JPH0670304U - High frequency electronic components - Google Patents
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- JPH0670304U JPH0670304U JP1627793U JP1627793U JPH0670304U JP H0670304 U JPH0670304 U JP H0670304U JP 1627793 U JP1627793 U JP 1627793U JP 1627793 U JP1627793 U JP 1627793U JP H0670304 U JPH0670304 U JP H0670304U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性が良く、且つ信頼性の高い製品を供給す
ること。
【構成】 ベース基板２２の材質をビスマレイミド−ト
リアジン樹脂で形成する。ビスマレイミド−トリアジン
樹脂は、従来用いていたガラスエポキシに比べ、耐熱性
に優れ、温度による特性安定性が良いので、リフロー半
田の前後で外観や特性の変化が少ない。更に、誘電正接
ｔａｎδが良いので、特性の良い製品を作成できるとい
う特徴を持っている。また、テフロングラスに比べて、
適当な誘電率εｒを持っているので、容量を持つような
パターンが大きくなりすぎず、小型化を図ることがで
き、また、材料が安価であるという特徴を持っている。
また、ビスマレイミド−トリアジン樹脂は、ガラスエポ
キシやテフロングラスに比べて吸水率が低い。従って、
特性が良く、且つ信頼性の高い製品を供給できる。
(57) [Summary] [Purpose] To supply products with good characteristics and high reliability. [Structure] The base substrate 22 is made of bismaleimide-triazine resin. The bismaleimide-triazine resin is superior in heat resistance to the conventionally used glass epoxy and has good characteristic stability due to temperature, so that the appearance and the characteristic are less changed before and after the reflow soldering. Further, since the dielectric loss tangent tan δ is good, it has a feature that a product with good characteristics can be produced. Also, compared to Teflon glass,
Since it has an appropriate dielectric constant εr, it has features that a pattern having a capacitance does not become too large, miniaturization can be achieved, and the material is inexpensive.
Further, the bismaleimide-triazine resin has a lower water absorption rate than glass epoxy and Teflon glass. Therefore,
We can supply products with good characteristics and high reliability.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、例えば、自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電 体フィルタに関するものである。 The present invention relates to a dielectric filter used in mobile communication devices such as car phones and mobile phones.
【０００２】[0002]
図４は従来のこの種の誘電体フィルタの全体の分解斜視図を示しており、バン ドエリミネーションフィルタとバンドパスフィルタとで構成された所謂アンテナ 共用器と言われているものである。 図４において、ガラスエポキシやテフロン（商品名）グラス等の誘電体からな るベース基板２２にはアンテナ側、送信部側、受信部側と接続される入出力端子 ２３〜２５が電極膜状にそれぞれ形成されている。これら入出力端子２３〜２５ の部分を除いた他の上面及び下面には電極膜状のアース電極２６が形成されてい る。 FIG. 4 shows an exploded perspective view of an entire conventional dielectric filter of this type, which is called a so-called antenna duplexer composed of a band elimination filter and a bandpass filter. In FIG. 4, the base substrate 22 made of a dielectric material such as glass epoxy or Teflon (trade name) glass has input / output terminals 23 to 25 connected to the antenna side, the transmitter side and the receiver side in the form of an electrode film. Each is formed. Electrode film-like ground electrodes 26 are formed on the upper and lower surfaces other than the input / output terminals 23 to 25.
【０００３】 ベース基板２２のアース電極２６の上面には、この例では７個の誘電体同軸共 振器１〜７が半田付け等により実装されるようになっている。また、誘電体同軸 共振器１〜７の穴内には接続端子９が圧入される。 なお、詳細な説明は実施例の部分で説明するが、誘電体同軸共振器１〜７の他 に結合基板１３，１８、スペーサ２１等や、コンデンサ基板、インダクタ等も実 装されるようになっている。 尚、上記金属カバー２７とベース基板２２とで誘電体フィルタのケーシング（ 外殻）を構成している。In this example, seven dielectric coaxial resonators 1 to 7 are mounted on the upper surface of the ground electrode 26 of the base substrate 22 by soldering or the like. Further, the connection terminal 9 is press-fitted into the holes of the dielectric coaxial resonators 1 to 7. Although detailed description will be given in the embodiments, the coupling substrates 13 and 18, the spacer 21 and the like, the capacitor substrate and the inductor, and the like in addition to the dielectric coaxial resonators 1 to 7 are also mounted. ing. The metal cover 27 and the base substrate 22 form a casing (outer shell) of the dielectric filter.
