JPH07268607A - ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法Info
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- JPH07268607A JPH07268607A JP8785794A JP8785794A JPH07268607A JP H07268607 A JPH07268607 A JP H07268607A JP 8785794 A JP8785794 A JP 8785794A JP 8785794 A JP8785794 A JP 8785794A JP H07268607 A JPH07268607 A JP H07268607A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ＷＣを含む合金層の表面を持ち、
しかもその表面上に、十分な耐久性のダイヤモンドライ
クカーボン薄膜を備える物品を提供することを目的とす
るものである。 【構成】 本発明の物品は、少なくとも表面の一部に設
けられた炭化タングステンを含む合金層、この合金層の
上に設けられ、前記合金層の組成に対し炭素含有量のみ
が多い組成か、実質的に炭素からなる下地層、およびこ
の下地層上に設けられたダイヤモンドライクカーボン薄
膜を備える。
しかもその表面上に、十分な耐久性のダイヤモンドライ
クカーボン薄膜を備える物品を提供することを目的とす
るものである。 【構成】 本発明の物品は、少なくとも表面の一部に設
けられた炭化タングステンを含む合金層、この合金層の
上に設けられ、前記合金層の組成に対し炭素含有量のみ
が多い組成か、実質的に炭素からなる下地層、およびこ
の下地層上に設けられたダイヤモンドライクカーボン薄
膜を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、物品表面に対するダイ
ヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣと称することも
ある。）薄膜の接着性ないし結合性を向上させる技術に
関する。
ヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣと称することも
ある。）薄膜の接着性ないし結合性を向上させる技術に
関する。
【０００２】
【従来技術】気相法により製造されるＤＬＣ薄膜は硬度
が高く、耐摩耗性、耐久性、耐薬品性、耐食性等に優れ
ており、また任意形状の物品に被着できるため、こうし
た特性の一つ以上が必要な物品の保護膜として有用であ
る。
が高く、耐摩耗性、耐久性、耐薬品性、耐食性等に優れ
ており、また任意形状の物品に被着できるため、こうし
た特性の一つ以上が必要な物品の保護膜として有用であ
る。
【０００３】気相法によるＤＬＣ薄膜製造方法には各種
の形式がある（例えば「表面化学」第５巻第１０８号
（１９８４年）第１０８−１１５頁の各種の方法参
照）。ＤＬＣ薄膜は任意形状の保護すべき物品の表面に
被覆され、耐食性、耐摩耗性などの保護膜として広く利
用される。
の形式がある（例えば「表面化学」第５巻第１０８号
（１９８４年）第１０８−１１５頁の各種の方法参
照）。ＤＬＣ薄膜は任意形状の保護すべき物品の表面に
被覆され、耐食性、耐摩耗性などの保護膜として広く利
用される。
【０００４】ＤＬＣ薄膜はシリコン等の基体には強固に
結合し得るが、物品の種類によっては基体に対する結合
力が弱く、外力の作用で基体から剥離し易い問題があっ
た。そのため保護被覆として耐食性、耐摩耗性等が必要
な用途において十分に効果を発揮できない。特にＦｅ系
の金属または合金（例えば軟鋼（ＳＴＣ）、ステンレス
鋼、焼き入れ鋼（ＳＫＤ、ＳＫＳ）等）、その他、Ｃ
ｏ、Ｎｉなどの金属の合金、ガラス、セラミックス等は
ＤＬＣ薄膜に対する結合力が弱いことが知られている。
鉄を主成分とする基体は例えば機構部材、摺動部材等最
も工業的価値の高いものであるし、またガラスやセラミ
ックスではサーマルヘッド等の摺動部分などに使用され
るなど、広い用途を有するので、これらの基体の表面に
形成されるＤＬＣ薄膜の基体への接着性を向上させるこ
とが重要である。
結合し得るが、物品の種類によっては基体に対する結合
力が弱く、外力の作用で基体から剥離し易い問題があっ
た。そのため保護被覆として耐食性、耐摩耗性等が必要
な用途において十分に効果を発揮できない。特にＦｅ系
の金属または合金（例えば軟鋼（ＳＴＣ）、ステンレス
鋼、焼き入れ鋼（ＳＫＤ、ＳＫＳ）等）、その他、Ｃ
ｏ、Ｎｉなどの金属の合金、ガラス、セラミックス等は
ＤＬＣ薄膜に対する結合力が弱いことが知られている。
鉄を主成分とする基体は例えば機構部材、摺動部材等最
も工業的価値の高いものであるし、またガラスやセラミ
ックスではサーマルヘッド等の摺動部分などに使用され
るなど、広い用途を有するので、これらの基体の表面に
形成されるＤＬＣ薄膜の基体への接着性を向上させるこ
とが重要である。
【０００５】基体に前処理を行って接着性を向上するこ
とは特開昭６０−２００８９８号、同６０−２０４６９
５号、同６１−１７４３７６号等で提案されている。
とは特開昭６０−２００８９８号、同６０−２０４６９
５号、同６１−１７４３７６号等で提案されている。
【０００６】特開昭６０−２００８９８号ではＣｏ−Ｗ
Ｃ合金を基体とし、その表面にＤＬＣ薄膜を高硬度膜と
して付けるに当たり、基体の表面に予めグロー放電を直
接作用させることによりイオンエッチングすることを提
案しているが、加速電圧は印加されていないからエッチ
ング効率は接着性向上の面からは十分でなく本発明が目
的とする接着性の向上は十分に得られない。特開昭６０
−２０４６９５号も上記技術と同様に成膜速度の向上を
意図してＡｒガスを減圧室内に導入し正負電極間に電圧
を加えてプラズマを作りこれを基体に作用させるのであ
るが、プラズマのイオン濃度は低いのでエッチング効果
は接着性向上の観点からは低い。特開昭６１−１７４３
７６号は基体の接着性を向上するためにプラズマガスで
基体を処理した後、酸化処理して酸化物被膜を形成する
ことを記載している。しかし、プラズマはまず拡散によ
