JPH0743749A - Two-terminal nonlinear element and its production - Google Patents
Two-terminal nonlinear element and its productionInfo
- Publication number
- JPH0743749A JPH0743749A JP19007493A JP19007493A JPH0743749A JP H0743749 A JPH0743749 A JP H0743749A JP 19007493 A JP19007493 A JP 19007493A JP 19007493 A JP19007493 A JP 19007493A JP H0743749 A JPH0743749 A JP H0743749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- film
- metal
- thin film
- anodized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 79
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 22
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 22
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置などのス
イッチング素子として用いられる２端子非線形素子及び
その製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a two-terminal non-linear element used as a switching element in a liquid crystal display device and a method for manufacturing the non-linear element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、ＡＶ（Audio Vi
sual）、ＯＡ（Office Automation）などの用途を初め
とした様々な分野に用いられている。特に、Ｌｏｗ ｅ
ｎｄの製品には、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＳＴＮ（S
uper Twisted Nematic）タイプなどのパッシブタイプの
液晶表示装置が搭載され、Ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙの
製品には、３端子非線形素子であるＴＦＴ（Thin Film
Transistor）をスイッチング素子として用いた、アクテ
ィブマトリクス駆動方式の液晶表示装置が搭載されてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been used as AV (Audio Visual).
sual), OA (Office Automation), and various other fields. Especially Low e
nd (Twisted Nematic), STN (S
High-quality products are equipped with passive type liquid crystal display devices such as upper twisted nematic (Twisted Nematic) type.
A liquid crystal display device of an active matrix drive system using a transistor as a switching element is mounted.
【０００３】このアクティブマトリクス駆動方式の液晶
表示装置においては、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）を凌
駕する色再現性、薄型・軽量性および低消費電力の特徴
を有しており、その用途が急速に拡大している。しか
し、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合には、
その製造に関して、６〜８回以上の薄膜成膜工程および
フォトリソグラフィー工程が必要であり、コストの低減
が最大の課題となっている。The liquid crystal display device of the active matrix drive system has the characteristics of color reproducibility superior to that of a CRT (Cathode Ray Tube), thinness and lightness, and low power consumption, and its application is rapidly expanding. is doing. However, when a TFT is used as a switching element,
For its manufacture, a thin film forming step and a photolithography step are required 6 to 8 times or more, and the reduction of cost is the most important issue.
【０００４】これに対して、スイッチング素子として２
端子非線形素子を用いた液晶表示装置は、ＴＦＴを用い
た液晶表示装置に対してコスト面で優位性を有し、か
つ、パッシブタイプの液晶表示装置に対して表示品位面
で優位性を有しているので、急速な展開を示している。On the other hand, two switching elements are used.
The liquid crystal display device using the terminal non-linear element has a cost advantage over the liquid crystal display device using the TFT and has a display quality advantage over the passive type liquid crystal display device. Have shown rapid development.
【０００５】上記２端子非線形素子としては、古くはシ
ョットキーダイオード方式、バリスタ方式およびＭＩＭ
（Metal-Insulator-Metal）方式のものが知られてお
り、近年においては、Ｄ2Ｒ（Double Diode Plus Rese
t）方式および有機強誘電薄膜方式のものが研究開発さ
れている。しかし、現状実用化されているのは、ＭＩＭ
方式とＤ2Ｒ方式の２端子非線形素子のみである。この
うち、ＭＩＭ方式の２端子非線形素子（ＭＩＭ素子）
は、下部電極の上に、絶縁層を間に介して上部電極が形
成された構成を有しており、Ｔａ薄膜を下部電極として
用い、これを陽極酸化法により陽極酸化して絶縁層を形
成し、さらに、この上にＴａ、Ｔｉ、Ａｌなどからなる
上部電極を形成した構造とすることができる。上記ＭＩ
Ｍ素子は、ＴＦＴに比べて３分の１以下の製造工程で作
ることが可能である。よって、スイッチング素子として
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置は、２端子非線形素子
液晶表示装置の主流を占めている。As the above-mentioned two-terminal non-linear element, the Schottky diode method, the varistor method, and the MIM have long been used.
(Metal-Insulator-Metal) type is known, and in recent years, D 2 R (Double Diode Plus Rese)
The t) method and the organic ferroelectric thin film method are being researched and developed. However, MIM is currently in practical use.
System and D 2 R system two-terminal non-linear element only. Among them, MIM type two-terminal non-linear element (MIM element)
Has a structure in which an upper electrode is formed on a lower electrode with an insulating layer interposed therebetween. A Ta thin film is used as a lower electrode, and this is anodized by an anodizing method to form an insulating layer. In addition, an upper electrode made of Ta, Ti, Al or the like may be further formed on this structure. MI above
The M element can be manufactured by one third or less of the manufacturing process as compared with the TFT. Therefore, the liquid crystal display device using the MIM element as the switching element occupies the mainstream of the two-terminal non-linear element liquid crystal display device.
【０００６】上記ＭＩＭ素子は、下部電極と上部電極と
の間に、絶縁膜が介装された構成を有している。The MIM element has a structure in which an insulating film is interposed between the lower electrode and the upper electrode.
【０００７】図４は、従来の２端子非線形素子の断面図
であり、この液晶セルを作成する工程は、以下のように
して行われる。FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional two-terminal non-linear element, and the process of making this liquid crystal cell is performed as follows.
