JPH07333828A - パターン膜修正方法とその装置 - Google Patents
パターン膜修正方法とその装置Info
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- JPH07333828A JPH07333828A JP12926094A JP12926094A JPH07333828A JP H07333828 A JPH07333828 A JP H07333828A JP 12926094 A JP12926094 A JP 12926094A JP 12926094 A JP12926094 A JP 12926094A JP H07333828 A JPH07333828 A JP H07333828A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集束イオンビームを使ったパターン膜除去
を、精度良く所定形状にて除去すること。 【構成】 試料表面にて集束イオンビームを所定領域走
査照射して発生する二次荷電粒子（イオン）を検出して
現実のパターン形状を画像表示する際に、集束イオンビ
ームの照射と同時にヨウ素蒸気をその照射領域に吹付け
て二次荷電粒子量を多くし、画像を鮮明にする。また、
パターン膜を除去する領域に集束イオンビームを繰り返
し走査して照射すると同時に、ヨウ素蒸気、又は水蒸気
を含んだヨウ素蒸気を吹付けることにより、除去跡の基
板表面の平坦度を向上させる。この方法、装置により、
精度良いパターン膜修正が行われる。
を、精度良く所定形状にて除去すること。 【構成】 試料表面にて集束イオンビームを所定領域走
査照射して発生する二次荷電粒子（イオン）を検出して
現実のパターン形状を画像表示する際に、集束イオンビ
ームの照射と同時にヨウ素蒸気をその照射領域に吹付け
て二次荷電粒子量を多くし、画像を鮮明にする。また、
パターン膜を除去する領域に集束イオンビームを繰り返
し走査して照射すると同時に、ヨウ素蒸気、又は水蒸気
を含んだヨウ素蒸気を吹付けることにより、除去跡の基
板表面の平坦度を向上させる。この方法、装置により、
精度良いパターン膜修正が行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成されたパ
ターン膜のパターン形状を修正する方法およびその装置
に関するものである。特に、ホトマスクやレチクルのパ
ターン膜のパターン形状を修正する方法およびその装置
に関するものである。
ターン膜のパターン形状を修正する方法およびその装置
に関するものである。特に、ホトマスクやレチクルのパ
ターン膜のパターン形状を修正する方法およびその装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の集束イオンビームをホトマスク表
面の所定領域にて走査照射して、所定のパターン膜を除
去する方法を以下に説明する。真空槽内にて、集束イオ
ンビームを使って、試料としてガラス基板上に形成され
たパターン膜のパターン形状を修正する方法を説明す
る。イオン源からイオンを発生させ、そのイオンをイオ
ンレンズ系にてサブミクロン以下のスポット径を有する
集束イオンビームにする。集束イオンビームを走査電極
およびブランキング電極により、ホトマスク表面の所定
領域を走査照射させ、その照射によるホトマスク表面か
ら発生する二次荷電粒子を二次荷電粒子検出器により検
出し、そしてホトマスクの表面状態（パターン形状）を
表示装置に画像表示する。表示装置に表示されたパター
ン形状と、所望のマスクパターン形状と比較し、それら
の形状の相違により、パターン膜の除去領域を求める。
パターン膜除去領域にて集束イオンビームが走査照射す
るように、走査電極とブランキング電極を制御する。そ
して、パターン膜の除去領域を集束イオンビームにて繰
り返し走査照射する。これにより、パターン膜の除去領
域は、イオンビーム照射によるスパッタリングにより、
除去される。
面の所定領域にて走査照射して、所定のパターン膜を除
去する方法を以下に説明する。真空槽内にて、集束イオ
ンビームを使って、試料としてガラス基板上に形成され
たパターン膜のパターン形状を修正する方法を説明す
る。イオン源からイオンを発生させ、そのイオンをイオ
ンレンズ系にてサブミクロン以下のスポット径を有する
集束イオンビームにする。集束イオンビームを走査電極