って正イオンが正電位のグリッドを通り抜ける必要があ
り、成膜に必要な十分な量の正イオンが基体に到達でき
ないので結果として効率の悪い方法である。従って、従
来公知の技術では基体とＤＬＣ薄膜との間の接着力が十
分に高い成膜は可能でなかった。また特開平３−８０１
９０号にはイオンを加速して基体表面を衝撃する方法が
記載され、上記の各方法よりは優れているが必ずしも十
分な結合力が得られていない。
Ｃ合金を基体とし、その表面にＤＬＣ薄膜を高硬度膜と
して付けるに当たり、基体の表面に予めグロー放電を直
接作用させることによりイオンエッチングすることを提
案しているが、加速電圧は印加されていないからエッチ
ング効率は接着性向上の面からは十分でなく本発明が目
的とする接着性の向上は十分に得られない。特開昭６０
−２０４６９５号も上記技術と同様に成膜速度の向上を
意図してＡｒガスを減圧室内に導入し正負電極間に電圧
を加えてプラズマを作りこれを基体に作用させるのであ
るが、プラズマのイオン濃度は低いのでエッチング効果
は接着性向上の観点からは低い。特開昭６１−１７４３
７６号は基体の接着性を向上するためにプラズマガスで
基体を処理した後、酸化処理して酸化物被膜を形成する
ことを記載している。しかし、プラズマはまず拡散によ
って正イオンが正電位のグリッドを通り抜ける必要があ
り、成膜に必要な十分な量の正イオンが基体に到達でき
ないので結果として効率の悪い方法である。従って、従
来公知の技術では基体とＤＬＣ薄膜との間の接着力が十
分に高い成膜は可能でなかった。また特開平３−８０１
９０号にはイオンを加速して基体表面を衝撃する方法が
記載され、上記の各方法よりは優れているが必ずしも十
分な結合力が得られていない。
【０００７】そこで、本発明者らは特開平５−１１７０
８７号、同５−１２４８７５号、同５−１２４８２５
号、同５−１１７８５６号等の公報で、プラズマＣＶＤ
やイオン化蒸着法によるＳｉＣ系の薄膜の下地層を設
け、この上にＤＬＣ薄膜を設ける旨を提案している。ま
た、本発明者らは、特開平４−３４４２１１号公報で、
ＤＬＣ薄膜の下地層としてＭｏが好ましい旨を開示し、
更に特開平５−１１７０８７号公報では、上記ＤＬＣ薄
膜の下地層の硬度傾斜構造を提案している。
８７号、同５−１２４８７５号、同５−１２４８２５
号、同５−１１７８５６号等の公報で、プラズマＣＶＤ
やイオン化蒸着法によるＳｉＣ系の薄膜の下地層を設
け、この上にＤＬＣ薄膜を設ける旨を提案している。ま
た、本発明者らは、特開平４−３４４２１１号公報で、
ＤＬＣ薄膜の下地層としてＭｏが好ましい旨を開示し、
更に特開平５−１１７０８７号公報では、上記ＤＬＣ薄
膜の下地層の硬度傾斜構造を提案している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、硬い
材料としてＷＣを含有する合金が提案され、金型材料、
刃先、打抜き型などの用途にＷＣを含む合金、特にＣｏ
を５〜３０wt％含有するいわゆる超硬合金が盛んに用い
られている。超硬合金でも、硬度、耐摩耗性が十分でな
く、ＤＬＣ保護膜のニーズは高い。このようなＷＣを含
む合金の表面にあっては、ＤＬＣ薄膜が付きにくく、上
記のような下地層を設けても、耐久性が必ずしも十分で
ない。そこで、本発明は、ＷＣを含む合金層の表面を持
ち、しかもその表面上に、十分な耐久性のダイヤモンド
ライクカーボン薄膜を備える物品を提供することを目的
とするものである。
材料としてＷＣを含有する合金が提案され、金型材料、
刃先、打抜き型などの用途にＷＣを含む合金、特にＣｏ
を５〜３０wt％含有するいわゆる超硬合金が盛んに用い
られている。超硬合金でも、硬度、耐摩耗性が十分でな
く、ＤＬＣ保護膜のニーズは高い。このようなＷＣを含
む合金の表面にあっては、ＤＬＣ薄膜が付きにくく、上
記のような下地層を設けても、耐久性が必ずしも十分で
ない。そこで、本発明は、ＷＣを含む合金層の表面を持
ち、しかもその表面上に、十分な耐久性のダイヤモンド
ライクカーボン薄膜を備える物品を提供することを目的
とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１７）の本発明により達成される。 （１）少なくとも表面の一部に設けられた炭化タングス
テンを含む合金層、この合金層の上に設けられ、前記合
金層の組成に対し炭素含有量のみが多い組成か、実質的
に炭素からなる下地層、およびこの下地層上に設けられ
たダイヤモンドライクカーボン薄膜を備える物品。 （２）前記下地層が、炭化タングステンを含む合金層へ
の炭素のイオン注入によって形成されたものである上記
（１）の物品。 （３）前記下地層の厚さが、０．５nm〜１μm である上
記（２）の物品。 （４）前記下地層が、炭素をターゲットとするスパッ
タ、炭素を蒸着源とするイオンプレーティング、または
炭素を蒸着源とするイオンビームデポジションによって
形成されたカーボン膜である上記（１）の物品。 （５）前記下地層の厚さが、０．０２〜５μm である上
記（４）の物品。 （６）前記下地層の形成前に、前記合金層表面にイオン
ボンバート処理を行なった上記（１）ないし（５）のい
ずれかの物品。 （７）前記下地層と前記ダイヤモンドライクカーボン薄
膜の間に形成されたけい素と炭素の非晶質混合物からな
る中間層を有する上記（１）ないし（６）のいずれかの
物品。 （８）前記中間層が、バイアス印加プラズマＣＶＤまた
はイオン化蒸着法により形成されたものである上記
（７）の物品。 （９）前記中間層の厚さが、０．０２〜３．０μm であ
る上記（７）または（８）の物品。 （１０）前記中間層のけい素濃度が下地層側からダイヤ
モンドライクカーボン薄膜に向けて減少し、炭素濃度が
これに伴って増大している上記（７）ないし（９）のい
ずれかの物品。 （１１）前記下地層と前記ダイヤモンドライクカーボン
薄膜の間に形成され、前記下地層よりは硬度が大きく、
前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜よりは硬度が小さ
いビッカース硬度Ｈｖ＝３００〜５０００kg/mm2の炭素
中間層を有する上記（１）ないし（６）のいずれかの物
品。 （１２）前記中間層は、その硬度が、前記下地層から前
