JPH0750547A - Higher harmonic mode ceramic trap and trap circuit - Google Patents
Higher harmonic mode ceramic trap and trap circuitInfo
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- JPH0750547A JPH0750547A JP14655992A JP14655992A JPH0750547A JP H0750547 A JPH0750547 A JP H0750547A JP 14655992 A JP14655992 A JP 14655992A JP 14655992 A JP14655992 A JP 14655992A JP H0750547 A JPH0750547 A JP H0750547A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、中心周波数が１０ＭＨ
ｚ以上に設定される高調波セラミックトラップ及びトラ
ップ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention has a center frequency of 10 MH.
The present invention relates to a harmonic ceramic trap and a trap circuit set to z or higher.
【０００２】[0002]
【従来の技術】テレビ、コ−ドレステレフォン、デジタ
ル通信または光通信においては、選択中心周波数が１０
ＭＨｚ以上のトラップが必要である。例えば、テレビの
ＩＦ段は、ＳＡＷ（サ−フェイス・アコ−ステック・ウ
ェ−ブ）フィルタとその前後段にプリアンプ及びポスト
アンプを備えた構成が主流となっている。しかし、ＳＡ
Ｗフィルタでは、隣接音声信号の減衰量が不足し、テレ
ビの高画質化を阻んでいる。このため、多くのテレビメ
−カ−は、巻線タイプのインダクタとコンデンサとを用
いて補助トラップを形成し、減衰量の不足を補ってい
る。しかしながら、巻線タイプの補助トラップは、形状
が大きくなり、ＩＦ部の小型化を妨げる最大要因となっ
ている。2. Description of the Related Art In television, cordless telephone, digital communication, or optical communication, the selected center frequency is 10.
A trap above MHz is required. For example, in the IF stage of a television, a structure in which a SAW (surface acoustic wave) filter and a preamplifier and a postamplifier before and after the SAW filter are mainly used. However, SA
In the W filter, the attenuation amount of the adjacent audio signal is insufficient, which prevents the high image quality of the television. For this reason, many television manufacturers use a winding type inductor and a capacitor to form an auxiliary trap to compensate for the lack of attenuation. However, the winding type auxiliary trap becomes large in size, which is the largest factor that hinders the downsizing of the IF section.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述した難点を克服す
る手段として、補助トラップをセラミック圧電素体で構
成することが考えられる。通常、セラミック圧電素体
は、実公昭６０−２６６３号公報や、特公昭６０−１２
８１０号公報等で知られるように、基本固有共振周波数
によって定まる基本波を選択中心周波数として利用する
のが基本である。As a means for overcoming the above-mentioned problems, it is conceivable to construct the auxiliary trap with a ceramic piezoelectric element. Usually, ceramic piezoelectric elements are disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 60-2663 and Japanese Patent Publication No. 60-12.
As known from Japanese Patent No. 810, etc., it is fundamental to use a fundamental wave determined by a fundamental natural resonance frequency as a selective center frequency.
【０００４】しかし、セラミック圧電素体の有する基本
固有共振周波数は、素体の厚みにほぼ反比例するから、
選択中心周波数を高周波化しようとすると、素体の厚み
をそれに対応して薄くしなければならない。具体例とし
て、選択中心周波数を１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚに設定す
る場合、セラミック圧電素体の厚みは１００μｍ〜３０
μｍ程度にしなければならない。このような薄いセラミ
ック圧電素体を用いた補助トラップは、機械的強度に難
点があり、量産が困難である。However, since the basic natural resonance frequency of the ceramic piezoelectric element is almost inversely proportional to the thickness of the element,
In order to increase the selection center frequency, the thickness of the element body must be correspondingly reduced. As a specific example, when the selected center frequency is set to 10 MHz to 50 MHz, the thickness of the ceramic piezoelectric element is 100 μm to 30 μm.
It should be about μm. The auxiliary trap using such a thin ceramic piezoelectric element has a problem in mechanical strength and is difficult to mass produce.
【０００５】そこで、本発明の第１の課題は、上述した
従来の問題点を解決し、セラミック圧電素体の厚みを量
産化の容易な厚みに保ったままで、選択中心周波数を１
０ＭＨｚ以上に設定し得る高調波セラミックトラップを
提供することである。Therefore, a first object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to set the selected center frequency to 1 while keeping the thickness of the ceramic piezoelectric element at a thickness that facilitates mass production.
It is to provide a harmonic ceramic trap that can be set to 0 MHz or higher.
【０００６】第２の課題は、トラップ帯域幅の拡張を可
能にし得る高調波セラミックトラップを提供することで
ある。A second object is to provide a harmonic ceramic trap which allows for an extension of the trap bandwidth.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述した第１の課題解決
のため、本発明は、選択中心周波数が１０ＭＨｚ以上に
設定されているセラミックトラップであって、セラミッ
ク圧電材料よりなる素体を用い、選択中心周波数を前記
素体の有する基本固有共振周波数の３次以上の次数の高
調波モ−ドとなるように選定したことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned first problem, the present invention is a ceramic trap in which a selective center frequency is set to 10 MHz or more, using an element body made of a ceramic piezoelectric material, It is characterized in that the selected center frequency is selected so as to be a harmonic mode of a third or higher order of the fundamental natural resonance frequency of the element body.
【０００８】第２の課題解決のため、前記素体は、複数
の振動部分を有しており、前記振動部分のそれぞれは、
共振周波数が互いに異なり、前記素体の表面及び裏面で
互いに対向する振動電極を有し、前記振動電極のそれぞ
れが表面または裏面で互いに電気的に接続されているこ
とを特徴とする。To solve the second problem, the element body has a plurality of vibrating portions, and each of the vibrating portions is
Resonant frequencies are different from each other and have vibrating electrodes facing each other on the front surface and the back surface of the element body, and each of the vibrating electrodes is electrically connected to each other on the front surface or the back surface.
【０００９】[0009]
【作用】第１の課題解決手段によれば、選択中心周波数
は素体の有する基本固有共振周波数の３次以上の次数の
高調波モ−ドとなるように選定されているので、基本波
を用いる場合と比較してセラミック圧電素体の厚みを大
きくできる。具体例として、選択中心周波数１０ＭＨｚ
〜５０ＭＨｚの高調波セラミックトラップを得る場合
に、３次高調波モ−ドを利用したとすると、セラミック
圧電素体の厚みは６００μｍ〜１５０μｍ程度になる。
このような厚みを有するセラミック圧電素体は、必要と
する機械的強度が得られ容易に量産できる。According to the first means for solving the problems, the selected center frequency is selected so as to be the harmonic mode of the third or higher order of the fundamental natural resonance frequency of the element body. The thickness of the ceramic piezoelectric element can be increased as compared with the case where it is used. As a specific example, the selected center frequency is 10 MHz
If a third-order harmonic mode is used to obtain a harmonic ceramic trap of .about.50 MHz, the thickness of the ceramic piezoelectric element is about 600 .mu.m to 150 .mu.m.
The ceramic piezoelectric element having such a thickness can obtain the required mechanical strength and can be easily mass-produced.
【００１０】本発明に係る高調波セラミックトラップ
は、３次以上の高調波モ−ドのエネルギ−閉じ込めが起
き易いセラミック圧電材料を用いて構成する。具体例と
しては、チタン及び鉛を主成分とするチタン酸鉛系セラ
ミック圧電材料をあげることができる。利用できる振動
モ−ドには、厚み滑り振動、拡がり振動、厚み縦振動及
び長さ振動の各種振動モ−ドが含まれる。セラミック圧
電素体に形成される電極は、３次以上の高調波モ−ドの
エネルギ−閉じ込めが起き易いパタ−ン、数、面積また
は材料であれば、従来より知られている技術またはこれ
から提案されることのある技術を自由に適用できる。The harmonic ceramic trap according to the present invention is formed by using a ceramic piezoelectric material which easily causes energy confinement in a harmonic mode of the third order or higher. As a specific example, a lead titanate-based ceramic piezoelectric material containing titanium and lead as main components can be cited. The vibration modes that can be used include various vibration modes such as thickness sliding vibration, spreading vibration, thickness longitudinal vibration, and length vibration. The electrode formed on the ceramic piezoelectric element is a conventionally known technique or a technique to be proposed so far as it is a pattern, number, area or material in which energy confinement of higher harmonic wave modes of the third order or higher is likely to occur. You can freely apply the technologies that are often used.
【００１１】第２の課題解決手段によれば、素体は、複
数の振動部分を有しており、振動部分のそれぞれは、共
振周波数が互いに異なり、素体の表面及び裏面で互いに
対向する振動電極を有し、振動電極のそれぞれが表面ま
たは裏面で互いに電気的に接続されているから、共振周
波数をわずかにズラすことにより、それぞれの振動部分
のトラップ特性の相乗作用が働き、トラップ帯域幅を拡
張できる。これにより、高次高調波モ−ドの特有の問題
である帯域幅不足を解消できる。According to the second means for solving the problems, the element body has a plurality of vibrating portions, and the vibrating portions have vibration frequencies different from each other and are opposed to each other on the front surface and the back surface of the element body. Since the vibrating electrodes have electrodes and are electrically connected to each other on the front surface or the back surface, a slight shift in the resonance frequency causes a synergistic effect on the trap characteristics of the respective vibrating parts, and the trap bandwidth Can be extended. As a result, it is possible to solve the shortage of bandwidth, which is a problem peculiar to the high-order harmonic mode.
【００１２】[0012]
【実施例】図１は本発明に係る高調波セラミックトラッ
プの一実施例における平面図、図２は同じくその底面
図、図３は同じくその側面図である。図において、１は
セラミック圧電素体、２はセラミック圧電素体１の表面
に設けられた振動電極、３はセラミック圧電素体１の裏
面に設けられた振動電極、４及び５はリ−ド端子、８は
外装体である。説明の都合上、平面図及び底面図では外
装体８を省略してある。1 is a plan view of an embodiment of a harmonic ceramic trap according to the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the same, and FIG. 3 is a side view of the same. In the figure, 1 is a piezoelectric ceramic body, 2 is a vibrating electrode provided on the surface of the ceramic piezoelectric body 1, 3 is a vibrating electrode provided on the back surface of the ceramic piezoelectric body 1, and 4 and 5 are lead terminals. , 8 are exterior bodies. For convenience of description, the exterior body 8 is omitted in the plan view and the bottom view.
