JPH0770599A - フッ素化アルコール含有水切り溶剤 - Google Patents
フッ素化アルコール含有水切り溶剤Info
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- JPH0770599A JPH0770599A JP13259793A JP13259793A JPH0770599A JP H0770599 A JPH0770599 A JP H0770599A JP 13259793 A JP13259793 A JP 13259793A JP 13259793 A JP13259793 A JP 13259793A JP H0770599 A JPH0770599 A JP H0770599A
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Abstract
る影響を小さくでき、不燃性で、かつ水切り能力が高
く、低沸点とすることにより全体の処理時間を短縮する
ことができるフッ素化アルコール含有水切り溶剤を提供
する。 【構成】 1,1,1,3,3,4,4,4−オクタフ
ルオロブタン−2−オール、2−トリフルオロメチル−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン−2
−オール、2−トリフルオロメチル−1,1,1−トリ
フルオロプロパン−2−オールのいずれか少なくとも1
種のフッ素化アルコール50〜95重量%と、ハロゲン
化炭化水素を混合したことを特徴とするフッ素化アルコ
ール含有水切り溶剤。
Description
電子機器等の洗浄に使用する水切り溶剤に関する。
は水で洗浄した後、付着した水分を除去する必要がある
(以下、この操作を「水切り」という。)。例えば、こ
の水切り方法の1つに、被洗浄物を有機溶剤に浸漬し水
との濡れ性または比重差を利用して、付着水を物品表面
より剥離し、浮上させ分離する方法がある。この方法で
は有機溶剤として通常1,1,2−トリフルオロ−1,
2,2−トリクロロエタン(以下、「CFC−113」
という。)や1,1,1−トリクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素が使用されるが、この様な溶剤単独では水
の脱離効果が不十分なため各種の界面活性剤を添加して
使用されることが多い。しかしながら、界面活性剤は不
揮発性であるために水切り後物品表面に一部残存すると
いう難点がある。
コールや2,2,2−トリフルオロエタノールを添加し
たものも提案されているが、これらはいずれも可燃性で
あり、界面活性剤を添加したものに較べ、水切り能力が
低くこれを実用化するには種々の問題があった。
る2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパノールを
単独で水切り剤として用いる方法も提案されているが、
沸点が高く乾燥操作に問題があった。
などの非揮発性物質による被洗浄物の汚染や、被洗浄物
の乾燥に時間がかかるという問題のない水切り溶剤を提
供することを目的とする。
き現状に鑑み研究を重ねた結果、2,2,3,3,3−
ペンタフルオロプロパノールはCFC−113などの塩
素化フッ素化炭化水素に比べ蒸発潜熱が大きい点に着目
し、蒸発潜熱の小さいフッ素化アルコールを主成分とし
て用い、これにハロゲン化炭化水素を混合することによ
り、水切り能が高く、乾燥が容易であり、かつ地球環境
への影響の小さい水切り溶剤が得られることをを見いだ
し、本発明を完成するに至った。
3,4,4,4−オクタフルオロブタン−2−オール、
2−トリフルオロメチル−1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロプロパン−2−オール、2−トリフルオロ
メチル−1,1,1−トリフルオロプロパン−2−オー
ルのいずれか少なくとも1種のフッ素化アルコール50
〜95重量%と、さらに、ハロゲン化炭化水素5〜50
重量%を混合して使用することを特徴とするフッ素化ア
ルコール含有水切り溶剤である。
1,1,1,3,3,4,4,4−オクタフルオロブタ
ン−2−オール[分子式:CF3CH(OH)CF2CF
3]、2−トリフルオロメチル−1,1,1,3,3,
3−ヘキサフルオロプロパン−2−オール[分子式:
(CF3)3COH]、2−トリフルオロメチル−1,
1,1−トリフルオロプロパン−2−オール[分子式:
(CF3)2(CH3)COH]であり、これらは単独で
もあるいは2種類以上の混合物としても使用できる。本
発明で用いるフッ素化アルコールの代表的な物性値を表
1に示す。いずれも引火点を持たない化合物である。比
較のため2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパノ
ールの対応する物性値を表1に併せて示す。
は、本発明のフッ素化アルコールと混和する化合物であ
れば使用できるが、地球環境影響を考慮し対流圏での分
解を可能とするため、分子内に少なくとも1個以上の水
素原子を有し、かつフッ素化アルコールとの溶解性が良
いフッ素化炭化水素を使用することが好ましい。このよ
うな特徴を有するフッ素化炭化水素として、例えば、
1,2−ジクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン、
1,2−ジクロロ−1,1−ジフルオロエタン、1−ク
ロロ−2,2,2−トリフルオロエタン、1,1−ジク
ロロ−2,2,2−トリフルオロエタン、1,1−ジク
ロロ−1−フルオロエタン、1,1,2,2,3−ペン
タフルオロプロパン、2−クロロ−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロプロパン、1−クロロ−1,
1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1−ク
ロロ−2,2,3,3−テトラフルオロプロパン、1,
1−ジクロロ−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプ
ロパン、1,3−ジクロロ−1,2,2,3,3−ペン
タフルオロプロパン,1,2−ジクロロ−1,1,3,
3,3−ペンタフルオロプロパン、1,2−ジクロロ−
1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパン、1,2
−ジクロロ−1,3,3,3−テトラフルオロプロパ
ン、1,2−ジクロロ−3,3,3−トリフルオロプロ
パン,2,3−ジクロロ−1,1,1,4,4,4−ヘ
キサフルオロブタン、2−クロロ−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロブタン、2−メチル−1,2−
ジクロロ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパ
ン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロブタン、
2−トリフルオロメチル−1,1,1−トリフルオロプ
ロパン、1,1,2,2−テトラフルオロシクロブタ
ン、1−クロロ−2,2,3,3−テトラフルオロシク
ロブタン、1−クロロ−2,2,3,3,4,4−シク
ロブタン、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフ
ルオロブタン、1,1,1,2,3,4,4,4−オク
タフルオロブタン、1,1,2,2,3,3,4,4,
5,5,5−ウンデカフルオロペンタン、2,2−ジフ
ルオロペンタン、等が挙げられる。特に、本発明のフッ
素化アルコールの沸点範囲に近い、1−クロロ−2,
2,3,3−テトラフルオロプロパン(R244ca、
沸点 54℃)、1,1−ジクロロ−2,2,3,3,
3−ペンタフルオロプロパン(R225ca、沸点 5
1℃)、1,3−ジクロロ−1,2,2,3,3−ペン
タフルオロプロパン(R225cb、沸点56℃),
1,2−ジクロロ−1,1,3,3,3−ペンタフルオ
ロプロパン(R225da、沸点 51℃)、1,2−
ジクロロ−1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパ
ン(R225ba、沸点 52℃)、1,2−ジクロロ
−1,3,3,3−テトラフルオロプロパン(R234
da、沸点 70℃)、1,2−ジクロロ−3,3,3
−トリフルオロプロパン(R243da、沸点 77
℃)を使用することが好ましい。
は、それぞれ単独で用いてもあるいは2種以上組み合わ
せても使用でき、これら単独或いは混合して用いられる
ハロゲン化炭化水素の水切り溶剤中の含有量は好ましく
は5〜50重量%である。ハロゲン化炭化水素が5重量
%以下では、水切り溶剤に含まれる水分濃度が高くなり
ハロゲン化炭化水素の安定性に欠ける場合があり、一
方、50重量%以上では水切りされた水の上昇に時間が
かかり好ましくない。また、製造法上の理由から例示し
た化合物の異性体が包含される場合も使用して差し支え
ない。
剤は、一般に次のように使用される。水切り工程では緩
やかな一定方向の流れを持ち、槽から溢流している水切
り溶剤中に水の付着した物品を浸漬し、水を分離し、浮
上させる。浮上した水は水切り溶剤の溢流と共に槽から
流出させる。流出した水と水切り溶剤は水分離槽に導
き、水分離槽の上部から水を、下部から水切り溶剤を抜
き出す。更に乾燥工程では、水切り後の物品を加熱した
溶剤蒸気中に曝し、その蒸気の熱エネルギーで物品表面
を乾燥させる。
連の連続装置で行われお互いに液の混合または混入の起
こる場合が多い、即ち乾燥工程の溶剤蒸気が凝縮して水
切り工程に導入されたり、水切り工程の水切り溶剤が乾
燥工程の溶剤として補給されることが多い。従って水切
り工程で使用される水切り溶剤と乾燥工程で用いられる
溶剤は実質的に同一か極めて組成の近似した物であるこ
とが望ましい。
物品の材質はとくに限定する必要はないが、例えば、ガ
ラス、セラミックス、鉄、アルミニウム亜鉛、銅、真鍮
その他各種合金が挙げられる。これらの物品に対して腐
食を防止したり溶剤の分解を抑止する目的で本発明のフ
ッ素化アルコール含有水切り溶剤に各種の安定剤、例え
ばニトロメタン等のニトロアルカン類、1,4−ジオキ
サン等の環状エーテル類、1,2−ブチレンオキシド−
エポキシアルカン類、ベンゾトリアゾール類、エチレン
ジアミン等のアミン類を加えることができる。
に説明する。
リンダーにパテントブルーで着色した水5ccを入れ、
その上から直径3mmのガラスビーズ20g(約14c
c)を静かに入れる。5分間静置した後、水切り溶剤2
0ccを注ぎ込み、水切り溶剤の上部に着色水が1.5
cc上昇するまでの時間を測定した。所要時間が短いと
水切り能が高いと評価できる。
bの混合物(組成比R225ca/R225cb=1/
1)を使用し、これにフッ素化アルコールを表2に示す
割合で混合したフッ素化アルコール含有水切り溶剤につ
いて〔水切り試験〕を行った。その結果を表2に示す。
もの(比較例1)、2,2,3,3,3−ペンタフルオ
ロプロパノールのみ(比較例2)、及びR225ca及
びR225cbの混合物(組成比R225ca/R22
5cb=1/1)のみ(比較例3)について〔水切り試
験〕を行った。その結果を表2に示す。
溶剤は、不燃性でまたオゾン層破壊或いは温暖化などの
地球環境に及ぼす影響が小さく、かつ水切り能が高く、
低沸点であることから、乾燥工程ではその乾燥時間が短
くなり全体の処理時間を短縮することができるという効
果を奏する。
Claims (2)
- 【請求項1】 フッ素化アルコールとハロゲン化炭化水
素とからなる溶剤であって、該溶剤が、1,1,1,
3,3,4,4,4−オクタフルオロブタン−2−オー