記ダイヤモンドライクカーボン薄膜に向かって段階的ま
たは連続的に増大されている上記（11）の物品。 （１３）前記中間層が、イオン化蒸着法により形成され
たものである上記（11）または（12）の物品。 （１４）前記中間層の厚さが、０．０２〜３．０μm で
ある上記（11）ないし（13）のいずれかの物品。 （１５）前記ダイヤモンドライクカーボン膜の屈折率が
１．９〜２．４であり、ビッカース硬度が８００〜８０
００である上記（１）ないし（14）のいずれかの物品。 （１６）前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜が、金属
元素、Ｓｉ，Ｎ，Ｂ，Ｐ，ＯおよびＦの１種以上を含有
する上記（１）ないし（15）のいずれかの物品。 （１７）前記炭化タングステンを含む合金層が、５〜３
０wt％のＣｏを含む上記（１）ないし（16）のいずれか
の物品。
（１）〜（１７）の本発明により達成される。 （１）少なくとも表面の一部に設けられた炭化タングス
テンを含む合金層、この合金層の上に設けられ、前記合
金層の組成に対し炭素含有量のみが多い組成か、実質的
に炭素からなる下地層、およびこの下地層上に設けられ
たダイヤモンドライクカーボン薄膜を備える物品。 （２）前記下地層が、炭化タングステンを含む合金層へ
の炭素のイオン注入によって形成されたものである上記
（１）の物品。 （３）前記下地層の厚さが、０．５nm〜１μm である上
記（２）の物品。 （４）前記下地層が、炭素をターゲットとするスパッ
タ、炭素を蒸着源とするイオンプレーティング、または
炭素を蒸着源とするイオンビームデポジションによって
形成されたカーボン膜である上記（１）の物品。 （５）前記下地層の厚さが、０．０２〜５μm である上
記（４）の物品。 （６）前記下地層の形成前に、前記合金層表面にイオン
ボンバート処理を行なった上記（１）ないし（５）のい
ずれかの物品。 （７）前記下地層と前記ダイヤモンドライクカーボン薄
膜の間に形成されたけい素と炭素の非晶質混合物からな
る中間層を有する上記（１）ないし（６）のいずれかの
物品。 （８）前記中間層が、バイアス印加プラズマＣＶＤまた
はイオン化蒸着法により形成されたものである上記
（７）の物品。 （９）前記中間層の厚さが、０．０２〜３．０μm であ
る上記（７）または（８）の物品。 （１０）前記中間層のけい素濃度が下地層側からダイヤ
モンドライクカーボン薄膜に向けて減少し、炭素濃度が
これに伴って増大している上記（７）ないし（９）のい
ずれかの物品。 （１１）前記下地層と前記ダイヤモンドライクカーボン
薄膜の間に形成され、前記下地層よりは硬度が大きく、
前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜よりは硬度が小さ
いビッカース硬度Ｈｖ＝３００〜５０００kg/mm2の炭素
中間層を有する上記（１）ないし（６）のいずれかの物
品。 （１２）前記中間層は、その硬度が、前記下地層から前
記ダイヤモンドライクカーボン薄膜に向かって段階的ま
たは連続的に増大されている上記（11）の物品。 （１３）前記中間層が、イオン化蒸着法により形成され
たものである上記（11）または（12）の物品。 （１４）前記中間層の厚さが、０．０２〜３．０μm で
ある上記（11）ないし（13）のいずれかの物品。 （１５）前記ダイヤモンドライクカーボン膜の屈折率が
１．９〜２．４であり、ビッカース硬度が８００〜８０
００である上記（１）ないし（14）のいずれかの物品。 （１６）前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜が、金属
元素、Ｓｉ，Ｎ，Ｂ，Ｐ，ＯおよびＦの１種以上を含有
する上記（１）ないし（15）のいずれかの物品。 （１７）前記炭化タングステンを含む合金層が、５〜３
０wt％のＣｏを含む上記（１）ないし（16）のいずれか
の物品。
【００１０】
【作用および効果】本発明によれば、ＷＣを含む合金層
に対して、組成元素は同じであるが、炭素含有量の多い
組成か、実質的に炭素である下地層を形成し、この下地
層上にＤＬＣ薄膜を形成するようにしたので、ＤＬＣ薄
膜はきわめて強固に接着する。
に対して、組成元素は同じであるが、炭素含有量の多い
組成か、実質的に炭素である下地層を形成し、この下地
層上にＤＬＣ薄膜を形成するようにしたので、ＤＬＣ薄
膜はきわめて強固に接着する。
【００１１】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の物品においては、少なくともＤＬ
Ｃ薄膜が形成される表面層が、炭化タングステンを含む
合金層から形成されている。この合金層において、炭化
タングステン以外には、Ｃｏ、ＴａＣ、ＴｉＣ、Ｎｉ、
Ｃｒを含有し、特に、ＷＣを５０〜９８wt％、Ｃｏを
０．５〜５０wt％を含む、いわゆる超硬合金に用いるこ
とが好ましい。
に説明する。本発明の物品においては、少なくともＤＬ
Ｃ薄膜が形成される表面層が、炭化タングステンを含む
合金層から形成されている。この合金層において、炭化
タングステン以外には、Ｃｏ、ＴａＣ、ＴｉＣ、Ｎｉ、
Ｃｒを含有し、特に、ＷＣを５０〜９８wt％、Ｃｏを
０．５〜５０wt％を含む、いわゆる超硬合金に用いるこ
とが好ましい。
【００１２】この合金層上に下地層が設けられる。この
下地層は、上記合金層と組成元素は同じで炭素を多く含
有する組成か、実質的に炭素からなる組成のものであ
る。
下地層は、上記合金層と組成元素は同じで炭素を多く含
有する組成か、実質的に炭素からなる組成のものであ
る。
【００１３】上記下地層を、上記合金層と組成元素は同
じで炭素を多く含有する組成とする場合には、この下地
層は、一般に上記合金層への炭素のイオン注入によって
形成される。このとき、上記超硬合金の一般的な炭素の
含有量が２５〜５０wt％であるので、この下地層におい
ては、これ以上の炭素含有量、例えば６５〜１００wt％
程度とすることが好ましい。この場合、この下地層の厚
さ（深さ）は、物品本体の表面から０．５nm〜１μm 、
より好ましくは、１nm〜０．２μm 程度とされる。薄す
ぎると実効がないし、厚すぎると物品本来の特性に影響
を与える。このような深さ方向の炭素の分布は、オージ