およびブランキング電極により、ホトマスク表面の所定
領域を走査照射させ、その照射によるホトマスク表面か
ら発生する二次荷電粒子を二次荷電粒子検出器により検
出し、そしてホトマスクの表面状態（パターン形状）を
表示装置に画像表示する。表示装置に表示されたパター
ン形状と、所望のマスクパターン形状と比較し、それら
の形状の相違により、パターン膜の除去領域を求める。
パターン膜除去領域にて集束イオンビームが走査照射す
るように、走査電極とブランキング電極を制御する。そ
して、パターン膜の除去領域を集束イオンビームにて繰
り返し走査照射する。これにより、パターン膜の除去領
域は、イオンビーム照射によるスパッタリングにより、
除去される。
【０００３】ここで、試料、特に基板は絶縁物質である
ため、集束イオンビームの照射により、試料表面に帯電
（正電位）が起こり、その帯電の電荷と、イオンビーム
の電荷により、集束イオンビームの軌跡が曲げられた
り、試料表面から発生する二次荷電粒子の検出感度に影
響を及ぼす。帯電を防止するため、集束イオンビームの
走査領域を含む領域に電子線を照射し、試料表面の帯電
を中和する。
ため、集束イオンビームの照射により、試料表面に帯電
（正電位）が起こり、その帯電の電荷と、イオンビーム
の電荷により、集束イオンビームの軌跡が曲げられた
り、試料表面から発生する二次荷電粒子の検出感度に影
響を及ぼす。帯電を防止するため、集束イオンビームの
走査領域を含む領域に電子線を照射し、試料表面の帯電
を中和する。
【０００４】また、スパッタリングするためのイオンビ
ーム照射と同時に、塩素ガスや四塩化炭素ガスをノズル
からイオンビーム照射領域に吹付け、イオンビーム照射
とそれらのエッチングガスとの作用により、パターン膜
の除去領域の除去効率を上げる方法がある。これは、イ
オンビームアシストエッチングと言われている。
ーム照射と同時に、塩素ガスや四塩化炭素ガスをノズル
からイオンビーム照射領域に吹付け、イオンビーム照射
とそれらのエッチングガスとの作用により、パターン膜
の除去領域の除去効率を上げる方法がある。これは、イ
オンビームアシストエッチングと言われている。
【０００５】
【発明が解決しようとしようとする課題】基板上に形成
されたパターン膜を精度よく（形状）除去するために
は、先ず第一に、集束イオンビームを所定領域にて走査
照射して、その照射により、発生する二次荷電粒子を検
出して、その検出強度により得られるパターン膜形状が
正確に且つ見やすくなっていることが必要である。特
に、試料がホトマスクをレチクルの場合、試料は半導体
集積回路の製造を基となるものであるため、修正の形状
精度が良くなければならない。この時、現状の電子線照
射による試料表面の帯電防止して、集束イオンビーム照
射による二次荷電粒子検出に基づいた画像では、見やす
い画像が得られない場合がよくあり、パターン膜の除去
修正が困難であった。
されたパターン膜を精度よく（形状）除去するために
は、先ず第一に、集束イオンビームを所定領域にて走査
照射して、その照射により、発生する二次荷電粒子を検
出して、その検出強度により得られるパターン膜形状が
正確に且つ見やすくなっていることが必要である。特
に、試料がホトマスクをレチクルの場合、試料は半導体
集積回路の製造を基となるものであるため、修正の形状
精度が良くなければならない。この時、現状の電子線照
射による試料表面の帯電防止して、集束イオンビーム照
射による二次荷電粒子検出に基づいた画像では、見やす
い画像が得られない場合がよくあり、パターン膜の除去
修正が困難であった。
【０００６】また、パターン膜３０に集束イオンビーム
５を繰り返し走査させながら照射すると同時に、塩素ガ
スを吹付けてイオンビームアシストエッチングして除去
領域３０ａのパターン膜を除去した場合、除去領域のエ
ッジ部、特にパターン膜のエッジ部３０ｂの基板である
ガラス３１は、図２の断面図に示すように、溝が形成さ
れる。試料がホトマスクの場合は、半導体集積回路製造
工程において、この溝部分に照射された露光用の光線
は、望まれない屈折が起こり、不良品の原因となる。
５を繰り返し走査させながら照射すると同時に、塩素ガ
スを吹付けてイオンビームアシストエッチングして除去
領域３０ａのパターン膜を除去した場合、除去領域のエ
ッジ部、特にパターン膜のエッジ部３０ｂの基板である
ガラス３１は、図２の断面図に示すように、溝が形成さ