【０００８】絶縁性基板３１上に、スパッタリング法に
より下部電極３２をタンタル薄膜で形成し、その表面を
陽極酸化法により陽極酸化して、五酸化タンタルからな
る陽極酸化膜３３を形成する。次にレジスト３４を全面
に塗布し、前記絶縁性基板３１の裏面から全面露光した
後、パターニングし、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜３
５を窒化シリコンで形成する。その後、レジスト３４を
除去することにより上面の絶縁膜３５を同時に除去する
リフトオフ法により、レジスト３４とその上面の絶縁膜
３５を剥離する。そして、スパッタリング法により上部
電極３６をインジウム酸化錫で形成して２端子非線形素
子は形成される。（特開平３−５２２７７）上記２端子
非線形素子を用いた液晶表示装置においては、素子の電
圧−電流特性の正負非対称性に起因する残像に問題や、
素子容量および液晶層容量に起因するクロストークの問
題に対処するために、種々の改良研究が行われている。
例えば、本願発明の基礎技術となる絶縁層の形成は、通
常、下部電極を陽極酸化することにより行われている。
上述した陽極酸化法は、その技術自体としては、特公昭
４６−１７２６７号公報に開示されているように、古く
から確立されている技術であるが、スループットの高
い、生産性に優れたＩｎｓｕｌａｔｏｒ層を得ることが
できる方法である。The lower electrode 32 is formed of a tantalum thin film on the insulating substrate 31 by the sputtering method, and the surface thereof is anodized by the anodizing method to form an anodized film 33 of tantalum pentoxide. Next, a resist 34 is applied to the entire surface, the entire surface of the insulating substrate 31 is exposed from the back surface thereof, and then the insulating film 3 is patterned by the plasma CVD method.
5 is made of silicon nitride. After that, the resist 34 and the insulating film 35 on the upper surface thereof are separated by a lift-off method in which the resist 34 is removed to simultaneously remove the upper insulating film 35. Then, the upper electrode 36 is formed of indium tin oxide by the sputtering method to form the two-terminal nonlinear element. (JP-A-3-52277) In a liquid crystal display device using the above-mentioned two-terminal non-linear element, there is a problem of afterimage caused by positive / negative asymmetry of voltage-current characteristics of the element,
Various improvements have been made to address the problem of crosstalk caused by device capacitance and liquid crystal layer capacitance.
For example, the formation of the insulating layer, which is the basic technology of the present invention, is usually performed by anodizing the lower electrode.
The above-mentioned anodizing method is a technology that has been established for a long time as disclosed in Japanese Patent Publication No. 46-17267, but an insulator layer with high throughput and excellent productivity is provided. Is a way that can be obtained.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置における
２端子非線形素子を形成する場合、該素子の容量がパネ
ルの表示特性に大きくかかわってくる。つまり、素子容
量（以下ＣMIMとする）が、液晶部分の容量（以下ＣLC
とする）に比べて十分に小さいほど表示特性はよく、通
常ＣMIM／ＣLC≧１／１０の範囲になるのが最も表示特
性がよいとされている。しかし、パネルの高精細化にと
もなって、画素面積が小さくなる傾向にあり、それに伴
って液晶部分の容量ＣLCも減少してしまう。そのため、
表示特性を良好に保つためには素子容量ＣMIMを小さく
することが必要となってくる。しかし、単純に下部電極
のパターンを細くしてＣMIMの減少を図った場合、パタ
ーン精度が悪くなり、パネル内の表示のばらつきの原因
になってしまう。本発明は、上記課題を解決するために
なされたものであり、パターニング精度を変えることな
く、素子容量の小さい２端子非線形素子とその製造方法
を提供することを目的とする。When a two-terminal non-linear element is formed in a liquid crystal display device, the capacitance of the element has a great influence on the display characteristics of the panel. In other words, the element capacity (hereinafter referred to as C MIM ) is the capacity of the liquid crystal portion (hereinafter referred to as C LC
It is said that the display characteristics are better as it is sufficiently smaller than the above (1), and normally the display characteristics are best in the range of C MIM / C LC ≧ 1/10. However, as the definition of the panel becomes higher, the pixel area tends to become smaller, and the capacitance C LC of the liquid crystal portion also decreases accordingly. for that reason,
In order to maintain good display characteristics, it becomes necessary to reduce the element capacitance C MIM . However, when the pattern of the lower electrode is simply thinned to reduce C MIM , the pattern accuracy is deteriorated, which causes a variation in display within the panel. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a two-terminal nonlinear element having a small element capacitance and a manufacturing method thereof, without changing the patterning accuracy.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の２端子非線形素
子は、基板と、該基板上に配設された金属薄膜からなる
下部電極と、該下部電極の表層を陽極酸化して形成され
た陽極酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにして形成さ
れた金属薄膜からなる上部電極とからなる２端子非線形
素子において、前記陽極酸化膜は、上面の膜厚が側面の
膜厚よりも薄く形成されていることを特徴としており、
そのことにより上記目的が達成される。A two-terminal non-linear element of the present invention is formed by anodizing a substrate, a lower electrode formed of a metal thin film on the substrate, and a surface layer of the lower electrode. In a two-terminal non-linear element including an anodized film and an upper electrode made of a metal thin film formed so as to cover the anodized film, the anodized film has a top surface thinner than a side surface. It is characterized by being formed,
Thereby, the above object is achieved.
