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JPH08162397A - 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法

Info

Publication number
JPH08162397A
JPH08162397A JP32144094A JP32144094A JPH08162397A JP H08162397 A JPH08162397 A JP H08162397A JP 32144094 A JP32144094 A JP 32144094A JP 32144094 A JP32144094 A JP 32144094A JP H08162397 A JPH08162397 A JP H08162397A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
measuring means
illuminance distribution
projection
measuring
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32144094A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Takashima
常雄 高嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP32144094A priority Critical patent/JPH08162397A/ja
Publication of JPH08162397A publication Critical patent/JPH08162397A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】レチクル面及びウエハ面上の照度分布を良好に
維持して高解像度の投影パターンが得られる投影露光装
置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得る。 【構成】照明系からの光束で被照射面上に載置した投影
物体を照明し、投影物体を投影光学系によりステージ上
に載置した被投影物体面１３上に投影する際、被照射面
上の照度分布を測定する第１測定手段１１、被投影物体
面１３上の照度分布を測定する第２測定手段１４、そし
て第１測定手段と第２測定手段とからの出力信号を用い
て照明系及び投影光学系１２に起因する被照射面１０及
び被投影物体面１３上の照度分布を求める演算手段１７
とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置及びそれを
用いた半導体デバイス（半導体素子）の製造方法に関
し、具体的には半導体素子の製造装置である所謂ステッ
パーにおいて、レチクル面上のパターン及びウエハ面上
を適切に照明し、高い解像力が得られるようにしたもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造過程における投影露光
装置においては、電子回路パターンを繰り返してウエハ
面上に露光転写している。この為電子回路パターンが形
成されているマスクやレチクル（以下「レチクル」とい
う。）等の被照射面やウエハ等の被投影物体面の照度及
び照度分布は常に適切なる値に維持しておくことが重要
となっている。例えばウエハ面上の照度分布を測定する
場合にはウエハを載置するＸＹステージの一部に照度計
を装着しておき、必要に応じてＸＹステージ上の照度計
を投影面上に移動させて繰り返して測定することにより
照度分布を測定している。
【０００３】また従来の多くの投影露光装置では製造組
み立て誤差による照度ムラを最小にするために製造時に
おいてマスク面に照度センサーを設置し、その照度ムラ
が最小になるように個々の装置ごとに調整行程を設けて
いる。また運用の状態において環境変化や経時変化によ
る照度ムラを検知するためにウエハ面に照度センサーを
設置し、その照度ムラを測定している。
【０００４】照度分布測定手段を有した投影露光装置と
して、例えば特公平５−４１００６号公報では被照射面
の照度分布を測定する光電検出器と照度分布を調整する
為の可動レンズと、前記光電検出器の出力信号に応じて
前記可動レンズの位置を調整する駆動装置とを備え、そ
れにより被照射面上に所望の照度分布を得られるように
し、前記可動レンズが相互の間隔を調整して照度分布を
変える調整用の２個のレンズ素子を有した投影露光装置
を開示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】投影型露光装置を用い
て半導体素子を製造する際にレチクル面又はウエハ面上
