JPH07321469A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH07321469A JPH07321469A JP6114988A JP11498894A JPH07321469A JP H07321469 A JPH07321469 A JP H07321469A JP 6114988 A JP6114988 A JP 6114988A JP 11498894 A JP11498894 A JP 11498894A JP H07321469 A JPH07321469 A JP H07321469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- layer
- wiring
- thermoplastic resin
- thermosetting resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機絶縁材料を層間絶縁層とする多層配線基
板の製造方法に関し、新しい製造方法の実用化を目的と
する。 【構成】 配線層１を形成してある基板２上に、所定の
厚さに熱可塑性樹脂を層形成した後、該熱可塑性樹脂層
３上に熱硬化性樹脂層４を仮接着し、ビア形成位置は前
記配線層１に達するまで、また、配線形成位置は前記熱
可塑性樹脂層３に部分的に食い込む深さまでレーザアブ
レーション加工を行なってビア穴と配線溝６を形成し、
該熱硬化性樹脂層４上に配線層形成金属の層形成を行っ
た後、該熱硬化性樹脂層４を剥離することを特徴として
多層配線基板の製造方法を構成する。
板の製造方法に関し、新しい製造方法の実用化を目的と
する。 【構成】 配線層１を形成してある基板２上に、所定の
厚さに熱可塑性樹脂を層形成した後、該熱可塑性樹脂層
３上に熱硬化性樹脂層４を仮接着し、ビア形成位置は前
記配線層１に達するまで、また、配線形成位置は前記熱
可塑性樹脂層３に部分的に食い込む深さまでレーザアブ
レーション加工を行なってビア穴と配線溝６を形成し、
該熱硬化性樹脂層４上に配線層形成金属の層形成を行っ
た後、該熱硬化性樹脂層４を剥離することを特徴として
多層配線基板の製造方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は層間絶縁層に有機絶縁材
料を使用した薄膜多層配線基板の新しい製造方法に関す
る。
料を使用した薄膜多層配線基板の新しい製造方法に関す
る。
【０００２】大量の情報を迅速に処理する必要から、情
報処理装置の主体を構成する半導体装置は電極パターン
や配線の微細化によるトランジスタの小型化により、半
導体集積回路は集積度が向上してＬＳＩやＶＬＳＩが実
用化されており、更にＵＬＳＩが実用化されつゝある。
報処理装置の主体を構成する半導体装置は電極パターン
や配線の微細化によるトランジスタの小型化により、半
導体集積回路は集積度が向上してＬＳＩやＶＬＳＩが実
用化されており、更にＵＬＳＩが実用化されつゝある。
【０００３】一方、半導体装置の集積度の向上に対応し
て装着方法も進歩し、フリップチップタイプのように半
導体チップを配線基板に搭載する形態が取られるように
なった。
て装着方法も進歩し、フリップチップタイプのように半
導体チップを配線基板に搭載する形態が取られるように
なった。
【０００４】こゝで、多数の半導体チップを搭載する配
線基板は半導体チップの端子数が膨大であることから、
必然的に多層化が必要であり、一方、電気信号の搬送周
波数が高いことから、配線間の漏話（クロストーク）の
少ない構成が必要で、現在開発が進められているマルチ
チップ・モジール（ＭＣＭ）はこれに適応した実装形態
である。
線基板は半導体チップの端子数が膨大であることから、
必然的に多層化が必要であり、一方、電気信号の搬送周
波数が高いことから、配線間の漏話（クロストーク）の
少ない構成が必要で、現在開発が進められているマルチ
チップ・モジール（ＭＣＭ）はこれに適応した実装形態
である。
【０００５】本発明はこのＭＣＭに使用できる新しい薄
膜多層配線基板の製造方法に関するものである。
膜多層配線基板の製造方法に関するものである。
【０００６】
【従来の技術】現在、実用化が進められているＭＣＭ用
基板にはセラミックスを用いるものと、シリコン（Si）
基板（ウエハ）を用いるものなど各種のものがあるが、
