してなることを特徴とする静電吸着機能を有す
るウエハ加熱装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048395A JPH08227933A (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 |
| US08/603,155 US5663865A (en) | 1995-02-20 | 1996-02-20 | Ceramic electrostatic chuck with built-in heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048395A JPH08227933A (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227933A true JPH08227933A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12305094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048395A Pending JPH08227933A (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5663865A (ja) |
| JP (1) | JPH08227933A (ja) |
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1995
- 1995-02-20 JP JP3048395A patent/JPH08227933A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-20 US US08/603,155 patent/US5663865A/en not_active Expired - Fee Related
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| US5663865A (en) | 1997-09-02 |
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