JPH071593A - 光造形装置 - Google Patents
光造形装置Info
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- JPH071593A JPH071593A JP5150104A JP15010493A JPH071593A JP H071593 A JPH071593 A JP H071593A JP 5150104 A JP5150104 A JP 5150104A JP 15010493 A JP15010493 A JP 15010493A JP H071593 A JPH071593 A JP H071593A
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
- B29C64/10—Processes of additive manufacturing
- B29C64/106—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material
- B29C64/124—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using layers of liquid which are selectively solidified
- B29C64/129—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using layers of liquid which are selectively solidified characterised by the energy source therefor, e.g. by global irradiation combined with a mask
- B29C64/135—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using layers of liquid which are selectively solidified characterised by the energy source therefor, e.g. by global irradiation combined with a mask the energy source being concentrated, e.g. scanning lasers or focused light sources
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
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- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0838—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】波長０.３８μ のレーザ光１ａは液晶マスク４
に入射し、液晶マスク４を通過中に、その偏光方向が制
御され、紫外線硬化樹脂８に照射すべき領域に対応する
レーザ光１ｅと、それ以外のレーザ光１ｄとに、偏光ビ
ームスプリッタ５で分離される。液晶マスク４上でのス
ポット１０ａ内パターンが、容器９内にある液状の紫外
線硬化樹脂８の表面のスポット１０ｂに転写され、表面
はそのパターン通りに硬化する。 【効果】紫外線源に固体レーザを用いているため、寿命
が長く、ランニングコストが低減される。
に入射し、液晶マスク４を通過中に、その偏光方向が制
御され、紫外線硬化樹脂８に照射すべき領域に対応する
レーザ光１ｅと、それ以外のレーザ光１ｄとに、偏光ビ
ームスプリッタ５で分離される。液晶マスク４上でのス
ポット１０ａ内パターンが、容器９内にある液状の紫外
線硬化樹脂８の表面のスポット１０ｂに転写され、表面
はそのパターン通りに硬化する。 【効果】紫外線源に固体レーザを用いているため、寿命
が長く、ランニングコストが低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光造形装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外域のレーザ光を紫外線硬化樹脂に照
射して、任意形状の三次元の立体モデルを製作する技術
は、一般に、光造形技術と呼ばれている。
射して、任意形状の三次元の立体モデルを製作する技術
は、一般に、光造形技術と呼ばれている。
【０００３】光造形技術では、波長３２５ｎｍで発振す
るＨｅ−Ｃｄレーザや、波長３５１（あるいは３６４）
ｎｍで発振するＡｒレーザなど紫外域で連続発振するイ
オンレーザが紫外線源として利用されている。これらの
レーザから取り出されるレーザ光を、スキャンミラーを
用いて特定のパターンを形成するように、液状の紫外線
硬化樹脂の表面に照射させることで、表面の薄い層では
そのパターン状に同樹脂が硬化する。このように、パタ
ーン形状に硬化された層を積み重ねることで、三次元モ
デルが形成される。尚、光造形技術に関しては、例え
ば、レーザ研究，第１８巻，第７号，第４４８頁から第
４５５頁，平成２年７月号において説明されている。
るＨｅ−Ｃｄレーザや、波長３５１（あるいは３６４）
