JPH0660440A - 光ディスク用スタンパの製造方法 - Google Patents
光ディスク用スタンパの製造方法Info
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- JPH0660440A JPH0660440A JP23527092A JP23527092A JPH0660440A JP H0660440 A JPH0660440 A JP H0660440A JP 23527092 A JP23527092 A JP 23527092A JP 23527092 A JP23527092 A JP 23527092A JP H0660440 A JPH0660440 A JP H0660440A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿式工程を必要とせず、しかも、情報記録時
のトラッキングを簡便に行うことが可能で、大型、高価
なカッティング・マシンを必要としない光ディスク用ス
タンパの製造方法を提供する。 【構成】 基板１１上に、相変化によりエッチング・レ
ート差を生じる物質よりなる膜１３を形成し、その相変
化によるエッチング・レート差によりこの膜に凹凸を形
成する工程を有すると共に、前記相変化物質よりなる膜
にトラッキング用のパターン１３ａを記録する工程と、
このパターン記録部を消去する工程を含む光ディスク用
スタンパの製造方法。
のトラッキングを簡便に行うことが可能で、大型、高価
なカッティング・マシンを必要としない光ディスク用ス
タンパの製造方法を提供する。 【構成】 基板１１上に、相変化によりエッチング・レ
ート差を生じる物質よりなる膜１３を形成し、その相変
化によるエッチング・レート差によりこの膜に凹凸を形
成する工程を有すると共に、前記相変化物質よりなる膜
にトラッキング用のパターン１３ａを記録する工程と、
このパターン記録部を消去する工程を含む光ディスク用
スタンパの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種光ディスクの製造に
用いられるスタンパの製造方法に関する。
用いられるスタンパの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、音楽ソフト用、映像ソフト用ある
いは各種情報ファイル用の光ディスクの製造が盛んに行
われている。これらの光ディスクの表面には、情報信号
のピットまたはグルーブが再生専用ディスクか記録再生
用ディスクかによって、異なる形状に形成されている
が、これは一般に熱可塑性樹脂組成物を微小凹凸の情報
信号が形成された金属性母型、所謂金属スタンパを備え
た型内に高温で注入し、その後冷却して硬化させる際に
形成されるものである。このように光ディスクに信号ピ
ットまたはグルーブを形成するための金属スタンパは、
通常は電鋳法により製造されている（実開昭５６−６１
３６９号公報、特開平１−２２５７８８号公報および特
開平２−１９６６４０号公報参照）。具体的には、図８
に示すようにガラス盤１上にレジスト２を塗布し、レー
ザによる露光を行ったのちレジスト２を現像してレジス
トパターン２ａを形成する（図９）。ついで、電鋳工程
に先立ち、表面の導体化を図るためレジストパターン２
ａ上に真空蒸着法あるいはスパッタリング法によりニッ
ケルなどの金属膜３を形成し（図１０）、続いて、この
金属膜３上に電鋳法により金属の厚付けを行い電鋳膜４
を形成する（図１１）。しかるのち、図１２に示すよう
に、ガラス盤１を剥離し、金属膜３内に残留するレジス
トパターン２ａを除去したのち、再度電鋳により金属の
厚付けを行い、再び剥離して図１３に示す金属スタンパ
５を得る。
いは各種情報ファイル用の光ディスクの製造が盛んに行
われている。これらの光ディスクの表面には、情報信号
のピットまたはグルーブが再生専用ディスクか記録再生
用ディスクかによって、異なる形状に形成されている
が、これは一般に熱可塑性樹脂組成物を微小凹凸の情報
信号が形成された金属性母型、所謂金属スタンパを備え
た型内に高温で注入し、その後冷却して硬化させる際に
形成されるものである。このように光ディスクに信号ピ
ットまたはグルーブを形成するための金属スタンパは、
通常は電鋳法により製造されている（実開昭５６−６１
３６９号公報、特開平１−２２５７８８号公報および特
開平２−１９６６４０号公報参照）。具体的には、図８
に示すようにガラス盤１上にレジスト２を塗布し、レー
ザによる露光を行ったのちレジスト２を現像してレジス
トパターン２ａを形成する（図９）。ついで、電鋳工程
