JPH0725848A - 4−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 - Google Patents
4−置換アゼチジノン誘導体の製造方法Info
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- JPH0725848A JPH0725848A JP5195333A JP19533393A JPH0725848A JP H0725848 A JPH0725848 A JP H0725848A JP 5195333 A JP5195333 A JP 5195333A JP 19533393 A JP19533393 A JP 19533393A JP H0725848 A JPH0725848 A JP H0725848A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】アゼチジノン誘導体とエステルあるいはチオー
ルエステル化合物とを下記式〔V〕 M(Hal)n (R4 )m 〔V〕 (式中、Mは金属原子を、Halはハロゲン原子を、R
4 は低級アルキル基など、n及びmは0〜5で、n+m
はMの原子価を示す。) で表わされる化合物及び塩基の存在下で反応させること
を特徴とする下記式〔II〕 で表される4−置換アゼチジノン誘導体の製造方法。 【効果】 上記の製造方法は安価でしかも取扱いやすい
化合物を使用する工業的に優れた製造方法であり、容易
に加水分解されカルバペネム系化合物の重要中間体に誘
導できる。
ルエステル化合物とを下記式〔V〕 M(Hal)n (R4 )m 〔V〕 (式中、Mは金属原子を、Halはハロゲン原子を、R
4 は低級アルキル基など、n及びmは0〜5で、n+m
はMの原子価を示す。) で表わされる化合物及び塩基の存在下で反応させること
を特徴とする下記式〔II〕 で表される4−置換アゼチジノン誘導体の製造方法。 【効果】 上記の製造方法は安価でしかも取扱いやすい
化合物を使用する工業的に優れた製造方法であり、容易
に加水分解されカルバペネム系化合物の重要中間体に誘
導できる。
Description
【産業上の利用分野】本発明はカルバペネム系化合物の
合成中間体として重要な4−置換アゼチジノン誘導体の
製造方法に関する。
合成中間体として重要な4−置換アゼチジノン誘導体の
製造方法に関する。
【従来の技術】カルバペネム系化合物の合成中間体とし
て一般式〔I′〕
て一般式〔I′〕
【化4】 (式中、R1 は保護されていてもよい水酸基もしくはハ
ロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基を、R2
は水素原子又はアルキル基を示す。)で表わされるカル
ボン酸誘導体が重要でその製造方法がいくつか提案され
ている。その中で特開昭62−252786号に一般式
〔II′〕
ロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基を、R2
は水素原子又はアルキル基を示す。)で表わされるカル
ボン酸誘導体が重要でその製造方法がいくつか提案され
ている。その中で特開昭62−252786号に一般式
〔II′〕
【化5】 〔式中、R1 及びR2 は前記と同じ意味を、Rは水素原
子又は容易に除去できるNの保護基を示し、rは置換基
を有していてもよい隣接する2個の炭素原子と一緒にな
って形成する芳香族基を、X′は酸素原子、硫黄原子、
SO、SO2 又はNr1 (r1 は水素原子、アルキル基
又はフェニル基を示す。)を、Y′は酸素原子、硫黄原
子又はNr2 (r2 は水素原子、アルキル基又はフェニ
ル基を示す。)を示す。〕で表わされる4−置換アゼチ
ジノンが容易に加水分解されて一般式〔I′〕で表わさ
れるカルボン酸誘導体になることが記載されている。ま
た、Tetrahedron Lett.Vol.27
5687〜5690 (1986)に一般式〔II″〕
子又は容易に除去できるNの保護基を示し、rは置換基
を有していてもよい隣接する2個の炭素原子と一緒にな
って形成する芳香族基を、X′は酸素原子、硫黄原子、
SO、SO2 又はNr1 (r1 は水素原子、アルキル基
又はフェニル基を示す。)を、Y′は酸素原子、硫黄原
子又はNr2 (r2 は水素原子、アルキル基又はフェニ
ル基を示す。)を示す。〕で表わされる4−置換アゼチ
ジノンが容易に加水分解されて一般式〔I′〕で表わさ
れるカルボン酸誘導体になることが記載されている。ま
た、Tetrahedron Lett.Vol.27
5687〜5690 (1986)に一般式〔II″〕
【化6】 (式中、X′は前記と同じ意味を示し、r3 及びr4 は
それぞれ水素原子又はメチル基を示す。)で表わされる
化合物が示されている。しかしながら、これらの一般式
〔II′〕及び〔II″〕で表わされる4−置換アゼチジノ
ン誘導体は高価なボロントリフレートあるいはスズトリ
フレートを使用して製造しており工業的に適していな
い。
それぞれ水素原子又はメチル基を示す。)で表わされる
化合物が示されている。しかしながら、これらの一般式
〔II′〕及び〔II″〕で表わされる4−置換アゼチジノ
ン誘導体は高価なボロントリフレートあるいはスズトリ
フレートを使用して製造しており工業的に適していな
い。
【課題を解決するための手段】本発明は一般式
【化7】 (式中、Rは水素原子又は容易に除去できるNの保護
