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JPH07104659B2 - Driver-Built-in active matrix panel - Google Patents

Driver-Built-in active matrix panel

Info

Publication number
JPH07104659B2
JPH07104659B2 JP59170917A JP17091784A JPH07104659B2 JP H07104659 B2 JPH07104659 B2 JP H07104659B2 JP 59170917 A JP59170917 A JP 59170917A JP 17091784 A JP17091784 A JP 17091784A JP H07104659 B2 JPH07104659 B2 JP H07104659B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shift register
driver
sampling
active matrix
built
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59170917A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6148893A (en
Inventor
利之 三澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP59170917A priority Critical patent/JPH07104659B2/en
Publication of JPS6148893A publication Critical patent/JPS6148893A/en
Publication of JPH07104659B2 publication Critical patent/JPH07104659B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTと略記す
る。)によって形成されたドライバー内蔵アクティブマ
トリクスパネルに関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a driver-embedded active matrix panel formed of thin film transistors (hereinafter abbreviated as TFT).

〔従来技術〕[Prior art]

透明基板上に、多結晶シリコン又はアモルファスシリコ
ンの薄膜層によってスイッチング用のTFTマトリクスを
形成したアクティブマトリクスパネルの試作が各所で成
功を収め、アムティブマトリクスパネルを用いた液晶テ
レビが量産されて商品化されつつある。前述のスイッチ
ング用TFTマトリクスが形成されているのと同一の透明
基板上に、走査線もしくはデータ線のドライバーを形成
する試みも成されており、その成果は既に発表されてい
る。(Y.Oana SID84DIGEST,P.312,S.Morozumi,et al SI
D84DIGEST,P316) アクティブマトリクスパネルに内蔵されている従来のド
ライバー、特にデータ線ドライバーは第1図のごとく構
成されており、データ線111,112,………に各々アナログ
スイッチ106,107,………が接続され、各々のアナログス
イッチの開閉をシフトレジスタ101,102,……の出力信号
で制御している。同図において、121はビデオ信号線、1
22は走査線である。データ線ドライバーを上述のごとく
構成すると、シフトレジスタが、ビデオ信号のサンプリ
ング周波数と同一の周波数で動作しなければならず、高
速性が要求される。ところが、一般にTFTのオン抵抗は
高く、単結晶シリコンMOSFETの様な高速動作は望めな
い。このため、従来のドライバー内蔵アクティブマトリ
クスパネルによると、TFTの特性によってビデオ信号の
サンプリング周波数が制限され高精細化にも限界が生じ
てしまう。
Successful trial production of active matrix panels in which a TFT matrix for switching was formed by a thin film layer of polycrystalline silicon or amorphous silicon on a transparent substrate, and LCD TVs using amtive matrix panels were mass produced and commercialized. Is being done. Attempts have been made to form scan line or data line drivers on the same transparent substrate on which the switching TFT matrix is formed, and the results have already been announced. (Y.Oana SID84DIGEST, P.312, S.Morozumi, et al SI
D84DIGEST, P316) The conventional driver built in the active matrix panel, especially the data line driver, is configured as shown in Fig. 1, and the analog switches 106, 107, ... are connected to the data lines 111, 112, ..., respectively. , The opening and closing of each analog switch is controlled by the output signals of the shift registers 101, 102, .... In the figure, 121 is a video signal line, 1
22 is a scanning line. When the data line driver is configured as described above, the shift register must operate at the same frequency as the sampling frequency of the video signal, and high speed is required. However, the on-resistance of TFT is generally high, and high-speed operation like single crystal silicon MOSFET cannot be expected. Therefore, according to the conventional active matrix panel with a built-in driver, the sampling frequency of the video signal is limited due to the characteristics of the TFT, and the high definition is also limited.

〔目的〕〔Purpose〕

本発明の目的は、上述の従来技術の欠点を解決し、高い
周波数でビデオ信号のサンプリングを行うことが可能な
高表示品質のドライバー内蔵アクティブマトリクスパネ
ルを実現することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and to realize an active matrix panel with a built-in driver, which is capable of sampling a video signal at a high frequency and has a high display quality.