何れも薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグラフ
ィ）を用いて多層配線基板が作られている。
基板にはセラミックスを用いるものと、シリコン（Si）
基板（ウエハ）を用いるものなど各種のものがあるが、
何れも薄膜形成技術と写真蝕刻技術（ホトリソグラフ
ィ）を用いて多層配線基板が作られている。
【０００７】こゝで、層間絶縁層の構成材料として二酸
化シリコン（SiO2），窒化シリコン（Si3N4) のような
無機絶縁材料を用いるものと、ポリイミドのような有機
絶縁材料を用いるものがある。
化シリコン（SiO2），窒化シリコン（Si3N4) のような
無機絶縁材料を用いるものと、ポリイミドのような有機
絶縁材料を用いるものがある。
【０００８】いま、Si基板上に形成する場合について説
明すると、Si基板（ウエハ）を大気中で高温加熱してSi
O2よりなる絶縁層を形成した後、スパッタ法や真空蒸着
法などの薄膜形成技術を用いて銅(Cu)などの配線層形成
材料を所定の厚さに膜形成し、次に、ホトレジストを使
用する写真蝕刻技術を用いて選択エッチングを行い、第
１層目の配線層を形成し、次で、この上にスパッタ法や
気相成長法（ＣＶＤ法）を用いてSiO2やSi3N4 を必要な
厚さに形成して第１層目の絶縁層を形成する。
明すると、Si基板（ウエハ）を大気中で高温加熱してSi
O2よりなる絶縁層を形成した後、スパッタ法や真空蒸着
法などの薄膜形成技術を用いて銅(Cu)などの配線層形成
材料を所定の厚さに膜形成し、次に、ホトレジストを使
用する写真蝕刻技術を用いて選択エッチングを行い、第
１層目の配線層を形成し、次で、この上にスパッタ法や
気相成長法（ＣＶＤ法）を用いてSiO2やSi3N4 を必要な
厚さに形成して第１層目の絶縁層を形成する。
【０００９】次に、写真蝕刻技術を用いて、ビア（Via)
形成位置を穴開けした後、この上に薄膜形成技術を用い
て配線層形成材料を所定の厚さに膜形成した後、写真蝕
刻技術を用いて選択エッチングを行い、第２層目の配線
層とビアを形成し、この工程を繰り返すことにより多層
配線基板が作られている。
形成位置を穴開けした後、この上に薄膜形成技術を用い
て配線層形成材料を所定の厚さに膜形成した後、写真蝕
刻技術を用いて選択エッチングを行い、第２層目の配線
層とビアを形成し、この工程を繰り返すことにより多層
配線基板が作られている。
【００１０】一方、層間絶縁層として有機絶縁材料、例
えばポリイミドを使用する場合はN-メチルピドリドンな
どの溶剤を用いて粘度調整をしたポリアミック酸を第１
層目の配線層が形成してあるSi基板上にスピンコート
し、溶剤乾燥を行なった後、加熱してポリイミドよりな
る第１層目の絶縁層を形成し、以下、先と同様にしてビ
ア形成位置を穴開けした後、薄膜形成技術と写真蝕刻技
術を用いて第２層目の配線層とビアを形成し、この工程
を繰り返すことにより多層配線基板が作られている。
えばポリイミドを使用する場合はN-メチルピドリドンな
どの溶剤を用いて粘度調整をしたポリアミック酸を第１
層目の配線層が形成してあるSi基板上にスピンコート
し、溶剤乾燥を行なった後、加熱してポリイミドよりな
る第１層目の絶縁層を形成し、以下、先と同様にしてビ
ア形成位置を穴開けした後、薄膜形成技術と写真蝕刻技
術を用いて第２層目の配線層とビアを形成し、この工程
を繰り返すことにより多層配線基板が作られている。
【００１１】なお、ポリアミック酸を用いる代わりに、
そのもの自体に感光性をもたせた感光性ポリイミド前駆
体ワニスも実用化され、使用されている。こゝで、層間
絶縁層として無機絶縁材料と有機絶縁材料を使用するも
のを比較すると、耐熱性の点では無機絶縁材料が有利で
あり、また、平坦性や作業性の点では有機絶縁材料が有
利である。
そのもの自体に感光性をもたせた感光性ポリイミド前駆
体ワニスも実用化され、使用されている。こゝで、層間
絶縁層として無機絶縁材料と有機絶縁材料を使用するも
のを比較すると、耐熱性の点では無機絶縁材料が有利で
あり、また、平坦性や作業性の点では有機絶縁材料が有
利である。
【００１２】一方、電気的特性の面では絶縁層を挟んで
信号の漏話が少なく、また、信号の遅延が少ないことが
必要で、そのためには絶縁材料の誘電率はできるだけ小
さなことが必要であり、この点ポリイミドの誘電率εは
3.5 程度であり、無機絶縁材料の中ではもっとも小さな