基、R1 は保護されていてもよい水酸基もしくはハロゲ
ン原子で置換されていてもよいアルキル基を、Zは脱離
基を示す。)で表わされるアゼチジノン誘導体と一般式
基、R1 は保護されていてもよい水酸基もしくはハロゲ
ン原子で置換されていてもよいアルキル基を、Zは脱離
基を示す。)で表わされるアゼチジノン誘導体と一般式
【化8】 〔式中、R2 は水素原子又はアルキル基を;R3 は置換
基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフ
ェニル基を;Xは酸素原子あるいは硫黄原子を;Aは置
換基を有してもよいアルキレン基、置換基を有してもよ
いo−フェニレン基、置換基を有してもよいトルエン−
α,2−ジイル基、置換基を有してもよいo−キシレン
−α,α′−ジイル基を;BはSO2 、C=O、C=S
を示す。〕で表わされるエステルあるいはチオールエス
テル化合物とを一般式 M(Hal)n (R4 )m 〔V〕 (式中、Mは金属原子を、Halはハロゲン原子を、R
4 は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基、置換フェノキシ基、又はシクロペンタジエニル基
を、n及びmはそれぞれ0,1,2,3,4又は5でか
つn+mはMの原子価を示す。)で表わされる化合物及
び塩基の存在下で反応させることを特徴とする一般式
基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフ
ェニル基を;Xは酸素原子あるいは硫黄原子を;Aは置
換基を有してもよいアルキレン基、置換基を有してもよ
いo−フェニレン基、置換基を有してもよいトルエン−
α,2−ジイル基、置換基を有してもよいo−キシレン
−α,α′−ジイル基を;BはSO2 、C=O、C=S
を示す。〕で表わされるエステルあるいはチオールエス
テル化合物とを一般式 M(Hal)n (R4 )m 〔V〕 (式中、Mは金属原子を、Halはハロゲン原子を、R
4 は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基、置換フェノキシ基、又はシクロペンタジエニル基
を、n及びmはそれぞれ0,1,2,3,4又は5でか
つn+mはMの原子価を示す。)で表わされる化合物及
び塩基の存在下で反応させることを特徴とする一般式
【化9】 (式中、R、R1 、R2 、R3 、X、A及びBは前記と
同じ意味を示す。)で表わされる4−置換アゼチジノン
誘導体の製造方法である。R1 の水酸基の保護基とはt
ert−ブチルジメチルシリル、tert−ブチルジフ
ェニルシリル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリ
ル、トリイソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル
等のオルガノシリル基、p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル、アリ
ルオキシカルボニル等のオキシカルボニル基、アセチル
基、トリフェニルメチル基、ベンゾイル基、テトラヒド
ロピラニル基などが例示される。Nの保護基としては上
記で記載したシリル基、ベンジル基、p−ニトロベンジ
ル基、p−ニトロベンゾイルメチル基、ベンズヒドリル
基、p−メトキシベンジル基、2,4−ジメトキシベン
ジル基などが例示される。Zの脱離基としては、直鎖、
分枝または環状のアルカノイルオキシ、単環または双環
のヘテロ原子を有していてもよいアロイルオキシ、アリ
ールアルカノイルオキシ、アルキルスルホニルオキシ、
アリールスルホニルオキシ、カルバモイルオキシ、アル
コキシカルボキシ、アラルコキシカルボキシ、アルコキ
シアルカノイルオキシなどのアシルオキシ基、アルカノ
イルチオ、アロイルチオなどのアシルチオ基、アルキル
チオ、アリールチオなどのスルフェニル基、アルキルス
ルフィニル、アリールスルフィニルなどのスルフィニル
基、アルキルスルホニル、アリールスルホニルなどのス
ルホニル基、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子等
が例示できる。塩基としては第2、3級アミン類及びピ
リジン類が挙げられ、たとえばジメチルアミン、ジエチ
ルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルア
ミン等のアルキルアミン、N−メチルアニリン等のアル
キルアニリン、ピペリジン、ピロリジン、2,2,6,
6−テトラメチルピペリジン、モルホリン、ピペラジン
等の複素環状アミン等の第2級アミン、ジイソプロピル
エチルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、トリエチ
ルアミン等のアルキルアミン、N,N−ジメチルアニリ
ン等のジアルキルアニリン、1−エチルピペリジン、1
−メチルモルホリン、1−エチルピロリジン、1,4−
ジアザビシクロ〔2,2,2〕オクタン、1,8−ジア
ザビシクロ〔5,4,0〕ウンデス−7−エン等の複素
環状のアミンもしくはN,N,N′,N′−テトラメチ
ルエチレンジアミン等のジアミン類等の第3級アミン、
α,βまたはγ−ピリコン、2,3−、2,4−、2,
5−、2,6−、3,4−または3,5−ルチジン、
2,4,6−コリジン等のアルキルピリジン、ジメチル
アミノピリジンのようなジアルキルアミノピリジン、キ