で照度ムラが生じた場合、それが照明光学系（照明系）
の経時変化や環境変化に原因があるのかそれとも投影光
学系の光学特性の変化に原因があるのかを判別して照度
分布を調整するのは大変難しい。
【０００６】例えば投影光学系に原因がある場合として
次のような場合がある。一般に投影光学系においては温
度や気圧等の環境変化があるとフォーカス位置や倍率等
が変化してくる。このときのフォーカス位置や倍率等の
変化を補正する為にレンズ間の圧力やガス成分を調整
し、レンズ空間内の屈折率を変化させる方法がとられる
場合がある。一般にこのような方法を用いるとレンズ蒸
着膜の光学特性が、例えば透過率や反射率等が変化して
きて、この結果ウエハ面上で照度ムラが発生してくる。
この他、照明系に原因がある場合としては、例えば光源
の発光特性（配光特性）の変化や発光強度の変化等があ
る。
【０００７】従来の投影露光装置では照明系に基づく照
度分布と投影光学系に基づく照度分布を分離して取扱う
ことが難しく、特に双方の照度分布の総合結果となるウ
エハ面上の照度分布の変化を補正するのが大変難しい。
【０００８】特開平５−３４３２８８号公報ではマスク
（レチクル）面と共役な面での照度を第１受光手段で求
め、また感光基板（ウエハ）面での照度を第２受光手段
で求めている。そして双方の受光手段からの出力信号の
比を用いて露光量の制御を行い光学部品の経時的変化に
基づく露光量誤差の補正を行った露光装置を開示してい
る。
【０００９】しかしながら、この露光装置ではマスク面
上の照度分布とウエハ面上での照度分布を求めていな
く、かつ双方の面上で照度ムラがあったとき何に原因が
あるのかを検出して、これより照度ムラを補正すること
に関しては何ら開示していない。
【００１０】本発明は、レチクル面等の被照射面の照度
分布を測定する第１測定手段とウエハ面等の被投影物体
面の照度分布を測定する第２測定手段とを利用すること
により、被照射面や被投影物体面等の所定面上の照度ム
ラが照明系にあるのか投影光学系にあるのかを判断し、
これにより所定面上の照度ムラをなくし、高集積度の半
導体素子の製造が容易な投影露光装置及びそれを用いた
半導体デバイスの製造方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、 （１−１）照明系からの光束で被照射面上に載置した投
影物体を照明し、該投影物体を投影光学系によりステー
ジ上に載置した被投影物体面上に投影する際、該被照射
面上の照度分布を測定する第１測定手段、該被投影物体
面上の照度分布を測定する第２測定手段、そして該第１
測定手段と該第２測定手段とからの出力信号を用いて該
照明系及び該投影光学系に起因する該被照射面及び該被
投影物体面上の照度分布を求める演算手段とを設けたこ
とを特徴としている。
【００１２】特に、 （１−１−１）前記第１測定手段は前記被照射面上に沿
って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被照射
面上の照度分布を測定していること。 （１−１−２）前記第２測定手段は前記被投影物体面に
沿って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被投
影物体面上の照度分布を測定していること。 （１−１−３）前記第１測定手段は前記被照射面と略同
一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホールを設
け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子を有
していること。 （１−１−４）前記第２測定手段は前記被投影物体面と
略同一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホールを
設け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子を
有していること、等を特徴としている。
【００１３】（１−２）被照射面上の照度分布を調整す
る可動レンズ群を有する照明系からの光束で被照射面上
に載置した投影物体を照明し、該投影物体を投影光学系
によりステージ上に載置した被投影物体面上に投影する
際、該被照射面上の照度分布を測定する第１測定手段、
該被投影物体面上の照度分布を測定する第２測定手段、
該第１測定手段と該第２測定手段とからの出力信号を用
いて該照明系及び該投影光学系に起因する該被照射面及
び該被投影物体面上の照度分布を求める演算手段、そし
て該演算手段による演算結果に基づいて表示手段に警報
情報を表示し、又は該照明系の可動レンズ群を駆動させ
て照度分布を調整する制御手段とを設けたことを特徴と
している。
【００１４】特に、 （１−２−１）前記第１測定手段は前記被照射面上に沿