【０００４】[0004]
かかる図４に示す従来例の誘電体フィルタに用いているベース基板２２の材質 に、上述のようにガラスエポキシやテフロン（商品名）グラスを使用していたた め、以下のような問題点を有していた。 Since glass epoxy or Teflon (trade name) glass is used as the material of the base substrate 22 used in the conventional dielectric filter shown in FIG. 4, the following problems occur. Had.
【０００５】 すなわち、ガラスエポキシでは、耐熱性が低い、温度係数ＴＣが悪い、誘電正 接ｔａｎδが悪いという問題がある。 また、テフロン（商品名）グラスでは、誘電率εｒが低すぎる、スルーホール 加工で表面処理が必要なためコストが高い、素材自体のコストが高いという問題 がある。That is, glass epoxy has the problems of low heat resistance, poor temperature coefficient TC, and poor dielectric dissipation factor tan δ. Further, Teflon (trade name) glass has problems that the permittivity εr is too low, the cost is high because the surface treatment is required by through hole processing, and the cost of the material itself is high.
【０００６】 本考案は上述の点に鑑みて提供したものであって、特性が良く、且つ信頼性の 高い製品を供給することを目的とした高周波用電子部品を提供するものである。The present invention has been made in view of the above points, and provides a high-frequency electronic component intended to supply a product having good characteristics and high reliability.
【０００７】[0007]
本考案は、ベース基板の一面に高周波用の電子部品素子を半田付け等により実 装するようにした高周波用電子部品において、上記ベース基板の材質を、ビスマ レイミド−トリアジン樹脂で構成したものである。 The present invention is a high-frequency electronic component in which a high-frequency electronic component element is mounted on one surface of a base substrate by soldering or the like, and the base substrate is made of bismaleimide-triazine resin. .
【０００８】[0008]
本考案によれば、ガラスエポキシに比べて耐熱性が優れ、また、温度による特 性安定性が良いので、リフロー半田の前後で外観や特性の変化が少ない。更に、 誘電正接ｔａｎδが良いので、特性の良い製品を作成できる。また、テフロン（ 商品名）グラスに比べて、適当な誘電率εｒを持っているので、容量を持つよう なパターンが大きくなりすぎず、小型化を図ることができ、また、材料が安価で ある。従って、コストアップなしに特性が良く、安くて信頼性の高い製品を供給 することができる。 According to the present invention, the heat resistance is superior to that of glass epoxy, and the characteristic stability with temperature is good, so there is little change in appearance and characteristics before and after reflow soldering. Furthermore, since the dielectric loss tangent tan δ is good, a product with good characteristics can be created. In addition, since it has an appropriate dielectric constant εr as compared with Teflon (trade name) glass, the pattern that has the capacitance does not become too large, and it is possible to achieve downsizing, and the material is inexpensive. . Therefore, it is possible to supply inexpensive, highly reliable products with good characteristics without increasing costs.
【０００９】[0009]
以下、本考案の実施例を図面を参照して説明する。まず、本考案が適用される 誘電体フィルタの全体の構成について説明する。 図１は誘電体フィルタの分解斜視図を示し、図２は各種部品を実装した状態の 斜視図を示している。図１及び図２に示す誘電体フィルタは、例えば、自動車電 話、携帯電話等の移動通信機器に使用されるものであり、マイクロ波帯に用いら れ所謂アンテナ共用器と言われるものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the overall structure of the dielectric filter to which the present invention is applied will be described. FIG. 1 shows an exploded perspective view of a dielectric filter, and FIG. 2 shows a perspective view of a state in which various parts are mounted. The dielectric filters shown in FIGS. 1 and 2 are used, for example, in mobile communication devices such as automobile telephones and mobile phones, and are so-called antenna duplexers used in the microwave band. .
【００１０】 そして、この誘電体フィルタは送信側がバンドエリミネーションフィルタで構 成され、受信側がバンドパスフィルタで構成されている。 まず、表面実装タイプのこの誘電体フィルタの全体の構成を図１及び図２によ り説明する。バンドエリミネーションフィルタは３段の共振器構成となっており 、３個の１／４波長形誘電体同軸共振器１〜３を有し、バンドパスフィルタは４ 段の共振器構成で、４個の１／４波長形誘電体同軸共振器４〜７を有している。The dielectric filter has a band elimination filter on the transmitting side and a band pass filter on the receiving side. First, the overall structure of this surface mount type dielectric filter will be described with reference to FIGS. The band elimination filter has a three-stage resonator configuration and has three quarter-wave dielectric coaxial resonators 1 to 3, and the bandpass filter has a four-stage resonator configuration and four resonators. 1/4 wavelength type dielectric coaxial resonators 4 to 7.