ノリンのような縮合複素環化されたピリジン等のピリジ
ン類が例示できる。M(Hal)n (R4 )m で表わさ
れる化合物としてはTiCl4 、TiCl3 (OC
H3 )、TiCl3 (OC2 H5 )、TiCl3 (OC
3 H7 n )、TiCl3 (OC3 H7 i )、TiCl3
(OBun )、TiCl3 (OBui )、TiCl
3 (OBus )、TiCl3 (OBut )、TiCl2
(OCH3 )2 、TiCl2 (OC2 H5 )2 、TiC
l2 (OC3 H7 n )2 、TiCl2(OC3 H7 i )
2 、TiCl2 (OBun )2 、ZrCl4 、ZrCl
3 (OCH3 )、ZrCl3 (OC2 H5 )、ZrCl
3 (OC3 H7 n )、ZrCl3 (OC3 H7 i )、Z
rCl3 (OC4 H9 i )、ZrCl3 (OC
4 H9 s)、ZrCl3 (OC4 H9 t )、SnC
l4 、AlCl3 、Al(OCH3 )3 、Al(OC2
H5 )3 、Al(OC3 H7 i )3 、AlCl2 C2 H
5 、AlCl(C2 H5 )2 、Al(C2 H5 )3 、A
lCl2 CH3 、AlCl(CH3 )2 、Al(C
H3 )3 等が例示できる。一般式
同じ意味を示す。)で表わされる4−置換アゼチジノン
誘導体の製造方法である。R1 の水酸基の保護基とはt
ert−ブチルジメチルシリル、tert−ブチルジフ
ェニルシリル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリ
ル、トリイソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル
等のオルガノシリル基、p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル、アリ
ルオキシカルボニル等のオキシカルボニル基、アセチル
基、トリフェニルメチル基、ベンゾイル基、テトラヒド
ロピラニル基などが例示される。Nの保護基としては上
記で記載したシリル基、ベンジル基、p−ニトロベンジ
ル基、p−ニトロベンゾイルメチル基、ベンズヒドリル
基、p−メトキシベンジル基、2,4−ジメトキシベン
ジル基などが例示される。Zの脱離基としては、直鎖、
分枝または環状のアルカノイルオキシ、単環または双環
のヘテロ原子を有していてもよいアロイルオキシ、アリ
ールアルカノイルオキシ、アルキルスルホニルオキシ、
アリールスルホニルオキシ、カルバモイルオキシ、アル
コキシカルボキシ、アラルコキシカルボキシ、アルコキ
シアルカノイルオキシなどのアシルオキシ基、アルカノ
イルチオ、アロイルチオなどのアシルチオ基、アルキル
チオ、アリールチオなどのスルフェニル基、アルキルス
ルフィニル、アリールスルフィニルなどのスルフィニル
基、アルキルスルホニル、アリールスルホニルなどのス
ルホニル基、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子等
が例示できる。塩基としては第2、3級アミン類及びピ
リジン類が挙げられ、たとえばジメチルアミン、ジエチ
ルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルア
ミン等のアルキルアミン、N−メチルアニリン等のアル
キルアニリン、ピペリジン、ピロリジン、2,2,6,
6−テトラメチルピペリジン、モルホリン、ピペラジン
等の複素環状アミン等の第2級アミン、ジイソプロピル
エチルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、トリエチ
ルアミン等のアルキルアミン、N,N−ジメチルアニリ
ン等のジアルキルアニリン、1−エチルピペリジン、1
−メチルモルホリン、1−エチルピロリジン、1,4−
ジアザビシクロ〔2,2,2〕オクタン、1,8−ジア
ザビシクロ〔5,4,0〕ウンデス−7−エン等の複素
環状のアミンもしくはN,N,N′,N′−テトラメチ
ルエチレンジアミン等のジアミン類等の第3級アミン、
α,βまたはγ−ピリコン、2,3−、2,4−、2,
5−、2,6−、3,4−または3,5−ルチジン、
2,4,6−コリジン等のアルキルピリジン、ジメチル
アミノピリジンのようなジアルキルアミノピリジン、キ
ノリンのような縮合複素環化されたピリジン等のピリジ
ン類が例示できる。M(Hal)n (R4 )m で表わさ
れる化合物としてはTiCl4 、TiCl3 (OC
H3 )、TiCl3 (OC2 H5 )、TiCl3 (OC
3 H7 n )、TiCl3 (OC3 H7 i )、TiCl3
(OBun )、TiCl3 (OBui )、TiCl
3 (OBus )、TiCl3 (OBut )、TiCl2
(OCH3 )2 、TiCl2 (OC2 H5 )2 、TiC
l2 (OC3 H7 n )2 、TiCl2(OC3 H7 i )
2 、TiCl2 (OBun )2 、ZrCl4 、ZrCl
3 (OCH3 )、ZrCl3 (OC2 H5 )、ZrCl
3 (OC3 H7 n )、ZrCl3 (OC3 H7 i )、Z
rCl3 (OC4 H9 i )、ZrCl3 (OC
4 H9 s)、ZrCl3 (OC4 H9 t )、SnC
l4 、AlCl3 、Al(OCH3 )3 、Al(OC2
H5 )3 、Al(OC3 H7 i )3 、AlCl2 C2 H
5 、AlCl(C2 H5 )2 、Al(C2 H5 )3 、A