って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被照射
面上の照度分布を測定していることを特徴としている。 （１−２−２）前記第２測定手段は前記被投影物体面に
沿って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被投
影物体面上の照度分布を測定していることを特徴として
いる。 （１−２−３）前記第１測定手段は前記被照射面と略同
一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホールを設
け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子を有
していることを特徴としている。 （１−２−４）前記第２測定手段は前記被投影物体面と
略同一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホールを
設け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子を
有していること、等を特徴としている。
【００１５】本発明の半導体デバイスの製造方法は、 （１−３）照明系からの光束でレチクル面上のパターン
を照明し、該パターンを投影光学系によりウエハ面上に
投影し露光した後に、該ウエハを現像処理工程を介して
半導体素子を製造する際、該レチクル面上の照度分布を
測定する第１測定手段、該ウエハ面上の照度分布を測定
する第２測定手段、そして該第１測定手段と該第２測定
手段とからの出力信号を用いて該照明系及び該投影光学
系に起因する該レチクル面及び該ウエハ面上の照度分布
を求める演算手段とを設けたことを特徴としている。
【００１６】（１−４）レチクル面上の照度分布を調整
する可動レンズ群を有する照明系からの光束でレチクル
面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系によ
りウエハ面上に投影し露光した後に、該ウエハを現像処
理工程を介して半導体素子を製造する際、該レチクル面
上の照度分布を測定する第１測定手段、該ウエハ面上の
照度分布を測定する第２測定手段、該第１測定手段と該
第２測定手段とからの出力信号を用いて該照明系及び該
投影光学系に起因する該レチクル面及び該ウエハ面上の
照度分布を求める演算手段、そして該演算手段による演
算結果に基づいて表示手段に警報情報を表示し、又は該
照明系の可動レンズ群を駆動させて照度分布を調整する
制御手段とを設けたことを特徴としている。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の投影露光装置の実施例１の要
部概略図である。図中２は楕円鏡である。１は光源とし
ての発光管であり、紫外線及び遠紫外線等を放射する高
輝度の発光部１ａを有している。発光部１ａは楕円鏡２
の第１焦点近傍に配置している。３はコールドミラーで
あり、多層膜より成り、大部分の赤外光を通過すると共
に大部分の紫外光を反射させている。楕円鏡２はコール
ドミラー３を介して第２焦点近傍に発光部１ａの発光部
像（光源像）１ｂを形成している。
【００１８】４はオプティカルインテグレータであり、
その入射面４ａは楕円鏡２の第２焦点近傍に位置してい
る。オプティカルインテグレータ４は複数の微小レンズ
（ハエの眼レンズ）を２次元的に所定のピッチで配列し
て構成しており、その射出面４ｂ近傍に２次光源を形成
している。
【００１９】５，７は各々集光レンズ、６は絞りであ
る。オプティカルインテグレータ４の射出面４ｂ近傍の
２次光源から射出した複数の光束は集光レンズ５で集光
され、絞り６を照射している。そして絞り６を通過し、
集光レンズ７を介した光束はミラー８で反射して結像レ
ンズ９により被照射面としてのレチクル１０面上の所定
領域を照明している。集光レンズ７とミラー８、そして
結像レンズ９とにより絞り６がレチクル１０面上に結像
するように屈折力や間隔等の光学的諸定数を設定してい
る。
【００２０】本実施例では以上の各要素１〜９は照明系
の一要素を構成している。１２は投影光学系（投影レン
ズ）であり、レチクル１０面上の回路パターンをウエハ
チャックに載置したウエハ（基板）１３面上に縮小投影
している。１２ａは投影光学系１２の瞳面である。オプ
ティカルインテグレータ４の射出面４ｂと瞳面１２ａは
略共役関係となっている。
【００２１】本実施例では以上のような構成により、レ
チクル１０面上のパターンをウエハ１３面上に縮小投影
露光している。そして所定の現像処理過程を経て半導体
デバイス（半導体素子）を製造している。
【００２２】１１は第１測定手段であり、例えば紫外線
検出器（測光センサー）より成っている。第１測定手段
１１はそれを構成する受光素子の受光面又はピンホール