ェ分光分析やＸＰＳ（Ｘ線プローブ分光分析）を用いて
確認すればよい。
じで炭素を多く含有する組成とする場合には、この下地
層は、一般に上記合金層への炭素のイオン注入によって
形成される。このとき、上記超硬合金の一般的な炭素の
含有量が２５〜５０wt％であるので、この下地層におい
ては、これ以上の炭素含有量、例えば６５〜１００wt％
程度とすることが好ましい。この場合、この下地層の厚
さ（深さ）は、物品本体の表面から０．５nm〜１μm 、
より好ましくは、１nm〜０．２μm 程度とされる。薄す
ぎると実効がないし、厚すぎると物品本来の特性に影響
を与える。このような深さ方向の炭素の分布は、オージ
ェ分光分析やＸＰＳ（Ｘ線プローブ分光分析）を用いて
確認すればよい。
【００１４】上記下地層をＣのイオン注入によって行な
う場合には、イオン注入装置に物品本体を入れ、Ｃを２
０〜２５０keV 程度に加速し、物品本体の表面に炭素イ
オンを注入すればよい。
う場合には、イオン注入装置に物品本体を入れ、Ｃを２
０〜２５０keV 程度に加速し、物品本体の表面に炭素イ
オンを注入すればよい。
【００１５】上記下地層を、実質的に炭素からなる組成
のものとする場合には、炭素をターゲットとするスパッ
タ、炭素を蒸着源とするイオンプレーティング、または
炭素を蒸着源とするイオンビームデポジションによって
形成されたカーボン膜とすることが好ましい。
のものとする場合には、炭素をターゲットとするスパッ
タ、炭素を蒸着源とするイオンプレーティング、または
炭素を蒸着源とするイオンビームデポジションによって
形成されたカーボン膜とすることが好ましい。
【００１６】下地層はその実効をもたせるために０．０
２〜５μm 、より好ましくは０．０５〜３μm の厚さと
することが好ましい。
２〜５μm 、より好ましくは０．０５〜３μm の厚さと
することが好ましい。
【００１７】上記下地層を、炭素をターゲットとするス
パッタによって形成する場合には、Ａｒ、Ｎｅ等の不活
性ガスを導入してスパッタ圧力０．０１〜０．５Torrに
てＲＦ（１３．５６MHz ）等の電源を用いて、１０W 〜
２kW程度印加してカーボンターゲットをスパッタし、下
地層を形成する。
パッタによって形成する場合には、Ａｒ、Ｎｅ等の不活
性ガスを導入してスパッタ圧力０．０１〜０．５Torrに
てＲＦ（１３．５６MHz ）等の電源を用いて、１０W 〜
２kW程度印加してカーボンターゲットをスパッタし、下
地層を形成する。
【００１８】上記下地層を、炭素を蒸着源とするイオン
プレーティングによって形成する場合には、アーク方
式、ＲＦ励起方式、多陰極方式、ホローカット方式、バ
イアスプローブ方式、クラスターイオンビーム方式など
が利用できる。
プレーティングによって形成する場合には、アーク方
式、ＲＦ励起方式、多陰極方式、ホローカット方式、バ
イアスプローブ方式、クラスターイオンビーム方式など
が利用できる。
【００１９】上記下地層を、炭素を蒸着源とするイオン
ビームデポジションによって形成する場合には、イオン
源を用いて１０-3〜１０-5TorrにてＡｒ、Ｎｅ等のイオ
ンビームをカーボンターゲットあて成膜する。イオン源
としてはカウフマン型などが用いられる。
ビームデポジションによって形成する場合には、イオン
源を用いて１０-3〜１０-5TorrにてＡｒ、Ｎｅ等のイオ
ンビームをカーボンターゲットあて成膜する。イオン源
としてはカウフマン型などが用いられる。
【００２０】このような下地層上には、ＤＬＣ薄膜が形
成される。ＤＬＣ薄膜は炭化水素を励起し、分解して得
た高硬度炭素膜である。炭化水素としては、ＣＨ4 、Ｃ
2 Ｈ6 、Ｃ3 Ｈ8 等の飽和炭化水素、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ3 Ｈ
6 、Ｃ2 Ｈ2 等の不飽和炭化水素のいずれを用いてもよ
い。
成される。ＤＬＣ薄膜は炭化水素を励起し、分解して得
た高硬度炭素膜である。炭化水素としては、ＣＨ4 、Ｃ
2 Ｈ6 、Ｃ3 Ｈ8 等の飽和炭化水素、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ3 Ｈ
6 、Ｃ2 Ｈ2 等の不飽和炭化水素のいずれを用いてもよ
い。
【００２１】炭化水素を分解するには、例えば特開平４
−４１６７２号等に記載されたプラズマＣＶＤ法や、特
開平１−２３４３９６号、同１−２３４３９７号、同２
−１９６０９３号等に記載されたイオン化蒸着法を用い
ることが好ましいが、この他熱フィラメント法、スパッ
タ法、イオンビーム蒸着法、熱ＣＶＤ法などを用いても
よく、これらの詳細はダイヤモンド薄膜技術（総合技術
センター発行）のＰ７３等に記載されている。なお、プ
ラズマＣＶＤ法におけるプラズマは、直流、交流いずれ
であってもよく、交流としては数Hzからマイクロ波まで
可能である。また、ダイヤモンド薄膜技術に記載のＥＣ
Ｒプラズマも使用可能である。
−４１６７２号等に記載されたプラズマＣＶＤ法や、特
開平１−２３４３９６号、同１−２３４３９７号、同２
−１９６０９３号等に記載されたイオン化蒸着法を用い
ることが好ましいが、この他熱フィラメント法、スパッ
タ法、イオンビーム蒸着法、熱ＣＶＤ法などを用いても
よく、これらの詳細はダイヤモンド薄膜技術（総合技術
センター発行）のＰ７３等に記載されている。なお、プ
ラズマＣＶＤ法におけるプラズマは、直流、交流いずれ
であってもよく、交流としては数Hzからマイクロ波まで
可能である。また、ダイヤモンド薄膜技術に記載のＥＣ
Ｒプラズマも使用可能である。
【００２２】このようにして活性種、より好ましくはイ
オンに分解された炭化水素を堆積する際には、基板とし
ての非堆積物に負のバイアス電圧を印加することが好ま
しい。バイアス電圧には直流でも交流（例えば５０Hz〜
２．４５GHz ）でもよい。さらには電圧を印加した電極
はプラズマ中のエレクトロンが表面に付着し負の電圧と
なる。これをセルフバイアス電圧といい、これを利用す
ることもできる。すなわち、電源を印加した電極に発生
するセルフバイアスを用いてもよく、電気的に絶縁され
ている電極に直流または交流の電源を印加すればよい。