lCl2 CH3 、AlCl(CH3 )2 、Al(C
H3 )3 等が例示できる。一般式
【化10】 で表わされる置換基(以下、補助基という。)としては
以下のものが例示できる。
以下のものが例示できる。
【化11】
【化12】 反応は塩化メチレン、クロロホルム等の塩素系溶媒、ク
ロロベンゼン、トルエン等の芳香族系溶媒、テトラヒド
ロフラン(THF)、アセトニトリル等の極性溶媒等の
有機溶媒中、一般式〔IV〕で表わされるエステルあるい
はチオールエステル化合物と一般式〔V〕で表わされる
化合物及びアミン、アニリン又はピリジン類とでエノレ
ートを生成させこのエノレートと一般式〔III 〕で表わ
されるアゼチジノン誘導体とを反応させる。反応温度は
エノレートの生成及びエノレートとアゼチジノン誘導体
との反応とも−50°〜100℃、好ましくは−20°
〜50℃で行なう。反応のモル比は一般式〔III 〕で表
わされるアゼチジノン誘導体1モルに対し、一般式〔I
V〕で表わされるエステルあるいはチオールエステル化
合物1〜8モル、一般式〔V〕で表わされる化合物1〜
8モル、塩基2〜8モルである。また、R2 がメチル基
等のアルキル基の場合、一般式〔IV〕で表わされるエス
テルあるいはチオールエステル化合物と一般式〔V〕で
表わされる化合物あるいはアミンのモル比あるいは補助
基の種類により生成するα−体とβ−体の割合が異る。
DMF、THF、アセトニトリル等の極性溶媒を添加す
ることにより目的のβ−体の生成比を高くすることもで
きる。反応終了後は通常の後処理を行なうことにより、
目的物を単離することができる。また、単離せずにその
まま加水分解させ一般式〔I〕
ロロベンゼン、トルエン等の芳香族系溶媒、テトラヒド
ロフラン(THF)、アセトニトリル等の極性溶媒等の
有機溶媒中、一般式〔IV〕で表わされるエステルあるい
はチオールエステル化合物と一般式〔V〕で表わされる
化合物及びアミン、アニリン又はピリジン類とでエノレ
ートを生成させこのエノレートと一般式〔III 〕で表わ
されるアゼチジノン誘導体とを反応させる。反応温度は
エノレートの生成及びエノレートとアゼチジノン誘導体
との反応とも−50°〜100℃、好ましくは−20°
〜50℃で行なう。反応のモル比は一般式〔III 〕で表
わされるアゼチジノン誘導体1モルに対し、一般式〔I
V〕で表わされるエステルあるいはチオールエステル化
合物1〜8モル、一般式〔V〕で表わされる化合物1〜
8モル、塩基2〜8モルである。また、R2 がメチル基
等のアルキル基の場合、一般式〔IV〕で表わされるエス
テルあるいはチオールエステル化合物と一般式〔V〕で
表わされる化合物あるいはアミンのモル比あるいは補助
基の種類により生成するα−体とβ−体の割合が異る。
DMF、THF、アセトニトリル等の極性溶媒を添加す
ることにより目的のβ−体の生成比を高くすることもで
きる。反応終了後は通常の後処理を行なうことにより、
目的物を単離することができる。また、単離せずにその
まま加水分解させ一般式〔I〕
【化13】 (式中、R、R1 及びR2 は前記と同じ意味を示す。)
で表わされるカルボン酸誘導体に導くことも可能であ
る。
で表わされるカルボン酸誘導体に導くことも可能であ
る。
【実施例】次に実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例1 2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸 2−メチル−2−(P
−トルエンスルホンアミド)プロピルエステルの製法
る。 実施例1 2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸 2−メチル−2−(P
−トルエンスルホンアミド)プロピルエステルの製法
【化14】 プロピオン酸 2−メチルエ−2−(p−トルエンスル
ホンアミド)プロピルエステル(3.0g,10ミリモ
ル)の塩化メチレン(20ml)溶液を0℃に冷却し四
塩化チタン(1.9g,10ミリモル)の塩化メチレン
(2.5ml)溶液を加えた。0℃で30分撹拌後、
N,N−ジイソプロピルエチルアミン(2.6g,20
ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を0℃で
加え、同温度で1時間熟成させることによってチタンエ
ノラート溶液を調整した。これとは別に(3R,4R)
−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−tert−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−2−オン
(1.44g,5ミリモル)の塩化メチレン(20m
l)溶液を−15℃に冷却し、四塩化チタン(0.95
g,5ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を
加えた。−15℃で30分撹拌後得られた混合液に前に
調整したチタンエノラート溶液を加え、0℃で2時間熟
成した後、20℃に昇温し、さらに8時間熟成した。得
られた混合液を0℃に冷却し、10%炭酸水素ナトリウ
ム水溶液(50ml)を撹拌しながら添加した。不溶物
を濾過によって取り除いた後、濾液より分離した塩化メ
チレン層を水洗した。それをさらに硫酸マグネシウムで
乾燥させた後溶媒を減圧で留去して油状物質を得た。そ