【００１１】 誘電体同軸共振器１〜７は、直方体状に形成されている誘電体の穴８の内周面 に形成した電極膜状の内導体と、該誘電体の側表面に形成した電極膜状の外導体 と、図には表われていないが穴８が開口している端面の一方に形成した電極膜状 の内導体と外導体とを接続する短絡導体とで構成され、所定の周波数で共振する ようになっている。 この誘電体同軸共振器１〜７の穴８には一端側を略円筒状に形成した金属製の 接続端子９がそれぞれ誘電体同軸共振器１〜７の開放端側より圧入されて、穴８ 内の内導体と接触して導通を得ている。 上記接続端子９の他端側は舌片状に形成されていて、後述するコンデンサ基板 １０〜１２や結合基板１３の上面に形成されている電極膜１４〜１７に半田付け 等でそれぞれ接続されるようになっている。The dielectric coaxial resonators 1 to 7 are electrode film-shaped inner conductors formed on the inner peripheral surface of the hole 8 of the dielectric body formed in a rectangular parallelepiped shape, and electrodes formed on the side surface of the dielectric body. Although not shown in the figure, it is composed of a film-shaped outer conductor and a short-circuit conductor that connects the electrode film-shaped inner conductor and the outer conductor formed on one of the end faces where the hole 8 is opened, It resonates at the frequency. Into the holes 8 of the dielectric coaxial resonators 1 to 7, metal connection terminals 9 each having one end side formed in a substantially cylindrical shape are press-fitted from the open end sides of the dielectric coaxial resonators 1 to 7, respectively. Conductivity is obtained by contacting the inner conductor inside. The other end side of the connection terminal 9 is formed in a tongue shape and is connected to the electrode films 14 to 17 formed on the upper surfaces of the capacitor substrates 10 to 12 and the coupling substrate 13 described later by soldering or the like. It is like this.
【００１２】 上記コンデンサ基板１０〜１２は誘電体からなり、その上下面には電極膜がそ れぞれ形成されていて、キャパシタを形成している。また、誘電体からなる結合 基板１３の上面には複数の電極膜１４〜１７が並設されており、電極膜１４〜１ ６は結合容量を多くとるために、対向部分が櫛歯状に形成されている。更に、結 合基板１３の下面の両側にも電極膜が形成されている。 また、コンデンサ基板１０〜１２間にはコイル状のインダクタＬ1 〜Ｌ3 が接 続される。上記インダクタＬ1 〜Ｌ3 を実装する誘電体からなる結合基板１８の 上面には電極膜１９，２０が形成されており、この結合基板１８の下面は全面に わたってアース電極となる電極膜が形成されている。The capacitor substrates 10 to 12 are made of a dielectric material, and electrode films are respectively formed on the upper and lower surfaces thereof to form a capacitor. Further, a plurality of electrode films 14 to 17 are arranged in parallel on the upper surface of the coupling substrate 13 made of a dielectric material, and the electrode films 14 to 16 have comb-shaped opposite portions in order to increase the coupling capacitance. Has been done. Furthermore, electrode films are formed on both sides of the lower surface of the combined substrate 13. Further, coil-shaped inductors L 1 to L 3 are connected between the capacitor substrates 10 to 12. Electrode films 19 and 20 are formed on the upper surface of a coupling substrate 18 made of a dielectric material on which the inductors L 1 to L 3 are mounted, and the lower surface of the coupling substrate 18 has an electrode film serving as a ground electrode over the entire surface. Has been formed.