SiO2の誘電率（3.8 ）よりも小さいので注目されてお
り、更に小さな誘電率を示す有機絶縁材料の使用が求め
られている。
信号の漏話が少なく、また、信号の遅延が少ないことが
必要で、そのためには絶縁材料の誘電率はできるだけ小
さなことが必要であり、この点ポリイミドの誘電率εは
3.5 程度であり、無機絶縁材料の中ではもっとも小さな
SiO2の誘電率（3.8 ）よりも小さいので注目されてお
り、更に小さな誘電率を示す有機絶縁材料の使用が求め
られている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ＭＣＭ用基板のように
半導体チップを搭載する多層配線基板は、これに搭載す
る半導体集積回路の高速化を実現するために信号の遅延
を極力抑制することが必要であるが、信号の遅延時間τ
は次式で示すように誘電率の平方根に比例すると云う関
係がある。
半導体チップを搭載する多層配線基板は、これに搭載す
る半導体集積回路の高速化を実現するために信号の遅延
を極力抑制することが必要であるが、信号の遅延時間τ
は次式で示すように誘電率の平方根に比例すると云う関
係がある。
【００１４】 τ≒3.33ε1/2 （ns/m) ・・・・・・・・・・（１） そのため、低誘電率の有機絶縁材料の実用化研究が進め
られている。然し、層間絶縁層形成材料として、次に示
す必要条件を総て満たす材料は少ない。 応力が小さいこと、 吸水率が小さいこと、 配線層との接着性の良いこと、 引張り破断強度や引張り破断伸びなどの機械的強度
が優れていること、 耐溶剤性が優れていること、 例えば、オレフィン（Olefin) 樹脂は誘電率εが2.3 と
小さい樹脂であり、, , の特性は優れるものゝ、
, ，の特性は劣り、配線形成工程中にクラックが生
じ易い。また、耐溶剤性が劣るためにレジストと溶剤を
用いてパターン形成を行なう写真蝕刻技術が使用できな
いと云う問題がある。
られている。然し、層間絶縁層形成材料として、次に示
す必要条件を総て満たす材料は少ない。 応力が小さいこと、 吸水率が小さいこと、 配線層との接着性の良いこと、 引張り破断強度や引張り破断伸びなどの機械的強度
が優れていること、 耐溶剤性が優れていること、 例えば、オレフィン（Olefin) 樹脂は誘電率εが2.3 と
小さい樹脂であり、, , の特性は優れるものゝ、
, ，の特性は劣り、配線形成工程中にクラックが生
じ易い。また、耐溶剤性が劣るためにレジストと溶剤を
用いてパターン形成を行なう写真蝕刻技術が使用できな
いと云う問題がある。
【００１５】そこで、機械的強度が弱く、耐溶剤性が劣
る有機絶縁材料を層間絶縁層として使用できる技術、す
なわち、層間絶縁層の上に配線パターンを形成する技術
とビア（Via)を形成する技術の開発が課題である。
る有機絶縁材料を層間絶縁層として使用できる技術、す
なわち、層間絶縁層の上に配線パターンを形成する技術
とビア（Via)を形成する技術の開発が課題である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は配線層を形
成してある基板上に、所定の厚さに熱可塑性樹脂層を形
成した後、この熱可塑性樹脂層上に熱硬化性樹脂層を仮
接着し、ビア形成位置は配線層に達するまで、また、配
線形成位置は熱可塑性樹脂に部分的に食い込む深さまで
レーザアブレーション加工を行なってビア穴と配線溝を
形成し、熱硬化性樹脂層上に配線層形成金属の膜形成を
行った後、熱硬化性樹脂層を剥離することをを特徴とし
て多層配線基板を構成することにより解決することがで
きる。
成してある基板上に、所定の厚さに熱可塑性樹脂層を形
成した後、この熱可塑性樹脂層上に熱硬化性樹脂層を仮
接着し、ビア形成位置は配線層に達するまで、また、配
線形成位置は熱可塑性樹脂に部分的に食い込む深さまで
レーザアブレーション加工を行なってビア穴と配線溝を
形成し、熱硬化性樹脂層上に配線層形成金属の膜形成を
行った後、熱硬化性樹脂層を剥離することをを特徴とし
て多層配線基板を構成することにより解決することがで
きる。
【００１７】
【作用】層間絶縁層の形成材料として有機絶縁材料を使
用すると、平坦化性に優れ、また、低誘電率の材料が使
用できることから、有利であるが、耐溶剤性に劣ると云
う共通した欠点がある。
用すると、平坦化性に優れ、また、低誘電率の材料が使
用できることから、有利であるが、耐溶剤性に劣ると云
う共通した欠点がある。