れをシリカゲルクロマトグラフィで精製しβ−メチルお
よびα−メチル誘導体の混合物を1.5g得た。得られ
たβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物の 1H
NMR(270MHz,CDCl3 )δ:7.78
(d,2H),7.27(d,2H),6.90(s,
1H),5.89(s,1H),3.90〜4.30
(m,3H),3.69(q,1H),2.81(d,
1H),2.44〜2.58(m,1H),2.41
(bs,3H),1.10〜1.30(m,12H),
0.88(s,9H),0.08(d,6H) 実施例2 2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸 2−メチル−2−(P
−トルエンスルホンアミド)プロピルエステルの製法
ホンアミド)プロピルエステル(3.0g,10ミリモ
ル)の塩化メチレン(20ml)溶液を0℃に冷却し四
塩化チタン(1.9g,10ミリモル)の塩化メチレン
(2.5ml)溶液を加えた。0℃で30分撹拌後、
N,N−ジイソプロピルエチルアミン(2.6g,20
ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を0℃で
加え、同温度で1時間熟成させることによってチタンエ
ノラート溶液を調整した。これとは別に(3R,4R)
−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−tert−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−2−オン
(1.44g,5ミリモル)の塩化メチレン(20m
l)溶液を−15℃に冷却し、四塩化チタン(0.95
g,5ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を
加えた。−15℃で30分撹拌後得られた混合液に前に
調整したチタンエノラート溶液を加え、0℃で2時間熟
成した後、20℃に昇温し、さらに8時間熟成した。得
られた混合液を0℃に冷却し、10%炭酸水素ナトリウ
ム水溶液(50ml)を撹拌しながら添加した。不溶物
を濾過によって取り除いた後、濾液より分離した塩化メ
チレン層を水洗した。それをさらに硫酸マグネシウムで
乾燥させた後溶媒を減圧で留去して油状物質を得た。そ
れをシリカゲルクロマトグラフィで精製しβ−メチルお
よびα−メチル誘導体の混合物を1.5g得た。得られ
たβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物の 1H
NMR(270MHz,CDCl3 )δ:7.78
(d,2H),7.27(d,2H),6.90(s,
1H),5.89(s,1H),3.90〜4.30
(m,3H),3.69(q,1H),2.81(d,
1H),2.44〜2.58(m,1H),2.41
(bs,3H),1.10〜1.30(m,12H),
0.88(s,9H),0.08(d,6H) 実施例2 2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸 2−メチル−2−(P
−トルエンスルホンアミド)プロピルエステルの製法
【化15】 プロピオン酸 1−フェニル−2−(p−トルエンスル
ホンアミド)プロピルエステル(3.6g,10ミリモ
ル)の塩化メチレン(25ml)溶液を0℃に冷却し四
塩化チタン(1.9g,10ミリモル)の塩化メチレン
(2.5ml)溶液を加えた。0℃で30分撹拌後、
N,N−ジイソプロピルエチルアミン(2.6g,20
ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を0℃で
加え、同温度で1時間熟成させることによってチタンエ
ノラート溶液を調整した。これとは別に(3R,4R)
−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−tert−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−2−オン
(1.44g,4.16ミリモル)の塩化メチレン(2
0ml)溶液を−15℃に冷却し、四塩化チタン(0.
95g,5ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶
液を加えた。−15℃で30分撹拌後得られた混合液に
前に調整したチタンエノラート溶液を加え、0℃で2時
間熟成した後、20℃に昇温し、さらに8時間熟成し
た。得られた混合液を0℃に冷却し、10%炭酸水素ナ
トリウム水溶液(50ml)を撹拌しながら添加した。
不溶物を濾過によって取り除いた後、濾液より分離した
塩化メチレン層を水洗した。それをさらに硫酸マグネシ
ウムで乾燥させた後溶媒を減圧で留去して油状物質を得
た。それをシリカゲルクロマトグラフィで精製しβ−メ
チルおよびα−メチル誘導体の混合物を1.6g得た。
得られたβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物の
1H NMR(270MHz,CDCl3 )δ:7.7
1(d,2H),7.10〜7.40(m,7H),
(6.91(s),6.71(s),1H),(5.7
5(d),5.71(d),1H),(5.44
(d),5.39(d),1H),4.10〜4.3
(m,1H),3.65〜3.85(m,2H),2.