れる。試料がホトマスクの場合は、半導体集積回路製造
工程において、この溝部分に照射された露光用の光線
は、望まれない屈折が起こり、不良品の原因となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、集束イオンビームを除去修正する領域のパ
ターン膜に繰り返し走査しけ照射すると同時に、その領
域に局所的にヨウ素ガス蒸気、又はヨウ素ガスと水蒸気
の混合ガスを吹付けて、パターン膜を除去する方法であ
る。
に本発明は、集束イオンビームを除去修正する領域のパ
ターン膜に繰り返し走査しけ照射すると同時に、その領
域に局所的にヨウ素ガス蒸気、又はヨウ素ガスと水蒸気
の混合ガスを吹付けて、パターン膜を除去する方法であ
る。
【０００８】また、集束イオンビームを試料表面の所定
領域を走査照射して、その二次荷電粒子を検出して、試
料表面に形成されたパターン膜の形状を画像表示する時
に、集束イオンビームの照射と同時にヨウ素蒸気をその
所定領域に局所的に吹付けて、二次荷電粒子を検出し、
その検出強度に基づいて膜の画像表示をし、その画像に
基づいてパターン膜を修正する方法である。
領域を走査照射して、その二次荷電粒子を検出して、試
料表面に形成されたパターン膜の形状を画像表示する時
に、集束イオンビームの照射と同時にヨウ素蒸気をその
所定領域に局所的に吹付けて、二次荷電粒子を検出し、
その検出強度に基づいて膜の画像表示をし、その画像に
基づいてパターン膜を修正する方法である。
【０００９】また、上記方法を達成するため、本発明の
装置は、イオンを発生するイオン銃と、前記イオンを集
束イオンビームにするイオンレンズ系と、前記集束イオ
ンビームを試料表面の所定領域に偏向走査させる走査電
極と、前記集束イオンビームの試料照射により試料表面
から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出
器と、前記二次荷電粒子信号に基づいて試料表面に形成
されたパターン膜を画像表示する表示装置と、前記試料
の前記集束イオンビーム照射領域にヨウ素ガスを吹付け
るためのノズルと、前記画像表示のパターン膜の画像と
前記パターン膜の所望パターン形状の違いに基づいて、
前記集束イオンビームの走査照射領域を設定する走査領
域設定手段よりなるパターン膜修正装置である。
装置は、イオンを発生するイオン銃と、前記イオンを集
束イオンビームにするイオンレンズ系と、前記集束イオ
ンビームを試料表面の所定領域に偏向走査させる走査電
極と、前記集束イオンビームの試料照射により試料表面
から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出
器と、前記二次荷電粒子信号に基づいて試料表面に形成
されたパターン膜を画像表示する表示装置と、前記試料
の前記集束イオンビーム照射領域にヨウ素ガスを吹付け
るためのノズルと、前記画像表示のパターン膜の画像と
前記パターン膜の所望パターン形状の違いに基づいて、
前記集束イオンビームの走査照射領域を設定する走査領
域設定手段よりなるパターン膜修正装置である。
【００１０】
【作用】集束イオンビームを走査させながら試料表面に
照射することにより試料表面から発生する二次荷電粒子
の放出量は、集束イオンビーム照射と同時に行われるヨ
ウ素ガスの吹付けにより、多くなり、試料表面に形成さ
れているパターン膜の画像表示が鮮明になる。これは、
ガラス基板３１の電気抵抗がヨウ素蒸気の吹付けによ
り、減少し、チャージニュートライズ（中和）が行われ
る為とも思われる。従って、実際のパターン膜形状と、
所望の形状との比較が容易かつ正確になる。パターン膜
の修正加工が正確にできるようになる。
照射することにより試料表面から発生する二次荷電粒子
の放出量は、集束イオンビーム照射と同時に行われるヨ
ウ素ガスの吹付けにより、多くなり、試料表面に形成さ
れているパターン膜の画像表示が鮮明になる。これは、
ガラス基板３１の電気抵抗がヨウ素蒸気の吹付けによ
り、減少し、チャージニュートライズ（中和）が行われ
る為とも思われる。従って、実際のパターン膜形状と、
所望の形状との比較が容易かつ正確になる。パターン膜
の修正加工が正確にできるようになる。
【００１１】また、除去領域にあるパターン膜で集束イ
オンビームを繰り返し走査させながら照射して、その領
域のパターン膜を除去する際に、ソウ素蒸気、又はヨウ