等の光学部材が被照射面（レチクル面１０）と略同一平
面上に位置しており、駆動手段（不図示）により該受光
面又は光学部材を被照射面に沿って２次元的に走査して
該受光素子により又はピンホールを通過した光束を受光
素子で受光して照度分布を測定している。
【００２３】１５はＡ／Ｄコンバータであり、第１測定
手段１１からの信号をデジタル信号に変換して演算手段
（１７）に入力している。１４は第２測定手段であり、
第１測定手段１１と同様に紫外線検出器より成ってい
る。また第２測定手段１４はそれを構成する受光素子の
受光面又はピンホール等の光学部材が被投影物体面（ウ
エハ面１３）と略同一平面上に位置しており、ＸＹステ
ージとその駆動手段（不図示）により該受光面又は光学
部材を被投影物体面に沿って２次元的に走査して照度分
布を測定している。１６はＡ／Ｄコンバータであり、第
２測定手段１４からの信号をデジタル信号に変換して演
算手段１７に入力している。
【００２４】演算手段１７は第１測定手段１１からの出
力信号と第２測定手段１４からの出力信号とを用いて被
投影物体面（ウエハ面１３）上の照度分布（照度ムラ）
が照明系に起因するものか投影光学系１２に起因するも
のかを判断している。
【００２５】例えば、第１測定手段１１からの出力信号
と該第１測定手段を駆動させる駆動手段の位置情報（位
置座標）より照明系に起因する照度分布（照度ムラ）を
評価している。また同様に第２測定手段１４からの出力
信号と該第２測定手段を載置しているＸＹステージの位
置座標より被投影物体面（ウエハ面１３）上の照度分布
を評価している。このときのウエハ面１３上の照度分布
は照明系と投影光学系の双方に起因したものとなってい
る。
【００２６】更にこれと同時に第１測光手段１１の駆動
手段の座標とそれに対応するＸＹステージの座標のそれ
ぞれの位置におけるＡ／Ｄコンバータ１５からの出力信
号とＡ／Ｄコンバータ１６からの出力信号との差を計算
することにより投影光学系に起因する照度ムラを評価し
ている。
【００２７】以上の構成により投影型露光装置を用いて
半導体素子を製造する際にウエハ面１３上に照度ムラが
生じた時にその原因が照明系にあるのか投影光学系にあ
るのかを検知している。そして、該照度ムラが例えば照
明系にある時は照明系を構成する光学要素を変位させた
り、投影光学系の一要素を変更（変換）したりして補正
するようにしている。
【００２８】図２は本発明の実施例２の要部概略図であ
る。
【００２９】本実施例は図１の実施例１に比べて照明系
を構成する一要素の集光レンズ２１を図３（Ａ），
（Ｂ）に示すように複数の可動レンズ群２２〜２５より
構成して、該可動レンズ群を用いて照明系に起因するレ
チクル面１０上の照度ムラを補正していること、表示手
段１９を設けて投影光学系１２に起因してウエハ面１３
上に照度ムラが生じたときは該表示手段１９にその旨の
警報情報を表示してオペレーターに知らせるようにした
こと、そしてこれらを制御する制御手段２０を設けたこ
と等が異なっており、その他の構成は同じである。
【００３０】即ち本実施例では演算手段１７によりレチ
クル面又はウエハ面等の所定面上における照度ムラが照
明系に起因する照度ムラか投影光学系に起因する照度ム
ラかを判断している。
【００３１】制御手段２０は演算手段１７からの信号と
して、例えば照明系に起因してレチクル面１０上に予め
設定した規格外の照度ムラがあるとの信号を得たときは
駆動手段１８により集光レンズ２１を構成する可動レン
ズ群を光軸上移動させることによりレチクル面１０上の
照度分布を調整している。
【００３２】また制御手段２０は演算手段１７からの信
号として投影光学系に起因してウエハ面１３上に予め設
定した規格外の照度ムラがあるとの信号を得たときは表
示手段１９にその旨の警報情報を表示してオペレーター
に知らせるようにしている。
【００３３】図３（Ａ），（Ｂ）は本実施例における集
光レンズ２１の説明図である。集光レンズ２１は４つの
可動レンズ群２２〜２５より成っている。そしてレンズ
群２２とレンズ群２３との間隔及びレンズ群２４とレン
ズ群２５との間隔を各々駆動手段で変化させて、例えば
図３（Ａ）から図３（Ｂ）の如く可動レンズ群を光軸上
移動させている。これによって照明系のＮＡやレチクル
面１０上の照明範囲等の光学特性を変化させることな
く、レチクル面１０上の照度分布のみを調整するように
している。
【００３４】図４は本発明の実施例３に係る第１又は第
２測定手段の一部分の説明図である。同図において４４
は各々複数個の照度センサーであり、４５はそれを保持
する測定板である。この測定板４５は、例えば図１にお
けるレチクル面１０に挿脱可能に配置して、かつ複数の
照度センサー４４がレチクル面１０と同一面となるよう
にしている。これを用いてレチクル面１０上の照度分布