【００１３】セラミック圧電素体１は、３次以上の高調
波モ−ドのエネルギ−閉じ込めが起き易いセラミック圧
電材料を用いる。使用する高調波モ−ドでのＱ値が２０
０以上、結合係数が５〜２０％、比誘電率が１００〜３
００のチタン酸鉛系セラミック圧電材料が特に適してい
る。このセラミック圧電材料を用いて素体１を構成し、
所定の分極処理の度合によって減衰帯域幅を可変調整す
ることも可能である。セラミック圧電素体１は、選択中
心周波数が３次の高調波モ−ドとなるように、厚み及び
面積を選定する。The ceramic piezoelectric element 1 is made of a ceramic piezoelectric material which easily causes energy confinement in higher-order harmonic modes. Q value in the harmonic mode used is 20
0 or more, coupling coefficient 5 to 20%, relative dielectric constant 100 to 3
A lead titanate-based ceramic piezoelectric material of No. 00 is particularly suitable. An element body 1 is formed by using this ceramic piezoelectric material,
It is also possible to variably adjust the attenuation bandwidth according to the degree of predetermined polarization processing. The thickness and area of the ceramic piezoelectric element 1 are selected so that the selected center frequency is the third harmonic mode.
【００１４】セラミック圧電素体１の表面及び裏面に
は、対向する対の振動電極２及び振動電極３が設けられ
ている。振動電極２は、リ−ド導体６を介してリ−ド端
子４に接続されている。振動電極３は、リ−ド導体７を
介してリ−ド端子５に接続されている。振動電極２及び
振動電極３が対向する部分は振動部分Ｆとなる。A pair of vibrating electrodes 2 and 3 facing each other are provided on the front and back surfaces of the ceramic piezoelectric element 1. The vibrating electrode 2 is connected to a lead terminal 4 via a lead conductor 6. The vibrating electrode 3 is connected to a lead terminal 5 via a lead conductor 7. A portion where the vibrating electrode 2 and the vibrating electrode 3 face each other becomes a vibrating portion F.
【００１５】上述したように、選択中心周波数はセラミ
ック圧電素体１の有する基本固有共振周波数の３次高調
波モ−ド以上の次数となるように選定されているので、
基本波を用いる場合と比較してセラミック圧電素体１の
厚みｄを大きくできる。具体例として、選択中心周波数
１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの高調波セラミックトラップを
得る場合に、３次高調波モ−ドを利用したとすると、セ
ラミック圧電素体１の厚みは６００μｍ〜１５０μｍ程
度になる。このような厚みを有するセラミック圧電素体
１は、必要とする機械的強度が確保され、容易に量産で
きる。As described above, the selected center frequency is selected so as to have an order higher than the third harmonic mode of the fundamental natural resonance frequency of the ceramic piezoelectric element 1.
The thickness d of the ceramic piezoelectric element 1 can be increased as compared with the case of using the fundamental wave. As a specific example, if a third harmonic mode is used to obtain a harmonic ceramic trap with a selected center frequency of 10 MHz to 50 MHz, the thickness of the ceramic piezoelectric element 1 is about 600 μm to 150 μm. The ceramic piezoelectric element 1 having such a thickness ensures the required mechanical strength and can be easily mass-produced.
【００１６】図４は本発明に係るＴＶ・ＩＦ用の高調波
セラミックトラップの特性図、図５はそのトラップ周波
数帯域における詳細な減衰特性を示す図である。図にお
いて、ＡＳは隣接音声信号周波数、ＡＰは隣接映像周波
数、Ｓは音声信号周波数、Ｐは映像信号周波数、Ｃは色
信号周波数である。トラップ周波数は隣接音声信号を減
衰させるため６０．２５ＭＨｚに設定されている。隣接
音声信号周波数ＡＳ以外の周波数はほとんど減衰させな
い理想的なトラップ特性となっている。FIG. 4 is a characteristic diagram of a harmonic ceramic trap for TV / IF according to the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing detailed attenuation characteristics in the trap frequency band. In the figure, AS is the adjacent audio signal frequency, AP is the adjacent video frequency, S is the audio signal frequency, P is the video signal frequency, and C is the color signal frequency. The trap frequency is set to 60.25 MHz to attenuate the adjacent audio signal. Frequencies other than the adjacent audio signal frequency AS have ideal trap characteristics with almost no attenuation.
【００１７】図６は本発明に係る高調波セラミックトラ
ップの別の実施例の平面図、図７は同じくその底面図、
図８は同じくその側面図である。図において図１〜図３
と同一参照符号は同一性ある構成部分を示している。FIG. 6 is a plan view of another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention, and FIG. 7 is a bottom view of the same.
FIG. 8 is a side view of the same. 1 to 3 in the drawings
The same reference numerals as in FIG.
【００１８】セラミック圧電素体１は、複数の振動部分
Ｆ１、Ｆ２を有している。振動部分Ｆ１、Ｆ２のそれぞ
れは、セラミック圧電素体１の表面及び裏面で互いに対
向する振動電極（２１、３１）、（２２、３２）を有し
ている。振動電極２１及び振動電極２２は、セラミック
圧電素体１の表面でリ−ド導体６２を介して電気的に接
続されている。振動電極３１及び振動電極３２は、セラ
ミック圧電素体１の裏面でリ−ド導体７２により互いに
電気的に接続されている。振動部分Ｆ１、Ｆ２のそれぞ
れは、共振周波数を互いに異ならせてある。振動電極
（２１、３１）と振動電極（２２、３２）との質量を異
ならせ、振動部分Ｆ２の共振周波数を振動部分Ｆ１の共
振周波数からわずかにズラしてある。具体的には、振動
電極（２２、３２）の厚みを振動電極（２１、２２）の
厚みより厚く設定し、質量を重くしてある。振動電極２
２または振動電極３２のいずれか一方の厚みを厚くする
こともできる。これにより、振動電極２１、セラミック
圧電素体１及び振動電極３１は、共振周波数ｆ１の第１
のトラップＴ１を構成し、振動電極２２、セラミック圧
電素体１及び振動電極３２は、共振周波数ｆ２の第２の
トラップＴ２を構成する。共振周波数ｆ２は共振周波数
ｆ１より低くなる。第１のトラップＴ１及び第２のトラ
ップＴ２を合成して得られる高調波セラミックトラップ
Ｔは、図９に示すように、第１のトラップＴ１及び第２
のトラップＴ２を並列接続した等価回路で表わされる。The ceramic piezoelectric element 1 has a plurality of vibrating portions F1 and F2. Each of the vibrating portions F1 and F2 has vibrating electrodes (21, 31) and (22, 32) facing each other on the front surface and the back surface of the ceramic piezoelectric element 1. The vibrating electrode 21 and the vibrating electrode 22 are electrically connected to each other on the surface of the ceramic piezoelectric element body 1 via a lead conductor 62. The vibrating electrode 31 and the vibrating electrode 32 are electrically connected to each other by a lead conductor 72 on the back surface of the ceramic piezoelectric element 1. Resonant frequencies of the vibrating portions F1 and F2 are different from each other. The vibrating electrodes (21, 31) and the vibrating electrodes (22, 32) have different masses, and the resonance frequency of the vibrating portion F2 is slightly shifted from the resonance frequency of the vibrating portion F1. Specifically, the thickness of the vibrating electrodes (22, 32) is set thicker than the thickness of the vibrating electrodes (21, 22) to make the mass heavy. Vibrating electrode 2
Either one of the two or the vibrating electrode 32 can be thickened. As a result, the vibrating electrode 21, the ceramic piezoelectric element 1 and the vibrating electrode 31 have the first resonance frequency f1
The vibrating electrode 22, the ceramic piezoelectric element body 1, and the vibrating electrode 32 constitute a second trap T2 having a resonance frequency f2. The resonance frequency f2 becomes lower than the resonance frequency f1. The harmonic ceramic trap T obtained by synthesizing the first trap T1 and the second trap T2 is, as shown in FIG. 9, a first trap T1 and a second trap T2.
Of the trap T2 of FIG.
【００１９】図９は高調波セラミックトラップを用いた
トラップ回路の１例を示す回路図である。図では高調波
セラミックトラップの前後に７５［Ω］の伝送回路を設
けてある。FIG. 9 is a circuit diagram showing an example of a trap circuit using a harmonic ceramic trap. In the figure, a transmission circuit of 75 [Ω] is provided before and after the harmonic ceramic trap.
【００２０】図１０は第１のトラップＴ１及び第２のト
ラップＴ２の個々の減衰特性を示す図、図１１は高調波
セラミックトラップの総合的な減衰特性を示す図であ
る。図１０において、参照符号Ｇ１で示す減衰特性は第
１のトラップＴ１による減衰特性であり、参照符号Ｇ２
で示す減衰特性は第２のトラップＴ２による減衰特性で
ある。高調波セラミックトラップＴの総合減衰特性は、
第１のトラップＴ１と第２のトラップＴ２との減衰特性
との相乗作用が働き、図１１に示すようになる。FIG. 10 is a diagram showing the individual attenuation characteristics of the first trap T1 and the second trap T2, and FIG. 11 is a diagram showing the overall attenuation characteristics of the harmonic ceramic trap. In FIG. 10, the attenuation characteristic indicated by reference symbol G1 is the attenuation characteristic by the first trap T1, and the reference symbol G2.
The attenuation characteristic indicated by is the attenuation characteristic due to the second trap T2. The total attenuation characteristic of the harmonic ceramic trap T is
The damping characteristics of the first trap T1 and the second trap T2 act synergistically to produce the effect as shown in FIG.
【００２１】これにより、トラップ帯域幅の拡張が可能
となり、高次高調波モ−ドの特有の問題である帯域幅不
足を解消できる。As a result, the trap bandwidth can be expanded, and the shortage of bandwidth, which is a problem peculiar to the high-order harmonic mode, can be solved.
