JPH0818512A - 平面光学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク - Google Patents
平面光学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワークInfo
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- JPH0818512A JPH0818512A JP7036953A JP3695395A JPH0818512A JP H0818512 A JPH0818512 A JP H0818512A JP 7036953 A JP7036953 A JP 7036953A JP 3695395 A JP3695395 A JP 3695395A JP H0818512 A JPH0818512 A JP H0818512A
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Abstract
がなく、能動部材領域の受動部材領域に対する比率を制
限せず平面光学メッシュ接続型トリートポロジ相互接続
ネットワークを設けることである。 【構成】 メッシュ接続型トリー(MCT)は、従来の
トリーネットワークの特徴を結合している2次元相互接
続であるトポロジ−ネットワークと相互に接続する。2
次元の最も近い隣接するメッシュネットワークは、平面
光学相互接続ネットワークとして実行される。
Description
リー型に相互接続されたトポロジネットワークに関す
る。
知られている。光学部品は、広い帯域幅の通信において
は、単に電子部品を用いて得られるもの以上の能力およ
び対応性を提供することができる。ファイバ光学部品を
うまく適用することにより、長距離かつ広い帯域幅の通
信において光学部品の利点が実証される。通信距離が短
くなり、同時に通信ノードの数が増加するにつれて、通
信領域が遠隔通信領域から通常の適用がコンピュータ間
およびコンピュータ内部の通信となる相互接続領域へと
徐々に移行している。後者のアプリケーションの場合、
フリースペース(スペースに拘束されない)の光学部品
は高度な損失特性を持つことができるから、ロスの少な
いファイバは問題の少ない部品といえる。
体に限定する代わりに、光学ビームを3次元空間(3
D)を通るように方向づけることができるから、フリー
スペースの光学部品を使用することにより自由度が大き
くなる。
歩により、光学電子情報処理システム用の平面準3D光
学パッケージングが可能となっている。平面(2次元)
光学構造により設けられた準3D空間における光学信号
の取り扱いは、真性の3D空間における対応性ほど良好
ではない。しかし準3D空間システムは、1D導波体ま
たはファイバにおけるものよりも対応性が高い。準3D
システムはフリースペースのシステムよりも剛性が高
い。平面光学部品に基づく光学信号の送信を行う構成
を、J.JahnsおよびA.Huangが「応用光
学」誌28巻(1989年)の1602頁から1605
頁に記載の論文「フリースペース光学部品の平面集積」
で説明している。更に複雑な操作を行うには、R.Li
nkeの「平面導波体に基づく放送衛星ネットワークに
おける電力分配」(1991年、IEEEフォトン テ
クニカルレター第3巻、850から852頁)と題する
論文およびS.カワイおよびM.ミゾグチの「大量平行
処理に対する2次元光学バス」(1991年、テクニカ
ルダイジェストシリーズ第6巻、光学計算、136頁か
ら139頁)と題する論文において、波長分割多重(W
DM)内部接続が提案された。分配ロスと内蔵されるW
DM装置の複雑さのため、内部接続ノードの数が大きく
制限される。J.JahnsおよびB.Acklinの
論文「高密度内部接続を伴う集積2次元光学画像化シス
テム」(1993年10月、オプチックレターズ第18
巻、1594頁から1596頁)およびM.R.Fel
dman他の論文「VLSIマルチクリップ モジュー
ルにおけるホログラフィック光学内部接続」(1992
年(IEEE)第42回電子部品および技術会議、第1
巻、513頁から518頁)において、準平面光学レイ
アウトがマルチステージネットワークにおける信号中継
に有効であることを提言している。しかし、これらの構
成では平面モジュール層のスタックの間に相互接続の付
加を必要とし、設計、製造および整合を極めて難しくし
ている。平面光学ネットワーク実現のためのマルチステ
ージネットワークでは、D.Nath他がその論文「直
交トリーに基づく平行処理のための効率的なVLSIネ
ットワーク(IEEE Trans.Comput.C
−32、569頁から581頁、1983年)に説明し
ている。
2つある。すなわちネットワークの直径とネットワーク
の2等分幅である。ネットワークの直径は、1組のプロ
セッサ間の距離が一方のプロセッサから他方のプロセッ
サへ移動するのに渡す必要のある配線の最小数である場
合の1組のプロセッサ間の最大距離である。ネットワー
クの2等分幅は、プロセッサを同数(相異が一つのプロ
セッサ以内で)のプロセッサに分けるのに取り除かなけ
ればならない配線の最小数となる。
組とするもっとも簡単なネットワークはリングである。
