JPH0777007B2 - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0777007B2 JPH0777007B2 JP60183833A JP18383385A JPH0777007B2 JP H0777007 B2 JPH0777007 B2 JP H0777007B2 JP 60183833 A JP60183833 A JP 60183833A JP 18383385 A JP18383385 A JP 18383385A JP H0777007 B2 JPH0777007 B2 JP H0777007B2
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- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録および／または再生用磁気ヘツドの
製造方法に係り、特にヘツドコアの磁界中での熱処理に
関するものである。
製造方法に係り、特にヘツドコアの磁界中での熱処理に
関するものである。
磁気ヘツドの磁気回路を構成するヘツドコアの少なくと
も一部が、磁界中での熱処理によつて磁気異方性が誘起
される磁性材料で形成されている磁気ヘツドは公知であ
る。この磁気ヘツドの製造過程で、前記磁性材料には一
般に複数個の磁区が発生し、各磁区内部や磁壁の磁化が
安定するような磁気異方性が生じて、その部分の透磁率
が低下する。
も一部が、磁界中での熱処理によつて磁気異方性が誘起
される磁性材料で形成されている磁気ヘツドは公知であ
る。この磁気ヘツドの製造過程で、前記磁性材料には一
般に複数個の磁区が発生し、各磁区内部や磁壁の磁化が
安定するような磁気異方性が生じて、その部分の透磁率
が低下する。
そのため、磁気ヘツドの製造過程あるいは製造後に磁界
中において熱処理を行なつて、前述の弊害を緩和する方
法が通常採用されている。
中において熱処理を行なつて、前述の弊害を緩和する方
法が通常採用されている。
この磁界中での熱処理において、磁界の方向や強度、な
らびに熱処理の温度や時間などの処理条件については種
々の検討がなされている。特に高周波特性の良い磁気ヘ
ツドを得るためには、磁界中での熱処理によつて生じる
磁気異方性の磁化容易軸方向を、磁気ヘツドの磁路内の
磁束の流れに対してほぼ垂直にするのが良いことが知ら
れている。
らびに熱処理の温度や時間などの処理条件については種
々の検討がなされている。特に高周波特性の良い磁気ヘ
ツドを得るためには、磁界中での熱処理によつて生じる
磁気異方性の磁化容易軸方向を、磁気ヘツドの磁路内の
磁束の流れに対してほぼ垂直にするのが良いことが知ら
れている。
従つて例えば第３図ならびに第４図に示すような薄膜ヘ
ツドにおいては、通常、磁性薄膜12を形成するときに、
前述の磁界の方向がヘツドコア幅ｗ方向と一致するよう
にしている。なお、図中の11は基板、12は鉄−ニツケル
合金などからなる磁性薄膜、13は作動ギヤツプ規制膜、
14はコイル、15は電気絶縁膜である。
ツドにおいては、通常、磁性薄膜12を形成するときに、
前述の磁界の方向がヘツドコア幅ｗ方向と一致するよう
にしている。なお、図中の11は基板、12は鉄−ニツケル
合金などからなる磁性薄膜、13は作動ギヤツプ規制膜、
14はコイル、15は電気絶縁膜である。
また、前述のような磁界中熱処理によつて誘起される磁
気異方性が強過ぎる場合には十分な透磁率が得られない
ため、種々の方法でこの誘起される磁気異方性を低減し
ている。
気異方性が強過ぎる場合には十分な透磁率が得られない
ため、種々の方法でこの誘起される磁気異方性を低減し
ている。
その一つの方法として、前記磁性薄膜の堆積時に印加す
る磁界を膜面内で回転する方法がある。しかし、この方
法は製造装置が複雑になり、大量生産に適していない。
る磁界を膜面内で回転する方法がある。しかし、この方
法は製造装置が複雑になり、大量生産に適していない。
また他の方法として、磁性薄膜形成時の温度をできるだ
け高温にして、誘起される磁気異方性を低減する方法が
ある。ところが磁性薄膜が多結晶材料である場合、前述
の方法では高温側で結晶の粒径が増大して、透磁率がか
えつて低下する。一方、前記磁性薄膜が非質材料である
場合には、高温側でそれの結晶化が進んで透磁率が低下
するという問題があり、必ずしも満足すべき結果は得ら
れていない。
け高温にして、誘起される磁気異方性を低減する方法が
ある。ところが磁性薄膜が多結晶材料である場合、前述
の方法では高温側で結晶の粒径が増大して、透磁率がか
えつて低下する。一方、前記磁性薄膜が非質材料である
