JPH0668540B2 - Semiconductor memory test equipment - Google Patents
Semiconductor memory test equipmentInfo
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- JPH0668540B2 JPH0668540B2 JP62001546A JP154687A JPH0668540B2 JP H0668540 B2 JPH0668540 B2 JP H0668540B2 JP 62001546 A JP62001546 A JP 62001546A JP 154687 A JP154687 A JP 154687A JP H0668540 B2 JPH0668540 B2 JP H0668540B2
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は被試験メモリをパターン発生器よりのアドレ
スによりアクセスすると共に、パターン発生器よりのデ
ータを書込み、その後、パターン発生器よりのアドレス
信号によつてその被試験メモリを読出し、その読出され
たデータを期待値と比較して被試験メモリを試験する半
導体メモリ試験装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Industrial field" The present invention accesses a memory under test by an address from a pattern generator, writes data from the pattern generator, and then outputs an address signal from the pattern generator. The present invention relates to a semiconductor memory test apparatus for reading the memory under test and comparing the read data with an expected value to test the memory under test.
「従来の技術」 従来のこの種の半導体メモリ試験装置は例えば第4図に
示すように構成されていた。パターン発生器11のアド
レス端子12よりアドレス信号を被試験メモリ13に与
え、被試験メモリ13のそのアドレスに、パターン発生
器11で発生したデータ端子14よりのデータを書込
む。その後パターン発生器11より被試験メモリ13に
アドレスを印加して読出し、その時読出されたデータ
と、パターン発生器11から出力されたデータ、つまり
期待値データとの比較を論理比較器15にて行い、被試
験メモリ13の良否判定を行う。"Prior Art" A conventional semiconductor memory test apparatus of this type is configured as shown in FIG. 4, for example. An address signal is applied from the address terminal 12 of the pattern generator 11 to the memory under test 13, and the data from the data terminal 14 generated by the pattern generator 11 is written to that address of the memory under test 13. Then, an address is applied from the pattern generator 11 to the memory under test 13 to read it, and the data read at that time is compared with the data output from the pattern generator 11, that is, the expected value data, by the logical comparator 15. Then, the quality of the memory under test 13 is determined.
パターン発生器11はアドレス発生部21、データ発生
部22、データメモリ23、クロツク制御信号発生部2
4、シーケンス制御部25により構成される。シーケン
ス制御部25はアドレス発生部21、データ発生部2
2、クロツク制御信号発生部24の制御を行う。アドレ
ス発生部21は被試験メモリ13に印加するアドレス信
号の発生を行う。データ発生部22は被試験メモリ13
に印加するデータ、つまり書込みデータ及び論理比較器
15に出力する期待値データの発生を行う。The pattern generator 11 includes an address generator 21, a data generator 22, a data memory 23, and a clock control signal generator 2.
4. The sequence control unit 25. The sequence controller 25 includes an address generator 21 and a data generator 2.
2. The clock control signal generator 24 is controlled. The address generator 21 generates an address signal to be applied to the memory under test 13. The data generator 22 is the memory under test 13
The data to be applied to, that is, the write data and the expected value data to be output to the logical comparator 15 are generated.
データメモリ23はデータ発生部22と同じく被試験メ
モリ13に印加するデータ及び論理比較器15に出力す
る期待値データの発生を行う。データメモリ23はあら
かじめ書込んでおいたデータを読出すことによりデータ
発生を行う。データ発生部22は規則性のあるデータ発
生に用いられ、データメモリ23は規則性のないランダ
ムなデータ発生に用いられている。データ発生部22よ
りデータをデータ端子14へ出力するか、データメモリ
23よりデータをデータ端子14へ出力するかはマルチ
プレクサ26により切換える。The data memory 23, like the data generator 22, generates data to be applied to the memory under test 13 and expected value data to be output to the logical comparator 15. The data memory 23 generates data by reading the data written in advance. The data generator 22 is used to generate regular data, and the data memory 23 is used to generate random data without regularity. The multiplexer 26 switches whether the data generator 22 outputs the data to the data terminal 14 or the data memory 23 outputs the data to the data terminal 14.
クロツク制御信号発生部24は被試験メモリ13に印加
するクロツクの制御信号を発生する。The clock control signal generator 24 generates a clock control signal to be applied to the memory under test 13.
「発明が解決しようとする問題点」 この第4図に示した従来の半導体メモリ試験装置は次の
ような欠点があつた。"Problems to be Solved by the Invention" The conventional semiconductor memory test apparatus shown in FIG. 4 has the following drawbacks.
(イ)第5図に示すようにランダムアクセスポートとシリ
アルアクセスポートとを持つメモリがある。このメモリ
のRAM部27はランダムアクセスポートを介して通常
のダイナミツクRAMと同等の動作をする。このメモリ
のSAM部28はメモリチツプ内部のポインタによりア
クセスされ、クロツクに同期して書込み、または読出し
が行われ、ポインタはクロツクが入力されることにより
1ずつ増加する。またRAM部27とSAM部28との
間でデータ転送を行うことができ、かつRAM部27と
SAM部28とは非同期に独立に動作させることが可能
である。(B) There is a memory having a random access port and a serial access port as shown in FIG. The RAM section 27 of this memory operates similarly to a normal dynamic RAM via a random access port. The SAM section 28 of this memory is accessed by a pointer inside the memory chip, and writing or reading is performed in synchronization with the clock, and the pointer is incremented by 1 when the clock is input. Further, data transfer can be performed between the RAM unit 27 and the SAM unit 28, and the RAM unit 27 and the SAM unit 28 can be independently operated asynchronously.
このようなランダムアクセスポートとシリアルアクセス
ポートを持つたメモリを試験する場合には、パターン発
生器にアドレス発生部、データ発生部が一系統しかない
ため、RAM部27とSAM部28とに対して独立にか
つ同時にデータを発生することができない。またデータ
メモリ23を利用してもこれをアクセスするためにアド
レス発生部21からのアドレスを使用するため、これを
SAM部28のアドレスとするとこれは順番に発生する
ため、ランダムに発生させるRAM部27に対するアド
レス発生が行えない。When testing a memory having such a random access port and a serial access port, since the pattern generator has only one system of the address generation unit and the data generation unit, the RAM unit 27 and the SAM unit 28 are compared with each other. Data cannot be generated independently and simultaneously. Since the address from the address generator 21 is used to access the data memory 23 even when the data memory 23 is used, if this address is used as the address of the SAM unit 28, this occurs in order. No address can be generated for 27.
(ロ)書込みポインタと読出しポインタとを持つFIFO
メモリは書込みアドレス、読出しアドレスはそれぞれの
ポインタにより決定され、これらのポインタは書込みク
ロツク、読出しクロツクによつてインクリメントする。
このメモリを試験する場合、従来はデータメモリよりデ
ータを発生していた。しかし被試験メモリは書込み時は
書込みポインタ、読出しは読出しポインタによりアドレ
スが決定するのに対し、データメモリをアクセスするア
ドレスを発生するアドレス発生部は一系統しかないの
で、書込みポインタに対するアドレスを発生させると、
読出しポインタに対するアドレスを発生することができ
ない。(B) FIFO having a write pointer and a read pointer
The write address and the read address of the memory are determined by respective pointers, and these pointers are incremented by the write clock and the read clock.
When testing this memory, data was conventionally generated from the data memory. However, in the memory under test, the address is determined by the write pointer at the time of writing and the read pointer at the time of reading, but there is only one system for generating the address for accessing the data memory, so the address for the write pointer is generated. When,
The address for the read pointer cannot be generated.
「問題点を解決するための手段」 この発明によればパターン発生器より発生したアドレス
信号を被試験メモリに印加してアクセスし、またデータ
をその被試験メモリに印加して書込むように構成すると
共に、上記アドレス信号によつてバツフアメモリを被試
験メモリと同様にアクセスし、かつまた被試験メモリに
対して書込みを供給したデータをそのバツフアメモリに
書込むようにされる。つまり被試験メモリと同一内容の
データがバツフアメモリに書込まれるようにされる。被
試験メモリを読出す場合にはバツフアメモリも同一アド
レスを読出し、そのバツフアメモリより読出されたデー
タを期待値として被試験メモリより読出されたデータと
論理比較器で比較するようにされる。"Means for Solving Problems" According to the present invention, an address signal generated by a pattern generator is applied to a memory under test for access, and data is applied to the memory under test for writing. At the same time, the buffer memory is accessed by the address signal in the same manner as the memory under test, and the data supplied to the memory under test is written into the buffer memory. That is, data having the same content as the memory under test is written in the buffer memory. When the memory under test is read, the buffer memory also reads the same address, and the data read from the buffer memory is used as an expected value to compare the data read from the memory under test with the logical comparator.
更にランダムアクセスポート及びシリアルアクセスポー
トを持つメモリを試験できるように、上記バツフアメモ
リのアドレスの入力側にマルチプレクサを設け、更にカ
ウンタを設け、このカウンタに被試験メモリのポインタ
をセツトするアドレスをロードすることができるように
され、かつそのカウンタをクロツクごとに歩進させるこ
とができるようにし、そのカウンタの内容か、被試験メ
モリへ供給するアドレスかのいずれかを前記マルチプレ
クサで選択してバツフアメモリのアドレスへ供給するよ
うにする。このようにして被試験メモリをランダムアク
セスする時は、被試験メモリへ供給するアドレスをマル
チプレクサによつて選択してバツフアメモリにも供給し
てバツフアメモリをランダムアクセスし、また被試験メ
モリに対しポインタを設定してそれより順次自動的にク
ロツクごとにアドレスを更新する場合は、前記カウンタ
にそのポインタをロードし、そのカウンタをクロツクご
とに歩進し、そのカウンタの内容でバツフアメモリをア
クセスするようにすることによつてランダムアクセスポ
ート及びシリアルアクセスポートを持つメモリを試験す
ることが可能となる。この場合、読出しと書込みとを同
時に行う場合においては、そのようなマルチプレクサと
バツフアメモリとの組をもう1組設けることによつてそ
の一方のバツフアメモリを書込み、他方のバツフアメモ
リを読出しとすることによつて被試験メモリに対し書込
み読出しを同時に行つている場合の試験を行うことがで
きる。Further, in order to test a memory having a random access port and a serial access port, a multiplexer is provided on the input side of the address of the buffer memory, a counter is further provided, and an address for setting the pointer of the memory under test is loaded into this counter. And the counter can be incremented by clock, and either the contents of the counter or the address to be supplied to the memory under test is selected by the multiplexer to the address of the buffer memory. To supply. When the memory under test is randomly accessed in this way, the address to be supplied to the memory under test is selected by the multiplexer and also supplied to the buffer memory to randomly access the buffer memory, and a pointer is set for the memory under test. Then, when the address is updated automatically for each clock, the pointer is loaded into the counter, the counter is incremented for each clock, and the buffer memory is accessed with the contents of the counter. This makes it possible to test a memory having a random access port and a serial access port. In this case, when reading and writing are performed at the same time, by providing another set of such multiplexer and buffer memory, one buffer memory is written and the other buffer memory is read. It is possible to perform a test when writing and reading are simultaneously performed on the memory under test.
更に被試験メモリとして書込みポインタ及び読出しポイ
ンタを持つFIFOメモリを試験する場合にはバツフア
メモリのアドレスの入力側にマルチプレクサを設け、か
つカウンタを二つ設けてバツフアメモリはマルチプレク
サによつて被試験メモリに対するアドレスと、前記二つ
のカウンタの各内容との三つのうち一つ選んでバツフア
メモリへアドレスとして供給できるように構成し、その
各カウンタに、それぞれ被試験メモリの各ポインタに格
納するアドレスを同様に格納し、しかもこれら一方のカ
ウンタを書込みポインタに対するその書込みポイントの
セツト、他方のカウンタを読出しポインタに対する読出
しポイントのセツトに利用することにより、またこれら
カウンタを被試験メモリの書込みクロツク、読出しクロ
ツクで歩進させることによつて被試験メモリに対する書
込みと同様の書込みをバツフアメモリに行うことがで
き、かつ被試験メモリの読出しと同様にバツフアメモリ
を読出すことができる。Further, when testing a FIFO memory having a write pointer and a read pointer as the memory under test, a multiplexer is provided on the input side of the address of the buffer memory, and two counters are provided so that the buffer memory can provide an address for the memory under test by the multiplexer. , One of the three contents of each of the two counters is selected so that it can be supplied as an address to the buffer memory, and each counter stores the address to be stored in each pointer of the memory under test in the same manner, Moreover, by utilizing one of these counters to set its write point to the write pointer and the other counter to set its read point to the read pointer, these counters are also incremented by the write clock and read clock of the memory under test. And Manzanillo One to be able to perform the same writing and writing to the memory under test to the buffer memory, and buffer memory similar to the memory under test reading can be read.
「実施例」 第1図にこの発明の第1実施例、つまりランダムアクセ
スポートとシリアルアクセスポートとをもつメモリを試
験する場合にこの発明を適用した例を示し、第4図と対
応する部分には同一符号を付けてある。[Embodiment] FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, that is, an example in which the present invention is applied to a case where a memory having a random access port and a serial access port is tested, and a portion corresponding to FIG. Are given the same reference numerals.
この発明では被試験メモリ13と同等またはそれ以上の
記憶容量を持つたバツフアメモリ31と、パターン発生
器11内にバツフアメモリ31に対する制御信号発生器
32とが設けられる。バツフアメモリ31は被試験メモ
リ13のデータビツト数に応じてメモリ構成を変えるこ
とができる。すなわち被試験メモリ13が1ワード1ビ
ツトの時はバツフアメモリ31も1ワード1ビツト構成
に、被試験メモリ13が1ワード4ビツトの時はバツフ
アメモリ31も1ワード4ビツト構成とされる。In the present invention, a buffer memory 31 having a storage capacity equal to or larger than that of the memory under test 13 and a control signal generator 32 for the buffer memory 31 are provided in the pattern generator 11. The buffer memory 31 can change its memory configuration according to the number of data bits of the memory under test 13. That is, when the memory under test 13 has one word and one bit, the buffer memory 31 has a one word and one bit configuration, and when the memory under test 13 has one word and four bits, the buffer memory 31 also has a one word and four bit configuration.
バツフアメモリ31には被試験メモリ13と同一データ
が与えられており、被試験メモリ13の同一アドレスに
同一データがバツフアメモリに書込まれ、また被試験メ
モリ13と同一アドレスで、バツフアメモリ31がアク
セスされるようになされる。このためバツフアメモリ3
1のアドレス入力端子と直列に2入力マルチプレクサ3
7が挿入され、そのマルチプレクサ37の一方の1入力
側にカウンタ38が接続される。カウンタ38はパター
ン発生器11で発生したアドレスをロードする機能、カ
ウンタ38の値をインクリメント(順次1加算)、デク
リメント(順次1減算)及び保持する機能を有する。マ
ルチプレクサ37はバツフアメモリ31に印加するアド
レスを、パターン発生器11で発生た端子12のアドレ
スにするか、カウンタ38の計数値にするかの選択を行
う。The buffer memory 31 is supplied with the same data as the memory under test 13, the same data is written in the buffer memory at the same address of the memory under test 13, and the buffer memory 31 is accessed at the same address as the memory under test 13. Is done like this. Therefore, the buffer memory 3
2 input multiplexer 3 in series with 1 address input terminal
7 is inserted, and the counter 38 is connected to one 1 input side of the multiplexer 37. The counter 38 has a function of loading an address generated by the pattern generator 11, and a function of incrementing (sequentially adding 1), decrementing (sequentially subtracting 1) and holding the value of the counter 38. The multiplexer 37 selects whether the address applied to the buffer memory 31 is the address of the terminal 12 generated by the pattern generator 11 or the count value of the counter 38.
カウンタ38の制御はパターン発生器11の制御信号発
生部32より出力されるカウンタ制御信号により行う。
マルチプレクサ37の切換えもパターン発生器11の制
御信号発生部32より出力されるマルチプレクサ制御信
号により行う。The counter 38 is controlled by the counter control signal output from the control signal generator 32 of the pattern generator 11.
The switching of the multiplexer 37 is also performed by the multiplexer control signal output from the control signal generator 32 of the pattern generator 11.
ランダムアセクスポートとシリアルアクセスポートを持
つメモリにおいてはSAM部はポインタによりアクセス
される。そのポインタの初期設定は外部から与えるアド
レスによつて行われるが、その初期値がカウンタ38に
も設定される。In a memory having a random access port and a serial access port, the SAM part is accessed by a pointer. Initialization of the pointer is performed by an address given from the outside, but the initial value is also set in the counter 38.
被試験メモリ13のRAM部に対し、パターン発生器1
1からアドレス及びデータを与え、これと同時にそのア
ドレスをマルチプレクサ37を通じてバツフアメモリ3
1に与えてアクセスし、また前記データをバツフアメモ
リ31に与えて同時に書込み、その後、被試験メモリ1
3のRAM部内のデータをSAM部に転送し、パターン
発生器11からアドレスにより被試験メモリ13のSA
M部のポインタを初期設定し、同時にそのアドレスによ
りカウンタ38を初期設定し、そのカウンタ38により
バツフアメモリ31をアクセスして読出し、これと同期
して被試験メモリ13のSAM部からの読出しデータと
バツフアメモリ31の読出しデータとを論理比較するこ
とにより被試験メモリを試験することができる。For the RAM part of the memory under test 13, the pattern generator 1
1 gives an address and data, and at the same time, the address is passed through the multiplexer 37 to the buffer memory 3
1 to access, and the data is written to the buffer memory 31 at the same time, and then the memory under test 1
The data in the RAM section 3 is transferred to the SAM section, and the SA of the memory under test 13 is sent by the address from the pattern generator 11.
The pointer of the M section is initialized, and at the same time, the counter 38 is initialized by the address, the buffer memory 31 is accessed and read by the counter 38, and the read data from the SAM section of the memory under test 13 and the buffer memory are synchronized with this. The memory under test can be tested by logically comparing the read data of 31.
ランダムアクセスポートとシリアルアクセスポートを持
つメモリではそれぞれのポートを非同期に、つまり独立
に動作させることが可能であるが、第2図に示すように
第1図におけるバツフアメモリ31、マルチプレクサ3
7の組の他にバツフアメモリ41、マルチプレクサ42
の組を設けることにより、例えばこの被試験メモリをシ
リアルアクセスポートから読出しを行いながら、ランダ
ムアクセスポートよりデータを書込む試験を行うことが
できる。カウンタ38でバツフアメモリ41をアクセス
し、シリアルポートのための期待値をバツフアメモリ4
1から発生し、被試験メモリ13にランダムアクセスポ
ートを通じて書込みを行うと同時にバツフアメモリ31
に対して同時にそのデータの書込みを行う。In a memory having a random access port and a serial access port, it is possible to operate each port asynchronously, that is, independently, but as shown in FIG. 2, the buffer memory 31 and multiplexer 3 in FIG.
In addition to the 7 sets, a buffer memory 41 and a multiplexer 42
By providing this group, it is possible to perform a test for writing data from the random access port while reading the memory under test from the serial access port. The buffer 38 is accessed by the counter 38, and the expected value for the serial port is read.
1 and write to the memory under test 13 through the random access port at the same time as the buffer memory 31.
At the same time, the data is written.
第3図は書込みポインタ及び読出しポインタをもつFI
FOメモリの試験装置にこの発明を適用した第2実施例
を示す。第1図に示した構成に対しカウンタ43を設
け、カウンタ38、カウンタ43はパターン発生器11
からの制御信号により独立に動作する。マルチプレクサ
37はパターン発生器11からのアドレス、カウンタ3
7の計数値、カウンタ43の計数値のうちのいずれかを
選択してバツフアメモリ31のアドレスに印加する。FIG. 3 shows a FI having a write pointer and a read pointer.
A second embodiment in which the present invention is applied to a FO memory testing device will be described. A counter 43 is provided for the configuration shown in FIG. 1, and the counters 38 and 43 are the pattern generator 11
It operates independently by the control signal from. The multiplexer 37 uses the address from the pattern generator 11 and the counter 3
Either the count value of 7 or the count value of the counter 43 is selected and applied to the address of the buffer memory 31.
被試験メモリ13の書込みポインタを初期化する時に、
カウンタ38にパターン発生器11からのその初期化ア
ドレスを格納し、被試験メモリ13の読出しポインタを
初期化する時にカウンタ43にその初期化アドレスを格
納する。被試験メモリ13に書込みクロツクが印加さ
れ、書込みが行われる時にはマルチプレクサ37でカウ
ンタ38を選択し、バツフアメモリ31に書込みを行
う。被試験メモリ13に読出しクロツクが印加され、読
出しが行われる時にはマルチプレクサ37でカウンタ4
3を選択し、バツフアメモリ31をアクセスする。バツ
フアメモリ31の出力と被試験メモリ13の出力とを論
理比較器15で比較する。このようにして試験を行うこ
とによりパターン発生器11ではカウンタ38、カウン
タ43を初期化する時のみアドレスを発生すれば良く、
被試験メモリ13に印加する書込みクロツク、読出しク
ロツクに合せて、パターン発生器11からアドレスを発
生する必要もない。When initializing the write pointer of the memory under test 13,
The counter 38 stores the initialization address from the pattern generator 11, and the counter 43 stores the initialization address when the read pointer of the memory under test 13 is initialized. When a write clock is applied to the memory under test 13 and writing is performed, the multiplexer 37 selects the counter 38 to write to the buffer memory 31. When a read clock is applied to the memory under test 13 and a read operation is performed, the counter 37 is read by the multiplexer 37.
3 is selected and the buffer memory 31 is accessed. The output of the buffer memory 31 and the output of the memory under test 13 are compared by the logical comparator 15. By performing the test in this way, the pattern generator 11 may generate an address only when the counter 38 and the counter 43 are initialized,
It is not necessary to generate an address from the pattern generator 11 in accordance with the write clock and the read clock applied to the memory under test 13.
「発明の効果」 以上述べたようにこの発明によればカウンタとマルチプ
レクサとバツフアメモリとを設け、被試験メモリのポイ
ンタにアドレスを設定する際に、そのアドレスを前記カ
ウンタに格納し、そのカウンタを被試験メモリのポイン
タを順次変化させるクロツクと同期して順次変化させ、
そのカウンタの計数値をマルチプレクサにより選択して
バツフアメモリへアドレスとして供給することにより、
バツフアメモリの被試験メモリのアドレスと同一アドレ
スに対し同一データを書込み、又は読出しすることが、
メモリのSAM部やFIFOメモリに対し行うことがで
き、その際にパターン発生器から、各アクセスごとにい
ちいちアドレスを発生する必要がない。またマルチプレ
クサの選択によりパターン発生器から発生したアドレス
を被試験メモリ、及びバツフアメモリへも供給すること
ができる。As described above, according to the present invention, a counter, a multiplexer and a buffer memory are provided, and when an address is set in the pointer of the memory under test, the address is stored in the counter and the counter is stored. Change the pointer of the test memory sequentially in synchronization with the clock that changes sequentially,
By selecting the count value of the counter by the multiplexer and supplying it as an address to the buffer memory,
It is possible to write or read the same data to or from the same address as the memory under test of the buffer memory.
This can be done for the SAM portion of the memory or the FIFO memory, and at that time, it is not necessary for the pattern generator to generate an address for each access. The address generated from the pattern generator can be supplied to the memory under test and the buffer memory by selecting the multiplexer.
更に第2図に示したようにマルチプレクサ及びバツフア
メモリを2組設ければ、被試験メモリのRAM部と、S
AM部とを独立に試験することができる。また第3図に
示したようにカウンタを2組設けると、FIFOメモリ
に対し、読出し、書込み操作を簡単に行うことができ
る。Further, as shown in FIG. 2, if two sets of multiplexers and buffer memories are provided, the RAM section of the memory under test and the S
The AM part can be tested independently. Further, if two sets of counters are provided as shown in FIG. 3, reading and writing operations can be easily performed on the FIFO memory.
第1図はランダムアクセスポート及びシリアルアクセス
ポートを持つメモリの試験に適するこの発明の実施例を
示すブロツク図、第2図は同様にランダムアクセスポー
ト及びシリアルアクセスポートを持つメモリの試験に適
するこの発明の他の実施例を示すブロツク図、第3図は
書込みポインタ及び読出しポインタを持つFIFOメモ
リの試験に適するこの発明の実施例を示すブロツク図、
第4図は従来の半導体メモリ試験装置を示すブロツク
図、第5図はランダムアクセスポート及びシリアルアク
セスポートを持つメモリの概念を示す図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention suitable for testing a memory having a random access port and a serial access port, and FIG. 2 is an invention suitable for testing a memory having a random access port and a serial access port. FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the present invention suitable for testing a FIFO memory having a write pointer and a read pointer.
FIG. 4 is a block diagram showing a conventional semiconductor memory testing device, and FIG. 5 is a diagram showing the concept of a memory having a random access port and a serial access port.
Claims (1)
験メモリへ印加し、またパターン発生器よりのデータを
被試験メモリに与えてこれを書込み、パターン発生器よ
りのアドレス信号より被試験メモリを読出してその読出
しデータと期待値とを論理比較器で比較して被試験メモ
リの試験を行う半導体メモリ試験装置において、 上記パターン発生器よりのアドレス信号をロードするこ
とができ、上記パターン発生器からの制御信号により計
数値に対し、順次1ずつ変化させることができるカウン
タと、 そのカウンタの計数値と上記パターン発生器からのアド
レス信号との何れかを選択して出力するマルチプレクサ
と、 そのマルチプレクサの出力がアドレス信号として与えら
れ、上記パターン発生器よりのデータが書込みデータと
して与えられるバツフアメモリとを備え、 上記パターン発生器よりのアドレス信号により上記被試
験メモリが読出されて上記論理比較器へ供給されると共
に上記バツフアメモリから同時に読出された出力が期待
値として上記論理比較器へ供給されることを特徴とする
半導体メモリ試験装置。1. An address signal from a pattern generator is applied to a memory under test, and data from a pattern generator is applied to a memory under test and written to the memory under test by an address signal from the pattern generator. In a semiconductor memory test apparatus for reading out and comparing the read data and an expected value with a logical comparator to test a memory under test, an address signal from the pattern generator can be loaded from the pattern generator. A counter that can sequentially change the count value by one by a control signal of, a multiplexer that selects and outputs either the count value of the counter or the address signal from the pattern generator, and the multiplexer of the multiplexer. The output is given as an address signal and the data from the pattern generator is given as write data. A buffer memory, the memory under test is read by an address signal from the pattern generator and supplied to the logical comparator, and the outputs simultaneously read from the buffer memory are supplied to the logical comparator as expected values. A semiconductor memory test apparatus characterized by being performed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP62001546A JPH0668540B2 (en) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | Semiconductor memory test equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP62001546A JPH0668540B2 (en) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | Semiconductor memory test equipment |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP61114381A Division JP2527935B2 (en) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | Semiconductor memory test equipment |
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JPS62272165A JPS62272165A (en) | 1987-11-26 |
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Family Applications (1)
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-
1987
- 1987-01-06 JP JP62001546A patent/JPH0668540B2/en not_active Expired - Fee Related
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JPS62272165A (en) | 1987-11-26 |
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