ｎｍで発振するＡｒレーザなど紫外域で連続発振するイ
オンレーザが紫外線源として利用されている。これらの
レーザから取り出されるレーザ光を、スキャンミラーを
用いて特定のパターンを形成するように、液状の紫外線
硬化樹脂の表面に照射させることで、表面の薄い層では
そのパターン状に同樹脂が硬化する。このように、パタ
ーン形状に硬化された層を積み重ねることで、三次元モ
デルが形成される。尚、光造形技術に関しては、例え
ば、レーザ研究，第１８巻，第７号，第４４８頁から第
４５５頁，平成２年７月号において説明されている。
【０００４】一方、液晶マスクにレーザ光を照射させ
て、液晶マスクに表示された文字などのパターンをＩＣ
パッケージなどにマーキングする液晶マスク式レーザマ
ーカが知られている。それによると、液晶マスク上で形
成したパターンと相似形のパターンを加工物表面に転写
させることができる。尚、液晶マスク式レーザマーカに
関しては、例えば、特開平1−11088 号公報で説明され
ている。
て、液晶マスクに表示された文字などのパターンをＩＣ
パッケージなどにマーキングする液晶マスク式レーザマ
ーカが知られている。それによると、液晶マスク上で形
成したパターンと相似形のパターンを加工物表面に転写
させることができる。尚、液晶マスク式レーザマーカに
関しては、例えば、特開平1−11088 号公報で説明され
ている。
【０００５】また、このような液晶マスクを用いて、こ
こで形成された像を紫外線硬化樹脂の表面にパターン転
写させることで、各層においてパターン状に硬化させる
技術があり、これに関しては、例えば、特開平4−37182
9 号公報において説明されている。
こで形成された像を紫外線硬化樹脂の表面にパターン転
写させることで、各層においてパターン状に硬化させる
技術があり、これに関しては、例えば、特開平4−37182
9 号公報において説明されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、光造形技術で
は、一つの立体モデルの製作における紫外線の照射時間
は数時間から数日程度と長いため、紫外線源として用い
られるイオンレーザを長時間連続運転させる必要があ
る。ところが、イオンレーザでは、レーザ管の劣化によ
り、次第にレーザ出力が低下していくため、およそ二千
時間のレーザ動作ごとにレーザ管を交換する必要が有
り、その度に、およそ二百から三百万円の費用が掛か
る。この費用をランニングコストに含めると、全体の５
０から８０％にも達し、ランニングコストが高くなる最
大の要因になっていた。
は、一つの立体モデルの製作における紫外線の照射時間
は数時間から数日程度と長いため、紫外線源として用い
られるイオンレーザを長時間連続運転させる必要があ
る。ところが、イオンレーザでは、レーザ管の劣化によ
り、次第にレーザ出力が低下していくため、およそ二千
時間のレーザ動作ごとにレーザ管を交換する必要が有
り、その度に、およそ二百から三百万円の費用が掛か
る。この費用をランニングコストに含めると、全体の５
０から８０％にも達し、ランニングコストが高くなる最
大の要因になっていた。
【０００７】また、液晶マスクを用いたパターン転写方
式の光造形装置では、適切な紫外線源が存在しなかった
ため、実用的な装置が実現できず、以下に説明するよう
な問題があった。紫外線源にイオンレーザを用いると、
波長は約０.３７μ 以下になる。一方、図２に示した液
晶マスクの透過率からわかるように、波長０.３７ μ以
下では、液晶マスクに対する透過率が急激に低下し、波
長約０.３３μ 以下では、レーザ光はほとんど透過しな
い。したがって、Ｈｅ−Ｃｄレーザを利用することはで
きず、また、Ａｒレーザを用いても、液晶マスクはレー
ザ光を５０％程度も吸収するため、液晶の温度上昇が激
しく、その結果、液晶マスクが短期間で劣化することが
あった。
式の光造形装置では、適切な紫外線源が存在しなかった
ため、実用的な装置が実現できず、以下に説明するよう
な問題があった。紫外線源にイオンレーザを用いると、
波長は約０.３７μ 以下になる。一方、図２に示した液
晶マスクの透過率からわかるように、波長０.３７ μ以
下では、液晶マスクに対する透過率が急激に低下し、波
長約０.３３μ 以下では、レーザ光はほとんど透過しな
い。したがって、Ｈｅ−Ｃｄレーザを利用することはで
きず、また、Ａｒレーザを用いても、液晶マスクはレー
ザ光を５０％程度も吸収するため、液晶の温度上昇が激
しく、その結果、液晶マスクが短期間で劣化することが
あった。
【０００８】また、パターン転写方式では、紫外線源と
してレーザの代わりに水銀ランプなどの紫外線ランプを
用いることができる。ところが、紫外線ランプでは発光
スペクトルが広範囲に渡るため、液晶マスクを高く透過
し、しかも、紫外線硬化樹脂を効率良く硬化できる波長
０.３７μから０.４μの間で効率良く発光する紫外ラン
プは存在しなかった。また、発光スペクトルが広くなる
と、液晶による制御性が低下する。すなわち、液晶で
は、液晶の設計パラメータが、入射光の波長に依存する
ため、設計波長以外の波長の光に対しては、液晶による
偏光方向の制御性が変化して、液晶マスクを通過後に、
偏光方向による分離能力が低下する。その結果、紫外線
硬化樹脂に対して、紫外線を照射させるべきパターン以