場合には、高温側でそれの結晶化が進んで透磁率が低下
するという問題があり、必ずしも満足すべき結果は得ら
れていない。
これとは別個に、超急冷法などによつて作製したリボン
状の非晶質磁性材料を用いてヘツドコアを形成する磁気
ヘツドがある。この場合、非晶質磁性材料の磁気異方性
を、それの形成時に制御することは困難であるため、リ
ボン状の非晶質磁性材料を製作した後直ちに、あるいは
ヘツドコア形成後に磁界中で熱処理して磁気異方性を制
御する方法が採られている。
状の非晶質磁性材料を用いてヘツドコアを形成する磁気
ヘツドがある。この場合、非晶質磁性材料の磁気異方性
を、それの形成時に制御することは困難であるため、リ
ボン状の非晶質磁性材料を製作した後直ちに、あるいは
ヘツドコア形成後に磁界中で熱処理して磁気異方性を制
御する方法が採られている。
ところが、形成された非晶質磁性材料の初期状態が各部
分や各製品毎にまちまちであるため、必ずしも磁気異方
性の制御を一様に行なうことは困難であつた。
分や各製品毎にまちまちであるため、必ずしも磁気異方
性の制御を一様に行なうことは困難であつた。
従来、磁気ヘツドの製造方法として、例えば特開昭58−
107607号公報、特開昭59−9157号公報ならびに特開昭60
−59508号公報に記載されたような提案がある。
107607号公報、特開昭59−9157号公報ならびに特開昭60
−59508号公報に記載されたような提案がある。
前記引例特開昭58−107607号公報ならびに特開昭59−91
57号公報に記載されている方法は、磁気ヘツドに組み込
む前の非晶質磁性薄板に対して第１の方向と、その第１
の方向と直交する第２の方向に磁界を印加しながら熱処
理する方法に関するものである。
57号公報に記載されている方法は、磁気ヘツドに組み込
む前の非晶質磁性薄板に対して第１の方向と、その第１
の方向と直交する第２の方向に磁界を印加しながら熱処
理する方法に関するものである。
しかしこのようにして磁界中で熱処理された非晶質磁性
薄板を使用して磁気ヘツドを組み立てる際、その非晶質
磁性薄板とガードコア材との接合、コアに対するギヤツ
プスペーサのスパツタリング、ならびにギヤツプスペー
サを介して２つのコアを接合するときにそれぞれ熱処理
を伴なう。そのため各熱処理を重ねて受けることにより
前記非晶質磁性薄板の透磁率が次第に低下してしまい、
第１の方向と第２の方向にそれぞれ磁界を印加しながら
熱処理した効果が減退するという欠点がある。
薄板を使用して磁気ヘツドを組み立てる際、その非晶質
磁性薄板とガードコア材との接合、コアに対するギヤツ
プスペーサのスパツタリング、ならびにギヤツプスペー
サを介して２つのコアを接合するときにそれぞれ熱処理
を伴なう。そのため各熱処理を重ねて受けることにより
前記非晶質磁性薄板の透磁率が次第に低下してしまい、
第１の方向と第２の方向にそれぞれ磁界を印加しながら
熱処理した効果が減退するという欠点がある。
前記特開昭60−59508号公報には、非晶質磁性薄板とカ
ードコアの接合、ギヤツプスペーサーの被着、コアどう
しの接合などの熱処理を行つた後、或いはその熱処理の
うちの最後の熱処理時に、非晶質磁性薄板の面方向に沿
う面内において第１の方向と、その第１の方向と直交す
る第２の方向にそれぞれ磁界を印加しながら加熱する方
法が記載されている。
ードコアの接合、ギヤツプスペーサーの被着、コアどう
しの接合などの熱処理を行つた後、或いはその熱処理の
うちの最後の熱処理時に、非晶質磁性薄板の面方向に沿
う面内において第１の方向と、その第１の方向と直交す
る第２の方向にそれぞれ磁界を印加しながら加熱する方
法が記載されている。
この方法により前記２つの提案が有しているような問題
は解消されるが、非晶質磁性薄板の面内において前記第
１の方向（第２の方向）をどの方向にするのか特定され
ておらず、そのために磁界の印加方向によつて透磁率が
変動し（低下し）、結果的には磁気ヘツドの品質がばら
つくという問題がある。
は解消されるが、非晶質磁性薄板の面内において前記第
１の方向（第２の方向）をどの方向にするのか特定され
ておらず、そのために磁界の印加方向によつて透磁率が
変動し（低下し）、結果的には磁気ヘツドの品質がばら
つくという問題がある。
本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を解消し、優
れた磁気特性を有し、しかも特性のばらつきが少ない品
質的に安定した磁気ヘツドの製造方法を提供するにあ
る。
れた磁気特性を有し、しかも特性のばらつきが少ない品
質的に安定した磁気ヘツドの製造方法を提供するにあ
る。