〔概要〕〔Overview〕

本発明は、互いに直交するN本のデータ線及びM本の走
査線と、該データ線と該走査線の交点近傍に配置された
画素電極及び薄膜トランジスタと、該データ線を駆動す
るデータ線ドライバーが形成されてなるドライバー内蔵
アクティブマトリクスパネルにおいて、該データ線ドラ
イバーは、N/K段のシフトレジスタと、該N/K段のシフト
レジスタと対をなすN/K個のサンプリングパルス生成手
段とからなり、該各サンプリングパスル生成手段は、各
段のシフトレジスタ出力とK個の位相の異なるクロック
信号に基づいて、サンプリングのタイミングが異なり、
かつサンプリング時間が隣接する画素と一部重複する、
K個のサンプリングパルスを発生することを特徴とす
る。
According to the present invention, there are provided N data lines and M scanning lines orthogonal to each other, a pixel electrode and a thin film transistor arranged near an intersection of the data line and the scanning line, and a data line driver for driving the data line. In the formed active matrix panel with built-in driver, the data line driver includes an N / K-stage shift register and N / K sampling pulse generating means paired with the N / K-stage shift register. , The sampling pulse generation means have different sampling timings based on the output of the shift register of each stage and K clock signals having different phases,
And the sampling time partially overlaps with the adjacent pixel,
It is characterized in that K sampling pulses are generated.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples.

第2図は、本発明の主旨を説明するためのブロック図で
ある。同図において、201乃至203はシフトレジスタ、20
4乃至206はサンプリングパルス生成回路、207乃至209は
リセット用のクロック信号線、210はビデオ信号線、211
乃至219はサンプルホールド用のアナログスイッチであ
り、以上のブロックによってデータ線ドライバーが構成
される。一方、229乃至231は、走査線ドライバーを構成
するシフトレジスタである。また、220乃至228はデータ
線、232乃至234は走査線、235,236,237等は画素であ
る。第2図は、N本のデータ線をN/3段のシフトレジス
タとサンプリングパルス生成回路とで駆動する例であ
る。
FIG. 2 is a block diagram for explaining the gist of the present invention. In the figure, 201 to 203 are shift registers, 20
4 to 206 are sampling pulse generation circuits, 207 to 209 are reset clock signal lines, 210 is a video signal line, 211
Reference numerals 219 to 219 denote analog switches for sample hold, and the above blocks constitute a data line driver. On the other hand, reference numerals 229 to 231 are shift registers forming a scanning line driver. Further, 220 to 228 are data lines, 232 to 234 are scanning lines, and 235, 236, 237 and the like are pixels. FIG. 2 shows an example in which N data lines are driven by an N / 3-stage shift register and a sampling pulse generation circuit.

第3図に、本発明の具体的な実施例を示す。本実施例も
N本のデータ線をN/3段のシフトレジスタで駆動する例
である。同図において、301はシフトレジスタであり、
その出力端子はP型TFT302,303,304及びN型TFT305,30
7,309のゲートに接続され、リセット用のクロック信号
線314,315,316はそれぞれN型TFT306,308,310のゲート
に接続される。TFT302乃至310によって構成されたサン
プリングパルス生成回路の出力端子317,318,319はそれ
ぞれサンプルホールド用アナログスイッチ311,312,313
の制御端子に接続される。また、320,321はそれぞれサ
ンプリングパルス生成回路の正電源、負電源、322は、
ビデオ信号線である。第4図は、第3図の実施例の作用
を説明するための図である。第4図において、401はシ
フトレジスタ301の転送クロック、405はシフトレジスタ
301の転送データ、402,403,404はそれぞれ第3図314,31
5,316により伝送されるリセット用クロック信号、406,4
07,408はそれぞれ第3図の端子317,318,319に出力され
るサンプリングパルスのタイミング図である。まず、シ
フトレジスタ出力の立下り時点409において、P型TFT30
2乃至304がオンしN型TFT305,307,309がOFFすることに
よりサンプリングパルス406,407,408はハイレベルにセ
ットされる。次に、410の時点でシフトレジスタ出力が
立上ってTFT302,303,304がOFFし、TFT305,307,309がON
に転ずると、リセット用クロック402,403,404の立上り
でそれぞれTFT306,308,310がONすることによってサンプ
リングパルス406,407,408が、410,411,412のタイミング
で順次ローレベルにリセットされる。第3図におけるア
ナログスイッチ311,312,313を、サンプリングパルスが
ハイを時にONし、ローの時にOFFする様に構成すること
により、ビデオ信号のサンプルホールドを、410,411,41
2,413,414,……の時点で行なうことが可能となる。以上
述べたごとく、本発明によるとN本のデータ線をN/K段
のシフトレジスタで駆動することが出来る。ただし、K
は一つのサンプリングパルス生成回路の出力数である。
FIG. 3 shows a concrete embodiment of the present invention. This embodiment is also an example in which N data lines are driven by N / 3 stages of shift registers. In the figure, 301 is a shift register,
Its output terminals are P-type TFTs 302, 303, 304 and N-type TFTs 305, 30
The reset clock signal lines 314, 315 and 316 are connected to the gates of the N-type TFTs 306, 308 and 310, respectively. Output terminals 317, 318 and 319 of the sampling pulse generation circuit composed of TFTs 302 to 310 are analog switches 311, 312 and 313 for sample and hold, respectively.
Connected to the control terminal of. Further, 320 and 321 are the positive power supply and negative power supply of the sampling pulse generation circuit, respectively, and 322 is
It is a video signal line. FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. In FIG. 4, 401 is the transfer clock of the shift register 301, and 405 is the shift register.
Transfer data of 301, 402, 403, 404 are respectively shown in FIG.
Reset clock signal transmitted by 5,316, 406,4
07 and 408 are timing charts of sampling pulses output to the terminals 317, 318 and 319 of FIG. 3, respectively. First, at the falling time 409 of the shift register output, the P-type TFT 30
The sampling pulses 406, 407 and 408 are set to a high level by turning on the 2 to 304 and turning off the N-type TFTs 305, 307 and 309. Next, at 410, the shift register output rises, turning off the TFTs 302, 303, 304 and turning on the TFTs 305, 307, 309.
Then, when the reset clocks 402, 403, 404 rise, the TFTs 306, 308, 310 are turned on, so that the sampling pulses 406, 407, 408 are sequentially reset to the low level at the timings of 410, 411, 412. By configuring the analog switches 311, 312, 313 in FIG. 3 so that the sampling pulse is turned on when high, and turned off when it is low, the sample hold of the video signal is 410, 411, 41.
It can be done at 2,413,414, .... As described above, according to the present invention, N data lines can be driven by the N / K stage shift register. However, K
Is the number of outputs of one sampling pulse generation circuit.