素蒸気と水蒸気の混合ガスを同時に吹付けることによ
り、除去領域のエッジ部、特にパターン膜のエッジ部３
０ｂのガラス基板３１には、図２の断面図に示すよう
な、溝が形成されなくなる。これは、ヨウ素蒸気吹付け
がガラス基板スパッタエッチングの保護膜を形成するた
めと思われる。従って、このホトマスクを使った半導体
集積回路製造工程において、従来のような溝部分に照射
された露光用の光線の望まれない屈折が起こらず、不良
品の発生率が下がった。
オンビームを繰り返し走査させながら照射して、その領
域のパターン膜を除去する際に、ソウ素蒸気、又はヨウ
素蒸気と水蒸気の混合ガスを同時に吹付けることによ
り、除去領域のエッジ部、特にパターン膜のエッジ部３
０ｂのガラス基板３１には、図２の断面図に示すよう
な、溝が形成されなくなる。これは、ヨウ素蒸気吹付け
がガラス基板スパッタエッチングの保護膜を形成するた
めと思われる。従って、このホトマスクを使った半導体
集積回路製造工程において、従来のような溝部分に照射
された露光用の光線の望まれない屈折が起こらず、不良
品の発生率が下がった。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を、好適な実施例として示す図
面をもとに詳しく説明する。図１は、本発明の方法を実
行するための装置の概略断面図である。なお、図１に
は、集束イオンビーム照射系と試料等を真空内に配置す
る真空槽は省略してある。真空槽内の上部には、イオ
ン、特に液体金属イオンを垂直下方に発生するイオン源
１が備えられている。イオンの発生する軸を中心にし
て、イオンレンズ系を構成する集束レンズ２と対物レン
ズ３が、イオンをサブミクロン以下のスポット系を有す
る集束イオンビーム５に集束するために、配置されてい
る。また、集束イオンビーム５の軸を中心にして、集束
イオンビーム５の試料６への照射の停止するためのブラ
ンキング電極１２と、集束イオンビーム５を偏向走査さ
せるための走査電極４が設けられている。ブランキング
電極１２と走査電極４とを適当に制御することにより、
集束イオンビーム５は試料６の任意な所定領域にて走査
照射することになる。試料６は、試料６をＸＹ方向に任
意に移動させるためのＸＹステージ７上に載置される。
面をもとに詳しく説明する。図１は、本発明の方法を実
行するための装置の概略断面図である。なお、図１に
は、集束イオンビーム照射系と試料等を真空内に配置す
る真空槽は省略してある。真空槽内の上部には、イオ
ン、特に液体金属イオンを垂直下方に発生するイオン源
１が備えられている。イオンの発生する軸を中心にし
て、イオンレンズ系を構成する集束レンズ２と対物レン
ズ３が、イオンをサブミクロン以下のスポット系を有す
る集束イオンビーム５に集束するために、配置されてい
る。また、集束イオンビーム５の軸を中心にして、集束
イオンビーム５の試料６への照射の停止するためのブラ
ンキング電極１２と、集束イオンビーム５を偏向走査さ
せるための走査電極４が設けられている。ブランキング
電極１２と走査電極４とを適当に制御することにより、
集束イオンビーム５は試料６の任意な所定領域にて走査
照射することになる。試料６は、試料６をＸＹ方向に任
意に移動させるためのＸＹステージ７上に載置される。
【００１３】試料６の集束イオンビーム５照射位置近傍
に、集束イオンビーム照射位置から発生する二次荷電粒
子としての二次イオン８を検出する二次荷電粒子検出器
９が配置されている。二次荷電粒子検出器９のアナログ
信号は、Ａ／Ｄ変換器１０によりデジタル信号に変換さ
れる。そのデジタル信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換器１０
に接続されている表示装置１１に、試料６の表面画像が
表示される。
に、集束イオンビーム照射位置から発生する二次荷電粒
子としての二次イオン８を検出する二次荷電粒子検出器
９が配置されている。二次荷電粒子検出器９のアナログ
信号は、Ａ／Ｄ変換器１０によりデジタル信号に変換さ
れる。そのデジタル信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換器１０
に接続されている表示装置１１に、試料６の表面画像が
表示される。
【００１４】更に、真空槽外にヨウ素３３を収納する収
納容器が備えられ、ヨウ素３３を蒸気化するためのヒー