外の部分にも、多少の紫外線が照射されることがあり、
パターン通りに、硬化されないことがあった。
してレーザの代わりに水銀ランプなどの紫外線ランプを
用いることができる。ところが、紫外線ランプでは発光
スペクトルが広範囲に渡るため、液晶マスクを高く透過
し、しかも、紫外線硬化樹脂を効率良く硬化できる波長
０.３７μから０.４μの間で効率良く発光する紫外ラン
プは存在しなかった。また、発光スペクトルが広くなる
と、液晶による制御性が低下する。すなわち、液晶で
は、液晶の設計パラメータが、入射光の波長に依存する
ため、設計波長以外の波長の光に対しては、液晶による
偏光方向の制御性が変化して、液晶マスクを通過後に、
偏光方向による分離能力が低下する。その結果、紫外線
硬化樹脂に対して、紫外線を照射させるべきパターン以
外の部分にも、多少の紫外線が照射されることがあり、
パターン通りに、硬化されないことがあった。
【０００９】本発明の第一の目的は、ランニングコスト
が低い光造形装置を提供することにある。また、第二の
目的は、実用的なパターン転写方式の光造形装置を提供
することにある。
が低い光造形装置を提供することにある。また、第二の
目的は、実用的なパターン転写方式の光造形装置を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るために、三価のクロムイオンを含んだレーザ用結晶と
非線形光学素子とを含むレーザ光発生部を含んだもので
ある。
るために、三価のクロムイオンを含んだレーザ用結晶と
非線形光学素子とを含むレーザ光発生部を含んだもので
ある。
【００１１】上記第二の目的を達成するために、前記レ
ーザ光発生部と液晶マスクとを含んだものである。
ーザ光発生部と液晶マスクとを含んだものである。
【００１２】
【作用】三価のクロムイオンを含んだレーザ用結晶の多
くは、波長約０.７から０.９μでレーザ動作できること
が知られている。したがって、この種のレーザから、非
線形光学素子により、その第二高調波を発生させれば、
波長約０.３７μ から約０.４μ の紫外光を発生させる
ことができる。この波長のレーザ光は、液晶マスクにお
ける透過率が約７０％以上と高いため、液晶の温度上昇
を抑制でき、液晶マスクの寿命が長くなる。また、レー
ザ媒質は固体であるため、半永久的に使用できることか
ら、ランニングコストを低下させることができる。
くは、波長約０.７から０.９μでレーザ動作できること
が知られている。したがって、この種のレーザから、非
線形光学素子により、その第二高調波を発生させれば、
波長約０.３７μ から約０.４μ の紫外光を発生させる
ことができる。この波長のレーザ光は、液晶マスクにお
ける透過率が約７０％以上と高いため、液晶の温度上昇
を抑制でき、液晶マスクの寿命が長くなる。また、レー
ザ媒質は固体であるため、半永久的に使用できることか
ら、ランニングコストを低下させることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１４】図１は、本発明の一実施例である光造形装
置１００の斜視図である。
置１００の斜視図である。
【００１５】光造形装置１００は、大きく分けて、レー
ザ光発生部２，液晶マスク４、及び紫外線硬化樹脂８が
満たされた容器９とからなる。
ザ光発生部２，液晶マスク４、及び紫外線硬化樹脂８が
満たされた容器９とからなる。
【００１６】レーザ光発生部２では、全反射鏡１１ａ，
１１ｂ、及びダイクロイックミラー１２とでＬ字型にレ
ーザ共振器が組まれている。レーザ共振器中には、Ｃ
ｒ：ＬiＣaＡlＦ6結晶１３がレーザ媒質として用いられ
ている。複屈折プリズムなどから構成される波長選択子
１４によって、この結晶から波長０.７６μ のレーザ光
が基本波として発振するように設定されている。また、
レーザ共振器中には、非線形光学結晶であるＢａＢ2Ｏ5
結晶１５が挿入されており、集光レンズ１６によって、
発振した基本波が波長変換され、波長０.３８μ の第二
高調波が発生する。第二高調波は、ダイクロイックミラ
ー１２を通過して、レーザ共振器外部に取り出される。
第二高調波では、図２からわかるように、液晶マスク４
に対する透過率は８０％程度ある。尚、レーザ光発生部
２では、レーザ動作の励起源はＸｅフラッシュランプが
用いられており、パルス状のレーザ光１ａが取り出され
る。
１１ｂ、及びダイクロイックミラー１２とでＬ字型にレ
ーザ共振器が組まれている。レーザ共振器中には、Ｃ
ｒ：ＬiＣaＡlＦ6結晶１３がレーザ媒質として用いられ
ている。複屈折プリズムなどから構成される波長選択子
１４によって、この結晶から波長０.７６μ のレーザ光
が基本波として発振するように設定されている。また、
レーザ共振器中には、非線形光学結晶であるＢａＢ2Ｏ5
結晶１５が挿入されており、集光レンズ１６によって、
発振した基本波が波長変換され、波長０.３８μ の第二
高調波が発生する。第二高調波は、ダイクロイックミラ
ー１２を通過して、レーザ共振器外部に取り出される。
第二高調波では、図２からわかるように、液晶マスク４
に対する透過率は８０％程度ある。尚、レーザ光発生部
２では、レーザ動作の励起源はＸｅフラッシュランプが
用いられており、パルス状のレーザ光１ａが取り出され
る。
【００１７】レーザ光１ａは、ガルバノミラー３ａ，３
