JPH08127769A - 蛍光体及び表示装置 - Google Patents
蛍光体及び表示装置Info
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- JPH08127769A JPH08127769A JP15192795A JP15192795A JPH08127769A JP H08127769 A JPH08127769 A JP H08127769A JP 15192795 A JP15192795 A JP 15192795A JP 15192795 A JP15192795 A JP 15192795A JP H08127769 A JPH08127769 A JP H08127769A
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- sulfide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】硫化物系蛍光体とZnO 蛍光体からなる２層構造
の蛍光体を低電圧で加速した電子の射突によって十分な
輝度で発光させる。 【構成】酸素雰囲気中でZn粉末を焼成し、これをアニー
ル処理して385nm と505nm の２点に発光のピークを有す
るZnO 蛍光体を得る。陽極基板上のITO 電極の上に、硫
化物系の蛍光体である青色発光のZnS:Ag蛍光体、緑色発
光のZnS:Cu,Al 蛍光体、赤色発光のZn0.2 Cd0.8 S:Ag蛍
光体をそれぞれ被着する。その表面にZnO蛍光体を被着
する。陽極基板を400 〜500 ℃で焼成する。１kV程度の
電圧で加速した電子が射突すると、ZnO 蛍光体は可視波
長の光線と紫外線を発生する。ZnO蛍光体の主として可
視光成分によりZn,CdS:Ag 蛍光体は赤色発光する。ZnS:
Ag蛍光体・ZnS:Cu,Al 蛍光体等は400nm 以下に励起のピ
ークを有するが、ZnO 蛍光体は385nm にもピークを有す
るので高輝度・高効率な青色乃至緑色発光が可能とな
る。
の蛍光体を低電圧で加速した電子の射突によって十分な
輝度で発光させる。 【構成】酸素雰囲気中でZn粉末を焼成し、これをアニー
ル処理して385nm と505nm の２点に発光のピークを有す
るZnO 蛍光体を得る。陽極基板上のITO 電極の上に、硫
化物系の蛍光体である青色発光のZnS:Ag蛍光体、緑色発
光のZnS:Cu,Al 蛍光体、赤色発光のZn0.2 Cd0.8 S:Ag蛍
光体をそれぞれ被着する。その表面にZnO蛍光体を被着
する。陽極基板を400 〜500 ℃で焼成する。１kV程度の
電圧で加速した電子が射突すると、ZnO 蛍光体は可視波
長の光線と紫外線を発生する。ZnO蛍光体の主として可
視光成分によりZn,CdS:Ag 蛍光体は赤色発光する。ZnS:
Ag蛍光体・ZnS:Cu,Al 蛍光体等は400nm 以下に励起のピ
ークを有するが、ZnO 蛍光体は385nm にもピークを有す
るので高輝度・高効率な青色乃至緑色発光が可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２種類の蛍光体からな
る蛍光体と、係る蛍光体を発光部に有する表示装置に関
する。
る蛍光体と、係る蛍光体を発光部に有する表示装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】蛍光表示管や、電子源に電界放出形素子
を用いた蛍光表示装置においては、例えば複数種類の発
光色で表示を行う等のためにＺｎＳ系、ＣａＳ系等の蛍
光体を陽極の発光部分に利用することがある。
を用いた蛍光表示装置においては、例えば複数種類の発
光色で表示を行う等のためにＺｎＳ系、ＣａＳ系等の蛍
光体を陽極の発光部分に利用することがある。
【０００３】例えば、赤色発光の蛍光体としては、（Ｚ
ｎx ，Ｃｄ1-x ）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ（ｘ＝０．２２）、Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ等が知られてお
り、また青色発光系の蛍光体としてはＺｎＳ：Ｚｎが知
られており、また緑色発光系の蛍光体としてはＺｎＳ：
Ｃｕ，Ａｌ、（Ｚｎx ，Ｃｄ1-x ）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ（ｘ
＝０．６）が知られている。
ｎx ，Ｃｄ1-x ）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ（ｘ＝０．２２）、Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ等が知られてお
り、また青色発光系の蛍光体としてはＺｎＳ：Ｚｎが知
られており、また緑色発光系の蛍光体としてはＺｎＳ：
Ｃｕ，Ａｌ、（Ｚｎx ，Ｃｄ1-x ）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ（ｘ
＝０．６）が知られている。
【０００４】上記硫化物系の蛍光体は、蛍光表示管内で
電子の射突を受けることにより徐々に表面から分解して
いく。分解した蛍光体は周囲に飛散し、電子の放出部分
であるフィラメント状の陰極や電界放出形素子の表面に
被着し、その電子放出能力を低下させてしまう。
電子の射突を受けることにより徐々に表面から分解して
いく。分解した蛍光体は周囲に飛散し、電子の放出部分
であるフィラメント状の陰極や電界放出形素子の表面に
被着し、その電子放出能力を低下させてしまう。
【０００５】このような問題を回避するために、前記蛍
光体層の上にＢａＳｉ2 Ｏ5 ：Ｐｂ等の紫外線発光蛍光
体を積層し、下層の被覆された蛍光体を保護するという
手段が提案されている。このような２層構造の蛍光体を
有する蛍光表示管では、電子は上層のＢａＳｉ2 Ｏ5 ：
Ｐｂ蛍光体に射突し、電子が直接射突しない下層の硫化
物系蛍光体が分解して飛散することはない。電子が射突
したＢａＳｉ2 Ｏ5 ：Ｐｂ蛍光体は紫外線を放出し、こ
の紫外線によって下層の硫化物系蛍光体が励起されて発
光する。
光体層の上にＢａＳｉ2 Ｏ5 ：Ｐｂ等の紫外線発光蛍光
体を積層し、下層の被覆された蛍光体を保護するという
手段が提案されている。このような２層構造の蛍光体を
有する蛍光表示管では、電子は上層のＢａＳｉ2 Ｏ5 ：
Ｐｂ蛍光体に射突し、電子が直接射突しない下層の硫化
物系蛍光体が分解して飛散することはない。電子が射突
したＢａＳｉ2 Ｏ5 ：Ｐｂ蛍光体は紫外線を放出し、こ
の紫外線によって下層の硫化物系蛍光体が励起されて発
光する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の蛍光表示管等で
は、電子の加速電圧は一般に１ｋＶ以下であり、この駆
動条件で蛍光体を実用的な輝度で発光させるには蛍光体
層の抵抗がある程度低いことが必要である。前述した従
来の２層構造の蛍光体によれば、ＢａＳｉ2 Ｏ5：Ｐｂ
蛍光体の抵抗が高く、１ｋＶ以下の加速電圧では十分な
輝度が得られなかった。
は、電子の加速電圧は一般に１ｋＶ以下であり、この駆
動条件で蛍光体を実用的な輝度で発光させるには蛍光体
層の抵抗がある程度低いことが必要である。前述した従
来の２層構造の蛍光体によれば、ＢａＳｉ2 Ｏ5：Ｐｂ
蛍光体の抵抗が高く、１ｋＶ以下の加速電圧では十分な
輝度が得られなかった。
【０００７】また、硫化物系の蛍光体はＢａＳｉ
2 Ｏ5 ：Ｐｂ蛍光体に保護されるが、電子が直接射突す
るＢａＳｉ2 Ｏ5 ：Ｐｂ蛍光体の寿命が短いという問題
があった。
2 Ｏ5 ：Ｐｂ蛍光体に保護されるが、電子が直接射突す
るＢａＳｉ2 Ｏ5 ：Ｐｂ蛍光体の寿命が短いという問題
があった。
【０００８】本発明は、前述した従来の２層構造の蛍光
体のような硫化物系の蛍光体と他の蛍光体からなる蛍光
体において、例えば１ｋＶ以下の低電圧で加速した電子
の射突によっても十分な輝度で発光し、寿命を長くする
ことを目的としている。
体のような硫化物系の蛍光体と他の蛍光体からなる蛍光
体において、例えば１ｋＶ以下の低電圧で加速した電子
の射突によっても十分な輝度で発光し、寿命を長くする
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光体は、低速電子線による励起によって４００ｎｍより
も波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起紫外線
発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してなる。
光体は、低速電子線による励起によって４００ｎｍより
も波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起紫外線
発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してなる。
【００１０】請求項２に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の粒子が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆しているこ
とを特徴とする。
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の粒子が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆しているこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項３に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の層が前記硫化物系蛍光体の層を被覆していることを
特徴とする。
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の層が前記硫化物系蛍光体の層を被覆していることを
特徴とする。