【００１１】本発明の２端子非線形素子の製造方法は、
基板と、該基板上に配設された金属薄膜からなる下部電
極と、該下部電極の表層を陽極酸化して形成された陽極
酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにして形成された金
属薄膜からなる上部電極とからなる２端子非線形素子に
おいて、前記下部電極上に樹脂を塗布する工程と、該下
部電極をエッチングする工程と、前記下部電極上に該樹
脂を残したまま陽極酸化を行う工程と、該樹脂を剥離し
た後、先工程よりも低い電圧で再度陽極酸化を行う工程
とを含有することを特徴としており、そのことにより上
記目的が達成される。A method of manufacturing a two-terminal non-linear element according to the present invention comprises:
Substrate, lower electrode made of metal thin film disposed on the substrate, anodized film formed by anodizing the surface layer of the lower electrode, and metal formed so as to cover the anodized film In a two-terminal nonlinear element including an upper electrode made of a thin film, a step of applying a resin on the lower electrode, a step of etching the lower electrode, and anodization with the resin left on the lower electrode The method is characterized by including a step and a step of performing anodic oxidation again at a lower voltage than the previous step after peeling off the resin, thereby achieving the above object.
【００１２】また、本発明の２端子非線形素子の製造方
法は、基板と、該基板上に配設された金属薄膜からなる
下部電極と、該下部電極の表層を陽極酸化して形成され
た陽極酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにして形成さ
れた金属薄膜からなる上部電極とからなる２端子非線形
素子において、陽極酸化が可能な２種の金属を、２層に
連続して形成する工程と、該２層の金属上に樹脂を塗布
する工程と、該２層の金属をパターニングする工程と、
該樹脂を剥離した後、該２層の金属に陽極酸化を行う工
程と、該２層の金属のうち上部金属及び該上部金属の陽
極酸化膜をエッチングした後、下部金属を先工程よりも
低い電圧で再度陽極酸化を行う工程とを含有することを
特徴としており、そのことにより上記目的が達成され
る。The method for manufacturing a two-terminal non-linear element according to the present invention includes a substrate, a lower electrode formed of a metal thin film on the substrate, and an anode formed by anodizing the surface layer of the lower electrode. In a two-terminal non-linear element including an oxide film and an upper electrode made of a metal thin film formed so as to cover the anodized film, two kinds of anodizable metals are continuously formed in two layers. A step, a step of applying a resin on the two-layer metal, and a step of patterning the two-layer metal,
After removing the resin, a step of anodizing the two layers of metal, and etching the upper metal and the anodic oxide film of the upper metal of the two layers of metal, and then lowering the lower metal to a lower level than in the previous step The method is characterized by including a step of performing anodic oxidation again with a voltage, whereby the above object is achieved.
【００１３】さらに、本発明の２端子非線形素子の製造
方法は、基板と、該基板上に配設された金属薄膜からな
る下部電極と、該下部電極の表層を陽極酸化して形成さ
れた陽極酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにして形成
された金属薄膜からなる上部電極とからなる２端子非線
形素子において、陽極酸化が可能な金属を形成した後、
該金属上に絶縁膜を連続して形成する工程と、該金属と
絶縁膜をパターニングする工程と、該絶縁膜を残したま
ま該金属と絶縁膜に陽極酸化を行う工程と、該絶縁膜を
剥離した後、前記金属を先工程よりも低い電圧で再度陽
極酸化する工程とを含有することを特徴としており、そ
のことにより上記目的が達成される。Further, according to the method of manufacturing a two-terminal nonlinear element of the present invention, a substrate, a lower electrode formed of a metal thin film on the substrate, and an anode formed by anodizing the surface layer of the lower electrode. In a two-terminal nonlinear element including an oxide film and an upper electrode formed of a metal thin film so as to cover the anodic oxide film, after forming a metal capable of anodic oxidation,
A step of continuously forming an insulating film on the metal; a step of patterning the metal and the insulating film; a step of anodizing the metal and the insulating film with the insulating film left; After peeling, the step of re-anodizing the metal at a voltage lower than that in the previous step is included, whereby the above object is achieved.
【００１４】[0014]
【作用】本発明は、上述したような課題を解決する手段
により、下部電極の表層を陽極酸化して形成された陽極
酸化膜は、上面の膜厚を側面の膜厚よりも薄くすること
ができ、その結果、素子面積を小さくでき、素子容量の
小さい２端子非線形素子を形成することが可能となる。
その理由を以下に述べる。According to the present invention, the anodic oxide film formed by anodizing the surface layer of the lower electrode has a thickness of the upper surface smaller than that of the side surface by the means for solving the above problems. As a result, the element area can be reduced, and a two-terminal nonlinear element having a small element capacitance can be formed.
The reason will be described below.