【００１３】 上記各部材を上面に実装するベース基板２２には、アンテナ側と接続される電 極膜状の入出力端子２３と、送信部側が接続される電極膜状の入出力端子２４と 、受信部側が接続される電極膜状の入出力端子２５とがそれぞれ形成されている 。 また、ベース基板２２の上面及び下面は電極膜状のアース電極２６が略全面に わたって形成してある。尚、このベース基板２２は、誘電体または絶縁体等で形 成されている。 ベース基板２２の上面に実装される上記結合基板１３は２個のスペーサ２１を 介して実装されるものであり、他の１個のスペーサ２１はベース基板２２の入出 力端子２４の上面に実装される。これら３個のスペーサ２１は、金属等の導通の ある部材を用いている。An electrode film-shaped input / output terminal 23 connected to the antenna side and an electrode film-shaped input / output terminal 24 connected to the transmitter side are provided on the base substrate 22 on which the above-mentioned members are mounted. An input / output terminal 25 in the form of an electrode film to which the receiving portion side is connected is formed. Further, the upper and lower surfaces of the base substrate 22 are formed with electrode film-shaped ground electrodes 26 over substantially the entire surface. The base substrate 22 is made of a dielectric material or an insulating material. The coupling substrate 13 mounted on the upper surface of the base substrate 22 is mounted via two spacers 21, and the other one spacer 21 is mounted on the upper surface of the input / output terminal 24 of the base substrate 22. It These three spacers 21 are made of a conductive material such as metal.
【００１４】 また、ベース基板２２の上下面の入出力端子２３〜２５の部分以外の箇所は全 面にわたってアース電極２６が形成されており、上下面のアース電極２６は横方 向に一直線状に形成した複数のスルーホール３３により導通を得ている。 また、ベース基板２２の周囲に複数形成した半円状の切欠部３４の端面に形成 した電極膜を介しても上下面のアース電極２６が導通している。 更に、入出力端子２３〜２５も端面に形成した電極膜を介してベース基板２２ の上下面が導通している。Further, the ground electrodes 26 are formed on the entire upper and lower surfaces of the base substrate 22 except the portions of the input / output terminals 23 to 25. The ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are laterally aligned in a straight line. Conduction is obtained by the plurality of through holes 33 formed. Further, the ground electrodes 26 on the upper and lower surfaces are also electrically connected through the electrode film formed on the end surface of the semicircular cutout 34 formed around the base substrate 22. Further, the input / output terminals 23 to 25 are also electrically connected to the upper and lower surfaces of the base substrate 22 via the electrode films formed on the end faces.
【００１５】 ベース基板２２を覆設するカバー２７は金属製で構成され、カバー２７の天板 には誘電体同軸共振器１〜７の上面側外導体とカバー２７とを半田付け等をする ための細長の穴２８と、誘電体同軸共振器１〜７の特性を調整するための治具挿 入用の穴２９が穿孔してある。また、カバー２７の下縁の前部・背部（図示せず ）よりベース基板２２の上面アース電極２６と接続されるアース端子３０が複数 形成されている。 カバー２７の側板には、上記ベース基板２２の入出力端子２３〜２５を露出さ せるための切欠部３１がそれぞれ形成してある。 また、図２に示すように、カバー２７の上面にはラベル３２が貼付され穴２８ や２９が覆われるようになっている。The cover 27 that covers the base substrate 22 is made of metal, and the top plate of the cover 27 is used for soldering the upper outer conductors of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 and the cover 27. And an elongated hole 28 and a hole 29 for inserting a jig for adjusting the characteristics of the dielectric coaxial resonators 1 to 7 are formed. Further, a plurality of ground terminals 30 connected to the upper surface ground electrode 26 of the base substrate 22 from the front and back portions (not shown) of the lower edge of the cover 27 are formed. Notches 31 for exposing the input / output terminals 23 to 25 of the base substrate 22 are formed on the side plates of the cover 27, respectively. Further, as shown in FIG. 2, a label 32 is attached to the upper surface of the cover 27 to cover the holes 28 and 29.
【００１６】 尚、上記の場合においては、カバー２７を用いた場合について説明したが、カ バー２７を用いずに誘電体フィルタを構成する場合もある。 また、上記ラベル３２は、耐熱性の高いカプトン（商品名）という樹脂で形成 されている。ラベル３２は、樹脂で形成した場合はシールドの役目を有していな いが、シールドの機能を持たす場合には、金属製のものを使用するようになって いる。In the above case, the case where the cover 27 is used has been described, but the dielectric filter may be configured without using the cover 27. The label 32 is formed of a resin called Kapton (trade name) having high heat resistance. When the label 32 is made of resin, it does not serve as a shield, but when it has a shield function, it is made of metal.