【００１８】一方、無機絶縁材料を使用する場合もビア
や配線パターンの形成などの工程には薄膜形成技術と写
真蝕刻技術が使用されているが、例えば、スパッタで膜
形成を行なう場合、金属膜の形成によりレジストは少な
くとも150 ℃以上にまで加熱されるが、現状のレジスト
で150 ℃以上の耐熱性を有するものは少なく、スパッタ
した後にレジストが取れ難くなると云う問題がある。
や配線パターンの形成などの工程には薄膜形成技術と写
真蝕刻技術が使用されているが、例えば、スパッタで膜
形成を行なう場合、金属膜の形成によりレジストは少な
くとも150 ℃以上にまで加熱されるが、現状のレジスト
で150 ℃以上の耐熱性を有するものは少なく、スパッタ
した後にレジストが取れ難くなると云う問題がある。
【００１９】これらのことから、レジストや溶剤を使用
しない新しいパターン形成技術が求められている。そこ
で、本発明は次のような樹脂の特性を利用する。 熱可塑性樹脂は軟化点より50〜100 ℃高い温度で10
kg/cm2以上の圧力を加えて被処理基板に接着すると、ミ
クロな凹凸に樹脂が入り込み充分な接着強度が得られて
本接着が行なわれるものゝ、軟化点より20〜30℃高い温
度で接着する場合は接着強度は弱く、容易に剥離する仮
接着が行なわれると云う性質がある。 金属箔は熱硬化性樹脂層よりも熱可塑性樹脂層に対
して接着性が高い。
しない新しいパターン形成技術が求められている。そこ
で、本発明は次のような樹脂の特性を利用する。 熱可塑性樹脂は軟化点より50〜100 ℃高い温度で10
kg/cm2以上の圧力を加えて被処理基板に接着すると、ミ
クロな凹凸に樹脂が入り込み充分な接着強度が得られて
本接着が行なわれるものゝ、軟化点より20〜30℃高い温
度で接着する場合は接着強度は弱く、容易に剥離する仮
接着が行なわれると云う性質がある。 金属箔は熱硬化性樹脂層よりも熱可塑性樹脂層に対
して接着性が高い。
【００２０】そこで、層間絶縁層を熱可塑性樹脂或いは
熱硬化性樹脂を用いて次のように形成する。なお、理解
の便のため、同一の材料については同一の番号を付し
た。 （１）熱可塑性樹脂を用いて形成する場合：（図１参
照） 配線層１が形成してある基板２の上に低誘電率の熱可塑
性樹脂層３を形成して平坦化した後、（以上図１Ａ）、
熱硬化性樹脂層４を仮接着し、（以上同図Ｂ）、この状
態でエキシマレーザ５を選択照射して熱硬化性樹脂層４
を通り、部分的に熱可塑性樹脂層３に達するまでレーザ
アブレーション加工を施して配線溝６を作る。（以上同
図Ｃ） 次に、この熱硬化性樹脂層４上に薄膜形成技術により金
属層７を形成する。（以上同図Ｄ）、次に、熱硬化性樹
脂層４を剥離することにより熱可塑性樹脂層３の上に配
線層８を得るものである。（以上同図Ｅ） （２）熱硬化性樹脂を用いて形成する場合：（図２参
照） 配線層１が形成してある基板２の上に低誘電率の熱硬化
性樹脂層４を形成して平坦化した後、（以上図２Ａ）、
この上に熱可塑性樹脂層３を仮接着する。（以上同図
Ｂ）、次に、この状態でエキシマレーザ５を選択照射し
て熱可塑性樹脂層３を熱硬化性樹脂層４に達するまでレ
ーザアブレーション加工を施して配線溝６を作る。（以
上同図Ｃ） 次に、この熱可塑性樹脂層３上に薄膜形成技術により金
属層７を形成する。（以上同図Ｄ）、次に、熱可塑性樹
脂層３を剥離することにより熱硬化性樹脂層４の上に配
線層８を得る。（以上同図Ｅ） （３）熱可塑性樹脂を用いて形成する場合：（図３参
照） 基板２の上に熱可塑性樹脂層３を形成し、（以上図３
Ａ）、一方、基板と同じ大きさの熱硬化性樹脂層４の上
に配線層８をパターン形成しておく。（以上同図Ｂ）、
次に、同図（Ａ）に示す熱可塑性樹脂層３に同図（Ｂ）
に示す配線層８を正確に位置合わせして当接した後、基
板２を熱可塑性樹脂の軟化温度よりも少なくとも50℃以
上高い温度まで加熱しながら加圧し、( 以上同図Ｃ）、
配線層８を熱可塑性樹脂層３に転写する。（以上同図
Ｄ） このように（１）〜（３）のドライプロセスをとること
により多層配線基板を作ることができる。
熱硬化性樹脂を用いて次のように形成する。なお、理解
の便のため、同一の材料については同一の番号を付し
た。 （１）熱可塑性樹脂を用いて形成する場合：（図１参
照） 配線層１が形成してある基板２の上に低誘電率の熱可塑
性樹脂層３を形成して平坦化した後、（以上図１Ａ）、
熱硬化性樹脂層４を仮接着し、（以上同図Ｂ）、この状