に先立ち、表面の導体化を図るためレジストパターン２
ａ上に真空蒸着法あるいはスパッタリング法によりニッ
ケルなどの金属膜３を形成し（図１０）、続いて、この
金属膜３上に電鋳法により金属の厚付けを行い電鋳膜４
を形成する（図１１）。しかるのち、図１２に示すよう
に、ガラス盤１を剥離し、金属膜３内に残留するレジス
トパターン２ａを除去したのち、再度電鋳により金属の
厚付けを行い、再び剥離して図１３に示す金属スタンパ
５を得る。
【０００３】しかしながら、上述したような金属スタン
パの製造方法においては、レジストの露光、現像および
電鋳などの各工程に要する時間が長く、製造コストが高
いという問題がある。さらに、レジストの塗布、現像、
電鋳などの湿式工程を数多く有し、とくに電鋳装置など
の大型の製造設備を必要とするため、大きな電力のため
の配電設備や広いクリーン・ルームを必要とするなどの
施設上の問題もある。しかも、電鋳工程のあとに、スタ
ンパ内外周のトリミング、研磨、打ち抜きなどの後加工
が必要となり、そのための付加的な設備を多く必要とす
る。
パの製造方法においては、レジストの露光、現像および
電鋳などの各工程に要する時間が長く、製造コストが高
いという問題がある。さらに、レジストの塗布、現像、
電鋳などの湿式工程を数多く有し、とくに電鋳装置など
の大型の製造設備を必要とするため、大きな電力のため
の配電設備や広いクリーン・ルームを必要とするなどの
施設上の問題もある。しかも、電鋳工程のあとに、スタ
ンパ内外周のトリミング、研磨、打ち抜きなどの後加工
が必要となり、そのための付加的な設備を多く必要とす
る。
【０００４】そこで、最近、ヒート・モードによって信
号を記録し、相変化物質よりなる膜のアモルファス相と
結晶相とのエッチング・レート差を利用してスタンパを
製造する方法が提案されている（特開平３−１２７３４
２号公報）。この方法では、基板上に相変化膜よりなる
ピットまたはグルーブが形成されており、従来法のよう
に電鋳工程を必要とせず、成膜時の基板をそのままスタ
ンパの基板として使えるため、スタンパ製造工程が極め
て簡略化されるという利点がある。
号を記録し、相変化物質よりなる膜のアモルファス相と
結晶相とのエッチング・レート差を利用してスタンパを
製造する方法が提案されている（特開平３−１２７３４
２号公報）。この方法では、基板上に相変化膜よりなる
ピットまたはグルーブが形成されており、従来法のよう
に電鋳工程を必要とせず、成膜時の基板をそのままスタ
ンパの基板として使えるため、スタンパ製造工程が極め
て簡略化されるという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、信号記録時に記録ヘッドのトラッキングが、記録す
べき基盤に対して補正されないために、平面性に優れた
基盤と、極めて精巧な基盤送り機構とが必要となり、さ
らに、カッティングマシーンが大型化し、高度な保守技
術や除震機構を必要とするため、装置全体が高価なもの
となってしまうという問題点がある。
は、信号記録時に記録ヘッドのトラッキングが、記録す
べき基盤に対して補正されないために、平面性に優れた
基盤と、極めて精巧な基盤送り機構とが必要となり、さ
らに、カッティングマシーンが大型化し、高度な保守技
術や除震機構を必要とするため、装置全体が高価なもの
となってしまうという問題点がある。
【０００６】したがって、本発明は湿式工程を必要とし
ないことはいうまでもなく、基盤への情報パターン記録
時のトラッキングを極めて簡便に行うことが可能であ
り、使用するカッティング・マシーンも小型廉価なもの
でよく、結果として、生産性の良好な光ディスク用スタ
ンパの製造方法を提供することを目的とする。
ないことはいうまでもなく、基盤への情報パターン記録
時のトラッキングを極めて簡便に行うことが可能であ
り、使用するカッティング・マシーンも小型廉価なもの
でよく、結果として、生産性の良好な光ディスク用スタ
ンパの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明によれば、基板上に相変化により
エッチング・レート差を生じる物質よりなる膜を形成
し、その相変化によるエッチング・レート差によりこの
膜に凹凸を形成する工程を有する光ディスク用スタンパ
の製造方法において、前記相変化物質よりなる膜にトラ
ッキング用のパターンを記録する工程と、このパターン
記録部を消去する工程を含むものが提供される。
成するために、本発明によれば、基板上に相変化により
エッチング・レート差を生じる物質よりなる膜を形成
し、その相変化によるエッチング・レート差によりこの