リングに関連しては、2つの主な欠点がある。第一に、
リングは最悪の場合には、2つのプロセッサ間のホップ
の数がNとなるような大きさの直径を有する。第二に、
ネットワークを2等分するのに2つだけノードを取り除
く必要があるから、リングの2等分幅は小さい。従っ
て、リングはメッセージの通過速度が遅く、帯域幅も小
さい。
えることにより性能を改良することができる。トリー構
造を採用することにより速度を上げることができ、それ
によりネットワークの直径を係数(log2 N)/Nま
たは単にO[log(n)/N]だけ小さくすることが
できる。記号Oはネットワークの漸近動作の複雑さまた
は上限を示す。しかしトリー構造の2等分幅は小さいま
まである。更に、容量を大きくするため、すなわち2等
分幅を拡大するためには接続性を高めなければならな
い。リングと同様に、最隣接方形メッシュはリングの2
D版であるが、ノードあたりの接続性が単独リングより
2倍大きい。メッシュを2つの小さいが等しいサイズの
メッシュに分解するため、√N本の配線を切断しなけれ
ばならないから、メッシュは√Nの2等分幅を有するこ
とが分かる。またメッシュの直径は√Nであり、メッシ
ュはリングより高速のネットワークとなるが、トリー構
造よりは遅いネットワークとなる。
の準平面光学相互接続構成は、2次元空間内の複数のビ
ームの反射に依存している。すなわち、最上部反射面に
加えて、底面の一部が光学信号の反射に使用されなけれ
ばならない。このように、底部表面は、送信および反射
部材の両方を組み合わせるよう仕切る必要があり、製造
および整合を更に困難にしている。更に、視野の制限さ
れた製造可能な光学部材と結合する平面光学部材の垂直
方向の寸法を極端に制限した結果、多くの提案された相
互接続構成内で必要となる複数の反射が、能動部材領域
に対する比率を著しく制限している。
が送信および反射部材を仕切る必要のない能動部材領域
の受動部材に対する比率を制限せず平面光学メッシュ接
続型トリートポロジ相互接続ネットワークを設けること
である。
シュ接続型トリートポロジ相互接続ネットワークに垂直
空間表面発光レーザ(VCSEL)または表面垂直送信
電子フォトン装置(VSTEP)を設けることである。
メッシュ接続型トリートポロジ相互接続ネットワークに
VCSELまたはVSTEPと平面配列の受動マイクロ
光学部品を組み合わせて用いることである。
して以下の説明を読めば更に明らかになるであろう。
フノードが光学送信器手段および光学受信器手段を備え
るメッシュ接続型リーフノードの平面アレイと、各々が
前記平面アレイの面内で前記リーフノードの関連する対
の中間に設けられ、光学送信器手段および光学受信器手
段を備え、トリー構造に従って前記リーフノードと関連
を有するように付加された親ノードと、予め選定された
リーフノードまたは予め選定された親ノードの送信器手
段から、予め定められたリーフノードまたは予め定めら
れた親ノードの受信器手段に光学信号を送信させ、この
間これら予め選定されたノードと予め定められたノード
の間で反射面において反射させて通信する手段とを備え
ることを特徴とする平面光学メッシュ接続型トリー相互
接続ネットワークが得られる。
が目的点に達しさせるのに単独反射としている。すべて
の反射は、導波体の一表面にある鏡面仕上げの反射面で
発生し、もうひとつの反射面の代わりの導波体の相対し
て設けた平行面には送信部材が含まれる。そのため、規
定の総領域については、本発明はより多くの内部接続ノ
ードを設けるようにしている。送信器と受信器の間に単
独の反射機能を用いることにより、製造および整合の難
度が効果的に減少され、対応して欠陥耐性が増大する
が、これは本発明の用途を補強するための重要で実際的
な対応である。この基準を採用すれば、開示されたMC
Tネットワークの性能は、他の多くの既存の平面内部接
続構成と比較して好ましいものとなる。
大きな2等分幅の両方を有するネットワークを規定する
ことである。このようなネットワークは存在しても、大
量のスイッチ類を使用する必要があり、多くの消費電力
と多額のコストを要するという犠牲を伴う。トリートポ
ロジとメッシュトポロジによりハイブリッド内部接続す
なわちメッシュ接続型トリー(MCT)トポロジが得ら
れる。例えばD.Nath他はその論文で直交型トリー
トポロジを説明している。
Tトポロジが領域の効率的なレイアウトではあるが、今
日一般に用いられている平面電子パッケージング技術を
用いて物理的に実現するのは難しいということである。
プロセッサ間の内部接続手段を相互に交差させる必要の
ない従来のメッシュと異なり、列および欄が相互に通過
するから、MCTトポロジは多層パッケージングを必要
とする。この問題を解決するために、本発明では配線の
交差問題を避けるための対応技術として光学技術を採用
している。光学信号を相互に影響させることなく光学線
形媒体内で相互に交差させることができる。
リー(MCT)すなわちネットワークトポロジは、好ま
しい2次元光学手段である。特に、表面垂直送信電子フ
ォトン装置(VSTEP)または垂直空間表面発光レー
ザ(VCSEL)および平面配列の受動マイクロ光学部
材が、光学電子MCTネットワーク手段に対する基本ビ
ルディングブロックを構成する。VSTEP装置は、