態でエキシマレーザ５を選択照射して熱硬化性樹脂層４
を通り、部分的に熱可塑性樹脂層３に達するまでレーザ
アブレーション加工を施して配線溝６を作る。（以上同
図Ｃ） 次に、この熱硬化性樹脂層４上に薄膜形成技術により金
属層７を形成する。（以上同図Ｄ）、次に、熱硬化性樹
脂層４を剥離することにより熱可塑性樹脂層３の上に配
線層８を得るものである。（以上同図Ｅ） （２）熱硬化性樹脂を用いて形成する場合：（図２参
照） 配線層１が形成してある基板２の上に低誘電率の熱硬化
性樹脂層４を形成して平坦化した後、（以上図２Ａ）、
この上に熱可塑性樹脂層３を仮接着する。（以上同図
Ｂ）、次に、この状態でエキシマレーザ５を選択照射し
て熱可塑性樹脂層３を熱硬化性樹脂層４に達するまでレ
ーザアブレーション加工を施して配線溝６を作る。（以
上同図Ｃ） 次に、この熱可塑性樹脂層３上に薄膜形成技術により金
属層７を形成する。（以上同図Ｄ）、次に、熱可塑性樹
脂層３を剥離することにより熱硬化性樹脂層４の上に配
線層８を得る。（以上同図Ｅ） （３）熱可塑性樹脂を用いて形成する場合：（図３参
照） 基板２の上に熱可塑性樹脂層３を形成し、（以上図３
Ａ）、一方、基板と同じ大きさの熱硬化性樹脂層４の上
に配線層８をパターン形成しておく。（以上同図Ｂ）、
次に、同図（Ａ）に示す熱可塑性樹脂層３に同図（Ｂ）
に示す配線層８を正確に位置合わせして当接した後、基
板２を熱可塑性樹脂の軟化温度よりも少なくとも50℃以
上高い温度まで加熱しながら加圧し、( 以上同図Ｃ）、
配線層８を熱可塑性樹脂層３に転写する。（以上同図
Ｄ） このように（１）〜（３）のドライプロセスをとること
により多層配線基板を作ることができる。
【００２１】
実施例１：（請求項１、図１関連） 基板２としては径３インチのSiウエハを用い、この上に
Cuを４μm の厚さにスパッタした後、写真蝕刻技術を用
いて配線層１をパターン形成した。
Cuを４μm の厚さにスパッタした後、写真蝕刻技術を用
いて配線層１をパターン形成した。
【００２２】次に、この基板２の上にワニス状をした熱
可塑性樹脂オレフィンをスピンコート法により成膜後の
厚さが10μm となるように塗布し、90℃でプレベークし
た後、300 ℃で熱処理して硬化させて熱可塑性樹脂層３
を形成した。
可塑性樹脂オレフィンをスピンコート法により成膜後の
厚さが10μm となるように塗布し、90℃でプレベークし
た後、300 ℃で熱処理して硬化させて熱可塑性樹脂層３
を形成した。
【００２３】次に、熱硬化性樹脂層４として厚さが7.5
μm のカプトンフィルム( ポリイミド) を用い、200
℃，５kgf/cm2 の条件で３分間熱圧着して両者を仮接合
した。次に、KrF ガスを使用するエキシマレーザを用
い、誘電体ミラーマスクを用いてアブレーション加工を
行い、配線層１に達する開孔径25μm のスルーホールを
形成し、次に、別の誘電体ミラーマスクを用いてアブレ
ーション加工を行い、熱可塑性樹脂( オレフィン樹脂）
層３に1.5 μm 食い込む深さ（表面より９μm の深さ）
に幅15μm の配線溝６を形成した。
μm のカプトンフィルム( ポリイミド) を用い、200
℃，５kgf/cm2 の条件で３分間熱圧着して両者を仮接合
した。次に、KrF ガスを使用するエキシマレーザを用
い、誘電体ミラーマスクを用いてアブレーション加工を
行い、配線層１に達する開孔径25μm のスルーホールを
形成し、次に、別の誘電体ミラーマスクを用いてアブレ
ーション加工を行い、熱可塑性樹脂( オレフィン樹脂）
層３に1.5 μm 食い込む深さ（表面より９μm の深さ）
に幅15μm の配線溝６を形成した。
【００２４】次に、この熱硬化性樹脂層（カプトンフィ
ルム）４の上にスパッタ法を用いてCuを４μm の厚さに
形成して金属層７を作り、次に、この熱硬化性樹脂層４
を剥離することにより熱可塑性樹脂層（オレフィン樹
脂）３の上に厚さが４μm で線幅15μm の配線層８と熱
可塑性樹脂層３に開孔径25μm のビアを形成することが
できた。 実施例２：（請求項２、図２関連） 基板２としては径３インチのSiウエハを用い、この上に
Cuを４μm の厚さにスパッタした後、写真蝕刻技術を用
いて配線層１をパターン形成した。
ルム）４の上にスパッタ法を用いてCuを４μm の厚さに
形成して金属層７を作り、次に、この熱硬化性樹脂層４
を剥離することにより熱可塑性樹脂層（オレフィン樹