前述の目的を達成するため、本発明は、 磁気回路を構成するヘツドコアを有し、磁界中での熱処
理によつて磁気異方性が誘起される磁性材料によつて前
記磁気回路の少なくとも一部を構成する磁気ヘツドの製
造方法において、 その磁気ヘツドを組み立てた後に前記磁性材料部分に対
して、その磁性材料部分の磁化容易軸を一方向に発生さ
せるための第一の磁界中熱処理と、前記磁化容易軸に対
してほぼ垂直な方向に磁界を印加しながら熱処理を行な
う第二の磁界中熱処理を施す際、前記第一の磁界中熱処
理ならびに第二の磁界中熱処理のうちいずれか一方の磁
界の印加方向を当該磁気ヘツドの前記ヘツドコアの幅方
向とほぼ一致させ、他方の磁界の印加方向を当該磁気ヘ
ツドの作動ギヤツプの深さ方向とほぼ一致させたことを
特徴とするものである。
理によつて磁気異方性が誘起される磁性材料によつて前
記磁気回路の少なくとも一部を構成する磁気ヘツドの製
造方法において、 その磁気ヘツドを組み立てた後に前記磁性材料部分に対
して、その磁性材料部分の磁化容易軸を一方向に発生さ
せるための第一の磁界中熱処理と、前記磁化容易軸に対
してほぼ垂直な方向に磁界を印加しながら熱処理を行な
う第二の磁界中熱処理を施す際、前記第一の磁界中熱処
理ならびに第二の磁界中熱処理のうちいずれか一方の磁
界の印加方向を当該磁気ヘツドの前記ヘツドコアの幅方
向とほぼ一致させ、他方の磁界の印加方向を当該磁気ヘ
ツドの作動ギヤツプの深さ方向とほぼ一致させたことを
特徴とするものである。
本発明において用いられる磁性材料としては、例えば鉄
−ニツケル合金やコバルト−ジルコニウム合金などの
鉄、ニツケル、コバルトのグループから選択された少な
くとも１種の元素を主成分とする多結晶材料あるいは非
晶質材料がある。
−ニツケル合金やコバルト−ジルコニウム合金などの
鉄、ニツケル、コバルトのグループから選択された少な
くとも１種の元素を主成分とする多結晶材料あるいは非
晶質材料がある。
誘導磁気異方性は、一般にアレニウスの式に従つて誘起
されることが知られている。すなわち、その異方性定数
をＫで表わすと、下の（１）式のようになる。
されることが知られている。すなわち、その異方性定数
をＫで表わすと、下の（１）式のようになる。
なお式中の Ki:初期値 K0（Ｔ）：絶体温度Ｔおよび物質に依存する定数 t:時間 τ（Ｔ）：絶体温度Ｔに依存する緩和時間 また前記（１）式のτ（Ｔ）は、次の（２）式のように
なる。
なる。
なお式中の A:定数 Ea:活性化エネルギー k:ボルツマン定数 この1/τは速度定数と呼ばれる。従つて前記（２）式で
与えられるτ（Ｔ）に比べて十分長い時間にわたつて磁
界中で熱処理すれば、使用する磁性材料の初期状態がい
かなる状態にあつても、一定の揃つた磁気異方性の状態
にすることができる。
与えられるτ（Ｔ）に比べて十分長い時間にわたつて磁
界中で熱処理すれば、使用する磁性材料の初期状態がい
かなる状態にあつても、一定の揃つた磁気異方性の状態
にすることができる。
本発明において、前記第一の磁界中熱処理は、このよう
な状態の実現を目的にしている。すなわち、この第一の
磁界中熱処理により、第二の磁界中熱処理に対する初期
条件を一定のものとして、第二の磁界中熱処理によつて
得られる磁気異方性の状態のばらつきを抑制している。
な状態の実現を目的にしている。すなわち、この第一の
磁界中熱処理により、第二の磁界中熱処理に対する初期
条件を一定のものとして、第二の磁界中熱処理によつて
得られる磁気異方性の状態のばらつきを抑制している。
この第一の磁界中熱処理によつて誘起される磁気異方性
は大き過ぎるから、十分に高い透磁率を得ることができ
ない。そのため本発明の第二の磁界中熱処理は、第一の
磁界中熱処理によつて誘起された磁気異方性を緩和する
ことを目的とする。
は大き過ぎるから、十分に高い透磁率を得ることができ
ない。そのため本発明の第二の磁界中熱処理は、第一の
磁界中熱処理によつて誘起された磁気異方性を緩和する
ことを目的とする。
第二の磁界中熱処理による磁気異方性の時間変化は、次
の（３）式に従う。
の（３）式に従う。
なお式中の K1:第一の磁界中熱処理によつて誘起された磁気異方性
定数 Ｔ′：第二の磁界中熱処理時の温度 K0（Ｔ′）：温度Ｔ′で熱平衡状態に達したときの異方
性定数 十分大なる透磁率にするには、前述のようにして得られ
る異方性定数をK1に比べて十分小さくする必要がある。
そのためには、第二の磁界中熱処理時間をt2とすると、
前記（３）式から下の（４）式のようにすべきであるこ
とが導かれる。
定数 Ｔ′：第二の磁界中熱処理時の温度 K0（Ｔ′）：温度Ｔ′で熱平衡状態に達したときの異方