タ２２が容器の外に設けられている。収納容器２３に
は、管３４が接続されており、その管３４は、真空槽の
壁を気密性を持って、真空槽内に導入されている。管３
４の先端には、集束イオンビーム５の試料照射位置に局
所的に収納容器にて発生したガス（ヨウ素３３蒸気）を
局所的に吹付けるためのノズル２５が取り付けられてい
る。管３４には、ガスの吹付けをオン・オフするための
バルブ２４が取り付けられている。なお、ノズル２５か
ら吹付けられるガスは、試料表面の集束イオンビームの
照射領域に局所的に吹付けるために備えられているが、
集束イオンビームの照射領域が非常に小さいこと、およ
び真空槽内は、真空であるため、実際は、かなり集束イ
オンビーム５の照射領域より広い範囲を吹付けることに
なる。つまり、集束イオンビーム５の照射領域に局所的
にガスを吹付ける手段として、ノズル２５を備えている
ものである。
納容器が備えられ、ヨウ素３３を蒸気化するためのヒー
タ２２が容器の外に設けられている。収納容器２３に
は、管３４が接続されており、その管３４は、真空槽の
壁を気密性を持って、真空槽内に導入されている。管３
４の先端には、集束イオンビーム５の試料照射位置に局
所的に収納容器にて発生したガス（ヨウ素３３蒸気）を
局所的に吹付けるためのノズル２５が取り付けられてい
る。管３４には、ガスの吹付けをオン・オフするための
バルブ２４が取り付けられている。なお、ノズル２５か
ら吹付けられるガスは、試料表面の集束イオンビームの
照射領域に局所的に吹付けるために備えられているが、
集束イオンビームの照射領域が非常に小さいこと、およ
び真空槽内は、真空であるため、実際は、かなり集束イ
オンビーム５の照射領域より広い範囲を吹付けることに
なる。つまり、集束イオンビーム５の照射領域に局所的
にガスを吹付ける手段として、ノズル２５を備えている
ものである。
【００１５】次に、本発明の方法を説明する。イオン源
１から発生したイオンをイオンレンズ系（集束レンズ２
と対物レンズ３）により集束イオンビーム５にする。そ
して、前記集束イオンビーム５を走査電極４およびブラ
ンキング電極１２により、ガラスよりなる基板３１表面
にパターン膜３０が形成されている試料６の表面の所定
領域に走査させながら照射する。集束イオンビーム５照
射により試料６表面から発生される二次荷電粒子である
二次イオン８を二次荷電粒子検出器９により検出する。
検出された二次イオン８の検出強度に基づいて前記パタ
ーン膜３０の画像を表示装置１１に表示する。このパタ
ーン膜３０の画像と所望のパターン形状との相違に基づ
いて、パターン膜８の除去領域を設定する。設定された
パターン膜３０の除去領域にヨウ素３３蒸気をノズル２
５から局所的に吹付けながら設定されたパターン膜３０
の除去領域に集束イオンビームを繰り返し走査させなが
ら照射する。ヨウ素３３蒸気は収納容器２３に固体状に
て保持され、ヒータ２２にてヨウ素３３を加熱すること
により、蒸気化し、そして管３４とバルブ２４を介し
て、ノズル２５からヨウ素３３蒸気が集束イオンビーム
照射領域に吹付けされる。この繰り返しの集束イオンビ
ームの走査照射とヨウ素３３蒸気吹付けにより、パター
ン膜３０の除去領域にあるパターン膜３０ａを除去し、
所望パターン形状のパターン膜３０を得る。この場合、
除去するパターン膜３０が試料６の広範囲に存在する時
は、各所にて、以上の操作を行い、全体的に所望形状の
パターン膜３０を得ることができる。
１から発生したイオンをイオンレンズ系（集束レンズ２
と対物レンズ３）により集束イオンビーム５にする。そ
して、前記集束イオンビーム５を走査電極４およびブラ
ンキング電極１２により、ガラスよりなる基板３１表面
にパターン膜３０が形成されている試料６の表面の所定
領域に走査させながら照射する。集束イオンビーム５照
射により試料６表面から発生される二次荷電粒子である
二次イオン８を二次荷電粒子検出器９により検出する。
検出された二次イオン８の検出強度に基づいて前記パタ
ーン膜３０の画像を表示装置１１に表示する。このパタ
ーン膜３０の画像と所望のパターン形状との相違に基づ
いて、パターン膜８の除去領域を設定する。設定された
パターン膜３０の除去領域にヨウ素３３蒸気をノズル２
５から局所的に吹付けながら設定されたパターン膜３０
の除去領域に集束イオンビームを繰り返し走査させなが
ら照射する。ヨウ素３３蒸気は収納容器２３に固体状に