前述の実施例は、第4図406,407,408に示される様にサ
ンプリングパルスのパルス幅Tが異なっている。TFTに
よって構成されたアナログスイッチのオン抵抗が十分に
低くない場合には、サンプリングパルスのパルス幅の相
違によってアクティブマトリクスパネルに表示ムラの生
ずる可能性がある。
In the above-mentioned embodiment, the pulse width T of the sampling pulse is different as shown in 406, 407 and 408 of FIG. If the on resistance of the analog switch formed by the TFT is not sufficiently low, display unevenness may occur in the active matrix panel due to the difference in the pulse width of the sampling pulse.

サンプリングパルスのパルス幅をすべて等しくする実施
例を第5図に示す。該実施例は、第3図に示す実施例に
おいて、サンプリングパルス生成回路にP型トランジス
タ501,502,503を付加した構造を有する。第5図におい
て、第3図と同一の符号は第3図にて説明したのと同一
のものを意味する。第6図は、第5図に示した実施例の
作用を説明するための図である。同図において、符号40
1乃至405は第4図における401乃至405と同一のものを意
味する。また、601,602,603はそれぞれ第5図の端子31
7,318,319におけるサンプリングパルスのタイミング図
である。第5図において、シフトレジスタ301の出力端
子323にローレベルが出力されている期間において、第
6図604,605,606の時点で、P型TFT501,502,503のゲー
トに印加されているクロック信号404,402,403が順次立
ち下がることによりサンプリングパルス601,602,603が
ハイレベルにセットされる。次にシフトレジスタ301の
出力端子323がローレベルからハイレベルに立ち上がっ
た後に、第6図607,608,609の時点で、N型TFT306,308,
310のゲートに印加されているクロック信号402,403,404
が順次立ち下がることによってサンプリングパルス601,
602,603はローレベルにリセットされる。シフトレジス
タのすべてのビットにおいて同様の動作が行なわれるこ
とにより等しいパルス幅Tのサンプリングパルスによっ
てビデオ信号のサンプルホールドが行なわれる。
An embodiment in which the pulse widths of the sampling pulses are all equal is shown in FIG. This embodiment has a structure in which P-type transistors 501, 502 and 503 are added to the sampling pulse generation circuit in the embodiment shown in FIG. In FIG. 5, the same symbols as those in FIG. 3 mean the same components as described in FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. In the figure, reference numeral 40
1 to 405 mean the same as 401 to 405 in FIG. Also, 601, 602, and 603 are terminals 31 of FIG. 5, respectively.
It is a timing diagram of the sampling pulse in 7,318,319. In FIG. 5, the clock signals 404, 402, 403 applied to the gates of the P-type TFTs 501, 502, 503 sequentially fall at the times of 604, 605, 606 in FIG. 6 during the period when the low level is output to the output terminal 323 of the shift register 301. As a result, the sampling pulses 601, 602, 603 are set to the high level. Next, after the output terminal 323 of the shift register 301 rises from the low level to the high level, at the time of 607, 608, 609 in FIG.
Clock signals 402,403,404 applied to the gate of 310
Sampling pulse 601,
602 and 603 are reset to low level. The same operation is performed on all the bits of the shift register, so that sampling and holding of the video signal are performed by the sampling pulses having the same pulse width T.

