JPH08102092A - スタンパー原盤およびそれを用いたスタンパーの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スタンパーの作製において、導電化処理膜が
電鋳層の形成時、又は研磨加工時に剥離することがな
く、かつパターン転写用レプリカから剥離するときにパ
ターン転写用レプリカに導電化処理膜が残ることがない
スタンパー原盤を提供する。 【構成】 光記録媒体用基板の製造に用いるスタンパー
の作製に使用する、基板上にパターン転写用レプリカを
形成してなるスタンパー製造用原盤において、該基板の
少なくともパターン転写用レプリカの外周部を導電化処
理膜に対する密着性の改良処理を施してなるスタンパー
原盤。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的記録媒体用基板
の製造に用いるスタンパーの作製に使用するスタンパー
原盤およびそれを用いたスタンパーの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より光記録媒体用基板の製造方法に
おいて、代表的な方法としては、スタンパー原盤から電
鋳法によってスタンパーを作成し、このスタンパーを用
いてコンプレッション法、光硬化性樹脂を用いた２Ｐ成
形法、押し出し成形法等により基板を作成している。

【０００３】上記のスタンパーの作製方法は、まずオリ
ジナル型から表面に凹凸パターンを有するオリジナル型
のレプリカを形成してスタンパー原盤を作成し、そのス
タンパー原盤上に電鋳膜を形成し、スタンパー原盤のレ
プリカから電鋳膜を剥離することによってスタンパを作
成する方法が一般的である。

【０００４】そしてオリジナル型から、複製型いわゆる
レプリカを作成する方法として、オリジナル型の表面に
未硬化の光硬化性樹脂〔以下２Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌ
ｙｍｅｒ）と略す〕を滴下（以下、ディスペンスと称
す）し、ガラスあるいはプラスチック基板と重ね合わ
せ、展伸（以下、スプレッドと称す）させた後、２Ｐを
硬化させる方法が知られている。

【０００５】図３に従来のスタンパーの作成方法を示す
工程図である。従来のスタンパーは、まず、オリジナル
型１５の表面に未硬化２Ｐ１４をディスペンスし、スペ
ーサ材１３を介してガラス基板１を重ね合わせた後、ガ
ラス基板１を通してＵＶ光（紫外線）１７を照射し（図
３（ａ）参照）、未硬化２Ｐ１４を硬化させ硬化２Ｐ１
６とする（図３（ｂ）参照）。

【０００６】次に、ガラス基板１上に設けた硬化２Ｐ１
６とオリジナル型１５を剥離し、さらにガラス基板１の
端部のスペーサ材１３を取り除いて、ガラス基板上にパ
ターン転写用レプリカ（２Ｐレプリカ）３を形成したス
タンパー原盤を得る（図３（ｃ），（ｄ）参照）。

【０００７】次に、パターニングされた２Ｐレプリカま
たはフォトレジストの上に導電化処理のためにＮｉ等の
金属のスタッパー膜からなる導電化処理膜７を設ける。
次に、スパッター膜上に電鋳によって金属層からなる電
鋳層１０を設ける（図３（ｅ）参照）。次に、スタンパ
ーの厚さを一定にするために電鋳層１０を研磨加工す
る。次に、２Ｐレプリカから導電化処理膜７と電鋳層１
０を一体に剥離してスタンパー１１を得る（図３（ｆ）
参照）。

【０００８】上記の方法において、金属めっき膜（電鋳
層）／金属スパッター膜（導電化処理膜）／２Ｐレプリ
カまたはフォトレジストの層構成において、スタンパー
の厚さを一定にするため、金属めっき膜（電鋳層）の研
磨加工を行なうために各層間の密着力は研磨加工時のス
トレスに十分に耐えるものでなければならない。

【０００９】しかしながら、最終的に剥離した場合、金
属スパッター膜／２Ｐレプリカまたはフォトレジスト界
面Ａで完全に剥離しなければならない。一方、本出願人
は、特願平４−３２０４９７号において転写性にすぐれ
た２Ｐレプリカ原盤の製造方法を提案している。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
図３に示す従来のスタンパーの作成方法においては、図
３に示されるＢの部分、すなわち導電化処理膜（Ｎｉス
パッター膜）７とガラス基板１との密着性が悪いため
に、電鋳工程では導電化処理膜（Ｎｉスパッター膜）７
と２Ｐレプリカを形成したガラス基板との界面ではが
れ、その結果電鋳ができなかったり、又は研磨工程で研
磨液でパターンがおかされる等の問題が生じていた。