性定数 十分大なる透磁率にするには、前述のようにして得られ
る異方性定数をK1に比べて十分小さくする必要がある。
そのためには、第二の磁界中熱処理時間をt2とすると、
前記（３）式から下の（４）式のようにすべきであるこ
とが導かれる。
ところで、K1がK10のまわりに±ΔK1のばらつき範囲を
もつているとき、（４）式に従つて なる状件で磁界中熱処理をすると、前記（３）式によつ
てＫは の範囲でばらつくことになる。
もつているとき、（４）式に従つて なる状件で磁界中熱処理をすると、前記（３）式によつ
てＫは の範囲でばらつくことになる。
従つてΔK1はできるだけ小さくしておくことが、特性の
ばらつきを低減するために望ましい。ΔK1を可及的に小
さくする方法としては、第一の磁界中熱処理の条件を一
定に保持すればよさそうであるが、使用する磁性材料の
初期状態がばらついているときには、単に第一の磁界中
熱処理条件を一定にしただけではΔK1が小さくできない
ことは前記（１）式から明らかである。
ばらつきを低減するために望ましい。ΔK1を可及的に小
さくする方法としては、第一の磁界中熱処理の条件を一
定に保持すればよさそうであるが、使用する磁性材料の
初期状態がばらついているときには、単に第一の磁界中
熱処理条件を一定にしただけではΔK1が小さくできない
ことは前記（１）式から明らかである。
（１）式においてKiが±K0（Ｔ）の範囲にばらついてい
るものとして、すべてのＫを下式（６）の範囲に入れる
ためには、 Ｋ≧rK0（Ｔ） ……（６） なお式中のｒは１以下の正数 第一の磁界中熱処理における熱処理時間をt1とすれば、
下式（７）のようになる。
るものとして、すべてのＫを下式（６）の範囲に入れる
ためには、 Ｋ≧rK0（Ｔ） ……（６） なお式中のｒは１以下の正数 第一の磁界中熱処理における熱処理時間をt1とすれば、
下式（７）のようになる。
従つて例えばｒを0.8とするためには、下式（８）のよ
うにすればよいことが分かる。
うにすればよいことが分かる。
すなわち、このような条件で磁界中熱処理を施こせば、
K1はほぼ±10％のばらつき範囲内におさめることができ
る。
K1はほぼ±10％のばらつき範囲内におさめることができ
る。
一方、第二の磁界中熱処理においては、 前記（５）式の条件を満足させるのがよく、通常、K10
とK0′とは同程度であるから、 の条件を満足させることが必要である。
とK0′とは同程度であるから、 の条件を満足させることが必要である。
第一ならびに第二の磁界中熱処理時の温度が等しいとき
には、K10が0.8Ko（Ｔ）〜0.9Ko（Ｔ）の範囲にあると
き、 とすべきであることが帰結される。
には、K10が0.8Ko（Ｔ）〜0.9Ko（Ｔ）の範囲にあると
き、 とすべきであることが帰結される。
上記は、磁性材料の温度が極めて急速に任意の温度に設
定できることを前提としたものであるが、実際には昇
温、降温時の効果も同様に考慮する必要がある。従つて
最適条件は、昇温速度ならびに降温速度を制御しなが
ら、最高温度ならびにその温度で保持時間を種々変化さ
せて実験を行なつた後に決定される。
定できることを前提としたものであるが、実際には昇
温、降温時の効果も同様に考慮する必要がある。従つて
最適条件は、昇温速度ならびに降温速度を制御しなが
ら、最高温度ならびにその温度で保持時間を種々変化さ
せて実験を行なつた後に決定される。
第一の磁界中熱処理の条件に関しては、前述の如く誘起
される磁気異方性が飽和値に近づけられれば近づけられ
るほど、第二の磁界中熱処理に対する初期条件のばらつ
きが低減される。そのため、磁性材料の変質などの実害
の生じない範囲で、できるだけ高温にしてτ（Ｔ）を小
さくし、処理時間の短縮を図る方が得策である。
される磁気異方性が飽和値に近づけられれば近づけられ
るほど、第二の磁界中熱処理に対する初期条件のばらつ
きが低減される。そのため、磁性材料の変質などの実害
の生じない範囲で、できるだけ高温にしてτ（Ｔ）を小
さくし、処理時間の短縮を図る方が得策である。
一方、第二の磁界中熱処理は、制御を容易にするために
最高温度保持時間を適当な長さにすべく、最適温度を決
定するのがよい。
最高温度保持時間を適当な長さにすべく、最適温度を決
定するのがよい。
印加磁界強度は、磁界中熱処理における磁化の印加磁界
方向からのずれをなるべく小さくするために、印加磁界
方向での反磁界強度よりも大にする方が望ましい。
方向からのずれをなるべく小さくするために、印加磁界
方向での反磁界強度よりも大にする方が望ましい。
次に本発明の実施例について図とともに説明する。第１
図は、本発明の実施例に係る磁気ヘツドの斜視図であ