を測定している。
【００３５】本実施例では第１測定手段１１を駆動させ
る駆動機構を省略して、これにより機構上の簡素化を図
っている。
【００３６】尚以上の各実施例において第１，第２測定
手段で用いる照度センサーとしてはピンホールを有し、
そのピンホールの面積における光束の強さの積分値に比
例した出力が得られる光電変換器の他に１次元ホトセン
サや２次元ホトセンサを用い、前者ではその掃引範囲を
一方向のみとし、後者ではその掃引動作を省略するよう
にしても良い。
【００３７】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００３８】図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。
【００３９】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００４０】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００４１】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４２】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
【００４３】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００４４】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、レチクル
面等の被照射面の照度分布を測定する第１測定手段とウ
エハ面等の被投影物体面の照度分布を測定する第２測定
手段とを利用することにより、被照射面や被投影物体面
等の所定面上の照度ムラが照明系にあるのか投影光学系
にあるのかを判断し、これにより所定面上の照度ムラを
なくし、高集積度の半導体素子の製造が容易な投影露光
装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を達成
することができる。
【００４７】特に、本発明によれば投影型露光装置の実
際の運用の場面において、被露光基板面に照度ムラが生
じた時にその原因が照明系にあるのか投影光学系にある
のかを検知し、明らかにすることができる。更にこの結
果、照明系に原因があったと認められる場合はそれを適
切に補正することができる。
【００４８】一方、投影光学系に原因があったと認めら
れる場合はそれをオペレーターに通知するのでただちに
保守点検作業を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の投影露光装置の実施例１の要部概略図
【図２】本発明の投影露光装置の実施例２の要部概略図
【図３】図２の一部分の説明図
【図４】本発明の投影露光装置の実施例３に係る一部分
の説明図
【図５】本発明の半導体デバイスの製造方法の実施例１
のフローチャート
【図６】本発明の半導体デバイスの製造方法の実施例１
のフローチャート
【符号の説明】
１ 光源 ２ 楕円鏡 ３，８ ミラー ４ オプティカルインテグレータ ５，７ 集光レンズ ６ 絞り ９ 結像レンズ １０ 被照射面（レチクル面） １１ 第１測定手段 １２ 投影光学系 １３ 被投影物体面（ウエハ面） １４ 第２測定手段 １５，１６ Ａ／Ｄコンバータ １７ 演算手段 １８ 駆動手段 １９ 表示手段 ２０ 制御手段 ２１ 集光レンズ ２２〜２５ 可動レンズ群

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 照明系からの光束で被照射面上に載置し
    た投影物体を照明し、該投影物体を投影光学系によりス
    テージ上に載置した被投影物体面上に投影する際、該被
    照射面上の照度分布を測定する第１測定手段、該被投影
    物体面上の照度分布を測定する第２測定手段、そして該
    第１測定手段と該第２測定手段とからの出力信号を用い
    て該照明系及び該投影光学系に起因する該被照射面及び
    該被投影物体面上の照度分布を求める演算手段とを設け
    たことを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項２】 前記第１測定手段は前記被照射面上に沿
    って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被照射
    面上の照度分布を測定していることを特徴とする請求項
    １の投影露光装置。
  3. 【請求項３】 前記第２測定手段は前記被投影物体面に
    沿って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被投