ｂにより、液晶マスク４全面をスキャンするように照射
される。液晶マスク４を通過したレーザ光１ｂは、結像
レンズ７に入射する。また、レーザ光１ｂは、液晶マス
ク４により、その偏光方向が制御され、紫外線硬化樹脂
８に照射すべきレーザ光１ｅと、それ以外のレーザ光１
ｄとに、偏光ビームスプリッタ５によって分離される。
レーザ光１ｄは光吸収板６に当って止められる。
ｂにより、液晶マスク４全面をスキャンするように照射
される。液晶マスク４を通過したレーザ光１ｂは、結像
レンズ７に入射する。また、レーザ光１ｂは、液晶マス
ク４により、その偏光方向が制御され、紫外線硬化樹脂
８に照射すべきレーザ光１ｅと、それ以外のレーザ光１
ｄとに、偏光ビームスプリッタ５によって分離される。
レーザ光１ｄは光吸収板６に当って止められる。
【００１８】尚、偏光ビームスプリッタ５は、結像レン
ズ７と、紫外線硬化樹脂８との間にあり、結像レンズ７
によるレーザ光１ｃの集光点近くに設置される。この理
由は、レーザ光１ｃの進路は、ガルバノミラー３ａ，３
ｂによって、変化するが、常に、この集光点近くを通過
するため、偏光ビームスプリッタ５は、小さなものを用
いることができる。偏光ビームスプリッタは、一般的な
レーザ用ミラーの中でも比較的に高価であるため、これ
がコンパクトなもので構成できることは、コストの低減
につながる。
ズ７と、紫外線硬化樹脂８との間にあり、結像レンズ７
によるレーザ光１ｃの集光点近くに設置される。この理
由は、レーザ光１ｃの進路は、ガルバノミラー３ａ，３
ｂによって、変化するが、常に、この集光点近くを通過
するため、偏光ビームスプリッタ５は、小さなものを用
いることができる。偏光ビームスプリッタは、一般的な
レーザ用ミラーの中でも比較的に高価であるため、これ
がコンパクトなもので構成できることは、コストの低減
につながる。
【００１９】液晶マスク４上でのスポット１０ａ内パタ
ーンが、紫外線硬化樹脂８の表面のスポット１０ｂに転
写される。スポット１０ｂの直径は約数mmであり、従来
のスキャン方式におけるレーザ光の集光径に比べて、二
桁程度大きく、その結果、面積は四桁程度も大きくなっ
ている。しかし、レーザ光は数ジュール程度のエネルギ
を有するパルス状であるため、スポット１０ｂでのレー
ザ光強度は十分高く、紫外線硬化樹脂を効率良く硬化さ
せることができる。
ーンが、紫外線硬化樹脂８の表面のスポット１０ｂに転
写される。スポット１０ｂの直径は約数mmであり、従来
のスキャン方式におけるレーザ光の集光径に比べて、二
桁程度大きく、その結果、面積は四桁程度も大きくなっ
ている。しかし、レーザ光は数ジュール程度のエネルギ
を有するパルス状であるため、スポット１０ｂでのレー
ザ光強度は十分高く、紫外線硬化樹脂を効率良く硬化さ
せることができる。
【００２０】尚、レーザ光発生部２から取り出されるレ
ーザ光１ａは第二高調波であるため、完全な直線偏光で
ある。したがって、液晶マスクによる偏光方向の制御性
が極めて高い。尚、これに対して、イオンレーザのよう
に紫外域で直接発振するレーザでは、通常ランダム偏光
となっており、直線偏光で発振させると、レーザ出力が
数十％低下する。
ーザ光１ａは第二高調波であるため、完全な直線偏光で
ある。したがって、液晶マスクによる偏光方向の制御性
が極めて高い。尚、これに対して、イオンレーザのよう
に紫外域で直接発振するレーザでは、通常ランダム偏光
となっており、直線偏光で発振させると、レーザ出力が
数十％低下する。
【００２１】また、光造形装置１００では、容器９とし
て、大きさの異なるものと交換することができる。例え
ば、液晶マスク４と同程度の表面の容器を用いるなら
ば、結像レンズ７を用いずに、容器９を液晶マスク４に
接近させて設置し、レーザ光１ｃを、直接、紫外線硬化
樹脂に照射させればよい。ただし、この場合には、偏光
ビームスプリッタ５の代わりに、偏光板を用いる。ま
た、液晶マスク４上の像は結像されないが、紫外線硬化
樹脂上に照射されるレーザ光のパターンは、僅かにぼけ
る程度で済む。むしろ、液晶マスク４では、その画素間
に隙間があるため、転写された像が僅かにぼけた方が、
画素間の隙間に対応する部分にも、紫外線が多少照射さ
れるため、硬化後の立体モデルの仕上りが良好になる。
て、大きさの異なるものと交換することができる。例え
ば、液晶マスク４と同程度の表面の容器を用いるなら
ば、結像レンズ７を用いずに、容器９を液晶マスク４に
接近させて設置し、レーザ光１ｃを、直接、紫外線硬化
樹脂に照射させればよい。ただし、この場合には、偏光
ビームスプリッタ５の代わりに、偏光板を用いる。ま
た、液晶マスク４上の像は結像されないが、紫外線硬化
樹脂上に照射されるレーザ光のパターンは、僅かにぼけ
る程度で済む。むしろ、液晶マスク４では、その画素間
に隙間があるため、転写された像が僅かにぼけた方が、
画素間の隙間に対応する部分にも、紫外線が多少照射さ
れるため、硬化後の立体モデルの仕上りが良好になる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は紫外線源におけるレーザ媒質が
半永久的に使用できるため、ランニングコストを５０か
ら８０％程度下げることができる。
半永久的に使用できるため、ランニングコストを５０か
ら８０％程度下げることができる。