この方法は、例えば本発明者らの M.Nakayama et al, J
ournal of the Ceramic Society of Japan lin. Editio
n Vol 98 607-609 (1990) 等に詳細に記載されている。
オンに分解された炭化水素を堆積する際には、基板とし
ての非堆積物に負のバイアス電圧を印加することが好ま
しい。バイアス電圧には直流でも交流（例えば５０Hz〜
２．４５GHz ）でもよい。さらには電圧を印加した電極
はプラズマ中のエレクトロンが表面に付着し負の電圧と
なる。これをセルフバイアス電圧といい、これを利用す
ることもできる。すなわち、電源を印加した電極に発生
するセルフバイアスを用いてもよく、電気的に絶縁され
ている電極に直流または交流の電源を印加すればよい。
この方法は、例えば本発明者らの M.Nakayama et al, J
ournal of the Ceramic Society of Japan lin. Editio
n Vol 98 607-609 (1990) 等に詳細に記載されている。
【００２３】バイアス電圧を例えば−５０〜−２０００
V の範囲で変化させることにより屈折率ｎが変化する。
用いるＤＬＣ薄膜の屈折率は１．８〜２．４程度、消衰
係数ｋは０〜０．０２（いずれも波長６３２．８nm）が
好ましい。
V の範囲で変化させることにより屈折率ｎが変化する。
用いるＤＬＣ薄膜の屈折率は１．８〜２．４程度、消衰
係数ｋは０〜０．０２（いずれも波長６３２．８nm）が
好ましい。
【００２４】このようにして得られたＤＬＣ膜は、巨視
的にはアモルファスであるが、微視的にはダイヤモンド
に近い結合をもつ。そして、高いビッカース硬度Ｈｖを
もつ。本発明ではＨｖは８００〜８０００であることが
好ましい。なお、ＤＬＣ膜中のＨ量（ＦＴＩＲから測定
されるＣＨ2 量、ＣＨ3 量は、通常０〜４×１０4 cm-2
程度である。これについては本発明者らの M.Nakayama
et al, Jpanese Journal of Applied Phyeics Vol.30 L
924-L926 (1991) に説明されてある。
的にはアモルファスであるが、微視的にはダイヤモンド
に近い結合をもつ。そして、高いビッカース硬度Ｈｖを
もつ。本発明ではＨｖは８００〜８０００であることが
好ましい。なお、ＤＬＣ膜中のＨ量（ＦＴＩＲから測定
されるＣＨ2 量、ＣＨ3 量は、通常０〜４×１０4 cm-2
程度である。これについては本発明者らの M.Nakayama
et al, Jpanese Journal of Applied Phyeics Vol.30 L
924-L926 (1991) に説明されてある。
【００２５】このようなＤＬＣ膜中には、金属元素、例
えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｍｏ、Ｔａ等や、Ｓｉ、Ｎ、Ｂ、Ｐ、Ｏ、Ｆなどの
１種以上が総計３５at% 以下含有されていてもよい。こ
れらは各種有機金属化合物、シラン化合物、シロキサン
化合物、アンモニア、アミン化合物、ＮＯｘ、Ｏ2 、Ｃ
Ｏ2 、フッ化炭化水素、ＳｉＦ4 、フォスフィン、ジボ
ラン等を用いてＤＬＣ薄膜中に導入可能である。また、
金属は電極材料から膜中に導入することも可能である。
これらの添加物によっても屈折率を制御することが可能
であり、特に屈折率を大きくするためには金属の混入は
有効である。
えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｍｏ、Ｔａ等や、Ｓｉ、Ｎ、Ｂ、Ｐ、Ｏ、Ｆなどの
１種以上が総計３５at% 以下含有されていてもよい。こ
れらは各種有機金属化合物、シラン化合物、シロキサン
化合物、アンモニア、アミン化合物、ＮＯｘ、Ｏ2 、Ｃ
Ｏ2 、フッ化炭化水素、ＳｉＦ4 、フォスフィン、ジボ
ラン等を用いてＤＬＣ薄膜中に導入可能である。また、
金属は電極材料から膜中に導入することも可能である。
これらの添加物によっても屈折率を制御することが可能
であり、特に屈折率を大きくするためには金属の混入は
有効である。
【００２６】ＤＬＣ薄膜の膜厚は０．１〜１０μm の範
囲、特に０．２〜２μm の範囲であることが好ましい。
囲、特に０．２〜２μm の範囲であることが好ましい。
【００２７】上記物品本体のＤＬＣ薄膜形成面には、下
地層の形成前に、ＡｒまたはＡｒ−Ｈ2 のイオンボンバ
ート処理を行なうことが望ましい。ここで、Ａｒまたは
Ａｒ−Ｈ2 のイオンボンバート処理とは、Ａｒと水素の
混合ガスをチャンバーに入れ電源を入れプラズマを発生
させ、基板を処理することである。基板にバイアスを印
加するとその効果が大きい。
地層の形成前に、ＡｒまたはＡｒ−Ｈ2 のイオンボンバ
ート処理を行なうことが望ましい。ここで、Ａｒまたは
Ａｒ−Ｈ2 のイオンボンバート処理とは、Ａｒと水素の
混合ガスをチャンバーに入れ電源を入れプラズマを発生
させ、基板を処理することである。基板にバイアスを印
加するとその効果が大きい。
【００２８】イオンボンバート処理は、例えば、Ａｒ２
０SCCM、Ｈ2 ５SCCMを入れ、０．０５TorrにてＲＦ（１
３．５６MHz ）５０W を入れ、基板に−１００V を印加
し、１０分間程度処理する。
０SCCM、Ｈ2 ５SCCMを入れ、０．０５TorrにてＲＦ（１
３．５６MHz ）５０W を入れ、基板に−１００V を印加
し、１０分間程度処理する。
【００２９】また、ＤＬＣ薄膜は、上記のように、下地
層上に直接形成してもよいが、ＤＬＣ薄膜の耐久性の向
上を更に図るため、下地層上に中間層を設け、この中間
層上にＤＬＣ薄膜を設けてもよい。
層上に直接形成してもよいが、ＤＬＣ薄膜の耐久性の向
上を更に図るため、下地層上に中間層を設け、この中間
層上にＤＬＣ薄膜を設けてもよい。
【００３０】上記中間層としては、けい素と炭素の非晶
質混合物からなる層（以下、ＳｉＣ非晶質層と称するこ
とがある。）、あるいは上記下地層よりは硬度が大き
く、上記ダイヤモンドライクカーボン薄膜よりは硬度が
小さいビッカース硬度Ｈｖ＝３００〜５０００kg/mm2の
炭素層（以下、硬度傾斜炭素層と称することがある。）
を設けることが望ましい。
質混合物からなる層（以下、ＳｉＣ非晶質層と称するこ