て保持され、ヒータ２２にてヨウ素３３を加熱すること
により、蒸気化し、そして管３４とバルブ２４を介し
て、ノズル２５からヨウ素３３蒸気が集束イオンビーム
照射領域に吹付けされる。この繰り返しの集束イオンビ
ームの走査照射とヨウ素３３蒸気吹付けにより、パター
ン膜３０の除去領域にあるパターン膜３０ａを除去し、
所望パターン形状のパターン膜３０を得る。この場合、
除去するパターン膜３０が試料６の広範囲に存在する時
は、各所にて、以上の操作を行い、全体的に所望形状の
パターン膜３０を得ることができる。
【００１６】除去すべきパターン膜３０ａに繰り返し集
束イオンビーム５を走査照射する時に、ヨウ素３３蒸気
吹付けると、集束イオンビーム５の照射領域にヨウ素３
３が吸着される。この吸着により、図２に示した様に、
除去されたパターン膜３０ａのパターン膜３０エッジ部
分３０ｂに溝が形成されず、平坦にパターン膜３０ａが
除去される。この理由は不明であるが、ホトマスクとし
ての使用に充分である。
束イオンビーム５を走査照射する時に、ヨウ素３３蒸気
吹付けると、集束イオンビーム５の照射領域にヨウ素３
３が吸着される。この吸着により、図２に示した様に、
除去されたパターン膜３０ａのパターン膜３０エッジ部
分３０ｂに溝が形成されず、平坦にパターン膜３０ａが
除去される。この理由は不明であるが、ホトマスクとし
ての使用に充分である。
【００１７】更に、ヨウ素３３蒸気に水蒸気を混合し
て、され、集束イオンビーム照射領域に吹付けると、更
にパターン膜３０ａの除去されたガラス基板３１面を更
に平坦になる実験結果を得た。ヨウ素３３蒸気に水蒸気
を混合方法として、収納容器に、ヨウ素３３と一緒に水
を収納して、ヒータ２２にてそれらを加熱することによ
り得られる。
て、され、集束イオンビーム照射領域に吹付けると、更
にパターン膜３０ａの除去されたガラス基板３１面を更
に平坦になる実験結果を得た。ヨウ素３３蒸気に水蒸気
を混合方法として、収納容器に、ヨウ素３３と一緒に水
を収納して、ヒータ２２にてそれらを加熱することによ
り得られる。
【００１８】また、パターン膜３０のパターン形状を表
示装置に表示するために、試料６表面の所定領域にて集
束イオンビームを走査照射するときに、ヨウ素３３蒸気
をノズルからその領域に吹付けることにより、試料６表
面から発生する二次イオン８の検出量が多くなり、パタ
ーン膜３０のパターン形状の画像を鮮明に得ることがで
きる。これも理由は不明であるが、実質上有用な、非常
に鮮明な画像を得ることができる。従って、パターン膜
３０の除去領域を精度よく設定できるため、精度よい修
正が可能となる。
示装置に表示するために、試料６表面の所定領域にて集
束イオンビームを走査照射するときに、ヨウ素３３蒸気
をノズルからその領域に吹付けることにより、試料６表
面から発生する二次イオン８の検出量が多くなり、パタ
ーン膜３０のパターン形状の画像を鮮明に得ることがで
きる。これも理由は不明であるが、実質上有用な、非常
に鮮明な画像を得ることができる。従って、パターン膜
３０の除去領域を精度よく設定できるため、精度よい修
正が可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、パ
ターン膜を除去した跡の基板表面が平坦になり、後の露
光工程による光の散乱が少なくなり、ホトマスクの修正
が精度良く行える。また、二次イオン（荷電粒子）の検
出量が多くなるので、パターン膜のパターン形状が鮮明
に得られるため、修正領域の設定が精度良く行われる。
従って、ホトマスクの除去修正が精度良くできるもので
ある。
ターン膜を除去した跡の基板表面が平坦になり、後の露
光工程による光の散乱が少なくなり、ホトマスクの修正
が精度良く行える。また、二次イオン（荷電粒子）の検
出量が多くなるので、パターン膜のパターン形状が鮮明
に得られるため、修正領域の設定が精度良く行われる。
従って、ホトマスクの除去修正が精度良くできるもので
ある。
【図１】本発明を使った装置の概略断面図である。
【図２】本方法の説明するための試料部分断面図であ
る。
る。
１ イオン源 ２ 集束レンズ ３ 対物レンズ ４ 走査電極 ５ 集束イオンビーム ６ 試料 ７ ＸＹステージ ８ 二次イオン ９ 二次荷電粒子検出器 １０ Ａ／Ｄ変換器 １１ 表示装置 １２ ブランキング電極 ２２ ヒータ ２３ 収納容器 ２４ バルブ ２５ ノズル ３０ パターン膜 ３１ ガラス基板 ３４ 管