【００１１】特に、２Ｐ樹脂とガラス基板との密着性を
向上させるために用いるシランカップリング材で処理し
たガラス表面に対して、導電化処理膜の密着性が悪い。

【００１２】他方、アルゴンガスを用いた逆スパッター
エッチング等の方法により、上記シランカップリング材
を取り除き、図３に示すＢの部分に対する導電化処理膜
の密着性を向上させると、２Ｐレプリカに対する導電化
処理膜の密着性が著しく向上してしまう。その結果、２
Ｐレプリカとスタンパーを剥離する工程で導電化処理膜
の一部が２Ｐレプリカに残る、いわゆる膜残りを生じパ
ターンの転写が不十分な欠陥を有するスタンパーが得ら
れる。

【００１３】本発明は、この様な従来技術の欠点を改善
するためになされたものであり、基板上にパターン転写
用レプリカを形成してなるスタンパー原盤の基板表面が
露出している部分へ、導電化処理膜に対する密着性向上
層を設けることにより、導電化処理膜が電鋳層の形成
時、又は研磨加工時に剥離することがなく、かつパター
ン転写用レプリカから剥離するときにパターン転写用レ
プリカに導電化処理膜が残ることがなく、さらに密着性
向上層を外周部だけに設けるのでガラス基板のひずみを
最小限にすることが可能となり、パターン転写精度が維
持できるスタンパー原盤およびそれを用いたスタンパー
の製造方法を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、光記録
媒体用基板の製造に用いるスタンパーの作製に使用す
る、基板上にパターン転写用レプリカを形成してなるス
タンパー製造用原盤において、該基板の少なくともパタ
ーン転写用レプリカの外周部を導電化処理膜に対する密
着性の改良処理を施してなることを特徴とするスタンパ
ー原盤である。

【００１５】また、本発明は、基板上にパターン転写用
レプリカを形成し、該基板の少なくともパターン転写用
レプリカの外周部を導電化処理膜に対する密着性の改良
処理を施してスタンパー原盤を作成した後、該スタンパ
ー原盤のパターン転写用レプリカおよびパターン転写用
レプリカの外周部の上にスパッター法により導電化処理
膜を形成し、次いで該導電化処理膜上に電鋳法により電
鋳層を形成した後、スタンパー原盤から導電化処理膜と
電鋳層を一体に剥離することを特徴とするスタンパーの
製造方法である。

【００１６】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
スタンパー原盤は、パターン転写用レプリカを形成した
基板の少なくともパターン転写用レプリカ層形成表面の
外周部をスパッター膜に対する密着性改良処理したこと
を特徴とする。

【００１７】図１は本発明のスタンパー原盤およびそれ
を用いたスタンパーの製造方法を示す説明図である。同
図１において、不図示のオリジナル型の表面に未硬化２
Ｐをディスペンスし、表面にパターン転写用レプリカと
ガラスとの密着性を向上させる密着性向上層５を形成し
たガラス基板を重ね合わせた後、ガラス基板を通してＵ
Ｖ光（紫外線）を照射し、未硬化２Ｐを硬化させる。次
に、ガラス基板１上に設けた硬化２Ｐとオリジナル型を
剥離し、ガラス基板１上にパターン転写用レプリカ（２
Ｐレプリカ）３を形成する（図１（ａ）参照）。密着性
向上層５は、例えばシランカップリング剤を用いて形成
する。１２はガラス基板表面又は密着性向上層５を形成
した表面露出部である。

【００１８】次に、ガラス基板１上のパターン転写用レ
プリカ３の少なくとも外周部で、従来、導電化処理膜の
密着性が著しく悪かったガラス基板表面又は、パターン
転写用レプリカ／ガラス密着性向上層５の表面に密着性
向上層２を設けスタンパー原盤６を得る（図１（ｂ）参
照）。密着性向上層２はスタンパー原盤の基板の外周部
にのみ設けることがより好ましい。

【００１９】密着性向上層２の材料はガラスの接着剤に
用いる紫外線硬化樹脂、溶媒タイプの密着性樹脂などを
用いることができる。密着性向上層２を設ける方法は、
バーコート法、スピンコート法、グラビアコート法、ロ
ールコート法などを用いることができる。

【００２０】次に、パターニングされたパターン転写用
レプリカ３の上に導電化処理のためにＮｉ等の金属のス
タッパー膜からなる導電化処理膜７を設ける。次に、導
電化処理膜７上に電鋳によって金属層からなる電鋳層１
０を設ける（図１（ｃ）参照）。

【００２１】導電化処理膜の密着性は部位８（パターン
転写用レプリカ／導電化処理膜界面）よりも部位９（導
電化処理膜／密着性向上層界面）が大きくなる様に調整
する。調整は、密着性向上層２が紫外線硬化樹脂の場
合、硬化条件によって可能である。

【００２２】次に、スタンパーの厚さを一定にするため
に電鋳層１０を研磨加工した後、パターン転写用レプリ
カ３から導電化処理膜７と電鋳層１０を一体に剥離して
スタンパー１１を得る（図１（ｄ）参照）。