とがある。）、あるいは上記下地層よりは硬度が大き
く、上記ダイヤモンドライクカーボン薄膜よりは硬度が
小さいビッカース硬度Ｈｖ＝３００〜５０００kg/mm2の
炭素層（以下、硬度傾斜炭素層と称することがある。）
を設けることが望ましい。
【００３１】本発明に使用するＳｉＣ非晶質層の物質
は、例えば次の３種の物質のガスより誘導される非晶質
の混合物である。ここにガスとは次の１の炭素およびけ
い素を共に含有する低分子量の化合物とガス、２と３、
１と２、１と３、または１と２と３の低分子量の物質の
混合ガスである。ＤＬＣ薄膜を支持するので中間層も十
分な硬度が必要である。
は、例えば次の３種の物質のガスより誘導される非晶質
の混合物である。ここにガスとは次の１の炭素およびけ
い素を共に含有する低分子量の化合物とガス、２と３、
１と２、１と３、または１と２と３の低分子量の物質の
混合ガスである。ＤＬＣ薄膜を支持するので中間層も十
分な硬度が必要である。
【００３２】（１）有機けい素化合物−メチルシランＣ
Ｈ3 ＳｉＨ3 、ジメチルシラン（ＣＨ3 ）2 ＳｉＨ2 、
トリメチルシラン（ＣＨ3 ）3 ＳｉＨ、テトラメチルシ
ランＳｉ（ＣＨ3 ）4 。
Ｈ3 ＳｉＨ3 、ジメチルシラン（ＣＨ3 ）2 ＳｉＨ2 、
トリメチルシラン（ＣＨ3 ）3 ＳｉＨ、テトラメチルシ
ランＳｉ（ＣＨ3 ）4 。
【００３３】（２）けい素化合物−シランＳｉＨ4 、ジ
シランＳｉ2 Ｈ6 、四フッ化けい素ＳｉＦ4 。
シランＳｉ2 Ｈ6 、四フッ化けい素ＳｉＦ4 。
【００３４】（３）炭素化合物−メタンＣＨ4 、エタン
Ｃ2 Ｈ6 、プロピレンＣ3 Ｈ8 、エチレンＣ2 Ｈ4 、ア
セチレンＣ2 Ｈ2 。
Ｃ2 Ｈ6 、プロピレンＣ3 Ｈ8 、エチレンＣ2 Ｈ4 、ア
セチレンＣ2 Ｈ2 。
【００３５】中間層を形成するための方法は、特願平２
−１４４８０号に記載されているバイアス印加プラズマ
ＣＶＤ法、または特開昭５８−１７４５０７号および特
開平１−２３４３９６号に記載されたイオン化蒸着法が
使用できる。ここで中間層の成膜後、その膜を空気にさ
らすことなく次のＤＬＣ薄膜の形成工程に移行すること
が望ましい。このため同じ真空槽を使用することが必要
である。なお、好ましくはこの工程に先立って、成膜装
置の真空室内に前記基体を配置し、Ａｒ等のボンバード
用ガスを前記真空室内に導入し、熱陰極フィラメントと
その周りに設けられた対陰極とよりなるイオン化手段に
より電離してイオンの流れを形成し、これを前記対陰極
よりも低電位にあるグリッドにより加速して基体の表面
をボンバードして活性化する前工程を採用してもよい。
−１４４８０号に記載されているバイアス印加プラズマ
ＣＶＤ法、または特開昭５８−１７４５０７号および特
開平１−２３４３９６号に記載されたイオン化蒸着法が
使用できる。ここで中間層の成膜後、その膜を空気にさ
らすことなく次のＤＬＣ薄膜の形成工程に移行すること
が望ましい。このため同じ真空槽を使用することが必要
である。なお、好ましくはこの工程に先立って、成膜装
置の真空室内に前記基体を配置し、Ａｒ等のボンバード
用ガスを前記真空室内に導入し、熱陰極フィラメントと
その周りに設けられた対陰極とよりなるイオン化手段に
より電離してイオンの流れを形成し、これを前記対陰極
よりも低電位にあるグリッドにより加速して基体の表面
をボンバードして活性化する前工程を採用してもよい。
【００３６】得られる中間層は結晶質ではなく非晶質で
ある。後で比較するように結晶質の中間層に比して大き
い結合力を生じる。また、中間層は最初はけい素成分を
多くし、成膜に従ってけい素成分を減少させ、炭素成分
を多くすることが望ましい。これにより結合力をさらに
向上させることができる。中間層の膜厚は０．０２〜３
μm が好適であり、さらに好ましくは０．０５〜０．５
μm である。あまり薄いと効果がなく、あまり厚過ぎて
も効果が飽和する。
ある。後で比較するように結晶質の中間層に比して大き
い結合力を生じる。また、中間層は最初はけい素成分を
多くし、成膜に従ってけい素成分を減少させ、炭素成分
を多くすることが望ましい。これにより結合力をさらに
向上させることができる。中間層の膜厚は０．０２〜３
μm が好適であり、さらに好ましくは０．０５〜０．５
μm である。あまり薄いと効果がなく、あまり厚過ぎて
も効果が飽和する。
【００３７】イオン化蒸着法およびバイアス印加ＣＶＤ
法による中間層の形成にあっては、前記の単独または混
合ガスを用いる。
法による中間層の形成にあっては、前記の単独または混
合ガスを用いる。
【００３８】中間層としての炭素層は、基体の硬度より
大きく且つＤＬＣ薄膜の硬度よりは小さい一定の組成の
膜でもよいが、好ましくは基体側で低硬度、ダイヤモン
ド側で高硬度にする。これにより結合性密着性を改善す
ることができる。中間層とＤＬＣ薄膜の成膜は同一のイ
オン化蒸着装置を使用し、同一の原料を使用し、単に蒸
着条件を連続的または段階的に変化させるだけでよい。
上記炭素層を形成するための方法は、特開昭５８−１７
４５０７号および特開平１−２３４３９６号に記載され
たイオン化蒸着法を使用する。この方法によれば、中間
層の成膜後に、その層を空気にさらすことなく、あるい
は作業自体を中断することなく条件をＤＬＣ薄膜の成膜
条件に変更することにより、次のＤＬＣ薄膜の形成工程
に移行することができる。炭素層は膜厚０．０２〜３μ
m が好適であり、さらに好ましくは０．０５〜０．５μ
m である。あまり薄いと効果がなく、あまり厚過ぎても
効果が飽和する。
大きく且つＤＬＣ薄膜の硬度よりは小さい一定の組成の
膜でもよいが、好ましくは基体側で低硬度、ダイヤモン
ド側で高硬度にする。これにより結合性密着性を改善す
ることができる。中間層とＤＬＣ薄膜の成膜は同一のイ
オン化蒸着装置を使用し、同一の原料を使用し、単に蒸
着条件を連続的または段階的に変化させるだけでよい。
上記炭素層を形成するための方法は、特開昭５８−１７
４５０７号および特開平１−２３４３９６号に記載され
たイオン化蒸着法を使用する。この方法によれば、中間
層の成膜後に、その層を空気にさらすことなく、あるい
は作業自体を中断することなく条件をＤＬＣ薄膜の成膜
条件に変更することにより、次のＤＬＣ薄膜の形成工程
に移行することができる。炭素層は膜厚０．０２〜３μ
m が好適であり、さらに好ましくは０．０５〜０．５μ
m である。あまり薄いと効果がなく、あまり厚過ぎても
効果が飽和する。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４０】物品基体 ＷＣ９０wt％およびＣｏ１０wt％の合金からなる物品基
体Ａ、ＷＣ８０wt％、ＴａＣ１０wt％およびＣｏ１０wt
％の合金からなる物品基体Ｂ、およびＷＣ８０wt％、Ｔ
ａＣ５wt％およびＣｏ１５wt％の合金からなる物品基体
Ｃを準備した。
体Ａ、ＷＣ８０wt％、ＴａＣ１０wt％およびＣｏ１０wt
％の合金からなる物品基体Ｂ、およびＷＣ８０wt％、Ｔ
ａＣ５wt％およびＣｏ１５wt％の合金からなる物品基体
Ｃを準備した。
【００４１】前処理 １）前処理Ｄ（Ａｒ−Ｈ2 イオンボンバード） イオン化蒸着装置に物品基体をいれ、イオンボンバード
用ガスであるＡｒを２０SCCM、Ｈ2 を５SCCM導入し、
０．１Torr、ＤＣバイアス−５００V の条件で、上記物
品基体のＤＬＣ薄膜形成面をイオンボンバードした。処
理時間は、１〜２０分程度とした。
用ガスであるＡｒを２０SCCM、Ｈ2 を５SCCM導入し、
０．１Torr、ＤＣバイアス−５００V の条件で、上記物
品基体のＤＬＣ薄膜形成面をイオンボンバードした。処
理時間は、１〜２０分程度とした。
【００４２】２）前処理Ｅ（Ａｒイオンボンバード） イオンボンバード用ガスであるＡｒのみを２０SCCM導入
したこと以外は、上記前処理Ｂと同様にして前処理を行
なった。
したこと以外は、上記前処理Ｂと同様にして前処理を行
なった。
【００４３】下地層 １）イオン注入膜 イオン注入装置に物品基体を入れ、カーボンを蒸発源と
して、５０keV に加速し、物品基体の表面にＣのイオン
注入を行なった。下地層は、Ｃが８５wt% であり、その
厚さは５００A であった。
して、５０keV に加速し、物品基体の表面にＣのイオン
注入を行なった。下地層は、Ｃが８５wt% であり、その
厚さは５００A であった。
【００４４】２）Ｃスパッタ膜 Ｃをターゲットとし、スパッタガスとしてＡｒを用い、
ＲＦ３００W 、０．０５Torrで１０分スパッタした。Ｃ
スパッタ膜の膜厚は１０００A であった。
ＲＦ３００W 、０．０５Torrで１０分スパッタした。Ｃ
スパッタ膜の膜厚は１０００A であった。
【００４５】３）Ｃイオンプレーティング膜 ＲＦ励起方式イオン化蒸着装置にカーボンを蒸発源とし
て０．１Torr、ＤＣバイアス−５００V の条件で、上記
物品基体の表面に１０分間成膜した。膜厚は１５００A
であった。
て０．１Torr、ＤＣバイアス−５００V の条件で、上記
物品基体の表面に１０分間成膜した。膜厚は１５００A
であった。
【００４６】４）Ｃイオンビームデポジション膜 カーボンを蒸発源として１０-5Torr、ＤＣバイアス−５
００V の条件で、上記物品基体の表面に１２０分間成膜
した。膜厚は１２００A であった。
００V の条件で、上記物品基体の表面に１２０分間成膜
した。膜厚は１２００A であった。
【００４７】中間層 １）硬度傾斜炭素膜−中間層Ｆ ＣＨ4 を原料として１０SCCM導入し反応圧力０．０５To
rr、ＲＦ５００W の条件で基板に−２５０V を印加して
１５分成膜した。
rr、ＲＦ５００W の条件で基板に−２５０V を印加して
１５分成膜した。
【００４８】膜厚は２０００A で、そのビッカース硬度
Ｈｖは２０００kg/mm2であった。
Ｈｖは２０００kg/mm2であった。
【００４９】２）非晶質ＳｉＣ膜−中間層Ｇ Ｓｉ2 Ｈ6 およびＣＨ4 を用いてバイアス印加プラズマ
法で成膜した。バイアス電圧−２５０V 、ＲＦ５００W
、圧力０．０２５Torrの条件で１０分間成膜した。膜
厚は１０００A であった。
法で成膜した。バイアス電圧−２５０V 、ＲＦ５００W
、圧力０．０２５Torrの条件で１０分間成膜した。膜
厚は１０００A であった。
【００５０】Ｘ線で測定したところ、どこにもピークが
検出されず、中間層は非晶質であった。
検出されず、中間層は非晶質であった。
【００５１】また、ＤＬＣ膜としては下記のものを成膜
した。
した。
【００５２】ＣＨ4 を原料として１０SCCM導入し、反応
圧力０．０５Torr、ＲＦ５００W の条件で、基板にＤＣ
バイアス−５００V を印加しながら時間を変えて成膜し
た。膜厚およびビッカース硬度Ｈｖを表１に示した。
圧力０．０５Torr、ＲＦ５００W の条件で、基板にＤＣ
バイアス−５００V を印加しながら時間を変えて成膜し
た。膜厚およびビッカース硬度Ｈｖを表１に示した。
【００５３】これらの物品基体、前処理、下地層、中間
層およびＤＬＣ薄膜を表１のように組み合わせて各種物
品のサンプルを得た。得られた物品のサンプルの各々に
つき、スクラッチ力の評価を行なった。スクラッチ力
は、ＲＨＥＳＣＡ社製の薄膜スクラッチ試験機ＳＣＲ−
０２にてダイヤモンド圧子５μm を用いた条件で測定し
た。
層およびＤＬＣ薄膜を表１のように組み合わせて各種物
品のサンプルを得た。得られた物品のサンプルの各々に
つき、スクラッチ力の評価を行なった。スクラッチ力
は、ＲＨＥＳＣＡ社製の薄膜スクラッチ試験機ＳＣＲ−
０２にてダイヤモンド圧子５μm を用いた条件で測定し
た。
【００５４】
【表１】
【００５５】表１に示される結果から、本発明による下
地層の効果があきらかである。すなわち、本発明のＣを
多く含有する下地層が形成されたサンプルについては、
スクラッチ力が２．２以上であるのに対して、上記下地
層が形成されていないサンプルについては、スクラッチ
力が、硬度傾斜炭素膜や非晶質ＳｉＣ膜を設けたもので
さえ最高１．２と低かった。
地層の効果があきらかである。すなわち、本発明のＣを
多く含有する下地層が形成されたサンプルについては、
スクラッチ力が２．２以上であるのに対して、上記下地
層が形成されていないサンプルについては、スクラッチ
力が、硬度傾斜炭素膜や非晶質ＳｉＣ膜を設けたもので
さえ最高１．２と低かった。
【００５６】なお、ＤＬＣ膜中に、各種金属元素、Ｓ
ｉ，Ｎ，Ｂ，Ｐ，Ｏ，Ｆ等を導入したところ、上記と同