【００１７】 次に、各部材の配置構成について説明する。図１及び図２に示すように、バン ドエリミネーションフィルタ側では、１個のスペーサ２１がベース基板２２の入 出力端子２４の上に実装され、また、結合基板１８がベース基板２２の入出力端 子２４と２３との間のアース電極２６の上に実装されハンダづけされる。 更に、入出力端子２３と２５の上面にスペーサ２１がそれぞれ実装され、この ２個のスペーサ２１の上面に、下面の電極膜が接触する形で結合基板１３が架橋 されハンダづけされる。Next, the arrangement configuration of each member will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, on the band elimination filter side, one spacer 21 is mounted on the input / output terminal 24 of the base substrate 22, and the coupling substrate 18 is the input / output of the base substrate 22. It is mounted and soldered on the ground electrode 26 between the terminals 24 and 23. Further, the spacers 21 are mounted on the upper surfaces of the input / output terminals 23 and 25, respectively, and the combined substrate 13 is bridged and soldered on the upper surfaces of the two spacers 21 so that the electrode films on the lower surfaces are in contact with each other.
【００１８】 図２に示すように、インダクタＬ1 の一端がスペーサ２１の上面に実装され、 その上にコンデンサ基板１０が実装され、このコンデンサ基板１０の上面の電極 膜に誘電体同軸共振器１からの接続端子９が接続される。 また、インダクタＬ1 の他端は結合基板１８の電極膜１９の上に実装され、イ ンダクタＬ2 が結合基板１８の電極膜１９と２０との間に実装される。そして、 インダクタＬ1 とＬ2 の接続部の上にコンデンサ基板１１が実装され、コンデン サ基板１１の上面の電極膜に誘電体同軸共振器２からの接続端子９が接続される 。 インダクタＬ3 の一端が結合基板１８の電極膜２０の上に実装され、他端は入 出力端子２３の上に実装される。また、インダクタＬ2 とＬ3 の接続部の上にコ ンデンサ基板１２が実装され、コンデンサ基板１２の上面の電極膜に誘電体同軸 共振器３からの接続端子９が接続される。As shown in FIG. 2, one end of the inductor L 1 is mounted on the upper surface of the spacer 21, the capacitor substrate 10 is mounted thereon, and the dielectric coaxial resonator 1 is mounted on the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 10. Is connected to the connection terminal 9. The other end of the inductor L 1 is mounted on the electrode film 19 of the coupling substrate 18, and the inductor L 2 is mounted between the electrode films 19 and 20 of the coupling substrate 18. Then, the capacitor substrate 11 is mounted on the connecting portion between the inductors L 1 and L 2 , and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 2 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 11. One end of the inductor L 3 is mounted on the electrode film 20 of the coupling substrate 18, and the other end is mounted on the input / output terminal 23. Further, the capacitor substrate 12 is mounted on the connection portion between the inductors L 2 and L 3 , and the connection terminal 9 from the dielectric coaxial resonator 3 is connected to the electrode film on the upper surface of the capacitor substrate 12.
【００１９】 ２個のスペーサ２１の上に実装された結合基板１３の上面の各電極膜１４〜１ ７に、誘電体同軸共振器４〜７からの接続端子９がそれぞれ接続されるようにな っている。The connection terminals 9 from the dielectric coaxial resonators 4 to 7 are connected to the electrode films 14 to 17 on the upper surface of the coupling substrate 13 mounted on the two spacers 21, respectively. ing.
【００２０】 図３は上記のようにして構成されている誘電体フィルタの等価回路図を示し、 バンドエリミネーションフィルタ側のキャパシタＣ1 〜Ｃ3 は、コンデンサ基板 １０〜１２の上下の電極膜で形成され、キャパシタＣ4 は入出力端子２４と下面 のアース電極との間で形成されるものである。 キャパシタＣ5 ，Ｃ6 は、結合基板１８の上面の電極膜１９，２０と下面の電 極膜とで形成されている。また、キャパシタＣ7 は、入出力端子２３と下面のア ース電極との間で形成されるものである。FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of the dielectric filter configured as described above. The capacitors C 1 to C 3 on the band elimination filter side are electrode films above and below the capacitor substrates 10 to 12. The capacitor C 4 is formed between the input / output terminal 24 and the ground electrode on the lower surface. The capacitors C 5 and C 6 are formed by the electrode films 19 and 20 on the upper surface of the coupling substrate 18 and the electrode film on the lower surface. Further, the capacitor C 7 is formed between the input / output terminal 23 and the ground electrode on the lower surface.