75〜2.85(m,1H),2.50〜2.75
(m,1H),2.41(s,3H),1.10〜1.
40(m,6H),0.88(s,9H),0.80〜
1.00(m,3H),0.06(d,6H) 実施例3 2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸 1−フェニル−2−
(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエステルの製
法
ホンアミド)プロピルエステル(3.6g,10ミリモ
ル)の塩化メチレン(25ml)溶液を0℃に冷却し四
塩化チタン(1.9g,10ミリモル)の塩化メチレン
(2.5ml)溶液を加えた。0℃で30分撹拌後、
N,N−ジイソプロピルエチルアミン(2.6g,20
ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を0℃で
加え、同温度で1時間熟成させることによってチタンエ
ノラート溶液を調整した。これとは別に(3R,4R)
−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−tert−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−2−オン
(1.44g,4.16ミリモル)の塩化メチレン(2
0ml)溶液を−15℃に冷却し、四塩化チタン(0.
95g,5ミリモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶
液を加えた。−15℃で30分撹拌後得られた混合液に
前に調整したチタンエノラート溶液を加え、0℃で2時
間熟成した後、20℃に昇温し、さらに8時間熟成し
た。得られた混合液を0℃に冷却し、10%炭酸水素ナ
トリウム水溶液(50ml)を撹拌しながら添加した。
不溶物を濾過によって取り除いた後、濾液より分離した
塩化メチレン層を水洗した。それをさらに硫酸マグネシ
ウムで乾燥させた後溶媒を減圧で留去して油状物質を得
た。それをシリカゲルクロマトグラフィで精製しβ−メ
チルおよびα−メチル誘導体の混合物を1.6g得た。
得られたβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物の
1H NMR(270MHz,CDCl3 )δ:7.7
1(d,2H),7.10〜7.40(m,7H),
(6.91(s),6.71(s),1H),(5.7
5(d),5.71(d),1H),(5.44
(d),5.39(d),1H),4.10〜4.3
(m,1H),3.65〜3.85(m,2H),2.
75〜2.85(m,1H),2.50〜2.75
(m,1H),2.41(s,3H),1.10〜1.
40(m,6H),0.88(s,9H),0.80〜
1.00(m,3H),0.06(d,6H) 実施例3 2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸 1−フェニル−2−
(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエステルの製
法
【化16】 プロピオン酸 1−フェニル−2−(p−トルエンスル
ホンアミド)プロピルエステル(3.0g,8.31ミ
リモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を0℃に冷
却し四塩化チタン(1.58g,8.31ミリモル)の
塩化メチレン(2.5ml)溶液を加えた。0℃で30
分撹拌後、N,N−ジイソプロピルエチルアミン(2.
15g,16.6ミリモル)の塩化メチレン(2.5m
l)溶液を加え同温度で1時間熟成させた。得られた混
合物中に(3R,4R)−4−アセトキシ−3−
〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリロキシエ
チル〕アゼチジン−2−オン(1.19g,4.16ミ
リモル)の塩化メチレン(5ml)溶液を−15℃で加
え、0℃で2時間熟成後20℃に昇温し、さらに8時間
熟成した。得られた混合液を0℃に冷却し、10%炭酸
水素ナトリウム水溶液(50ml)を撹拌しながら添加
した。不溶物を濾過によって取り除いた後、濾液より分
離した塩化メチレン層を水洗した。それをさらに硫酸マ
グネシウムで乾燥させた後溶媒を減圧で留去して油状物
質を得た。それをシリカゲルクロマトグラフィで精製し
β−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物を1.38
g得た。得られたβ−メチルおよびα−メチル誘導体の
混合物の 1H NMR(270MHz,CDCl3 )
δ:7.71(d,2H),7.10〜7.40(m,
7H),(6.91(s),6.71(s),1H),
(5.75(d),5.71(d),1H),(5.4
4(d),5.39(d),1H),4.10〜4.3
(m,1H),3.65〜3.85(m,2H),2.
75〜2.85(m,1H),2.50〜2.75
(m,1H),2.41(s,3H),1.10〜1.
40(m,6H),0.88(s,9H),0.80〜
1.00(m,3H),0.06(d,6H) 参考例1 2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸の製造:
ホンアミド)プロピルエステル(3.0g,8.31ミ
リモル)の塩化メチレン(2.5ml)溶液を0℃に冷
却し四塩化チタン(1.58g,8.31ミリモル)の
塩化メチレン(2.5ml)溶液を加えた。0℃で30
分撹拌後、N,N−ジイソプロピルエチルアミン(2.