ル、2−トリフルオロメチル−1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロプロパン−2−オールおよび2−トリ
フルオロメチル−1,1,1−トリフルオロプロパン−
2−オールから選ばれた1種以上のフッ素化アルコール
を50〜95重量%含有することを特徴とするフッ素化
アルコール含有水切り溶剤。 - 【請求項2】 ハロゲン化炭化水素が、1−クロロ−
2,2,3,3−テトラフルオロプロパン、1,1−ジ
クロロ−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパ
ン、1,3−ジクロロ−1,2,2,3,3−ペンタフ
ルオロプロパン,1,2−ジクロロ−1,1,3,3,
3−ペンタフルオロプロパン、1,2−ジクロロ−1,
2,3,3,3−ペンタフルオロプロパン、1,2−ジ
クロロ−1,3,3,3−テトラフルオロプロパンおよ
び1,2−ジクロロ−3,3,3−トリフルオロプロパ
ンから選ばれた1種以上のハロゲン化炭化水素であるこ
とを特徴とする請求項1記載のフッ素化アルコール含有
水切り溶剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13259793A JP2572524B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | フッ素化アルコール含有水切り溶剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13259793A JP2572524B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | フッ素化アルコール含有水切り溶剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0770599A true JPH0770599A (ja) | 1995-03-14 |
JP2572524B2 JP2572524B2 (ja) | 1997-01-16 |
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ID=15085065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13259793A Expired - Lifetime JP2572524B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | フッ素化アルコール含有水切り溶剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2572524B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5877657A (en) * | 1996-11-29 | 1999-03-02 | Ricoh Company, Ltd. | PLL clock generator having trimmable frequency dividers |
EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
EP2905803A1 (en) | 2014-02-06 | 2015-08-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for cleaning and drying semiconductor substrate |
EP3396702A1 (en) | 2017-04-27 | 2018-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of cleaning and drying semiconductor substrate |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP13259793A patent/JP2572524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
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KR20150093098A (ko) | 2014-02-06 | 2015-08-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 세정 건조 방법 |
US9524863B2 (en) | 2014-02-06 | 2016-12-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for cleaning and drying semiconductor substrate |
EP3396702A1 (en) | 2017-04-27 | 2018-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of cleaning and drying semiconductor substrate |
KR20180120606A (ko) | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 세정 건조 방법 |
US10811247B2 (en) | 2017-04-27 | 2020-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of cleaning and drying semiconductor substrate |
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