【００２１】 また、バンドパスフィルタ側のキャパシタＣ8 は、結合基板１３の電極膜１４ と下面の電極膜との間で形成され、キャパシタＣ9 〜Ｃ1 0 は、結合基板１３の 各電極膜１４〜１６間で形成される。また、キャパシタＣ1 1 は、結合基板１３ の上面の電極膜１６と下面の電極膜（図示せず）で形成される。また、この下面 の電極膜は図の右端のスペーサ２１に導通している。 更に、キャパシタＣ1 2 は結合基板１３の上面の電極膜１７と下面の電極膜と で形成される。尚、誘電体同軸共振器７とキャパシタＣ1 2 とで直列共振回路の トラップ回路を構成している。Further, the capacitor C 8 on the bandpass filter side is formed between the electrode film 14 of the coupling substrate 13 and the electrode film on the lower surface, and the capacitors C 9 to C 10 are the electrode films of the coupling substrate 13. It is formed between 14 and 16. Further, the capacitor C 11 is formed by the electrode film 16 on the upper surface and the electrode film (not shown) on the lower surface of the combined substrate 13. The electrode film on the lower surface is electrically connected to the spacer 21 at the right end in the figure. Further, the capacitor C 12 is formed by the electrode film 17 on the upper surface and the electrode film on the lower surface of the combined substrate 13. The dielectric coaxial resonator 7 and the capacitor C 12 form a trap circuit of a series resonance circuit.
【００２２】 次に、本考案の要旨について詳述する。本考案は上記ベース基板２２の材質を ビスマレイミド−トリアジン樹脂で形成したことに特徴がある。このビスマレイ ミド−トリアジン樹脂は三菱瓦斯化学社製の樹脂である。 すなわち、ビスマレイミド−トリアジン樹脂は従来用いていたガラスエポキシ に比べ、耐熱性に優れ、温度による特性安定性が良いので、リフロー半田の前後 で外観や特性の変化が少ない。更に、誘電正接ｔａｎδが良いので、特性の良い 製品を作成できるという特徴を持っている。Next, the gist of the present invention will be described in detail. The present invention is characterized in that the base substrate 22 is made of bismaleimide-triazine resin. This bismaleimide-triazine resin is a resin manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company. That is, the bismaleimide-triazine resin has excellent heat resistance and good characteristic stability with temperature as compared with the conventionally used glass epoxy, and therefore changes in appearance and characteristics before and after reflow soldering are small. Furthermore, since the dielectric loss tangent tan δ is good, it has the feature that a product with good characteristics can be created.
【００２３】 また、ビスマレイミド−トリアジン樹脂はテフロン（商品名）グラスに比べて 、適当な誘電率εｒを持っているので、容量を持つようなパターンが大きくなり すぎず、小型化を図ることができ、また、材料が安価であるという特徴を持って いる。 また、ビスマレイミド−トリアジン樹脂は、ガラスエポキシやテフロン（商品 名）グラスに比べて吸水率が低い。In addition, since the bismaleimide-triazine resin has an appropriate permittivity εr as compared with Teflon (trade name) glass, a pattern having a capacitance does not become too large, and it is possible to achieve miniaturization. It is possible and the material is inexpensive. Further, the bismaleimide-triazine resin has a lower water absorption rate than glass epoxy or Teflon (trade name) glass.
【００２４】 更に、ビスマレイミド−トリアジン樹脂は、誘電率、誘電正接が他の熱硬化性 樹脂に比べて小さい、耐熱性が優れている（ガラス転移温度Ｔｇ：２５５−３３ ０℃）、電気的絶縁性が優れており、銅イオンの移動によるマイグレーションが 非常に発生しにくい、機械的特性に優れている、耐薬品性に優れている、硬化は 比較的低い温度で行うことができる、低毒性，低皮膚刺激性，低蓄積性という種 々の特徴を有している。 これにより低誘電特性を有する銅張積層板で上記ベース基板２２を構成してい るものである。Further, the bismaleimide-triazine resin has a smaller dielectric constant and dielectric loss tangent than other thermosetting resins, and is excellent in heat resistance (glass transition temperature Tg: 255-330 ° C.), and electrically. Excellent insulation, very little migration due to copper ion migration, excellent mechanical properties, excellent chemical resistance, curing can be done at relatively low temperature, low toxicity It has various characteristics such as low skin irritation and low accumulation. As a result, the base substrate 22 is made of a copper clad laminate having a low dielectric property.