脂）３の上に厚さが４μm で線幅15μm の配線層８と熱
可塑性樹脂層３に開孔径25μm のビアを形成することが
できた。 実施例２：（請求項２、図２関連） 基板２としては径３インチのSiウエハを用い、この上に
Cuを４μm の厚さにスパッタした後、写真蝕刻技術を用
いて配線層１をパターン形成した。
【００２５】次に、この基板２の上にN-メチルピロリド
ンで粘度調節したポリアミック酸をスピンコート法によ
り成膜後の厚さが20μm となるように塗布し、90℃でプ
レベークした後、400 ℃で熱処理して硬化させて熱硬化
性樹脂層４を形成した。
ンで粘度調節したポリアミック酸をスピンコート法によ
り成膜後の厚さが20μm となるように塗布し、90℃でプ
レベークした後、400 ℃で熱処理して硬化させて熱硬化
性樹脂層４を形成した。
【００２６】次に、熱可塑性樹脂層３として厚さが7.5
μm の熱可塑性ポリイミドフィルムを用い、270 ℃，５
kgf/cm2 の条件で３分間熱圧着して両者を仮接合した。
次に、KrF ガスを使用するエキシマレーザを用い、誘電
体ミラーマスクを用いてアブレーション加工を行い、配
線層１に達する開孔径25μm のスルーホールを形成し、
次に、別の誘電体ミラーマスクを用いてアブレーション
加工を行い、熱硬化性樹脂（ポリイミド）層４に1.5 μ
m 食い込む深さ（表面より９μm の深さ）に幅15μm の
配線溝６を形成した。
μm の熱可塑性ポリイミドフィルムを用い、270 ℃，５
kgf/cm2 の条件で３分間熱圧着して両者を仮接合した。
次に、KrF ガスを使用するエキシマレーザを用い、誘電
体ミラーマスクを用いてアブレーション加工を行い、配
線層１に達する開孔径25μm のスルーホールを形成し、
次に、別の誘電体ミラーマスクを用いてアブレーション
加工を行い、熱硬化性樹脂（ポリイミド）層４に1.5 μ
m 食い込む深さ（表面より９μm の深さ）に幅15μm の
配線溝６を形成した。
【００２７】次に、この熱可塑性樹脂層（ポリイミドフ
ィルム）３の上にスパッタ法を用いてCuを５μm の厚さ
に形成して金属層７を作り、次に、この熱可塑性樹脂層
３を剥離することにより熱硬化性樹脂層（ポリイミド樹
脂）４の上に厚さが５μm で線幅15μm の配線層８と、
熱硬化性樹脂層４に開孔径25μm のビアを形成すること
ができた。 実施例３：（請求項３、図３関連） 基板２としては径３インチのSiウエハを用い、この上に
ワニス状をした熱可塑性樹脂オレフィンをスピンコート
法により成膜後の厚さが10μm となるように塗布し、90
℃でプレベークした後、300 ℃で熱処理して硬化させて
熱可塑性樹脂層３を形成した。
ィルム）３の上にスパッタ法を用いてCuを５μm の厚さ
に形成して金属層７を作り、次に、この熱可塑性樹脂層
３を剥離することにより熱硬化性樹脂層（ポリイミド樹
脂）４の上に厚さが５μm で線幅15μm の配線層８と、
熱硬化性樹脂層４に開孔径25μm のビアを形成すること
ができた。 実施例３：（請求項３、図３関連） 基板２としては径３インチのSiウエハを用い、この上に
ワニス状をした熱可塑性樹脂オレフィンをスピンコート
法により成膜後の厚さが10μm となるように塗布し、90
℃でプレベークした後、300 ℃で熱処理して硬化させて
熱可塑性樹脂層３を形成した。
【００２８】次に、熱硬化性樹脂層４として厚さが7.5
μm のカプトンフィルム( ポリイミド) を用い、この上
に薄膜形成技術と写真蝕刻技術を用いて厚さが５μm で
線幅が15μm の配線層８を別途形成した。
μm のカプトンフィルム( ポリイミド) を用い、この上
に薄膜形成技術と写真蝕刻技術を用いて厚さが５μm で
線幅が15μm の配線層８を別途形成した。
【００２９】そして、この配線層８を設けた熱硬化性樹
脂層４を正確に基板２に位置合わせした後、200 ℃，５
kgf/cm2 の条件で３分間熱圧着し、熱硬化性樹脂層（カ
プトンフィルム）４を剥離したところ、配線層８は完全
に転写することができた。
脂層４を正確に基板２に位置合わせした後、200 ℃，５
kgf/cm2 の条件で３分間熱圧着し、熱硬化性樹脂層（カ
プトンフィルム）４を剥離したところ、配線層８は完全
に転写することができた。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、機械的強度が弱く、耐