Claims (5)
- 【請求項１】 真空槽内において、イオン源から発生し
たイオンをイオンレンズ系により集束イオンビームと
し、前記集束イオンビームを走査電極により、基板表面
にパターン膜が形成されている試料の表面の所定領域に
走査させながら照射し、前記集束イオンビーム照射によ
り前記試料表面から発生される二次荷電粒子を検出し、
前記検出された二次荷電粒子の検出強度に基づいて前記
パターン膜の画像を表示し、前記パターン膜の画像と所
望の形状との相違に基づいて、前記パターン膜の除去領
域を設定し、前記設定されたパターン膜の除去領域にヨ
ウ素蒸気をノズルから局所的に吹付けながら前記設定さ
れたパターン膜の除去領域に前記集束イオンビームを繰
り返し走査させながら照射し、前記パターン膜の除去領
域にあるパターン膜を除去するパターン膜修正方法。 - 【請求項２】 真空槽内において、イオン源から発生し
たイオンをイオンレンズ系により集束イオンビームと
し、前記集束イオンビームを走査電極により、基板表面
にパターン膜が形成されている試料の表面の所定領域に
走査照射しながら前記所定領域にヨウ素蒸気をノズルか
ら局所的に吹付け、前記集束イオンビーム照射により前
記試料表面から発生される二次荷電粒子を検出し、前記
検出された二次荷電粒子の検出強度に基づいて前記パタ
ーン膜の画像を表示し、前記パターン膜の画像と所望の
形状との相違に基づいて、前記パターン膜の除去領域を
設定し、前記設定されたパターン膜の除去領域に前記集
束イオンビームを繰り返し走査させながら照射し、前記
パターン膜の除去領域にあるパターン膜を除去するパタ
ーン膜修正方法。 - 【請求項３】 真空槽内において、イオン源から発生し
たイオンをイオンレンズ系により集束イオンビームと
し、前記集束イオンビームを走査電極により、基板表面
にパターン膜が形成されている試料の表面の所定領域に
走査照射しながら前記所定領域にヨウ素蒸気をノズルか
ら局所的に吹付け、前記集束イオンビーム照射により前
記試料表面から発生される二次荷電粒子を検出し、前記
検出された二次荷電粒子の検出強度に基づいて前記パタ
ーン膜の画像を表示し、前記パターン膜の画像と所望の
形状との相違に基づいて、前記パターン膜の除去領域を
設定し、前記ノズルより前記ヨウ素蒸気を局所的に吹付
けると同時に前記設定されたパターン膜の除去領域に前
記集束イオンビームを繰り返し走査させながら照射し、
前記パターン膜の除去領域にあるパターン膜を除去する
パターン膜修正方法。 - 【請求項４】 イオンを発生するイオン銃と、前記イオ
ンを集束イオンビームにするイオンレンズ系と、前記集
束イオンビームを試料表面の所定領域に偏向走査させる
走査電極と、前記集束イオンビームの試料照射により試
料表面から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒
子検出器と、前記二次荷電粒子信号に基づいて試料表面
に形成されたパターン膜を画像表示する表示装置と、前
記試料の前記集束イオンビーム照射領域にヨウ素ガスを
吹付けるためのノズルと、前記画像表示のパターン膜の
画像と前記パターン膜の所望パターン形状の違いに基づ
いて、前記集束イオンビームの走査照射領域を設定する
走査領域設定手段よりなるパターン膜修正装置。 - 【請求項５】 真空槽内において、イオン源から発生し
たイオンをイオンレンズ系により集束イオンビームと
し、前記集束イオンビームを走査電極により、基板表面
にパターン膜が形成されている試料の表面の所定領域に
走査させながら照射し、前記集束イオンビーム照射によ
り前記試料表面から発生される二次荷電粒子を検出し、
前記検出された二次荷電粒子の検出強度に基づいて前記
パターン膜の画像を表示し、前記パターン膜の画像と所
望の形状との相違に基づいて、前記パターン膜の除去領
域を設定し、前記設定されたパターン膜の除去領域に水
蒸気を含んだヨウ素蒸気をノズルから局所的に吹付けな
がら前記設定されたパターン膜の除去領域に前記集束イ
オンビームを繰り返し走査させながら照射し、前記パタ
ーン膜の除去領域にあるパターン膜を除去するパターン