【００２２】図１２乃至図１４は本発明に係る図６に示
した高調波セラミックトラップの変形例を示す各平面図
である。図において、図６と同一参照符号は同一性ある
構成部分を示している。図１２の変形例は、振動電極２
２と振動電極２１との電極面積を変えることにより質量
を異ならせてある。振動電極２２は１．２φ、振動電極
２１は１．０φに設定されている。図１３及び図１４の
変形例は、振動電極２２の全体または一部にレジスト膜
ＲＧを塗布し、振動電極２１に対する質量を異ならせて
ある。12 to 14 are plan views showing modifications of the higher harmonic ceramic trap shown in FIG. 6 according to the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 6 denote the same components. The modification of FIG. 12 is the vibrating electrode 2
The mass is made different by changing the electrode areas of 2 and the vibrating electrode 21. The vibrating electrode 22 is set to 1.2φ and the vibrating electrode 21 is set to 1.0φ. In the modification of FIGS. 13 and 14, the resist film RG is applied to the whole or a part of the vibrating electrode 22 so that the mass of the vibrating electrode 21 is different.
【００２３】図１５は本発明に係る高調波セラミックト
ラップの更に別の実施例を示す平面図、図１６は同じく
その底面図、図１７は同じくその等価回路図である。図
において、図６と同一参照符号は同一性ある構成部分を
示している。本実施例は、第１のトラップＴ１の等価的
なインピ−ダンスを変化させ、第２のトラップＴ２に対
する共振周波数を変化させたものである。振動電極３１
に直列にインピ−ダンス素子を接続してある。インピ−
ダンス素子はコンデンサＣ１で構成され、コンデンサＣ
１はセラミック圧電素体１上に実装されている。振動電
極３１は、リ−ド導体７４を介してコンデンサＣ１の一
端に接続されている。コンデンサＣ１の他端は、リ−ド
導体７３を介してリ−ド電極５に接続されている。これ
を等価回路で表わすと、第１のトラップＴ１とコンデン
サＣ１とが直列接続され、直列回路の両端に第２のトラ
ップＴ２が接続された、図１７に示すような等価回路と
なる。FIG. 15 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention, FIG. 16 is a bottom view of the same, and FIG. 17 is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 6 denote the same components. In the present embodiment, the equivalent impedance of the first trap T1 is changed and the resonance frequency for the second trap T2 is changed. Vibration electrode 31
An impedance element is connected in series with the. Impey
The dance element is composed of the capacitor C1, and the capacitor C
1 is mounted on the ceramic piezoelectric element body 1. The vibrating electrode 31 is connected to one end of the capacitor C1 via a lead conductor 74. The other end of the capacitor C1 is connected to the lead electrode 5 via a lead conductor 73. This is represented by an equivalent circuit, which is an equivalent circuit as shown in FIG. 17, in which the first trap T1 and the capacitor C1 are connected in series, and the second trap T2 is connected to both ends of the series circuit.
【００２４】図１８は本発明に係る高調波セラミックト
ラップの更に別の実施例を示す平面図、図１９は同じく
その底面図、図２０は同じくその等価回路図である。図
において、図６及び図１５と同一参照符号は同一性ある
構成部分を示している。コンデンサＣ１は、セラミック
圧電素体１を誘電体として用いることができるような処
理を施して形成されている。リ−ド導体６４は、一端６
４１がコンデンサＣ１の電極となり、他端が振動電極２
１に接続されている。リ−ド導体７４は、一端７４１が
コンデンサＣ１の電極となり、他端が振動電極３１に接
続されている。これを等価回路で表わすと、第１のトラ
ップＴ１にコンデンサＣ１が並列接続され、並列回路に
第２のトラップＴ２が並列接続された、図２０に示すよ
うな等価回路となる。FIG. 18 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention, FIG. 19 is a bottom view of the same, and FIG. 20 is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 6 and 15 denote the same components. The capacitor C1 is formed by subjecting the ceramic piezoelectric element body 1 to a treatment that can be used as a dielectric. The lead conductor 64 has one end 6
41 is the electrode of the capacitor C1 and the other end is the vibrating electrode 2
Connected to 1. The lead conductor 74 has one end 741 serving as an electrode of the capacitor C1 and the other end connected to the vibrating electrode 31. If this is represented by an equivalent circuit, an equivalent circuit as shown in FIG. 20 is obtained in which the capacitor C1 is connected in parallel to the first trap T1 and the second trap T2 is connected in parallel to the parallel circuit.
【００２５】図２１は本発明に係る高調波セラミックト
ラップの更に別の実施例を示す平面図、図２２は同じく
その底面図、図２３は同じくその等価回路図である。図
において、図６及び図１５と同一参照符号は同一性ある
構成部分を示している。コンデンサＣ２及びＣ３は、セ
ラミック圧電素体１を誘電体として用いることができる
ような処理を施して形成されている。振動電極２１は、
リ−ド導体６１を介してリ−ド端子４に接続されてい
る。リ−ド導体６５は、一端６５１がコンデンサＣ３の
電極となり、他端がリ−ド端子４に接続されている。振
動電極２２は、リ−ド導体６６を介してリ−ド電極５に
接続されている。リ−ド導体６７は、一端６７１がコン
デンサＣ２の電極となり、他端がリ−ド端子５に接続さ
れている。リ−ド導体７５は、一端７５１がコンデンサ
Ｃ３の電極となり、他端が振動電極３２に接続されてい
る。リ−ド電極７７は、一端７７１がコンデンサＣ２の
電極となり、他端が振動電極３１に接続されている。こ
れを等価回路で表わすと、第１のトラップＴ１にコンデ
ンサＣ２が直列接続され、第２のトラップＴ２にコンデ
ンサＣ３が直列接続され、直列接続された両者が並列に
接続された、図２３に示すような等価回路となる。FIG. 21 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention, FIG. 22 is a bottom view of the same, and FIG. 23 is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 6 and 15 denote the same components. The capacitors C2 and C3 are formed by subjecting the ceramic piezoelectric element 1 to a treatment that can be used as a dielectric. The vibrating electrode 21 is
It is connected to the lead terminal 4 via a lead conductor 61. One end 651 of the lead conductor 65 serves as an electrode of the capacitor C3, and the other end thereof is connected to the lead terminal 4. The vibrating electrode 22 is connected to the lead electrode 5 via a lead conductor 66. The lead conductor 67 has one end 671 serving as an electrode of the capacitor C2 and the other end connected to the lead terminal 5. The lead conductor 75 has one end 751 serving as an electrode of the capacitor C3 and the other end connected to the vibrating electrode 32. The lead electrode 77 has one end 771 serving as an electrode of the capacitor C2 and the other end connected to the vibrating electrode 31. An equivalent circuit of this is shown in FIG. 23, in which the first trap T1 is connected in series with the capacitor C2, the second trap T2 is connected in series with the capacitor C3, and both of the series connected are connected in parallel. It becomes an equivalent circuit like this.
【００２６】図２４は本発明に係る高調波セラミックト
ラップの更に別の実施例を示す底面図、図２５は同じく
その等価回路図である。図において、図１６と同一参照
符号は同一性ある構成部分を示している。平面図は図１
５と同様である。本実施例は、第１のトラップＴ１の等
価的なインピ−ダンスを変化させ、第２のトラップＴ２
に対する共振周波数を変化させたものである。振動電極
３１に直列にインピ−ダンス素子を接続してある。イン
ピ−ダンス素子はインダクタンス素子Ｌ１で構成され、
インダクタンス素子Ｌ１はセラミック圧電素体１上に磁
性膜を用いたパタ−ンにより形成されている。振動電極
３１は、リ−ド導体７４を介してインダクタンス素子Ｌ
１の一端に接続されている。インダクタンス素子Ｌ１の
他端は、リ−ド導体７３を介してリ−ド電極５に接続さ
れている。これを等価回路で表わすと、第１のトラップ
Ｔ１とインダクタンス素子Ｌ１とが直列接続され、直列
回路の両端に第２のトラップＴ２が接続された、図２５
に示すような等価回路となる。FIG. 24 is a bottom view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention, and FIG. 25 is its equivalent circuit diagram. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 16 denote the same components. The plan view is shown in Figure 1.
The same as 5. In this embodiment, the equivalent impedance of the first trap T1 is changed and the second trap T2 is changed.
The resonance frequency for is changed. An impedance element is connected to the vibrating electrode 31 in series. The impedance element is composed of the inductance element L1.
The inductance element L1 is formed on the ceramic piezoelectric element 1 by a pattern using a magnetic film. The vibrating electrode 31 is connected to the inductance element L via the lead conductor 74.
1 is connected to one end. The other end of the inductance element L1 is connected to the lead electrode 5 via a lead conductor 73. When this is represented by an equivalent circuit, the first trap T1 and the inductance element L1 are connected in series, and the second trap T2 is connected to both ends of the series circuit.
The equivalent circuit is as shown in.
【００２７】図１２から図２４に示した高調波セラミッ
クトラップにおいても、図６に示した高調波セラミック
トラップと同様の作用効果が得られる。In the harmonic ceramic trap shown in FIGS. 12 to 24, the same working effect as that of the harmonic ceramic trap shown in FIG. 6 can be obtained.
【００２８】上述した高調波セラミックトラップを含む
トラップ回路について、図９を参照しながら説明する。
伝送回路９は、入力伝送線路９１と、出力伝送線路９２
とを含んでいる。入力伝送線路９１及び出力伝送線路９
２は高調波セラミックトラップＴの前後に設けられてい
る。A trap circuit including the above-mentioned harmonic ceramic trap will be described with reference to FIG.
The transmission circuit 9 includes an input transmission line 91 and an output transmission line 92.
Includes and. Input transmission line 91 and output transmission line 9
2 are provided before and after the higher harmonic ceramic trap T.
【００２９】高調波セラミックトラップＴは、一般的に
図２６に示すような等価回路で示される。図において、
Ｒ0 は共振インピ−ダンス、Ｌは等価インダクタンス、
Ｃは等価容量、Ｃ0 は制動容量である。共振インピ−ダ
ンスＲ0 は、共振時の絶縁抵抗であり、セラミック圧電
素体１の材質で決定される。制動容量Ｃ0 は、振動電極
（２１、３１）、（２２、３２）の対向面積、セラミッ
ク圧電素体１の材質及びその厚みによって決定される。
また、Ｑ値は（１／ωＣ0 Ｒ0 )で表わされる。共振イ
ンピ−ダンスＲ0 及び制動容量Ｃ0 は、 ω：角周波数（＝２πｆ） Ａ：トラップ帯域での必要減衰量［ｄＢ］ Ｂ：トラップ帯域以外での許容損失［ｄＢ］ Ｚ：入力伝送線路及び出力伝送線路のインピ−ダンス
［Ω］ としたときに、 ２０ｌｏｇ｛Ｒ0 ／（Ｚ＋２Ｒ0 ）｝＞Ａ かつ、 ２０ｌｏｇ｛（１／ωＣ０) ／（Ｚ＋２／ωＣ0 ）｝＜
Ｂ を満たすように設定される。入力伝送線路９１及び出力
伝送線路９２のインピ−ダンスは、通常７５Ωに設定さ
れる。The harmonic ceramic trap T is generally shown by an equivalent circuit as shown in FIG. In the figure,
R0 is the resonance impedance, L is the equivalent inductance,
C is an equivalent capacity and C0 is a braking capacity. The resonance impedance R0 is an insulation resistance at the time of resonance and is determined by the material of the ceramic piezoelectric element 1. The damping capacitance C0 is determined by the facing area of the vibrating electrodes (21, 31) and (22, 32), the material of the ceramic piezoelectric element 1 and its thickness.
The Q value is represented by (1 / ωC0R0). Resonance impedance R0 and damping capacity C0 are: ω: angular frequency (= 2πf) A: required attenuation in the trap band [dB] B: allowable loss outside the trap band [dB] Z: input transmission line and output When the impedance of the transmission line is [Ω], 20log {R0 / (Z + 2R0)}> A and 20log {(1 / ωC0) / (Z + 2 / ωC0)} <
B is set to satisfy. The impedance of the input transmission line 91 and the output transmission line 92 is normally set to 75Ω.
【００３０】これにより、指定されたトラップ帯域で必
要な減衰量だけ減衰させ得るトラップ回路が得られる。As a result, a trap circuit capable of attenuating the required amount of attenuation in the designated trap band can be obtained.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果が得られる。 （ａ）選択中心周波数が１０ＭＨｚ以上に設定されてい
るセラミックトラップであって、セラミック圧電材料よ
りなる素体を用い、選択中心周波数を前記素体の有する
基本固有共振周波数の３次以上の次数の高調波モ−ド以
上の次数となるように選定されているから、セラミック
圧電素体の厚みを量産化の容易な厚みに保ったままで、
選択中心周波数を１０ＭＨｚ以上に設定し得る高調波セ
ラミックトラップを提供できる。 （ｂ）素体は、複数の振動部分を有しており、振動部分
のそれぞれは、共振周波数が互いに異なり、素体の表面
及び裏面で互いに対向する振動電極を有し、振動電極の
それぞれが表面または裏面で互いに電気的に接続されて
いるから、トラップ帯域幅の拡張を可能にし得る高調波
セラミックトラップを提供できる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) A ceramic trap in which a selective center frequency is set to 10 MHz or higher, wherein an element body made of a ceramic piezoelectric material is used, and the selective center frequency is a third or higher order of the fundamental natural resonance frequency of the element body. Since it is selected to have an order higher than the harmonic mode, the thickness of the ceramic piezoelectric element can be maintained at a thickness that facilitates mass production.
It is possible to provide a harmonic ceramic trap capable of setting the selective center frequency to 10 MHz or higher. (B) The element body has a plurality of vibrating portions, and each of the vibrating portions has vibrating electrodes having different resonance frequencies and facing each other on the front surface and the back surface of the element body. Since they are electrically connected to each other on the front surface or the back surface, it is possible to provide a harmonic ceramic trap capable of expanding the trap bandwidth.
【図１】本発明に係る高調波セラミックトラップの一実
施例の平面図である。FIG. 1 is a plan view of an embodiment of a harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図２】本発明に係る高調波セラミックトラップの一実
施例の底面図である。FIG. 2 is a bottom view of one embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図３】本発明に係る高調波セラミックトラップの一実
施例の側面図である。FIG. 3 is a side view of an embodiment of a harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図４】本発明に係る高調波セラミックトラップの特性
図である。FIG. 4 is a characteristic diagram of a harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図５】図４に示したトラップ周波数帯域における詳細
な減衰特性を示す図である。5 is a diagram showing detailed attenuation characteristics in the trap frequency band shown in FIG.
【図６】本発明に係る高調波セラミックトラップの別の
実施例の平面図である。FIG. 6 is a plan view of another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図７】図６に示した高調波セラミックトラップの底面
図である。FIG. 7 is a bottom view of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図８】図６に示した高調波セラミックトラップの側面
図である。FIG. 8 is a side view of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図９】図６に示した高調波セラミックトラップを用い
たトラップ回路の一実施例を示す回路図である。9 is a circuit diagram showing an embodiment of a trap circuit using the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図１０】図６に示した高調波セラミックトラップを構
成する個々のトラップの減衰特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing attenuation characteristics of individual traps constituting the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図１１】図６に示した高調波セラミックトラップの総
合的な減衰特性を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an overall attenuation characteristic of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図１２】〜FIG. 12
【図１４】本発明に係る高調波セラミックトラップの別
々の実施例を示す各平面図である。FIG. 14 is a plan view showing different embodiments of the harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図１５】本発明に係る高調波セラミックトラップの更
に別の実施例を示す平面図である。FIG. 15 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図１６】図１５に示した高調波セラミックトラップの
底面図である。16 is a bottom view of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図１７】図１５に示した高調波セラミックトラップの
等価回路図である。17 is an equivalent circuit diagram of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図１８】本発明に係る高調波セラミックトラップの更
に別の実施例を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図１９】図１８に示した高調波セラミックトラップの
底面図である。19 is a bottom view of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図２０】図１８に示した高調波セラミックトラップの
等価回路図である。20 is an equivalent circuit diagram of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図２１】本発明に係る高調波セラミックトラップの更
に別の実施例を示す平面図である。FIG. 21 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図２２】図２１に示した高調波セラミックトラップの
底面図である。22 is a bottom view of the higher harmonic ceramic trap shown in FIG. 21. FIG.
【図２３】図２１に示した高調波セラミックトラップの
等価回路図である。FIG. 23 is an equivalent circuit diagram of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図２４】本発明に係る高調波セラミックトラップの更
に別の実施例を示す底面図である。FIG. 24 is a bottom view showing still another embodiment of the harmonic ceramic trap according to the present invention.
【図２５】図２４に示した高調波セラミックトラップの
等価回路図である。FIG. 25 is an equivalent circuit diagram of the harmonic ceramic trap shown in FIG.
【図２６】本発明に係る高調波セラミックトラップの等
価回路図である。FIG. 26 is an equivalent circuit diagram of a harmonic ceramic trap according to the present invention.
１ セラミック圧電素体 ２、３ 振動電極 ４、５ リ−ド端子 ６、７ リ−ド導体 ８ 外装体 Ｆ 振動部分 1 Ceramic Piezoelectric Body 2, 3 Vibration Electrode 4, 5 Lead Terminal 6, 7 Lead Conductor 8 Outer Body F Vibrating Part
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成４年７月１５日[Submission date] July 15, 1992
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 高調波モードセラミックトラップ及
びトラップ回路Title: Harmonic mode ceramic trap and trap circuit
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、中心周波数が１０ＭＨ
ｚ以上に設定される高調波モードセラミックトラップ及
びトラップ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention has a center frequency of 10 MH.
The present invention relates to a harmonic mode ceramic trap and a trap circuit set to z or higher.
【０００２】[0002]
【従来の技術】テレビ、コ−ドレステレフォン、デジタ
ル通信または光通信においては、選択中心周波数が１０
ＭＨｚ以上のトラップが必要である。例えば、テレビの
ＩＦ段は、ＳＡＷ（サ−フェイス・アコ−ステック・ウ
ェ−ブ）フィルタとその前後段にプリアンプ及びポスト
アンプを備えた構成が主流となっている。しかし、ＳＡ
Ｗフィルタでは、隣接音声信号の減衰量が不足し、テレ
ビの高画質化を阻んでいる。このため、多くのテレビメ
−カ−は、巻線タイプのインダクタとコンデンサとを用
いて補助トラップを形成し、減衰量の不足を補ってい
る。しかしながら、巻線タイプの補助トラップは、形状
が大きくなり、ＩＦ部の小型化を妨げる最大要因となっ
ている。2. Description of the Related Art In television, cordless telephone, digital communication, or optical communication, the selected center frequency is 10.
A trap above MHz is required. For example, in the IF stage of a television, a structure in which a SAW (surface acoustic wave) filter and a preamplifier and a postamplifier before and after the SAW filter are mainly used. However, SA
In the W filter, the attenuation amount of the adjacent audio signal is insufficient, which prevents the high image quality of the television. For this reason, many television manufacturers use a winding type inductor and a capacitor to form an auxiliary trap to compensate for the lack of attenuation. However, the winding type auxiliary trap becomes large in size, which is the largest factor that hinders the downsizing of the IF section.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述した難点を克服す
る手段として、補助トラップをセラミック圧電素体で構
成することが考えられる。通常、セラミック圧電素体
は、実公昭６０−２６６３号公報や、特公昭６０−１２
８１０号公報等で知られるように、基本固有共振周波数
によって定まる基本波を選択中心周波数として利用する
のが基本である。As a means for overcoming the above-mentioned problems, it is conceivable to construct the auxiliary trap with a ceramic piezoelectric element. Usually, ceramic piezoelectric elements are disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 60-2663 and Japanese Patent Publication No. 60-12.
As known from Japanese Patent No. 810, etc., it is fundamental to use a fundamental wave determined by a fundamental natural resonance frequency as a selective center frequency.
【０００４】しかし、セラミック圧電素体の有する基本
固有共振周波数は、素体の厚みにほぼ反比例するから、
選択中心周波数を高周波化しようとすると、素体の厚み
をそれに対応して薄くしなければならない。具体例とし
て、選択中心周波数を１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚに設定す
る場合、セラミック圧電素体の厚みは１００μｍ〜３０
μｍ程度にしなければならない。このような薄いセラミ
ック圧電素体を用いた補助トラップは、機械的強度に難
点があり、量産が困難である。However, since the basic natural resonance frequency of the ceramic piezoelectric element is almost inversely proportional to the thickness of the element,
In order to increase the selection center frequency, the thickness of the element body must be correspondingly reduced. As a specific example, when the selected center frequency is set to 10 MHz to 50 MHz, the thickness of the ceramic piezoelectric element is 100 μm to 30 μm.
It should be about μm. The auxiliary trap using such a thin ceramic piezoelectric element has a problem in mechanical strength and is difficult to mass produce.
【０００５】そこで、本発明の第１の課題は、上述した
従来の問題点を解決し、セラミック圧電素体の厚みを量
産化の容易な厚みに保ったままで、選択中心周波数を１
０ＭＨｚ以上に設定し得る高調波モードセラミックトラ
ップを提供することである。Therefore, a first object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to set the selected center frequency to 1 while keeping the thickness of the ceramic piezoelectric element at a thickness that facilitates mass production.
It is to provide a harmonic mode ceramic trap that can be set to 0 MHz or higher.
【０００６】第２の課題は、トラップ帯域幅の拡張を可
能にし得る高調波モードセラミックトラップを提供する
ことである。A second object is to provide a harmonic mode ceramic trap which can allow an extension of the trap bandwidth.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述した第１の課題解決
のため、本発明は、選択中心周波数が１０ＭＨｚ以上に
設定されているセラミックトラップであって、セラミッ
ク圧電材料よりなる素体を用い、選択中心周波数を前記
素体の有する基本固有共振周波数の３次以上の次数の高
調波モ−ドとなるように選定したことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned first problem, the present invention is a ceramic trap in which a selective center frequency is set to 10 MHz or more, using an element body made of a ceramic piezoelectric material, It is characterized in that the selected center frequency is selected so as to be a harmonic mode of a third or higher order of the fundamental natural resonance frequency of the element body.
【０００８】第２の課題解決のため、前記素体は、複数
の振動部分を有しており、前記振動部分のそれぞれは、
共振周波数が互いに異なり、前記素体の表面及び裏面で
互いに対向する振動電極を有し、前記振動電極のそれぞ
れが表面または裏面で互いに電気的に接続されているこ
とを特徴とする。To solve the second problem, the element body has a plurality of vibrating portions, and each of the vibrating portions is
Resonant frequencies are different from each other and have vibrating electrodes facing each other on the front surface and the back surface of the element body, and each of the vibrating electrodes is electrically connected to each other on the front surface or the back surface.
【０００９】[0009]
【作用】第１の課題解決手段によれば、選択中心周波数
は素体の有する基本固有共振周波数の３次以上の次数の
高調波モ−ドとなるように選定されているので、基本波
を用いる場合と比較してセラミック圧電素体の厚みを大
きくできる。具体例として、選択中心周波数１０ＭＨｚ
〜５０ＭＨｚの高調波モードセラミックトラップを得る
場合に、３次高調波モ−ドを利用したとすると、セラミ
ック圧電素体の厚みは６００μｍ〜１５０μｍ程度にな
る。このような厚みを有するセラミック圧電素体は、必
要とする機械的強度が得られ容易に量産できる。According to the first means for solving the problems, the selected center frequency is selected so as to be the harmonic mode of the third or higher order of the fundamental natural resonance frequency of the element body. The thickness of the ceramic piezoelectric element can be increased as compared with the case where it is used. As a specific example, the selected center frequency is 10 MHz
If a third harmonic mode is used to obtain a harmonic mode ceramic trap of .about.50 MHz, the thickness of the ceramic piezoelectric element is about 600 .mu.m to 150 .mu.m. The ceramic piezoelectric element having such a thickness can obtain the required mechanical strength and can be easily mass-produced.
【００１０】本発明に係る高調波モードセラミックトラ
ップは、３次以上の高調波モ−ドのエネルギ−閉じ込め
が起き易いセラミック圧電材料を用いて構成する。具体
例としては、チタン及び鉛を主成分とするチタン酸鉛系
セラミック圧電材料をあげることができる。利用できる
振動モ−ドには、厚み滑り振動、拡がり振動、厚み縦振
動及び長さ振動の各種振動モ−ドが含まれる。セラミッ
ク圧電素体に形成される電極は、３次以上の高調波モ−
ドのエネルギ−閉じ込めが起き易いパタ−ン、数、面積
または材料であれば、従来より知られている技術または
これから提案されることのある技術を自由に適用でき
る。The harmonic mode ceramic trap according to the present invention is formed by using a ceramic piezoelectric material which easily causes energy confinement in a harmonic mode of the third order or higher. As a specific example, a lead titanate-based ceramic piezoelectric material containing titanium and lead as main components can be cited. The vibration modes that can be used include various vibration modes such as thickness sliding vibration, spreading vibration, thickness longitudinal vibration, and length vibration. The electrodes formed on the ceramic piezoelectric element are harmonics of the third or higher order.
As long as the pattern, the number, the area, or the material in which the energy confinement of the magnetic field easily occurs, the conventionally known technology or the technology which may be proposed in the future can be freely applied.
【００１１】第２の課題解決手段によれば、素体は、複
数の振動部分を有しており、振動部分のそれぞれは、共
振周波数が互いに異なり、素体の表面及び裏面で互いに
対向する振動電極を有し、振動電極のそれぞれが表面ま
たは裏面で互いに電気的に接続されているから、共振周
波数をわずかにズラすことにより、それぞれの振動部分
のトラップ特性の相乗作用が働き、トラップ帯域幅を拡
張できる。これにより、高次高調波モ−ドの特有の問題
である帯域幅不足を解消できる。According to the second means for solving the problems, the element body has a plurality of vibrating portions, and the vibrating portions have vibration frequencies different from each other and are opposed to each other on the front surface and the back surface of the element body. Since the vibrating electrodes have electrodes and are electrically connected to each other on the front surface or the back surface, a slight shift in the resonance frequency causes a synergistic effect on the trap characteristics of the respective vibrating parts, and the trap bandwidth Can be extended. As a result, it is possible to solve the shortage of bandwidth, which is a problem peculiar to the high-order harmonic mode.
【００１２】[0012]
【実施例】図１は本発明に係る高調波モードセラミック
トラップの一実施例における平面図、図２は同じくその
底面図、図３は同じくその側面図である。図において、
１はセラミック圧電素体、２はセラミック圧電素体１の
表面に設けられた振動電極、３はセラミック圧電素体１
の裏面に設けられた振動電極、４及び５はリ−ド端子、
８は外装体である。説明の都合上、平面図及び底面図で
は外装体８を省略してある。1 is a plan view of an embodiment of a harmonic mode ceramic trap according to the present invention, FIG. 2 is a bottom view thereof, and FIG. 3 is a side view thereof. In the figure,
Reference numeral 1 is a ceramic piezoelectric element, 2 is a vibrating electrode provided on the surface of the ceramic piezoelectric element 1, and 3 is a ceramic piezoelectric element 1.
The vibrating electrodes 4 and 5 provided on the back surface of the are lead terminals,
Reference numeral 8 is an exterior body. For convenience of description, the exterior body 8 is omitted in the plan view and the bottom view.
【００１３】セラミック圧電素体１は、３次以上の高調
波モ−ドのエネルギ−閉じ込めが起き易いセラミック圧
電材料を用いる。使用する高調波モ−ドでのＱ値が２０
０以上、結合係数が５〜２０％、比誘電率が１００〜３
００のチタン酸鉛系セラミック圧電材料が特に適してい
る。このセラミック圧電材料を用いて素体１を構成し、
所定の分極処理の度合によって減衰帯域幅を可変調整す
ることも可能である。セラミック圧電素体１は、選択中
心周波数が３次の高調波モ−ドとなるように、厚み及び
面積を選定する。The ceramic piezoelectric element 1 is made of a ceramic piezoelectric material which easily causes energy confinement in higher-order harmonic modes. Q value in the harmonic mode used is 20
0 or more, coupling coefficient 5 to 20%, relative dielectric constant 100 to 3
A lead titanate-based ceramic piezoelectric material of No. 00 is particularly suitable. An element body 1 is formed by using this ceramic piezoelectric material,
It is also possible to variably adjust the attenuation bandwidth according to the degree of predetermined polarization processing. The thickness and area of the ceramic piezoelectric element 1 are selected so that the selected center frequency is the third harmonic mode.
【００１４】セラミック圧電素体１の表面及び裏面に
は、対向する対の振動電極２及び振動電極３が設けられ
ている。振動電極２は、リ−ド導体６を介してリ−ド端
子４に接続されている。振動電極３は、リ−ド導体７を
介してリ−ド端子５に接続されている。振動電極２及び
振動電極３が対向する部分は振動部分Ｆとなる。A pair of vibrating electrodes 2 and 3 facing each other are provided on the front and back surfaces of the ceramic piezoelectric element 1. The vibrating electrode 2 is connected to a lead terminal 4 via a lead conductor 6. The vibrating electrode 3 is connected to a lead terminal 5 via a lead conductor 7. A portion where the vibrating electrode 2 and the vibrating electrode 3 face each other becomes a vibrating portion F.
【００１５】上述したように、選択中心周波数はセラミ
ック圧電素体１の有する基本固有共振周波数の３次高調
波モ−ド以上の次数となるように選定されているので、
基本波を用いる場合と比較してセラミック圧電素体１の
厚みｄを大きくできる。具体例として、選択中心周波数
１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの高調波モードセラミックトラ
ップを得る場合に、３次高調波モ−ドを利用したとする
と、セラミック圧電素体１の厚みは６００μｍ〜１５０
μｍ程度になる。このような厚みを有するセラミック圧
電素体１は、必要とする機械的強度が確保され、容易に
量産できる。As described above, the selected center frequency is selected so as to have an order higher than the third harmonic mode of the fundamental natural resonance frequency of the ceramic piezoelectric element 1.