溶剤性に劣る有機絶縁材料に対し、レジストや溶剤を使
用することなく配線パターンの形成やビアの形成を行な
うことができ、これにより低誘電率の有機絶縁材料を層
間絶縁層とする多層配線基板の形成が可能となる。
溶剤性に劣る有機絶縁材料に対し、レジストや溶剤を使
用することなく配線パターンの形成やビアの形成を行な
うことができ、これにより低誘電率の有機絶縁材料を層
間絶縁層とする多層配線基板の形成が可能となる。
【図１】 本発明に係る多層配線基板の製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明に係る多層配線基板の別の製造工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】 本発明に係る配線基板の製造工程を示す断面
図である。
図である。
１ 配線層 ２ 基板 ３ 熱可塑性樹脂層 ４ 熱硬化性樹脂層 ５ エキシマレーザ ６ 配線溝 ７ 金属層 ８ 配線層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/12
Claims (3)
- 【請求項１】 配線層（１）を形成してある基板（２）
上に、所定の厚さに熱可塑性樹脂を層形成した後、該熱
可塑性樹脂層（３）上に熱硬化性樹脂層（４）を仮接着
し、 ビア形成位置は前記配線層（１）に達するまで、また、
配線形成位置は前記熱可塑性樹脂層（３）に部分的に食
い込む深さまでレーザアブレーション加工を行なってビ
ア穴と配線溝（６）を形成し、 該熱硬化性樹脂層（４）上に配線を形成する金属層
（７）の形成を行った後、該熱硬化性樹脂層（４）を剥
離することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 配線層（１）を形成してある基板（２）
上に、所定の厚さに熱硬化性樹脂を層形成した後、該熱
硬化性樹脂層（４）上に熱可塑性樹脂層（３）を仮接着
し、 ビア形成位置は前記配線層（１）に達するまで、また、
配線形成位置は前記熱硬化性樹脂層（４）に部分的に食
い込む深さまでレーザアブレーション加工を行なってビ
ア穴と配線溝（６）を形成し、 該熱可塑性樹脂層（３）上に配線を形成する金属層
（７）の形成を行った後、該熱可塑性樹脂層（３）を剥
離することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 熱可塑性樹脂層（３）が形成してある基
板（２）上に、予め配線層（８）をパターン形成してあ
る熱硬化性樹脂層（４）を熱圧着し、該熱硬化性樹脂層
（４）上の配線層（８）を転写することを特徴とする多
層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114988A JPH07321469A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6114988A JPH07321469A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321469A true JPH07321469A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14651560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6114988A Withdrawn JPH07321469A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321469A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
-
1994
- 1994-05-27 JP JP6114988A patent/JPH07321469A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6921675B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-07-26 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US7233030B2 (en) | 2001-02-01 | 2007-06-19 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960013632B1 (ko) | 다중칩 집적회로 패키징 구성 및 방법 | |