【００２３】図２は本発明のスタンパー原盤の他の例を
示す説明図である。図２（ａ）は密着性向上層２をガラ
ス基板１の一方の面全体に形成した例を示す。図２
（ｂ）は、図２（ａ）の場合、ガラス基板１に密着性向
上層２を形成するときにひずみが発生する場合があるの
で、ガラス基板１の他方の面にそり矯正層４を設けた例
である。図２（ｃ）は同様な理由で、ガラス基板１の全
面にそり矯正層４を設けた例である。いずれの場合も図
１と同じ様な効果は発生するが、ガラス基板の変形を考
慮すると密着性向上層２の処理面積が小さい図１の例が
最も好ましい。なお、密着性向上層２およびそり矯正層
４には、例えば２Ｐ樹脂が用いられる。

【００２４】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。

【００２５】実施例１ 特願平４−３２０４９７号の方法により、ガラス基板上
にパターン転写用レプリカ層を形成した。

【００２６】次に、ガラス基板の外周部のガラス基板露
出面に、密着性向上層として電気化学工業社製、紫外線
硬化樹脂ＯＰ４５１５を厚さ２μｍ〜５μｍに塗布し、
紫外線を照射して硬化し図１（ｂ）で示される様なスタ
ンパー原盤を作成した。

【００２７】次に、スタンパー原盤をＤＣスパッタ装置
のベルレジャー内にセットし、５×１０^-4Ｐａまで真空
に排気した後、Ａｒガス圧力０．６ＰａでＮｉをスパッ
タ成膜し、厚さ２０００Åの導電化処理膜をパターン転
写用レプリカ層およびガラス基板の外周部の上に形成し
た。

【００２８】次に、スルファニル酸ニッケル浴中で電鋳
し、厚さ１５０μｍの電鋳層（バッキング層）１０を導
電化処理膜上に形成した。次に、パターン転写用レプリ
カ層から導電化処理膜と電鋳層を一体に剥離し、スタン
パーを得ることができた。得られたスタンパーは、導電
化処理膜の外周部のはがれは認められなかった。また、
パターン転写用レプリカ層には導電化処理膜の膜残りは
なかった。

【００２９】比較例１ 実施例１の密着性向上層を設けない以外は実施例１と同
様にスタンパーを作製した。電鋳工程で、スパッター導
電化処理膜の外周部が、はがれ電鋳できなかった。

【００３０】比較例２ 比較例１のＮｉスタンパー条件、Ａｒガスの圧力を０．
３５Ｐａにした。導電化処理膜の外周部ははがれなかっ
た。しかし、スタンパーになったときパターン形成面に
導電化処理膜の一部が残り欠陥となった。

【００３１】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明は、基板上に
パターン転写用レプリカを形成してなるスタンパー原盤
の基板表面が露出している部分へ、導電化処理膜に対す
る密着性向上層を設けることにより、 導電化処理膜が電鋳層の形成時、又は研磨加工時に
剥離することがなく、 パターン転写用レプリカから剥離するときにパター
ン転写用レプリカに導電化処理膜が残ることがなく、 密着性向上層を外周部だけに設けるのでガラス基板
のひずみを最小限にすることが可能となり、パターン転
写精度が維持できる、効果が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスタンパー原盤およびそれを用いたス
タンパーの製造方法を示す説明図である。

【図２】本発明のスタンパー原盤の他の例を示す説明図
である。

【図３】従来のスタンパーの作成方法を示す工程図であ
る。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ 密着性向上層 ３ パターン転写用レプリカ（２Ｐレプリカ） ４ そり矯正層 ５ 密着性向上層 ６ スタンパー原盤 ７ 導電化処理膜 ８ パターン転写用レプリカ／導電化処理膜界面 ９ 導電化処理膜／密着性向上層界面 １０ 電鋳層 １１ スタンパー １２ ガラス基板表面又は表面露出部 １３ スペーサ材 １４ 未硬化２Ｐ １５ オリジナル型 １６ 硬化２Ｐ １７ ＵＶ光（紫外線）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光記録媒体用基板の製造に用いるスタン
   パーの作製に使用する、基板上にパターン転写用レプリ
   カを形成してなるスタンパー製造用原盤において、該基
   板の少なくともパターン転写用レプリカの外周部を導電
   化処理膜に対する密着性の改良処理を施してなることを
   特徴とするスタンパー原盤。
2. 【請求項２】 基板上にパターン転写用レプリカを形成
   し、該基板の少なくともパターン転写用レプリカの外周
   部を導電化処理膜に対する密着性の改良処理を施してス
   タンパー原盤を作成した後、該スタンパー原盤のパター
   ン転写用レプリカおよびパターン転写用レプリカの外周
   部の上にスパッター法により導電化処理膜を形成し、次
   いで該導電化処理膜上に電鋳法により電鋳層を形成した
   後、スタンパー原盤から導電化処理膜と電鋳層を一体に
   剥離することを特徴とするスタンパーの製造方法。