る。
図は、本発明の実施例に係る磁気ヘツドの斜視図であ
る。
図中の１は例えば非磁性材料からなる基体、２はその基
体１の作動ギヤツプと対向する側面に、磁界中でのスパ
ツタリング法によつて形成された例えばコバルト（85重
量％）−ジルコニウム（15重量％）の非晶質磁性合金
（飽和磁束密度約10KG）からなる磁性薄膜、３は作動ギ
ヤツプ規制膜、４は巻線窓、５はガラス層、ｗはヘツド
コアの幅方向をそれぞれ示している。
体１の作動ギヤツプと対向する側面に、磁界中でのスパ
ツタリング法によつて形成された例えばコバルト（85重
量％）−ジルコニウム（15重量％）の非晶質磁性合金
（飽和磁束密度約10KG）からなる磁性薄膜、３は作動ギ
ヤツプ規制膜、４は巻線窓、５はガラス層、ｗはヘツド
コアの幅方向をそれぞれ示している。
第１図に示すような構造を有する磁気ヘツドを作製し、
メタルテープを用いて磁気ヘツドの記録再生特性を測定
した（初期特性）。ついでその磁気ヘツドを用いて、磁
界方向がヘツドコアの幅方向ｗと一致するようにして磁
界中熱処理（H1中熱処理）を施こし、次に磁界方向が作
動ギヤツプの深さ方向と一致するようにして磁界中熱処
理（H2中熱処理）を施こして、その都度同様に記録再生
特性を測定した。各磁界中における熱処理条件は、次の
表の通りである。
メタルテープを用いて磁気ヘツドの記録再生特性を測定
した（初期特性）。ついでその磁気ヘツドを用いて、磁
界方向がヘツドコアの幅方向ｗと一致するようにして磁
界中熱処理（H1中熱処理）を施こし、次に磁界方向が作
動ギヤツプの深さ方向と一致するようにして磁界中熱処
理（H2中熱処理）を施こして、その都度同様に記録再生
特性を測定した。各磁界中における熱処理条件は、次の
表の通りである。
なお、前記磁界処理の磁界強度はすべて約15Kエルスデ
ツド、昇温速度ならびに降温速度はすべて200℃以上で
はいずれも約13deg/分とした。
ツド、昇温速度ならびに降温速度はすべて200℃以上で
はいずれも約13deg/分とした。
前記表についてもう少し説明すると、試料No.の磁気
ヘツドは、磁界中熱処理を施こしていない磁気ヘツド
（前述の初期特性を有する磁気ヘツド）をH1方向に磁界
を印加して最高温度330℃で10分間熱処理したもの。試
料No.の磁気ヘツドは、前記試料No.の磁気ヘツドを
用いてH2方向に磁界を印加して最高温度320℃で10分間
熱処理したもの。試料No.の磁気ヘツドは、前記試料N
o.の磁気ヘツドを用いて、最初、H1方向に磁界を印加
して350℃で30分間熱処理した後、次にH2方向に磁界を
印加して305℃で10分間熱処理したもの。試料No.の磁
気ヘツドは、前記試料No.の磁気ヘツドを用いて、さ
らに最初、H1方向に磁界を印加して350℃で30分間熱処
理した後、次にH2方向に磁界を印加して310℃で10分間
熱処理したもので、このように順次、表に示す条件でH1
方向での磁界中熱処理とH2方向での磁界中熱処理とを繰
返して試料としている。
ヘツドは、磁界中熱処理を施こしていない磁気ヘツド
（前述の初期特性を有する磁気ヘツド）をH1方向に磁界
を印加して最高温度330℃で10分間熱処理したもの。試
料No.の磁気ヘツドは、前記試料No.の磁気ヘツドを
用いてH2方向に磁界を印加して最高温度320℃で10分間
熱処理したもの。試料No.の磁気ヘツドは、前記試料N
o.の磁気ヘツドを用いて、最初、H1方向に磁界を印加
して350℃で30分間熱処理した後、次にH2方向に磁界を
印加して305℃で10分間熱処理したもの。試料No.の磁
気ヘツドは、前記試料No.の磁気ヘツドを用いて、さ
らに最初、H1方向に磁界を印加して350℃で30分間熱処
理した後、次にH2方向に磁界を印加して310℃で10分間
熱処理したもので、このように順次、表に示す条件でH1
方向での磁界中熱処理とH2方向での磁界中熱処理とを繰
返して試料としている。
前述した磁気ヘツドの初期特性ならびに前記表に示す条
件で磁界中熱処理した後の特性を第２図に示す。試験は
３個の磁気ヘツドを用いて行ない、図中の○印、×印な
らびに△印はそれらの磁気ヘツドの特性値を示してい
る。従つて同じ条件でテストしても、図中で○印、×印
ならびに△印が互に離れていれば特性値のばらつきが大
きいことを、また○印、×印ならびに△印が接近してい
れば特性値のばらつきが小さいことを示している。
件で磁界中熱処理した後の特性を第２図に示す。試験は
３個の磁気ヘツドを用いて行ない、図中の○印、×印な
らびに△印はそれらの磁気ヘツドの特性値を示してい
る。従つて同じ条件でテストしても、図中で○印、×印