    影物体面上の照度分布を測定していることを特徴とする
    請求項１の投影露光装置。
  4. 【請求項４】 前記第１測定手段は前記被照射面と略同
    一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホールを設
    け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子を有
    していることを特徴とする請求項１の投影露光装置。
  5. 【請求項５】 前記第２測定手段は前記被投影物体面と
    略同一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホールを
    設け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子を
    有していることを特徴とする請求項１の投影露光装置。
  6. 【請求項６】 被照射面上の照度分布を調整する可動レ
    ンズ群を有する照明系からの光束で被照射面上に載置し
    た投影物体を照明し、該投影物体を投影光学系によりス
    テージ上に載置した被投影物体面上に投影する際、該被
    照射面上の照度分布を測定する第１測定手段、該被投影
    物体面上の照度分布を測定する第２測定手段、該第１測
    定手段と該第２測定手段とからの出力信号を用いて該照
    明系及び該投影光学系に起因する該被照射面及び該被投
    影物体面上の照度分布を求める演算手段、そして該演算
    手段による演算結果に基づいて表示手段に警報情報を表
    示し、又は該照明系の可動レンズ群を駆動させて照度分
    布を調整する制御手段とを設けたことを特徴とする投影
    露光装置。
  7. 【請求項７】 前記第１測定手段は前記被照射面上に沿
    って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被照射
    面上の照度分布を測定していることを特徴とする請求項
    ６の投影露光装置。
  8. 【請求項８】 前記第２測定手段は前記被投影物体面に
    沿って受光素子又は／及び光学部材を駆動させて該被投
    影物体面上の照度分布を測定していることを特徴とする
    請求項６の投影露光装置。
  9. 【請求項９】 前記第１測定手段は前記被照射面と略同
    一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホールを設
    け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子を有
    していることを特徴とする請求項６の投影露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記第２測定手段は前記被投影物体面
    と略同一平面に受光面を設けた受光素子又はピンホール
    を設け、該ピンホールを介した光束を受光する受光素子
    を有していることを特徴とする請求項６の投影露光装
    置。
  11. 【請求項１１】 照明系からの光束でレチクル面上のパ
    ターンを照明し、該パターンを投影光学系によりウエハ
    面上に投影し露光した後に、該ウエハを現像処理工程を
    介して半導体素子を製造する際、該レチクル面上の照度
    分布を測定する第１測定手段、該ウエハ面上の照度分布
    を測定する第２測定手段、そして該第１測定手段と該第
    ２測定手段とからの出力信号を用いて該照明系及び該投
    影光学系に起因する該レチクル面及び該ウエハ面上の照
    度分布を求める演算手段とを設けたことを特徴とする半
    導体デバイスの製造方法。
  12. 【請求項１２】 レチクル面上の照度分布を調整する可
    動レンズ群を有する照明系からの光束でレチクル面上の
    パターンを照明し、該パターンを投影光学系によりウエ
    ハ面上に投影し露光した後に、該ウエハを現像処理工程
    を介して半導体素子を製造する際、該レチクル面上の照
    度分布を測定する第１測定手段、該ウエハ面上の照度分
    布を測定する第２測定手段、該第１測定手段と該第２測
    定手段とからの出力信号を用いて該照明系及び該投影光
    学系に起因する該レチクル面及び該ウエハ面上の照度分
    布を求める演算手段、そして該演算手段による演算結果
    に基づいて表示手段に警報情報を表示し、又は該照明系
    の可動レンズ群を駆動させて照度分布を調整する制御手
    段とを設けたことを特徴とする半導体デバイスの製造方
    法。
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