The thickness d of the ceramic piezoelectric element 1 can be increased as compared with the case of using the fundamental wave. As a specific example, if a third harmonic mode is used to obtain a harmonic mode ceramic trap with a selected center frequency of 10 MHz to 50 MHz, the thickness of the ceramic piezoelectric element 1 is 600 μm to 150 μm.
It becomes about μm. The ceramic piezoelectric element 1 having such a thickness ensures the required mechanical strength and can be easily mass-produced.
【００１６】図４は本発明に係るＴＶ・ＩＦ用の高調波
モードセラミックトラップの特性図、図５はそのトラッ
プ周波数帯域における詳細な減衰特性を示す図である。
図において、ＡＳは隣接音声信号周波数、ＡＰは隣接映
像周波数、Ｓは音声信号周波数、Ｐは映像信号周波数、
Ｃは色信号周波数である。トラップ周波数は隣接音声信
号を減衰させるため６０．２５ＭＨｚに設定されてい
る。隣接音声信号周波数ＡＳ以外の周波数はほとんど減
衰させない理想的なトラップ特性となっている。FIG. 4 shows harmonics for TV / IF according to the present invention.
FIG. 5 is a characteristic diagram of the mode ceramic trap, and FIG. 5 is a diagram showing detailed attenuation characteristics in the trap frequency band.
In the figure, AS is the adjacent audio signal frequency, AP is the adjacent video frequency, S is the audio signal frequency, P is the video signal frequency,
C is the color signal frequency. The trap frequency is set to 60.25 MHz to attenuate the adjacent audio signal. Frequencies other than the adjacent audio signal frequency AS have ideal trap characteristics with almost no attenuation.
【００１７】図６は本発明に係る高調波モードセラミッ
クトラップの別の実施例の平面図、図７は同じくその底
面図、図８は同じくその側面図である。図において図１
〜図３と同一参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。FIG. 6 is a plan view of another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention, FIG. 7 is a bottom view of the same, and FIG. 8 is a side view of the same. Figure 1
~ The same reference numerals as those in Fig. 3 denote the same components.
【００１８】セラミック圧電素体１は、複数の振動部分
Ｆ１、Ｆ２を有している。振動部分Ｆ１、Ｆ２のそれぞ
れは、セラミック圧電素体１の表面及び裏面で互いに対
向する振動電極（２１、３１）、（２２、３２）を有し
ている。振動電極２１及び振動電極２２は、セラミック
圧電素体１の表面でリ−ド導体６２を介して電気的に接
続されている。振動電極３１及び振動電極３２は、セラ
ミック圧電素体１の裏面でリ−ド導体７２により互いに
電気的に接続されている。振動部分Ｆ１、Ｆ２のそれぞ
れは、共振周波数を互いに異ならせてある。振動電極
（２１、３１）と振動電極（２２、３２）との質量を異
ならせ、振動部分Ｆ２の共振周波数を振動部分Ｆ１の共
振周波数からわずかにズラしてある。具体的には、振動
電極（２２、３２）の厚みを振動電極（２１、２２）の
厚みより厚く設定し、質量を重くしてある。振動電極２
２または振動電極３２のいずれか一方の厚みを厚くする
こともできる。これにより、振動電極２１、セラミック
圧電素体１及び振動電極３１は、共振周波数ｆ１の第１
のトラップＴ１を構成し、振動電極２２、セラミック圧
電素体１及び振動電極３２は、共振周波数ｆ２の第２の
トラップＴ２を構成する。共振周波数ｆ２は共振周波数
ｆ１より低くなる。第１のトラップＴ１及び第２のトラ
ップＴ２を合成して得られる高調波モードセラミックト
ラップＴは、図９に示すように、第１のトラップＴ１及
び第２のトラップＴ２を並列接続した等価回路で表わさ
れる。The ceramic piezoelectric element 1 has a plurality of vibrating portions F1 and F2. Each of the vibrating portions F1 and F2 has vibrating electrodes (21, 31) and (22, 32) facing each other on the front surface and the back surface of the ceramic piezoelectric element 1. The vibrating electrode 21 and the vibrating electrode 22 are electrically connected to each other on the surface of the ceramic piezoelectric element body 1 via a lead conductor 62. The vibrating electrode 31 and the vibrating electrode 32 are electrically connected to each other by a lead conductor 72 on the back surface of the ceramic piezoelectric element 1. Resonant frequencies of the vibrating portions F1 and F2 are different from each other. The vibrating electrodes (21, 31) and the vibrating electrodes (22, 32) have different masses, and the resonance frequency of the vibrating portion F2 is slightly shifted from the resonance frequency of the vibrating portion F1. Specifically, the thickness of the vibrating electrodes (22, 32) is set thicker than the thickness of the vibrating electrodes (21, 22) to make the mass heavy. Vibrating electrode 2
Either one of the two or the vibrating electrode 32 can be thickened. As a result, the vibrating electrode 21, the ceramic piezoelectric element 1 and the vibrating electrode 31 have the first resonance frequency f1
The vibrating electrode 22, the ceramic piezoelectric element body 1, and the vibrating electrode 32 constitute a second trap T2 having a resonance frequency f2. The resonance frequency f2 becomes lower than the resonance frequency f1. The harmonic mode ceramic trap T obtained by synthesizing the first trap T1 and the second trap T2 is an equivalent circuit in which the first trap T1 and the second trap T2 are connected in parallel as shown in FIG. Represented.
【００１９】図９は高調波モードセラミックトラップを
用いたトラップ回路の１例を示す回路図である。図では
高調波モードセラミックトラップの前後に７５［Ω］の
伝送回路を設けてある。FIG. 9 is a circuit diagram showing an example of a trap circuit using a harmonic mode ceramic trap. In the figure, a transmission circuit of 75 [Ω] is provided before and after the harmonic mode ceramic trap.
【００２０】図１０は第１のトラップＴ１及び第２のト
ラップＴ２の個々の減衰特性を示す図、図１１は高調波
モードセラミックトラップの総合的な減衰特性を示す図
である。図１０において、参照符号Ｇ１で示す減衰特性
は第１のトラップＴ１による減衰特性であり、参照符号
Ｇ２で示す減衰特性は第２のトラップＴ２による減衰特
性である。高調波モードセラミックトラップＴの総合減
衰特性は、第１のトラップＴ１と第２のトラップＴ２と
の減衰特性との相乗作用が働き、図１１に示すようにな
る。FIG. 10 is a diagram showing individual attenuation characteristics of the first trap T1 and the second trap T2, and FIG. 11 is a harmonic wave.
It is a figure which shows the total damping characteristic of a mode ceramic trap. In FIG. 10, the attenuation characteristic indicated by reference symbol G1 is the attenuation characteristic by the first trap T1, and the attenuation characteristic indicated by reference symbol G2 is the attenuation characteristic by the second trap T2. The total attenuation characteristic of the harmonic mode ceramic trap T is as shown in FIG. 11 due to the synergistic action of the attenuation characteristics of the first trap T1 and the second trap T2.
【００２１】これにより、トラップ帯域幅の拡張が可能
となり、高次高調波モ−ドの特有の問題である帯域幅不
足を解消できる。As a result, the trap bandwidth can be expanded, and the shortage of bandwidth, which is a problem peculiar to the high-order harmonic mode, can be solved.
【００２２】図１２乃至図１４は本発明に係る図６に示
した高調波モードセラミックトラップの変形例を示す各
平面図である。図において、図６と同一参照符号は同一
性ある構成部分を示している。図１２の変形例は、振動
電極２２と振動電極２１との電極面積を変えることによ
り質量を異ならせてある。振動電極２２は１．２φ、振
動電極２１は１．０φに設定されている。図１３及び図
１４の変形例は、振動電極２２の全体または一部にレジ
スト膜ＲＧを塗布し、振動電極２１に対する質量を異な
らせてある。12 to 14 are plan views showing modifications of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG. 6 according to the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 6 denote the same components. In the modification of FIG. 12, the masses are made different by changing the electrode areas of the vibrating electrode 22 and the vibrating electrode 21. The vibrating electrode 22 is set to 1.2φ and the vibrating electrode 21 is set to 1.0φ. In the modification of FIGS. 13 and 14, the resist film RG is applied to the whole or a part of the vibrating electrode 22 so that the mass of the vibrating electrode 21 is different.
【００２３】図１５は本発明に係る高調波モードセラミ
ックトラップの更に別の実施例を示す平面図、図１６は
同じくその底面図、図１７は同じくその等価回路図であ
る。図において、図６と同一参照符号は同一性ある構成
部分を示している。本実施例は、第１のトラップＴ１の
等価的なインピ−ダンスを変化させ、第２のトラップＴ
２に対する共振周波数を変化させたものである。振動電
極３１に直列にインピ−ダンス素子を接続してある。イ
ンピ−ダンス素子はコンデンサＣ１で構成され、コンデ
ンサＣ１はセラミック圧電素体１上に実装されている。
振動電極３１は、リ−ド導体７４を介してコンデンサＣ
１の一端に接続されている。コンデンサＣ１の他端は、
リ−ド導体７３を介してリ−ド電極５に接続されてい
る。これを等価回路で表わすと、第１のトラップＴ１と
コンデンサＣ１とが直列接続され、直列回路の両端に第
２のトラップＴ２が接続された、図１７に示すような等
価回路となる。FIG. 15 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention, FIG. 16 is a bottom view thereof, and FIG. 17 is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 6 denote the same components. In this embodiment, the equivalent impedance of the first trap T1 is changed and the second trap T1 is changed.
The resonance frequency for 2 is changed. An impedance element is connected to the vibrating electrode 31 in series. The impedance element is composed of a capacitor C1, and the capacitor C1 is mounted on the ceramic piezoelectric element 1.
The vibrating electrode 31 is connected to the capacitor C via the lead conductor 74.
1 is connected to one end. The other end of the capacitor C1 is
It is connected to the lead electrode 5 via the lead conductor 73. This is represented by an equivalent circuit, which is an equivalent circuit as shown in FIG. 17, in which the first trap T1 and the capacitor C1 are connected in series, and the second trap T2 is connected to both ends of the series circuit.
【００２４】図１８は本発明に係る高調波モードセラミ
ックトラップの更に別の実施例を示す平面図、図１９は
同じくその底面図、図２０は同じくその等価回路図であ
る。図において、図６及び図１５と同一参照符号は同一
性ある構成部分を示している。コンデンサＣ１は、セラ
ミック圧電素体１を誘電体として用いることができるよ
うな処理を施して形成されている。リ−ド導体６４は、
一端６４１がコンデンサＣ１の電極となり、他端が振動
電極２１に接続されている。リ−ド導体７４は、一端７
４１がコンデンサＣ１の電極となり、他端が振動電極３
１に接続されている。これを等価回路で表わすと、第１
のトラップＴ１にコンデンサＣ１が並列接続され、並列
回路に第２のトラップＴ２が並列接続された、図２０に
示すような等価回路となる。FIG. 18 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention, FIG. 19 is a bottom view of the same, and FIG. 20 is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 6 and 15 denote the same components. The capacitor C1 is formed by subjecting the ceramic piezoelectric element body 1 to a treatment that can be used as a dielectric. The lead conductor 64 is
One end 641 serves as an electrode of the capacitor C1, and the other end is connected to the vibrating electrode 21. The lead conductor 74 has one end 7
41 is the electrode of the capacitor C1 and the other end is the vibrating electrode 3
Connected to 1. This can be expressed by an equivalent circuit as follows:
The capacitor C1 is connected in parallel to the trap T1 and the second trap T2 is connected in parallel to the parallel circuit to form an equivalent circuit as shown in FIG.
【００２５】図２１は本発明に係る高調波モードセラミ
ックトラップの更に別の実施例を示す平面図、図２２は
同じくその底面図、図２３は同じくその等価回路図であ
る。図において、図６及び図１５と同一参照符号は同一
性ある構成部分を示している。コンデンサＣ２及びＣ３
は、セラミック圧電素体１を誘電体として用いることが
できるような処理を施して形成されている。振動電極２
１は、リ−ド導体６１を介してリ−ド端子４に接続され
ている。リ−ド導体６５は、一端６５１がコンデンサＣ
３の電極となり、他端がリ−ド端子４に接続されてい
る。振動電極２２は、リ−ド導体６６を介してリ−ド電
極５に接続されている。リ−ド導体６７は、一端６７１
がコンデンサＣ２の電極となり、他端がリ−ド端子５に
接続されている。リ−ド導体７５は、一端７５１がコン
デンサＣ３の電極となり、他端が振動電極３２に接続さ
れている。リ−ド電極７７は、一端７７１がコンデンサ
Ｃ２の電極となり、他端が振動電極３１に接続されてい
る。これを等価回路で表わすと、第１のトラップＴ１に
コンデンサＣ２が直列接続され、第２のトラップＴ２に
コンデンサＣ３が直列接続され、直列接続された両者が
並列に接続された、図２３に示すような等価回路とな
る。FIG. 21 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention, FIG. 22 is a bottom view of the same, and FIG. 23 is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 6 and 15 denote the same components. Capacitors C2 and C3
Is formed by performing a treatment that allows the ceramic piezoelectric element 1 to be used as a dielectric. Vibrating electrode 2
1 is connected to the lead terminal 4 via a lead conductor 61. The lead conductor 65 has a capacitor C at one end 651.
3, and the other end is connected to the lead terminal 4. The vibrating electrode 22 is connected to the lead electrode 5 via a lead conductor 66. The lead conductor 67 has one end 671.
Serves as an electrode of the capacitor C2, and the other end is connected to the lead terminal 5. The lead conductor 75 has one end 751 serving as an electrode of the capacitor C3 and the other end connected to the vibrating electrode 32. The lead electrode 77 has one end 771 serving as an electrode of the capacitor C2 and the other end connected to the vibrating electrode 31. An equivalent circuit of this is shown in FIG. 23, in which the first trap T1 is connected in series with the capacitor C2, the second trap T2 is connected in series with the capacitor C3, and both of the series connected are connected in parallel. It becomes an equivalent circuit like this.
【００２６】図２４は本発明に係る高調波モードセラミ
ックトラップの更に別の実施例を示す底面図、図２５は
同じくその等価回路図である。図において、図１６と同
一参照符号は同一性ある構成部分を示している。平面図
は図１５と同様である。本実施例は、第１のトラップＴ
１の等価的なインピ−ダンスを変化させ、第２のトラッ
プＴ２に対する共振周波数を変化させたものである。振
動電極３１に直列にインピ−ダンス素子を接続してあ
る。インピ−ダンス素子はインダクタンス素子Ｌ１で構
成され、インダクタンス素子Ｌ１はセラミック圧電素体
１上に磁性膜を用いたパタ−ンにより形成されている。
振動電極３１は、リ−ド導体７４を介してインダクタン
ス素子Ｌ１の一端に接続されている。インダクタンス素
子Ｌ１の他端は、リ−ド導体７３を介してリ−ド電極５
に接続されている。これを等価回路で表わすと、第１の
トラップＴ１とインダクタンス素子Ｌ１とが直列接続さ
れ、直列回路の両端に第２のトラップＴ２が接続され
た、図２５に示すような等価回路となる。FIG. 24 is a bottom view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention, and FIG. 25 is its equivalent circuit diagram. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 16 denote the same components. The plan view is similar to FIG. In this embodiment, the first trap T
The equivalent impedance of No. 1 is changed, and the resonance frequency for the second trap T2 is changed. An impedance element is connected to the vibrating electrode 31 in series. The impedance element is composed of an inductance element L1, and the inductance element L1 is formed on the ceramic piezoelectric element 1 by a pattern using a magnetic film.
The vibrating electrode 31 is connected to one end of the inductance element L1 via a lead conductor 74. The other end of the inductance element L1 is connected to the lead electrode 5 via the lead conductor 73.
It is connected to the. Expressing this as an equivalent circuit, an equivalent circuit as shown in FIG. 25 is obtained in which the first trap T1 and the inductance element L1 are connected in series, and the second trap T2 is connected to both ends of the series circuit.
【００２７】図１２から図２４に示した高調波モードセ
ラミックトラップにおいても、図６に示した高調波モー
ドセラミックトラップと同様の作用効果が得られる。[0027] Also in the harmonic mode cell <br/> La Mick trap shown in FIG. 12 in FIG. 24, the harmonic mode shown in FIG. 6
The same effect as that of the doceramic trap can be obtained.
【００２８】上述した高調波モードセラミックトラップ
を含むトラップ回路について、図９を参照しながら説明
する。伝送回路９は、入力伝送線路９１と、出力伝送線
路９２とを含んでいる。入力伝送線路９１及び出力伝送
線路９２は高調波モードセラミックトラップＴの前後に
設けられている。A trap circuit including the above harmonic mode ceramic trap will be described with reference to FIG. The transmission circuit 9 includes an input transmission line 91 and an output transmission line 92. The input transmission line 91 and the output transmission line 92 are provided before and after the harmonic mode ceramic trap T.
【００２９】高調波モードセラミックトラップＴは、一
般的に図２６に示すような等価回路で示される。図にお
いて、Ｒ0 は共振インピ−ダンス、Ｌは等価インダクタ
ンス、Ｃは等価容量、Ｃ0 は制動容量である。共振イン
ピ−ダンスＲ0 は、共振時の絶縁抵抗であり、セラミッ
ク圧電素体１の材質で決定される。制動容量Ｃ0 は、振
動電極（２１、３１）、（２２、３２）の対向面積、セ
ラミック圧電素体１の材質及びその厚みによって決定さ
れる。また、Ｑ値は（１／ωＣ0 Ｒ0 )で表わされる。
共振インピ−ダンスＲ0 及び制動容量Ｃ0 は、 ω：角周波数（＝２πｆ） Ａ：トラップ帯域での必要減衰量［ｄＢ］ Ｂ：トラップ帯域以外での許容損失［ｄＢ］ Ｚ：入力伝送線路及び出力伝送線路のインピ−ダンス
［Ω］ としたときに、 ２０ｌｏｇ｛Ｒ0 ／（Ｚ＋２Ｒ0 ）｝＞Ａ かつ、 ２０ｌｏｇ｛（１／ωＣ０) ／（Ｚ＋２／ωＣ0 ）｝＜
Ｂ を満たすように設定される。入力伝送線路９１及び出力
伝送線路９２のインピ−ダンスは、通常７５Ωに設定さ
れる。The harmonic mode ceramic trap T is generally shown by an equivalent circuit as shown in FIG. In the figure, R0 is the resonance impedance, L is the equivalent inductance, C is the equivalent capacitance, and C0 is the damping capacitance. The resonance impedance R0 is an insulation resistance at the time of resonance and is determined by the material of the ceramic piezoelectric element 1. The damping capacitance C0 is determined by the facing area of the vibrating electrodes (21, 31) and (22, 32), the material of the ceramic piezoelectric element 1 and its thickness. The Q value is represented by (1 / ωC0R0).
Resonance impedance R0 and damping capacity C0 are: ω: angular frequency (= 2πf) A: required attenuation in the trap band [dB] B: allowable loss outside the trap band [dB] Z: input transmission line and output When the impedance of the transmission line is [Ω], 20log {R0 / (Z + 2R0)}> A and 20log {(1 / ωC0) / (Z + 2 / ωC0)} <
B is set to satisfy. The impedance of the input transmission line 91 and the output transmission line 92 is normally set to 75Ω.
【００３０】これにより、指定されたトラップ帯域で必
要な減衰量だけ減衰させ得るトラップ回路が得られる。As a result, a trap circuit capable of attenuating the required amount of attenuation in the designated trap band can be obtained.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果が得られる。 （ａ）選択中心周波数が１０ＭＨｚ以上に設定されてい
るセラミックトラップであって、セラミック圧電材料よ
りなる素体を用い、選択中心周波数を前記素体の有する
基本固有共振周波数の３次以上の次数の高調波モ−ド以
上の次数となるように選定されているから、セラミック
圧電素体の厚みを量産化の容易な厚みに保ったままで、
選択中心周波数を１０ＭＨｚ以上に設定し得る高調波モ
ードセラミックトラップを提供できる。 （ｂ）素体は、複数の振動部分を有しており、振動部分
のそれぞれは、共振周波数が互いに異なり、素体の表面
及び裏面で互いに対向する振動電極を有し、振動電極の
それぞれが表面または裏面で互いに電気的に接続されて
いるから、トラップ帯域幅の拡張を可能にし得る高調波
モードセラミックトラップを提供できる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) A ceramic trap in which a selective center frequency is set to 10 MHz or higher, wherein an element body made of a ceramic piezoelectric material is used, and the selective center frequency is a third or higher order of the fundamental natural resonance frequency of the element body. Since it is selected to have an order higher than the harmonic mode, the thickness of the ceramic piezoelectric element can be maintained at a thickness that facilitates mass production.
Harmonic mode capable of setting the selected center frequency above 10MHz
A ceramic trap can be provided. (B) The element body has a plurality of vibrating portions, and each of the vibrating portions has vibrating electrodes having different resonance frequencies and facing each other on the front surface and the back surface of the element body. Harmonics that can extend the trap bandwidth because they are electrically connected to each other on the front or back
A modal ceramic trap can be provided.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明に係る高調波モードセラミックトラップ
の一実施例の平面図である。FIG. 1 is a plan view of an embodiment of a harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図２】本発明に係る高調波モードセラミックトラップ
の一実施例の底面図である。FIG. 2 is a bottom view of an embodiment of a harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図３】本発明に係る高調波モードセラミックトラップ
の一実施例の側面図である。FIG. 3 is a side view of an embodiment of a harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図４】本発明に係る高調波モードセラミックトラップ
の特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram of a harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図５】図４に示したトラップ周波数帯域における詳細
な減衰特性を示す図である。5 is a diagram showing detailed attenuation characteristics in the trap frequency band shown in FIG.
【図６】本発明に係る高調波モードセラミックトラップ
の別の実施例の平面図である。FIG. 6 is a plan view of another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図７】図６に示した高調波モードセラミックトラップ
の底面図である。7 is a bottom view of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図８】図６に示した高調波モードセラミックトラップ
の側面図である。8 is a side view of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図９】図６に示した高調波モードセラミックトラップ
を用いたトラップ回路の一実施例を示す回路図である。9 is a circuit diagram showing an embodiment of a trap circuit using the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図１０】図６に示した高調波モードセラミックトラッ
プを構成する個々のトラップの減衰特性を示す図であ
る。10 is a diagram showing attenuation characteristics of individual traps constituting the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図１１】図６に示した高調波モードセラミックトラッ
プの総合的な減衰特性を示す図である。11 is a diagram showing the overall attenuation characteristic of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図１２】〜FIG. 12
【図１４】本発明に係る高調波モードセラミックトラッ
プの別々の実施例を示す各平面図である。FIG. 14 is a plan view showing different embodiments of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図１５】本発明に係る高調波モードセラミックトラッ
プの更に別の実施例を示す平面図である。FIG. 15 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図１６】図１５に示した高調波モードセラミックトラ
ップの底面図である。16 is a bottom view of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図１７】図１５に示した高調波モードセラミックトラ
ップの等価回路図である。17 is an equivalent circuit diagram of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図１８】本発明に係る高調波モードセラミックトラッ
プの更に別の実施例を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図１９】図１８に示した高調波モードセラミックトラ
ップの底面図である。19 is a bottom view of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG. 18. FIG.
【図２０】図１８に示した高調波モードセラミックトラ
ップの等価回路図である。20 is an equivalent circuit diagram of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図２１】本発明に係る高調波モードセラミックトラッ
プの更に別の実施例を示す平面図である。FIG. 21 is a plan view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図２２】図２１に示した高調波モードセラミックトラ
ップの底面図である。22 is a bottom view of the higher harmonic mode ceramic trap shown in FIG. 21. FIG.
【図２３】図２１に示した高調波モードセラミックトラ
ップの等価回路図である。23 is an equivalent circuit diagram of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図２４】本発明に係る高調波モードセラミックトラッ
プの更に別の実施例を示す底面図である。FIG. 24 is a bottom view showing still another embodiment of the harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【図２５】図２４に示した高調波モードセラミックトラ
ップの等価回路図である。25 is an equivalent circuit diagram of the harmonic mode ceramic trap shown in FIG.
【図２６】本発明に係る高調波モードセラミックトラッ
プの等価回路図である。FIG. 26 is an equivalent circuit diagram of a harmonic mode ceramic trap according to the present invention.
【符号の説明】 １ セラミック圧電素体 ２、３ 振動電極 ４、５ リ−ド端子 ６、７ リ−ド導体 ８ 外装体 Ｆ 振動部分[Explanation of reference symbols] 1 ceramic piezoelectric element 2, 3 vibrating electrode 4, 5 lead terminal 6, 7 lead conductor 8 exterior body F vibrating part
Claims (13)
されているセラミックトラップであって、 セラミック圧電材料よりなる素体を用い、選択中心周波
数を前記素体の有する基本固有共振周波数の３次以上の
次数の高調波モ−ドとなるように選定したことを特徴と
する高調波セラミックトラップ。1. A ceramic trap in which a selective center frequency is set to 10 MHz or higher, wherein an element body made of a ceramic piezoelectric material is used, and the selective center frequency is equal to or higher than a third order of a fundamental natural resonance frequency of the element body. A harmonic ceramic trap characterized by being selected to have a harmonic mode of order.
主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の高調波
セラミックトラップ。2. The harmonic ceramic trap according to claim 1, wherein the ceramic piezoelectric material contains titanium and lead as main components.
り、前記振動部分のそれぞれは、共振周波数が互いに異
なり、前記素体の表面及び裏面で互いに対向する振動電
極を有し、前記振動電極のそれぞれが表面または裏面で
互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項
１または２に記載の高調波セラミックトラップ。3. The element body has a plurality of vibrating portions, and each of the vibrating portions has vibrating electrodes having different resonance frequencies and facing each other on a front surface and a back surface of the element body, The harmonic ceramic trap according to claim 1 or 2, wherein each of the vibrating electrodes is electrically connected to each other on the front surface or the back surface.
極の質量を互いに異ならせてあることを特徴とする請求
項３に記載の高調波セラミックトラップ。4. The harmonic ceramic trap according to claim 3, wherein each of the vibrating portions has a different mass of the vibrating electrode.
極の厚みを互いに異ならせてあることを特徴とする請求
項４に記載の高調波セラミックトラップ。5. The harmonic ceramic trap according to claim 4, wherein each of the vibrating portions has a thickness of the vibrating electrode different from each other.
振動電極がレジスト膜で覆われていることを特徴とする
請求項４に記載の高調波セラミックトラップ。6. The harmonic ceramic trap according to claim 4, wherein at least one of the vibrating portions has the vibrating electrode covered with a resist film.
振動電極の対向面積を異ならせてあることを特徴とする
請求項４に記載の高調波セラミックトラップ。7. The harmonic ceramic trap according to claim 4, wherein at least one of the vibrating portions has a different facing area of the vibrating electrode.
振動電極に直列にインピ−ダンス素子が接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の高調波セラミックト
ラップ。8. The harmonic ceramic trap according to claim 3, wherein at least one of the vibrating portions has an impedance element connected in series to the vibrating electrode.
振動電極間にインピ−ダンス素子が接続されていること
を特徴とする請求項３に記載の高調波セラミックトラッ
プ。9. The harmonic ceramic trap according to claim 3, wherein at least one of the vibrating portions has an impedance element connected between the vibrating electrodes.
タンス素子またはコンデンサ素子でなることを特徴とす
る請求項８または９に記載の高調波セラミックトラッ
プ。10. The harmonic ceramic trap according to claim 8, wherein the impedance element is an inductance element or a capacitor element.
路とを含むトラップ回路であって、 前記高調波セラミックトラップは、請求項１乃至請求項
１０に記載されたセラミックトラップのいずれかでな
り、 前記伝送回路は、入力伝送線路と、出力伝送線路とを含
み、前記入力伝送線路及び出力伝送線路が前記高調波セ
ラミックトラップの前後に設けられていることを特徴と
するトラップ回路。11. A trap circuit including a harmonic ceramic trap and a transmission circuit, wherein the harmonic ceramic trap is any one of the ceramic traps according to any one of claims 1 to 10. The circuit includes an input transmission line and an output transmission line, and the input transmission line and the output transmission line are provided before and after the harmonic ceramic trap.
［Ω］ としたときに、 ２０ｌｏｇ｛Ｒ0 ／（Ｚ＋２Ｒ0 ）｝＞Ａ かつ、 ２０ｌｏｇ｛（１／ωＣ0) ／（Ｚ＋２／ωＣ0 ）｝＜
Ｂ を満たすことを特徴とする請求項１１に記載のトラップ
回路。12. The ceramic trap comprises: ω: angular frequency (= 2πf) R0: resonance impedance [Ω] C0: damping capacity [F] A: required attenuation in the trap band [dB] B: trap band Other power dissipation [dB] Z: 20log {R0 / (Z + 2R0)}> A and 20log {(1 / ωC0) / ( Z + 2 / ωC0)} <
The trap circuit according to claim 11, wherein B 2 is satisfied.
路のインピ−ダンスは、７５Ωであることを特徴とする
請求項１２に記載のトラップ回路。13. The trap circuit according to claim 12, wherein impedances of the input transmission line and the output transmission line are 75Ω.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14655992A JPH0750547A (en) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Higher harmonic mode ceramic trap and trap circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14655992A JPH0750547A (en) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Higher harmonic mode ceramic trap and trap circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750547A true JPH0750547A (en) | 1995-02-21 |
Family
ID=15410414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14655992A Pending JPH0750547A (en) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Higher harmonic mode ceramic trap and trap circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750547A (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629532B2 (en) * | 1974-09-02 | 1981-07-09 | ||
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| JPH01176111A (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | Electrostriction resonator |
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| JPH0355911A (en) * | 1989-07-24 | 1991-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | Piezoelectric resonator and its manufacture |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP14655992A patent/JPH0750547A/en active Pending
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