【００１２】請求項４に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体がＺｎＯであることを特徴とする。
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体がＺｎＯであることを特徴とする。
【００１３】請求項５に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の混合割合が全体の３０〜８０重量％であることを特
徴とする。
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の混合割合が全体の３０〜８０重量％であることを特
徴とする。
【００１４】請求項６に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記硫化物系蛍光体が（Ｚｎ
1-x Ｃｄx ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝０〜０．８、Ｍ＝Ａ
ｇ，Ｃｕ又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，Ｐ，Ａｌ又はＩｎ）
で表される蛍光体であることを特徴とする。
記載の蛍光体において、前記硫化物系蛍光体が（Ｚｎ
1-x Ｃｄx ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝０〜０．８、Ｍ＝Ａ
ｇ，Ｃｕ又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，Ｐ，Ａｌ又はＩｎ）
で表される蛍光体であることを特徴とする。
【００１５】請求項７に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、前記硫化物系蛍光体がＣａＳ：
Ｅｕ、ＣａＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ2 Ｏ2
Ｓ：Ｒｅ（但しＬｎは、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ばれた１
種、Ｒｅ＝Ｅｕ又はＴｂ）の各蛍光体の中から選ばれた
蛍光体であることを特徴とする。
記載の蛍光体において、前記硫化物系蛍光体がＣａＳ：
Ｅｕ、ＣａＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ2 Ｏ2
Ｓ：Ｒｅ（但しＬｎは、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ばれた１
種、Ｒｅ＝Ｅｕ又はＴｂ）の各蛍光体の中から選ばれた
蛍光体であることを特徴とする。
【００１６】請求項８に記載された表示装置は、電子源
から放出される電子を陽極導体上に設けられた蛍光体層
に射突させる表示装置において、前記蛍光体層を構成す
る蛍光体が、低速電子線による励起によって４００ｎｍ
よりも波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起紫
外線発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してなる
蛍光体であることを特徴とする。
から放出される電子を陽極導体上に設けられた蛍光体層
に射突させる表示装置において、前記蛍光体層を構成す
る蛍光体が、低速電子線による励起によって４００ｎｍ
よりも波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起紫
外線発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してなる
蛍光体であることを特徴とする。
【００１７】請求項９に記載された表示装置は、請求項
８記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発光
蛍光体の粒子が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆してい
ることを特徴とする。
８記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発光
蛍光体の粒子が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆してい
ることを特徴とする。
【００１８】請求項１０に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体が前
記陽極導体上に層状に設けられ、前記電子線励起紫外線
発光蛍光体が前記硫化物系蛍光体の表面に被着されたこ
とを特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体が前
記陽極導体上に層状に設けられ、前記電子線励起紫外線
発光蛍光体が前記硫化物系蛍光体の表面に被着されたこ
とを特徴とする。
【００１９】請求項１１に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発
光蛍光体が紫外線および可視光を発光することを特徴と
する。
項８記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発
光蛍光体が紫外線および可視光を発光することを特徴と
する。
【００２０】請求項１２に記載された表示装置は、請求
項８又は１１記載の表示装置において、前記電子線励起
紫外線発光蛍光体がＺｎＯであることを特徴とする。
項８又は１１記載の表示装置において、前記電子線励起
紫外線発光蛍光体がＺｎＯであることを特徴とする。
【００２１】請求項１３に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体が
（Ｚｎ1-x Ｃｄx ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝０〜０．８、
Ｍ＝Ａｇ，Ｃｕ又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，Ｐ，Ａｌ又は
Ｉｎ）で表される蛍光体であることを特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体が
（Ｚｎ1-x Ｃｄx ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝０〜０．８、
Ｍ＝Ａｇ，Ｃｕ又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，Ｐ，Ａｌ又は
Ｉｎ）で表される蛍光体であることを特徴とする。
【００２２】請求項１４に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体がＣ
ａＳ：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ
2 Ｏ 2 Ｓ：Ｒｅ（但しＬｎは、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ば
れた１種、Ｒｅ＝Ｅｕ又はＴｂ）の各蛍光体の中から選
ばれた蛍光体であることを特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体がＣ
ａＳ：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ
2 Ｏ 2 Ｓ：Ｒｅ（但しＬｎは、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ば
れた１種、Ｒｅ＝Ｅｕ又はＴｂ）の各蛍光体の中から選
ばれた蛍光体であることを特徴とする。
【００２３】請求項１５に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記陽極導体が透光性電
極であることを特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記陽極導体が透光性電
極であることを特徴とする。
【００２４】請求項１６に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発
光蛍光体が発生する紫外線と可視光の強度比が、紫外線
成分／可視光成分＝１００／０〜１０／９０であること
を特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発
光蛍光体が発生する紫外線と可視光の強度比が、紫外線
成分／可視光成分＝１００／０〜１０／９０であること
を特徴とする。
【００２５】請求項１７に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記電子源が電界放出形
陰極であることを特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記電子源が電界放出形
陰極であることを特徴とする。
【００２６】請求項１８に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記電子源が線状の熱電
子放出形陰極であることを特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記電子源が線状の熱電
子放出形陰極であることを特徴とする。
【００２７】請求項１９に記載された表示装置は、請求
項８記載の表示装置において、前記蛍光体層の発光をカ
ラーフィルタを通して表示させることを特徴とする。
項８記載の表示装置において、前記蛍光体層の発光をカ
ラーフィルタを通して表示させることを特徴とする。
【００２８】
【作用】電子源から放出された電子は、電子線励起紫外
線発光蛍光体に射突する。電子線励起紫外線発光蛍光体
は、４００ｎｍよりも波長の短い紫外線を発生する。電
子線励起紫外線発光蛍光体の下にある硫化物系蛍光体は
電子線励起紫外線発光蛍光体の発生する紫外光によって
励起されて発光する。硫化物系蛍光体は、電子が直接射
突しないので分解飛散しにくい。
線発光蛍光体に射突する。電子線励起紫外線発光蛍光体
は、４００ｎｍよりも波長の短い紫外線を発生する。電
子線励起紫外線発光蛍光体の下にある硫化物系蛍光体は
電子線励起紫外線発光蛍光体の発生する紫外光によって
励起されて発光する。硫化物系蛍光体は、電子が直接射
突しないので分解飛散しにくい。
【００２９】
【実施例】本発明者等は上記の目的を達成するために種
々の蛍光体を用いて実験を行った。その結果、抵抗の低
いＺｎＯ蛍光体で硫化物系蛍光体を覆えば、１ｋＶ以下
の低電圧で加速した電子の射突によっても十分な輝度で
硫化物系蛍光体を発光させられるという認識を得た。
々の蛍光体を用いて実験を行った。その結果、抵抗の低
いＺｎＯ蛍光体で硫化物系蛍光体を覆えば、１ｋＶ以下
の低電圧で加速した電子の射突によっても十分な輝度で
硫化物系蛍光体を発光させられるという認識を得た。
【００３０】本発明者等は、抵抗の低い蛍光体であるＺ
ｎＯ蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した蛍光体について
さらに研究を進めた結果、次のような事実を見いだすに
至った。即ち、通常ＺｎＯ蛍光体の発光スペクトルは４
００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあるので、この波長領域
に励起のピークを有する硫化物系蛍光体、例えばＺｎＣ
ｄＳ：Ａｇ蛍光体のような黄〜赤色に発光する蛍光体と
前記ＺｎＯ蛍光体とを組み合わせると、上述したように
良好な結果が得られる。
ｎＯ蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した蛍光体について
さらに研究を進めた結果、次のような事実を見いだすに
至った。即ち、通常ＺｎＯ蛍光体の発光スペクトルは４
００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲にあるので、この波長領域
に励起のピークを有する硫化物系蛍光体、例えばＺｎＣ
ｄＳ：Ａｇ蛍光体のような黄〜赤色に発光する蛍光体と
前記ＺｎＯ蛍光体とを組み合わせると、上述したように
良好な結果が得られる。
【００３１】しかしながら、ＺｎＳ：ＡｇやＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ａｌ等のように４００ｎｍよりも短い波長領域に励
起のピークを持つ青色発光系の硫化物系蛍光体に関して
は、その上に前記ＺｎＯ蛍光体を積層しても、該硫化物
系蛍光体を発光させることはできない。これは、電子が
射突したＺｎＯ蛍光体から４００ｎｍよりも短い波長の
光が殆ど出ないため、下層の硫化物系蛍光体を励起発光
させることができないからである。
ｕ，Ａｌ等のように４００ｎｍよりも短い波長領域に励
起のピークを持つ青色発光系の硫化物系蛍光体に関して
は、その上に前記ＺｎＯ蛍光体を積層しても、該硫化物
系蛍光体を発光させることはできない。これは、電子が
射突したＺｎＯ蛍光体から４００ｎｍよりも短い波長の
光が殆ど出ないため、下層の硫化物系蛍光体を励起発光
させることができないからである。
【００３２】そこで、本発明者等は、硫化物系蛍光体を
ＺｎＯ蛍光体で被覆した蛍光体の研究において、黄、赤
色のみならず青色の発光も得られるようにすることを目
的として、ＺｎＯ蛍光体の発光スペクトルに注目しなが
らその製造方法を種々試みたところ、次のような事実を
発見した。即ち、通常のＺｎＯ蛍光体は５０５ｎｍ付近
に発光のピークを有しているが、ＺｎＯ蛍光体の中に
は、特定の製造方法によって３８５ｎｍ付近に発光のピ
ークを有しているものも得られる。
ＺｎＯ蛍光体で被覆した蛍光体の研究において、黄、赤
色のみならず青色の発光も得られるようにすることを目
的として、ＺｎＯ蛍光体の発光スペクトルに注目しなが
らその製造方法を種々試みたところ、次のような事実を
発見した。即ち、通常のＺｎＯ蛍光体は５０５ｎｍ付近
に発光のピークを有しているが、ＺｎＯ蛍光体の中に
は、特定の製造方法によって３８５ｎｍ付近に発光のピ
ークを有しているものも得られる。
【００３３】図１は、実施例の方法によって得られたＺ
ｎＯ蛍光体の発光スペクトルと、ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体、Ｚｎ，ＣｄＳ：Ａｇ蛍光体
の各励起（吸収）スペクトルを示したものである。この
ようにＺｎＯ蛍光体が可視波長の光線と共に４００ｎｍ
よりも短い波長の紫外線を発生すれば、ＺｎＣｄＳ：Ａ
ｇ蛍光体による赤色発光と共に、ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体・
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体等による青色及び緑色発光も
可能となる。
ｎＯ蛍光体の発光スペクトルと、ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体、Ｚｎ，ＣｄＳ：Ａｇ蛍光体
の各励起（吸収）スペクトルを示したものである。この
ようにＺｎＯ蛍光体が可視波長の光線と共に４００ｎｍ
よりも短い波長の紫外線を発生すれば、ＺｎＣｄＳ：Ａ
ｇ蛍光体による赤色発光と共に、ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体・
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体等による青色及び緑色発光も
可能となる。
【００３４】本発明者等の知見によれば、ＺｎＯ蛍光体
の発光スペクトルにおける３８５ｎｍのピークは、バン
ド間発光によって生じる。そして、このような発光のピ
ークを有するＺｎＯ蛍光体は、還元処理で製造される通
常のＺｎＯ蛍光体を、Ｏ2 雰囲気内で焼成することによ
り得られる。このようにして得られた３８５ｎｍのピー
クを有するＺｎＯ蛍光体は、従来のＺｎＯ蛍光体よりも
母体抵抗がやや高いが、蛍光表示管の表示部に用いる蛍
光体としては実用上殆ど問題はない。
の発光スペクトルにおける３８５ｎｍのピークは、バン
ド間発光によって生じる。そして、このような発光のピ
ークを有するＺｎＯ蛍光体は、還元処理で製造される通
常のＺｎＯ蛍光体を、Ｏ2 雰囲気内で焼成することによ
り得られる。このようにして得られた３８５ｎｍのピー
クを有するＺｎＯ蛍光体は、従来のＺｎＯ蛍光体よりも
母体抵抗がやや高いが、蛍光表示管の表示部に用いる蛍
光体としては実用上殆ど問題はない。
【００３５】次に、本実施例の表示装置に適用するＺｎ
Ｏ蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した２層構造の蛍光体
層とその製造方法について説明する。酸素を有する雰囲
気中（例えば空気中）でＺｎ粉末を焼成してＺｎＯを得
る。この蛍光体をアニール処理し、３８５ｎｍのみに発
光のピークを有する試料と、３８５ｎｍと５０５ｎｍの
２点に発光のピークを有する試料とを作製した。なお、
このアニール処理によって蛍光体自体の抵抗値は減少す
る。
Ｏ蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した２層構造の蛍光体
層とその製造方法について説明する。酸素を有する雰囲
気中（例えば空気中）でＺｎ粉末を焼成してＺｎＯを得
る。この蛍光体をアニール処理し、３８５ｎｍのみに発
光のピークを有する試料と、３８５ｎｍと５０５ｎｍの
２点に発光のピークを有する試料とを作製した。なお、
このアニール処理によって蛍光体自体の抵抗値は減少す
る。
【００３６】ＺｎＯのアニールは、通常の炉を用いて行
ってもよいし、ランプアニールでもよい。ランプアニー
ルの場合、電流はＺｎＯ粒子の表面を伝って流れるので
蛍光体粒子の表面層のみが処理される。発光は蛍光体粒
子の表面の他、内部からもでてくるため、ランプアニー
ルによれば紫外線成分を減衰させることなく蛍光体の導
電性を向上させることができる。
ってもよいし、ランプアニールでもよい。ランプアニー
ルの場合、電流はＺｎＯ粒子の表面を伝って流れるので
蛍光体粒子の表面層のみが処理される。発光は蛍光体粒
子の表面の他、内部からもでてくるため、ランプアニー
ルによれば紫外線成分を減衰させることなく蛍光体の導
電性を向上させることができる。
【００３７】図２に示すように、絶縁性のガラス基板で
ある陽極基板１の上に、陽極導体として透光性電極であ
るＩＴＯ電極２を形成する。その上に硫化物系の蛍光体
３を被着する。硫化物系の蛍光体３には、抵抗を低下さ
せるためにＩｎ2 Ｏ3 等の導電性物質を混合してもよ
い。この硫化物系の蛍光体３の表面を覆うように、可視
光線発光蛍光体としてのＺｎＯ蛍光体４を被着する。こ
の陽極基板１を４００〜５００℃で焼成し、蛍光表示管
等の陽極基板１として完成する。
ある陽極基板１の上に、陽極導体として透光性電極であ
るＩＴＯ電極２を形成する。その上に硫化物系の蛍光体
３を被着する。硫化物系の蛍光体３には、抵抗を低下さ
せるためにＩｎ2 Ｏ3 等の導電性物質を混合してもよ
い。この硫化物系の蛍光体３の表面を覆うように、可視
光線発光蛍光体としてのＺｎＯ蛍光体４を被着する。こ
の陽極基板１を４００〜５００℃で焼成し、蛍光表示管
等の陽極基板１として完成する。
【００３８】なお、図２には単一の硫化物系蛍光体３の
層しか表示されていないが、具体的な硫化物系の蛍光体
としては、青色発光のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体、緑色発光の
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体、赤色発光のＺｎ0.2 Ｃｄ
0.8 Ｓ：Ａｇ蛍光体をそれぞれ別々に用い、前記陽極基
板上にそれぞれ独立した発光表示部である陽極を構成し
た。
層しか表示されていないが、具体的な硫化物系の蛍光体
としては、青色発光のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体、緑色発光の
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体、赤色発光のＺｎ0.2 Ｃｄ