| US5480839A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| US5108825A (en) | Epoxy/polyimide copolymer blend dielectric and layered circuits incorporating it | |
| US4918811A (en) | Multichip integrated circuit packaging method | |
| US4920639A (en) | Method of making a multilevel electrical airbridge interconnect | |
| US4709468A (en) | Method for producing an integrated circuit product having a polyimide film interconnection structure | |
| US5161093A (en) | Multiple lamination high density interconnect process and structure employing a variable crosslinking adhesive | |
| US5485038A (en) | Microelectronic circuit substrate structure including photoimageable epoxy dielectric layers | |
| KR100347656B1 (ko) | 3차원회로를형성하기위한방법 | |
| US4890157A (en) | Integrated circuit product having a polyimide film interconnection structure | |
| JPH0148655B2 (ja) | ||
| JPS6130059A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20110217814A1 (en) | Method for singulating electronic components from a substrate | |
| US8327532B2 (en) | Method for releasing a microelectronic assembly from a carrier substrate | |
| JPH0818227A (ja) | マルチチップ・モジュールの製造方法 | |
| JPH0513960A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| US20040074865A1 (en) | Hybrid interconnect substrate and method of manufacture thereof | |
| JPH07202424A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| EP0434311B1 (en) | An epoxy/polyimide copolymer blend dielectric in multilayered circuits | |
| JPH07321469A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| US4827610A (en) | Method of creating solder or brazing barriers | |
| JPH0770538B2 (ja) | 基板上にパターン薄膜を形成する方法 | |
| JP3272945B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2850518B2 (ja) | 有機樹脂多層配線基板および有機樹脂多層配線基板の製造方法 | |
| JPH05144973A (ja) | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |