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JPH07161859A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPH07161859A
JPH07161859A JP30935593A JP30935593A JPH07161859A JP H07161859 A JPH07161859 A JP H07161859A JP 30935593 A JP30935593 A JP 30935593A JP 30935593 A JP30935593 A JP 30935593A JP H07161859 A JPH07161859 A JP H07161859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
glass lid
sealant
outer peripheral
sealing agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30935593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masashi Sugimura
村 正 史 杉
Keisuke Maemura
村 敬 介 前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP30935593A priority Critical patent/JPH07161859A/en
Publication of JPH07161859A publication Critical patent/JPH07161859A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor device which simplify the application process of a sealing without incurring the adhesion of foreign matter or damage of itself and improves the reliability by improving the sealing property. CONSTITUTION:In a semiconductor device where a glass lid 20 is bonded to a package through a sealing agent after a semiconductor chip is fixed inside the package, the adhesive face for the sealing agent of the glass lid is roughened.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、外囲器にガラスリッド
が接着され、固体撮像素子及びEPROM等の半導体装
置に関し、詳しくは、ガラスリッドへの異物の付着・損
傷を招くことなく、ガラスリッドへのシール剤の塗布工
程の簡略化を図ると共に、シール性を改善して信頼性の
向上を図った半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device such as a solid-state image pickup device and an EPROM in which a glass lid is adhered to an envelope, and more specifically, to a glass lid without causing foreign matter to adhere to or damage the glass lid. The present invention relates to a semiconductor device that simplifies the process of applying a sealant to a lid and improves the sealability to improve reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】固体撮像素子及びEPROM等の半導体
装置として、図5に示すようなものがある。すなわち、
アルミナで形成されたウィンドフレーム1aとベースフ
レーム1bとをリードフレーム2を挾んで低融点ガラス
11で接着してなる外囲器で、リードフレーム2の中央
にはベッド部2bが形成されている。このベッド部2b
の中央部には、CCDイメージセンサの半導体チップ
(固体撮像素子)3が導電性接着剤層4を介して接着さ
れ、この半導体チップ3の内部表面に形成された複数の
電極(図示せず)と、外囲器1の側壁から導入されたリ
ード2aの先端のインナーリードとはアルミニウム、金
等のボンディングワイヤ5により夫々接続されている。
2. Description of the Related Art As a semiconductor device such as a solid-state image sensor and an EPROM, there is one as shown in FIG. That is,
This is an envelope in which a window frame 1a made of alumina and a base frame 1b are sandwiched by a lead frame 2 and bonded with a low melting point glass 11, and a bed portion 2b is formed at the center of the lead frame 2. This bed part 2b
A semiconductor chip (solid-state image sensor) 3 of a CCD image sensor is adhered to the central portion of the semiconductor chip 3 via a conductive adhesive layer 4, and a plurality of electrodes (not shown) formed on the inner surface of the semiconductor chip 3 And the inner lead at the tip of the lead 2a introduced from the side wall of the envelope 1 are connected by a bonding wire 5 of aluminum, gold or the like.

【0003】さらに、外囲器1の上面、即ち光を導入す
る側には、透明のガラスリッド6がシール剤7により密
閉的に接着されている。
Further, a transparent glass lid 6 is hermetically adhered by a sealant 7 to the upper surface of the envelope 1, that is, the side on which light is introduced.

【0004】半導体装置の製造時には、図6に示すよう
なスクリーン印刷を利用した方法、又は、図7に示すよ
うな焼付けを利用した方法等によって、ガラスリッド6
の外周部にシール剤7が塗布されている。
At the time of manufacturing a semiconductor device, the glass lid 6 is manufactured by a method using screen printing as shown in FIG. 6 or a method using baking as shown in FIG.
A sealant 7 is applied to the outer peripheral portion of the.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図6のスクリーン印刷
による方法では、スクリーン8にシール剤7が載置され
て準備され、ガラスリッド6には、シール剤を塗布しな
い箇所を被覆するためのマスキング9が載置される。こ
れにより、スクリーン8が降下してガラスリッド6に押
付けられ、マスキング9が施された以外のガラスリッド
6の外周部に、シール剤7が塗布される。また、この方
法では、所望のシール剤の厚さを確保するため、このス
クリーン8による塗布の工程が複数回繰り返されてい
る。
In the method of screen printing shown in FIG. 6, a sealing agent 7 is placed on the screen 8 to be prepared, and the glass lid 6 is masked to cover a portion where the sealing agent is not applied. 9 is placed. As a result, the screen 8 descends and is pressed against the glass lid 6, and the sealant 7 is applied to the outer peripheral portion of the glass lid 6 except where the masking 9 is applied. Further, in this method, in order to secure a desired thickness of the sealant, the coating process using the screen 8 is repeated a plurality of times.

【0006】しかしながら、この方法では、複数回の塗
布工程が煩雑であると共に、複数回塗布を繰り返すこと
により、マスキング9が施されたガラスリッド6の部分
に、マスキング9からの異物が付着すること、またはこ
の部分が損傷するといった問題があった。
[0006] However, in this method, the coating process is complicated a plurality of times, and by repeating the coating a plurality of times, foreign matter from the masking 9 adheres to the portion of the glass lid 6 on which the masking 9 has been applied. Or, there was a problem that this part was damaged.

【0007】次に、図7に示す焼付けによる方法では、
図7(a)に示すように、ガラスリッド6の外周部に、
スクリーン印刷の手法を利用して、アンダーコート10
が塗布され、その上に、所望の厚さに成形されたシール
剤7aが載置されて焼付けられる。これにより、シール
剤7aがガラスリッド6の外周部に塗布されている。上
記アンダーコートを塗布する理由としては、図7(b)
に示すように、アンダーコートが塗布されずにシール剤
7aが焼付けられると、シール剤7aが収縮し、シール
剤7aが所望の形状に塗布されないからである。
Next, in the method by baking shown in FIG.
As shown in FIG. 7A, on the outer peripheral portion of the glass lid 6,
Undercoat 10 using screen printing technique
Is applied, and the sealing agent 7a molded to have a desired thickness is placed and baked on it. As a result, the sealant 7a is applied to the outer peripheral portion of the glass lid 6. The reason for applying the undercoat is shown in FIG.
This is because, as shown in, when the sealing agent 7a is baked without applying the undercoat, the sealing agent 7a shrinks and the sealing agent 7a is not applied in a desired shape.

【0008】この方法では、シール剤7aの塗布回数は
一回で済み塗布回数自体は少なくよい。しかし、アンダ
ーコート10はスクリーン印刷の技術により塗布されて
いるため、マスキングを施すことが必要とされ、このマ
スキングによって、ガラスリッド6に異物が付着するこ
と、または、ガラスリッド6が損傷するといった問題が
あった。
In this method, the sealing agent 7a need only be applied once, and the number of times of application itself can be small. However, since the undercoat 10 is applied by the screen printing technique, it is necessary to apply masking, and this masking causes a problem that foreign matter is attached to the glass lid 6 or the glass lid 6 is damaged. was there.

【0009】さらに、シール剤としてエポキシ樹脂等の
有機シール剤が用いられる場合には特に、有機シールの
界面から水分が浸入し、半導体チップが劣化されるとい
ったことがある。そのため、半導体装置としての信頼性
を確保するため、シール剤が塗布されるシール幅を広く
する必要があった。
Further, when an organic sealant such as an epoxy resin is used as the sealant, moisture may enter from the interface of the organic seal, which may deteriorate the semiconductor chip. Therefore, in order to secure reliability as a semiconductor device, it is necessary to widen the seal width to which the sealant is applied.

【0010】本発明は、上述したような事情に鑑みてな
されたものであって、異物の付着・損傷を招くことな
く、シール剤の塗布工程の簡略化を図ると共に、シール
性を改善して信頼性の向上を図った半導体装置を提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and simplifies the step of applying a sealant and improves the sealing property without causing adhesion and damage of foreign matter. It is to provide a semiconductor device with improved reliability.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この目的達成のため、本
発明に係る半導体装置は、外囲器の内部に半導体チップ
が固定された後、外囲器にシール剤を介してガラスリッ
ドが接着されて上記半導体チップが封止されてなる半導
体装置において、上記ガラスリッドのシール剤の接着面
が粗面に形成されていることを特徴としている。
To achieve this object, in a semiconductor device according to the present invention, after a semiconductor chip is fixed inside an envelope, a glass lid is bonded to the envelope via a sealant. The semiconductor device obtained by sealing the semiconductor chip is characterized in that the adhesive surface of the sealing agent of the glass lid is formed to be a rough surface.

【0012】[0012]

【作用】このように、本発明では、ガラスリッドのシー
ル剤の接着面が粗面に形成され、シール剤の高い接着性
が確保されている。そのため、シール剤を焼付け方法に
より塗布すれば、アンダーコートを不要にでき、マスキ
ングを施す工程が不要となり、これにより、マスキング
に伴う異物の付着、損傷の発生を防止することができ
る。また、このようにすれば、塗布回数が一回で済み、
塗布工程の簡略化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, the adhesive surface of the sealant of the glass lid is formed to be a rough surface, and high adhesiveness of the sealant is secured. Therefore, if the sealing agent is applied by the baking method, the undercoat can be eliminated and the masking step can be eliminated, thereby preventing foreign matter from adhering or being damaged due to the masking. In addition, by doing this, the number of times of application is only one,
The coating process can be simplified.

【0013】さらに、ガラスリッドのシール剤の接着面
が粗面に形成されているため、接着性の向上を図ること
ができ、半導体装置の信頼性を向上することができる。
このように信頼性の向上を図れる結果、シール幅がたと
え短くされたとしても、従来と同様の信頼性の確保で
き、その結果、半導体装置の縮小化が可能となる。
Further, since the adhesive surface of the glass lid sealant is formed to be rough, the adhesiveness can be improved and the reliability of the semiconductor device can be improved.
As a result of improving the reliability as described above, even if the seal width is shortened, the same reliability as the conventional one can be secured, and as a result, the semiconductor device can be downsized.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例に係る半導体装置を図
面を参照しつつ説明する。図1は、本発明の一実施例に
係る半導体装置の分解斜視図であり、図2は、図1の
[2]−[2]線に沿う断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is an exploded perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line [2]-[2] of FIG.

【0015】図1及び図2に示すように、半導体装置の
外囲器に接着されるガラスリッド20の外周部21が粗
面に形成されている。この粗面の形成方法については後
述する。この粗面の外周部21を有するガラスリッド2
0に、例えば焼付け方法によってシール剤が塗布される
際には、図1に示すように、プレス成形により枠状に成
形された低融点ガラスのシール剤22が粗面の外周部2
1に載置されて焼成されて、シール剤22が外周部21
に焼付けられている。このとき、外周部21が粗面であ
るため、シール剤が外周部21になじみ易く、従来のよ
うに鏡面に直接焼付けを行ったときのように、シール剤
の収縮がなく、その結果、アンダーコートが不要とな
る。これにより、アンダーコートのマスキングを施す工
程が不要となり、その結果、マスキングに伴う異物の付
着、損傷の発生を防止することができる。また、このよ
うにすれば、シール剤22の塗布回数が一回で済み、塗
布工程の簡略化を図ることができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the outer peripheral portion 21 of the glass lid 20 bonded to the envelope of the semiconductor device is formed in a rough surface. The method of forming this rough surface will be described later. A glass lid 2 having this rough outer peripheral portion 21
0, for example, when the sealing agent is applied by a baking method, as shown in FIG. 1, the sealing agent 22 of the low melting point glass molded into a frame shape by press molding is applied to the outer peripheral portion 2 of the rough surface.
1 is placed on the outer peripheral portion 21 and baked.
It has been burned into. At this time, since the outer peripheral portion 21 is a rough surface, the sealing agent easily fits into the outer peripheral portion 21, and there is no contraction of the sealing agent as in the case where the mirror surface is directly baked as in the conventional case. No coat is needed. As a result, the step of masking the undercoat becomes unnecessary, and as a result, it is possible to prevent foreign matter from adhering or being damaged due to masking. Further, in this case, the number of times of applying the sealant 22 is only one, and the applying step can be simplified.

【0016】さらに、本実施例に係る、粗面の外周部2
1を有するガラスリッド20には、特に図示しないが、
スクリーン印刷による手法でシール剤が塗布されてもよ
い。この場合には、接着面の外周部21が粗面であるた
め、濡れ性、濡れ面積が増加し、シール剤としての特性
が向上する。シール剤も、低融点ガラスだけでなく、エ
ポキシ樹脂等の有機接着剤の場合でも、外周部21が粗
面にされていることにより、シール面積、即ちシールパ
スが増加するため、耐湿性等のシール特性が向上する。
Further, the outer peripheral portion 2 of the rough surface according to the present embodiment.
The glass lid 20 having 1 is not particularly shown,
The sealing agent may be applied by a screen printing method. In this case, since the outer peripheral portion 21 of the adhesive surface is a rough surface, the wettability and the wet area are increased, and the characteristics as a sealant are improved. Not only low-melting-point glass but also organic adhesive such as epoxy resin is used as the sealing agent, because the outer peripheral portion 21 is roughened to increase the sealing area, that is, the sealing path. The characteristics are improved.

【0017】次に、図3(a)(b)(c)(d)を参
照して、ガラスリッド21の粗面の形成方法について説
明する。この方法は、ガラス板23を溶融して粗面を形
成するものである。図3(a)に示すように、一対のカ
ーボン型31,32が準備され、一方のカーボン型31
には、粗面の外周部21を形成するためこれに対応する
粗面21aが形成されており、ガラスリッド20の鏡面
24に対応する面形成部33が形成されており、さら
に、一対のカーボンリッド21,21を分離するための
楔34が形成されている。このように構成されているた
め、図3(a)に示す状態で炉に通されて溶融される。
これにより、図3(b)に示すように、溶融したガラス
版23がカーボン型31内に入って成形される。これに
より、図3(c)に示すように、カーボン型31の粗面
21aに対応してガラスリッド20の粗面の外周部21
が形成され、カーボン型31の面形成部33に対応して
リッド20の鏡面24となる面が形成され、この面が研
磨されて鏡面24とされる。このとき、粗面の外周部2
1が鏡面24よりも一段低く形成されている。そのた
め、楔34によりガラス板23が図3(d)に示すよう
に分離された後においても、この粗面の外周部21は研
磨されずに粗面として残る。なお、ガラスリッド20の
反対側の面も研磨されて鏡面25とされる。
Next, a method for forming the rough surface of the glass lid 21 will be described with reference to FIGS. 3 (a), 3 (b), 3 (c) and 3 (d). In this method, the glass plate 23 is melted to form a rough surface. As shown in FIG. 3A, a pair of carbon molds 31, 32 is prepared, and one carbon mold 31 is prepared.
In order to form the outer peripheral portion 21 of the rough surface, a rough surface 21a corresponding to this is formed, a surface forming portion 33 corresponding to the mirror surface 24 of the glass lid 20 is formed, and a pair of carbon A wedge 34 for separating the lids 21 and 21 is formed. Because of this structure, it is passed through the furnace and melted in the state shown in FIG.
Thereby, as shown in FIG. 3B, the molten glass plate 23 enters the carbon mold 31 and is molded. As a result, as shown in FIG. 3C, the outer peripheral portion 21 of the rough surface of the glass lid 20 corresponds to the rough surface 21 a of the carbon die 31.
Is formed, a surface to be the mirror surface 24 of the lid 20 is formed corresponding to the surface forming portion 33 of the carbon die 31, and this surface is polished to be the mirror surface 24. At this time, the outer peripheral portion 2 of the rough surface
1 is formed to be one step lower than the mirror surface 24. Therefore, even after the glass plate 23 is separated by the wedge 34 as shown in FIG. 3D, the outer peripheral portion 21 of this rough surface is not polished and remains as a rough surface. The surface on the opposite side of the glass lid 20 is also polished to be a mirror surface 25.