〔効果〕〔effect〕

従来技術の項にて述べたごとく、多結晶シリコン,アモ
ルファスシリコン等で構成されたTFTは単結晶シリコンF
ETに比べて特性が劣り、特にON抵抗が高い。このため、
薄膜アクティブマトリクスパネルに内蔵されたシフトレ
ジスタは動作速度に限界がある。本発明のごとく、N本
のデータ線を、N/K段のシフトレジスタと該シフトレジ
スタ1段につきK段ずつのサンプリングパルス生成回路
とによって駆動する手段を設けることによってシフトレ
ジスタに要求される動作速度を従来の1/Kに下げること
が出来る。
As mentioned in the section of the prior art, a TFT composed of polycrystalline silicon, amorphous silicon, etc. is a single crystal silicon F
Its characteristics are inferior to those of ET, and its ON resistance is particularly high. For this reason,
The shift register incorporated in the thin film active matrix panel has a limited operating speed. As in the present invention, the operation required for the shift register by providing the means for driving the N data lines by the N / K-stage shift register and the K-stage sampling pulse generating circuit for each shift register The speed can be reduced to 1 / K of the conventional one.

更に、本発明によるとシフトレジスタの段数が従来の1/
Kで済み、代わりに第3図,第5図に示した様な、1段
当りTFT3〜4個で構成されるサンプリングパルス生成回
路が用いられるため、全体としてドライバーを構成する
TFTの個数が減少する。従って、ドライバー部分の占有
面積が減り、製造歩留りが向上し、更に、消費電力が低
減される。
Further, according to the present invention, the number of stages of the shift register is 1 /
K is sufficient, and instead, a sampling pulse generation circuit composed of 3 to 4 TFTs per stage as shown in FIGS. 3 and 5 is used, so the driver is configured as a whole.
The number of TFTs is reduced. Therefore, the area occupied by the driver portion is reduced, the manufacturing yield is improved, and the power consumption is reduced.

本発明によると、ドライバー内蔵アクティブマトリクス
パネルに、以上述べたごとき著しい効果がもたらされ
る。
According to the present invention, the active matrix panel with a built-in driver brings about the remarkable effects as described above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、従来技術を説明するための図。 第2図は、本発明の実施例のブロック図。 第3図は、本発明の実施例を示す図。 第4図は、第3図の作用を説明するための図。 第5図は、本発明のもう一つの実施例を示す図。 第6図は、第5図の作用を説明するための図。 FIG. 1 is a diagram for explaining a conventional technique. FIG. 2 is a block diagram of an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a view for explaining the operation of FIG. FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of FIG. 5.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】互いに直交するN本のデータ線及びM本の
走査線と、該データ線と該走査線の交点近傍に配置され
た画素電極及び薄膜トランジスタと、該データ線を駆動
するデータ線ドライバーが形成されてなるドライバー内
蔵アクティブマトリクスパネルにおいて、 該データ線ドライバーは、N/K段のシフトレジスタと、
該N/K段のシフトレジスタと対をなすN/K個のサンプリン
グパルス生成手段とからなり、該各サンプリングパルス
生成手段は、各段のシフトレジスタ出力とK個の位相の
異なるクロック信号に基づいて、サンプリングのタイミ
ングが異なり、かつサンプリング時間が隣接する画素と
一部重複する、K個のサンプリングパルスを発生するこ
とを特徴とするドライバー内蔵アクティブマトリクスパ
ネル。
1. N data lines and M scan lines orthogonal to each other, pixel electrodes and thin film transistors arranged near intersections of the data lines and the scan lines, and a data line driver for driving the data lines. In the active matrix panel with a built-in driver, the data line driver includes an N / K stage shift register,
The N / K stage shift register and N / K sampling pulse generation means paired with each other, each sampling pulse generation means is based on the shift register output of each stage and K clock signals having different phases. An active matrix panel with a built-in driver is characterized in that it generates K sampling pulses having different sampling timings and a part of the sampling time overlapping with an adjacent pixel.
JP59170917A 1984-08-16 1984-08-16 Driver-Built-in active matrix panel Expired - Lifetime JPH07104659B2 (en)

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JPS6148893A JPS6148893A (en) 1986-03-10
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ID=15913739

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