0.8 Ｓ：Ａｇ蛍光体をそれぞれ別々に用い、前記陽極基
板上にそれぞれ独立した発光表示部である陽極を構成し
た。
【００３９】また、電子線励起紫外線発光蛍光体である
ＺｎＯ蛍光体は、波長３８５ｎｍをピークとする紫外線
成分と、波長５０５ｎｍをピークとする可視光線成分の
強度比が、紫外線成分／可視光線成分＝１００／０〜０
／１００であるような多種類の試料を用意した。なお、
上記紫外線成分と可視光線成分の強度比を、本説明では
単に波長成分強度比と称する。
ＺｎＯ蛍光体は、波長３８５ｎｍをピークとする紫外線
成分と、波長５０５ｎｍをピークとする可視光線成分の
強度比が、紫外線成分／可視光線成分＝１００／０〜０
／１００であるような多種類の試料を用意した。なお、
上記紫外線成分と可視光線成分の強度比を、本説明では
単に波長成分強度比と称する。
【００４０】前記陽極基板を用いて蛍光表示管を構成す
る。該蛍光表示管の陽極基板のＩＴＯ電極に、１００〜
１０００Ｖの電圧を印加して１０〜１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流を流す。その時の各陽極の蛍光体層の発光輝度及
び寿命特性を測定し、その結果を用いて評価を行った。
各発光色の前記硫化物系蛍光体毎の評価を図３〜図５を
参照して以下に説明する。
る。該蛍光表示管の陽極基板のＩＴＯ電極に、１００〜
１０００Ｖの電圧を印加して１０〜１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流を流す。その時の各陽極の蛍光体層の発光輝度及
び寿命特性を測定し、その結果を用いて評価を行った。
各発光色の前記硫化物系蛍光体毎の評価を図３〜図５を
参照して以下に説明する。
【００４１】なお、比較のために、上記赤・青・緑の各
色に発光する硫化物系蛍光体のみを蛍光体として有する
試料と、波長５０５ｎｍのみに発光のピークを有するＺ
ｎＯ蛍光体のみを蛍光体として有する試料も作製した。
色に発光する硫化物系蛍光体のみを蛍光体として有する
試料と、波長５０５ｎｍのみに発光のピークを有するＺ
ｎＯ蛍光体のみを蛍光体として有する試料も作製した。
【００４２】(1) 青色発光のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体の場合 ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体上に設けたＺｎＯ蛍光体の波長成分
強度比と、蛍光体層全体の相対輝度との関係を図３に示
す。評価は陽極電圧２００Ｖにおいて行った。ＺｎＯ蛍
光体において５０５ｎｍの成分が多い場合には、ＺｎＯ
蛍光体において青色成分以外の割合が増えて青色の色純
度が悪くなるため、青色のフィルタを通して評価した。
比較例として、発光スペクトルのピークが５０５ｎｍの
みのＺｎＯ蛍光体にフィルタを併用した場合の輝度を同
図中に示す。
強度比と、蛍光体層全体の相対輝度との関係を図３に示
す。評価は陽極電圧２００Ｖにおいて行った。ＺｎＯ蛍
光体において５０５ｎｍの成分が多い場合には、ＺｎＯ
蛍光体において青色成分以外の割合が増えて青色の色純
度が悪くなるため、青色のフィルタを通して評価した。
比較例として、発光スペクトルのピークが５０５ｎｍの
みのＺｎＯ蛍光体にフィルタを併用した場合の輝度を同
図中に示す。
【００４３】本例では、波長成分強度比が、３８５ｎｍ
／５０５ｎｎ＝１００／０〜１０／９０の範囲において
相対輝度が５０を越え、比較例よりも良好な実用に耐え
る結果が得られた。この範囲内において、波長成分強度
比が９７／３〜４０／６０であればさらに好ましい結果
が得られる。この範囲内において、波長成分強度比が９
０／１０〜７５／２５であればさらに一層好ましい結果
が得られる。
／５０５ｎｎ＝１００／０〜１０／９０の範囲において
相対輝度が５０を越え、比較例よりも良好な実用に耐え
る結果が得られた。この範囲内において、波長成分強度
比が９７／３〜４０／６０であればさらに好ましい結果
が得られる。この範囲内において、波長成分強度比が９
０／１０〜７５／２５であればさらに一層好ましい結果
が得られる。
【００４４】なお、波長成分強度比が５／９５よりも小
さい範囲では、ＺｎＯ蛍光体の５０５ｎｍ成分の青色成
分が下層のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体層で乱反射されて減衰す
るため、ＺｎＯとフィルタを組み合わせた試料よりも特
性が劣るようになる。また、波長成分強度比が９９／１
より大きいとＺｎＯ蛍光体の母体抵抗が高くなり、輝度
の低下を生じる。
さい範囲では、ＺｎＯ蛍光体の５０５ｎｍ成分の青色成
分が下層のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体層で乱反射されて減衰す
るため、ＺｎＯとフィルタを組み合わせた試料よりも特
性が劣るようになる。また、波長成分強度比が９９／１
より大きいとＺｎＯ蛍光体の母体抵抗が高くなり、輝度
の低下を生じる。
【００４５】(2) 緑色発光のＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体
の場合 前記ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体の場合と同様に行った実験の結
果を図４に示す。本例においては、ＺｎＯ蛍光体が発生
する光の内、青色成分乃至波長３８５ｎｍを中心とする
紫外線の他、波長５０５ｎｍを中心とする成分の一部も
硫化物系蛍光体の励起に利用されるので、好ましい波長
成分強度比は１００／０〜７／９３に拡大した。この範
囲内において、波長成分強度比が９０／１０〜４０／６
０であればさらに好ましい結果が得られる。この範囲内
において、波長成分強度比が７５／２５〜５５／４５で
あればさらに一層好ましい結果が得られる。ＣａＳ：Ｃ
ｅ蛍光体についても同様な結果が得られた。
の場合 前記ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体の場合と同様に行った実験の結
果を図４に示す。本例においては、ＺｎＯ蛍光体が発生
する光の内、青色成分乃至波長３８５ｎｍを中心とする
紫外線の他、波長５０５ｎｍを中心とする成分の一部も
硫化物系蛍光体の励起に利用されるので、好ましい波長
成分強度比は１００／０〜７／９３に拡大した。この範
囲内において、波長成分強度比が９０／１０〜４０／６
０であればさらに好ましい結果が得られる。この範囲内
において、波長成分強度比が７５／２５〜５５／４５で
あればさらに一層好ましい結果が得られる。ＣａＳ：Ｃ
ｅ蛍光体についても同様な結果が得られた。
【００４６】(3) 赤色発光のＺｎ0.2 Ｃｄ0.8 Ｓ：Ａｇ
蛍光体の場合 前記ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体の場合と同様に行った実験の結
果を図５に示す。本例においては、好ましい波長成分強
度比は１００／０〜０／１００となった。これは、図１
に示すように、赤色発光の蛍光体の励起帯が、ＺｎＯ蛍
光体の発光スペクトルの５０５ｎｍ成分である可視域に
まで及んでいるためである。なお、本例の上記硫化物系
蛍光体ではＣｄを８０％としたが、Ｃｄ量が８０％以下
であるとバンドギャップの構造がＺｎＳ蛍光体の構造に
近づくため、ＺｎＯ蛍光体が出す紫外線による効果はよ
り大きくなる。逆にＣｄが８０％より大きいと、主とし
て可視領域の光線によって励起されるようになる。
蛍光体の場合 前記ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体の場合と同様に行った実験の結
果を図５に示す。本例においては、好ましい波長成分強
度比は１００／０〜０／１００となった。これは、図１
に示すように、赤色発光の蛍光体の励起帯が、ＺｎＯ蛍
光体の発光スペクトルの５０５ｎｍ成分である可視域に
まで及んでいるためである。なお、本例の上記硫化物系
蛍光体ではＣｄを８０％としたが、Ｃｄ量が８０％以下
であるとバンドギャップの構造がＺｎＳ蛍光体の構造に
近づくため、ＺｎＯ蛍光体が出す紫外線による効果はよ
り大きくなる。逆にＣｄが８０％より大きいと、主とし
て可視領域の光線によって励起されるようになる。
【００４７】電子が蛍光体に射突してこれを励起発光さ
せる場合、電子のエネルギの大半は熱になり、蛍光体を
発熱させて蛍光体の発光輝度を低下させる。このような
蛍光体の温度と発光輝度の関係を温度消光特性と呼ぶ。
以上説明した各例において、ＺｎＯ蛍光体の３８５ｎｍ
をピークとする発光は、温度消光特性が良好である。従
来のＺｎＯ蛍光体における波長５０５ｎｍを中心とした
発光のように温度消光特性の劣る発光を利用し、これに
フィルタを併用して赤青緑の各色を得る場合に比べ、図
６に示すように本実施例の蛍光体は温度消光特性が優れ
ている。
せる場合、電子のエネルギの大半は熱になり、蛍光体を
発熱させて蛍光体の発光輝度を低下させる。このような
蛍光体の温度と発光輝度の関係を温度消光特性と呼ぶ。
以上説明した各例において、ＺｎＯ蛍光体の３８５ｎｍ
をピークとする発光は、温度消光特性が良好である。従
来のＺｎＯ蛍光体における波長５０５ｎｍを中心とした
発光のように温度消光特性の劣る発光を利用し、これに
フィルタを併用して赤青緑の各色を得る場合に比べ、図
６に示すように本実施例の蛍光体は温度消光特性が優れ
ている。
【００４８】以上説明した実験結果から見て、本実施例
の表示装置の蛍光体におけるＺｎＯは、その波長成分強
度比を、３８５ｎｍ／５０５ｎｎ＝１００／０〜１０／
９０の範囲で選択することが実用上有効であると考えら
れる。
の表示装置の蛍光体におけるＺｎＯは、その波長成分強
度比を、３８５ｎｍ／５０５ｎｎ＝１００／０〜１０／
９０の範囲で選択することが実用上有効であると考えら
れる。
【００４９】以上説明したＺｎＯ蛍光体によって下層の
硫化物系蛍光体の分解劣化が抑制されることを確認する
ために寿命試験を行った。図７（ａ）はＺｎＳ：Ａｇの
みの場合、図７（ｂ）はＺｎＳ：Ａｇの表面をＺｎＯで
被覆した前記例(1) の場合である。これらの図に示すグ