【００１５】下部電極としてよく用いられているタンタ
ルは、陽極酸化を１時間おこなうことにより７オングス
トローム／Ｖの割合で減少し、酸化タンタルが１７オン
グストローム／Ｖの割合で析出する。例えば、最初の陽
極酸化を２５０Ｖでおこなった場合、素子の両側面部分
においては合計０．３５μｍのタンタルが陽極酸化され
る。ここで、タンタル電極の幅が５μｍ、膜厚が３００
０オングストロームであるならば、この陽極酸化によっ
て電極幅は４．６５μｍに減少することになる。また、
素子の上面部分の陽極酸化膜の膜厚を６５０オングスト
ロームとすると、素子の側面部分の酸化タンタルの膜厚
は、３２５０オングストロームであるため、素子の側面
部分の容量は約５分の１となる。これらにより素子容量
を計算すると、本発明の２端子非線形素子の容量は、従
来の２端子非線形素子の容量に比べて約１５％程減少す
ることがわかる。Tantalum, which is often used as the lower electrode, is reduced at a rate of 7 Å / V by anodic oxidation for 1 hour, and tantalum oxide is deposited at a rate of 17 Å / V. For example, when the first anodic oxidation is performed at 250 V, a total of 0.35 μm of tantalum is anodized on both sides of the device. Here, the tantalum electrode has a width of 5 μm and a film thickness of 300.
If it is 0 Å, this anodic oxidation will reduce the electrode width to 4.65 μm. Also,
Assuming that the film thickness of the anodic oxide film on the top surface of the device is 650 angstroms, the film thickness of tantalum oxide on the side surface part of the device is 3250 angstroms. When the element capacitance is calculated from these, it can be seen that the capacitance of the two-terminal nonlinear element of the present invention is reduced by about 15% as compared with the capacitance of the conventional two-terminal nonlinear element.
【００１６】以上のことにより、本発明における２端子
非線形素子は、パターン精度を悪くすることなく、素子
容量を減少させることができるため、表示特性が良好で
かつ均一な液晶パネルを形成することができるのであ
る。As described above, the two-terminal nonlinear element according to the present invention can reduce the element capacitance without deteriorating the pattern accuracy, so that it is possible to form a uniform liquid crystal panel having good display characteristics. You can do it.
【００１７】[0017]
【実施例】以下に、本発明について具体的な実施例を用
いて詳しく説明する。EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to specific examples.
【００１８】（実施例１）図１に、本発明における一実
施例に用いられる２端子非線形素子とその製造方法につ
いての断面図を示す。まず、透明絶縁基板１上に下部電
極２としてタンタル薄膜を１０００〜３０００オングス
トローム程度の厚さで形成した後、前記下部電極２上に
感光性樹脂３を塗布し、所定のパターンを露光して、次
いで現像を行いエッチングを行う。この時、前記感光性
樹脂３の代わりに、樹脂を印刷法を用いてパターニング
してもよい。次に、上述したパターン上に前記感光性樹
脂３を残したままで、前記下部電極２であるタンタル薄
膜の陽極酸化を行い、陽極酸化膜４となる酸化タンタル
膜を形成する。この陽極酸化の化成液は１ｗｔ％ホウ酸
アンモニウムで、陽極酸化電圧は１００〜２５０Ｖとし
た。このとき該下部電極２であるタンタル薄膜の側面だ
けが陽極酸化されており、該下部電極２上の感光性樹脂
２の上面は陽極酸化されていない。次に、前記感光性樹
脂３を剥離した後、前記陽極酸化電圧よりも低い電圧２
０〜５０Ｖで再度陽極酸化を行い、陽極酸化膜５となる
酸化タンタル膜をタンタルよりなる下部電極２の上面に
形成する。以上の工程により、前記下部電極２の側面の
陽極酸化膜４よりも、該下部電極２の上面の陽極酸化膜
５の膜厚を薄くすることができ、この陽極酸化膜５を２
端子非線形素子部分として用いる。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing a two-terminal non-linear element used in one embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof. First, a tantalum thin film having a thickness of about 1000 to 3000 angstroms is formed as the lower electrode 2 on the transparent insulating substrate 1, a photosensitive resin 3 is applied on the lower electrode 2, and a predetermined pattern is exposed. Next, development is performed and etching is performed. At this time, instead of the photosensitive resin 3, a resin may be patterned by using a printing method. Next, the tantalum thin film that is the lower electrode 2 is anodized while leaving the photosensitive resin 3 on the above-described pattern to form a tantalum oxide film that will be the anodized film 4. The anodizing chemical solution was 1 wt% ammonium borate and the anodizing voltage was 100 to 250V. At this time, only the side surface of the tantalum thin film which is the lower electrode 2 is anodized, and the upper surface of the photosensitive resin 2 on the lower electrode 2 is not anodized. Next, after peeling off the photosensitive resin 3, a voltage 2 lower than the anodizing voltage is applied.
Anodization is performed again at 0 to 50 V to form a tantalum oxide film to be the anodized film 5 on the upper surface of the lower electrode 2 made of tantalum. Through the above steps, the thickness of the anodic oxide film 5 on the upper surface of the lower electrode 2 can be made smaller than that of the anodic oxide film 4 on the side surface of the lower electrode 2.
Used as the terminal non-linear element part.
【００１９】最後に、以上のようにして形成した前記陽
極酸化膜５上に、アルミニウムを形成し、所定のパター
ニングを行うことにより上部電極６を形成する。ここ
で、下部電極２はタンタル薄膜に限定されることはな
く、陽極酸化可能でありスパッタ等により容易に形成す
ることができればよく、例えばアルミニウム、チタン、
ニオブなども使用が可能である。また、上部電極６もア
ルミニウムに限定されることはなく、スパッタあるいは
真空蒸着法等により容易に形成することができるもので
あればよく、例えばチタン、クロム、ニオブなども使用
が可能である。このようして形成した２端子非線形素子
は、下部電極２の線幅を変えることなく素子容量を減ら
すことができるので、表示特性が良好でかつ均一な液晶
パネルを形成することができる。Finally, aluminum is formed on the anodic oxide film 5 thus formed, and the upper electrode 6 is formed by performing a predetermined patterning. Here, the lower electrode 2 is not limited to a tantalum thin film, and may be anodized and can be easily formed by sputtering or the like.