膜修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12926094A JP3051909B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | パターン膜修正方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12926094A JP3051909B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | パターン膜修正方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333828A true JPH07333828A (ja) | 1995-12-22 |
| JP3051909B2 JP3051909B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=15005175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12926094A Expired - Lifetime JP3051909B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | パターン膜修正方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3051909B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042738A (en) * | 1997-04-16 | 2000-03-28 | Micrion Corporation | Pattern film repair using a focused particle beam system |
| US6335129B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing pattern defect, photo mask using the method, and semiconductor device manufacturing method employing the photo mask |
| KR20210009346A (ko) * | 2018-06-22 | 2021-01-26 | 주식회사 히타치하이테크 | 이온 밀링 장치 |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12926094A patent/JP3051909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042738A (en) * | 1997-04-16 | 2000-03-28 | Micrion Corporation | Pattern film repair using a focused particle beam system |
| US6335129B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing pattern defect, photo mask using the method, and semiconductor device manufacturing method employing the photo mask |
| KR20210009346A (ko) * | 2018-06-22 | 2021-01-26 | 주식회사 히타치하이테크 | 이온 밀링 장치 |
| CN112313770A (zh) * | 2018-06-22 | 2021-02-02 | 株式会社日立高新技术 | 离子铣削装置 |
| US11894213B2 (en) | 2018-06-22 | 2024-02-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Ion milling device |
| CN112313770B (zh) * | 2018-06-22 | 2024-03-15 | 株式会社日立高新技术 | 离子铣削装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3051909B2 (ja) | 2000-06-12 |
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