【００２５】 尚、実施例では、フィルタの構成として、バンドパスフィルタとバンドエリミ ネーションフィルタの組み合わせたアンテナ共用器の例を示したが、これらの単 独構成や、他のハイパスフィルタ、ローパスフィルタのそれぞれの単独構成、又 は各フィルタの組み合わせにも本考案を適用できるものである。また、共振器の 段数には制限されないものである。In the embodiment, the example of the antenna duplexer in which the band pass filter and the band elimination filter are combined is shown as the filter configuration. However, these single configurations and other high pass filters and low pass filters are not used. The present invention can be applied to each individual configuration or each filter combination. The number of resonator stages is not limited.
【００２６】 更に、上記の実施例では、誘電体同軸共振器を実装するベース基板を用いた誘 電体フィルタに適用した場合について説明したが、誘電体フィルタに限らず、ビ スマレイミド−トリアジン樹脂で形成したベース基板を用いたＶＣＯやＦＭのフ ロントエンドの回路等の種々の電子回路にも適用できるものである。Further, in the above-described embodiment, the case where the invention is applied to the dielectric filter using the base substrate on which the dielectric coaxial resonator is mounted has been described, but not limited to the dielectric filter, a bismaleimide-triazine resin is used. It can also be applied to various electronic circuits such as VCO and FM front end circuits using the formed base substrate.
【００２７】[0027]
本考案によれば、ベース基板の一面に高周波用の電子部品素子を半田付け等に より実装するようにした高周波用電子部品において、上記ベース基板の材質を、 ビスマレイミド−トリアジン樹脂で構成したものであるから、ガラスエポキシに 比べて耐熱性が優れ、また、温度による特性安定性が良いので、リフロー半田の 前後で外観や特性の変化が少ない。更に、誘電正接ｔａｎδが良いので、特性の 良い製品を作成できる。また、テフロン（商品名）グラスに比べて、適当な誘電 率εｒを持っているので、容量を持つようなパターンが大きくなりすぎず、小型 化を図ることができ、また、材料が安価である。従って、コストアップなしに特 性が良く、安くて信頼性の高い製品を供給することができるという効果を奏する ものである。 According to the present invention, in a high-frequency electronic component in which a high-frequency electronic component element is mounted on one surface of the base substrate by soldering, etc., the base substrate is made of bismaleimide-triazine resin. Therefore, the heat resistance is superior to that of glass epoxy, and the characteristic stability with temperature is good, so there is little change in appearance and characteristics before and after reflow soldering. Furthermore, since the dielectric loss tangent tan δ is good, a product with good characteristics can be created. In addition, since it has an appropriate dielectric constant εr as compared with Teflon (trade name) glass, the pattern having a capacitance does not become too large, and it is possible to achieve downsizing, and the material is inexpensive. . Therefore, it is possible to supply inexpensive, highly reliable products with good characteristics without increasing costs.
【図１】本考案の実施例の誘電体フィルタの全体の分解
斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of an entire dielectric filter according to an embodiment of the present invention.
【図２】本考案の実施例の実装状態を示す誘電体フィル
タの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a dielectric filter showing a mounted state of an embodiment of the present invention.
【図３】本考案の実施例の誘電体フィルタの等価回路図
である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a dielectric filter according to an embodiment of the present invention.
【図４】従来例の誘電体フィルタの分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a conventional dielectric filter.
２２ ベース基板 22 Base substrate
Claims (1)
素子を半田付け等により実装するようにした高周波用電
子部品において、上記ベース基板の材質を、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂で構成したことを特徴とする高周
波用電子部品。1. A high frequency electronic component in which a high frequency electronic component element is mounted on one surface of a base substrate by soldering or the like, wherein the material of the base substrate is a bismaleimide-triazine resin. And high frequency electronic components.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1627793U JPH0670304U (en) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | High frequency electronic components |
| US08/150,601 US5612512A (en) | 1992-11-11 | 1993-11-10 | High frequency electronic component having base substrate formed of bismaleimide-triazine resin and resistant film formed on base substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1627793U JPH0670304U (en) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | High frequency electronic components |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0670304U true JPH0670304U (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=11912061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1627793U Pending JPH0670304U (en) | 1992-11-11 | 1993-03-10 | High frequency electronic components |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670304U (en) |
-
1993
- 1993-03-10 JP JP1627793U patent/JPH0670304U/en active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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