JPH081615U - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH081615U JPH081615U JP005141U JP514196U JPH081615U JP H081615 U JPH081615 U JP H081615U JP 005141 U JP005141 U JP 005141U JP 514196 U JP514196 U JP 514196U JP H081615 U JPH081615 U JP H081615U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- tool
- base material
- bonding tool
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置のボンディングにおいてリード接
合不良が発生するという問題点を除去し、信頼性の高い
ボンディングを行うことのできるボンディングツールを
提供する。 【解決手段】 非加熱の状態において、ボンディング面
が被ボンディング面に対して凸状、かつ球面状に形成さ
れる先端チップ１１と、この先端チップ１１を支持する
ツール母材１３とを備えたボンディングツールを準備
し、このボンディングツールを加熱し、前記ツール母材
１３と前記先端チップ１１との熱膨張率の差により前記
ボンディング面を略平坦とした状態で前記リードをボン
ディングする。
合不良が発生するという問題点を除去し、信頼性の高い
ボンディングを行うことのできるボンディングツールを
提供する。 【解決手段】 非加熱の状態において、ボンディング面
が被ボンディング面に対して凸状、かつ球面状に形成さ
れる先端チップ１１と、この先端チップ１１を支持する
ツール母材１３とを備えたボンディングツールを準備
し、このボンディングツールを加熱し、前記ツール母材
１３と前記先端チップ１１との熱膨張率の差により前記
ボンディング面を略平坦とした状態で前記リードをボン
ディングする。
Description
【０００１】
本考案は、フィルムキャリアのインナリードボンディングツール及びアウタリ ードボンディング方法に関するものである。
【０００２】
従来、このような分野の技術としては、特開昭６０−２１３０３７号及び特開 昭６１−１５８１５４号に記載されるものがあった。 図４は従来のＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術 を用いた半導体装置の製造工程図、図５はその半導体装置のインナリードのボン ディング状態を示す断面図である。
【０００３】 この種の半導体装置は、図４に示すように、まず、ウエハ上にバンプを形成 し、スクライビングを行い、インナリードボンディングを行い、封止を行 い、アウタリードボンディングを行うようにしていた。即ち、図５に示すよう に、金属セラミック等で作られたボンディングステージ１上にバンプ形成を行っ たＩＣチップ２を置き、このＩＣチップ２のバンプ３とフィルムキャリア４のイ ンナリード部５とを位置合わせし、その上から焼結ダイヤモンド等を貼り合わせ たインナリードボンディングツール６を用いて加熱・加圧することによって、フ ィルムキャリア４のインナリード部５とＩＣチップ２のバンプ３とを接合する。 この時のインナリードボンディングツール６の構成を図６に示す。
【０００４】
しかしながら、以上述べたインナリードボンディングツール６の形状では、イ ンナリードボンディングツール６の先端チップ７とツール母材８との線膨張係数 の違いからツール先端が撓む。例えば、先端チップ７が焼結ダイヤモンドの場合 、その線膨張係数は３．８×10-6Ｋ-1であり、ツール母材８がインコネル（商品 名）の場合、その線膨張係数は１８×１０-6Ｋ-1であるため、ツール先端が、図 ７に示すように、上方に撓む形状になる。
【０００５】 そのため、フィルムキャリアのインナリード部に対し、全リードを均一に加熱 ・加圧することができなくなってしまい、フィルムキャリアのインナリード部と ＩＣチップのバンプとの間で良好な接合ができないという問題点があった。 図８はインナリードボンディング工程で一辺に４０リードを配置したサンプル において、従来の形状のインナリードボンディングツールを用いた場合の接合部 分の引張強度特性図であり、この図から明らかなように、４０リードの中央部、 つまりピン番号２０近傍の接合部の引張強度が大幅に低下する。
【０００６】 本考案は、以上述べた半導体装置のボンディングにおいてリード接合不良が発 生するという問題点を除去し、信頼性の高いボンディングを行うことのできるボ ンディングツールを提供することを目的とする。
【０００７】
本考案は、上記目的を達成するために、半導体装置のリードをボンディングす るボンディング方法において、非加熱の状態において、ボンディング面が被ボン ディング面に対して凸状、かつ球面状に形成される先端チップと、この先端チッ プを支持するツール母材とを備えたボンディングツールを準備する工程と、この ボンディングツールを加熱し、前記ツール母材と前記先端チップとの熱膨張率の 差により前記ボンディング面を略平坦とした状態で前記リードをボンディングす る工程とを有するようにしたものである。
【０００８】 本考案によれば、上記のように構成したので、半導体装置のリードボンディン グツールにおいて、異種材料を貼り合わせたボンディングツールの加熱時におけ るツール先端部が形状変化することによって起こるリード接合不良を解消するこ とができる。
【０００９】
【考案の実施の形態】 以下、本考案の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。 図１は本考案の実施例を示すインナリードボンディングツールの構成図であり 、図１（ａ）は正面から見た断面図、図１（ｂ）は側面図である。 この実施例においては、インナリードボンディングツール１０のツール母材１ ３に支持される先端チップ１１のボンディング面１２の形状を球面状にし、更に 、例えば、先端チップ１１に１０ｍｍ□程度の大きさの焼結ダイヤを用い、ツー ル母材１３に耐熱性金属（例えば、インコネル）を用いた場合、焼結ダイヤと耐 熱性金属との線膨張係数の相違を考慮し、ボンディング面１２を約１０μｍの凸 状かつ球面状に形成する。すると、インナリードボンディングツール１０をボン ディング時の温度まで加熱した場合、上記ボンディング面１２は、図２に示すよ うな略平坦のボンディング面１２′になる。
【００１０】 従って、インナリードボンディングツール１０の先端チップ１１とツール母材 １３との線膨張の違いに起因するリードの接合不良を有効に解消することができ る。 なお、先端チップ１１の材料として、焼結ダイヤ以外に天然ダイヤや窒化ホウ 素等を用い、ツール母材１３の材料として、インコネル（商品名）以外にタング ステン系合金，モリブデン，モリブデン系合金等を用いても、同様な結果を得る ことができる。
【００１１】 図３はインナリードボンディング工程で一辺に４０リードを配置したサンプル において、本考案のインナリードボンディングツールを用いた場合の接合部分の 引張強度特性図である。 この図から明らかなように、４０リードの略全部の接合部において引張強度の 低下はなく、リード全体を強固に接合できる。