膜に凹凸を形成する工程を有する光ディスク用スタンパ
の製造方法において、前記相変化物質よりなる膜にトラ
ッキング用のパターンを記録する工程と、このパターン
記録部を消去する工程を含むものが提供される。
【０００８】本発明は、情報信号を記録すべき基盤面の
相変化膜に、情報信号記録に先立って、トラッキング用
の連続あるいは離散的なスパイラル・パターンを記録し
ておき、そのトラッキング用パターンを用いて相変化膜
にピットに相当する信号を記録し、その記録と同時に、
あるいは直前または直後に前述のトラッキング用パター
ンを消去して、相変化膜にはピット形状に相当する信号
のみが記録されている状態とし、その状態で、相変化膜
に結晶相として記録された部分と他の非晶質相とのエッ
チング・レート差を利用して、相変化膜をパターニング
し、さらに、それをエッチング・マスクとして基盤をエ
ッチングするという着想のもとになされたものである。
ところで、一般に相変化膜の材料となるインジウム（Ｉ
ｎ）−アンチモン（Ｓｂ）などの物質は、Ａｒイオンな
どに対するエッチング・レートが基板となるＮｉなどの
金属のエッチング・レートとに比べて大きいため、その
ままではマスクとして用いることができない。そこで、
まず、基板と相変化膜との間に、フィジカルなエッチン
グ法に対するエッチング・レートが小さく、しかも相変
化膜とは除去条件の異なる物質よりなる薄膜を介在さ
せ、まず相変化膜をマスクとしてこの薄膜をエッチング
し、さらに、この薄膜をマスクとして基板のエッチング
を行うという２段階のエッチング工程を行うことが好ま
しい。
相変化膜に、情報信号記録に先立って、トラッキング用
の連続あるいは離散的なスパイラル・パターンを記録し
ておき、そのトラッキング用パターンを用いて相変化膜
にピットに相当する信号を記録し、その記録と同時に、
あるいは直前または直後に前述のトラッキング用パター
ンを消去して、相変化膜にはピット形状に相当する信号
のみが記録されている状態とし、その状態で、相変化膜
に結晶相として記録された部分と他の非晶質相とのエッ
チング・レート差を利用して、相変化膜をパターニング
し、さらに、それをエッチング・マスクとして基盤をエ
ッチングするという着想のもとになされたものである。
ところで、一般に相変化膜の材料となるインジウム（Ｉ
ｎ）−アンチモン（Ｓｂ）などの物質は、Ａｒイオンな
どに対するエッチング・レートが基板となるＮｉなどの
金属のエッチング・レートとに比べて大きいため、その
ままではマスクとして用いることができない。そこで、
まず、基板と相変化膜との間に、フィジカルなエッチン
グ法に対するエッチング・レートが小さく、しかも相変
化膜とは除去条件の異なる物質よりなる薄膜を介在さ
せ、まず相変化膜をマスクとしてこの薄膜をエッチング
し、さらに、この薄膜をマスクとして基板のエッチング
を行うという２段階のエッチング工程を行うことが好ま
しい。
【０００９】以下に、本発明の光ディスク用スタンパの
各製造工程を添付図面を参照しつつ、詳細に説明する。
各製造工程を添付図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１０】まず、図１に示すように基盤１１の研磨面
に第１の薄膜１２を形成する。この薄膜１２は、基盤１
１のフィジカルエッチングの際にマスクとして機能す
る、すなわち、フィジカルエッチングに対するエッチン
グ・レートの小さい材料を選択する必要がある。具体的
には、ハロゲンや酸素との反応により気化する材料、例
えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｎｂなどの無機材料や、ＰＭＭＡ、ＰＶＡなどの有
機材料を使用し、これらの材料を真空蒸着法、スパッタ
リング法またはスピンコーティング法などにより成膜す
る。このとき、薄膜１２の厚さはピットあるいはグルー
ブの深さを決定するものとなるので、厳密に制御する必
要がある。
に第１の薄膜１２を形成する。この薄膜１２は、基盤１
１のフィジカルエッチングの際にマスクとして機能す
る、すなわち、フィジカルエッチングに対するエッチン
グ・レートの小さい材料を選択する必要がある。具体的
には、ハロゲンや酸素との反応により気化する材料、例
えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｎｂなどの無機材料や、ＰＭＭＡ、ＰＶＡなどの有
機材料を使用し、これらの材料を真空蒸着法、スパッタ
リング法またはスピンコーティング法などにより成膜す
る。このとき、薄膜１２の厚さはピットあるいはグルー
ブの深さを決定するものとなるので、厳密に制御する必
要がある。
【００１１】次に、第１の薄膜１２上に相変化物質より
なる第２の薄膜（以下、「相変化膜」という）１３を形
成する（図２）。この相変化物質は、レーザなどの照射
により相変化を生じ、その照射部分のエッチング・レー
トが非照射部分に比べて小さくなるものである。具体的
には光記録媒体に使用されるものがあげられ、例えば、
Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂなどの元素の組み合せよ
りなる無機化合物が好適である。この薄膜１３も真空蒸
着法またはスパッタリング法などにより形成し、その厚
さは例えば、０．０５〜０．１５μｍ程度とすることが
好ましい。
なる第２の薄膜（以下、「相変化膜」という）１３を形
成する（図２）。この相変化物質は、レーザなどの照射
により相変化を生じ、その照射部分のエッチング・レー
トが非照射部分に比べて小さくなるものである。具体的
には光記録媒体に使用されるものがあげられ、例えば、
Ｔｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂなどの元素の組み合せよ
りなる無機化合物が好適である。この薄膜１３も真空蒸
着法またはスパッタリング法などにより形成し、その厚
さは例えば、０．０５〜０．１５μｍ程度とすることが
好ましい。
【００１２】続いて、相変化膜１３にトラッキング用の
パターン１３ａを記録する（図３）。このための記録法
は、例えば、スパイラル状に金属をパターニングしたガ
ラス・マスク１５を相変化膜１３に近接して設置し、ガ
ラス・マスク１５の開口部１５ａを通して熱線パルスを
照射し、相変化膜１３に対し、ガラス・マスク１５のパ
ターンに沿って、相変化を生じせしめる。この相変化部
では、反射率が変化するので、スパイラル状の相変化パ
ターン１３ａ間に情報信号を記録する際、これをトラッ
キング信号として用いることができる。また、熱線パル
スとしては、レーザ光やフラッシュ・ランプが用いられ
る。一方、基盤１１とガラス・マスク１５との位置合わ
せには、相変化を生ぜしめない程度の強度の光を用いた
画像を処理して、基盤１１やガラス・マスク１５の位置
制御により行う。
パターン１３ａを記録する（図３）。このための記録法
は、例えば、スパイラル状に金属をパターニングしたガ
ラス・マスク１５を相変化膜１３に近接して設置し、ガ
ラス・マスク１５の開口部１５ａを通して熱線パルスを
照射し、相変化膜１３に対し、ガラス・マスク１５のパ
ターンに沿って、相変化を生じせしめる。この相変化部
では、反射率が変化するので、スパイラル状の相変化パ
ターン１３ａ間に情報信号を記録する際、これをトラッ
キング信号として用いることができる。また、熱線パル
スとしては、レーザ光やフラッシュ・ランプが用いられ
る。一方、基盤１１とガラス・マスク１５との位置合わ
せには、相変化を生ぜしめない程度の強度の光を用いた
画像を処理して、基盤１１やガラス・マスク１５の位置
制御により行う。
【００１３】その後、このようにして記録したスパイラ
ル状の連続パターンからの信号をトラッキング信号とし
て、相変化膜１３に例えばピット形状のパターン１６を
形成し、情報信号パターンを得る（図４）。このピット
形状のパターン１６を形成する方法は、例えば半導体レ
ーザ（波長８３０ｎｍ）またはＨｅ−Ｎｅレーザ（波長
６３０ｎｍ）などの簡易なレーザ光源を使用して、相変
化膜１３の所要位置にレーザ光を照射することにより、
相変化を起こさせる。この時、あらかじめ記録されてい
たスパイラル状の連続線状相変化パターン１３ａは消去
される。この消去の方法は、例えば、消去用光学ヘッド
により短波長パルス光を照射することにより行われる。
そして、前述の相変化膜１３の相変化が生じた部分はフ
ィジカルエッチングに対するエッチング・レートが他の
部分に比べて小さくなっているため、例えばＡｒイオン
を薄膜１３の膜面に照射してエッチングを行い、この相
変化部分のみを残して他の部分を除去する。このエッチ
ング工程において、第１の薄膜１２はフィジカルエッチ
ングに対するエッチングレートが非常に小さいため除去
されずに残る。
ル状の連続パターンからの信号をトラッキング信号とし
て、相変化膜１３に例えばピット形状のパターン１６を
形成し、情報信号パターンを得る（図４）。このピット
形状のパターン１６を形成する方法は、例えば半導体レ
ーザ（波長８３０ｎｍ）またはＨｅ−Ｎｅレーザ（波長
６３０ｎｍ）などの簡易なレーザ光源を使用して、相変
化膜１３の所要位置にレーザ光を照射することにより、
相変化を起こさせる。この時、あらかじめ記録されてい
たスパイラル状の連続線状相変化パターン１３ａは消去
される。この消去の方法は、例えば、消去用光学ヘッド
により短波長パルス光を照射することにより行われる。
そして、前述の相変化膜１３の相変化が生じた部分はフ
ィジカルエッチングに対するエッチング・レートが他の
部分に比べて小さくなっているため、例えばＡｒイオン
を薄膜１３の膜面に照射してエッチングを行い、この相
変化部分のみを残して他の部分を除去する。このエッチ
ング工程において、第１の薄膜１２はフィジカルエッチ
ングに対するエッチングレートが非常に小さいため除去
されずに残る。
【００１４】上記のようにして薄膜１３に形成されたピ
ット形状のパターン１６をマスクとして、薄膜１２をエ
ッチングする（図５）。このエッチング方法としては、
反応性ガスによるプラズマエッチング法が使用される。
このときの反応性ガスとしては、薄膜１２を構成する物
質により、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＣＣｌ4、Ｏ2など
が適宜選択すればよい。この工程終了後には、基盤１１
上には、薄膜１２と薄膜１３との２層構造のピット形状
のパターン１６、１６ａが形成されることとなる。
ット形状のパターン１６をマスクとして、薄膜１２をエ
ッチングする（図５）。このエッチング方法としては、
反応性ガスによるプラズマエッチング法が使用される。
このときの反応性ガスとしては、薄膜１２を構成する物
質により、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＣＣｌ4、Ｏ2など
が適宜選択すればよい。この工程終了後には、基盤１１
上には、薄膜１２と薄膜１３との２層構造のピット形状
のパターン１６、１６ａが形成されることとなる。
【００１５】続いて、再びＡｒイオンを膜面に照射して
基盤１１のエッチングを行う。このとき、２層構造のピ
ット形状のパターン１６、１６ａのうち、上層の薄膜１
３は容易に除去されるが、下層の薄膜１２はフィジカル
エッチングに対するエッチング・レートが小さいため、
除去されず、基盤１１に対してマスクとして機能し、基
盤１１面をエッチングし、ピット形状のパターン１７を
形成することができる（図６）。
基盤１１のエッチングを行う。このとき、２層構造のピ
ット形状のパターン１６、１６ａのうち、上層の薄膜１
３は容易に除去されるが、下層の薄膜１２はフィジカル
エッチングに対するエッチング・レートが小さいため、
除去されず、基盤１１に対してマスクとして機能し、基
盤１１面をエッチングし、ピット形状のパターン１７を
形成することができる（図６）。
【００１６】最後に上述した反応性エッチングにより、
薄膜１２を除去して単一金属よりなる光ディスク用スタ
ンパ１８を得る（図６）。
薄膜１２を除去して単一金属よりなる光ディスク用スタ
ンパ１８を得る（図６）。
【００１７】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【００１８】表面が平滑な厚さ１ｍｍのＮｉ基盤上に、
スパッタリング法によりＳｉＯ2を０．１μｍ堆積し
た。ついで、このＳｉＯ2膜上に同一チャンバ内でＩｎ
−Ｓｂをスパッタリング法により０．１μｍの膜厚で積
層し、この基盤を２５０℃で熱処理することによりＩｎ
−Ｓｂ膜の結晶化を行った。次に、ピッチ１．６μｍ、
線間開口幅０．５μｍのスパイラル・パターンを有する
ガラス・マスクを上記ニッケル基盤に重ね、ＹＡＧレー
ザ・パルスにて全面スキャンを行い、相変化膜にスパイ
ラル・パターンを記録した。続いて、このスパイラル・
パターンをトラッキング信号として、スパイラル・パタ
ーン線間に情報信号を記録すると共に、他の光学ヘッド
により順次スパイラル・パターンの消去を行った。情報
信号の記録は、波長８３０μｍの半導体レーザパルスを
照射することにより行い、Ｉｎ−Ｓｂ膜に局部的に相変
化部を形成した後、この基盤をＡｒイオンのプラズマ・
エッチング槽に入れＩｎ−Ｓｂ膜のプラズマ・エッチン
グを行った。さらに、同一プラズマ・エッチング槽にＣ
Ｆ4ガスを導入しＳｉＯ2膜の反応性プラズマ・エッチン
グを行った。しかるのち、同一プラズマ・エッチング槽
に再びＡｒガスを導入しＮｉ基盤のプラズマ・エッチン
グを行い、最後に再びＣＦ4ガスを導入して残留するＳ
ｉＯ2膜を除去して光ディスク用スタンパを完成した。
スパッタリング法によりＳｉＯ2を０．１μｍ堆積し
た。ついで、このＳｉＯ2膜上に同一チャンバ内でＩｎ
−Ｓｂをスパッタリング法により０．１μｍの膜厚で積
層し、この基盤を２５０℃で熱処理することによりＩｎ
−Ｓｂ膜の結晶化を行った。次に、ピッチ１．６μｍ、
線間開口幅０．５μｍのスパイラル・パターンを有する
ガラス・マスクを上記ニッケル基盤に重ね、ＹＡＧレー
ザ・パルスにて全面スキャンを行い、相変化膜にスパイ
ラル・パターンを記録した。続いて、このスパイラル・
パターンをトラッキング信号として、スパイラル・パタ
ーン線間に情報信号を記録すると共に、他の光学ヘッド
により順次スパイラル・パターンの消去を行った。情報
信号の記録は、波長８３０μｍの半導体レーザパルスを
照射することにより行い、Ｉｎ−Ｓｂ膜に局部的に相変
化部を形成した後、この基盤をＡｒイオンのプラズマ・
エッチング槽に入れＩｎ−Ｓｂ膜のプラズマ・エッチン
グを行った。さらに、同一プラズマ・エッチング槽にＣ
Ｆ4ガスを導入しＳｉＯ2膜の反応性プラズマ・エッチン
グを行った。しかるのち、同一プラズマ・エッチング槽
に再びＡｒガスを導入しＮｉ基盤のプラズマ・エッチン
グを行い、最後に再びＣＦ4ガスを導入して残留するＳ
ｉＯ2膜を除去して光ディスク用スタンパを完成した。
【００１９】以上の工程において、製造に要する時間は
従来の湿式工程を含む場合に比べて約８０％短縮するこ
とが可能となった。さらに、情報記録時のトラッキング
を極めて簡便な方法により行うことができるため、従来
のような、大型で高価なカッティング・マシンを必要と
せず、生産性が極めて向上した。また、最終的に得られ
たスタンパが単一金属により形成されているため、従来
のように基盤上に相変化膜によるピットまたはグルーブ
が形成されているものに比べて、スタンパ・ライフが約
１００倍となることが確認された。さらに、従来の方法
のように、最後に内外周のトリミングや研磨、打抜きな
どの後加工を必要としないという利点がある。
従来の湿式工程を含む場合に比べて約８０％短縮するこ
とが可能となった。さらに、情報記録時のトラッキング
を極めて簡便な方法により行うことができるため、従来
のような、大型で高価なカッティング・マシンを必要と
せず、生産性が極めて向上した。また、最終的に得られ
たスタンパが単一金属により形成されているため、従来
のように基盤上に相変化膜によるピットまたはグルーブ
が形成されているものに比べて、スタンパ・ライフが約
１００倍となることが確認された。さらに、従来の方法
のように、最後に内外周のトリミングや研磨、打抜きな
どの後加工を必要としないという利点がある。
【００２０】
【発明の効果】以上詳細に説明したところから明らかな
ように、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法によ
れば、高品質のスタンパが得られると共に、情報パター
ンの形成に相変化膜を使用し、かつ金属基盤に直接ドラ
イ・エッチングによりパターンを形成するため、全ての
工程をドライ・プロセスにより行うことが可能となる。
さらに、信号記録時のトラッキングを極めて簡便に行う
ことができるため、特に、カッティング装置を小型・単
純化することが可能となる。しかも得られたスタンパは
金属一体型で接着層を必要としないため剥離などによる
欠損がなく、長寿命のスタンパを得ることができる。従
って、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法は、音
楽用、映像用および各種情報用光ディスクの製造分野に
おいて極めて有用である。
ように、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法によ
れば、高品質のスタンパが得られると共に、情報パター
ンの形成に相変化膜を使用し、かつ金属基盤に直接ドラ
イ・エッチングによりパターンを形成するため、全ての
工程をドライ・プロセスにより行うことが可能となる。
さらに、信号記録時のトラッキングを極めて簡便に行う
ことができるため、特に、カッティング装置を小型・単
純化することが可能となる。しかも得られたスタンパは
金属一体型で接着層を必要としないため剥離などによる
欠損がなく、長寿命のスタンパを得ることができる。従
って、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法は、音
楽用、映像用および各種情報用光ディスクの製造分野に
おいて極めて有用である。
【図１】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図５】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図６】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図７】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図８】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図９】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図１０】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１１】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１２】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１３】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の１
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
１１ 基盤 １２ 第１の薄膜（反応して気化する物質よりなる薄
膜） １３ 第２の薄膜（相変化物質よりなる薄膜） １３ａ スパイラル状の相変化パターン １５ ガラス・マスク １５ａ ガラス・マスクの開口部 １６ ピットあるいはグルーブパターン １６ａ ピットあるいはグルーブパターン １８ スタンパ
膜） １３ 第２の薄膜（相変化物質よりなる薄膜） １３ａ スパイラル状の相変化パターン １５ ガラス・マスク １５ａ ガラス・マスクの開口部 １６ ピットあるいはグルーブパターン １６ａ ピットあるいはグルーブパターン １８ スタンパ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に相変化によりエッチング・レー
ト差を生じる物質よりなる膜を形成し、前記相変化によ
るエッチング・レート差により前記膜に凹凸を形成する
工程を有する光ディスク用スタンパの製造方法におい
て、前記相変化物質よりなる膜にトラッキング用のパタ
ーンを記録する工程と、前記パターン記録部を消去する
工程を含むことを特徴とする光ディスク用スタンパの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23527092A JPH0660440A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23527092A JPH0660440A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660440A true JPH0660440A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16983613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23527092A Withdrawn JPH0660440A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005101398A1 (en) | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical master substrate with mask layer and method to manufacture high-density relief structure |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP23527092A patent/JPH0660440A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005101398A1 (en) | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical master substrate with mask layer and method to manufacture high-density relief structure |
| JP2007533064A (ja) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | マスク層を有する光学マスター基板及び高密度レリーフ構造の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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