【００２３】また、本発明では波長約０.３７μから０.
４μの間で、単一波長のレーザ光を発生できる紫外線源
を用いているため、液晶マスクに対して高い透過率を有
するため、液晶が劣化しにくくなり、また、液晶による
紫外線の制御性も良好である。
４μの間で、単一波長のレーザ光を発生できる紫外線源
を用いているため、液晶マスクに対して高い透過率を有
するため、液晶が劣化しにくくなり、また、液晶による
紫外線の制御性も良好である。
【００２４】また、本発明における紫外線源のレーザで
は、レーザ遷移における上準位寿命が通常数十マイクロ
秒以上となるため、フラッシュランプをレーザの励起源
として用いることが可能になり、ピークパワーが数ｋＷ
以上でエネルギが数十ｍジュール以上のパルス状のレー
ザ光を取り出すことができる。したがって、パターン転
写により、レーザ光を拡大して広い面積に照射しても、
高いレーザ光照射強度を確保でき、紫外線硬化樹脂を有
効に硬化させることができる。
は、レーザ遷移における上準位寿命が通常数十マイクロ
秒以上となるため、フラッシュランプをレーザの励起源
として用いることが可能になり、ピークパワーが数ｋＷ
以上でエネルギが数十ｍジュール以上のパルス状のレー
ザ光を取り出すことができる。したがって、パターン転
写により、レーザ光を拡大して広い面積に照射しても、
高いレーザ光照射強度を確保でき、紫外線硬化樹脂を有
効に硬化させることができる。
【００２５】さらに、本発明における紫外線源では、用
いるレーザ結晶の種類を変えれば、レーザ光の波長を約
０.３５μから０.４５μの広範囲に渡って自由に設定す
ることができる。その結果、本発明では、以下に説明す
る新たな機能が加わった。波長を短い方に合わせれば、
紫外線硬化樹脂による吸収率が高くなるため、レーザ照
射により硬化する層を薄くでき、深さ方向の精度を高め
ることができる。また逆に、波長を長い方に合わせれ
ば、硬化する層を厚くできるため、大型のモデルを製作
するのに適する。
いるレーザ結晶の種類を変えれば、レーザ光の波長を約
０.３５μから０.４５μの広範囲に渡って自由に設定す
ることができる。その結果、本発明では、以下に説明す
る新たな機能が加わった。波長を短い方に合わせれば、
紫外線硬化樹脂による吸収率が高くなるため、レーザ照
射により硬化する層を薄くでき、深さ方向の精度を高め
ることができる。また逆に、波長を長い方に合わせれ
ば、硬化する層を厚くできるため、大型のモデルを製作
するのに適する。
【００２６】また、このように、レーザ光の波長を約
０.３５μから０.４５μの間で選択できるため、液晶マ
スクの紫外域での透過率特性が種類により多少異なって
も、用いる液晶マスクの特性に合わせることができる。
０.３５μから０.４５μの間で選択できるため、液晶マ
スクの紫外域での透過率特性が種類により多少異なって
も、用いる液晶マスクの特性に合わせることができる。
【図１】本発明の光造形装置の斜視図。
【図２】液晶マスクの透過率を示すグラフ。
【符号の説明】 １ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ…レーザ光、２…レーザ
光発生部、３ａ，３ｂ…ガルバノミラー、４…液晶マス
ク、５…偏光ビームスプリッタ、６…光吸収板、７…結
像レンズ、８…紫外線硬化性樹脂、９…容器、１０ａ，
１０ｂ…スポット、１１ａ，１１ｂ…全反射鏡、１２…
ダイクロイックミラー、１３…Ｃｒ：ＬiＣaＡlＦ6結
晶、１４…波長選択子、１５…ＢａＢ2Ｏ5結晶、１６…
集光レンズ、１００…光造形装置。
光発生部、３ａ，３ｂ…ガルバノミラー、４…液晶マス
ク、５…偏光ビームスプリッタ、６…光吸収板、７…結
像レンズ、８…紫外線硬化性樹脂、９…容器、１０ａ，
１０ｂ…スポット、１１ａ，１１ｂ…全反射鏡、１２…
ダイクロイックミラー、１３…Ｃｒ：ＬiＣaＡlＦ6結
晶、１４…波長選択子、１５…ＢａＢ2Ｏ5結晶、１６…
集光レンズ、１００…光造形装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 建興 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 後藤 典雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像メディア研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】三価のクロムイオンを含んだレーザ用結晶
と非線形光学素子とを含むレーザ光発生部を含むことを
特徴とする光造形装置。 - 【請求項２】請求項１において、液晶マスクを設けた光
造形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150104A JPH071593A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 光造形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150104A JPH071593A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 光造形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH071593A true JPH071593A (ja) | 1995-01-06 |