【0018】次に、図4を参照して、ガラスリッド20
の粗面の別の形成方法について説明する。この別の方法
では、鏡面24と鏡面25として残す部分にマスキング
9を施し、外周部21のみがマスキングされずに残され
ている。その後、このガラスリッド20が、例えば、フ
ッ素のようなガラスを溶かす薬品に浸される。これによ
り、マスキングされていない外周部21のみが薬品に侵
されて、この外周部21粗面として形成される。
Next, referring to FIG. 4, the glass lid 20
Another method for forming the rough surface will be described. In this other method, masking 9 is applied to the portions to be left as the mirror surface 24 and the mirror surface 25, and only the outer peripheral portion 21 is left unmasked. After that, the glass lid 20 is dipped in a glass-melting chemical such as fluorine. As a result, only the unmasked outer peripheral portion 21 is attacked by the chemicals and is formed as the roughened outer peripheral portion 21.

【0019】なお、本発明は、上述したような実施例に
限定されず種々変形可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上述べたように、本発明では、ガラス
リッドのシール剤の接着面が粗面に形成され、シール剤
の高い接着性が確保されている。そのため、マスキング
に伴う異物の付着、損傷の発生を防止することができ、
また、このようにすれば、塗布回数が一回で済み、塗布
工程の簡略化を図ることができる。さらに、ガラスリッ
ドのシール剤の接着面が粗面に形成されているため、接
着性の向上を図ることができ、半導体装置の信頼性を向
上することができる。このように信頼性の向上を図れる
結果、シール幅がたとえ短くされたとしても、従来と同
様の信頼性の確保でき、その結果、半導体装置の縮小化
が可能となる。
As described above, according to the present invention, the adhesive surface of the sealant of the glass lid is formed to be a rough surface, and high adhesiveness of the sealant is secured. Therefore, it is possible to prevent the adhesion of foreign matter and the occurrence of damage due to masking,
Further, in this case, the number of times of application is only one, and the application process can be simplified. Further, since the adhesive surface of the sealing agent of the glass lid is formed to be a rough surface, the adhesiveness can be improved and the reliability of the semiconductor device can be improved. As a result of improving the reliability as described above, even if the seal width is shortened, the same reliability as the conventional one can be secured, and as a result, the semiconductor device can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る半導体装置の分解斜視
図。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の[2]−[2]線に沿う断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line [2]-[2] of FIG.

【図3】図3(a)(b)(c)(d)は、各々、図1
に示すガラスリッドに粗面を形成する工程を示す図。
3 (a), (b), (c), and (d) are respectively FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a step of forming a rough surface on the glass lid shown in FIG.

【図4】本発明の変形例に係る半導体装置の斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a semiconductor device according to a modification of the invention.

【図5】従来に係る半導体装置の断面図。FIG. 5 is a sectional view of a conventional semiconductor device.

【図6】従来に係る半導体装置にスクリーン印刷の手法
によりシール剤を塗布する工程を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a process of applying a sealant to a conventional semiconductor device by a screen printing method.

【図7】図7(a)(b)は、各々、従来に係る半導体
装置に焼付けの手法によりシール剤を塗布する工程を示
す図。
7A and 7B are diagrams showing a process of applying a sealant to a conventional semiconductor device by a baking method, respectively.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 半導体チップ 20 ガラスリッド 21 外周部(粗面) 22 シール剤 3 Semiconductor Chip 20 Glass Lid 21 Outer Part (Rough Surface) 22 Sealant

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】外囲器の内部に半導体チップが固定された
後、外囲器にシール剤を介してガラスリッドが接着され
て上記半導体チップが封止されてなる半導体装置におい
て、 上記ガラスリッドのシール剤の接着面が粗面に形成され
ていることを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device in which a semiconductor chip is fixed to the inside of an envelope, and then a glass lid is adhered to the envelope via a sealant to seal the semiconductor chip. The semiconductor device, wherein the adhesive surface of the sealing agent is formed to be rough.
JP30935593A 1993-12-09 1993-12-09 Semiconductor device Pending JPH07161859A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30935593A JPH07161859A (en) 1993-12-09 1993-12-09 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30935593A JPH07161859A (en) 1993-12-09 1993-12-09 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
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ID=17992009

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30935593A Pending JPH07161859A (en) 1993-12-09 1993-12-09 Semiconductor device

Country Status (1)

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JP (1) JPH07161859A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017441A1 (en) * 2002-08-17 2004-02-26 Cambridge Display Technology Limited Organic optoelectronic device encapsulation package

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