ならびに△印が互に離れていれば特性値のばらつきが大
きいことを、また○印、×印ならびに△印が接近してい
れば特性値のばらつきが小さいことを示している。
前述の表ならびに第２図から明らかなように、初期の磁
気ヘツドは、磁界中熱処理を施こしていないから特性値
のばらつきが大である。試料No.の磁気ヘツドは、一
方向にしか磁界中熱処理が施こされておらず、しかも熱
処理最高温度ならびに最高温度保持時間が不十分なの
で、磁界中熱処理の効果が発揮されていない。
気ヘツドは、磁界中熱処理を施こしていないから特性値
のばらつきが大である。試料No.の磁気ヘツドは、一
方向にしか磁界中熱処理が施こされておらず、しかも熱
処理最高温度ならびに最高温度保持時間が不十分なの
で、磁界中熱処理の効果が発揮されていない。
これらに比較して本発明の実施例に係る試料No.から
試料No.の磁気ヘツドは、高い相対出力を有し、中で
も試料No.から試料No.の磁気ヘツドは揃つて高い相
対出力を有するとともに特性値のばらつきが極めて小さ
い。すなわち、 試料No.（２）の磁気ヘツドは、第二の磁界中熱処理で
あるH2方向の磁界中での熱処理条件は試料No.の磁気
ヘツドの場合と同様であるが、第一の磁界中熱処理に相
当する試料No.の熱処理条件が、試料No.における第
一の磁界中熱処理時の条件に比べて最高温度が低く、か
つ最高温度保持時間が短かいため、誘導異方性の状態が
十分飽和に達せず、試料間の特性のばらつきが現われて
いる。
試料No.の磁気ヘツドは、高い相対出力を有し、中で
も試料No.から試料No.の磁気ヘツドは揃つて高い相
対出力を有するとともに特性値のばらつきが極めて小さ
い。すなわち、 試料No.（２）の磁気ヘツドは、第二の磁界中熱処理で
あるH2方向の磁界中での熱処理条件は試料No.の磁気
ヘツドの場合と同様であるが、第一の磁界中熱処理に相
当する試料No.の熱処理条件が、試料No.における第
一の磁界中熱処理時の条件に比べて最高温度が低く、か
つ最高温度保持時間が短かいため、誘導異方性の状態が
十分飽和に達せず、試料間の特性のばらつきが現われて
いる。
試料No.の磁気ヘツドは、第二の磁界中熱処理であるH
2方向の磁界中熱処理での最高温度が若干低く過きるた
め、十分な特性が得られない。
2方向の磁界中熱処理での最高温度が若干低く過きるた
め、十分な特性が得られない。
一方、試料No.の磁気ヘツドは、第二の磁界中熱処理
であるH2方向の磁界中熱処理での最高温度が高過ぎるた
め、かえつて相対出力が低下してしまう。
であるH2方向の磁界中熱処理での最高温度が高過ぎるた
め、かえつて相対出力が低下してしまう。
これらに比較して試料No.から試料No.の磁気ヘツド
は、第一の磁界中熱処理ならびに第二の磁界中熱処理の
条件が最適であるから、相対出力が高く、しかも特性値
のばらつきの範囲が極めて小さい。
は、第一の磁界中熱処理ならびに第二の磁界中熱処理の
条件が最適であるから、相対出力が高く、しかも特性値
のばらつきの範囲が極めて小さい。
前記実施例においては、第一の磁界中熱処理時の印加磁
界の方向をヘツドコアの幅方向、第二の磁界中熱処理時
の印加磁界の方向をそれと垂直の作動ギヤツプの深さ方
向としたが、これらの印加磁界の方向は互いに入れ換え
ても同様の効果が得られることが実験で確認されてい
る。
界の方向をヘツドコアの幅方向、第二の磁界中熱処理時
の印加磁界の方向をそれと垂直の作動ギヤツプの深さ方
向としたが、これらの印加磁界の方向は互いに入れ換え
ても同様の効果が得られることが実験で確認されてい
る。
本発明は前述のように、磁気ヘツド組立後に施す第一の
磁界中熱処理ならびに第二の磁界中熱処理の磁界印加方
向を、ヘツドコアの幅方向ならびに作動ギヤツプの深さ
方向にそれぞれ特定している。
磁界中熱処理ならびに第二の磁界中熱処理の磁界印加方
向を、ヘツドコアの幅方向ならびに作動ギヤツプの深さ
方向にそれぞれ特定している。
そのためヘツドコアの幅方向に弱くて一様に揃った磁気
異方性が付与され、その結果、磁束の主な流れとなる磁
性材料部分の作動ギヤツプの深さ方向の透磁率を高める
ことができ、磁界の印加方向の特定により品質のバラツ
キがなくなり、安定した良好な特性を有する磁気ヘツド
が製造できる。
異方性が付与され、その結果、磁束の主な流れとなる磁
性材料部分の作動ギヤツプの深さ方向の透磁率を高める
ことができ、磁界の印加方向の特定により品質のバラツ
キがなくなり、安定した良好な特性を有する磁気ヘツド
が製造できる。
第１図は本発明の実施例に係る磁気ヘツドの斜視図、第
２図は各磁気ヘツドの特性図、第３図ならびに第４図は