Niobium can also be used. Further, the upper electrode 6 is not limited to aluminum as long as it can be easily formed by a sputtering method, a vacuum deposition method or the like, and for example, titanium, chromium, niobium or the like can be used. The two-terminal non-linear element thus formed can reduce the element capacitance without changing the line width of the lower electrode 2, so that it is possible to form a liquid crystal panel having good display characteristics and uniform.
【００２０】なお、本発明の２端子非線形素子は、上記
実施例に限定されることはなく、また、その製造方法に
ついても、上記実施例のものに限定されないのはいうま
でもない。It is needless to say that the two-terminal nonlinear element of the present invention is not limited to the above embodiment, and the manufacturing method thereof is not limited to that of the above embodiment.
【００２１】（実施例２）図２に、本発明における一実
施例に用いられる２端子非線形素子とその製造方法につ
いての断面図を示す。まず、透明絶縁基板１１上に第１
の金属層１２としてタンタル薄膜を１０００〜３０００
オングストローム程度の厚さで形成した後、連続して第
２の金属層１３としてアルミニウムを１０００〜２００
０オングストローム程度の厚さで形成する。前記第２の
金属層１３上に感光性樹脂を塗布し、所定のパターンを
露光して、次いで現像を行い第１、第２の金属層１２、
１３を２層同時にエッチングして、剥離を行う。次に、
上述したパターン上に前記第２の金属層１３であるアル
ミニウムを残したままで前記第１の金属層１２であるタ
ンタル薄膜の陽極酸化を行う。この陽極酸化の化成液は
１ｗｔ％ホウ酸アンモニウムで、陽極酸化電圧は１００
〜２５０Ｖとした。このとき前記アルミニウムの表面に
は陽極酸化膜となる酸化アルミニウムが形成されてお
り、また、該第１の金属層１２であるタンタル薄膜の側
面には陽極酸化膜１４となる酸化タンタルが形成されて
いる。次に、アルミニウムからなる第２の金属層１３お
よび酸化アルミニウムからなる陽極酸化膜１５を５０℃
のリン酸によって剥離する。この後、残った第１の金属
層１２のタンタル薄膜を、前記陽極酸化電圧より低い電
圧２０〜５０Ｖで再度陽極酸化を行い、陽極酸化膜１７
となる酸化タンタル膜をタンタルよりなる第１の金属層
１２の上面に形成する。以上の工程により、前記第１の
金属層１２の側面の陽極酸化膜１４よりも、該第１の金
属層１２の上面の陽極酸化膜１７の膜厚を薄くすること
ができ、この陽極酸化膜１７を２端子非線形素子部分と
して用いる。最後に、以上のようにして形成した前記陽
極酸化膜１７上に、アルミニウムを形成し、所定のパタ
ーニングを行うことにより上部電極１６を形成する。(Embodiment 2) FIG. 2 is a sectional view showing a two-terminal non-linear element used in one embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof. First, on the transparent insulating substrate 11, the first
Tantalum thin film as the metal layer 12 of 1000 to 3000
After being formed to a thickness of about angstrom, aluminum is continuously used as the second metal layer 13 in an amount of 1000 to 200.
It is formed with a thickness of about 0 angstrom. A photosensitive resin is applied on the second metal layer 13, a predetermined pattern is exposed, and then development is performed to form the first and second metal layers 12,
Two layers of 13 are simultaneously etched, and peeling is performed. next,
Anodization of the tantalum thin film, which is the first metal layer 12, is performed while leaving the aluminum, which is the second metal layer 13, on the pattern described above. The chemical solution for this anodic oxidation is 1 wt% ammonium borate and the anodic oxidation voltage is 100.
~ 250V. At this time, aluminum oxide serving as an anodized film is formed on the surface of the aluminum, and tantalum oxide serving as an anodized film 14 is formed on the side surface of the tantalum thin film which is the first metal layer 12. There is. Next, the second metal layer 13 made of aluminum and the anodic oxide film 15 made of aluminum oxide are formed at 50 ° C.
Peel off with phosphoric acid. After that, the remaining tantalum thin film of the first metal layer 12 is anodized again at a voltage of 20 to 50 V, which is lower than the anodization voltage, to form the anodized film 17.
A tantalum oxide film to be formed is formed on the upper surface of the first metal layer 12 made of tantalum. Through the above steps, the thickness of the anodic oxide film 17 on the upper surface of the first metal layer 12 can be made smaller than that of the anodic oxide film 14 on the side surface of the first metal layer 12. 17 is used as a two-terminal nonlinear element portion. Finally, aluminum is formed on the anodic oxide film 17 formed as described above, and the upper electrode 16 is formed by performing predetermined patterning.
【００２２】ここで、第１の金属層１２はタンタル薄膜
に限定されることはなく、陽極酸化可能であり、スパッ
タ等により容易に形成することができればよく、例えば
アルミニウム、チタン、ニオブなども使用が可能であ
る。また、第２の金属層１３もアルミニウムに限定され
ることはなく、陽極酸化可能であり、スパッタ等により
容易に形成することができ、しかも、第１の金属層１２
よりも、エッチングが容易であるならばよく、例えばチ
タン、ニオブなども使用が可能である。さらに、上部電
極１６もアルミニウムに限定されることはなく、スパッ
タあるいは真空蒸着法等により容易に形成することがで
きるものであればよく、例えばチタン、クロムなども使
用が可能である。Here, the first metal layer 12 is not limited to a tantalum thin film, and it is sufficient that it can be anodized and can be easily formed by sputtering or the like. For example, aluminum, titanium, niobium, etc. are also used. Is possible. The second metal layer 13 is not limited to aluminum, can be anodized, can be easily formed by sputtering, and the first metal layer 12 can also be formed.
It is preferable that the etching be easier than that, and titanium, niobium, or the like can be used, for example. Further, the upper electrode 16 is not limited to aluminum as long as it can be easily formed by sputtering, vacuum deposition, or the like, and titanium, chromium, or the like can also be used.
【００２３】このようにして形成した２端子非線形素子
は、下部電極（実施例２では第１の金属層）１３の線幅
を変えることなく素子容量を減らすことができるので、
表示特性が良好でかつ均一な液晶パネルを形成すること
ができる。The two-terminal nonlinear element thus formed can reduce the element capacitance without changing the line width of the lower electrode (the first metal layer in the second embodiment) 13.
It is possible to form a liquid crystal panel having good display characteristics and uniform.
【００２４】なお、本発明の２端子非線形素子は、上記
実施例に限定されることはなく、また、その製造方法に
ついても、上記実施例のものに限定されないのはいうま
でもない。Needless to say, the two-terminal non-linear element of the present invention is not limited to the above embodiment, and the manufacturing method thereof is not limited to that of the above embodiment.
【００２５】（実施例３）図３に、本発明における一実
施例に用いられる２端子非線形素子とその製造方法につ
いての断面図を示す。まず、透明絶縁基板２１上に下部
電極２２としてタンタル薄膜を１０００〜３０００オン
グストローム程度の厚さで形成した後、連続して絶縁膜
２３として窒化シリコンを１０００〜３０００オングス
トローム程度の厚さで形成する。前記絶縁膜２３上に感
光性樹脂を塗布し、所定のパターンを露光して、次いで
現像を行い下部電極２２と絶縁膜２３を２層同時にエッ
チングして、剥離を行う。次に、上述したパターン上に
前記絶縁膜２３を残したままで、前記下部電極２２であ
るタンタル薄膜の陽極酸化を行う。この陽極酸化の化成
液は１ｗｔ％ホウ酸アンモニウムで、陽極酸化電圧は１
００〜２５０Ｖとした。このとき前記下部電極２２であ
るタンタル薄膜の側面には、陽極酸化膜２４となる酸化
タンタルが形成されている。次に、窒化シリコンからな
る絶縁膜２３を緩衝フッ素酸によって剥離する。この
後、残った下部電極２２のタンタル薄膜を前記陽極酸化
電圧より低い電圧２０〜５０Ｖで再度陽極酸化を行い、
陽極酸化膜２５となる酸化タンタル膜をタンタルよりな
る下部電極２２の上面に形成する。以上の工程により、
前記下部電極２２の側面の陽極酸化膜２４よりも、該下
部電極２２の上面の陽極酸化膜２５の膜厚を薄くするこ
とができ、この陽極酸化膜２５を２端子非線形素子部分
として用いる。最後に、以上のようにして形成した前記
陽極酸化膜２５上に、アルミニウムを形成し、所定のパ
ターニングを行うことにより上部電極２６を形成する。(Embodiment 3) FIG. 3 is a sectional view showing a two-terminal nonlinear element used in an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same. First, a tantalum thin film having a thickness of about 1000 to 3000 angstroms is formed as the lower electrode 22 on the transparent insulating substrate 21, and then silicon nitride having a thickness of about 1000 to 3000 angstroms is continuously formed as the insulating film 23. A photosensitive resin is applied on the insulating film 23, a predetermined pattern is exposed, and then development is performed to simultaneously etch two layers of the lower electrode 22 and the insulating film 23 to separate them. Next, the tantalum thin film that is the lower electrode 22 is anodized while leaving the insulating film 23 on the pattern described above. The anodizing chemical solution is 1 wt% ammonium borate and the anodizing voltage is 1
It was set to 00-250V. At this time, tantalum oxide serving as the anodic oxide film 24 is formed on the side surface of the tantalum thin film serving as the lower electrode 22. Next, the insulating film 23 made of silicon nitride is peeled off with a buffered hydrofluoric acid. Then, the remaining tantalum thin film of the lower electrode 22 is anodized again at a voltage of 20 to 50 V lower than the anodizing voltage,
A tantalum oxide film to be the anodic oxide film 25 is formed on the upper surface of the lower electrode 22 made of tantalum. By the above process,
The anodic oxide film 25 on the upper surface of the lower electrode 22 can be made thinner than the anodic oxide film 24 on the side surface of the lower electrode 22, and this anodic oxide film 25 is used as a two-terminal nonlinear element portion. Finally, aluminum is formed on the anodic oxide film 25 formed as described above, and predetermined patterning is performed to form the upper electrode 26.
【００２６】ここで、下部電極２２はタンタル薄膜に限
定されることはなく、陽極酸化可能であり、スパッタ等
により容易に形成することができればよく、例えばアル
ミニウム、チタン、ニオブなども使用が可能である。ま
た、絶縁膜２３も窒化シリコンに限定されることはな
く、スパッタ、真空蒸着法あるいはＣＶＤ等により容易
に形成することができるものであればよく、例えば酸化
シリコン、酸化タンタルなども使用が可能である。さら
に、上部電極２６もアルミニウムに限定されることはな
く、スパッタあるいは真空蒸着法等により容易に形成す
ることができるものであればよく、例えばチタン、クロ
ム、ニオブなども使用可能である。Here, the lower electrode 22 is not limited to a tantalum thin film and can be anodized and can be easily formed by sputtering or the like. For example, aluminum, titanium, niobium or the like can be used. is there. The insulating film 23 is not limited to silicon nitride as long as it can be easily formed by sputtering, vacuum deposition, CVD, or the like. For example, silicon oxide or tantalum oxide can be used. is there. Further, the upper electrode 26 is not limited to aluminum as long as it can be easily formed by a sputtering method or a vacuum deposition method, and titanium, chromium, niobium or the like can be used.
【００２７】こうして形成した２端子非線形素子は、下
部電極２２の線幅を変えることなく素子容量を減らすこ
とができるので、表示特性が良好でかつ均一な液晶パネ
ルを形成することができる。Since the two-terminal non-linear element thus formed can reduce the element capacitance without changing the line width of the lower electrode 22, it is possible to form a uniform liquid crystal panel having good display characteristics.
【００２８】なお、本発明の２端子非線形素子は、上記
実施例に限定されることはなく、また、その製造方法に
ついても、上記実施例のものに限定されないのはいうま
でもない。It is needless to say that the two-terminal nonlinear element of the present invention is not limited to the above embodiment and the manufacturing method thereof is not limited to that of the above embodiment.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように、本発明による２端子非線
形素子は、基板上に配設された下部電極における側面の
陽極酸化膜よりも、上面の陽極酸化膜を薄くすることが
容易にできるため、パターニング精度を変えることなく
素子容量の小さい２端子非線形素子を実現でき、従っ
て、表示特性が良好でかつ均一な液晶パネルを形成する
ことができる。As described above, in the two-terminal nonlinear element according to the present invention, it is possible to easily make the anodic oxide film on the upper surface thinner than the anodic oxide film on the side surface of the lower electrode arranged on the substrate. Therefore, it is possible to realize a two-terminal non-linear element having a small element capacitance without changing the patterning accuracy, and thus it is possible to form a uniform liquid crystal panel having good display characteristics.
【図１】図１は、本発明の２端子非線形素子及びその製
造方法の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a two-terminal nonlinear element and a method for manufacturing the same according to the present invention.
【図２】図２は、本発明の２端子非線形素子及びその製
造方法の一実施例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a two-terminal nonlinear element and a method for manufacturing the same according to the present invention.
【図３】図３は、本発明の２端子非線形素子及びその製
造方法の一実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing one embodiment of a two-terminal nonlinear element and a method for manufacturing the same according to the present invention.
【図４】図４は、従来の２端子非線形素子及びその製造
方法を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conventional two-terminal non-linear element and a method for manufacturing the same.
１、１１、２１、３１ 透明絶縁性基板 ２、２２、３２ 下部電極 １２ 第１の金属層 ３ 感光性樹脂 １３ 第２の金属層 ２３、３５ 絶縁膜 １５、３３ 陽極酸化膜 ３４ レジスト ４、１４、２４ 陽極酸化膜（電極側面） ５、１７、２５ 陽極酸化膜（電極上面） ６、１６、２６、３６ 上部電極 1, 11, 21, 31 Transparent insulating substrate 2, 22, 32 Lower electrode 12 First metal layer 3 Photosensitive resin 13 Second metal layer 23, 35 Insulating film 15, 33 Anodized film 34 Resist 4, 14 , 24 Anodized film (side surface of electrode) 5, 17, 25 Anodized film (upper surface of electrode) 6, 16, 26, 36 Upper electrode
Claims (4)
からなる下部電極と、該下部電極の表層を陽極酸化して
形成された陽極酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにし
て形成された金属薄膜からなる上部電極とからなる２端
子非線形素子において、 前記陽極酸化膜は、上面の膜厚が側面の膜厚よりも薄く
形成されていることを特徴とする２端子非線形素子。1. A substrate, a lower electrode formed of a metal thin film on the substrate, an anodized film formed by anodizing a surface layer of the lower electrode, and an anodized film covering the anodized film. A two-terminal non-linear element including an upper electrode formed of a metal thin film, wherein the anodic oxide film is formed so that the film thickness on the upper surface is thinner than the film thickness on the side surface. .
からなる下部電極と、該下部電極の表層を陽極酸化して
形成された陽極酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにし
て形成された金属薄膜からなる上部電極とからなる２端
子非線形素子において、 前記下部電極上に樹脂を塗布する工程と、 該下部電極をエッチングする工程と、 前記下部電極上に該樹脂を残したまま陽極酸化を行う工
程と、 該樹脂を剥離した後、先工程よりも低い電圧で再度陽極
酸化を行う工程とを含有することを特徴とする２端子非
線形素子の製造方法。2. A substrate, a lower electrode formed of a metal thin film on the substrate, an anodized film formed by anodizing a surface layer of the lower electrode, and an anodized film covering the anodized film. In a two-terminal non-linear element including an upper electrode formed of a metal thin film formed as described above, a step of applying a resin on the lower electrode, a step of etching the lower electrode, and a step of leaving the resin on the lower electrode. A method of manufacturing a two-terminal non-linear element, comprising: a step of performing anodic oxidation as it is, and a step of performing anodic oxidation again at a lower voltage than the previous step after peeling off the resin.
からなる下部電極と、該下部電極の表層を陽極酸化して
形成された陽極酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにし
て形成された金属薄膜からなる上部電極とからなる２端
子非線形素子において、 陽極酸化が可能な２種の金属を、２層に連続して形成す
る工程と、 該２層の金属上に樹脂を塗布する工程と、 該２層の金属をパターニングする工程と、 該樹脂を剥離した後、該２層の金属に陽極酸化を行う工
程と、 該２層の金属のうち上部金属及び該上部金属の陽極酸化
膜をエッチングした後、下部金属を先工程よりも低い電
圧で再度陽極酸化を行う工程とを含有することを特徴と
する２端子非線形素子の製造方法。3. A substrate, a lower electrode formed of a metal thin film disposed on the substrate, an anodized film formed by anodizing a surface layer of the lower electrode, and an anodized film covering the anodized film. In a two-terminal non-linear element consisting of an upper electrode composed of a metal thin film formed by forming a metal thin film, a step of continuously forming two kinds of anodizable metals in two layers, and a resin on the two layers of metal. A step of applying, a step of patterning the metal of the two layers, a step of anodizing the metal of the two layers after peeling the resin, After the etching of the anodic oxide film, a step of performing anodic oxidation on the lower metal again at a voltage lower than that in the previous step is included.
からなる下部電極と、該下部電極の表層を陽極酸化して
形成された陽極酸化膜と、該陽極酸化膜を覆うようにし
て形成された金属薄膜からなる上部電極とからなる２端
子非線形素子において、 陽極酸化が可能な金属を形成した後、該金属上に絶縁膜
を連続して形成する工程と、 該金属と絶縁膜をパターニングする工程と、 該絶縁膜を残したまま該金属と絶縁膜に陽極酸化を行う
工程と、 該絶縁膜を剥離した後、前記金属を先工程よりも低い電
圧で再度陽極酸化する工程とを含有することを特徴とす
る２端子非線形素子の製造方法。4. A substrate, a lower electrode formed of a metal thin film disposed on the substrate, an anodized film formed by anodizing a surface layer of the lower electrode, and an anodized film covering the anodized film. A two-terminal non-linear element including an upper electrode made of a metal thin film formed by forming an anodizable metal, and then forming an insulating film continuously on the metal; and the metal and the insulating film. A step of patterning, a step of anodizing the metal and the insulating film with the insulating film left, and a step of peeling the insulating film and then anodizing the metal again at a lower voltage than the previous step. A method for manufacturing a two-terminal non-linear element, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19007493A JPH0743749A (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Two-terminal nonlinear element and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19007493A JPH0743749A (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Two-terminal nonlinear element and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743749A true JPH0743749A (en) | 1995-02-14 |
Family
ID=16251932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19007493A Pending JPH0743749A (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Two-terminal nonlinear element and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743749A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10080620B2 (en) | 2012-02-06 | 2018-09-25 | Hyprotek, Inc. | Portable medical device protectors |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP19007493A patent/JPH0743749A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10080620B2 (en) | 2012-02-06 | 2018-09-25 | Hyprotek, Inc. | Portable medical device protectors |
| US10617472B2 (en) | 2012-02-06 | 2020-04-14 | Hyprotek, Inc. | Adhesive patch with antimicrobial composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07181514A (en) | Liquid crystal display device | |
| WO1996002867A1 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| US5068699A (en) | Thin film transistor for a plate display | |
| JPH0743749A (en) | Two-terminal nonlinear element and its production | |
| JP3629716B2 (en) | Wiring film manufacturing method, liquid crystal display device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP3306986B2 (en) | Liquid crystal device manufacturing method | |
| JPH0743748A (en) | Metallic wiring board and thin-film diode array and their production | |
| US6157422A (en) | Two-terminal nonlinear element having insulating films of different thickness formed on the flat top surface of a lower electrode | |
| JPH063703A (en) | Nonlinear active element and its production | |
| JP3041092B2 (en) | MIM element and manufacturing method thereof | |
| JP3341346B2 (en) | Manufacturing method of nonlinear element | |
| JP2695827B2 (en) | Matrix array substrate | |
| JP2762383B2 (en) | Thin film transistor | |
| JP3166317B2 (en) | Method of manufacturing electrical device | |
| JPH07104319A (en) | Mim type nonlinear element | |
| JP2777394B2 (en) | Manufacturing method of nonlinear element | |
| JPH06337440A (en) | Mim type nonlinear element and manufacture thereof | |
| JPH05297415A (en) | Liquid crystal display device and its production | |
| JPH095795A (en) | Mim type nonlinear element, thin-film transistor and their production as well as liquid crystal display device | |
| JPH06301064A (en) | Mim-type nonlinear element and its production | |
| JPH0462050B2 (en) | ||
| JPH0720501A (en) | Nonlinear resistive element and its production | |
| JPH06235941A (en) | Liquid crystal display device and its manufacture | |
| JPH0682822A (en) | Liquid crystal display element and its production | |
| JPH09185085A (en) | Nonlinear resistance element and its production |