15g,16.6ミリモル)の塩化メチレン(2.5m
l)溶液を加え同温度で1時間熟成させた。得られた混
合物中に(3R,4R)−4−アセトキシ−3−
〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリロキシエ
チル〕アゼチジン−2−オン(1.19g,4.16ミ
リモル)の塩化メチレン(5ml)溶液を−15℃で加
え、0℃で2時間熟成後20℃に昇温し、さらに8時間
熟成した。得られた混合液を0℃に冷却し、10%炭酸
水素ナトリウム水溶液(50ml)を撹拌しながら添加
した。不溶物を濾過によって取り除いた後、濾液より分
離した塩化メチレン層を水洗した。それをさらに硫酸マ
グネシウムで乾燥させた後溶媒を減圧で留去して油状物
質を得た。それをシリカゲルクロマトグラフィで精製し
β−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物を1.38
g得た。得られたβ−メチルおよびα−メチル誘導体の
混合物の 1H NMR(270MHz,CDCl3 )
δ:7.71(d,2H),7.10〜7.40(m,
7H),(6.91(s),6.71(s),1H),
(5.75(d),5.71(d),1H),(5.4
4(d),5.39(d),1H),4.10〜4.3
(m,1H),3.65〜3.85(m,2H),2.
75〜2.85(m,1H),2.50〜2.75
(m,1H),2.41(s,3H),1.10〜1.
40(m,6H),0.88(s,9H),0.80〜
1.00(m,3H),0.06(d,6H) 参考例1 2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸の製造:
【化17】 実施例1で得た2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−
1−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2
−オキソアゼチジン−4−イル〕プロピオン酸2−メチ
ル−2−(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエス
テルのβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物
(0.79g,1.5ミリモル)のメタノール−THF
混合溶液(1:1,12ml)にLiOH・H2 O
(0.13g,3.0ミリモル)を室温で添加した。室
温で8時間撹拌後溶媒を減圧で留去した。残渣に水10
mlを加えて得た水溶液を塩化メチレン(20ml)で
洗浄した後、その水溶液中に35%塩酸を室温で添加し
pHを3.0に調整した。析出した結晶を濾取、乾燥し
2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸のβ−メチル体およびα
−メチル体の混合物を0.30g(β−メチル体:α−
メチル体=22:78)得た。 参考例2 2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸の製造:
1−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2
−オキソアゼチジン−4−イル〕プロピオン酸2−メチ
ル−2−(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエス
テルのβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物
(0.79g,1.5ミリモル)のメタノール−THF
混合溶液(1:1,12ml)にLiOH・H2 O
(0.13g,3.0ミリモル)を室温で添加した。室
温で8時間撹拌後溶媒を減圧で留去した。残渣に水10
mlを加えて得た水溶液を塩化メチレン(20ml)で
洗浄した後、その水溶液中に35%塩酸を室温で添加し
pHを3.0に調整した。析出した結晶を濾取、乾燥し
2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸のβ−メチル体およびα
−メチル体の混合物を0.30g(β−メチル体:α−
メチル体=22:78)得た。 参考例2 2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸の製造:
【化18】 実施例3で得た2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−
1−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2
−オキソアゼチジン−4−イル〕プロピオン酸1−フェ
ニル−2−(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエ
ステルのβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物
(0.88g,1.5ミリモル)のメタノール−THF
混合溶液(1:1,18ml)にLiOH・H2 O
(0.126g,3.0ミリモル)を室温で添加した。
室温で8時間撹拌後溶媒を減圧で留去した。残渣に水1
5mlを加えて得た水溶液を塩化メチレン(30ml)
で洗浄した後、その水溶液中に35%塩酸を室温で添加
しpHを3.0に調整した。析出した結晶を濾取、乾燥
し2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼ
チジン−4−イル〕プロピオン酸のβ−メチル体および
α−メチル体の混合物を0.32g(β−メチル体:α
−メチル体=26:74)得た。 参考例3 2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸の製造:
1−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2
−オキソアゼチジン−4−イル〕プロピオン酸1−フェ
ニル−2−(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエ
ステルのβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物
(0.88g,1.5ミリモル)のメタノール−THF
混合溶液(1:1,18ml)にLiOH・H2 O
(0.126g,3.0ミリモル)を室温で添加した。
室温で8時間撹拌後溶媒を減圧で留去した。残渣に水1
5mlを加えて得た水溶液を塩化メチレン(30ml)
で洗浄した後、その水溶液中に35%塩酸を室温で添加
しpHを3.0に調整した。析出した結晶を濾取、乾燥
し2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼ
チジン−4−イル〕プロピオン酸のβ−メチル体および
α−メチル体の混合物を0.32g(β−メチル体:α
−メチル体=26:74)得た。 参考例3 2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼチ
ジン−4−イル〕プロピオン酸の製造:
【化19】 実施例5で得た2−〔(3S,4R)−3−〔(R)−
1−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2
−オキソアゼチジン−4−イル〕プロピオン酸1−フェ
ニル−2−(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエ
ステルのβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物
(0.60g,1.0ミリモル)のメタノール−THF
混合溶液(1:1,12ml)にLiOH・H2 O
(0.084g,2.0ミリモル)を室温で添加した。
室温で8時間撹拌後溶媒を減圧で留去した。残渣に水1
0mlを加えて得た水溶液を塩化メチレン(20ml)
で洗浄した後、その水溶液中に35%塩酸を室温で添加
しpHを3.0に調整した。析出した結晶を濾取、乾燥
し2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼ
チジン−4−イル〕プロピオン酸のβ−メチル体および
α−メチル体の混合物を0.20g(β−メチル体:α
−メチル体=25:75)得た。
1−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2
−オキソアゼチジン−4−イル〕プロピオン酸1−フェ
ニル−2−(P−トルエンスルホンアミド)プロピルエ
ステルのβ−メチルおよびα−メチル誘導体の混合物
(0.60g,1.0ミリモル)のメタノール−THF
混合溶液(1:1,12ml)にLiOH・H2 O
(0.084g,2.0ミリモル)を室温で添加した。
室温で8時間撹拌後溶媒を減圧で留去した。残渣に水1
0mlを加えて得た水溶液を塩化メチレン(20ml)
で洗浄した後、その水溶液中に35%塩酸を室温で添加
しpHを3.0に調整した。析出した結晶を濾取、乾燥
し2−〔(3S,4S)−3−〔(R)−1−tert
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−2−オキソアゼ
チジン−4−イル〕プロピオン酸のβ−メチル体および
α−メチル体の混合物を0.20g(β−メチル体:α
−メチル体=25:75)得た。
【発明の効果】本発明の製造方法は安価でしかも取扱い
やすい一般式〔V〕で表わされる化合物を使用した工業
的に優れた製造方法である。また、本発明により製造さ
れる4−置換アゼチジノン誘導体は容易に加水分解され
カルバペネム系化合物の重要中間体であるカルボン酸に
誘導できる。
やすい一般式〔V〕で表わされる化合物を使用した工業
的に優れた製造方法である。また、本発明により製造さ
れる4−置換アゼチジノン誘導体は容易に加水分解され
カルバペネム系化合物の重要中間体であるカルボン酸に
誘導できる。
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 (式中、Rは水素原子又は容易に除去できるNの保護
基、R1 は保護されていてもよい水酸基もしくはハロゲ
ン原子で置換されていてもよいアルキル基を、Zは脱離
基を示す。)で表わされるアゼチジノン誘導体と一般式 【化2】 〔式中、R2 は水素原子又はアルキル基を;R3 は置換
基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフ
ェニル基を;Xは酸素原子あるいは硫黄原子を;Aは置
換基を有してもよいアルキレン基、置換基を有してもよ
いo−フェニレン基、置換基を有してもよいトルエン−
α,2−ジイル基、置換基を有してもよいo−キシレン
−α,α′−ジイル基を;BはSO2 、C=O、C=S
を示す。〕で表わされるエステルあるいはチオールエス
テル化合物とを一般式 M(Hal)n (R4 )m 〔V〕 (式中、Mは金属原子を、Halはハロゲン原子を、R
4 は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基、置換フェノキシ基、又はシクロペンタジエニル基
を、n及びmはそれぞれ0,1,2,3,4又は5でか
つ、n+mはMの原子価を示す。)で表わされる化合物
及び塩基の存在下で反応させることを特徴とする一般式 【化3】 (式中、R、R1 、R2 、R3 、X、A及びBは前記と
同じ意味を示す。)で表わされる4−置換アゼチジノン
誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 MがTi、Zr、又はSnであり、m+
nが4である請求項1の製造方法。 - 【請求項3】 MがAlであり、m+nが3である請求
項1の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5195333A JPH0725848A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 4−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5195333A JPH0725848A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 4−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0725848A true JPH0725848A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=16339432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5195333A Pending JPH0725848A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 4−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0725848A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0974582A1 (en) * | 1998-07-24 | 2000-01-26 | Takasago International Corporation | Process for the preparation of 4-substituted azetidinone derivatives |
KR100335848B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2002-05-08 | 윤재승 | 아제티디논 유도체, 그 제조방법 및 이를 이용한1-β-알킬아제티디논의 제조방법 |
WO2007145260A1 (ja) | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Kaneka Corporation | アゼチジノンカルボン酸の改良された晶析方法 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP5195333A patent/JPH0725848A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0974582A1 (en) * | 1998-07-24 | 2000-01-26 | Takasago International Corporation | Process for the preparation of 4-substituted azetidinone derivatives |
KR100335848B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2002-05-08 | 윤재승 | 아제티디논 유도체, 그 제조방법 및 이를 이용한1-β-알킬아제티디논의 제조방법 |
WO2007145260A1 (ja) | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Kaneka Corporation | アゼチジノンカルボン酸の改良された晶析方法 |
US8232389B2 (en) | 2006-06-16 | 2012-07-31 | Kaneka Corporation | Method for crystallization of azetidinonecarboxylic acid |
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