K.カサハラの論文「VSTEPに基づく高機能ピクセ
ル」(IEEE量子エレクトロン、第29巻、757頁
から768頁、1993年2月)に説明されている。V
CSELレーザは、J.L.Jewell他の論文「垂
直空間表面発光レーザ:設計、成長、製造、特性化」
(IEEE量子エレクトロン、第27巻、1332頁か
ら1346頁、1989年)に説明されている。
く理解するため、MCTトポロジの全般的な背景を説明
する。
ュータまたはプロセッサの64ノードのメッシュ接続型
相互接続ネットワークのトポロジ的レイアウトが示され
ている。各列および欄に対する連結方法は単純なトリー
構成の場合と同じであるから、第一列および第一欄の接
続パターンのみを示す。接続パターンはネットワークの
各列および各欄ごとに繰り返される。64個のリーフノ
ード10の各々がコンピュータまたはプロセッサに接続
される。その他のノード12、14、および16は、中
継用に用いられる追加スイッチノードを表す。MCTネ
ットワークの直径は、トリーと同じく0(logN)で
ある。2等分幅は、メッシュと同じ√Nであり、トリー
の幅よりずっと大きい。合計3N−2√N個のノード
(最初のN個のリーフノードスイッチを含む)を用いて
上記の性能強化を行う。2N−2√N個の追加中継ノー
ドを用いるが、MCTは、通常(N−1)logN個の
追加ノードを有するマルチステージ内部接続に用いるも
のより少ない追加ノードを使用する。
り、プロセッサとそのメモリを結合すべく完全に接続し
たネットワークとしてMCTネットワークを使用できる
ことが知られている。図2において、ルーツノードは、
プロセッサをメモリに結合するI/Oノードとして用い
られる。16個のリーフノード10と16個のその他の
ノード14は、内部接続を取り扱うスイッチを表す。こ
の構成は複雑さの点で極めて効率が良くはないが、強力
な内部接続(クロスバーも同様)が達成される。2次元
MCTトポロジ概念を多次元トポロジに拡大できること
は当業者にとって明らかである。例えば3DMCTネッ
トワークは、F.T.Leightonの学位論文「編
成交換グラフについてのレイアウトおよびVLSIに対
する下限技術」(MIT、1981年)に説明されてい
る。MCTネットワークの光学的実現につての本発明は
2Dトポロジと関連して説明される。
に対比して優れた方法で動作を行う個とが知られてい
る。MCTネットワークにおいて有利に行われる代表的
な機能には、整数計算、マトリックス変換、たたみこ
み、乗算、および除算がある。MCTトポロジはまたグ
ラファアルゴリズムに対して効率の良いことが知られて
いる。
レイアウトではあるが、2次元電子パッケージング技術
を用いて物理的に実現するのが難しいことである。光学
MCTの実行を検討するに当たり、図3(a)は8つの
リーフノード10および数個の追加ノードを含むバイナ
リトリー構造を示す。各中間ノード12または14は、
下位の2つの「子」ノードと上位の「親」ノードとを連
結する。このパターンは、リーフノード10と共通のル
ーツノード16を除くすべてのノードについて繰り返さ
れる。すべてのノンリーフノードは同一面にリーフノー
ドとして圧縮することができ、その際各ノンリーフノー
ドは、図3(b)に示す様に2つの隣接するリーフノー
ド間の中間点に位置する。ノード間の接続は光学ビーム
として概念化できる。
0、12、14、および16より成るノード分割面18
と平行なものとして示されている。ノードの直線寸法は
pであり、隣接ノード間の間隔はsである。角度αおよ
びα0 はそれぞれ、平面反射体20での1回のみの反射
を経て、規定の送信器から判明して入る目標受信器に光
学信号を送信するのに必要な最大角および最小角であ
る。距離l(エル)′ノード分割面18および平面反射
体20の間の距離である。
器および受信器は一平面内の線形アレイに沿って位置し
ているから、光学MCTトポロジレイアウト内の各列お
よび欄が平行重複となる。ほとんどの中間ノードは、2
つの角度が対称になっている3つの異なる角度で3つの
ノードと連絡している。
実施例を示す。対称的なビーム到達距離を確実にするた
め、交互位置に設けた光学送信器/受信器の組み合わせ
が各ノードに用いられる。説明を簡潔にするため、ひと
つの列およびひとつの欄のみを詳細に示す。
の送信器および受信器が必要である。MCTトポロジは
2D対称トポロジであるから、2D対称レイアウトでの
6つの光学ピクセル(pixel)に対して空間効率の
良いレイアウトを規定するのは難しい。従って好ましい
実施例においては、各ノードには4つの光学ピクセルが
2×2の配列で含まれる。「白抜き」ピクセル28は送
信器を示し、「網目」ピクセル30はリーフノードを示
し、「黒塗り」ピクセル32はその他のノードを示す。
この構成によれば、ピクセルあたりのファンアウトまた
はファンインは2に減少する。ファンアウト信号および
ファンイン信号が対称角を形成することを確実にするた
め、MCTネットワーク全体に対する4−ピクセルノー
ドレイアウトを図4に示す様に配置することができ、そ
こではリーフノードパターンの方位および次々の「親」
ノードの方位は、対称照明角度およびホップ距離を確実
にするため交番する。
cklinが以前に説明した様な所謂透過反射型平面光
学方式に基づいている。図5は平面光学キャビティの一
部分の好ましい実施例の横断面図を示す。目標ノード4
0は、各送信器ノード42と関連したピクセル電子装置
(図示せず)によって選択される。切り替えられた信号
は、平面反射体20に向かって、図5に示す方位で垂直
方向上向きに送信器42から送信され、信号は平面反射
体で目的ノード40の予め決められた目標受信器に向か
って反射される。一回のホップで送信器42からの信号
を目標光学受信器40へ案内するため、線形配列の視準
/偏向平面光学部材46は、インタフェース44が必要
となる。従って、ノード分割面18と反射体20との間
の空間は、光学的に透明な材料による2つの層52およ
び54が占めている。層52の長さはl(エル)′であ
り、屈折率はn′である。層54の長さはl(エル)で
あり、屈折率はnである。層52および54にとって好
ましい材料は、ガラスまたは石英である。各層は同一ま
たは異なる材料で構成してもよい。反射性の平面光学部
材を平面反射体20に配置できることは当業者にとって
明白なことであるが、インタフェース44で合体する2
つの層52および54を含む図5に示す実施例は、空間
利用効率の点で優れた結果をもたらす。その理由は、分
岐光学信号が視準光学部材に到達する前に辿らなければ
ならない距離が、反射性部材を用いた実施例に比較して
透過性光学部材を用いた実施例においては短いからであ
る。
パラメータを定義する必要がある。距離はノード分離面
18とインタフェース44における透過性光学部材アレ
イの間の距離(層54の長さ)である。ノード分離面1
8とインタフェース44における透過性光学部材アレイ
の間に設けられ、層54よりなる媒体の屈折率はnで表
され、面反射体20とインタフェース44の間の層52
よりなる媒体の屈折率はn′で表される。距離l(エ
ル)′は、面反射体20とインタフェース44の間の距
離である(層52の長さ)。送信器42の線寸法はpl
(エル)、受信器の線寸法はpd であり、p=pl (エ
ル)+pd となる。数値sはノード間の直線距離であ
る。数値β=s/pは、間隔パラメータであり、β≧1
となる。各ノードについて、3×3ピクセル配置の代わ
りに2×2ピクセル配置を用いた結果、中間トリーノー
ドから真下のトリーノードへの同時信号送信が必要とな
る。どの信号を受信すべきかを判断するために、通信プ
ロトコルで通常採用される方法を用いて正しい信号を確
認することができる。
は、後述する様に平面光学MCTネットワークを実行す
る際に、設計および製造が最も難しい部材である。平面
反射体20は平らな鏡で構成される。ノード分割面18
に沿った送信器および受信器の各要素は、最先端のVL
SI処理技術を用いて正確に作成することができる。
て使用することができるが、好ましい送信器は、垂直キ
ャビティ表面発光レーザ(VCSEL)または垂直キャ
ビティ垂直対表面送信電子フォトン(VSTEP)レー
ザである。VCSELレーザおよびVSTEPレーザの
アレイから発光されるビームは、端部発光レーザのアレ
イから発光されるビームは、端部発光レーザに通常関連
する非点収差の問題を生じない。
直径5から10μmの通常のビームウェイストについて
は、レーザをレンズで視準可能な理想的な点源と見るこ
とはできない。従って、以下の分析は、実際の状況に酷
似したガウスビーム想定に基づいている。
ームと理想的な点源想定の大きな相違点は、ガウスビー
ムの場合にはレンズ間に特定の距離があり、点源想定の
場合は無数の可能性があることである。図6において、
fは撮影レンズの焦点距離、ω0 は対象物におけるガウ
スビームウェイスト、ωl (エル)はレンズにおけるガ
ウスビームウェイスト、ω0 は画像面におけるガウスビ
ームウェイストである。対称設計を想定した場合、受光
面での誤焦点合わせを避けるため、平面ミラー20をレ
ンズ面から距離l(エル)′の位置に設ける必要があ
る。またガウスビースの伝播条件を確認するため、レン
ズの直径をレンズでの伝播ビームウェイストωl (エ
ル)より大きくする必要がある。このように、最大偏向
角度、ピクセルサイズ、平面光学MCTネットワークが
相互接続し得る最大ノード数は、ガウスビームの伝播条
件に密接に関係している。
向動作のみを行い、他のノードは付加的な2対1ファン
インまたは1対2ファンアウト能力を有する。
える。図7(a)を参照すると、屈折型平面マイクロレ
ンズ(PML)38を用いて画像化および偏向を行うた
めの図形が示されている。図7(b)は軸外し画像化の
ための送信器42に対する軸外し位置でのレンズ38を
示す上面図である。
記数1により得られる。
記数2に対応する。
ムの焦点深度(レーリー距離)である。
はγ≧1.6が必要であることが知られている。図3
(b)から、間隔sは下記数4の様に表すことができ
る。
独トリー内のノード数は下記数5の通りとなる。
は、画像拡大率のl(エル)′/l(エル)に比例し、
最大偏向角度α(n=n′およびα=α′の場合)から
はほとんど独立している。この関係は図1および図7
(b)の図形を検討すれば理解できる。一回の反射で大
きな到達距離(飛行距離)を得、同時にレンズの直径を
小さくしておくためには、l(エル)′/n′を大きく
し、l(エル)/nを小さくする必要がある。屈折に関
してはガラスに異なる屈折率を持つ材料を拡散させ、回
折に関しては透明な材料にフレネルゾーンレンズをエッ
チングして平面型マイクロレンズを作ることができる。
I型部材と呼ぶ軸外し屈折型平面マイクロレンズ(PM
L)は、製作の間その外形を保持するものでなければな
らず、軸外し口径のみのものとして製作することはでき
ない。その結果、I型部材を用いるこの方法は、空間効
率が良くない。
目標を達成するため、所謂フレネルゾーンレンズを作成
することができる。この方法を用いて、レンズ口径を設
計する際に不使用部分を削除することができる。対応す
るトリーのサイズを下記数6の様に増大できることを示
し得る。
きくなる。数6の性能をもたらす光学部材をII型部材と
称する。
作を行う必要のあるノードに対する光学部材は更に複雑
である。ひとつは軸上画像化動作用であり、もうひとつ
は対称分割または組み合わせ動作用である2つのカスケ
ード型部材を用いて、必要条件を満たすことができる。
特に、シヌソイダル位相格子を軸上PMLに取りつけ
て、回折屈折型光学部材を作成することができる。画像
化および分割機能を単独の回折部材に設けることができ
る。すなわち、I型およびII型部材の組み合わせまたは
II型部材のみを用いて、すべての必要な信号回路操作を
行うことができる。II型部材のみを使用する利点は、空
間効率の良いレイアウトを達成できることである。ただ
し、II型部材の欠点はI型部材よりも光学上のパワーロ
スが大きいことである。
離は下記数7に示す関係がある。
る。従って、下記数8となる。
である。
る。大きなl(エル)′/l(エル)比率を得るために
2つの条件を同時に満足させなければならない。第一
に、レンズを焦点距離より若干長い距離を置いて対象物
に対して設ける必要があり、第二に小さいレーリー距離
と大きい焦点距離を組み合わせて用いる必要がある。一
定の波長については、小さいビームウェストを有する送
信器が必要である。図8に示す結果および以下の仮定条
件すなわちn=n′=1.5、l(エル)=2mm、λ
=1μm、α=16°、β=1.2およびγ=1.6を
用いて、MCTネットワーク内のリーフノードの最大数
を図9、10および11に示す。画像化および偏向に対
してI型およびII型部材を使用する場合の焦点距離の関
数としての相互接続容量(ノードの最大数)を図9に示
す。画像化および偏向についてII型部材のみを用いる場
合の焦点距離の関数としての相互接続容量を図10およ
び図11に示す。図10と図11のグラフ間の条件の唯
一の相違点は、図11の状態について用いる偏向角度が
32°であり、図10に示す状態に対する角度16°の
2倍あることである。II型部材を用いた場合、デバイス
間隔は採用した偏向角度からは独立している。この独立
性により、大きな偏向を行って相互接続容量を大きくす
ることができる。図9、図10および11の各グラフに
おいて、発光したビームのウェイストを3μm、5μ
m、10μmおよび15μmと想定した。設計構成の詳
細要約を表に示すが、ここで、F/#は対応する焦点距
離と有効なレンズ口径の比率を示し、DはMCTアレイ
全体の直線寸法を示す。I型およびII型部材の両方を用
いた場合、相互接続の要領が極端に制限される。ただ
し、II型部材のみを用いた場合、一般的な5μmスポッ
トサイズのレーザアレイを用いて、最大4,096個の
ノードに対する相互接続容量が得られる。この方法によ
り、それだけのデータが下記表1に含まれていないが、
104 以上のノードのMCT相互接続部が可能となる。
クには、送信器および受信器のVSTEPレーザファミ
リが含まれるのが好ましい。現在のVSTEP技術を用
いれば、5μmの特定寸法の光学送信器アレイを作成す
ることができるが、以下の例では10μmの特定寸法を
用いている。表1のデータに従い10μmVSTEPレ
ーザを採用した、例えば1024個のプロセッサを有す
る相互接続ネットワークを設計するには、最大偏向角度
が32°の場合、2×2cm2 の面積を持つ平面キャビ
ティで十分である。各マイクロレンズの直径は130μ
mである。ガラス板の合計厚さは約4mmである、極め
て小型で剛性の高い光学ネットワークとなっている。
面光学ネットワークの横断面図である。2枚の平板ガラ
スまたは低吸収の透明材料による上方板56および下方
板58を用いて、透過性マイクロ光学部材の平面アレイ
を挟持している。ファンインまたはファンアウト動作を
行わせるために、下方板58の上面62上の対応位置を
軸上PMLに対して設ける。上方板56の下面をエッチ
ングして一連の格子を形成し、底板56の上面62には
2つの異なる光学部材を形成するため、小さいレンズ6
8が設けられる。各格子66と関連してレンズ68(図
示せず)がある。
には、1対2のレンズ分割位相の格子66が設けられ
る。そのほかの位置には、軸外し偏向および画像化フレ
ネルゾーンレンズ(FZL)のレンズ68が設けられ
る。光送信はノードの送信器または受信器部分のいずれ
かにおいて一回だけビーム分割素子を通過する。
スを反射体20の面に偏向するレンズ68および格子6
6を介して光学エネルギーのパルスを送信する。親ノー
ド送信器ノードの場合、反射体面20における入射角度
は、異なる格子66およびレンズ68(図示せず)を通
過した後、2つの隣接した子ノード受信ノードに向かっ
てパルスが反射される様になっている。送信器および受
信器ノードを関連するレンズ68および格子66の組み
合わせに対して選択的に位置決めし、媒体56および5
8とその寸法との選択に関連してレンズ68および格子
66を選択的に設けることにより、ノード対10および
その関連ノード12の間、ノード対12およびその関連
したノードの間、およびノード対14およびその関連し
たルーツノード16の間で飛行するのに必要とする角度
が得られ、本発明を構成する平面光学メッシュ接続型ト
リートポロジネットワークが得られる。
像化およびビーム視準を行うことができる。平面MCT
ネットワークにおいてより有効な部材とするため、VS
TEPレーザ送信器からPMLのレンズ68からできる
だけ離れた位置への光信号を画像化する位置にPMLの
レンズ68を設ける。好ましくはこれを小さい平らなレ
ンズを用いて行う。直径250μmおよび焦点距離56
0μm、口径数値が0.22のPMLのレンズ68を設
けた。光発射領域はPMLのレンズ68の面積の約80
パーセントであった。PMLのレンズ68の基板の厚さ
は、VSTEPレーザとPML表面の間の距離が焦点距
離より若干大きくなる様に選択された。PML基板は感
光性接着剤を用いてVSTEPレーザに取りつけた。そ
の結果、重大な問題を生ずることなく、PMLを用いて
光信号を約20mmの距離を送信できた。
がそれぞれ250μmおよび0.34のマイクロMZL
が使用された。軸上FZLアレイを直接GaAs基板に
組みつけた。その結果、FZLから近回折限界性能が期
待できた。回折手段を用いてビーム偏向作業を行うに
は、軸外しFZLを設けるかまたは簡単なビーム分割格
子の第二層が必要となる。
信器間のビーム伝播に関連したパワーロスを以下の様に
見積もる。まず、あるVSTEPから発生させまたは終
端させた光がGaAs基板70を通過するものとする。
VSTEPピクセルの発光波長にもよるが、GaAs材
料は20cm-1から30cm-1の範囲の吸収定数を有す
る。100μmの適正な基板厚さと25cm-1の代表的
な吸収定数を用いれば、GaAs層を透過する際に生じ
るパワーロスは、およそ23%または1.0dBとな
る。VSTEP装置の発光波長範囲において、GaAS
材料の屈折率は約3.5である。GaAs基板と層58
のガラス材の間の屈折率の差は、パワー伝達率の4n1
n2 /(n1 +n2 )2=0.84または等量的にパワ
ーロス0.75に相当する。ガラスまたは石英板58は
好ましくはGaAs基板にフリップチップ接着されるか
ら、インタフェースに非反射性塗布剤を塗布することが
できる。ここでは反射ロスが0.45dB以下に制御さ
れる。ガラス材内の吸収ロスは一定の伝播距離について
は無視出来るものであり、上部のガラス−空気反射イン
タフェースでの透過ロスは塗装を介して4.5%または
0.2dB以下に最小化出来る。唯一重要なパワーロス
は、透過性マイクロ光学部材の格子66とレンズ(PM
L)68とで発生するロスである。発射されたビームは
始めにビームを分割することなく偏向する軸外しFZL
のレンズ68を通り、次に1対2の分割位相の格子66
および軸上PMLを有する第二のマイクロ光学部材66
を通るものとする。通常、FZLの効率はPMLまたは
ビーム分割格子よりはるかに低い。FZLを通過する際
の総ロスを約40%または2.2dBとする。1対2分
割を行う部材の場合、ビーム分割格子のロスは12%、
PMLのロスは4%とする。基本的な50%のパワー分
割機能を組み込むため、部材全体の総ロスは3.7dB
となる。最近は所謂区分比率分割方式を用いることによ
り、石英材上の一部の軸外し部材発生FZL型ホログラ
ムは最大89.2%の回折効率を有すると報告されてい
るから、見積もりは若干控えめである。上記の見積もり
パワーロスデータによれば、正しい検出を確実にするた
め、1.0dBの付加的安全度を光学パワー供給を行
う。そのため、送信器から受信器への一回の送信を完了
するため、光学信号について合計10dBのパワーロス
が見積もられている。
テム全体の電力消費を現行のVSTEPレーザ装置に基
づいて見積もることができる。全体の電気−光変換効率
を10%以上として、VSTEPピクセルを現在800
Mb/sの速度で変調することが出来る。だだし、その
光学切り換えエネルギーは約2.2pJであり、低感光
性検出装置となっている。光検出感度を改善するため、
pnpn−VSTEPとヘテロ接合フォトトランジスタ
(HPT)よりなる集積型VSTEP装置を、50fJ
の切り換えエネルギーにより最大200Mb/sの速度
で使用することが出来る。200Mb/sの速度では、
必要とする光学電力は10μWであり、10μAの光学
電流を発生する。利得100で1mAの電流がHPTに
流れる。1.5Vの駆動電圧では、HPTは1.5mW
の電源を取る。1mAの電流が2Vで駆動される後続の
pnpn−VSTEPに流れると、別に1mWの電力が
消費され(「0」および「1」ビットを50/50に分
割するとする)、受信器側での総電力消費は2.5mW
になる。送信器側においては、10dBの光学ロスを補
うための十分な光学電力を供給するため100μWの光
学電力が必要となる。10%の電気−光変換効率により
VSTEPsokiは200Mb/sで作動し、総電力
消費は1mWとなる。このように一組のVSTEP送信
器/受信器は、200Mb/sのデター速度で約PE =
3.5mWの総電力を消費するが、他の支援電子装置の
電力消費は計算から除外する。NノードMCTは下記数
11の総ピーク電力密度を取る。
つのうちのひとつの要因が現れる。表1に示すデータN
=1,024を用いた場合の21Wの総ピーク電力はω
o =10μmのVSTEPを用いた場合の電力密度5.
5W/cm2 に相当する。このような電力密度は冷却に
関する問題を提起する。しかしノード間の長い距離を規
定するω0 =5μmVSTEPを用いた場合、この電力
密度は1.4W/cm2 に落ちるが、従来の対流冷却が
可能となる。N=4,096の場合、電力密度が1.4
W/cm2 を越えない様に、86Wのピーク電力消費を
64cm2 の領域に分配することが出来る。他の切り換
え電子装置を設けることにより、さらに電力消費がチッ
プに加わる。表1のデータに基づき、2組の送信器およ
び受信器を含むノードには、ω0 =10mmの場合31
5×315μm2 ,ω0 =5μmの場合630×630
mm2 の総空間がある。この空間は、切り換え論理を支
援するのに必要な中程度の電子回路を収容することが出
来る。この場合、従来の強制空冷で十分とする。
題が生じる。VSTEPアレイから出される波長は、半
導体処理でのバラツキのため均一にならない場合があ
る。FZLは下記数12の送信関数g(x)を持つ。
で得られる。
ZL角度の不正確さは下記数14の通りである。
第二マイクロレンズの位置に達し、拡散による空間変動
Δxを伴う。第二マイクロレンズにより角度変動は修正
されるが、正味の空間変動により受信器側で焦点ミスを
生じる場合がある。受信器の直線幅をxdとすれば、下
記数15の検出帯域幅が必要となる。
り小さくても良い。N=1,024の場合、表1で得ら
れるデータを用いた場合の波長の不正確さを、ω0 =1
0μmおよびα=32°を組み合わせて用いた場合の
1.6%(Δ%λ=16mm)以内、ω0 =5mmおよ
びα=16°組み合わせの場合の0.8%(Δλ=8m
m)以内に制御する必要がある。
互接続ネットワークを説明したが、特許請求の範囲によ
ってのみ限定される本発明の原理および精神から逸脱し
なければ、さらなる変更および修正が可能なことは当業
者にとって明らかである。
ットワークのトポロジ的レイアウトである。
施例の概略図である。
の横断面図である。
化および偏向を行う際のジオメトリを示す。(b)はP
MLと軸外画像化用の送信器の関係を示す。
ムの拡大比率のグラフである。
方を用いる場合の焦点距離の関数としての内部接続空間
(ノードの最大数)のグラフである。
る場合の焦点距離の関数としての相互接続空間のグラフ
である。
画像化および偏向のためII型部材を用いる場合の焦点距
離の関数としての相互接続容量のグラフである。
た好ましい平面光学ネットワークの横断面図である。
Claims (22)
- 【請求項1】 各リーフノードが光学送信器手段および
光学受信器手段を備えるメッシュ接続型リーフノードの
平面アレイと、各々が前記平面アレイの面内で前記リー
フノードの関連する対の中間に設けられ、光学送信器手
段および光学受信器手段を備え、トリー構造に従って前
記リーフノードと関連を有するように付加された親ノー
ドと、予め選定されたリーフノードまたは予め選定され
た親ノードの送信器手段から、予め定められたリーフノ
ードまたは予め定められた親ノードの受信器手段に光学
信号を送信させ、この間これら予め選定されたノードと
予め定められたノードの間で反射面において反射させて
通信する手段とを備えることを特徴とする平面光学メッ
シュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項2】 さらに前記光学信号の通路に設けられた
マイクロ光学手段のアレイを備えることを特徴とする請
求項1に記載の平面光学メッシュ接続型トリー相互接続
ネットワーク。 - 【請求項3】 前記マイクロ光学手段が格子およびレン
ズを備えることを特徴とする請求項2に記載の平面光学
メッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項4】 前記レンズが平面型マイクロレンズを備
えることを特徴とする請求項3に記載の平面光学メッシ
ュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項5】 前記レンズがフレネルゾーンレンズを備
えることを特徴とする請求項3に記載の平面光学メッシ
ュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項6】 第一の材料層52が前記ノードと前記マ
イクロ光学手段のアレイの間に設けられ、第二の材料層
54が前記マイクロ光学手段のアレイと前記反射面の間
に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の平
面光学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項7】 前記第一の材料層および前記第二の材料
層が同じ材料を備えることを特徴とする請求項6に記載