ラフにおいて、横軸は時間、縦軸はアノード電流の残存
率である。硫化物系蛍光体層の上層をＺｎＯで覆った場
合にはアノード電流の減少が認められず、カソード乃至
エミッタの汚染を防止するエミッション対策として効果
があることが確認された。
硫化物系蛍光体の分解劣化が抑制されることを確認する
ために寿命試験を行った。図７（ａ）はＺｎＳ：Ａｇの
みの場合、図７（ｂ）はＺｎＳ：Ａｇの表面をＺｎＯで
被覆した前記例(1) の場合である。これらの図に示すグ
ラフにおいて、横軸は時間、縦軸はアノード電流の残存
率である。硫化物系蛍光体層の上層をＺｎＯで覆った場
合にはアノード電流の減少が認められず、カソード乃至
エミッタの汚染を防止するエミッション対策として効果
があることが確認された。
【００５０】以上説明した蛍光体の他、ＣａＳ：Ｃｕ，
Ｎａ（青色発光）、Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ（赤色発光、Ｌ
ｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄの少なくとも一つ）、ＣａＳ：Ｅｕ
系（赤色発光）等においても同様に効果が認められる。
Ｎａ（青色発光）、Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ（赤色発光、Ｌ
ｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄの少なくとも一つ）、ＣａＳ：Ｅｕ
系（赤色発光）等においても同様に効果が認められる。
【００５１】以上説明した実施例によれば、可視光線と
共に４００ｎｍよりも波長の短い紫外線を発する蛍光体
によって硫化物系の蛍光体を覆ったので、例えば１ｋＶ
以下といった比較的低い電圧で加速された電子の射突に
よって、赤青緑のいずれの発光色の硫化物系蛍光体でも
効率よく高輝度で発光させることができる。また、硫化
物系蛍光体は他の蛍光体に被覆され、電子の直接の射突
による硫化物系蛍光体の分解飛散が防止できるので、表
示装置の電子源を汚染するおそれがなく、表示装置とし
ての信頼性及び寿命が向上する。
共に４００ｎｍよりも波長の短い紫外線を発する蛍光体
によって硫化物系の蛍光体を覆ったので、例えば１ｋＶ
以下といった比較的低い電圧で加速された電子の射突に
よって、赤青緑のいずれの発光色の硫化物系蛍光体でも
効率よく高輝度で発光させることができる。また、硫化
物系蛍光体は他の蛍光体に被覆され、電子の直接の射突
による硫化物系蛍光体の分解飛散が防止できるので、表
示装置の電子源を汚染するおそれがなく、表示装置とし
ての信頼性及び寿命が向上する。
【００５２】前記実施例で説明した蛍光体は、陽極導体
上に硫化物系蛍光体を層状に形成し、その表面を層状の
ＺｎＯ蛍光体で被覆した構成であった。しかしながら、
ＺｎＯ蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した本発明の蛍光
体の構造は、必ずしも上記のような積層した２種類の蛍
光体の構造のみを指すものではない。例えば、微視的に
観察すると、電子線励起紫外線発光蛍光体の粒子が硫化
物系蛍光体の粒子を被覆している構造の蛍光体も本発明
の範囲に入り、係る蛍光体を表示装置の発光部に用いた
場合にも、先に説明した実施例と略同様の効果が得られ
る。
上に硫化物系蛍光体を層状に形成し、その表面を層状の
ＺｎＯ蛍光体で被覆した構成であった。しかしながら、
ＺｎＯ蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した本発明の蛍光
体の構造は、必ずしも上記のような積層した２種類の蛍
光体の構造のみを指すものではない。例えば、微視的に
観察すると、電子線励起紫外線発光蛍光体の粒子が硫化
物系蛍光体の粒子を被覆している構造の蛍光体も本発明
の範囲に入り、係る蛍光体を表示装置の発光部に用いた
場合にも、先に説明した実施例と略同様の効果が得られ
る。
【００５３】そこで、次にＺｎＯ蛍光体の粒子が硫化物
系蛍光体の粒子を被覆している構造の蛍光体と、係る蛍
光体を利用した表示装置の実施例について説明する。本
実施例で用いる硫化物系蛍光体は、（Ｚｎ0.22，Ｃｄ
0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体である。この蛍光体は赤色
発光の蛍光体であり、電気抵抗を小さくするためにＩｎ
2 Ｏ3 が添加されている。本実施例で用いる電子線励起
紫外線発光蛍光体は、ＺｎＯ蛍光体である。図８に示す
ように、従来の通常のＺｎＯ蛍光体は５０５ｎｍ付近に
ピークのある発光スペクトルを有しているが、本実施例
で用いられるＺｎＯ蛍光体は、前記実施例で説明したも
のと異なり、可視光線の強度は抑えられ、３８５ｎｍに
顕著なピークがあって効率よく紫外線を放出することが
できる。ＺｎＯ蛍光体をこのような発光スペクトルとす
るには、前記実施例におけるＺｎＯ蛍光体の製造工程に
おいて、還元されたＺｎの量が少なくなるようにすれば
よい。
系蛍光体の粒子を被覆している構造の蛍光体と、係る蛍
光体を利用した表示装置の実施例について説明する。本
実施例で用いる硫化物系蛍光体は、（Ｚｎ0.22，Ｃｄ
0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体である。この蛍光体は赤色
発光の蛍光体であり、電気抵抗を小さくするためにＩｎ
2 Ｏ3 が添加されている。本実施例で用いる電子線励起
紫外線発光蛍光体は、ＺｎＯ蛍光体である。図８に示す
ように、従来の通常のＺｎＯ蛍光体は５０５ｎｍ付近に
ピークのある発光スペクトルを有しているが、本実施例
で用いられるＺｎＯ蛍光体は、前記実施例で説明したも
のと異なり、可視光線の強度は抑えられ、３８５ｎｍに
顕著なピークがあって効率よく紫外線を放出することが
できる。ＺｎＯ蛍光体をこのような発光スペクトルとす
るには、前記実施例におけるＺｎＯ蛍光体の製造工程に
おいて、還元されたＺｎの量が少なくなるようにすれば
よい。
【００５４】（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍
光体の平均粒径は５〜１０μｍ、ＺｎＯ蛍光体の平均粒
径は０．１〜２μｍ（より好ましくは０．１〜１μｍ）
とする。両蛍光体と他の添加剤を加えてペーストとす
る。本実施例では、ＺｎＯ蛍光体の混合量を変えた複数
の試料を用意して実験を行った。例えば、０、３０、５
０、８０重量％のＺｎＯ蛍光体を加えた試料を作成して
実験を行った。
光体の平均粒径は５〜１０μｍ、ＺｎＯ蛍光体の平均粒
径は０．１〜２μｍ（より好ましくは０．１〜１μｍ）
とする。両蛍光体と他の添加剤を加えてペーストとす
る。本実施例では、ＺｎＯ蛍光体の混合量を変えた複数
の試料を用意して実験を行った。例えば、０、３０、５
０、８０重量％のＺｎＯ蛍光体を加えた試料を作成して
実験を行った。
【００５５】図９に示すように、基板１０の上に陽極導
体１１と該陽極導体１１を囲むクロス層１２を形成す
る。この陽極導体１１の上に前記ペーストを所定のパタ
ーンで印刷して被着した後、該基板１０を焼成する。塗
布膜厚は１０〜２０μｍである。この基板１０を陽極基
板に用いて表示装置を構成する。
体１１と該陽極導体１１を囲むクロス層１２を形成す
る。この陽極導体１１の上に前記ペーストを所定のパタ
ーンで印刷して被着した後、該基板１０を焼成する。塗
布膜厚は１０〜２０μｍである。この基板１０を陽極基
板に用いて表示装置を構成する。
【００５６】上記のようにして得られた蛍光体１３を微
視的にみると、図１０に示すように（Ｚｎ0.22，Ｃｄ
0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体２０の粒子の表面に、Ｚｎ
Ｏ蛍光体２１の粒子が被着した構造となっている。この
ような蛍光体１３を表示部に有する表示装置を駆動し、
前記蛍光体１３に電子を射突させれば、まず外側のＺｎ
Ｏ蛍光体２１が電子の射突を受けて紫外線２２を放出す
る。紫外線２２は内部の（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａ
ｇ，Ｃｌ蛍光体２０を励起し、該蛍光体２０の粒子は赤
色の光２３を放出する。
視的にみると、図１０に示すように（Ｚｎ0.22，Ｃｄ
0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体２０の粒子の表面に、Ｚｎ
Ｏ蛍光体２１の粒子が被着した構造となっている。この
ような蛍光体１３を表示部に有する表示装置を駆動し、
前記蛍光体１３に電子を射突させれば、まず外側のＺｎ
Ｏ蛍光体２１が電子の射突を受けて紫外線２２を放出す
る。紫外線２２は内部の（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａ
ｇ，Ｃｌ蛍光体２０を励起し、該蛍光体２０の粒子は赤
色の光２３を放出する。
【００５７】図１１は、本実施例の蛍光体の発光スペク
トルを示す。比較例である０％混合（即ち（Ｚｎ0.22，
Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体のみの場合）の場合
と、ＺｎＯ蛍光体を５０％混合した場合及び８０％混合
した場合とを比べると、色度値ｘ，ｙ及びピーク値はほ
とんど同じである。即ち、ＺｎＯ蛍光体を加えても、蛍
光体全体としての発光の色彩は（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体単独の場合に比べてほとんど変化
しない。これは、本実施例のＺｎＯ蛍光体が可視光線を
ほとんど出さず、紫外線である３８５ｎｍにピークを有
しているからである。従って、本実施例のＺｎＯ蛍光体
で硫化物系蛍光体を覆った場合、その硫化物系蛍光体の
発光色に影響を与えることがない。
トルを示す。比較例である０％混合（即ち（Ｚｎ0.22，
Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体のみの場合）の場合
と、ＺｎＯ蛍光体を５０％混合した場合及び８０％混合
した場合とを比べると、色度値ｘ，ｙ及びピーク値はほ
とんど同じである。即ち、ＺｎＯ蛍光体を加えても、蛍
光体全体としての発光の色彩は（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体単独の場合に比べてほとんど変化
しない。これは、本実施例のＺｎＯ蛍光体が可視光線を
ほとんど出さず、紫外線である３８５ｎｍにピークを有
しているからである。従って、本実施例のＺｎＯ蛍光体
で硫化物系蛍光体を覆った場合、その硫化物系蛍光体の
発光色に影響を与えることがない。
【００５８】図１２は、前記ＺｎＯ蛍光体（図中ではＵ
Ｖ−ＺｎＯと表示）の混合量と、表示装置において発光
させた場合の相対輝度との関係を示す。この実験結果か
ら、前記ＺｎＯ蛍光体の混合量が８０％以下であれば、
相対輝度が０％の場合の５０％以上になる。これは、
（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体粒子の表
面の全面をＺｎＯ蛍光体が隙間なく覆ったり、また（Ｚ
ｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体粒子の表面を
ＺｎＯ蛍光体が何層にも覆ったりすると、（Ｚｎ 0.22，
Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体の発光が外部に出にく
くなるので輝度が低下するからであると考えられる。従
って、（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体の
表面に、ＺｎＯ蛍光体が覆っていない部分があり、（Ｚ
ｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体が一部露出し
ていると、この部分には表示装置の電子放出部からの電
子と、まわりのＺｎＯ蛍光体から来る紫外線の両方が当
たるので、蛍光体全体としてはより明るく発光する。ま
た、ＺｎＯ蛍光体の粒径が１μｍ以下ならば、（Ｚｎ
0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体の発光が外部か
らより明るく観察される。
Ｖ−ＺｎＯと表示）の混合量と、表示装置において発光
させた場合の相対輝度との関係を示す。この実験結果か
ら、前記ＺｎＯ蛍光体の混合量が８０％以下であれば、
相対輝度が０％の場合の５０％以上になる。これは、
（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体粒子の表
面の全面をＺｎＯ蛍光体が隙間なく覆ったり、また（Ｚ
ｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体粒子の表面を
ＺｎＯ蛍光体が何層にも覆ったりすると、（Ｚｎ 0.22，
Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体の発光が外部に出にく
くなるので輝度が低下するからであると考えられる。従
って、（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体の
表面に、ＺｎＯ蛍光体が覆っていない部分があり、（Ｚ
ｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体が一部露出し
ていると、この部分には表示装置の電子放出部からの電
子と、まわりのＺｎＯ蛍光体から来る紫外線の両方が当
たるので、蛍光体全体としてはより明るく発光する。ま
た、ＺｎＯ蛍光体の粒径が１μｍ以下ならば、（Ｚｎ
0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体の発光が外部か
らより明るく観察される。
【００５９】図１３は、本実施例の蛍光体を用いた表示
装置の寿命試験の結果を示す。本実施例の蛍光体は、硫
化物系蛍光体である（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，
Ｃｌ蛍光体の粒子の表面の少なくとも一部をＺｎＯ蛍光
体で覆っているので、電子の射突によって硫化物系蛍光
体が分解するおそれは単体で硫化物系蛍光体を使用する
場合に比べて少ない。図１３に示すように、ＺｎＯ蛍光
体を混合しない場合（０％混合）には点灯時間（ライフ
時間）２００時間経過後にアノード電流残存率が急激に
減少している。これは、電子の射突によって硫化物系蛍
光体が分解し、分解物が表示装置の電子放出部を汚染し
てその電子放出能力を低下させるためである。しかしな
がら、ＺｎＯ蛍光体を混合した場合（３０、５０、８０
％混合）には、硫化物系蛍光体に電子が直接射突する確
率が低くなるので、表示装置の電子放出部の電子放出能
力が低下せず、アノード電流残存率が安定して長いライ
フ時間が得られる。
装置の寿命試験の結果を示す。本実施例の蛍光体は、硫
化物系蛍光体である（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，
Ｃｌ蛍光体の粒子の表面の少なくとも一部をＺｎＯ蛍光
体で覆っているので、電子の射突によって硫化物系蛍光
体が分解するおそれは単体で硫化物系蛍光体を使用する
場合に比べて少ない。図１３に示すように、ＺｎＯ蛍光
体を混合しない場合（０％混合）には点灯時間（ライフ
時間）２００時間経過後にアノード電流残存率が急激に
減少している。これは、電子の射突によって硫化物系蛍
光体が分解し、分解物が表示装置の電子放出部を汚染し
てその電子放出能力を低下させるためである。しかしな
がら、ＺｎＯ蛍光体を混合した場合（３０、５０、８０
％混合）には、硫化物系蛍光体に電子が直接射突する確
率が低くなるので、表示装置の電子放出部の電子放出能
力が低下せず、アノード電流残存率が安定して長いライ
フ時間が得られる。
【００６０】以上の実験結果から、ＺｎＯ蛍光体の混合
量が多いと、蛍光体全体としての輝度が低下する傾向が
あるが寿命特性は良くなる。またＺｎＯ蛍光体の混合量
が少ないと、蛍光体全体としての輝度は高くなる傾向が
あるが寿命特性はやや劣る。ＺｎＯ蛍光体の添加量が３
０％以下だと硫化物系蛍光体の分解が激しく表示装置の
電子放出部のエミッションが低下する。ＺｎＯ蛍光体の
添加量が８０％以上だと硫化物系蛍光体から出て観察者
に到達する光が少なくなり、相対輝度はＺｎＯ蛍光体を
添加しない場合の５０％以下になる。以上の傾向を勘案
すると、ＺｎＯ蛍光体は３０〜８０重量％の範囲で添加
することができ、さらに５０〜８０重量％の範囲が好ま
しい使用範囲となる。
量が多いと、蛍光体全体としての輝度が低下する傾向が
あるが寿命特性は良くなる。またＺｎＯ蛍光体の混合量
が少ないと、蛍光体全体としての輝度は高くなる傾向が
あるが寿命特性はやや劣る。ＺｎＯ蛍光体の添加量が３
０％以下だと硫化物系蛍光体の分解が激しく表示装置の
電子放出部のエミッションが低下する。ＺｎＯ蛍光体の
添加量が８０％以上だと硫化物系蛍光体から出て観察者
に到達する光が少なくなり、相対輝度はＺｎＯ蛍光体を
添加しない場合の５０％以下になる。以上の傾向を勘案
すると、ＺｎＯ蛍光体は３０〜８０重量％の範囲で添加
することができ、さらに５０〜８０重量％の範囲が好ま
しい使用範囲となる。
【００６１】以上説明した実施例では、硫化物系蛍光体
として（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体を
挙げたが、これは例示にすぎない。前記ＺｎＯ蛍光体と
組み合わせて前述のような効果が得られる硫化物系蛍光
体としては、（Ｚｎ1-x Ｃｄ x ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝
０〜０．８、Ｍ＝Ａｇ，Ｃｕ又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，
Ｐ，Ａｌ又はＩｎ）、ＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｃｅ、Ｃ
ａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ：Ｒｅ（但しＬｎは、
Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ばれた１種、Ｒｅ＝Ｅｕ又はＴ
ｂ）等の蛍光体を挙げることができる。
として（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体を
挙げたが、これは例示にすぎない。前記ＺｎＯ蛍光体と
組み合わせて前述のような効果が得られる硫化物系蛍光
体としては、（Ｚｎ1-x Ｃｄ x ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝
０〜０．８、Ｍ＝Ａｇ，Ｃｕ又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，
Ｐ，Ａｌ又はＩｎ）、ＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｃｅ、Ｃ
ａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ：Ｒｅ（但しＬｎは、
Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ばれた１種、Ｒｅ＝Ｅｕ又はＴ
ｂ）等の蛍光体を挙げることができる。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、４００ｎｍよりも波長
の短い紫外線を発する電子線励起紫外線発光蛍光体によ
って硫化物系の蛍光体を覆ったので、例えば１ｋＶ以下
といった比較的低い電圧で加速された電子の射突によっ
て、赤青緑のいずれの発光色の硫化物系蛍光体でも効率
よく高輝度で発光させることができる。また、硫化物系
蛍光体は電子線励起紫外線発光蛍光体に被覆され、電子
の直接の射突による硫化物系蛍光体の分解飛散が防止で
きるので、表示装置の電子源を汚染するおそれがなく、
表示装置としての信頼性及び寿命が向上する。このため
高電圧駆動のカラーグラフィック表示管や電界放出素子