等な結果を得た。
ｉ，Ｎ，Ｂ，Ｐ，Ｏ，Ｆ等を導入したところ、上記と同
等な結果を得た。
Claims (17)
- 【請求項１】 少なくとも表面の一部に設けられた炭化
タングステンを含む合金層、この合金層の上に設けら
れ、前記合金層の組成に対し炭素含有量のみが多い組成
か、実質的に炭素からなる下地層、およびこの下地層上
に設けられたダイヤモンドライクカーボン薄膜を備える
物品。 - 【請求項２】 前記下地層が、炭化タングステンを含む
合金層への炭素のイオン注入によって形成されたもので
ある請求項１の物品。 - 【請求項３】 前記下地層の厚さが、０．５nm〜１μm
である請求項２の物品。 - 【請求項４】 前記下地層が、炭素をターゲットとする
スパッタ、炭素を蒸着源とするイオンプレーティング、
または炭素を蒸着源とするイオンビームデポジションに
よって形成されたカーボン膜である請求項１の物品。 - 【請求項５】 前記下地層の厚さが、０．０２〜５μm
である請求項４の物品。 - 【請求項６】 前記下地層の形成前に、前記合金層表面
にイオンボンバート処理を行なった請求項１ないし５の
いずれかの物品。 - 【請求項７】 前記下地層と前記ダイヤモンドライクカ
ーボン薄膜の間に形成されたけい素と炭素の非晶質混合
物からなる中間層を有する請求項１ないし６のいずれか
の物品。 - 【請求項８】 前記中間層が、バイアス印加プラズマＣ
ＶＤまたはイオン化蒸着法により形成されたものである
請求項７の物品。 - 【請求項９】 前記中間層の厚さが、０．０２〜３．０
μm である請求項７または８の物品。 - 【請求項１０】 前記中間層のけい素濃度が下地層側か
らダイヤモンドライクカーボン薄膜に向けて減少し、炭
素濃度がこれに伴って増大している請求項７ないし９の
いずれかの物品。 - 【請求項１１】 前記下地層と前記ダイヤモンドライク
カーボン薄膜の間に形成され、前記下地層よりは硬度が
大きく、前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜よりは硬
度が小さいビッカース硬度Ｈｖ＝３００〜５０００kg/m
m2の炭素中間層を有する請求項１ないし６のいずれかの
物品。 - 【請求項１２】 前記中間層は、その硬度が、前記下地
層から前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜に向かって
段階的または連続的に増大されている請求項１１の物
品。 - 【請求項１３】 前記中間層が、イオン化蒸着法により
形成されたものである請求項１１または１２の物品。 - 【請求項１４】 前記中間層の厚さが、０．０２〜３．
０μm である請求項１１ないし１３のいずれかの物品。 - 【請求項１５】 前記ダイヤモンドライクカーボン膜の
屈折率が１．９〜２．４であり、ビッカース硬度が８０
０〜８０００である請求項１ないし１４のいずれかの物
品。 - 【請求項１６】 前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜
が、金属元素、Ｓｉ，Ｎ，Ｂ，Ｐ，ＯおよびＦの１種以
上を含有する請求項１ないし１５のいずれかの物品。 - 【請求項１７】 前記炭化タングステンを含む合金層
が、５〜３０wt％のＣｏを含む請求項１ないし１６のい
ずれかの物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8785794A JPH07268607A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8785794A JPH07268607A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268607A true JPH07268607A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13926563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8785794A Pending JPH07268607A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07268607A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002011690A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 繊維切断装置用切断刃、繊維切断装置用スクレーパー、繊維切断装置および繊維切断方法 |
| JP2003027214A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材 |
| JP2006009068A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Hitachi Tool Engineering Ltd | 皮膜形成方法及びその皮膜形成方法を用いた被覆部材 |
| JP2008210847A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Jtekt Corp | 回路構造 |
| WO2008133156A1 (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Nanotec Corporation | 導電性保護膜及びその製造方法 |
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| CN116288342A (zh) * | 2023-03-15 | 2023-06-23 | 齐鲁工业大学(山东省科学院) | 一种冰刀表面减阻复合镀膜工艺 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8785794A patent/JPH07268607A/ja active Pending
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