の平面光学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワー
ク。 - 【請求項8】 前記第一の材料層および前記第二の材料
層が異なる材料を備えることを特徴とする請求項6に記
載の平面光学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワー
ク。 - 【請求項9】 前記第一の材料層および前記第二の材料
層がガラスおよび石英から成るグループから選定される
ことを特徴とする請求項6に記載の平面光学メッシュ接
続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項10】 前記送信器手段が垂直キャビティ表面
発光レーザを備えることを特徴とする請求項1に記載の
平面光学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項11】 前記送信器手段が垂直キャビティ表面
垂直型送信電子フォトン装置を備えることを特徴とする
請求項1に記載の平面光学メッシュ接続型トリー相互接
続ネットワーク。 - 【請求項12】 前記リーフノードおよび前記親ノード
がVLSI処理技術により形成されることを特徴とする
請求項1に記載の平面光学メッシュ接続型トリー相互接
続ネットワーク。 - 【請求項13】 前記リーフノードおよび前記親ノード
が対称送信による光学信号角度および前記予め選定した
ノードと前記予め決めたノードの間を飛光距離に対して
設けられたことを特徴とする請求項1に記載の平面光学
メッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項14】 各リーフノードが光学送信器手段と光
学受信器手段とを備えて構成されるメッシュ接続型リー
フノードと、各親ノードがトリー構造に従って関連する
リーフノードの対の中間に設けられかつ光学送信器手段
と光学受信器手段とを備える親ノードの線形アレイを備
える平面基板と、この平面基板の並列位置に第一表面を
有する第一の材料層と、この第一の材料層の反対側の表
面に設けたマイクロ光学手段と、第一面に追加マイクロ
光学手段を有し、前記マイクロ光学手段および前記追加
マイクロ光学手段が互いに定められた関係に配置される
ように前記第一層の並列位置に設けられ、反対側表面が
反射面で構成される第二の材料層とを備える平面光学メ
ッシュ接続型トリー相互接続ネットワークであって、前
記リーフノードおよび前記親ノードが、予め選定された
リーフノードの光学送信器手段から送信された光学信号
を前記第一の材料層、前記マイクロ光学手段、前記追加
マイクロ光学手段、前記第二の材料層を通過させ、前記
反射面で反射させ、前記第二の材料層、前記追加マイク
ロ光学手段、前記マイクロ光学手段、前記第一の材料層
を通過させ、予め定められたリーフノードの光学受信器
手段で受信するよう設けられたことを特徴とする平面光
学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項15】 前記リーフノードおよび親ノードが垂
直キャビティ表面発光ネットワークを備えることを特徴
とする請求項14に記載の平面光学メッシュ接続型トリ
ー相互接続ネットワーク。 - 【請求項16】 前記リーフノードおよび親ノードが垂
直キャビティ垂直対表面送信電子フォトン装置を備える
ことを特徴とする請求項14に記載の平面光学メッシュ
接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項17】 前記マイクロ光学手段および前記追加
マイクロ光学手段がレンズおよび格子を備えることを特
徴とする請求項14に記載の平面光学メッシッシュ接続
型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項18】 前記レンズが平面マイクロレンズを備
えることを特徴とする請求項17に記載の平面光学メッ
シュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項19】 前記レンズがフレネルゾーンレンズを
備えることを特徴とする請求項17に記載の平面光学メ
ッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項20】 前記第一の材料層および前記第二の材
料層がガラスおよび石英からなるグループから選定され
ることを特徴とする請求項17に記載の平面光学メッシ
ュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項21】 前記リーフノードおよび前記親ノード
が対称送信された光学信号角度および前記予め選定した
ノードおよび前記予め定められたノード間の飛光距離に
対して設けられることを特徴とする請求項17に記載の
平面光学メッシュ接続型トリー相互接続ネットワーク。 - 【請求項22】 前記リーフノードおよび前記親ノード
がVLSI処理技術により形成されることを特徴とする
請求項17に記載の平面光学メッシュ接続型トリー相互
接続ネットワーク。
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