JPH08125412A - 伝送線路，及びその製造方法 - Google Patents
伝送線路，及びその製造方法Info
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高アイソレーションを有するマイクロ／ミリ
波集積回路用伝送線路を提供する。 【構成】 誘電体基板もしくは半絶縁性基板１上に、溝
１０，１０ａを設け、該溝内に第１の金属膜４によるサ
イドグランドウォールを形成し、この中に第１の埋め込
み誘電体５を埋め込んだ後、上部に導体線路３を形成す
る。 【効果】 電磁波の閉じ込め効果に極めて優れた構造が
得られ、近傍に設置された他の線路との電磁波干渉が非
常に小さい。よって、線路を高密度形成することがで
き、小型、軽量マイクロ波／ミリ波集積回路を得ること
ができる。又、超高周波で使用する際の電磁波高次モー
ドの発生は、上記埋め込み誘電体厚を制御することによ
り基板１の厚みは任意のままで回避できるので、集積回
路の製造歩留り及び信頼性を向上させることができる。
波集積回路用伝送線路を提供する。 【構成】 誘電体基板もしくは半絶縁性基板１上に、溝
１０，１０ａを設け、該溝内に第１の金属膜４によるサ
イドグランドウォールを形成し、この中に第１の埋め込
み誘電体５を埋め込んだ後、上部に導体線路３を形成す
る。 【効果】 電磁波の閉じ込め効果に極めて優れた構造が
得られ、近傍に設置された他の線路との電磁波干渉が非
常に小さい。よって、線路を高密度形成することがで
き、小型、軽量マイクロ波／ミリ波集積回路を得ること
ができる。又、超高周波で使用する際の電磁波高次モー
ドの発生は、上記埋め込み誘電体厚を制御することによ
り基板１の厚みは任意のままで回避できるので、集積回
路の製造歩留り及び信頼性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は伝送線路に関し、特に
マイクロ波／ミリ波集積回路用の高アイソレーションを
有する伝送線路に関するものである。
マイクロ波／ミリ波集積回路用の高アイソレーションを
有する伝送線路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４２は従来のマイクロ波ミリ波集積回
路用の伝送線路を示したもので、ここで、例として一般
的に良く用いられるマイクロストリップ線路を挙げてい
る。図４２において、１は誘電体もしくは半絶縁性半導
体基板、２は該基板１の裏面に形成された地導体、３は
上記基板１の表面上に形成されたマイクロストリップ導
体である。このように形成された伝送線路は、製造が容
易である長所を有するものの、開放構造をとっているた
め、電磁波の閉じ込め効果に乏しいものであった。
路用の伝送線路を示したもので、ここで、例として一般
的に良く用いられるマイクロストリップ線路を挙げてい
る。図４２において、１は誘電体もしくは半絶縁性半導
体基板、２は該基板１の裏面に形成された地導体、３は
上記基板１の表面上に形成されたマイクロストリップ導
体である。このように形成された伝送線路は、製造が容
易である長所を有するものの、開放構造をとっているた
め、電磁波の閉じ込め効果に乏しいものであった。
【０００３】図４３は従来のマイクロ波ミリ波集積回路
用の伝送線路の問題点を説明するための模式図であり、
図中矢印は電界を示す。図４３(a) に示すように、複数
の線路を近接して形成すると、該線路間で電磁波干渉、
いわゆるクロストークが発生することが知られている。
そこでマイクロ波／ミリ波集積回路の配線は、図４３
(b) に示すように、線路３間の距離を充分にとって形成
することが一般的に行なわれている。
用の伝送線路の問題点を説明するための模式図であり、
図中矢印は電界を示す。図４３(a) に示すように、複数
の線路を近接して形成すると、該線路間で電磁波干渉、
いわゆるクロストークが発生することが知られている。
そこでマイクロ波／ミリ波集積回路の配線は、図４３
(b) に示すように、線路３間の距離を充分にとって形成
することが一般的に行なわれている。
【０００４】また、マイクロストリップ線路は超高周波
帯になると電磁波高次モードが発生することが知られて
おり、この電磁波高次モードの発生を回避するために
は、基板厚，ストリップ導体幅を小さくする必要があ
る。しかしながら、例えば５００ＧＨＺ帯においてはＧ
ａＡｓ基板の場合、基板厚を３０μｍ以下にしなければ
ならないが、３０μｍ以下の基板厚の製造は極めて困難
であり、また製作した場合でも集積回路の信頼性は著し
く劣化してしまう。
帯になると電磁波高次モードが発生することが知られて
おり、この電磁波高次モードの発生を回避するために
は、基板厚，ストリップ導体幅を小さくする必要があ
る。しかしながら、例えば５００ＧＨＺ帯においてはＧ
ａＡｓ基板の場合、基板厚を３０μｍ以下にしなければ
ならないが、３０μｍ以下の基板厚の製造は極めて困難
であり、また製作した場合でも集積回路の信頼性は著し
く劣化してしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波／ミ
リ波集積回路用伝送線路は以上のように構成されていた
ので、 複数の線路間を近接すると、電磁波干渉、いわゆるク
ロストークが生じ、これを避けようとすると、チップサ
イズが増大し、コストの上昇を招く、 超高周波帯の伝送線路として使用する際、電磁波高次
モードの発生を回避する為には基板厚を極めて薄くする
必要があり、これにより製造歩留り及び集積回路の信頼
性を著しく劣化させる、という問題点があった。
リ波集積回路用伝送線路は以上のように構成されていた
ので、 複数の線路間を近接すると、電磁波干渉、いわゆるク
ロストークが生じ、これを避けようとすると、チップサ
イズが増大し、コストの上昇を招く、 超高周波帯の伝送線路として使用する際、電磁波高次
モードの発生を回避する為には基板厚を極めて薄くする
必要があり、これにより製造歩留り及び集積回路の信頼
性を著しく劣化させる、という問題点があった。
【０００６】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、複数の線路間を近接して配置して
も電磁波干渉を生じることなく、又超高周波で使用する
場合でも基板厚は任意の厚みで電磁波高次モードの発生
を回避することができる高アイソレーションを有する伝
送線路、及びその製造方法を提供するものである。
めになされたもので、複数の線路間を近接して配置して
も電磁波干渉を生じることなく、又超高周波で使用する
場合でも基板厚は任意の厚みで電磁波高次モードの発生
を回避することができる高アイソレーションを有する伝
送線路、及びその製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高アイソ
レーションを有する伝送線路は、通常のマイクロストリ
ップが有する地導体に加えて側面にグランドウォールを
持つ構造とし、かつ伝送線路を構成する配線導体を、該
地導体に接して誘電体基板もしくは半絶縁性半導体基板
と同一の、または異なる誘電率を持つ電磁波閉じ込め用
誘電体の上に形成する構造とすることにより、電磁波の
閉じ込め効果に優れたものとし、かつ任意の基板厚で上
記電磁波閉じ込め用誘電体の厚さを制御することにより
電磁波高次モードの発生を回避するものとし、さらにマ
イクロ波／ミリ波の他のデバイスとの接続については、
従来の線路と同等に容易なものを得ることができるよう
にしたものである。
レーションを有する伝送線路は、通常のマイクロストリ
ップが有する地導体に加えて側面にグランドウォールを
持つ構造とし、かつ伝送線路を構成する配線導体を、該
地導体に接して誘電体基板もしくは半絶縁性半導体基板
と同一の、または異なる誘電率を持つ電磁波閉じ込め用
誘電体の上に形成する構造とすることにより、電磁波の
閉じ込め効果に優れたものとし、かつ任意の基板厚で上
記電磁波閉じ込め用誘電体の厚さを制御することにより
電磁波高次モードの発生を回避するものとし、さらにマ
イクロ波／ミリ波の他のデバイスとの接続については、
従来の線路と同等に容易なものを得ることができるよう
にしたものである。
【０００８】即ち、この発明（請求項１）にかかる高ア
イソレーション伝送線路は、誘電体基板もしくは半絶縁
性基板上に配線導体を有してなる伝送線路において、上
記基板の主面に溝を形成し、該溝の底部，及び側面部の
各表面に第１の金属膜を形成し、上記溝内に上記第１の
金属膜に接して上記基板と同一の、または異なる誘電率
を持つ誘電体を埋め込み、該誘電体の最上部に配線導体
膜を形成し、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成した
ものである。
イソレーション伝送線路は、誘電体基板もしくは半絶縁
性基板上に配線導体を有してなる伝送線路において、上
記基板の主面に溝を形成し、該溝の底部，及び側面部の
各表面に第１の金属膜を形成し、上記溝内に上記第１の
金属膜に接して上記基板と同一の、または異なる誘電率
を持つ誘電体を埋め込み、該誘電体の最上部に配線導体
膜を形成し、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成した
ものである。
【０００９】またこの発明（請求項２）にかかる高アイ
ソレーション伝送線路は、請求項１に記載の伝送線路に
おいて、上記溝の底部の表面に形成した第１の金属膜
を、上記基板の裏面から形成した貫通孔を介して接地し
たものである。
ソレーション伝送線路は、請求項１に記載の伝送線路に
おいて、上記溝の底部の表面に形成した第１の金属膜
を、上記基板の裏面から形成した貫通孔を介して接地し
たものである。
【００１０】またこの発明（請求項３）にかかる伝送線
路は、請求項１記載の伝送線路において、１つの上記基
板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体
からなる伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの
接地用金属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘
電体材料として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘
電体材料を設けたものである。
路は、請求項１記載の伝送線路において、１つの上記基
板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体
からなる伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの
接地用金属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘
電体材料として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘
電体材料を設けたものである。
【００１１】またこの発明（請求項４）にかかる伝送線
路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記埋め込
み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体
を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面
に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記
第１の金属膜と接続したものである。
路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記埋め込
み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体
を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面
に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記
第１の金属膜と接続したものである。
【００１２】またこの発明（請求項５）にかかる伝送線
路は、請求項２記載の伝送線路において、上記埋め込み
誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を
形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に
接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第
１の金属膜と接続したものである。
路は、請求項２記載の伝送線路において、上記埋め込み
誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を
形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に
接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第
１の金属膜と接続したものである。
【００１３】またこの発明（請求項６）にかかる伝送線
路は、請求項３に記載の伝送線路において、上記埋め込
み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体
を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面
に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記
第１の金属膜と接続したものである。
路は、請求項３に記載の伝送線路において、上記埋め込
み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体
を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面
に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記
第１の金属膜と接続したものである。
【００１４】またこの発明（請求項７）にかかる伝送線
路は、請求項４ないし６のいずれかに記載の伝送線路に
おいて、上記第２の誘電体を空気層により置き換えたも
のである。
路は、請求項４ないし６のいずれかに記載の伝送線路に
おいて、上記第２の誘電体を空気層により置き換えたも
のである。
【００１５】またこの発明（請求項８）にかかる伝送線
路は、請求項１に記載の伝送線路において、該伝送線路
の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部
の一部に変えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送線路
端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送線路
の特性インピーダンス値に一致させたものである。
路は、請求項１に記載の伝送線路において、該伝送線路
の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部
の一部に変えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送線路
端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送線路
の特性インピーダンス値に一致させたものである。
【００１６】またこの発明（請求項９）にかかる伝送線
路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記溝内に
埋め込んだ誘電体の上面部の一部に代えて金属を設け、
該伝送線路端部の金属部により、上記配線導体膜と上記
第１の金属膜を電気的に短絡させたものである。
路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記溝内に
埋め込んだ誘電体の上面部の一部に代えて金属を設け、
該伝送線路端部の金属部により、上記配線導体膜と上記
第１の金属膜を電気的に短絡させたものである。
【００１７】またこの発明（請求項１０）にかかる伝送
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記配線
導体膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたものであ
る。
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記配線
導体膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたものであ
る。
【００１８】またこの発明（請求項１１）にかかる伝送
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記溝，
第１の金属膜，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐さ
せたものである。
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記溝，
第１の金属膜，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐さ
せたものである。
【００１９】またこの発明（請求項１２）にかかる伝送
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、その近傍
に配置したマイクロストリップ線路と、それとの間に、
１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込
み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイクロス
トリップ線路の特性インピーダンス）なる特性インピー
ダンスを持つマイクロストリップ線路を介して、接続し
たものである。
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、その近傍
に配置したマイクロストリップ線路と、それとの間に、
１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込
み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイクロス
トリップ線路の特性インピーダンス）なる特性インピー
ダンスを持つマイクロストリップ線路を介して、接続し
たものである。
【００２０】またこの発明（請求項１３）にかかる伝送
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記溝の
内部に埋め込んだ上記誘電体を、均一に導電性を持つも
のとしたものである。
線路は、請求項１に記載の伝送線路において、上記溝の
内部に埋め込んだ上記誘電体を、均一に導電性を持つも
のとしたものである。
【００２１】またこの発明（請求項１４）に係る伝送線
路は、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を
有してなる伝送線路において、上記基板の主面上に金属
層を形成し、上記金属層の表面に溝を形成し、上記溝内
に上記基板と同一の、または異なる誘電率を持つ誘電体
を埋め込み、該誘電体の上面に配線用導体膜を形成した
ものである。
路は、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を
有してなる伝送線路において、上記基板の主面上に金属
層を形成し、上記金属層の表面に溝を形成し、上記溝内
に上記基板と同一の、または異なる誘電率を持つ誘電体
を埋め込み、該誘電体の上面に配線用導体膜を形成した
ものである。
【００２２】またこの発明（請求項１５）にかかる伝送
線路は、請求項１４記載の伝送線路において、上記基板
の上部に形成した金属層を、該基板の裏面から形成した
貫通孔を介して接地したものである。
線路は、請求項１４記載の伝送線路において、上記基板
の上部に形成した金属層を、該基板の裏面から形成した
貫通孔を介して接地したものである。
【００２３】またこの発明（請求項１６）にかかる伝送
線路は、請求項１４記載の伝送線路において、１つの上
記金属層内に、上記溝，誘電体，及び配線導体からなる
伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの接地用金
属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電体材料
として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料
を設けたものである。
線路は、請求項１４記載の伝送線路において、１つの上
記金属層内に、上記溝，誘電体，及び配線導体からなる
伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの接地用金
属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電体材料
として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料
を設けたものである。
【００２４】またこの発明（請求項１７）にかかる伝送
線路は、請求項１４記載の伝送線路において、上記埋め
込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電
体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表
面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上
記金属層と接続したものである。
線路は、請求項１４記載の伝送線路において、上記埋め
込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電
体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表
面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上
記金属層と接続したものである。
【００２５】またこの発明（請求項１８）にかかる伝送
線路は、請求項１５記載の伝送線路において、上記埋め
込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電
体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表
面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上
記金属層と接続したものである。
線路は、請求項１５記載の伝送線路において、上記埋め
込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電
体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表
面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上
記金属層と接続したものである。
【００２６】またこの発明（請求項１９）にかかる伝送
線路は、請求項１６記載の伝送線路において、上記埋め
込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電
体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表
面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上
記金属層と接続したものである。
線路は、請求項１６記載の伝送線路において、上記埋め
込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電
体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表
面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上
記金属層と接続したものである。
【００２７】またこの発明（請求項２０）にかかる伝送
線路は、請求項１７ないし１９のいずれかに記載の伝送
線路において、上記第２の誘電体を空気層により置き換
えたものである。
線路は、請求項１７ないし１９のいずれかに記載の伝送
線路において、上記第２の誘電体を空気層により置き換
えたものである。
【００２８】またこの発明（請求項２１）にかかる伝送
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送
線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上
面部の一部に代えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送
線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送
線路の特性インピーダンス値に一致させたものである。
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送
線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上
面部の一部に代えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送
線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送
線路の特性インピーダンス値に一致させたものである。
【００２９】またこの発明（請求項２２）にかかる伝送
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送
線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上
面部の一部に代えて金属を設け、該伝送線路端部の金属
部により、上記配線金属膜と上記金属層を電気的に短絡
させたものである。
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送
線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上
面部の一部に代えて金属を設け、該伝送線路端部の金属
部により、上記配線金属膜と上記金属層を電気的に短絡
させたものである。
【００３０】またこの発明（請求項２３）にかかる伝送
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、上記配
線金属膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたものであ
る。
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、上記配
線金属膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたものであ
る。
【００３１】またこの発明（請求項２４）にかかる伝送
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、上記
溝，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたもので
ある。
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、上記
溝，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたもので
ある。
【００３２】またこの発明（請求項２５）にかかる伝送
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、その近
傍に配置したマイクロストリップ線路と、それとの間
に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋
め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイク
ロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イン
ピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介して、接
続したものである。
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、その近
傍に配置したマイクロストリップ線路と、それとの間
に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋
め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイク
ロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イン
ピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介して、接
続したものである。
【００３３】またこの発明（請求項２６）にかかる伝送
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、上記溝
の内部に設置した上記誘電体を、均一に導電性を持つも
のとしたものである。
線路は、請求項１４に記載の伝送線路において、上記溝
の内部に設置した上記誘電体を、均一に導電性を持つも
のとしたものである。
【００３４】またこの発明（請求項２７）にかかる伝送
線路の製造方法は、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上
に配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面に溝を形成する工程と、該溝の底
部、側面部の各表面に第１の金属膜を形成する工程と、
上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の
または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程と、該
誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程と、上記基
板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを含むものと
したものである。
線路の製造方法は、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上
に配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面に溝を形成する工程と、該溝の底
部、側面部の各表面に第１の金属膜を形成する工程と、
上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の
または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程と、該
誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程と、上記基
板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを含むものと
したものである。
【００３５】またこの発明（請求項２８）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝の底部の表面に形成した第１の金属
膜を、上記基板の裏面から形成した貫通孔を介して接地
する工程を含むものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項２７記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝の底部の表面に形成した第１の金属
膜を、上記基板の裏面から形成した貫通孔を介して接地
する工程を含むものとしたものである。
【００３６】またこの発明（請求項２９）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７記載の伝送線路の製造方
法において、１つの上記基板上に、上記溝，第１の金属
膜，誘電体，及び配線導体からなる伝送線路を複数形成
する工程と、上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形
成する工程と、上記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘
電体材料を埋め込む工程とを含むものとしたものであ
る。
線路の製造方法は、請求項２７記載の伝送線路の製造方
法において、１つの上記基板上に、上記溝，第１の金属
膜，誘電体，及び配線導体からなる伝送線路を複数形成
する工程と、上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形
成する工程と、上記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘
電体材料を埋め込む工程とを含むものとしたものであ
る。
【００３７】またこの発明（請求項３０）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７記載の伝送線路の製造方
法において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接し
てその上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘
電体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記第１の金属膜と接続されるよう形成する工程と
を含むものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項２７記載の伝送線路の製造方
法において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接し
てその上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘
電体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記第１の金属膜と接続されるよう形成する工程と
を含むものとしたものである。
【００３８】またこの発明（請求項３１）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込
む工程とを含むものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込
む工程とを含むものとしたものである。
【００３９】またこの発明（請求項３２）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、上記配線導体膜と上記第１の金属膜
を電気的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むもの
としたものである。
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、上記配線導体膜と上記第１の金属膜
を電気的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むもの
としたものである。
【００４０】またこの発明（請求項３３）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記誘電体の最上部に配線導体膜を形成
する工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さより短
い配線導体膜を形成する工程とするものである。
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記誘電体の最上部に配線導体膜を形成
する工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さより短
い配線導体膜を形成する工程とするものである。
【００４１】またこの発明（請求項３４）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配
線導体膜を形成する工程は、上記溝，第１の金属膜，誘
電体，及び配線導体膜をＴ型に形成する工程とするもの
である。
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配
線導体膜を形成する工程は、上記溝，第１の金属膜，誘
電体，及び配線導体膜をＴ型に形成する工程とするもの
である。
【００４２】またこの発明（請求項３５）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、その近傍に配置されたマイクロストリッ
プ線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√
Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピー
ダンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピー
ダンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリ
ップ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含む
ものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、その近傍に配置されたマイクロストリッ
プ線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√
Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピー
ダンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピー
ダンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリ
ップ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含む
ものとしたものである。
【００４３】またこの発明（請求項３６）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝内に上記第１の金属膜に接して上
記基板と同一のまたは異なる誘電率を持つ誘電体を埋め
込む工程は、上記溝内に上記第１の金属膜に接して均一
に導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とするものであ
る。
線路の製造方法は、請求項２７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝内に上記第１の金属膜に接して上
記基板と同一のまたは異なる誘電率を持つ誘電体を埋め
込む工程は、上記溝内に上記第１の金属膜に接して均一
に導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とするものであ
る。
【００４４】またこの発明（請求項３７）にかかる伝送
線路の製造方法は、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上
に配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面上に金属層を形成する工程と、該金
属層の表面に溝を形成する工程と、該溝内に上記基板と
同一または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程
と、該誘電体の最上部に配線用導体膜を形成する工程
と、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを
含むものとしたものである。
線路の製造方法は、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上
に配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面上に金属層を形成する工程と、該金
属層の表面に溝を形成する工程と、該溝内に上記基板と
同一または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程
と、該誘電体の最上部に配線用導体膜を形成する工程
と、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを
含むものとしたものである。
【００４５】またこの発明（請求項３８）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７記載の伝送線路の製造方
法において、上記基板の上部に形成した金属層を、該基
板の裏面から形成した貫通孔を介して接地する工程を含
むものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項３７記載の伝送線路の製造方
法において、上記基板の上部に形成した金属層を、該基
板の裏面から形成した貫通孔を介して接地する工程を含
むものとしたものである。
【００４６】またこの発明（請求項３９）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７記載の伝送線路の製造方
法において、１つの上記基板上に、上記溝，誘電体，及
び配線導体からなる伝送線路を複数形成する工程と、上
記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程と、
上記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘電体材料を埋め
込む工程とを含むものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項３７記載の伝送線路の製造方
法において、１つの上記基板上に、上記溝，誘電体，及
び配線導体からなる伝送線路を複数形成する工程と、上
記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程と、
上記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘電体材料を埋め
込む工程とを含むものとしたものである。
【００４７】またこの発明（請求項４０）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７記載の伝送線路の製造方
法において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接し
てその上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘
電体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記金属層と接続されるよう形成する工程とを含む
ものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項３７記載の伝送線路の製造方
法において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接し
てその上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘
電体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記金属層と接続されるよう形成する工程とを含む
ものとしたものである。
【００４８】またこの発明（請求項４１）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込
む工程とを含むものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込
む工程とを含むものとしたものである。
【００４９】またこの発明（請求項４２）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、上記配線導体膜と上記金属層を電気
的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むものとした
ものである。
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に
埋め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、
該除去した部分に、上記配線導体膜と上記金属層を電気
的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むものとした
ものである。
【００５０】またこの発明（請求項４３）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記誘電体の最上部に配線金属膜を形成
する工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さよりも
短い配線金属膜を形成する工程とするものである。
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記誘電体の最上部に配線金属膜を形成
する工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さよりも
短い配線金属膜を形成する工程とするものである。
【００５１】またこの発明（請求項４４）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝，誘電体，及び配線導体膜を形成
する工程は、上記溝，誘電体，及び配線導体膜をＴ型に
形成する工程とするものである。
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝，誘電体，及び配線導体膜を形成
する工程は、上記溝，誘電体，及び配線導体膜をＴ型に
形成する工程とするものである。
【００５２】またこの発明（請求項４５）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、その近傍に配置されたマイクロストリッ
プ線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√
Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピー
ダンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピー
ダンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリ
ップ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含む
ものとしたものである。
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、その近傍に配置されたマイクロストリッ
プ線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√
Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピー
ダンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピー
ダンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリ
ップ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含む
ものとしたものである。
【００５３】またこの発明（請求項４６）にかかる伝送
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝内に上記基板と同一または異なる
誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程は、上記溝内に均一
に導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とするものであ
る。
線路の製造方法は、請求項３７に記載の伝送線路の製造
方法において、上記溝内に上記基板と同一または異なる
誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程は、上記溝内に均一
に導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とするものであ
る。
【００５４】
【作用】この発明（請求項１）においては、誘電体基板
もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有してなる伝送線
路において、上記基板の主面に溝を形成し、該溝の底
部，及び側面部の各表面に第１の金属膜を形成し、上記
溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の、ま
たは異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込み、該誘電体の
最上部に配線導体膜を形成し、上記基板の裏面に接地用
金属膜を形成したので、サイドグランドウォールが電磁
界の横方向への漏洩を防ぐこととなり、これにより隣合
う線路間の距離を極めて小さくでき、なおかつ上記埋め
込み誘電体厚を制御することにより、基板厚は任意のま
ま電磁波高次モードの発生を回避することができる。
もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有してなる伝送線
路において、上記基板の主面に溝を形成し、該溝の底
部，及び側面部の各表面に第１の金属膜を形成し、上記
溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の、ま
たは異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込み、該誘電体の
最上部に配線導体膜を形成し、上記基板の裏面に接地用
金属膜を形成したので、サイドグランドウォールが電磁
界の横方向への漏洩を防ぐこととなり、これにより隣合
う線路間の距離を極めて小さくでき、なおかつ上記埋め
込み誘電体厚を制御することにより、基板厚は任意のま
ま電磁波高次モードの発生を回避することができる。
【００５５】またこの発明（請求項２）においては、上
記請求項１に記載の伝送線路において、上記溝の底部の
表面に形成した第１の金属膜を、上記基板の裏面から形
成した貫通孔を介して接地したので、理想的なグラウン
ド特性が得られる。
記請求項１に記載の伝送線路において、上記溝の底部の
表面に形成した第１の金属膜を、上記基板の裏面から形
成した貫通孔を介して接地したので、理想的なグラウン
ド特性が得られる。
【００５６】またこの発明（請求項３）においては、請
求項１記載の伝送線路において、１つの上記基板上に、
上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体からなる
伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの接地用金
属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電体材料
として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料
を設けたので、これにより線路特性の異なる伝送線路
を、線路間距離を極めて小さく設けることができる。
求項１記載の伝送線路において、１つの上記基板上に、
上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体からなる
伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの接地用金
属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電体材料
として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料
を設けたので、これにより線路特性の異なる伝送線路
を、線路間距離を極めて小さく設けることができる。
【００５７】またこの発明（請求項４）においては、請
求項１に記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部ノ各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第１の
金属膜と接続したので、該伝送線路は該金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、伝送効率を良くすることができる。
求項１に記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部ノ各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第１の
金属膜と接続したので、該伝送線路は該金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、伝送効率を良くすることができる。
【００５８】またこの発明（請求項５）においては、請
求項２記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電体，
及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成し、
該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第１の金属
膜と接続したので、理想的なグラウンド特性の状態で、
電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐこと
となり、これにより高アイソレーションが得られ、伝送
効率を良くすることができる。
求項２記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電体，
及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成し、
該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第１の金属
膜と接続したので、理想的なグラウンド特性の状態で、
電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐこと
となり、これにより高アイソレーションが得られ、伝送
効率を良くすることができる。
【００５９】またこの発明（請求項６）においては、請
求項３に記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第１の
金属膜と接続したので、該伝送線路は該金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、線路特性の異なる伝送線路の各々の伝送効率も
よくすることができる。
求項３に記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記第１の
金属膜と接続したので、該伝送線路は該金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、線路特性の異なる伝送線路の各々の伝送効率も
よくすることができる。
【００６０】またこの発明（請求項７）においては、請
求項４ないし６のいずれかに記載の伝送線路において、
上記第２の誘電体を空気層により置き換えたので、該伝
送線路は誘電率が小さくなり電磁波の減衰を小さくする
ことができる。
求項４ないし６のいずれかに記載の伝送線路において、
上記第２の誘電体を空気層により置き換えたので、該伝
送線路は誘電率が小さくなり電磁波の減衰を小さくする
ことができる。
【００６１】またこの発明（請求項８）においては、請
求項１に記載の伝送線路において、該伝送線路の端部に
おいて、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一部に
変えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送線路端部の導
電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値に一致させたので、超高周波伝送線路用
終端抵抗を構成している伝送線路を得ることができる。
求項１に記載の伝送線路において、該伝送線路の端部に
おいて、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一部に
変えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送線路端部の導
電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値に一致させたので、超高周波伝送線路用
終端抵抗を構成している伝送線路を得ることができる。
【００６２】またこの発明（請求項９）においては、請
求項１に記載の伝送線路において、上記溝内に埋め込ん
だ誘電体の上面部の一部に代えて金属を設け、該伝送線
路端部の金属部により、上記配線導体膜と上記第１の金
属膜を電気的に短絡させたので、超高周波伝送線路用シ
ョート回路を構成している伝送線路を得ることができ
る。
求項１に記載の伝送線路において、上記溝内に埋め込ん
だ誘電体の上面部の一部に代えて金属を設け、該伝送線
路端部の金属部により、上記配線導体膜と上記第１の金
属膜を電気的に短絡させたので、超高周波伝送線路用シ
ョート回路を構成している伝送線路を得ることができ
る。
【００６３】またこの発明（請求項１０）においては、
請求項１に記載の伝送線路において、上記配線導体膜の
長さを上記溝の長さよりも短くしたので、超高周波用伝
送線路オープンスタブを構成している伝送線路を得るこ
とができる。
請求項１に記載の伝送線路において、上記配線導体膜の
長さを上記溝の長さよりも短くしたので、超高周波用伝
送線路オープンスタブを構成している伝送線路を得るこ
とができる。
【００６４】またこの発明（請求項１１）においては、
請求項１に記載の伝送線路において、上記溝，第１の金
属膜，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたの
で、Ｔ型分岐回路を構成している伝送線路を得ることが
できる。
請求項１に記載の伝送線路において、上記溝，第１の金
属膜，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたの
で、Ｔ型分岐回路を構成している伝送線路を得ることが
できる。
【００６５】またこの発明（請求項１２）においては、
請求項１に記載の伝送線路において、その近傍に配置し
たマイクロストリップ線路と、それとの間に、１／４λ
の線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体
線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイクロストリップ
線路の特性インピーダンス）なる特性インピーダンスを
持つマイクロストリップ線路を介して、接続したので、
線路インピーダンス整合回路を構成している伝送線路を
得ることができる。
請求項１に記載の伝送線路において、その近傍に配置し
たマイクロストリップ線路と、それとの間に、１／４λ
の線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体
線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイクロストリップ
線路の特性インピーダンス）なる特性インピーダンスを
持つマイクロストリップ線路を介して、接続したので、
線路インピーダンス整合回路を構成している伝送線路を
得ることができる。
【００６６】またこの発明（請求項１３）においては、
請求項１に記載の伝送線路において、上記溝の内部に埋
め込んだ上記誘電体を、均一に導電性を持つものとした
ので、超高周波用線路型減衰器を構成する伝送線路を得
ることができる。
請求項１に記載の伝送線路において、上記溝の内部に埋
め込んだ上記誘電体を、均一に導電性を持つものとした
ので、超高周波用線路型減衰器を構成する伝送線路を得
ることができる。
【００６７】またこの発明（請求項１４）においては、
誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有して
なる伝送線路において、上記基板の主面上に金属層を形
成し、上記金属層の表面に溝を形成し、上記溝内に上記
基板と同一の、または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め
込み、該誘電体の上面に配線用導体膜を形成したので、
上記金属層に設けた溝側面部が電磁界の横方向への漏洩
を防ぐこととなり、これにより隣合う線路間の距離を極
めて小さくでき、なおかつ上記電磁波閉じ込め用誘電体
厚を制御することにより基板厚は任意のまま、電磁波高
次モードの発生を回避することができる。
誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有して
なる伝送線路において、上記基板の主面上に金属層を形
成し、上記金属層の表面に溝を形成し、上記溝内に上記
基板と同一の、または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め
込み、該誘電体の上面に配線用導体膜を形成したので、
上記金属層に設けた溝側面部が電磁界の横方向への漏洩
を防ぐこととなり、これにより隣合う線路間の距離を極
めて小さくでき、なおかつ上記電磁波閉じ込め用誘電体
厚を制御することにより基板厚は任意のまま、電磁波高
次モードの発生を回避することができる。
【００６８】またこの発明（請求項１５）においては、
請求項１４記載の伝送線路において、上記基板の上部に
形成した金属層を、該基板の裏面から形成した貫通孔を
介して接地したので、理想的なグラウンド特性が得られ
る。
請求項１４記載の伝送線路において、上記基板の上部に
形成した金属層を、該基板の裏面から形成した貫通孔を
介して接地したので、理想的なグラウンド特性が得られ
る。
【００６９】またこの発明（請求項１６）においては、
請求項１４記載の伝送線路において、１つの上記金属層
内に、上記溝，誘電体，及び配線導体からなる伝送線路
を複数設け、上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形
成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電体材料として、
溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料を設けた
ので、これにより線路特性の異なる伝送線路を、線路間
距離を極めて小さく設けることができる。
請求項１４記載の伝送線路において、１つの上記金属層
内に、上記溝，誘電体，及び配線導体からなる伝送線路
を複数設け、上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形
成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電体材料として、
溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料を設けた
ので、これにより線路特性の異なる伝送線路を、線路間
距離を極めて小さく設けることができる。
【００７０】またこの発明（請求項１７）においては、
請求項１４記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記金属層
と接続したので、該伝送線路は該第２の金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、伝送効率も良くすることができる。
請求項１４記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記金属層
と接続したので、該伝送線路は該第２の金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、伝送効率も良くすることができる。
【００７１】またこの発明（請求項１８）においては、
請求項１５記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記金属層
と接続したので、理想的なグラウンド特性の状態で、電
磁界の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐことと
なり、これにより高アイソレーションが得られ、伝送効
率も良くすることができる。
請求項１５記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記金属層
と接続したので、理想的なグラウンド特性の状態で、電
磁界の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐことと
なり、これにより高アイソレーションが得られ、伝送効
率も良くすることができる。
【００７２】またこの発明（請求項１９）においては、
請求項１６記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記金属層
と接続したので、該伝送線路は該第２の金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、線路特性の異なる伝送線路の各々の伝送効率も
よくすることができる。
請求項１６記載の伝送線路において、上記埋め込み誘電
体，及び配線導体に接してその上に第２の誘電体を形成
し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接し
て第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を上記金属層
と接続したので、該伝送線路は該第２の金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、線路特性の異なる伝送線路の各々の伝送効率も
よくすることができる。
【００７３】またこの発明（請求項２０）においては、
請求項１７ないし１９のいずれかに記載の伝送線路にお
いて、上記第２の誘電体を空気層により置き換えたの
で、該伝送線路は誘電率が小さくなり電磁波の減衰を小
さくすることができる。
請求項１７ないし１９のいずれかに記載の伝送線路にお
いて、上記第２の誘電体を空気層により置き換えたの
で、該伝送線路は誘電率が小さくなり電磁波の減衰を小
さくすることができる。
【００７４】またこの発明（請求項２１）においては、
請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送線路の端
部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一
部に代えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送線路端部
の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送線路の特
性インピーダンス値に一致させたので、超高周波伝送線
路用終端抵抗を構成している伝送線路を得ることができ
る。
請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送線路の端
部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一
部に代えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝送線路端部
の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝送線路の特
性インピーダンス値に一致させたので、超高周波伝送線
路用終端抵抗を構成している伝送線路を得ることができ
る。
【００７５】またこの発明（請求項２２）においては、
請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送線路の端
部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一
部に代えて金属を設け、該伝送線路端部の金属部によ
り、上記配線金属膜と上記金属層を電気的に短絡させた
ので、超高周波伝送線路用ショート回路を構成している
伝送線路を得ることができる。
請求項１４に記載の伝送線路において、該伝送線路の端
部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一
部に代えて金属を設け、該伝送線路端部の金属部によ
り、上記配線金属膜と上記金属層を電気的に短絡させた
ので、超高周波伝送線路用ショート回路を構成している
伝送線路を得ることができる。
【００７６】またこの発明（請求項２３）においては、
請求項１４に記載の伝送線路において、上記配線金属膜
の長さを上記溝の長さよりも短くしたので、超高周波用
伝送線路オープンスタブを構成している伝送線路を得る
ことができる。
請求項１４に記載の伝送線路において、上記配線金属膜
の長さを上記溝の長さよりも短くしたので、超高周波用
伝送線路オープンスタブを構成している伝送線路を得る
ことができる。
【００７７】またこの発明（請求項２４）においては、
請求項１４に記載の伝送線路において、上記溝，誘電
体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたので、Ｔ型分岐
回路を構成している伝送線路を得ることができる。
請求項１４に記載の伝送線路において、上記溝，誘電
体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたので、Ｔ型分岐
回路を構成している伝送線路を得ることができる。
【００７８】またこの発明（請求項２５）においては、
請求項１４に記載の伝送線路において、その近傍に配置
したマイクロストリップ線路と、それとの間に、１／４
λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電
体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイクロストリッ
プ線路の特性インピーダンス）なる特性インピーダンス
を持つマイクロストリップ線路を介して、接続したの
で、線路インピーダンス整合回路を構成している伝送線
路を得ることができる。
請求項１４に記載の伝送線路において、その近傍に配置
したマイクロストリップ線路と、それとの間に、１／４
λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電
体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイクロストリッ
プ線路の特性インピーダンス）なる特性インピーダンス
を持つマイクロストリップ線路を介して、接続したの
で、線路インピーダンス整合回路を構成している伝送線
路を得ることができる。
【００７９】またこの発明（請求項２６）においては、
請求項１４に記載の伝送線路において、上記溝の内部に
設置した上記誘電体を、均一に導電性を持つものとした
ので、超高周波用線路型減衰器を構成している伝送線路
を得ることができる。
請求項１４に記載の伝送線路において、上記溝の内部に
設置した上記誘電体を、均一に導電性を持つものとした
ので、超高周波用線路型減衰器を構成している伝送線路
を得ることができる。
【００８０】またこの発明（請求項２７）にかかる製造
方法においては、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に
配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面に溝を形成する工程と、該溝の底
部、側面部の各表面に第１の金属膜を形成する工程と、
上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の
または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程と、該
誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程と、上記基
板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを含むものと
したので、サイドグランドウォールにより電磁界の横方
向への漏洩を防ぐことができ、これにより隣合う線路間
の距離を極めて小さくできる。なおかつ上記埋め込み誘
電体厚を制御することにより、基板厚は任意のまま電磁
波高次モードの発生を回避することができる高アイソレ
ーションを有する伝送線路を得ることができる。
方法においては、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に
配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面に溝を形成する工程と、該溝の底
部、側面部の各表面に第１の金属膜を形成する工程と、
上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の
または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程と、該
誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程と、上記基
板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを含むものと
したので、サイドグランドウォールにより電磁界の横方
向への漏洩を防ぐことができ、これにより隣合う線路間
の距離を極めて小さくできる。なおかつ上記埋め込み誘
電体厚を制御することにより、基板厚は任意のまま電磁
波高次モードの発生を回避することができる高アイソレ
ーションを有する伝送線路を得ることができる。
【００８１】またこの発明（請求項２８）にかかる製造
方法においては、請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、上記溝の底部の表面に形成した第１の金属膜
を、上記基板の裏面から形成した貫通孔を介して接地す
る工程を含むものとしたので、理想的なグラウンド特性
の、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
方法においては、請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、上記溝の底部の表面に形成した第１の金属膜
を、上記基板の裏面から形成した貫通孔を介して接地す
る工程を含むものとしたので、理想的なグラウンド特性
の、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
【００８２】またこの発明（請求項２９）にかかる製造
方法においては、請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、１つの上記基板上に、上記溝，第１の金属
膜，誘電体，及び配線導体からなる伝送線路を複数形成
する工程と、上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形
成する工程と、上記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘
電体材料を埋め込む工程とを含むものとしたので、線路
特性の異なる複数の伝送線路を、その線路間距離を極め
て小さく設けることができる、高アイソレーションを有
する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、１つの上記基板上に、上記溝，第１の金属
膜，誘電体，及び配線導体からなる伝送線路を複数形成
する工程と、上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形
成する工程と、上記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘
電体材料を埋め込む工程とを含むものとしたので、線路
特性の異なる複数の伝送線路を、その線路間距離を極め
て小さく設けることができる、高アイソレーションを有
する伝送線路を得ることができる。
【００８３】またこの発明（請求項３０）にかかる製造
方法においては、請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接して
その上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘電
体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記第１の金属膜と接続されるよう形成する工程と
を含むものとしたので、該伝送線路は該第２の金属膜に
より密閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩
をより良く防ぐことができ、これにより伝送効率の良
い、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
方法においては、請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接して
その上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘電
体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記第１の金属膜と接続されるよう形成する工程と
を含むものとしたので、該伝送線路は該第２の金属膜に
より密閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩
をより良く防ぐことができ、これにより伝送効率の良
い、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
【００８４】またこの発明（請求項３１）にかかる製造
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イン
ピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込む
工程とを含むものとしたので、超高周波伝送線路用終端
抵抗を構成する、高アイソレーションを有する伝送線路
を得ることができる。
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イン
ピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込む
工程とを含むものとしたので、超高周波伝送線路用終端
抵抗を構成する、高アイソレーションを有する伝送線路
を得ることができる。
【００８５】またこの発明（請求項３２）にかかる製造
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、上記配線導体膜と上記第１の金属膜を
電気的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むものと
したので、超高周波伝送線路用ショート回路を構成す
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、上記配線導体膜と上記第１の金属膜を
電気的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むものと
したので、超高周波伝送線路用ショート回路を構成す
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
【００８６】またこの発明（請求項３３）にかかる製造
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記誘電体の最上部に配線導体膜を形成す
る工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さより短い
配線導体膜を形成する工程としたので、超高周波用伝送
線路オープンスタブを構成する、高アイソレーションを
有する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記誘電体の最上部に配線導体膜を形成す
る工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さより短い
配線導体膜を形成する工程としたので、超高周波用伝送
線路オープンスタブを構成する、高アイソレーションを
有する伝送線路を得ることができる。
【００８７】またこの発明（請求項３４）にかかる製造
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線
導体膜を形成する工程は、上記溝，第１の金属膜，誘電
体，及び配線導体膜をＴ型に形成する工程としたので、
Ｔ型分岐回路を構成する、高アイソレーションを有する
伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線
導体膜を形成する工程は、上記溝，第１の金属膜，誘電
体，及び配線導体膜をＴ型に形成する工程としたので、
Ｔ型分岐回路を構成する、高アイソレーションを有する
伝送線路を得ることができる。
【００８８】またこの発明（請求項３５）にかかる製造
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、その近傍に配置されたマイクロストリップ
線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ
01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダ
ンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピーダ
ンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリッ
プ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含むも
のとしたので、線路インピーダンス整合回路を構成す
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、その近傍に配置されたマイクロストリップ
線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ
01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダ
ンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピーダ
ンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリッ
プ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含むも
のとしたので、線路インピーダンス整合回路を構成す
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
【００８９】またこの発明（請求項３６）にかかる製造
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記
基板と同一のまたは異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込
む工程は、上記溝内に上記第１の金属膜に接して均一に
導電性を持つ誘電体を埋め込む工程としたので超高周波
用線路型減衰器を構成する、高アイソレーションを有す
る伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記
基板と同一のまたは異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込
む工程は、上記溝内に上記第１の金属膜に接して均一に
導電性を持つ誘電体を埋め込む工程としたので超高周波
用線路型減衰器を構成する、高アイソレーションを有す
る伝送線路を得ることができる。
【００９０】またこの発明（請求項３７）にかかる製造
方法においては、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に
配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面上に金属層を形成する工程と、該金
属層の表面に溝を形成する工程と、該溝内に上記基板と
同一または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程
と、該誘電体の最上部に配線用導体膜を形成する工程
と、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを
含むものとしたので、サイドグランドウォールにより、
電磁界の横方向への漏洩を防ぐことができ、これにより
隣合う線路間の距離を極めて小さくできる。なおかつ上
記埋め込み誘電体厚を制御することにより、基板厚は任
意のまま電磁波高次モードの発生を回避することができ
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
方法においては、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に
配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、上記基板の主面上に金属層を形成する工程と、該金
属層の表面に溝を形成する工程と、該溝内に上記基板と
同一または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程
と、該誘電体の最上部に配線用導体膜を形成する工程
と、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを
含むものとしたので、サイドグランドウォールにより、
電磁界の横方向への漏洩を防ぐことができ、これにより
隣合う線路間の距離を極めて小さくできる。なおかつ上
記埋め込み誘電体厚を制御することにより、基板厚は任
意のまま電磁波高次モードの発生を回避することができ
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
【００９１】またこの発明（請求項３８）にかかる製造
方法においては、請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、上記基板の上部に形成した金属層を、該基板
の裏面から形成した貫通孔を介して接地する工程を含む
ものとしたので、理想的なグラウンド特性の、高アイソ
レーションを有する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、上記基板の上部に形成した金属層を、該基板
の裏面から形成した貫通孔を介して接地する工程を含む
ものとしたので、理想的なグラウンド特性の、高アイソ
レーションを有する伝送線路を得ることができる。
【００９２】またこの発明（請求項３９）にかかる製造
方法においては、請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、１つの上記基板上に、上記溝，誘電体，及び
配線導体からなる伝送線路を複数形成する工程と、上記
基板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程と、上
記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘電体材料を埋め込
む工程とを含むものとしたので、線路特性の異なる複数
の伝送線路を、その線路間距離を極めて小さく設けるこ
とができる、高アイソレーションを有する伝送線路を得
ることができる。
方法においては、請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、１つの上記基板上に、上記溝，誘電体，及び
配線導体からなる伝送線路を複数形成する工程と、上記
基板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程と、上
記複数の各溝に溝間で相互に異なる誘電体材料を埋め込
む工程とを含むものとしたので、線路特性の異なる複数
の伝送線路を、その線路間距離を極めて小さく設けるこ
とができる、高アイソレーションを有する伝送線路を得
ることができる。
【００９３】またこの発明（請求項４０）にかかる製造
方法においては、請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接して
その上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘電
体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記金属層と接続されるよう形成する工程とを含む
ものとしたので、該伝送線路は該第２の金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐことができ、これにより伝送効率の良い、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接して
その上に第２の誘電体を形成する工程と、該第２の誘電
体の上部，及び側面部の各表面に接して第２の金属膜
を、上記金属層と接続されるよう形成する工程とを含む
ものとしたので、該伝送線路は該第２の金属膜により密
閉される為、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐことができ、これにより伝送効率の良い、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる。
【００９４】またこの発明（請求項４１）にかかる製造
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イン
ピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込む
工程とを含むものとしたので、超高周波伝送線路用終端
抵抗を構成する、高アイソレーションを有する伝送線路
を得ることができる。
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イン
ピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込む
工程とを含むものとしたので、超高周波伝送線路用終端
抵抗を構成する、高アイソレーションを有する伝送線路
を得ることができる。
【００９５】またこの発明（請求項４２）にかかる製造
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、上記配線導体膜と上記金属層を電気的
に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むものとしたの
で、超高周波伝送線路用ショート回路を構成する、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋
め込まれた誘電体の上面部の一部を除去する工程と、該
除去した部分に、上記配線導体膜と上記金属層を電気的
に短絡させる金属を埋め込む工程とを含むものとしたの
で、超高周波伝送線路用ショート回路を構成する、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる。
【００９６】またこの発明（請求項４３）にかかる製造
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記誘電体の最上部に配線金属膜を形成す
る工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さよりも短
い配線金属膜を形成する工程としたので、超高周波用伝
送線路オープンスタブを構成する、高アイソレーション
を有する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記誘電体の最上部に配線金属膜を形成す
る工程は、上記誘電体の最上部に上記溝の長さよりも短
い配線金属膜を形成する工程としたので、超高周波用伝
送線路オープンスタブを構成する、高アイソレーション
を有する伝送線路を得ることができる。
【００９７】またこの発明（請求項４４）にかかる製造
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝，誘電体，及び配線導体膜を形成す
る工程は、上記溝，誘電体，及び配線導体膜をＴ型に形
成する工程としたので、Ｔ型分岐回路を構成する、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝，誘電体，及び配線導体膜を形成す
る工程は、上記溝，誘電体，及び配線導体膜をＴ型に形
成する工程としたので、Ｔ型分岐回路を構成する、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる。
【００９８】またこの発明（請求項４５）にかかる製造
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、その近傍に配置されたマイクロストリップ
線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ
01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダ
ンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピーダ
ンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリッ
プ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含むも
のとしたので、線路インピーダンス整合回路を構成す
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、その近傍に配置されたマイクロストリップ
線路と、それとの間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ
01×Ｚ02（Ｚ01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダ
ンス、Ｚ02はマイクロストリップ線路の特性インピーダ
ンス）なる特性インピーダンスを持つマイクロストリッ
プ線路を形成し、該線路を介して接続する工程を含むも
のとしたので、線路インピーダンス整合回路を構成す
る、高アイソレーションを有する伝送線路を得ることが
できる。
【００９９】またこの発明（請求項４６）にかかる製造
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝内に上記基板と同一または異なる誘
電率を持つ誘電体を埋め込む工程は、上記溝内に均一に
導電性を持つ誘電体を埋め込む工程としたので、超高周
波用線路型減衰器を構成する、高アイソレーションを有
する伝送線路を得ることができる。
方法においては、請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、上記溝内に上記基板と同一または異なる誘
電率を持つ誘電体を埋め込む工程は、上記溝内に均一に
導電性を持つ誘電体を埋め込む工程としたので、超高周
波用線路型減衰器を構成する、高アイソレーションを有
する伝送線路を得ることができる。
【０１００】
実施例１.図１は本発明の第１の実施例による高アイソ
レーションを有する伝送線路を示す図である。図におい
て、１は誘電体または半絶縁性半導体基板、２は該基板
１の裏面に形成された地導体、３は上記基板１の表面上
に形成されたマイクロストリップ導体線路（以下、導体
線路という）、４は上記基板１に形成された溝の表面に
沿って形成された第１の金属膜、５は該溝内に形成され
た埋め込み誘電体である。なお、図中の矢印Ｅは電界を
示している。また図２は図１中のＡ−Ａ面における断面
図の一部であり、図中の数字は図１のものと同一のもの
を表す。この線路構造は導体線路３と第１の金属膜４の
底部４ａとの間ではマイクロストリップ線路と同様な電
磁波モードで伝搬し、また導体線路３と第１の金属膜４
の側面４ｂとの間ではコプレーナ線路の伝送モードをと
って伝搬する。この第１の金属膜４の側面部４ｂの存在
により電磁波の横方向向けの漏洩が抑制されることが容
易に推定できるが、これを実際に数値計算で確認したと
ころ、極めて高いアイソレーションが得られることが判
明している。図３(a) に、この線路構造を有する２線路
間のカップリング量を、“Analysis Method for Genera
lized SuspendedStrip Lines " ，IEEE Transaction on
Microwave Theory and Techniques, vol. MTT-34, N
O., 12, December 1986 に紹介されている方形境界分
割法により準TEM 波解析した結果を示す。数値解析に用
いた線路の各部寸法を図３(b),(c) に示した。これらの
グラフにおいて、横軸は２ストリップ線路間の距離ｓ、
縦軸は２線路間のカップリング量（結合係数）ｋを示
し、ストリップ導体の埋め込み深さｄをパラメータとし
てプロットしてある。またこのグラフにおいて、比較の
ためマイクロストリップ線路のそれについても示した。
図３(a) から明らかなように、本実施例１による伝送線
路は埋め込み距離ｄ＝０のときにおいて、約−２０ｄＢ
だけマイクロストリップ線路に対して大きなアイソレー
ションを持ち、これは埋め込み距離ｄを増加させるに従
い、さらに大きくなることが分かる。
レーションを有する伝送線路を示す図である。図におい
て、１は誘電体または半絶縁性半導体基板、２は該基板
１の裏面に形成された地導体、３は上記基板１の表面上
に形成されたマイクロストリップ導体線路（以下、導体
線路という）、４は上記基板１に形成された溝の表面に
沿って形成された第１の金属膜、５は該溝内に形成され
た埋め込み誘電体である。なお、図中の矢印Ｅは電界を
示している。また図２は図１中のＡ−Ａ面における断面
図の一部であり、図中の数字は図１のものと同一のもの
を表す。この線路構造は導体線路３と第１の金属膜４の
底部４ａとの間ではマイクロストリップ線路と同様な電
磁波モードで伝搬し、また導体線路３と第１の金属膜４
の側面４ｂとの間ではコプレーナ線路の伝送モードをと
って伝搬する。この第１の金属膜４の側面部４ｂの存在
により電磁波の横方向向けの漏洩が抑制されることが容
易に推定できるが、これを実際に数値計算で確認したと
ころ、極めて高いアイソレーションが得られることが判
明している。図３(a) に、この線路構造を有する２線路
間のカップリング量を、“Analysis Method for Genera
lized SuspendedStrip Lines " ，IEEE Transaction on
Microwave Theory and Techniques, vol. MTT-34, N
O., 12, December 1986 に紹介されている方形境界分
割法により準TEM 波解析した結果を示す。数値解析に用
いた線路の各部寸法を図３(b),(c) に示した。これらの
グラフにおいて、横軸は２ストリップ線路間の距離ｓ、
縦軸は２線路間のカップリング量（結合係数）ｋを示
し、ストリップ導体の埋め込み深さｄをパラメータとし
てプロットしてある。またこのグラフにおいて、比較の
ためマイクロストリップ線路のそれについても示した。
図３(a) から明らかなように、本実施例１による伝送線
路は埋め込み距離ｄ＝０のときにおいて、約−２０ｄＢ
だけマイクロストリップ線路に対して大きなアイソレー
ションを持ち、これは埋め込み距離ｄを増加させるに従
い、さらに大きくなることが分かる。
【０１０１】次に製造方法について説明する。図４(a)
〜(e) は、本実施例１の高アイソレーションを有する伝
送線路の製造方法を説明する図である。
〜(e) は、本実施例１の高アイソレーションを有する伝
送線路の製造方法を説明する図である。
【０１０２】まず、基板１，例えばＧａＡｓ，Ｓｉ等の
半導体基板やサファイア等のセラミック基板に図４(a)
のように主平面側から溝（例えば深さ２０〜５０μｍ）
を形成する。このとき半導体基板ならば湿式エッチング
やＲＩＥ法（Reactive Ion Etching) を用い、セラミッ
ク基板の場合はダイシングソー等の加工機を使用し機械
的に削る。次に図４(b) のように上記溝内及び主平面上
に第１の金属膜４をＡｕ，Ｃｕ，Ａｇ等の良導体をスパ
ッタリング，メッキ法等（例えばＡｕメッキなら厚さ２
〜５μｍ）を施すことにより形成する。その後、図４
(c) に示すように埋め込み誘電体５（例えばポリイミ
ド，ＳｉＯ，ＳｉＮ膜、またチタン酸バリウム（ＢａＴ
ｉＯ3 ，εｒ＝５０００）等の強誘電体も使用すること
ができる）を全面に堆積させる。次に図４(d) に示すよ
うに上記埋め込み誘電体５にＲＩＥ法等による全面エッ
チングを施し、所望の膜厚を残す。最後に該埋め込み誘
電体５上に金属膜による導体線路３、前記基板１の裏面
に金属膜による地導体２をメタライズする（図４(e))。
該導体線路３となる金属膜は、例えばＴｉ／Ａｕ２層金
属層（例えば幅１０〜２００μｍ、厚さ２〜５μｍ）を
蒸着リフトオフ法により形成し、上記地導体２となる金
属膜は、基板裏面に例えばＡｕ，Ｃｕ，Ａｇ等の良導体
（例えば厚さ２〜５μｍ）をスパッタリング、蒸着法等
により形成して得られる。ここにおいて上記地導体２は
電磁波の伝送には特に必要とされないが、作製された配
線基板をキャリア等に接着せしめるときに、主にはんだ
を用いるため、はんだの濡れ性を良くするためにここで
は形成している。
半導体基板やサファイア等のセラミック基板に図４(a)
のように主平面側から溝（例えば深さ２０〜５０μｍ）
を形成する。このとき半導体基板ならば湿式エッチング
やＲＩＥ法（Reactive Ion Etching) を用い、セラミッ
ク基板の場合はダイシングソー等の加工機を使用し機械
的に削る。次に図４(b) のように上記溝内及び主平面上
に第１の金属膜４をＡｕ，Ｃｕ，Ａｇ等の良導体をスパ
ッタリング，メッキ法等（例えばＡｕメッキなら厚さ２
〜５μｍ）を施すことにより形成する。その後、図４
(c) に示すように埋め込み誘電体５（例えばポリイミ
ド，ＳｉＯ，ＳｉＮ膜、またチタン酸バリウム（ＢａＴ
ｉＯ3 ，εｒ＝５０００）等の強誘電体も使用すること
ができる）を全面に堆積させる。次に図４(d) に示すよ
うに上記埋め込み誘電体５にＲＩＥ法等による全面エッ
チングを施し、所望の膜厚を残す。最後に該埋め込み誘
電体５上に金属膜による導体線路３、前記基板１の裏面
に金属膜による地導体２をメタライズする（図４(e))。
該導体線路３となる金属膜は、例えばＴｉ／Ａｕ２層金
属層（例えば幅１０〜２００μｍ、厚さ２〜５μｍ）を
蒸着リフトオフ法により形成し、上記地導体２となる金
属膜は、基板裏面に例えばＡｕ，Ｃｕ，Ａｇ等の良導体
（例えば厚さ２〜５μｍ）をスパッタリング、蒸着法等
により形成して得られる。ここにおいて上記地導体２は
電磁波の伝送には特に必要とされないが、作製された配
線基板をキャリア等に接着せしめるときに、主にはんだ
を用いるため、はんだの濡れ性を良くするためにここで
は形成している。
【０１０３】このような本実施例１の伝送線路では、第
１の金属膜４によるサイドグランドウォールが電磁界の
横方向への漏洩を防ぐため、他の導体線路が近接設置さ
れた場合にでも互いに干渉を起こすことがなく、その結
果、隣合う線路間の距離を極めて小さく配置、即ち高密
度配線をしても高アイソレーションを得ることができる
ので、低コスト、及びチップサイズの縮小という効果が
得られる。
１の金属膜４によるサイドグランドウォールが電磁界の
横方向への漏洩を防ぐため、他の導体線路が近接設置さ
れた場合にでも互いに干渉を起こすことがなく、その結
果、隣合う線路間の距離を極めて小さく配置、即ち高密
度配線をしても高アイソレーションを得ることができる
ので、低コスト、及びチップサイズの縮小という効果が
得られる。
【０１０４】又、超高周波では先に述べたようにマイク
ロストリップ導体線路の場合、電磁波高次モードの発生
を抑えるために基板厚を３０μｍ以下にすることが必要
となるが、本実施例１の構造では埋め込み誘電体５の厚
さが基板厚に相当するため、該埋め込み誘電体５の厚さ
を３０μｍ以下にすれば良く、このため基板１の厚さは
全く任意に選択しても電磁波高次モードの発生を回避す
ることができるので、製造歩留り、及び集積回路の信頼
性を向上できるという効果が得られる。
ロストリップ導体線路の場合、電磁波高次モードの発生
を抑えるために基板厚を３０μｍ以下にすることが必要
となるが、本実施例１の構造では埋め込み誘電体５の厚
さが基板厚に相当するため、該埋め込み誘電体５の厚さ
を３０μｍ以下にすれば良く、このため基板１の厚さは
全く任意に選択しても電磁波高次モードの発生を回避す
ることができるので、製造歩留り、及び集積回路の信頼
性を向上できるという効果が得られる。
【０１０５】実施例２．図５は本発明の実施例２による
高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図で
ある。ここにおいて、９は基板１の裏面から開口された
貫通孔（バイアホール）である。
高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図で
ある。ここにおいて、９は基板１の裏面から開口された
貫通孔（バイアホール）である。
【０１０６】つまり本実施例２は、上記実施例１におい
て、バイアホール９を介して上記基板１の溝の底部に形
成した第１の金属膜４と該基板１の裏面に形成した地導
体２を電気的に接続したものである。
て、バイアホール９を介して上記基板１の溝の底部に形
成した第１の金属膜４と該基板１の裏面に形成した地導
体２を電気的に接続したものである。
【０１０７】次に製造方法について説明する。図６(a)
〜(c) は、本実施例２による高アイソレーションを有す
る伝送線路の製造方法を説明する図である。
〜(c) は、本実施例２による高アイソレーションを有す
る伝送線路の製造方法を説明する図である。
【０１０８】まず、上記実施例１における図４(d) の状
態から、図６(a) に示すように埋め込み誘電体５上に導
体線路３となる金属膜を形成した後、図６(b) に示すよ
うに基板裏面から第１の金属膜４の底部に向けて直径５
０μｍ以上の貫通孔（バイアホール）９を形成する。こ
れは基板１が半導体の場合に有効な方法であり、ウェッ
トもしくはドライエッチング技術を用いて容易に形成で
きる。最後に図６(c)に示すように裏面からスパッタリ
ング、メッキ法などの手法を用いてバイアホール９内、
及び上記基板裏面をメタライズする。
態から、図６(a) に示すように埋め込み誘電体５上に導
体線路３となる金属膜を形成した後、図６(b) に示すよ
うに基板裏面から第１の金属膜４の底部に向けて直径５
０μｍ以上の貫通孔（バイアホール）９を形成する。こ
れは基板１が半導体の場合に有効な方法であり、ウェッ
トもしくはドライエッチング技術を用いて容易に形成で
きる。最後に図６(c)に示すように裏面からスパッタリ
ング、メッキ法などの手法を用いてバイアホール９内、
及び上記基板裏面をメタライズする。
【０１０９】このような本実施例２の高アイソレーショ
ンを有する伝送線路では、上記第１の金属膜４を上記基
板裏面の地導体２と接続することにより、理想的なグラ
ンド特性を持つことができるので、より安定な伝送を行
うことができる。
ンを有する伝送線路では、上記第１の金属膜４を上記基
板裏面の地導体２と接続することにより、理想的なグラ
ンド特性を持つことができるので、より安定な伝送を行
うことができる。
【０１１０】実施例３．図７は本発明の実施例３による
高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図で
ある。図７において、５’は溝１０ａ内に設けられた、
溝１０に設けられた埋めこみ誘電体５とは異なる誘電体
材料である。
高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図で
ある。図７において、５’は溝１０ａ内に設けられた、
溝１０に設けられた埋めこみ誘電体５とは異なる誘電体
材料である。
【０１１１】つまり本実施例３は、上記実施例１におい
て上記溝に埋め込む誘電体５として、溝１０，１０ａご
とに異なる誘電体材料５，５’を設けるようにし、その
上に導体線路３を形成するようにしたものである。
て上記溝に埋め込む誘電体５として、溝１０，１０ａご
とに異なる誘電体材料５，５’を設けるようにし、その
上に導体線路３を形成するようにしたものである。
【０１１２】次に製造方法について説明する。図８(a)
〜(e) は、本実施例３による高アイソレーションを有す
る伝送線路の製造方法を説明する図である。図８におい
て、２０は保護膜である。
〜(e) は、本実施例３による高アイソレーションを有す
る伝送線路の製造方法を説明する図である。図８におい
て、２０は保護膜である。
【０１１３】まず、上記実施例１における図４（d)の状
態から、図８(a) に示すように溝１０ａ部以外を被うよ
うにレジスト等の材料で保護膜２０を形成し、図８(b)
に示すように溝１０ａ部の埋め込み誘電体５をエッチン
グにより除去した後、異なる誘電体５’を全面に形成す
る。次いで図８(c) に示すように適当なエッチング技術
を用いて所望の厚さになるまで、該異なる誘電体５’を
エッチングする。次に上記保護膜２０を除去する（図８
(d))。保護膜２０の除去は、レジスト除去液に浸漬する
こと等により行う。最後に導体線路３と地導体２を形成
することにより本実施例３の伝送線路が得られる（図８
(e) ）。
態から、図８(a) に示すように溝１０ａ部以外を被うよ
うにレジスト等の材料で保護膜２０を形成し、図８(b)
に示すように溝１０ａ部の埋め込み誘電体５をエッチン
グにより除去した後、異なる誘電体５’を全面に形成す
る。次いで図８(c) に示すように適当なエッチング技術
を用いて所望の厚さになるまで、該異なる誘電体５’を
エッチングする。次に上記保護膜２０を除去する（図８
(d))。保護膜２０の除去は、レジスト除去液に浸漬する
こと等により行う。最後に導体線路３と地導体２を形成
することにより本実施例３の伝送線路が得られる（図８
(e) ）。
【０１１４】このような本実施例３の高アイソレーショ
ンを有する伝送線路では、同等の形状、サイズを有し、
かつ線路特性の異なる伝送線路を、同一基板上に容易，
かつ高密度に配線することができる。
ンを有する伝送線路では、同等の形状、サイズを有し、
かつ線路特性の異なる伝送線路を、同一基板上に容易，
かつ高密度に配線することができる。
【０１１５】実施例４.図９はこの発明の第４の実施例
による高アイソレーションを有する伝送線路を示す図で
ある。図９において、６は第２の誘電体、８は第２の金
属膜である。
による高アイソレーションを有する伝送線路を示す図で
ある。図９において、６は第２の誘電体、８は第２の金
属膜である。
【０１１６】つまり本実施例４の構造は、上記実施例１
の構造において第１の誘電体５と導体線路３の上に第２
の誘電体６をさらに形成し、また該第２の誘電体６の上
部及び側面に第２の金属膜８を形成し、該第２の金属膜
８を先に形成した第１の金属膜４に接続してなるもので
ある。
の構造において第１の誘電体５と導体線路３の上に第２
の誘電体６をさらに形成し、また該第２の誘電体６の上
部及び側面に第２の金属膜８を形成し、該第２の金属膜
８を先に形成した第１の金属膜４に接続してなるもので
ある。
【０１１７】次に、製造方法について説明する。図１０
(a) 〜(c) は、本実施例４の高アイソレーションを有す
る伝送線路の製造方法を説明する図である。
(a) 〜(c) は、本実施例４の高アイソレーションを有す
る伝送線路の製造方法を説明する図である。
【０１１８】まず、上記実施例１における伝送線路にお
いて、図１０(a) に示すように上記第２の誘電体６をＣ
ＶＤ法により全面堆積し、溝の上部に堆積した部分をマ
スクをした後、ＲＩＥ法により他の領域の上記第２の誘
電体６を除去する（図１０(b) ）。次に形成した第２の
誘電体６の上面及び側面に上記第２の金属膜８をスパッ
タリング等で形成する（図１０(c))。
いて、図１０(a) に示すように上記第２の誘電体６をＣ
ＶＤ法により全面堆積し、溝の上部に堆積した部分をマ
スクをした後、ＲＩＥ法により他の領域の上記第２の誘
電体６を除去する（図１０(b) ）。次に形成した第２の
誘電体６の上面及び側面に上記第２の金属膜８をスパッ
タリング等で形成する（図１０(c))。
【０１１９】このような本実施例４の高アイソレーショ
ンを有する伝送線路では、上記第２の金属膜８を設けて
導体線路３を密閉したことにより、さらに電磁界の閉じ
込め効果に優れたものとなり、横方向のみならず上方向
への漏洩も防ぐことができるので、これにより該伝送線
路の伝送効率を大きく向上させることができる。
ンを有する伝送線路では、上記第２の金属膜８を設けて
導体線路３を密閉したことにより、さらに電磁界の閉じ
込め効果に優れたものとなり、横方向のみならず上方向
への漏洩も防ぐことができるので、これにより該伝送線
路の伝送効率を大きく向上させることができる。
【０１２０】実施例５．図１１は本発明の実施例５によ
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。つまり本実施例５の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例２記載の伝送線路において、
上記埋め込み誘電体５，及び導体線路３に接してその上
に第２の誘電体６を形成し、該第２の誘電体６の上部，
及び側面部に接して第２の金属膜８を形成し、該第２の
金属膜８を上記第１の金属膜４と接続したものであり、
これにより電磁界の横方向、及び上方向への漏洩を防ぐ
ことができ、該伝送線路の伝送効率を大きく向上させる
ことができる。
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。つまり本実施例５の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例２記載の伝送線路において、
上記埋め込み誘電体５，及び導体線路３に接してその上
に第２の誘電体６を形成し、該第２の誘電体６の上部，
及び側面部に接して第２の金属膜８を形成し、該第２の
金属膜８を上記第１の金属膜４と接続したものであり、
これにより電磁界の横方向、及び上方向への漏洩を防ぐ
ことができ、該伝送線路の伝送効率を大きく向上させる
ことができる。
【０１２１】実施例６．図１２は本発明の実施例６によ
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。つまり本実施例６の高アイソレーションを有す
る伝送線路によれば、上記実施例３記載の伝送線路にお
いて、第１の埋め込み誘電体５、及びこれと異なる材料
よりなる誘電体５’と導体線路３の上に第２の誘電体６
を形成し、さらに該第２の誘電体６の上部及び側面に第
２の金属膜８を形成し、該第２の金属膜８を先に形成し
た第１の金属膜４に接続するようにしたので、該伝送線
路は該金属膜により密閉される為、電磁界の横方向、及
び上方向への漏洩を防ぐことができ、これにより該伝送
線路の伝送効率を大きく向上させることができる。
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。つまり本実施例６の高アイソレーションを有す
る伝送線路によれば、上記実施例３記載の伝送線路にお
いて、第１の埋め込み誘電体５、及びこれと異なる材料
よりなる誘電体５’と導体線路３の上に第２の誘電体６
を形成し、さらに該第２の誘電体６の上部及び側面に第
２の金属膜８を形成し、該第２の金属膜８を先に形成し
た第１の金属膜４に接続するようにしたので、該伝送線
路は該金属膜により密閉される為、電磁界の横方向、及
び上方向への漏洩を防ぐことができ、これにより該伝送
線路の伝送効率を大きく向上させることができる。
【０１２２】実施例７．図１３は本発明の実施例７によ
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。図１３において、７は空気層である。本実施例
７における高アイソレーションを有する伝送線路は、上
記実施例４の伝送線路を、第２の誘電体６のみを溶解す
るエッチング液に浸漬し選択的に除去することにより、
空気層７に置き換えたものである。
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。図１３において、７は空気層である。本実施例
７における高アイソレーションを有する伝送線路は、上
記実施例４の伝送線路を、第２の誘電体６のみを溶解す
るエッチング液に浸漬し選択的に除去することにより、
空気層７に置き換えたものである。
【０１２３】このような本実施例７の高アイソレーショ
ン伝送線路では、空気層７の誘電率が上記第２の誘電体
６の誘電率より小であるため、上記実施例４の伝送線路
に比して上記導体線路３を伝搬する電磁波の減衰を小さ
くすることができる。
ン伝送線路では、空気層７の誘電率が上記第２の誘電体
６の誘電率より小であるため、上記実施例４の伝送線路
に比して上記導体線路３を伝搬する電磁波の減衰を小さ
くすることができる。
【０１２４】実施例８．図１４は本発明の実施例８によ
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。本実施例８における高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例５の伝送線路を、第２の誘電
体６のみを溶解するエッチング液に浸漬し選択的に除去
することにより、空気層７に置き換えたものである。
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。本実施例８における高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例５の伝送線路を、第２の誘電
体６のみを溶解するエッチング液に浸漬し選択的に除去
することにより、空気層７に置き換えたものである。
【０１２５】このような本実施例８の高アイソレーショ
ン伝送線路では、空気層７の誘電率が上記第２の誘電体
６の誘電率より小であるため、上記実施例５の伝送線路
に比して上記導体線路３を伝搬する電磁波の減衰を小さ
くすることができる。
ン伝送線路では、空気層７の誘電率が上記第２の誘電体
６の誘電率より小であるため、上記実施例５の伝送線路
に比して上記導体線路３を伝搬する電磁波の減衰を小さ
くすることができる。
【０１２６】実施例９．図１５は本発明の実施例９によ
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。
る高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示す図
である。
【０１２７】本実施例９における高アイソレーションを
有する伝送線路は、上記実施例６の伝送線路を、第２の
誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸漬し選択的に
除去することにより、空気層７に置き換えたものであ
る。
有する伝送線路は、上記実施例６の伝送線路を、第２の
誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸漬し選択的に
除去することにより、空気層７に置き換えたものであ
る。
【０１２８】このような本実施例９の高アイソレーショ
ン伝送線路では、空気層７の誘電率が上記第２の誘電体
６の誘電率より小であるため、上記実施例６の伝送線路
に比して上記導体線路３を伝搬する電磁波の減衰を小さ
くすることができる。
ン伝送線路では、空気層７の誘電率が上記第２の誘電体
６の誘電率より小であるため、上記実施例６の伝送線路
に比して上記導体線路３を伝搬する電磁波の減衰を小さ
くすることができる。
【０１２９】実施例１０．図１６は本発明の実施例１０
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図１６において１１は抵抗成分をもつ誘電
体である。つまり本実施例１０における高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路は、上記実施例１の伝送線路にお
いて、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込ま
れた埋め込み誘電体５の上面部の一部を、抵抗成分を持
つ誘電体１１に置き換えたものである。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図１６において１１は抵抗成分をもつ誘電
体である。つまり本実施例１０における高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路は、上記実施例１の伝送線路にお
いて、該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込ま
れた埋め込み誘電体５の上面部の一部を、抵抗成分を持
つ誘電体１１に置き換えたものである。
【０１３０】次に製造方法について説明する。図１７
（a)〜(c) は、本実施例１０による高アイソレーション
を有する伝送線路の製造方法を説明する図であり、図１
６におけるＢ−Ｂ線による断面図である。図中１１ａ
は、上記伝送線路端部の位置である。
（a)〜(c) は、本実施例１０による高アイソレーション
を有する伝送線路の製造方法を説明する図であり、図１
６におけるＢ−Ｂ線による断面図である。図中１１ａ
は、上記伝送線路端部の位置である。
【０１３１】まず、図１７（a)に示すように、上記実施
例１における図４（d)の状態から、上記伝送線路端１１
ａ部以外の領域をマスクした後、ＲＩＥ法により上記伝
送線路端部１１ａの上記埋め込み誘電体５を除去する。
次に図１７（b)に示すように該伝送線路端部１１ａに抵
抗成分を持つ誘電体１１（例えばＮｉＣｒ，ＷＳｉＮや
金属粉をまぜた誘電体）をＣＶＤ法により堆積する。最
後に導体線路３と地導体２を形成する（図１５（c)）。
例１における図４（d)の状態から、上記伝送線路端１１
ａ部以外の領域をマスクした後、ＲＩＥ法により上記伝
送線路端部１１ａの上記埋め込み誘電体５を除去する。
次に図１７（b)に示すように該伝送線路端部１１ａに抵
抗成分を持つ誘電体１１（例えばＮｉＣｒ，ＷＳｉＮや
金属粉をまぜた誘電体）をＣＶＤ法により堆積する。最
後に導体線路３と地導体２を形成する（図１５（c)）。
【０１３２】このような本実施例１０の高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路では、上記抵抗成分を持つ誘電体
１１の抵抗値を該伝送線路の特性インピーダンスに一致
させることにより、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成
する伝送線路を得ることができる。
ョンを有する伝送線路では、上記抵抗成分を持つ誘電体
１１の抵抗値を該伝送線路の特性インピーダンスに一致
させることにより、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成
する伝送線路を得ることができる。
【０１３３】実施例１１．図１８は本発明の実施例１１
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図１８において１２は良導体である。本実
施例１１における高アイソレーションを有する伝送線路
は、上記実施例１の伝送線路において、該伝送線路の端
部において、溝内に埋め込まれた上記埋め込み誘電体５
の上面部の一部を、良導体１２に置き換えたものであ
り、上記実施例１０と同様の方法で上記伝送線路端部１
１ａの上記埋め込み誘電体５を除去した後、該伝送線路
端部１１ａに良導体１２（例えばＡｕ，Ｃｕ）を蒸着、
リフトオフにより設け、最後に導体線路３と地導体２を
形成することにより得られる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図１８において１２は良導体である。本実
施例１１における高アイソレーションを有する伝送線路
は、上記実施例１の伝送線路において、該伝送線路の端
部において、溝内に埋め込まれた上記埋め込み誘電体５
の上面部の一部を、良導体１２に置き換えたものであ
り、上記実施例１０と同様の方法で上記伝送線路端部１
１ａの上記埋め込み誘電体５を除去した後、該伝送線路
端部１１ａに良導体１２（例えばＡｕ，Ｃｕ）を蒸着、
リフトオフにより設け、最後に導体線路３と地導体２を
形成することにより得られる。
【０１３４】このような本実施例１１の高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路では、該伝送線路３と第１の金属
膜４を良導体１２により電気的に短絡させるようにした
ので、超高周波伝送線路用ショート回路を構成する伝送
線路を得ることができる。
ョンを有する伝送線路では、該伝送線路３と第１の金属
膜４を良導体１２により電気的に短絡させるようにした
ので、超高周波伝送線路用ショート回路を構成する伝送
線路を得ることができる。
【０１３５】実施例１２．図１９は本発明の実施例１２
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例１２の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１の伝送線路において、導体
線路３の長さが下方にある埋め込み誘電体５及び第１の
金属膜４の長さより短くなるようにしたもので、これに
より超高周波用伝送線路オープンスタブを構成する伝送
線路を得ることができる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例１２の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１の伝送線路において、導体
線路３の長さが下方にある埋め込み誘電体５及び第１の
金属膜４の長さより短くなるようにしたもので、これに
より超高周波用伝送線路オープンスタブを構成する伝送
線路を得ることができる。
【０１３６】実施例１３．図２０は本発明の実施例１３
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例１３では、上記実施例１の伝送線
路において、該伝送線路をＴ型に分岐したものである。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例１３では、上記実施例１の伝送線
路において、該伝送線路をＴ型に分岐したものである。
【０１３７】本実施例１３は、上記実施例１において、
溝を形成する際、湿式エッチングやＲＩＥ法の場合はマ
スク開口部をＴ型にする、ダイシングソー等の機械加工
の場合はＴ型に切削すること、及び蒸着、リフトオフに
より導体線路３を形成する際はマスクをＴ型にすること
により、容易に形成することができる。
溝を形成する際、湿式エッチングやＲＩＥ法の場合はマ
スク開口部をＴ型にする、ダイシングソー等の機械加工
の場合はＴ型に切削すること、及び蒸着、リフトオフに
より導体線路３を形成する際はマスクをＴ型にすること
により、容易に形成することができる。
【０１３８】このような本実施例１３では、該伝送線路
をＴ型に分岐したので、Ｔ型分岐回路を構成する伝送線
路を得ることができる。
をＴ型に分岐したので、Ｔ型分岐回路を構成する伝送線
路を得ることができる。
【０１３９】実施例１４．図２１は本発明の実施例１４
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図２１において１３は接続用マイクロスト
リップ線路，１４は通常のマイクロストリップ線路であ
る。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図２１において１３は接続用マイクロスト
リップ線路，１４は通常のマイクロストリップ線路であ
る。
【０１４０】本実施例１４の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１の伝送線路と通常のマイク
ロストリップ線路１４とを接続するための構造である。
Ｚ01を該高アイソレーション伝送線路の特性インピーダ
ンス，Ｚ02を接続すべきマイクロストリップ線路の特性
インピーダンスとすると、Ｚｃ＝√Ｚ01×Ｚ02なる特性
インピーダンスを持ち、長さが１／４λの接続用マイク
ロストリップ線路１３で両者を接続したものである。
る伝送線路は、上記実施例１の伝送線路と通常のマイク
ロストリップ線路１４とを接続するための構造である。
Ｚ01を該高アイソレーション伝送線路の特性インピーダ
ンス，Ｚ02を接続すべきマイクロストリップ線路の特性
インピーダンスとすると、Ｚｃ＝√Ｚ01×Ｚ02なる特性
インピーダンスを持ち、長さが１／４λの接続用マイク
ロストリップ線路１３で両者を接続したものである。
【０１４１】本実施例１４は、まず図２１中の高アイソ
レーション領域Ｄに上記実施例１と同様の方法で、溝を
形成し、該溝内及び主平面上に第１の金属膜４を形成
し、その後埋め込み誘電体５を該溝内に埋め込む。最後
に、伝送線路を設置する際に導体線路３、接続用マイク
ロストリップ線路１３及び通常のマイクロストリップ線
路１４を蒸着、リフトオフにより同時に形成する。
レーション領域Ｄに上記実施例１と同様の方法で、溝を
形成し、該溝内及び主平面上に第１の金属膜４を形成
し、その後埋め込み誘電体５を該溝内に埋め込む。最後
に、伝送線路を設置する際に導体線路３、接続用マイク
ロストリップ線路１３及び通常のマイクロストリップ線
路１４を蒸着、リフトオフにより同時に形成する。
【０１４２】このような本実施例１４では、線路インピ
ーダンス整合回路を構成する伝送線路を得ることができ
る。
ーダンス整合回路を構成する伝送線路を得ることができ
る。
【０１４３】実施例１５．図２２は本発明の実施例１５
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図２２において１５は均一に導電性をもつ
誘電体である。本実施例１５の高アイソレーションを有
する伝送線路は、上記実施例１の伝送線路において、上
記溝に埋め込む埋め込み誘電体５を均一に導電性を持つ
誘電体１５としたものであり、例えばＮｉＣｒ，ＷＳｉ
Ｎや金属粉をまぜた誘電体を用いることにより容易に形
成することができる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。図２２において１５は均一に導電性をもつ
誘電体である。本実施例１５の高アイソレーションを有
する伝送線路は、上記実施例１の伝送線路において、上
記溝に埋め込む埋め込み誘電体５を均一に導電性を持つ
誘電体１５としたものであり、例えばＮｉＣｒ，ＷＳｉ
Ｎや金属粉をまぜた誘電体を用いることにより容易に形
成することができる。
【０１４４】このような本実施例１５では、線路が損失
を持つ超高周波用線路型減衰器を構成する伝送線路を得
ることができる。
を持つ超高周波用線路型減衰器を構成する伝送線路を得
ることができる。
【０１４５】実施例１６．図２３は、本発明の第１６の
実施例による高アイソレーションを有する伝送線路を示
す。図２３において、１６は基板１の主面上に形成され
た金属層である。つまり本実施例１６は、上記基板１の
主面上に形成した上記金属層１６の表面上に溝１０，１
０ａを形成し、該溝１０，１０ａ内に埋め込み誘電体５
を埋め込み、さらに該埋め込み誘電体５の上面に導体線
路３を設けたものである。
実施例による高アイソレーションを有する伝送線路を示
す。図２３において、１６は基板１の主面上に形成され
た金属層である。つまり本実施例１６は、上記基板１の
主面上に形成した上記金属層１６の表面上に溝１０，１
０ａを形成し、該溝１０，１０ａ内に埋め込み誘電体５
を埋め込み、さらに該埋め込み誘電体５の上面に導体線
路３を設けたものである。
【０１４６】次に、製造方法について説明する。図２４
(a) 〜(d) は、本実施例１６の高アイソレーションを有
する伝送線路の製造方法を説明する図である。
(a) 〜(d) は、本実施例１６の高アイソレーションを有
する伝送線路の製造方法を説明する図である。
【０１４７】まず図２４(a) に示すように金属層１６
（例えばＣｕ／Ｗ合金など）を半導体基板（例えばＧａ
Ｓｉ，Ｓｉ）や誘電体基板１（例えばセラミック）にＳ
ｉ系接着剤等を用いて接着する。次に図２４(b) に示す
ように該金属層１６の上面からヨウ素系エッチングまた
はイオンミリング、溝幅が大きい時はダイシングソー等
の機械加工により溝を形成する。次に、上記実施例１と
同様の方法で、埋め込み誘電体５を埋め込み（図２４
(c))、最後に、導体線路３となる金属膜と地導体２とな
る金属膜を形成することにより本実施例１６の伝送線路
が得られる（図２４(d))。
（例えばＣｕ／Ｗ合金など）を半導体基板（例えばＧａ
Ｓｉ，Ｓｉ）や誘電体基板１（例えばセラミック）にＳ
ｉ系接着剤等を用いて接着する。次に図２４(b) に示す
ように該金属層１６の上面からヨウ素系エッチングまた
はイオンミリング、溝幅が大きい時はダイシングソー等
の機械加工により溝を形成する。次に、上記実施例１と
同様の方法で、埋め込み誘電体５を埋め込み（図２４
(c))、最後に、導体線路３となる金属膜と地導体２とな
る金属膜を形成することにより本実施例１６の伝送線路
が得られる（図２４(d))。
【０１４８】このような本実施例１６の高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路では、図２３から明らかなよう
に、上記実施例１と同様の効果が得られる。
ョンを有する伝送線路では、図２３から明らかなよう
に、上記実施例１と同様の効果が得られる。
【０１４９】実施例１７．図２５は本発明の実施例１７
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。つまり本実施例１７は、上記実施例１６に
おいて、バイアホール９を介して上記基板１の上部に接
着した金属層１６の底部と該基板１の裏面に形成した地
導体２を電気的に接続したものである。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。つまり本実施例１７は、上記実施例１６に
おいて、バイアホール９を介して上記基板１の上部に接
着した金属層１６の底部と該基板１の裏面に形成した地
導体２を電気的に接続したものである。
【０１５０】次に製造方法について説明する。図２６
(a) 〜(c) は、本実施例１７による高アイソレーション
を有する伝送線路の製造方法を説明する図である。
(a) 〜(c) は、本実施例１７による高アイソレーション
を有する伝送線路の製造方法を説明する図である。
【０１５１】まず、上記実施例１６における図２４(c)
の状態から埋め込み誘電体５上に導体線路３となる金属
膜を形成（図２６(a））した後、上記基板裏面から金属
層１６の底部に向けて直径５０μｍ以上の貫通孔（バイ
アホール）９を形成する（図２６(b））。これは該基板
１が半導体の場合に有効な方法であり、ウェットもしく
はドライエッチング技術を用いて容易に形成できる。最
後に図２６(c) に示すように裏面からスパッタリング、
メッキ法などの手法を用いてバイアホール９内、及び上
記基板裏面をメタライズする。
の状態から埋め込み誘電体５上に導体線路３となる金属
膜を形成（図２６(a））した後、上記基板裏面から金属
層１６の底部に向けて直径５０μｍ以上の貫通孔（バイ
アホール）９を形成する（図２６(b））。これは該基板
１が半導体の場合に有効な方法であり、ウェットもしく
はドライエッチング技術を用いて容易に形成できる。最
後に図２６(c) に示すように裏面からスパッタリング、
メッキ法などの手法を用いてバイアホール９内、及び上
記基板裏面をメタライズする。
【０１５２】このような本実施例１７の高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路では、上記金属層１６を上記基板
裏面の地導体２と接続したので、理想的なグランド特性
を得ることができるので、より安定な伝送を行うことが
できる。
ョンを有する伝送線路では、上記金属層１６を上記基板
裏面の地導体２と接続したので、理想的なグランド特性
を得ることができるので、より安定な伝送を行うことが
できる。
【０１５３】実施例１８．図２７は本発明の実施例１８
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例１８は、上記実施例１６において
上記溝に埋め込む誘電体５として、溝１０，１０ａごと
に異なる誘電体材料５，５’を設けるようにし、その上
に導体線路３を形成するようにしたものである。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例１８は、上記実施例１６において
上記溝に埋め込む誘電体５として、溝１０，１０ａごと
に異なる誘電体材料５，５’を設けるようにし、その上
に導体線路３を形成するようにしたものである。
【０１５４】次に製造方法について説明する。図２８
(a) 〜(e) は、本実施例１８による高アイソレーション
を有する伝送線路の製造方法を説明する図である。
(a) 〜(e) は、本実施例１８による高アイソレーション
を有する伝送線路の製造方法を説明する図である。
【０１５５】まず、上記実施例１６における図２４（c)
の状態から、図２８(a) に示すように溝１０ａ部以外を
被うようにレジスト等の材料で保護膜２０を形成し、図
２８(b) に示すように溝１０ａ部の埋め込み誘電体５を
エッチングにより除去した後、異なる誘電体５’を全面
に形成する。次いで図２８(c) に示すように適当なエッ
チング技術を用いて所望の厚さになるまで該異なる誘電
体５’をエッチングする。次に上記保護膜２０を除去す
る（図２８(d))。保護膜２０の除去は、レジスト除去液
に浸漬すること等により行う。最後に導体線路３と地導
体２を形成することにより本実施例１８の伝送線路が得
られる（図２８(e) ）。
の状態から、図２８(a) に示すように溝１０ａ部以外を
被うようにレジスト等の材料で保護膜２０を形成し、図
２８(b) に示すように溝１０ａ部の埋め込み誘電体５を
エッチングにより除去した後、異なる誘電体５’を全面
に形成する。次いで図２８(c) に示すように適当なエッ
チング技術を用いて所望の厚さになるまで該異なる誘電
体５’をエッチングする。次に上記保護膜２０を除去す
る（図２８(d))。保護膜２０の除去は、レジスト除去液
に浸漬すること等により行う。最後に導体線路３と地導
体２を形成することにより本実施例１８の伝送線路が得
られる（図２８(e) ）。
【０１５６】このような本実施例１８の高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路では、同等の形状、サイズを有
し、かつ線路特性の異なる伝送線路を同一基板上に容
易，かつ高密度に配線することができる。
ョンを有する伝送線路では、同等の形状、サイズを有
し、かつ線路特性の異なる伝送線路を同一基板上に容
易，かつ高密度に配線することができる。
【０１５７】実施例１９．図２９は本発明の実施例１９
による高アイソレーションを有する伝送線路を示すの構
造を示す図である。つまり本実施例１９の構造は、上記
実施例１６の構造において第１の誘電体５と導体線路３
の上に第２の誘電体６をさらに形成し、また該第２の誘
電体６の上部及び側面に第２の金属膜８を形成し、該第
２の金属膜８を金属層１６に接続してなるものである。
による高アイソレーションを有する伝送線路を示すの構
造を示す図である。つまり本実施例１９の構造は、上記
実施例１６の構造において第１の誘電体５と導体線路３
の上に第２の誘電体６をさらに形成し、また該第２の誘
電体６の上部及び側面に第２の金属膜８を形成し、該第
２の金属膜８を金属層１６に接続してなるものである。
【０１５８】次に製造方法について説明する。図３０
(a) 〜(c) は、本実施例１９の高アイソレーションを有
する伝送線路の製造方法を説明する図である。
(a) 〜(c) は、本実施例１９の高アイソレーションを有
する伝送線路の製造方法を説明する図である。
【０１５９】まず、上記実施例１６における伝送線路に
おいて、図３０(a) に示すように上記第２の誘電体６を
ＣＶＤ法により全面堆積し、溝の上部に堆積した部分を
マスクをした後、ＲＩＥ法により他の領域の上記第２の
誘電体６を除去する（図３０(b) ）。次に形成した該第
２の誘電体６の上面及び側面に上記第２の金属膜８をス
パッタリング等で形成する（図３０(c))。
おいて、図３０(a) に示すように上記第２の誘電体６を
ＣＶＤ法により全面堆積し、溝の上部に堆積した部分を
マスクをした後、ＲＩＥ法により他の領域の上記第２の
誘電体６を除去する（図３０(b) ）。次に形成した該第
２の誘電体６の上面及び側面に上記第２の金属膜８をス
パッタリング等で形成する（図３０(c))。
【０１６０】このような本実施例１９の高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路では、上記第２の金属膜８を設け
て導体線路３を密閉したことにより、さらに電磁界の閉
じ込め効果に優れたものとなり、横方向のみならず上方
向への漏洩も防ぐこととができるので、これにより該伝
送線路の伝送効率を大きく向上させることができる。
ョンを有する伝送線路では、上記第２の金属膜８を設け
て導体線路３を密閉したことにより、さらに電磁界の閉
じ込め効果に優れたものとなり、横方向のみならず上方
向への漏洩も防ぐこととができるので、これにより該伝
送線路の伝送効率を大きく向上させることができる。
【０１６１】実施例２０．図３１は本発明の実施例２０
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。つまり本実施例２０の高アイソレーション
を有する伝送線路は、上記実施例１７記載の伝送線路に
おいて、上記埋め込み誘電体５，及び導体線路３に接し
てその上に第２の誘電体６を形成し、該第２の誘電体６
の上部，及び側面部に接して第２の金属膜８を形成し、
該第２の金属膜８を金属層１６と接続するようにしたも
のであり、これにより上記実施例５と同様の効果が得ら
れる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。つまり本実施例２０の高アイソレーション
を有する伝送線路は、上記実施例１７記載の伝送線路に
おいて、上記埋め込み誘電体５，及び導体線路３に接し
てその上に第２の誘電体６を形成し、該第２の誘電体６
の上部，及び側面部に接して第２の金属膜８を形成し、
該第２の金属膜８を金属層１６と接続するようにしたも
のであり、これにより上記実施例５と同様の効果が得ら
れる。
【０１６２】実施例２１．図３２は本発明の実施例２１
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。つまり本実施例２１の高アイソレーション
を有する伝送線路は、上記実施例１８記載の伝送線路に
おいて、第１の埋め込み誘電体５、及びこれと異なる材
料による誘電体５’と導体線路３の上に第２の誘電体６
を形成し、さらに該第２の誘電体６の上部及び側面に第
２の金属膜８を形成し、該第２の金属膜８を先に形成し
た金属層１６に接続するようにしたものであり、これに
より上記実施例６と同様の効果が得られる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。つまり本実施例２１の高アイソレーション
を有する伝送線路は、上記実施例１８記載の伝送線路に
おいて、第１の埋め込み誘電体５、及びこれと異なる材
料による誘電体５’と導体線路３の上に第２の誘電体６
を形成し、さらに該第２の誘電体６の上部及び側面に第
２の金属膜８を形成し、該第２の金属膜８を先に形成し
た金属層１６に接続するようにしたものであり、これに
より上記実施例６と同様の効果が得られる。
【０１６３】実施例２２．図３３は本発明の実施例２２
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２２は、上記実施例１９の伝送線
路を、第２の誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸
漬し選択的に除去することにより、空気層７に置き換え
たものであり、上記実施例７と同様の効果が得られる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２２は、上記実施例１９の伝送線
路を、第２の誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸
漬し選択的に除去することにより、空気層７に置き換え
たものであり、上記実施例７と同様の効果が得られる。
【０１６４】実施例２３．図３４は本発明の実施例２３
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２３は、上記実施例２０の伝送線
路を、第２の誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸
漬し選択的に除去することにより、空気層７に置き換え
たものであり、上記実施例８と同様の効果が得られる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２３は、上記実施例２０の伝送線
路を、第２の誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸
漬し選択的に除去することにより、空気層７に置き換え
たものであり、上記実施例８と同様の効果が得られる。
【０１６５】実施例２４．図３５は本発明の実施例２４
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２４は、上記実施例２１の伝送線
路を、第２の誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸
漬し選択的に除去することにより、空気層７に置き換え
たものであり、上記実施例９と同様の効果が得られる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２４は、上記実施例２１の伝送線
路を、第２の誘電体６のみを溶解するエッチング液に浸
漬し選択的に除去することにより、空気層７に置き換え
たものであり、上記実施例９と同様の効果が得られる。
【０１６６】実施例２５．図３６は本発明の実施例２５
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２５における高アイソレーション
を有する伝送線路では、上記実施例１６の伝送線路にお
いて、上記実施例１０と同様の方法で該伝送線路端に位
置する埋め込み誘電体を抵抗成分を持つ誘電体１１（例
えばＮｉＣｒ，ＷＳｉＮや金属粉をまぜた誘電体）にお
きかえ、該抵抗成分を持つ誘電体１１の抵抗値を上記伝
送線路の特性インピーダンスに一致させるようにしたの
で、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する伝送線路を
得ることができる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２５における高アイソレーション
を有する伝送線路では、上記実施例１６の伝送線路にお
いて、上記実施例１０と同様の方法で該伝送線路端に位
置する埋め込み誘電体を抵抗成分を持つ誘電体１１（例
えばＮｉＣｒ，ＷＳｉＮや金属粉をまぜた誘電体）にお
きかえ、該抵抗成分を持つ誘電体１１の抵抗値を上記伝
送線路の特性インピーダンスに一致させるようにしたの
で、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する伝送線路を
得ることができる。
【０１６７】実施例２６．図３７は本発明の実施例２６
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２６における高アイソレーション
を有する伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路におい
て、上記実施例１１と同様の方法により、該伝送線路の
端部において、溝内に埋め込まれた上記埋め込み誘電体
５の上面部の一部を良導体１２（例えＡｕ，Ｃｕ）に置
き換え、該伝送線路３と金属層１６を電気的に短絡させ
るようにしたものであり、超高周波伝送線路用ショート
回路を構成する伝送線路を得ることができる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２６における高アイソレーション
を有する伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路におい
て、上記実施例１１と同様の方法により、該伝送線路の
端部において、溝内に埋め込まれた上記埋め込み誘電体
５の上面部の一部を良導体１２（例えＡｕ，Ｃｕ）に置
き換え、該伝送線路３と金属層１６を電気的に短絡させ
るようにしたものであり、超高周波伝送線路用ショート
回路を構成する伝送線路を得ることができる。
【０１６８】実施例２７．図３８は本発明の実施例２７
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２７の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路において、上
記実施例１２と同様に該伝送線路３の長さが下方にある
埋め込み誘電体５及び第１の金属膜４の長さより短くな
るようにしたものであり、これにより超高周波用伝送線
路オープンスタブを構成する伝送線路を得ることができ
る。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２７の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路において、上
記実施例１２と同様に該伝送線路３の長さが下方にある
埋め込み誘電体５及び第１の金属膜４の長さより短くな
るようにしたものであり、これにより超高周波用伝送線
路オープンスタブを構成する伝送線路を得ることができ
る。
【０１６９】実施例２８．図３９は本発明の実施例２８
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２８は、上記実施例１６の伝送線
路において、上記実施例１３と同様の方法で該伝送線路
をＴ型に分岐するようにしたものであり、これによりＴ
型分岐回路を構成する伝送線路を得ることができる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２８は、上記実施例１６の伝送線
路において、上記実施例１３と同様の方法で該伝送線路
をＴ型に分岐するようにしたものであり、これによりＴ
型分岐回路を構成する伝送線路を得ることができる。
【０１７０】実施例２９．図４０は本発明の実施例２９
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２９の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路と通常のマイ
クロストリップ線路１６とを接続するための構造であ
る。Ｚ01を該高アイソレーション伝送線路の特性インピ
ーダンス，Ｚ02を接続すべきマイクロストリップ線路の
特性インピーダンスとするとＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02なる特
性インピーダンスを持ち、長さが１／４λの接続用マイ
クロストリップ線路１３で両者を接続したものである。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例２９の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路と通常のマイ
クロストリップ線路１６とを接続するための構造であ
る。Ｚ01を該高アイソレーション伝送線路の特性インピ
ーダンス，Ｚ02を接続すべきマイクロストリップ線路の
特性インピーダンスとするとＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02なる特
性インピーダンスを持ち、長さが１／４λの接続用マイ
クロストリップ線路１３で両者を接続したものである。
【０１７１】本実施例２９は、まず図４０中の基板１の
高アイソレーション領域Ｄ部を適当なエッチング技術に
より除去し、該除去した部分に金属層１６を接着する。
その後、高アイソレーション領域Ｅにおいて、上記実施
例１６と同様の方法で、溝を形成し、該溝内に埋め込み
誘電体５を埋め込む。最後に、伝送線路を設置する際に
導体線路３、接続用マイクロストリップ線路１３、及び
通常のマイクロストリップ線路１４を蒸着、リフトオフ
により同時に形成する。
高アイソレーション領域Ｄ部を適当なエッチング技術に
より除去し、該除去した部分に金属層１６を接着する。
その後、高アイソレーション領域Ｅにおいて、上記実施
例１６と同様の方法で、溝を形成し、該溝内に埋め込み
誘電体５を埋め込む。最後に、伝送線路を設置する際に
導体線路３、接続用マイクロストリップ線路１３、及び
通常のマイクロストリップ線路１４を蒸着、リフトオフ
により同時に形成する。
【０１７２】このような本実施例２９では、線路インピ
ーダンス整合回路を構成する伝送線路を得ることができ
る。
ーダンス整合回路を構成する伝送線路を得ることができ
る。
【０１７３】実施例３０．図４１は本発明の実施例３０
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例３０の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路において、上
記実施例１５と同様の方法で、上記溝に埋め込む埋め込
み誘電体５を均一に導電性を持つ誘電体１５としたもの
であり、これにより線路が損失を持つ超高周波用線路型
減衰器を構成する伝送線路を得ることができる。
による高アイソレーションを有する伝送線路の構造を示
す図である。本実施例３０の高アイソレーションを有す
る伝送線路は、上記実施例１６の伝送線路において、上
記実施例１５と同様の方法で、上記溝に埋め込む埋め込
み誘電体５を均一に導電性を持つ誘電体１５としたもの
であり、これにより線路が損失を持つ超高周波用線路型
減衰器を構成する伝送線路を得ることができる。
【０１７４】
【発明の効果】以上のようにこの発明（請求項１）にか
かる伝送線路によれば、誘電体基板もしくは半絶縁性基
板上に配線導体を有してなる伝送線路において、上記基
板の主面に溝を形成し、該溝の底部，及び側面部の各表
面に第１の金属膜を形成し、上記溝内に上記第１の金属
膜に接して上記基板と同一の、または異なる誘電率を持
つ誘電体を埋め込み、該誘電体の最上部に配線導体膜を
形成し、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成したの
で、サイドグランドウォールが電磁界の横方向への漏洩
を防ぐこととなり、これにより隣合う線路間の距離を極
めて小さくでき、なおかつ上記埋め込み誘電体厚を制御
することにより、基板厚は任意のまま電磁波高次モード
の発生を回避することができる効果がある。
かる伝送線路によれば、誘電体基板もしくは半絶縁性基
板上に配線導体を有してなる伝送線路において、上記基
板の主面に溝を形成し、該溝の底部，及び側面部の各表
面に第１の金属膜を形成し、上記溝内に上記第１の金属
膜に接して上記基板と同一の、または異なる誘電率を持
つ誘電体を埋め込み、該誘電体の最上部に配線導体膜を
形成し、上記基板の裏面に接地用金属膜を形成したの
で、サイドグランドウォールが電磁界の横方向への漏洩
を防ぐこととなり、これにより隣合う線路間の距離を極
めて小さくでき、なおかつ上記埋め込み誘電体厚を制御
することにより、基板厚は任意のまま電磁波高次モード
の発生を回避することができる効果がある。
【０１７５】またこの発明（請求項２）にかかる伝送線
路によれば、上記請求項１に記載の伝送線路において、
上記溝の底部の表面に形成した第１の金属膜を、上記基
板の裏面から形成した貫通孔を介して接地したので、理
想的なグラウンド特性が得られる効果がある。
路によれば、上記請求項１に記載の伝送線路において、
上記溝の底部の表面に形成した第１の金属膜を、上記基
板の裏面から形成した貫通孔を介して接地したので、理
想的なグラウンド特性が得られる効果がある。
【０１７６】またこの発明（請求項３）にかかる伝送線
路によれば、請求項１記載の伝送線路において、１つの
上記基板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配
線導体からなる伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に
１つの接地用金属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め
込む誘電体材料として、溝間で相互に異なる、２種類以
上の誘電体材料を設けたので、これにより線路特性の異
なる伝送線路を、線路間距離を極めて小さく設けること
ができできる効果がある。
路によれば、請求項１記載の伝送線路において、１つの
上記基板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配
線導体からなる伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に
１つの接地用金属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め
込む誘電体材料として、溝間で相互に異なる、２種類以
上の誘電体材料を設けたので、これにより線路特性の異
なる伝送線路を、線路間距離を極めて小さく設けること
ができできる効果がある。
【０１７７】またこの発明（請求項４）にかかる伝送線
路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上記
埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の
誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部ノ
各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜
を上記第１の金属膜と接続したので、該伝送線路は該金
属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向へ
の漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイソ
レーションが得られ、伝送効率を良くすることができる
効果がある。
路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上記
埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の
誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部ノ
各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜
を上記第１の金属膜と接続したので、該伝送線路は該金
属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向へ
の漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイソ
レーションが得られ、伝送効率を良くすることができる
効果がある。
【０１７８】またこの発明（請求項５）にかかる伝送線
路によれば、請求項２記載の伝送線路において、上記埋
め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘
電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各
表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を
上記第１の金属膜と接続したので、理想的なグラウンド
特性の状態で、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をよ
り良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーション
が得られ、伝送効率を良くすることができる効果があ
る。
路によれば、請求項２記載の伝送線路において、上記埋
め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘
電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の各
表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜を
上記第１の金属膜と接続したので、理想的なグラウンド
特性の状態で、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をよ
り良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーション
が得られ、伝送効率を良くすることができる効果があ
る。
【０１７９】またこの発明（請求項６）にかかる伝送線
路によれば、請求項３に記載の伝送線路において、上記
埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の
誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の
各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜
を上記第１の金属膜と接続したので、該伝送線路は該金
属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向へ
の漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイソ
レーションが得られ、線路特性の異なる伝送線路の各々
の伝送効率もよくすることができる効果がある。
路によれば、請求項３に記載の伝送線路において、上記
埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の
誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部の
各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜
を上記第１の金属膜と接続したので、該伝送線路は該金
属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向へ
の漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイソ
レーションが得られ、線路特性の異なる伝送線路の各々
の伝送効率もよくすることができる効果がある。
【０１８０】またこの発明（請求項７）にかかる伝送線
路によれば、請求項４ないし６のいずれかに記載の伝送
線路において、上記第２の誘電体を空気層により置き換
えたので、該伝送線路は誘電率が小さくなり電磁波の減
衰を小さくすることができる効果がある。
路によれば、請求項４ないし６のいずれかに記載の伝送
線路において、上記第２の誘電体を空気層により置き換
えたので、該伝送線路は誘電率が小さくなり電磁波の減
衰を小さくすることができる効果がある。
【０１８１】またこの発明（請求項８）にかかる伝送線
路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の
上面部の一部に変えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝
送線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝
送線路の特性インピーダンス値に一致させたので、超高
周波伝送線路用終端抵抗を構成している伝送線路を得る
ことができる効果がある。
路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電体の
上面部の一部に変えて導電性を持つ誘電体を設け、該伝
送線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上記伝
送線路の特性インピーダンス値に一致させたので、超高
周波伝送線路用終端抵抗を構成している伝送線路を得る
ことができる効果がある。
【０１８２】またこの発明（請求項９）にかかる伝送線
路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上記
溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一部に代えて金属を
設け、該伝送線路端部の金属部により、上記配線導体膜
と上記第１の金属膜を電気的に短絡させたので、超高周
波伝送線路用ショート回路を構成している伝送線路を得
ることができる効果がある。
路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上記
溝内に埋め込んだ誘電体の上面部の一部に代えて金属を
設け、該伝送線路端部の金属部により、上記配線導体膜
と上記第１の金属膜を電気的に短絡させたので、超高周
波伝送線路用ショート回路を構成している伝送線路を得
ることができる効果がある。
【０１８３】またこの発明（請求項１０）にかかる伝送
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上
記配線導体膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたの
で、超高周波用伝送線路オープンスタブを構成している
伝送線路を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上
記配線導体膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたの
で、超高周波用伝送線路オープンスタブを構成している
伝送線路を得ることができる効果がある。
【０１８４】またこの発明（請求項１１）にかかる伝送
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上
記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に
分岐させたので、Ｔ型分岐回路を構成している伝送線路
を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上
記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に
分岐させたので、Ｔ型分岐回路を構成している伝送線路
を得ることができる効果がある。
【０１８５】またこの発明（請求項１２）にかかる伝送
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、そ
の近傍に配置したマイクロストリップ線路と、それとの
間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は
埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイ
クロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イ
ンピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介して、
接続したので、線路インピーダンス整合回路を構成して
いる伝送線路を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、そ
の近傍に配置したマイクロストリップ線路と、それとの
間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は
埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイ
クロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イ
ンピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介して、
接続したので、線路インピーダンス整合回路を構成して
いる伝送線路を得ることができる効果がある。
【０１８６】またこの発明（請求項１３）にかかる伝送
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上
記溝の内部に埋め込んだ上記誘電体を、均一に導電性を
持つものとしたので、超高周波用線路型減衰器を構成し
ている伝送線路を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１に記載の伝送線路において、上
記溝の内部に埋め込んだ上記誘電体を、均一に導電性を
持つものとしたので、超高周波用線路型減衰器を構成し
ている伝送線路を得ることができる効果がある。
【０１８７】またこの発明（請求項１４）にかかる伝送
線路によれば、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配
線導体を有してなる伝送線路において、上記基板の主面
上に金属層を形成し、上記金属層の表面に溝を形成し、
上記溝内に上記基板と同一の、または異なる誘電率を持
つ誘電体を埋め込み、該誘電体の上面に配線用導体膜を
形成したので、上記金属層に設けた溝側面部が電磁界の
横方向への漏洩を防ぐこととなり、これにより隣合う線
路間の距離を極めて小さくでき、なおかつ上記電磁波閉
じ込め用誘電体厚を制御することにより基板厚は任意の
まま、電磁波高次モードの発生を回避することができる
効果がある。
線路によれば、誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配
線導体を有してなる伝送線路において、上記基板の主面
上に金属層を形成し、上記金属層の表面に溝を形成し、
上記溝内に上記基板と同一の、または異なる誘電率を持
つ誘電体を埋め込み、該誘電体の上面に配線用導体膜を
形成したので、上記金属層に設けた溝側面部が電磁界の
横方向への漏洩を防ぐこととなり、これにより隣合う線
路間の距離を極めて小さくでき、なおかつ上記電磁波閉
じ込め用誘電体厚を制御することにより基板厚は任意の
まま、電磁波高次モードの発生を回避することができる
効果がある。
【０１８８】またこの発明（請求項１５）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４記載の伝送線路において、上
記基板の上部に形成した金属層を、該基板の裏面から形
成した貫通孔を介して接地したので、理想的なグラウン
ド特性が得られる効果がある。
線路によれば、請求項１４記載の伝送線路において、上
記基板の上部に形成した金属層を、該基板の裏面から形
成した貫通孔を介して接地したので、理想的なグラウン
ド特性が得られる効果がある。
【０１８９】またこの発明（請求項１６）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４記載の伝送線路において、１
つの上記金属層内に、上記溝，誘電体，及び配線導体か
らなる伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの接
地用金属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電
体材料として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電
体材料を設けたので、これにより線路特性の異なる伝送
線路を、線路間距離を極めて小さく設けることができで
きる効果がある。
線路によれば、請求項１４記載の伝送線路において、１
つの上記金属層内に、上記溝，誘電体，及び配線導体か
らなる伝送線路を複数設け、上記基板の裏面に１つの接
地用金属膜を形成し、上記複数の各溝内に埋め込む誘電
体材料として、溝間で相互に異なる、２種類以上の誘電
体材料を設けたので、これにより線路特性の異なる伝送
線路を、線路間距離を極めて小さく設けることができで
きる効果がある。
【０１９０】またこの発明（請求項１７）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４記載の伝送線路において、上
記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２
の誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部
の各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属
膜を上記金属層と接続したので、該伝送線路は該第２の
金属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向
への漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイ
ソレーションが得られ、伝送効率も良くすることができ
る効果がある。
線路によれば、請求項１４記載の伝送線路において、上
記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２
の誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部
の各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属
膜を上記金属層と接続したので、該伝送線路は該第２の
金属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向
への漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイ
ソレーションが得られ、伝送効率も良くすることができ
る効果がある。
【０１９１】またこの発明（請求項１８）にかかる伝送
線路によれば、請求項１５記載の伝送線路において、上
記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２
の誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部
の各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属
膜を上記金属層と接続したので、理想的なグラウンド特
性の状態で、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、伝送効率も良くすることができる効果がある。
線路によれば、請求項１５記載の伝送線路において、上
記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２
の誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部
の各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属
膜を上記金属層と接続したので、理想的なグラウンド特
性の状態で、電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより
良く防ぐこととなり、これにより高アイソレーションが
得られ、伝送効率も良くすることができる効果がある。
【０１９２】またこの発明（請求項１９）にかかる伝送
線路によれば、請求項１６記載の伝送線路において、上
記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２
の誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部
の各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属
膜を上記金属層と接続したので、該伝送線路は該第２の
金属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向
への漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイ
ソレーションが得られ、線路特性の異なる伝送線路の各
々の伝送効率もよくすることができる効果がある。
線路によれば、請求項１６記載の伝送線路において、上
記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２
の誘電体を形成し、該第２の誘電体の上部，及び側面部
の各表面に接して第２の金属膜を形成し、該第２の金属
膜を上記金属層と接続したので、該伝送線路は該第２の
金属膜により密閉される為、電磁界の横方向及び上方向
への漏洩をより良く防ぐこととなり、これにより高アイ
ソレーションが得られ、線路特性の異なる伝送線路の各
々の伝送効率もよくすることができる効果がある。
【０１９３】またこの発明（請求項２０）にかかる伝送
線路によれば、請求項１７ないし１９のいずれかに記載
の伝送線路において、上記第２の誘電体を空気層により
置き換えたので、該伝送線路は誘電率が小さくなり電磁
波の減衰を小さくすることができる効果がある。
線路によれば、請求項１７ないし１９のいずれかに記載
の伝送線路において、上記第２の誘電体を空気層により
置き換えたので、該伝送線路は誘電率が小さくなり電磁
波の減衰を小さくすることができる効果がある。
【０１９４】またこの発明（請求項２１）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電
体の上面部の一部に代えて導電性を持つ誘電体を設け、
該伝送線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上
記伝送線路の特性インピーダンス値に一致させたので、
超高周波伝送線路用終端抵抗を構成している伝送線路を
得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電
体の上面部の一部に代えて導電性を持つ誘電体を設け、
該伝送線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分を、上
記伝送線路の特性インピーダンス値に一致させたので、
超高周波伝送線路用終端抵抗を構成している伝送線路を
得ることができる効果がある。
【０１９５】またこの発明（請求項２２）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電
体の上面部の一部に代えて金属を設け、該伝送線路端部
の金属部により、上記配線金属膜と上記金属層を電気的
に短絡させたので、超高周波伝送線路用ショート回路を
構成している伝送線路を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込んだ誘電
体の上面部の一部に代えて金属を設け、該伝送線路端部
の金属部により、上記配線金属膜と上記金属層を電気的
に短絡させたので、超高周波伝送線路用ショート回路を
構成している伝送線路を得ることができる効果がある。
【０１９６】またこの発明（請求項２３）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
上記配線金属膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたの
で、超高周波用伝送線路オープンスタブを構成している
伝送線路を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
上記配線金属膜の長さを上記溝の長さよりも短くしたの
で、超高周波用伝送線路オープンスタブを構成している
伝送線路を得ることができる効果がある。
【０１９７】またこの発明（請求項２４）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
上記溝，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたの
で、Ｔ型分岐回路を構成している伝送線路を得ることが
できる効果がある。
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
上記溝，誘電体，及び配線金属膜をＴ型に分岐させたの
で、Ｔ型分岐回路を構成している伝送線路を得ることが
できる効果がある。
【０１９８】またこの発明（請求項２５）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
その近傍に配置したマイクロストリップ線路と、それと
の間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01
は埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマ
イクロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性
インピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介し
て、接続したので、線路インピーダンス整合回路を構成
する伝送線路を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
その近傍に配置したマイクロストリップ線路と、それと
の間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01
は埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマ
イクロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性
インピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介し
て、接続したので、線路インピーダンス整合回路を構成
する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０１９９】またこの発明（請求項２６）にかかる伝送
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
上記溝の内部に設置した上記誘電体を、均一に導電性を
持つものとしたので、超高周波用線路型減衰器を構成し
ている伝送線路を得ることができる効果がある。
線路によれば、請求項１４に記載の伝送線路において、
上記溝の内部に設置した上記誘電体を、均一に導電性を
持つものとしたので、超高周波用線路型減衰器を構成し
ている伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２００】またこの発明（請求項２７）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有して
なる伝送線路を製造する方法において、上記基板の主面
に溝を形成する工程と、該溝の底部、側面部の各表面に
第１の金属膜を形成する工程と、上記溝内に上記第１の
金属膜に接して上記基板と同一の、または異なる誘電率
を持つ誘電体を埋め込む工程と、該誘電体の最上部に配
線導体膜を形成する工程と、上記基板の裏面に接地用金
属膜を形成する工程とを含むものとしたので、サイドグ
ランドウォールにより電磁界の横方向への漏洩を防ぐこ
とができ、これにより隣合う線路間の距離を極めて小さ
くできる。なおかつ上記埋め込み誘電体厚を制御するこ
とにより、基板厚は任意のまま電磁波高次モードの発生
を回避することができる高アイソレーションを有する伝
送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有して
なる伝送線路を製造する方法において、上記基板の主面
に溝を形成する工程と、該溝の底部、側面部の各表面に
第１の金属膜を形成する工程と、上記溝内に上記第１の
金属膜に接して上記基板と同一の、または異なる誘電率
を持つ誘電体を埋め込む工程と、該誘電体の最上部に配
線導体膜を形成する工程と、上記基板の裏面に接地用金
属膜を形成する工程とを含むものとしたので、サイドグ
ランドウォールにより電磁界の横方向への漏洩を防ぐこ
とができ、これにより隣合う線路間の距離を極めて小さ
くできる。なおかつ上記埋め込み誘電体厚を制御するこ
とにより、基板厚は任意のまま電磁波高次モードの発生
を回避することができる高アイソレーションを有する伝
送線路を得ることができる効果がある。
【０２０１】またこの発明（請求項２８）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７記載の伝送線路の製造方法において、上記溝
の底部の表面に形成した第１の金属膜を、上記基板の裏
面から形成した貫通孔を介して接地する工程を含むもの
としたので、理想的なグラウンド特性の、高アイソレー
ションを有する伝送線路を得ることができる効果があ
る。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７記載の伝送線路の製造方法において、上記溝
の底部の表面に形成した第１の金属膜を、上記基板の裏
面から形成した貫通孔を介して接地する工程を含むもの
としたので、理想的なグラウンド特性の、高アイソレー
ションを有する伝送線路を得ることができる効果があ
る。
【０２０２】またこの発明（請求項２９）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７記載の伝送線路の製造方法において、１つの
上記基板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配
線導体からなる伝送線路を複数形成する工程と、上記基
板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程と、上記
複数の各溝に溝間で相互に異なる誘電体材料を埋め込む
工程とを含むものとしたので、線路特性の異なる複数の
伝送線路を、その線路間距離を極めて小さく設けること
ができる、高アイソレーションを有する伝送線路を得る
ことができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７記載の伝送線路の製造方法において、１つの
上記基板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配
線導体からなる伝送線路を複数形成する工程と、上記基
板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程と、上記
複数の各溝に溝間で相互に異なる誘電体材料を埋め込む
工程とを含むものとしたので、線路特性の異なる複数の
伝送線路を、その線路間距離を極めて小さく設けること
ができる、高アイソレーションを有する伝送線路を得る
ことができる効果がある。
【０２０３】またこの発明（請求項３０）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７記載の伝送線路の製造方法において、上記埋
め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘
電体を形成する工程と、該第２の誘電体の上部，及び側
面部の各表面に接して第２の金属膜を、上記第１の金属
膜と接続されるよう形成する工程とを含むものとしたの
で、該伝送線路は該第２の金属膜により密閉される為、
電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐこと
ができ、これにより伝送効率の良い、高アイソレーショ
ンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７記載の伝送線路の製造方法において、上記埋
め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘
電体を形成する工程と、該第２の誘電体の上部，及び側
面部の各表面に接して第２の金属膜を、上記第１の金属
膜と接続されるよう形成する工程とを含むものとしたの
で、該伝送線路は該第２の金属膜により密閉される為、
電磁界の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐこと
ができ、これにより伝送効率の良い、高アイソレーショ
ンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２０４】またこの発明（請求項３１）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
その抵抗分が上記伝送線路の特性インピーダンス値と一
致する導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とを含むもの
としたので、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する、
高アイソレーションを有する伝送線路を得ることができ
る効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
その抵抗分が上記伝送線路の特性インピーダンス値と一
致する導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とを含むもの
としたので、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する、
高アイソレーションを有する伝送線路を得ることができ
る効果がある。
【０２０５】またこの発明（請求項３２）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
上記配線導体膜と上記第１の金属膜を電気的に短絡させ
る金属を埋め込む工程とを含むものとしたので、超高周
波伝送線路用ショート回路を構成する、高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
上記配線導体膜と上記第１の金属膜を電気的に短絡させ
る金属を埋め込む工程とを含むものとしたので、超高周
波伝送線路用ショート回路を構成する、高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２０６】またこの発明（請求項３３）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程は、上記誘
電体の最上部に上記溝の長さより短い配線導体膜を形成
する工程としたので、超高周波用伝送線路オープンスタ
ブを構成する、高アイソレーションを有する伝送線路を
得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程は、上記誘
電体の最上部に上記溝の長さより短い配線導体膜を形成
する工程としたので、超高周波用伝送線路オープンスタ
ブを構成する、高アイソレーションを有する伝送線路を
得ることができる効果がある。
【０２０７】またこの発明（請求項３４）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体膜を形成する
工程は、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体
膜をＴ型に形成する工程としたので、Ｔ型分岐回路を構
成する、高アイソレーションを有する伝送線路を得るこ
とができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体膜を形成する
工程は、上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体
膜をＴ型に形成する工程としたので、Ｔ型分岐回路を構
成する、高アイソレーションを有する伝送線路を得るこ
とができる効果がある。
【０２０８】またこの発明（請求項３５）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、その
近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それとの
間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は
埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイ
クロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イ
ンピーダンスを持つマイクロストリップ線路を形成し、
該線路を介して接続する工程を含むものとしたので、線
路インピーダンス整合回路を構成する、高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、その
近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それとの
間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は
埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイ
クロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イ
ンピーダンスを持つマイクロストリップ線路を形成し、
該線路を介して接続する工程を含むものとしたので、線
路インピーダンス整合回路を構成する、高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２０９】またこの発明（請求項３６）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一のまた
は異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程は、上記溝
内に上記第１の金属膜に接して均一に導電性を持つ誘電
体を埋め込む工程としたので超高周波用線路型減衰器を
構成する、高アイソレーションを有する伝送線路を得る
ことができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項２７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一のまた
は異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程は、上記溝
内に上記第１の金属膜に接して均一に導電性を持つ誘電
体を埋め込む工程としたので超高周波用線路型減衰器を
構成する、高アイソレーションを有する伝送線路を得る
ことができる効果がある。
【０２１０】またこの発明（請求項３７）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有して
なる伝送線路を製造する方法において、上記基板の主面
上に金属層を形成する工程と、該金属層の表面に溝を形
成する工程と、該溝内に上記基板と同一または異なる誘
電率を持つ誘電体を埋め込む工程と、該誘電体の最上部
に配線用導体膜を形成する工程と、上記基板の裏面に接
地用金属膜を形成する工程とを含むものとしたので、サ
イドグランドウォールにより、電磁界の横方向への漏洩
を防ぐことができ、これにより隣合う線路間の距離を極
めて小さくできる。なおかつ上記埋め込み誘電体厚を制
御することにより、基板厚は任意のまま電磁波高次モー
ドの発生を回避することができる、高アイソレーション
を有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配線導体を有して
なる伝送線路を製造する方法において、上記基板の主面
上に金属層を形成する工程と、該金属層の表面に溝を形
成する工程と、該溝内に上記基板と同一または異なる誘
電率を持つ誘電体を埋め込む工程と、該誘電体の最上部
に配線用導体膜を形成する工程と、上記基板の裏面に接
地用金属膜を形成する工程とを含むものとしたので、サ
イドグランドウォールにより、電磁界の横方向への漏洩
を防ぐことができ、これにより隣合う線路間の距離を極
めて小さくできる。なおかつ上記埋め込み誘電体厚を制
御することにより、基板厚は任意のまま電磁波高次モー
ドの発生を回避することができる、高アイソレーション
を有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２１１】またこの発明（請求項３８）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７記載の伝送線路の製造方法において、上記基
板の上部に形成した金属層を、該基板の裏面から形成し
た貫通孔を介して接地する工程を含むものとしたので、
理想的なグラウンド特性の、高アイソレーションを有す
る伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７記載の伝送線路の製造方法において、上記基
板の上部に形成した金属層を、該基板の裏面から形成し
た貫通孔を介して接地する工程を含むものとしたので、
理想的なグラウンド特性の、高アイソレーションを有す
る伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２１２】またこの発明（請求項３９）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７記載の伝送線路の製造方法において、１つの
上記基板上に、上記溝，誘電体，及び配線導体からなる
伝送線路を複数形成する工程と、上記基板の裏面に１つ
の接地用金属膜を形成する工程と、上記複数の各溝に溝
間で相互に異なる誘電体材料を埋め込む工程とを含むも
のとしたので、線路特性の異なる複数の伝送線路を、そ
の線路間距離を極めて小さく設けることができる、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる効
果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７記載の伝送線路の製造方法において、１つの
上記基板上に、上記溝，誘電体，及び配線導体からなる
伝送線路を複数形成する工程と、上記基板の裏面に１つ
の接地用金属膜を形成する工程と、上記複数の各溝に溝
間で相互に異なる誘電体材料を埋め込む工程とを含むも
のとしたので、線路特性の異なる複数の伝送線路を、そ
の線路間距離を極めて小さく設けることができる、高ア
イソレーションを有する伝送線路を得ることができる効
果がある。
【０２１３】またこの発明（請求項４０）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７記載の伝送線路の製造方法において、上記埋
め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘
電体を形成する工程と、該第２の誘電体の上部，及び側
面部の各表面に接して第２の金属膜を、上記金属層と接
続されるよう形成する工程とを含むものとしたので、該
伝送線路は該第２の金属膜により密閉される為、電磁界
の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐことがで
き、これにより伝送効率の良い、高アイソレーションを
有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７記載の伝送線路の製造方法において、上記埋
め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第２の誘
電体を形成する工程と、該第２の誘電体の上部，及び側
面部の各表面に接して第２の金属膜を、上記金属層と接
続されるよう形成する工程とを含むものとしたので、該
伝送線路は該第２の金属膜により密閉される為、電磁界
の横方向及び上方向への漏洩をより良く防ぐことがで
き、これにより伝送効率の良い、高アイソレーションを
有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２１４】またこの発明（請求項４１）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
その抵抗分が上記伝送線路の特性インピーダンス値と一
致する導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とを含むもの
としたので、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する、
高アイソレーションを有する伝送線路を得ることができ
る効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
その抵抗分が上記伝送線路の特性インピーダンス値と一
致する導電性を持つ誘電体を埋め込む工程とを含むもの
としたので、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する、
高アイソレーションを有する伝送線路を得ることができ
る効果がある。
【０２１５】またこの発明（請求項４２）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
上記配線導体膜と上記金属層を電気的に短絡させる金属
を埋め込む工程とを含むものとしたので、超高周波伝送
線路用ショート回路を構成する、高アイソレーションを
有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、該伝
送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘電体
の上面部の一部を除去する工程と、該除去した部分に、
上記配線導体膜と上記金属層を電気的に短絡させる金属
を埋め込む工程とを含むものとしたので、超高周波伝送
線路用ショート回路を構成する、高アイソレーションを
有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２１６】またこの発明（請求項４３）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
誘電体の最上部に配線金属膜を形成する工程は、上記誘
電体の最上部に上記溝の長さよりも短い配線金属膜を形
成する工程としたので、超高周波用伝送線路オープンス
タブを構成する、高アイソレーションを有する伝送線路
を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
誘電体の最上部に配線金属膜を形成する工程は、上記誘
電体の最上部に上記溝の長さよりも短い配線金属膜を形
成する工程としたので、超高周波用伝送線路オープンス
タブを構成する、高アイソレーションを有する伝送線路
を得ることができる効果がある。
【０２１７】またこの発明（請求項４４）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝，誘電体，及び配線導体膜を形成する工程は、上記
溝，誘電体，及び配線導体膜をＴ型に形成する工程とし
たので、Ｔ型分岐回路を構成する、高アイソレーション
を有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝，誘電体，及び配線導体膜を形成する工程は、上記
溝，誘電体，及び配線導体膜をＴ型に形成する工程とし
たので、Ｔ型分岐回路を構成する、高アイソレーション
を有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２１８】またこの発明（請求項４５）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、その
近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それとの
間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は
埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイ
クロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イ
ンピーダンスを持つマイクロストリップ線路を形成し、
該線路を介して接続する工程を含むものとしたので、線
路インピーダンス整合回路を構成する、高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、その
近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それとの
間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ01は
埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02はマイ
クロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特性イ
ンピーダンスを持つマイクロストリップ線路を形成し、
該線路を介して接続する工程を含むものとしたので、線
路インピーダンス整合回路を構成する、高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を得ることができる効果がある。
【０２１９】またこの発明（請求項４６）にかかる高ア
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝内に上記基板と同一または異なる誘電率を持つ誘電体
を埋め込む工程は、上記溝内に均一に導電性を持つ誘電
体を埋め込む工程としたので、超高周波用線路型減衰器
を構成する、高アイソレーションを有する伝送線路を得
ることができる効果がある。
イソレーションを有する伝送線路の製造方法によれば、
請求項３７に記載の伝送線路の製造方法において、上記
溝内に上記基板と同一または異なる誘電率を持つ誘電体
を埋め込む工程は、上記溝内に均一に導電性を持つ誘電
体を埋め込む工程としたので、超高周波用線路型減衰器
を構成する、高アイソレーションを有する伝送線路を得
ることができる効果がある。
【図１】 本発明の第１の実施例による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を示す斜視図。
ョンを有する伝送線路を示す斜視図。
【図２】 本発明の上記実施例１による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
【図３】 上記実施例１の有効性を確認するために行な
った数値計算結果，及びその数値計算に使用したモデル
を示す図。
った数値計算結果，及びその数値計算に使用したモデル
を示す図。
【図４】 本発明の上記実施例１による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロー
図。
ョンを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロー
図。
【図５】 本発明の第２の実施例による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
【図６】 本発明の上記実施例２による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロー
図。
ョンを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロー
図。
【図７】 本発明の第３の実施例による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
【図８】 本発明の上記実施例３による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロー
図。
ョンを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロー
図。
【図９】 本発明の第４の実施例による高アイソレーシ
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
ョンを有する伝送線路を示す断面図。
【図１０】 本発明の上記実施例３による高アイソレー
ションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロ
ー図。
ションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフロ
ー図。
【図１１】 本発明の第５の実施例による高アイソレー
ションを有する伝送線路を示す断面図。
ションを有する伝送線路を示す断面図。
【図１２】 本発明の第６の実施例による高アイソレー
ションを有する伝送線路を示す断面図。
ションを有する伝送線路を示す断面図。
【図１３】 本発明の第７の実施例による高アイソレー
ションを有する伝送線路を示す断面図。
ションを有する伝送線路を示す断面図。
【図１４】 本発明の第８の実施例による高アイソレー
ションを有する伝送線路を示す断面図。
ションを有する伝送線路を示す断面図。
【図１５】 本発明の第９の実施例による高アイソレー
ションを有する伝送線路を示す断面図。
ションを有する伝送線路を示す断面図。
【図１６】 本発明の第１０の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図１７】 本発明の上記実施例１０による高アイソレ
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
【図１８】 本発明の第１１の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図１９】 本発明の第１２の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図２０】 本発明の第１３の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図２１】 本発明の第１４の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図２２】 本発明の第１５の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図２３】 本発明の第１６の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図２４】 本発明の上記実施例１６による高アイソレ
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
【図２５】 本発明の第１７の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図２６】 本発明の上記実施例１７による高アイソレ
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
【図２７】 本発明の第１８の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図２８】 本発明の上記実施例１８による高アイソレ
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
【図２９】 本発明の第１９の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図３０】 本発明の上記実施例１９による高アイソレ
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
ーションを有する伝送線路の製造方法を説明する為のフ
ロー図。
【図３１】 本発明の第２０の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図３２】 本発明の第２１の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図３３】 本発明の第２２の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図３４】 本発明の第２３の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図３５】 本発明の第２４の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
ーションを有する伝送線路を示す断面図。
【図３６】 本発明の第２５の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図３７】 本発明の第２６の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図３８】 本発明の第２７の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図３９】 本発明の第２８の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図４０】 本発明の第２９の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図４１】 本発明の第３０の実施例による高アイソレ
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
ーションを有する伝送線路を示す斜視図。
【図４２】 従来のマイクロストリップ伝送線路を示す
図。
図。
【図４３】 従来のある例のマイクロストリップ線路の
問題点、及び従来の他の例のマイクロストリップ線路の
問題点を示す図。
問題点、及び従来の他の例のマイクロストリップ線路の
問題点を示す図。
１ 誘電体基板もしくは半絶縁性基板、２ 地導体、３
マイクロストリップ導体線路、４ 第１の金属膜、５
第１の埋め込み誘電体、５’異なる材料による第１の
埋め込み誘電体、６ 第２の埋め込み誘電体、７ 空気
層、８ 第２の金属膜、９ バイアホール、１０，１０
ａ溝、１１ 抵抗成分をもつ誘電体、１１ａ 導体線路
端の位置、１２ 良導体、１３ 接続用マイクロストリ
ップ導体線路、１４ マイクロストリップ導体線路、１
５ 均一に導電性をもつ誘電体、１６ 金属層、２０
保護膜。
マイクロストリップ導体線路、４ 第１の金属膜、５
第１の埋め込み誘電体、５’異なる材料による第１の
埋め込み誘電体、６ 第２の埋め込み誘電体、７ 空気
層、８ 第２の金属膜、９ バイアホール、１０，１０
ａ溝、１１ 抵抗成分をもつ誘電体、１１ａ 導体線路
端の位置、１２ 良導体、１３ 接続用マイクロストリ
ップ導体線路、１４ マイクロストリップ導体線路、１
５ 均一に導電性をもつ誘電体、１６ 金属層、２０
保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 1/26 5/02 Ａ 11/00 Ｇ C27-46
Claims (46)
- 【請求項１】 誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に配
線導体を有してなる伝送線路において、 上記基板の主面に溝が形成され、 該溝の底部，及び側面部の各表面に第１の金属膜が形成
され、 上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一
の、または異なる誘電率を持つ誘電体が埋め込まれてお
り、 該誘電体の最上部に配線導体膜が形成され、 上記基板の裏面に接地用金属膜が形成されており、 高アイソレーションを有することを特徴とする伝送線
路。 - 【請求項２】 請求項１記載の伝送線路において、 上記溝の底部の表面に形成された第１の金属膜が、上記
基板の裏面から形成した貫通孔を介して接地されている
ことを特徴とする伝送線路。 - 【請求項３】 請求項１記載の伝送線路において、 １つの上記基板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，
及び配線導体からなる伝送線路が複数設けられ、 上記基板の裏面に１つの接地用金属膜が形成されてお
り、 上記複数の各溝内に埋め込まれた誘電体材料として、溝
間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料が設けられ
ていることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項４】 請求項１記載の伝送線路において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体が形成され、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜が形成され、 該第２の金属膜が上記第１の金属膜と接続されているこ
とを特徴とする伝送線路。 - 【請求項５】 請求項２記載の伝送線路において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体が形成され、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜が形成され、 該第２の金属膜が上記第１の金属膜と接続されているこ
とを特徴とする伝送線路。 - 【請求項６】 請求項３記載の伝送線路において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体が形成され、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜が形成され、 該第２の金属膜が上記第１の金属膜と接続されているこ
とを特徴とする伝送線路。 - 【請求項７】 請求項４ないし６のいずれかに記載の伝
送線路において、 上記第２の誘電体が、空気層により置き換えられている
ことを特徴とする伝送線路。 - 【請求項８】 請求項１に記載の伝送線路において、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部に代えて導電性を持つ誘電体が設け
られ、該伝送線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分
が、上記伝送線路の特性インピーダンス値に一致してお
り、 超高周波伝送線路用終端抵抗を構成していることを特徴
とする伝送線路。 - 【請求項９】 請求項１に記載の伝送線路において、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部に代えて金属が設けられ、該伝送線
路端部の金属部は、上記配線導体膜と上記第１の金属膜
を電気的に短絡するものであり、 超高周波伝送線路用ショート回路を構成していることを
特徴とする伝送線路。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の伝送線路において、 上記配線導体膜の長さが上記溝の長さよりも短く、超高
周波用伝送線路オープンスタブを構成していることを特
徴とする伝送線路。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の伝送線路において、 上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体膜からな
る伝送線路がＴ型に分岐しており、 Ｔ型分岐回路を構成していることを特徴とする伝送線
路。 - 【請求項１２】 請求項１に記載の伝送線路において、 その近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それ
との間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ
01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02は
マイクロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特
性インピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介し
て、接続されており、 線路インピーダンス整合回路を構成していることを特徴
とする伝送線路。 - 【請求項１３】 請求項１に記載の伝送線路において、 上記溝の内部に埋め込まれた上記誘電体を、均一に導電
性を持つものとし、 線路が損失を持つ超高周波用線路型減衰器を構成してい
ることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項１４】 誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に
配線導体を有してなる伝送線路において、 上記基板の主面上に金属層が形成されており、 上記金属層の表面に溝が形成され、 上記溝内に上記基板と同一の、または異なる誘電率を持
つ誘電体が埋め込まれており、 該誘電体の上面に配線導体膜が形成されており、 高アイソレーションを有することを特徴とする伝送線
路。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の伝送線路において、 上記基板の上部に形成された金属層が、該基板の裏面か
ら形成された貫通孔を介して接地されていることを特徴
とする伝送線路。 - 【請求項１６】 請求項１４記載の伝送線路において、 １つの上記金属層内に、上記溝，誘電体，及び配線導体
からなる伝送線路が複数設けられ、 上記基板の裏面に１つの接地用金属膜が形成されてお
り、 上記複数の各溝内に埋め込まれた誘電体材料として、溝
間で相互に異なる、２種類以上の誘電体材料が設けられ
ていることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項１７】 請求項１４記載の伝送線路において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体が形成され、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜が形成され、 該第２の金属膜が上記金属層と接続されていることを特
徴とする伝送線路。 - 【請求項１８】 請求項１５記載の伝送線路において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体が形成され、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜が形成され、 該第２の金属膜が上記金属層と接続されていることを特
徴とする伝送線路。 - 【請求項１９】 請求項１６記載の伝送線路において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体が形成され、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜が形成され、 該第２の金属膜が上記金属層と接続されていることを特
徴とする伝送線路。 - 【請求項２０】 請求項１７ないし１９のいずれかに記
載の伝送線路において、 上記第２の誘電体が、空気層により置き換えられている
ことを特徴とする伝送線路。 - 【請求項２１】 請求項１４に記載の伝送線路におい
て、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部に代えて導電性を持つ誘電体が設け
られ、該伝送線路端部の導電性を持つ誘電体部の抵抗分
が、上記伝送線路の特性インピーダンス値に一致してお
り、超高周波伝送線路用終端抵抗を構成していることを
特徴とする伝送線路。 - 【請求項２２】 請求項１４に記載の伝送線路におい
て、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部に代えて金属が設けられ、該伝送線
路端部の金属部は、上記配線金属膜と上記金属層を電気
的に短絡するものであり、 超高周波伝送線路用ショート回路を構成していることを
特徴とする伝送線路。 - 【請求項２３】 請求項１４に記載の伝送線路におい
て、 上記配線導体膜の長さが上記溝の長さよりも短く、超高
周波用伝送線路オープンスタブを構成していることを特
徴とする伝送線路。 - 【請求項２４】 請求項１４に記載の伝送線路におい
て、 上記溝，誘電体，及び配線金属膜がＴ型に分岐してお
り、 Ｔ型分岐回路を構成していることを特徴とする伝送線
路。 - 【請求項２５】 請求項１４に記載の伝送線路におい
て、 その近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それ
との間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ
01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02は
マイクロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特
性インピーダンスを持つマイクロストリップ線路を介し
て、接続されており、 線路インピーダンス整合回路を構成していることを特徴
とする伝送線路。 - 【請求項２６】 請求項１４に記載の伝送線路におい
て、 上記溝の内部に設置された上記誘電体を、均一に導電性
を持つものとし、 線路が損失を持つ超高周波用線路型減衰器を構成してい
ることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項２７】 誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に
配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、 上記基板の主面に溝を形成する工程と、 該溝の底部、側面部の各表面に第１の金属膜を形成する
工程と、 上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の
または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程と、 該誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程と、 上記基板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを含
み、 高アイソレーションを有する伝送線路を製造することを
特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項２８】 請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、 上記溝の底部の表面に形成した第１の金属膜を、上記基
板の裏面から形成した貫通孔を介して接地する工程を含
むことを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項２９】 請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、 １つの上記基板上に、上記溝，第１の金属膜，誘電体，
及び配線導体からなる伝送線路を複数形成する工程と、 上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程
と、 上記複数の各溝に、溝間で相互に異なる誘電体材料を埋
め込む工程とを含むことを特徴とする伝送線路の製造方
法。 - 【請求項３０】 請求項２７記載の伝送線路の製造方法
において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体を形成する工程と、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜を、上記第１の金属膜と接続されるよう形成
する工程とを含むことを特徴とする伝送線路の製造方
法。 - 【請求項３１】 請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部を除去する工程と、 該除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込
む工程とを含み、 超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する伝送線路を製造
することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３２】 請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部を除去する工程と、 該除去した部分に、上記配線導体膜と上記第１の金属膜
を電気的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含み、 超高周波伝送線路用ショート回路を構成する伝送線路を
製造することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３３】 請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、 上記誘電体の最上部に配線導体膜を形成する工程は、 上記誘電体の最上部に上記溝の長さよりも短い配線導体
膜を形成する工程とし、 超高周波用伝送線路オープンスタブを構成する伝送線路
を製造することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３４】 請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、 上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体膜を形成
する工程は、 上記溝，第１の金属膜，誘電体，及び配線導体膜をＴ型
に形成する工程とし、 Ｔ型分岐回路を構成する伝送線路を製造することを特徴
とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３５】 請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、 その近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それ
との間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ
01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02は
マイクロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特
性インピーダンスを持つマイクロストリップ線路を形成
し、該線路を介して接続する工程を含み、 線路インピーダンス整合回路を構成する伝送線路を製造
することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３６】 請求項２７に記載の伝送線路の製造方
法において、 上記溝内に上記第１の金属膜に接して上記基板と同一の
または異なる誘電率を持つ誘電体を埋め込む工程は、 上記溝内に上記第１の金属膜に接して均一に導電性を持
つ誘電体を埋め込む工程とし、 損失を持つ超高周波用線路型減衰器を構成する伝送線路
を製造することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３７】 誘電体基板もしくは半絶縁性基板上に
配線導体を有してなる伝送線路を製造する方法におい
て、 上記基板の主面上に金属層を形成する工程と、 該金属層の表面に溝を形成する工程と、 該溝内に上記基板と同一または異なる誘電率を持つ誘電
体を埋め込む工程と、 該誘電体の最上部に配線用導体膜を形成する工程と、 上記基板の裏面に接地用金属膜を形成する工程とを含
み、 高アイソレーションを有する伝送線路を製造することを
特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３８】 請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、 上記基板の上部に形成した金属層を、該基板の裏面から
形成した貫通孔を介して接地する工程を含むことを特徴
とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項３９】 請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、 １つの上記基板上に、上記溝，誘電体，及び配線導体か
らなる伝送線路を複数形成する工程と、 上記基板の裏面に１つの接地用金属膜を形成する工程
と、 上記複数の各溝に、溝間で相互に異なる誘電体材料を埋
め込む工程とを含むことを特徴とする伝送線路の製造方
法。 - 【請求項４０】 請求項３７記載の伝送線路の製造方法
において、 上記埋め込み誘電体，及び配線導体に接してその上に第
２の誘電体を形成する工程と、 該第２の誘電体の上部，及び側面部の各表面に接して第
２の金属膜を、上記金属層と接続されるよう形成する工
程とを含むことを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項４１】 請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部を除去する工程と、 該除去した部分に、その抵抗分が上記伝送線路の特性イ
ンピーダンス値と一致する導電性を持つ誘電体を埋め込
む工程とを含み、 超高周波伝送線路用終端抵抗を構成する伝送線路を製造
することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項４２】 請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、 該伝送線路の端部において、上記溝内に埋め込まれた誘
電体の上面部の一部を除去する工程と、 該除去した部分に、上記配線導体膜と上記金属層を電気
的に短絡させる金属を埋め込む工程とを含み、 超高周波伝送線路用ショート回路を構成する伝送線路を
製造することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項４３】 請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、 上記誘電体の最上部に配線金属膜を形成する工程は、 上記誘電体の最上部に上記溝の長さよりも短い配線金属
膜を形成する工程とし、 超高周波用伝送線路オープンスタブを構成する伝送線路
を製造することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項４４】 請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、 上記溝，誘電体，及び配線導体膜を形成する工程は、 上記溝，誘電体，及び配線導体膜をＴ型に形成する工程
とし、 Ｔ型分岐回路を構成する伝送線路を製造することを特徴
とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項４５】 請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、 その近傍に配置されたマイクロストリップ線路と、それ
との間に、１／４λの線路長でＺｃ＝√Ｚ01×Ｚ02（Ｚ
01は埋め込み誘電体線路の特性インピーダンス、Ｚ02は
マイクロストリップ線路の特性インピーダンス）なる特
性インピーダンスを持つマイクロストリップ線路を形成
し、該線路を介して接続する工程を含み、 線路インピーダンス整合回路を構成する伝送線路を製造
することを特徴とする伝送線路の製造方法。 - 【請求項４６】 請求項３７に記載の伝送線路の製造方
法において、 上記溝内に上記基板と同一または異なる誘電率を持つ誘
電体を埋め込む工程は、 上記溝内に均一に導電性を持つ誘電体を埋め込む工程と
し、 損失を持つ超高周波用線路型減衰器を構成する伝送線路
を製造することを特徴とする伝送線路の製造方法。
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| JP6253631A JPH08125412A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 伝送線路，及びその製造方法 |
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| JP6253631A JPH08125412A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 伝送線路，及びその製造方法 |
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