【００１２】 次に、図９は本考案の他の実施例を示すアウタリードボンディングツールの構 成図であり、図９（ａ）は正面から見た断面図、図９（ｂ）は側面図である。 この実施例においては、アウタリードボンディングツール２０のツール母材２ ３に支持される先端チップ２１のボンディング面２２の形状を球面状にする。例 えば、先端チップ２１に焼結ダイヤを用い、ツール母材２３に薄い板状体の耐熱 性金属（例えば、インコネル）を用いた場合、焼結ダイヤと耐熱性金属との線膨 張係数が相違することを考慮して、先端チップ２１のボンディング面２２を凸状 態の球面状にする。すると、アウタリードボンディングツール２０をボンディン グ時の温度まで加熱した場合に、第２図の場合と同様に、先端チップ２１のボン ディング面２２は略平坦になる。
【００１３】 従って、アウタリードボンディングツール２０の先端チップ２１とツール母材 ２３との線膨張の違いに起因するリードの接合不良を有効に解消することができ る。 また、図１０に示すように、本考案のアウタリードボンディングツール２３を 用いて、半導体パッケージ３０のリード３１をボンディングすることができるこ とは言うまでもない。
【００１４】 なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、本考案の趣旨に基づい て種々の変形が可能であり、これらを本考案の範囲から排除するものではない。
【００１５】
以上、詳細に説明したように、本考案によれば、ボンディングツールの先端チ ップ形状を変更したので、インナリードボンディング装置或いはアウタリードボ ンディングツールにおいて、ツール先端部の変形によるリード接合不良がなくな り、信頼性の高いボンディングを行うことができる。
【図１】本考案の実施例を示すインナリードボンディン
グツールの構成図である。
グツールの構成図である。
【図２】本考案のインナリードボンディングツールのボ
ンディング時の状態を示す図である。
ンディング時の状態を示す図である。
【図３】本考案のインナリードボンディングツールを用
いた場合の接合部分の引張強度特性図である。
いた場合の接合部分の引張強度特性図である。
【図４】従来のＴＡＢ技術を用いた半導体装置の製造工
程図である。
程図である。
【図５】従来の半導体装置のインナリードのボンディン
グ状態を示す断面図である。
グ状態を示す断面図である。
【図６】従来のインナリードボンディングツールの構成
図である。
図である。
【図７】従来のインナリードボンディングツールのボン
ディング時の問題点説明図である。
ディング時の問題点説明図である。
【図８】従来のボンディングツールを用いた場合の接合
部分の引張強度特性図である。
部分の引張強度特性図である。
【図９】本考案の他の実施例を示すアウタリードボンデ
ィングツールの構成図である。
ィングツールの構成図である。
【図１０】本考案のアウタリードボンディングツールを
用いた半導体パッケージのボンディング状態を示す図で
ある。
用いた半導体パッケージのボンディング状態を示す図で
ある。
１０ インナリードボンディングツール １１，２１ 先端チップ １２，１２′，２２ ボンディング面 １３，２３ ツール母材 ２０ アウタリードボンディングツール ３０ 半導体パッケージ ３１ リード
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置のリードをボンディングするボ
ンディングツールにおいて、（ａ）非加熱の状態におい
て、ボンディング面が被ボンディング面に対して凸状、
かつ球面状に形成される先端チップと、この先端チップ
を支持するツール母材とを備えたボンディングツールを
準備する工程と、（ｂ）このボンディングツールを加熱
し、前記ツール母材と前記先端チップとの熱膨張率の差
により前記ボンディング面を略平坦とした状態で前記リ
ードをボンディングする工程とを有することを特徴とす
るボンディングツール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP005141U JPH081615U (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP005141U JPH081615U (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | ボンディングツール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH081615U true JPH081615U (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=18527512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP005141U Pending JPH081615U (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | ボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081615U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017045837A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 富士通株式会社 | 半導体実装装置の加熱ヘッダ及び半導体の接合方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245642A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63126240A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-30 | Sharp Corp | 電子部品の実装方法 |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP005141U patent/JPH081615U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245642A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63126240A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-30 | Sharp Corp | 電子部品の実装方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017045837A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 富士通株式会社 | 半導体実装装置の加熱ヘッダ及び半導体の接合方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980519 |