等に硫化物系蛍光体を使用することができるようになっ
た。
の短い紫外線を発する電子線励起紫外線発光蛍光体によ
って硫化物系の蛍光体を覆ったので、例えば１ｋＶ以下
といった比較的低い電圧で加速された電子の射突によっ
て、赤青緑のいずれの発光色の硫化物系蛍光体でも効率
よく高輝度で発光させることができる。また、硫化物系
蛍光体は電子線励起紫外線発光蛍光体に被覆され、電子
の直接の射突による硫化物系蛍光体の分解飛散が防止で
きるので、表示装置の電子源を汚染するおそれがなく、
表示装置としての信頼性及び寿命が向上する。このため
高電圧駆動のカラーグラフィック表示管や電界放出素子
等に硫化物系蛍光体を使用することができるようになっ
た。
【００６３】また、硫化物系蛍光体の内、特に（Ｚｎ，
Ｃｄ）Ｓ系の蛍光体の場合には、電子線励起紫外線発光
蛍光体を混合して使用するので硫化物系蛍光体中に含ま
れるＣｄの量を減らすことができる。
Ｃｄ）Ｓ系の蛍光体の場合には、電子線励起紫外線発光
蛍光体を混合して使用するので硫化物系蛍光体中に含ま
れるＣｄの量を減らすことができる。
【００６４】また、硫化物系蛍光体の内、特にＹ
2 Ｏ2 ：Ｓ、ＣａＴｉＯ3 ：Ｐｒ等は、従来電子線によ
って輝度劣化が早い起こるとされていたが、本発明では
紫外線で発光させるのでこれら蛍光体の輝度劣化を防止
し長寿命化が可能となった。
2 Ｏ2 ：Ｓ、ＣａＴｉＯ3 ：Ｐｒ等は、従来電子線によ
って輝度劣化が早い起こるとされていたが、本発明では
紫外線で発光させるのでこれら蛍光体の輝度劣化を防止
し長寿命化が可能となった。
【図１】本発明の一実施例において用いられる各蛍光体
の発光スペクトルを示す図である。
の発光スペクトルを示す図である。
【図２】本発明の一実施例における陽極基板の断面図で
ある。
ある。
【図３】ＺｎＳ：Ａｇ蛍光体をＺｎＯ蛍光体で被覆した
本発明の一実施例において、波長３８５ｎｍをピークと
する紫外線成分及び波長５０５ｎｍをピークとする可視
光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対輝度との関係
を示したグラフである。
本発明の一実施例において、波長３８５ｎｍをピークと
する紫外線成分及び波長５０５ｎｍをピークとする可視
光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対輝度との関係
を示したグラフである。
【図４】ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体をＺｎＯ蛍光体で被
覆した本発明の一実施例において、波長３８５ｎｍをピ
ークとする紫外線成分及び波長５０５ｎｍをピークとす
る可視光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対輝度と
の関係を示したグラフである。
覆した本発明の一実施例において、波長３８５ｎｍをピ
ークとする紫外線成分及び波長５０５ｎｍをピークとす
る可視光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対輝度と
の関係を示したグラフである。
【図５】Ｚｎ0.2 Ｃｄ0.8 Ｓ：Ａｇ蛍光体をＺｎＯ蛍光
体で被覆した本発明の一実施例において、波長３８５ｎ
ｍをピークとする紫外線成分及び波長５０５ｎｍをピー
クとする可視光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対
輝度との関係を示したグラフである。
体で被覆した本発明の一実施例において、波長３８５ｎ
ｍをピークとする紫外線成分及び波長５０５ｎｍをピー
クとする可視光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対
輝度との関係を示したグラフである。
【図６】本発明の一実施例と比較例の温度消光特性を比
較して示すグラフである。
較して示すグラフである。
【図７】（ａ）は比較例の寿命試験におけるアノード電
流の残存率と連続点灯時間との関係を示すグラフ、
（ｂ）は本発明の一実施例の寿命試験におけるアノード
電流の残存率と連続点灯時間との関係を示すグラフであ
る。
流の残存率と連続点灯時間との関係を示すグラフ、
（ｂ）は本発明の一実施例の寿命試験におけるアノード
電流の残存率と連続点灯時間との関係を示すグラフであ
る。
【図８】従来のＺｎＯ蛍光体と、他の実施例における紫
外線を出すＺｎＯ蛍光体のスペクトルを示す図である。
外線を出すＺｎＯ蛍光体のスペクトルを示す図である。
【図９】他の実施例の表示装置の陽極基板の断面図であ
る。
る。
【図１０】他の実施例の蛍光体粒子の拡大図である。
【図１１】他の実施例における蛍光体（ＺｎＯ蛍光体含
有量５０％、８０％）と比較例である硫化物系蛍光体
（ＺｎＯ蛍光体含有量０％）の発光スペクトルを示す図
である。
有量５０％、８０％）と比較例である硫化物系蛍光体
（ＺｎＯ蛍光体含有量０％）の発光スペクトルを示す図
である。
【図１２】他の実施例の蛍光体におけるＺｎＯ蛍光体の
含有量と相対輝度の関係を示す図である。
含有量と相対輝度の関係を示す図である。
【図１３】他の実施例の蛍光体（ＺｎＯ蛍光体含有量３
０％、５０％、８０％）を用いた表示装置と、比較例で
ある硫化物系蛍光体（ＺｎＯ蛍光体含有量０％）を用い
た表示装置の寿命試験の結果を示す図である。
０％、５０％、８０％）を用いた表示装置と、比較例で
ある硫化物系蛍光体（ＺｎＯ蛍光体含有量０％）を用い
た表示装置の寿命試験の結果を示す図である。
２ 透光性電極である陽極導体としてのＩＴＯ電極 ３ 硫化物系蛍光体 ４ 電子線励起紫外線発光蛍光体としてのＺｎＯ蛍光体 １３ 蛍光体 ２０ 硫化物系蛍光体としての（Ｚｎ0.22，Ｃｄ0.78）
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体 ２１ 電子線励起紫外線発光蛍光体としてのＺｎＯ蛍光
体
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体 ２１ 電子線励起紫外線発光蛍光体としてのＺｎＯ蛍光
体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 29/20 29/89 31/12 Ｂ 31/15 Ｅ
Claims (19)
- 【請求項１】 低速電子線による励起によって４００ｎ
ｍよりも波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起
紫外線発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してな
る蛍光体。 - 【請求項２】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の粒子
が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆していることを特徴
とする請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項３】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の層が
前記硫化物系蛍光体の層を被覆していることを特徴とす
る請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項４】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体がＺｎ
Ｏであることを特徴とする請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項５】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の混合
割合が全体の３０〜８０重量％であることを特徴とする
請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項６】 前記硫化物系蛍光体が（Ｚｎ1-x Ｃ
ｄx ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝０〜０．８、Ｍ＝Ａｇ，Ｃ
ｕ又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，Ｐ，Ａｌ又はＩｎ）で表さ
れる蛍光体であることを特徴とする請求項１記載の蛍光
体。 - 【請求項７】 前記硫化物系蛍光体がＣａＳ：Ｅｕ、Ｃ
ａＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ：Ｒｅ
（但しＬｎは、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ばれた１種、Ｒｅ
＝Ｅｕ又はＴｂ）の各蛍光体の中から選ばれた蛍光体で
あることを特徴とする請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項８】 電子源から放出される電子を陽極導体上
に設けられた蛍光体層に射突させる表示装置において、
前記蛍光体層を構成する蛍光体が、低速電子線による励
起によって４００ｎｍよりも波長の短い紫外線を含む光
を発する電子線励起紫外線発光蛍光体によって硫化物系
蛍光体を被覆してなる蛍光体であることを特徴とする表
示装置。 - 【請求項９】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の粒子
が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆していることを特徴
とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１０】 前記硫化物系蛍光体が前記陽極導体上
に層状に設けられ、前記電子線励起紫外線発光蛍光体が
前記硫化物系蛍光体の表面に被着されたことを特徴とす
る請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１１】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体が紫
外線および可視光を発光することを特徴とする請求項８
記載の表示装置。 - 【請求項１２】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体がＺ
ｎＯであることを特徴とする請求項８又は１１記載の表
示装置。 - 【請求項１３】 前記硫化物系蛍光体が（Ｚｎ1-x Ｃｄ
x ）Ｓ：Ｍ，Ｎ（但しｘ＝０〜０．８、Ｍ＝Ａｇ，Ｃｕ
又はＡｕ、Ｎ＝Ｃｌ，Ｉ，Ｐ，Ａｌ又はＩｎ）で表され
る蛍光体であることを特徴とする請求項８記載の表示装
置。 - 【請求項１４】 前記硫化物系蛍光体がＣａＳ：Ｅｕ、
ＣａＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｃｕ，Ｎａ、Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ：Ｒ
ｅ（但しＬｎは、Ｙ，Ｇｄ，Ｌａから選ばれた１種、Ｒ
ｅ＝Ｅｕ又はＴｂ）の各蛍光体の中から選ばれた蛍光体
であることを特徴とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１５】 前記陽極導体が透光性電極であること
を特徴とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１６】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体が発
生する紫外線と可視光の強度比が、紫外線成分／可視光
成分＝１００／０〜１０／９０であることを特徴とする
請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１７】 前記電子源が電界放出形陰極であるこ
とを特徴とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１８】 前記電子源が線状の熱電子放出形陰極
であることを特徴とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１９】 前記蛍光体層の発光をカラーフィルタ
を通して表示させることを特徴とする請求項８記載の表
示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15192795A JP3189626B2 (ja) | 1994-09-09 | 1995-06-19 | 表示装置 |
| KR1019950029122A KR100204253B1 (ko) | 1994-09-09 | 1995-09-06 | 형광체 및 표시장치 |
| TW084109498A TW369662B (en) | 1994-09-09 | 1995-09-12 | Fluorescent element and fluorescent display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-216031 | 1994-09-09 | ||
| JP21603194 | 1994-09-09 | ||
| JP15192795A JP3189626B2 (ja) | 1994-09-09 | 1995-06-19 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08127769A true JPH08127769A (ja) | 1996-05-21 |
| JP3189626B2 JP3189626B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=26481001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15192795A Expired - Fee Related JP3189626B2 (ja) | 1994-09-09 | 1995-06-19 | 表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3189626B2 (ja) |
| KR (1) | KR100204253B1 (ja) |
| TW (1) | TW369662B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385743B1 (ko) * | 1999-10-04 | 2003-05-28 | 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 | 형광체 및 형광 표시관 |
| KR100392363B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-07-22 | 한국전자통신연구원 | 형광체 및 그 제조방법 |
| US6876142B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Faceplate having specific phosphor |
| KR100494843B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2005-06-14 | 한국전자통신연구원 | 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물 형광층 제조 방법 |
| WO2006025259A1 (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 蛍光体とその製法及びこれを用いた発光デバイス |
| JP2006140001A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Futaba Corp | 蛍光表示管 |
| JP2009506157A (ja) * | 2005-08-24 | 2009-02-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光材料 |
| US8143775B2 (en) * | 2005-06-30 | 2012-03-27 | Lightlab Sweden Ab | Two-way reciprocal amplification electron/photon source |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH08264798A (ja) | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置作製方法 |
| KR101072162B1 (ko) | 2009-12-04 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광장치 |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP15192795A patent/JP3189626B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-06 KR KR1019950029122A patent/KR100204253B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-12 TW TW084109498A patent/TW369662B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385743B1 (ko) * | 1999-10-04 | 2003-05-28 | 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 | 형광체 및 형광 표시관 |
| KR100392363B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-07-22 | 한국전자통신연구원 | 형광체 및 그 제조방법 |
| US6876142B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Faceplate having specific phosphor |
| KR100494843B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2005-06-14 | 한국전자통신연구원 | 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물 형광층 제조 방법 |
| WO2006025259A1 (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 蛍光体とその製法及びこれを用いた発光デバイス |
| JP2006140001A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Futaba Corp | 蛍光表示管 |
| US8143775B2 (en) * | 2005-06-30 | 2012-03-27 | Lightlab Sweden Ab | Two-way reciprocal amplification electron/photon source |
| JP2009506157A (ja) * | 2005-08-24 | 2009-02-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100204253B1 (ko) | 1999-06-15 |
| KR960010821A (ko) | 1996-04-20 |
| JP3189626B2 (ja) | 2001-07-16 |
| TW369662B (en) | 1999-09-11 |
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