Family
ID=15489595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5150104A Pending JPH071593A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 光造形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071593A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846548A1 (en) * | 1996-12-06 | 1998-06-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing a laminated object and apparatus for producing the same |
| JPH10211658A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Toyota Motor Corp | 粉粒体積層造形方法及びその装置 |
| EP0856393A3 (en) * | 1997-01-29 | 1998-09-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing a laminated object and apparatus for producing the same |
| JP2016518516A (ja) * | 2013-03-05 | 2016-06-23 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー， エルエルシー | 高電力ダイオードに基づく付加製造のためのシステムおよび方法 |
| US10747033B2 (en) | 2016-01-29 | 2020-08-18 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Cooler for optics transmitting high intensity light |
| WO2022182466A1 (en) * | 2021-02-24 | 2022-09-01 | NEXA3D Inc. | Methods and systems for photocuring liquid resin with reduced heat generation |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP5150104A patent/JPH071593A/ja active Pending
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| US10569363B2 (en) | 2013-03-05 | 2020-02-25 | Lawrence Livermore National Security, Llc | System and method for high power diode based additive manufacturing |
| US11534865B2 (en) | 2013-03-05 | 2022-12-27 | Lawrence Livermore National Security, Llc | System and method for high power diode based additive manufacturing |
| US12128611B2 (en) | 2013-03-05 | 2024-10-29 | Lawrence Livermore National Security, Llc | System and method for high power diode based additive manufacturing |
| US10747033B2 (en) | 2016-01-29 | 2020-08-18 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Cooler for optics transmitting high intensity light |
| US11999106B2 (en) | 2016-01-29 | 2024-06-04 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Cooler for optics transmitting high intensity light |
| WO2022182466A1 (en) * | 2021-02-24 | 2022-09-01 | NEXA3D Inc. | Methods and systems for photocuring liquid resin with reduced heat generation |
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