従来の磁気ヘツドの平面図ならびに断面図である。 １……基体、２……磁性薄膜、３……作動ギツプ規制
膜、ｗ……ヘツドコアの幅、H1、H2……磁界の印加方
向。
２図は各磁気ヘツドの特性図、第３図ならびに第４図は
従来の磁気ヘツドの平面図ならびに断面図である。 １……基体、２……磁性薄膜、３……作動ギツプ規制
膜、ｗ……ヘツドコアの幅、H1、H2……磁界の印加方
向。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三上 寛祐 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−59508（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−9157（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−107607（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】磁気回路を構成するヘツドコアを有し、磁
界中での熱処理によつて磁気異方性が誘起される磁性材
料によつて前記磁気回路の少なくとも一部を構成する磁
気ヘツドの製造方法において、 その磁気ヘツドを組み立てた後に前記磁性材料部分に対
して、その磁性材料部分の磁化容易軸を一方向に発生さ
せるための第一の磁界中熱処理と、前記磁化容易軸に対
してほぼ垂直な方向に磁界を印加しながら熱処理を行な
う第二の磁界中熱処理を施す際、前記第一の磁界中熱処
理ならびに第二の磁界中熱処理のうちいずれか一方の磁
界の印加方向を当該磁気ヘツドの前記ヘツドコアの幅方
向とほぼ一致させ、他方の磁界の印加方向を当該磁気ヘ
ツドの作動ギヤツプの深さ方向とほぼ一致させたことを
特徴とする磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183833A JPH0777007B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気ヘツドの製造方法 |
| KR1019860006586A KR940003643B1 (ko) | 1985-08-23 | 1986-08-11 | 자기 헤드의 제조 방법 |
| DE19863628308 DE3628308A1 (de) | 1985-08-23 | 1986-08-21 | Verfahren zur herstellung eines magnetkopfes |
| US07/296,368 US4928382A (en) | 1985-08-23 | 1989-01-09 | Method of the production of a magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183833A JPH0777007B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246408A JPS6246408A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0777007B2 true JPH0777007B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=16142638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60183833A Expired - Fee Related JPH0777007B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4928382A (ja) |
| JP (1) | JPH0777007B2 (ja) |
| KR (1) | KR940003643B1 (ja) |
| DE (1) | DE3628308A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668815B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1994-08-31 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| US5252877A (en) * | 1990-06-29 | 1993-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Slot insulating magnetic wedges |
| JPH07225910A (ja) * | 1994-02-08 | 1995-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH07254116A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの熱処理方法 |
| US5546650A (en) * | 1994-06-22 | 1996-08-20 | Storage Technology Corporation | Method of manufacturing a multiple track thin film recording head |
| JP2002092854A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体及び信号記録方式 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3039891A (en) * | 1957-11-14 | 1962-06-19 | Sperry Rand Corp | Method of treating ni-fe thin metal film of body of magnetic material by subjecting to heat treatment in a magnetic field oriented transversely to the preferred axis of magnetization |
| US4268325A (en) * | 1979-01-22 | 1981-05-19 | Allied Chemical Corporation | Magnetic glassy metal alloy sheets with improved soft magnetic properties |
| JPS58107607A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Sony Corp | 非晶質磁性材料の熱処理方法 |
| JPS596360A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Sony Corp | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
| JPS599157A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-18 | Sony Corp | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
| JPS59200748A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-14 | Akai Electric Co Ltd | 一軸性の磁気異方性を有する非晶質軟磁性薄膜の製造方法 |
| JPS6059508A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Sony Corp | 磁気ヘツドの製法 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60183833A patent/JPH0777007B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-08-11 KR KR1019860006586A patent/KR940003643B1/ko active IP Right Grant
- 1986-08-21 DE DE19863628308 patent/DE3628308A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-01-09 US US07/296,368 patent/US4928382A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4928382A (en) | 1990-05-29 |
| JPS6246408A (ja) | 1987-02-28 |
| KR940003643B1 (ko) | 1994-04-25 |
| KR870002548A (ko) | 1987-03-31 |
| DE3628308A1 (de) | 1987-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |