JPH065406A - Manufacturing method of zinc oxide varistor - Google Patents
Manufacturing method of zinc oxide varistorInfo
- Publication number
- JPH065406A JPH065406A JP4156558A JP15655892A JPH065406A JP H065406 A JPH065406 A JP H065406A JP 4156558 A JP4156558 A JP 4156558A JP 15655892 A JP15655892 A JP 15655892A JP H065406 A JPH065406 A JP H065406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- mol
- varistor
- voltage
- zinc oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、バリスタ電圧ばらつき
が低く、高サージ耐量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛
バリスタの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a low voltage zinc oxide varistor having a high varistor voltage variation and a high surge withstand characteristic.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、各種酸化亜鉛バリスタの開発には
めざましいものがあり、中でも酸化ビスマス（Ｂｉ
2Ｏ3）を含有した酸化亜鉛バリスタはその優れた電圧非
直線性、サージ吸収性が認められ、雷サージ及び異常電
圧に対する防護用のバリスタとして広く用いられてい
る。しかし、昨今の半導体素子の進歩に伴って、電子機
器の駆動電圧が低減化され、それに従って半導体素子を
保護するのに用いられるバリスタについてもより低い駆
動電圧に対応する、すなわち、バリスタ電圧の低いもの
が求められてきている。2. Description of the Related Art In recent years, there have been remarkable developments of various zinc oxide varistors, and among them, bismuth oxide (Bi
The zinc oxide varistor containing 2 O 3 ) is recognized for its excellent voltage nonlinearity and surge absorption, and is widely used as a varistor for protection against lightning surge and abnormal voltage. However, with the recent progress of semiconductor devices, the driving voltage of electronic devices has been reduced, and the varistor used to protect the semiconductor device accordingly corresponds to a lower driving voltage, that is, the varistor voltage is low. Things are being sought after.
【０００３】このような酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分と
するバリスタでは、バリスタ電圧は焼結体中の酸化亜鉛
粒子の厚み方向に並んだ数に依存し、バリスタ電圧を低
下させるためには酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粒子径を大きく
すればよく、このためには酸化チタン（ＴｉＯ2）を含
有させることによって、この酸化チタン（ＴｉＯ2）が
酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粒成長に大きく寄与することが知
られている。従来このような要求に応える技術として特
公昭５６−３６４６号公報に開示されたものがあった。In such a varistor containing zinc oxide (ZnO) as a main component, the varistor voltage depends on the number of zinc oxide particles in the sintered body, which are arranged in the thickness direction. It suffices to increase the particle size of zinc (ZnO). To this end, by containing titanium oxide (TiO 2 ), this titanium oxide (TiO 2 ) greatly contributes to the grain growth of zinc oxide (ZnO). It has been known. Conventionally, there has been a technique disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 56-3646 as a technique to meet such a demand.
【０００４】上記公報に開示された技術は、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）に酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜５モ
ル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜５モル％、
酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜５モル％、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ）を０．１〜５モル％、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ2）を０．１〜５モル％、及び酸化銀（Ａｇ2Ｏ）を
５〜３０重量％含むホウケイ酸ビスマスガラスフリット
を０．０１〜０．２５重量％添加して混合、粉枠、乾
燥、造粒及び成形を行い、前記成形体を１２５０℃で焼
成することにより低電圧用のバリスタを得るというもの
であった。In the technique disclosed in the above publication, 0.1 to 5 mol% of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) and 0.1 to 5 mol of cobalt oxide (Co 2 O 3 ) are added to zinc oxide (ZnO). %,
0.1 to 5 mol% manganese oxide (MnO 2 ), 0.1 to 5 mol% nickel oxide (NiO), and titanium oxide (T
0.1 to 5 mol% of iO 2 ) and 0.01 to 0.25 wt% of bismuth borosilicate glass frit containing 5 to 30 wt% of silver oxide (Ag 2 O) are added and mixed, powder frame, It was to obtain a low-voltage varistor by drying, granulating and molding, and calcining the molded body at 1250 ° C.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の低電圧用の酸化亜鉛バリスタでは、１２００℃以上の
温度で焼成を行うため、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子の平均
粒子径が１００〜１５０μｍの大きさに形成され、焼結
体中には粒子径が３００μｍ以上の異常粒成長粒子が約
１０％程度発生し、バリスタ電圧にばらつきが生じ、ま
た異常粒成長粒子へのサージ電流の電流集中を引き起こ
すために所望のサージ耐量特性を安定的に得ることがで
きないという課題を有していた。However, since the conventional zinc oxide varistor for low voltage is fired at a temperature of 1200 ° C. or higher, the zinc oxide (ZnO) particles have an average particle diameter of 100 to 150 μm. In this case, about 10% of abnormal grain growth particles having a grain size of 300 μm or more are generated in the sintered body, the varistor voltage varies, and the surge current concentrates on the abnormal grain growth particles. In addition, there is a problem that desired surge withstand characteristics cannot be stably obtained.
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、主に１００Ｖ以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタに
関して、バリスタ電圧のばらつきが少なく、高サージ耐
量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛バリスタの製造方法
を提供することを目的とするものである。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and mainly relates to a zinc oxide varistor for a low voltage of 100 V or less, which has a small variation in the varistor voltage and has a high surge withstand characteristic. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method of.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による酸化亜鉛バリスタの製造方法は、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、この主成分に対して酸化
ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．０モル％、酸化コ
バルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０モル％、酸化マン
ガン（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モル％、酸化アンチ
モン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５０モル％、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００５〜０．０１００
モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）を０．１〜３．０モル
％添加含有してなる原料粉を成形したのち、この成形体
を１０５０℃〜１２００℃の温度で焼成する製造方法と
したものである。In order to solve the above problems, the method for producing a zinc oxide varistor according to the present invention comprises zinc oxide (ZnO) as a main component, and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is added to this main component. 0.1 to 2.0 mol%, cobalt oxide (Co 2 O 3 ) 0.1 to 1.0 mol%, manganese oxide (MnO 2 ) 0.1 to 1.5 mol%, antimony oxide (Sb 2 O 3) of 0.01 to 0.50 mol%, aluminum oxide (Al 2 O 3) 0.0005~0.0100
A manufacturing method in which a raw material powder containing 0.1% to 3.0% by mol of titanium oxide (TiO 2 ) is molded and then the molded body is fired at a temperature of 1050 ° C to 1200 ° C. Is.
【０００８】[0008]
【作用】この製造方法により、バリスタ電圧が１００Ｖ
以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタを得ることができ
る。すなわち１０５０℃〜１２００℃の温度で成形体を
焼成することにより、異常粒成長の発生を抑制し、酸化
亜鉛粒子の均一な粒成長を図ることができ、異常粒成長
粒子への電流集中を防止することができる。従って、バ
リスタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量特性を有する
低電圧用の酸化亜鉛バリスタを得ることができる。With this manufacturing method, the varistor voltage is 100V.
The following zinc oxide varistor for low voltage can be obtained. That is, by firing the molded body at a temperature of 1050 ° C to 1200 ° C, the occurrence of abnormal grain growth can be suppressed, uniform grain growth of zinc oxide particles can be achieved, and current concentration on abnormal grain growth particles can be prevented. can do. Therefore, it is possible to obtain a low-voltage zinc oxide varistor having a high varistor voltage variation and a high surge withstand characteristic.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例による酸化亜鉛バリ
スタの製造方法について詳細に説明する。EXAMPLE A method for manufacturing a zinc oxide varistor according to an example of the present invention will be described in detail below.
【００１０】まず、主成分である酸化亜鉛（ＺｎＯ）に
対し、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．０５〜５．０モ
ル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．０５〜３．０モ
ル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．０５〜５．０モ
ル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．００５〜３．
０モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００
１〜０．２モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）を０．０５
〜５．０モル％添加し、ポットミルにて湿式混合し、水
分を脱水・乾燥後、バインダを加えて造粒した。[0010] First, with respect to the main component is zinc oxide (ZnO), 0.05 to 5.0 mol% of bismuth oxide (Bi 2 O 3), cobalt oxide (Co 2 O 3) 0.05~3 0.0 mol%, manganese oxide (MnO 2 ) 0.05 to 5.0 mol%, antimony oxide (Sb 2 O 3 ) 0.005 to 3 .
0 mol% and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) 0.000
1 to 0.2 mol%, titanium oxide (TiO 2 ) 0.05
˜5.0 mol% was added, wet-mixed in a pot mill, water was dehydrated and dried, and then a binder was added to granulate.
【００１１】得られた造粒粉末を１０００kg／cm2の成
形圧力のもとで、直径１３mm，厚み１．３mmに成形し、
１０００℃〜１３００℃で２時間焼成し焼結体を得た。
この焼結体の両面に、銀（Ａｇ）を主成分とする電極を
形成し、電極にリード線を半田付けし、エポキシ樹脂で
被覆して酸化亜鉛バリスタを作成した。The obtained granulated powder was molded under a molding pressure of 1000 kg / cm 2 to a diameter of 13 mm and a thickness of 1.3 mm,
A sintered body was obtained by firing at 1000 ° C to 1300 ° C for 2 hours.
An electrode containing silver (Ag) as a main component was formed on both surfaces of this sintered body, a lead wire was soldered to the electrode, and a zinc oxide varistor was prepared by coating with an epoxy resin.
【００１２】（表１）〜（表４）に、１１５０℃の温度
で焼成を行って得られた酸化亜鉛バリスタについて、単
位厚み当りのバリスタ電圧（Ｖ１ｍＡ／mm）及びそのば
らつき（σｎ）、制限電圧比、サージ耐量特性を評価し
た結果を示した。In Tables 1 to 4, the zinc oxide varistor obtained by firing at a temperature of 1150 ° C., the varistor voltage per unit thickness (V1 mA / mm) and its variation (σn), the limitation. The results of evaluating the voltage ratio and surge withstand characteristics are shown.
【００１３】[0013]
【表１】 [Table 1]
【００１４】[0014]
【表２】 [Table 2]
【００１５】[0015]
【表３】 [Table 3]
【００１６】[0016]
【表４】 [Table 4]
【００１７】また、（表５）に、（表３），（表４）中
の試料番号２３に示される酸化亜鉛バリスタを１０００
℃〜１３００℃で焼成を行って得られた酸化亜鉛バリス
タについて、単位厚み当りのバリスタ電圧（ＶｌｍＡ／
mm）及びそのばらつき（σｎ）、制限電圧比、サージ耐
量特性を評価した結果を示した。Further, in Table 5, 1000 zinc oxide varistor shown in Sample No. 23 in Tables 3 and 4 is used.
The varistor voltage per unit thickness (VlmA /
mm) and its variation (σn), limiting voltage ratio, and surge withstand characteristic are shown.
【００１８】[0018]
【表５】 [Table 5]
【００１９】ここで、バリスタ電圧（Ｖ１ｍＡ）とはバ
リスタに１ｍＡの電流が流れた時にバリスタの両端にか
かる電圧であり、直流定電流電源にて測定した。制限電
圧比は、８／２０μｓ，１０Ａのインパルス電流にて測
定し、Ｖ１０Ａ／Ｖ１ｍＡの比で評価した。サージ耐量
特性は５００Ａ及び１５００Ａのサージ電流を印加した
時のバリスタ電圧変化率（△Ｖ１ｍＡ）で評価した。な
お、（表１）〜（表４）及び（表５）において、＊が付
されている試料は比較例、＊＊が付されている試料は１
２００℃を超える温度で焼成を行った従来例であること
を示す。Here, the varistor voltage (V1 mA) is the voltage applied to both ends of the varistor when a current of 1 mA flows through the varistor, and was measured with a DC constant current power supply. The limiting voltage ratio was measured by an impulse current of 8/20 μs and 10 A, and evaluated by the ratio of V10A / V1 mA. The surge withstand characteristic was evaluated by the varistor voltage change rate (ΔV1 mA) when a surge current of 500 A and 1500 A was applied. In addition, in (Table 1) to (Table 4) and (Table 5), the sample marked with * is a comparative example, and the sample marked with ** is 1
It is shown that this is a conventional example in which firing was performed at a temperature exceeding 200 ° C.
【００２０】以下、上記実施例の結果に基づき、各添加
物の範囲を限定した理由を述べる。まず、酸化ビスマス
（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量が０．１モル％未満であるとサー
ジ耐量特性が悪化した。また、２．０モル％を越えると
バリスタ電圧のばらつきが大きくなり、サージ耐量特性
も悪化した。従って、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の添加
量を０．１〜２．０モル％とした。The reasons for limiting the range of each additive will be described below based on the results of the above examples. First, if the amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) added was less than 0.1 mol%, the surge withstand characteristic deteriorated. On the other hand, when it exceeds 2.0 mol%, the varistor voltage varies greatly and the surge withstand characteristic deteriorates. Therefore, the addition amount of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is set to 0.1 to 2.0 mol%.
【００２１】次に、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、１．０モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇
するとともに、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸
化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量を０．１〜１．０モル
％とした。Next, if the amount of cobalt oxide (Co 2 O 3 ) added is less than 0.1 mol%, the surge withstand characteristic deteriorates. Further, if it exceeds 1.0 mol%, the varistor voltage rises and the surge withstand characteristic deteriorates. Therefore, the amount of cobalt oxide (Co 2 O 3 ) added is set to 0.1 to 1.0 mol%.
【００２２】次に、酸化マンガン（ＭｎＯ2）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し、
１．５モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇するととも
に、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化マンガン
（ＭｎＯ2）の添加量を０．１〜１．５モル％とした。Next, if the added amount of manganese oxide (MnO 2 ) is less than 0.1 mol%, the surge withstand characteristic deteriorates,
If it exceeds 1.5 mol%, the varistor voltage rises and the surge withstand characteristic deteriorates. Therefore, the addition amount of manganese oxide (MnO 2 ) is set to 0.1 to 1.5 mol%.
【００２３】次に、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加
量が０．０１モル％未満の場合、サージ耐量特性が悪化
し、また、０．５０モル％を越えるとバリスタ電圧が高
くなり、ばらつきが大きくなった。従って、酸化アンチ
モン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加量を０．０１〜０．５０モル％
とした。Next, when the amount of antimony oxide (Sb 2 O 3 ) added is less than 0.01 mol%, the surge withstand characteristic deteriorates, and when it exceeds 0.50 mol%, the varistor voltage increases. The variability has increased. Therefore, the amount of antimony oxide (Sb 2 O 3 ) added should be 0.01 to 0.50 mol%.
And
【００２４】次に、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の添
加量が０．０００５モル％未満の場合、サージ耐量特性
が悪化し、また、０．０１０モル％を越えると制限電圧
比が極端に悪化した。従って、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）の添加量を０．０００５〜０．１０モル％とし
た。Next, when the amount of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) added is less than 0.0005 mol%, the surge withstand characteristic deteriorates, and when it exceeds 0.010 mol%, the limiting voltage ratio becomes extremely high. It got worse. Therefore, aluminum oxide (Al
The amount of 2 O 3 ) added was 0.0005 to 0.10 mol%.
【００２５】次に、酸化チタン（ＴｉＯ2）の添加量が
０．１０モル％未満の場合、バリスタ電圧が高くなり、
また、３．０モル％を越えるとバリスタ電圧ばらつきが
大きくなり、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化
チタン（ＴｉＯ2）の添加量を０．１０〜３．０モル％
とした。Next, when the added amount of titanium oxide (TiO 2 ) is less than 0.10 mol%, the varistor voltage becomes high,
Further, when it exceeds 3.0 mol%, the varistor voltage variation becomes large, and the surge withstand characteristic deteriorates. Therefore, the amount of titanium oxide (TiO 2 ) added should be 0.10 to 3.0 mol%.
And
【００２６】また、以下に上記実施例の結果に基づき、
焼成温度の範囲を限定した理由を述べる。まず、１０５
０℃以下の温度で焼成した場合には焼成温度が低すぎる
ために粒成長が十分に行われず、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒
子の粒成長にばらつきが大きくなり、サージ耐粒特性が
悪化した。次に、１２００℃以上の温度で焼成した場合
には酸化亜鉛（ＺｎＯ）の異常粒成長粒子が焼結体中に
１０％以上の割合で発生するためバリスタ電圧ばらつき
が大きくなり、サージ耐量特性が悪化した。Further, based on the results of the above embodiment,
The reason for limiting the firing temperature range will be described. First, 105
When firing was performed at a temperature of 0 ° C. or lower, grain growth was not sufficiently performed because the firing temperature was too low, the variation in grain growth of zinc oxide (ZnO) particles became large, and the surge grain resistance characteristics deteriorated. Next, when firing at a temperature of 1200 ° C. or higher, abnormal grain growth particles of zinc oxide (ZnO) are generated in the sintered body at a rate of 10% or more, so that the varistor voltage variation becomes large and the surge withstand characteristic is improved. It got worse.
【００２７】また、１０５０℃〜１２００℃の温度で焼
成を行った場合にはバリスタ電圧のばらつきが小さく、
サージ耐量特性も格段に良好であり、これは酸化亜鉛粒
子の異常粒成長が抑制され、酸化亜鉛粒子が均一に粒成
長していることを示すものであり、焼結体の断面を電子
顕微鏡で観察した結果、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子が平均
粒子径１００〜１２０μｍの均一な粒成長を行ってお
り、粒子径３００μｍ以上の異常粒成長粒子が全く発生
していないことを確認した。When firing is performed at a temperature of 1050 ° C. to 1200 ° C., the varistor voltage variation is small,
The surge withstand characteristic is also extremely good, which shows that abnormal grain growth of zinc oxide particles is suppressed and that zinc oxide particles are uniformly grown. As a result of observation, it was confirmed that the zinc oxide (ZnO) particles were uniformly grown with an average particle size of 100 to 120 μm, and no abnormal particle growth particles with a particle size of 300 μm or more were generated.
【００２８】以上の結果から明らかなように、本実施例
の製造方法による低電圧用の酸化亜鉛バリスタは、比較
例及び従来例と比較して、単位厚み当りのバリスタ電圧
の値（Ｖ１ｍＡ／mm）が低く、ばらつき（σｎ）も小さ
くなっていることがわかる。また、サージ電流印加後の
バリスタ電圧変化率（△Ｖ１ｍＡ）も小さく、そのばら
つき（σｎ）も格段に向上しており、バリスタ電圧及び
サージ耐量特性の安定性、並びに高サージ耐量特性とい
う点で優れた効果が得られる。As is clear from the above results, the low-voltage zinc oxide varistor according to the manufacturing method of this embodiment has a varistor voltage value (V1 mA / mm) per unit thickness as compared with the comparative example and the conventional example. ) Is low and the variation (σn) is also small. Also, the varistor voltage change rate (ΔV1mA) after applying a surge current is small, and its variation (σn) is also significantly improved, which is excellent in terms of the stability of varistor voltage and surge withstand characteristics, and high surge withstand characteristics. The effect is obtained.
【００２９】以上の結果より、バリスタ電圧ばらつきが
低く、高サージ耐量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛バ
リスタの最適な製造方法としては、主成分である酸化亜
鉛（ＺｎＯ）に対し、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）０．１
〜２．０モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）０．１〜
１．０モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）０．１〜１．
５モル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）０．０１〜０．
５０モル％、酸化アルミニウム（Ａ１2Ｏ3）０．０００
５〜０．０１００モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）０．
１〜３．０モル％から成る原料粉を成形したのち、この
成形体を１０５０℃〜１２００℃の温度範囲で焼成する
ことが最適であることがわかる。From the above results, as an optimum manufacturing method of a low voltage zinc oxide varistor having a high varistor voltage variation and a high surge withstand characteristic, bismuth oxide (ZnO) as a main component is used as a main component. Bi 2 O 3 ) 0.1
2.0 mol%, cobalt oxide (Co 2 O 3) 0.1~
1.0 mol%, manganese oxide (MnO 2 ) 0.1-1.
5 mol%, antimony oxide (Sb 2 O 3 ) 0.01-0.
50 mol%, aluminum oxide (A1 2 O 3 ) 0.000
5 to 0.0100 mol%, titanium oxide (TiO 2 ) 0.
It is found that it is optimal to mold the raw material powder of 1 to 3.0 mol% and then calcine this molded body in the temperature range of 1050 ° C to 1200 ° C.
【００３０】なお、本発明の実施例において添加物とし
て酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ
2Ｏ3）、酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化アルミニウム（Ａ１2Ｏ3）、酸化チ
タン（ＴｉＯ2）を用いた例を示したが、さらに特性を
向上させるため、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化珪素（Ｓ
ｉＯ2）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、
酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）、酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化ランタン（Ｌａ
2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ2）、酸化ディスプロジウム（Ｄｙ2Ｏ3）等、他の
金属酸化物を用いても本発明の効果に変化がないことは
言うまでもない。In the examples of the present invention, bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) and cobalt oxide (Co) were added as additives.
2 O 3 ), manganese oxide (MnO 2 ), antimony oxide (Sb 2 O 3 ), aluminum oxide (A1 2 O 3 ), and titanium oxide (TiO 2 ) have been shown as examples, but the characteristics are further improved. Therefore, yttrium oxide (Y 2 O 3 ), nickel oxide (NiO), tin oxide (SnO 2 ), silicon oxide (S
iO 2 ), boron oxide (B 2 O 3 ), silver oxide (Ag 2 O),
Germanium oxide (GeO 2 ), magnesium oxide (M
gO), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), lanthanum oxide (La)
2 O 3 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), cerium oxide (C
It goes without saying that the effect of the present invention does not change even if other metal oxides such as eO 2 ) and dysprodium oxide (Dy 2 O 3 ) are used.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように、本発明の酸化亜鉛バリス
タの製造方法により得られる酸化亜鉛バリスタは、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、この主成分に対して酸化
ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．０モル％、酸化コ
バルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０モル％、酸化マン
ガン（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モル％、酸化アンチ
モン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５０モル％、酸化ア
ルミニウム（Ａ１2Ｏ3）を０．０００５〜０．０１００
モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）を０．１〜３．０モル
％添加含有してなる原料粉を成形したのち、この成形体
を１０５０℃〜１２００℃の温度で焼成することによ
り、ＺｎＯ粒子の均一な粒成長を図ることができ、バリ
スタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量特性を有する低
電圧用の酸化亜鉛バリスタが得られるものである。As described above, the zinc oxide varistor obtained by the method for producing a zinc oxide varistor of the present invention contains zinc oxide (ZnO) as a main component, and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is added to this main component. 0.1 to 2.0 mol%, cobalt oxide (Co 2 O 3 ) 0.1 to 1.0 mol%, manganese oxide (MnO 2 ) 0.1 to 1.5 mol%, antimony oxide (Sb 2 O 3) of 0.01 to 0.50 mol%, aluminum oxide (A1 2 O 3) 0.0005~0.0100
ZnO particles were obtained by molding a raw material powder containing 0.1% to 3.0% by mol of titanium oxide (TiO 2 ) and then calcining the molded product at a temperature of 1050 ° C to 1200 ° C. In this way, a zinc oxide varistor for low voltage having a high varistor voltage variation and a high surge withstanding characteristic can be obtained.
Claims (1)
成分に対して、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜
２．０モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜
１．０モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜
１．５モル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１
〜０．５０モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を
０．０００５〜０．０１００モル％、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）を０．１〜３．０モル％添加含有してなる原料粉
を成形したのち、この成形体を１０５０℃〜１２００℃
の温度で焼成する酸化亜鉛バリスタの製造方法。1. Zinc oxide (ZnO) is a main component, and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is added to the main component in an amount of 0.1 to 0.1.
2.0 mol%, cobalt oxide (Co 2 O 3 ) 0.1 to 0.1
1.0 mol%, manganese oxide (MnO 2 ) 0.1 to
1.5 mol%, 0.01% antimony oxide (Sb 2 O 3 )
.About.0.50 mol%, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) 0.0005 to 0.0100 mol%, titanium oxide (Ti
O 2) After forming a raw material powder comprising adding 0.1 to 3.0 mol%, the molded body 1050 ° C. to 1200 ° C.
Method for producing zinc oxide varistor which is fired at the temperature.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156558A JPH065406A (en) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | Manufacturing method of zinc oxide varistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156558A JPH065406A (en) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | Manufacturing method of zinc oxide varistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065406A true JPH065406A (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=15630423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4156558A Pending JPH065406A (en) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | Manufacturing method of zinc oxide varistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065406A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015903A (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing ceramic electronic component |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4156558A patent/JPH065406A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015903A (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing ceramic electronic component |
| JP4501235B2 (en) * | 2000-06-29 | 2010-07-14 | パナソニック株式会社 | Manufacturing method of ceramic electronic component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201221501A (en) | Process for producing ZnO varistor particularly having internal electrode composed of pure silver and sintered at a lower sintering temperature | |
| JPH11340009A (en) | Nonlinear resistor | |
| CA1331508C (en) | Voltage non-linear type resistors | |
| JPH065406A (en) | Manufacturing method of zinc oxide varistor | |
| JPS606522B2 (en) | semiconductor composition | |
| JPH05234716A (en) | Zinc oxide varistor | |
| JPH04245602A (en) | Nonlinearly voltage-dependent resistor | |
| JPH0590063A (en) | Semiconductor ceramic capacitor and manufacture of the same | |
| US5296169A (en) | Method of producing varistor | |
| JPH03211705A (en) | Manufacture of voltage non-linear resistor | |
| JP5334636B2 (en) | Voltage non-linear resistor, lightning arrester equipped with voltage non-linear resistor, and method of manufacturing voltage non-linear resistor | |
| JPH0552642B2 (en) | ||
| JPH01228105A (en) | Manufacture of non-linear voltage resistance | |
| JPH0574606A (en) | Zinc oxide varistor for low voltage | |
| JP3089370B2 (en) | Voltage non-linear resistance composition | |
| JP3089371B2 (en) | Voltage non-linear resistance composition | |
| JPH04245601A (en) | Nonlinearly voltage-dependent resistor | |
| JPH06204006A (en) | Manufacture of zinc oxide varistor | |
| JP2549756B2 (en) | Manufacturing method of voltage non-linear resistor for arrester with gap | |
| JP2608626B2 (en) | Method of manufacturing voltage non-linear resistor | |
| JP2548298B2 (en) | Varistor manufacturing method | |
| JPH0352201A (en) | Voltage nonlinear resistor | |
| JPH06333707A (en) | Varistor | |
| JPH07211518A (en) | Production of voltage non-linear resistor | |
| JPH0555008A (en) | Voltage-dependent nonlinear resistor |