JPH0652990A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH0652990A JPH0652990A JP4221990A JP22199092A JPH0652990A JP H0652990 A JPH0652990 A JP H0652990A JP 4221990 A JP4221990 A JP 4221990A JP 22199092 A JP22199092 A JP 22199092A JP H0652990 A JPH0652990 A JP H0652990A
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- Japan
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- electrode
- display surface
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- insulating layer
- display
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表示面の全領域の反射率を均一として表示品
質を向上すること。 【構成】 Ｘ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子１００
は、ガラス基板１上に、第１電極２、第１絶縁層３、発
光層４、第２絶縁層５及び第２電極６が順次積層されて
いる。又、上記第１電極２のパターン形状間隙にその電
極と電気的に絶縁された第１ダミー電極２ａ、上記第２
電極６のパターン形状間隙にその電極と電気的に絶縁さ
れた第２ダミー電極６ａが形成されている。このよう
に、本発明に係るＥＬ素子は、積層方向の各構成、材質
を同じとすることができるため表示面の全領域の反射率
は同じとなる。これにより、ＥＬ素子は発光・非発光時
を問わず表示面における電極のパターン形状や配線電極
が外光の反射により見えることがなくなり表示品質が向
上する。
質を向上すること。 【構成】 Ｘ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子１００
は、ガラス基板１上に、第１電極２、第１絶縁層３、発
光層４、第２絶縁層５及び第２電極６が順次積層されて
いる。又、上記第１電極２のパターン形状間隙にその電
極と電気的に絶縁された第１ダミー電極２ａ、上記第２
電極６のパターン形状間隙にその電極と電気的に絶縁さ
れた第２ダミー電極６ａが形成されている。このよう
に、本発明に係るＥＬ素子は、積層方向の各構成、材質
を同じとすることができるため表示面の全領域の反射率
は同じとなる。これにより、ＥＬ素子は発光・非発光時
を問わず表示面における電極のパターン形状や配線電極
が外光の反射により見えることがなくなり表示品質が向
上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、車載用メータ
等の表示器に使用されるエレクトロルミネッセンス(Ele
ctroluminescence）素子（以下、ＥＬ素子という）の表
示品質の向上に関する。
等の表示器に使用されるエレクトロルミネッセンス(Ele
ctroluminescence）素子（以下、ＥＬ素子という）の表
示品質の向上に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ＥＬ素子は、硫化亜鉛(ＺnＳ）やア
ルカリ土類硫化物(ＣaＳ,ＳrＳ）等を発光母体とし、そ
れに発光中心としてマンガン（Ｍn)、テルビウム（Ｔ
b)、サマリウム（Ｓm)などを少量ドーピングして形成し
た発光層に電界をかけた時に発光する現象を利用したも
のであり自発光型の平面ディスプレイ素子として注目さ
れている。ＥＬ素子は、特に、車載用ディスプレイ装置
のように高い表示品質が要求される用途に適したディス
プレイ素子であるといえる。
ルカリ土類硫化物(ＣaＳ,ＳrＳ）等を発光母体とし、そ
れに発光中心としてマンガン（Ｍn)、テルビウム（Ｔ
b)、サマリウム（Ｓm)などを少量ドーピングして形成し
た発光層に電界をかけた時に発光する現象を利用したも
のであり自発光型の平面ディスプレイ素子として注目さ
れている。ＥＬ素子は、特に、車載用ディスプレイ装置
のように高い表示品質が要求される用途に適したディス
プレイ素子であるといえる。
【０００３】図８は、ＥＬ素子の典型的な断面構造を示
した模式図である。ＥＬ素子１０は、絶縁性基板である
ガラス基板１上に、第１電極（透明電極）２、第１絶縁
層３、発光層４、第２絶縁層５及び第２電極（金属電極
又は透明電極）６を順次積層し形成されている。ここ
で、ＥＬ素子１０は、第１電極２と第２電極６との対向
した部分に挟まれた発光層４に電界がかけられると電界
が印加されている所定のパターン形状に発光する。
した模式図である。ＥＬ素子１０は、絶縁性基板である
ガラス基板１上に、第１電極（透明電極）２、第１絶縁
層３、発光層４、第２絶縁層５及び第２電極（金属電極
又は透明電極）６を順次積層し形成されている。ここ
で、ＥＬ素子１０は、第１電極２と第２電極６との対向
した部分に挟まれた発光層４に電界がかけられると電界
が印加されている所定のパターン形状に発光する。
【０００４】図９は、Ｘ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ
素子の典型的なパターン構造を示した平面図である。
尚、このＥＬ素子の表示面における断面構造は図８と同
様であり、同じ符号を付して示した。所定のパターン形
状に発光させるために、Ｘ−Ｙドットマトリックス形Ｅ
Ｌ素子２０においては、一定の幅の電極と一定の電極ピ
ッチ〔電極幅（ライン）と電極間隙距離（スペース）と
の和〕の電極群が第１電極２と第２電極６とで直交する
ように配置されている。そして、電界の印加により第１
電極２と第２電極６の交点にあたるドット部分が発光
し、それらドット部分の組み合わせによりキャラクタ表
示やグラフィック表示している。
素子の典型的なパターン構造を示した平面図である。
尚、このＥＬ素子の表示面における断面構造は図８と同
様であり、同じ符号を付して示した。所定のパターン形
状に発光させるために、Ｘ−Ｙドットマトリックス形Ｅ
Ｌ素子２０においては、一定の幅の電極と一定の電極ピ
ッチ〔電極幅（ライン）と電極間隙距離（スペース）と
の和〕の電極群が第１電極２と第２電極６とで直交する
ように配置されている。そして、電界の印加により第１
電極２と第２電極６の交点にあたるドット部分が発光
し、それらドット部分の組み合わせによりキャラクタ表
示やグラフィック表示している。
【０００５】図１０は、セグメント形ＥＬ素子の典型的
なパターン構造を示した平面図である。尚、このＥＬ素
子の表示面における断面構造は図８と同様であり、同じ
符号を付して示した。上述のＸ−Ｙドットマトリックス
形ＥＬ素子２０の他に、自動車等のダッシュボード計器
類の表示として、ディジタル表示のスピードメータやバ
ーグラフ表示や警告表示など固定のパターン表示するセ
グメント形の電極を用いたＥＬ素子３０がある。このＥ
Ｌ素子３０においては、それぞれ第１電極２と第２電極
６は、固定のパターン形状に発光させる第１電極２と第
２電極６とが対向した部分と、その発光させる部分に電
界をかけるために必要な配線電極とから成っている。
なパターン構造を示した平面図である。尚、このＥＬ素
子の表示面における断面構造は図８と同様であり、同じ
符号を付して示した。上述のＸ−Ｙドットマトリックス
形ＥＬ素子２０の他に、自動車等のダッシュボード計器
類の表示として、ディジタル表示のスピードメータやバ
ーグラフ表示や警告表示など固定のパターン表示するセ
グメント形の電極を用いたＥＬ素子３０がある。このＥ
Ｌ素子３０においては、それぞれ第１電極２と第２電極
６は、固定のパターン形状に発光させる第１電極２と第
２電極６とが対向した部分と、その発光させる部分に電
界をかけるために必要な配線電極とから成っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＥＬ素子の
表示面側（光取り出し側）から見たとき、表示面は次の
４つに分類できる領域から成り立っている。 （発光する領域） ：第１電極２と第２電極６とが共
に存在する部分。 （発光しない領域）：第１電極２のみが存在する部
分。 （発光しない領域）：第２電極６のみが存在する部
分。 （発光しない領域）：第１電極２と第２電極６とが共
に存在しない部分。 ここで、表示面の上記４つ領域において、ガラス基板
１、第１絶縁層３、発光層４及び第２絶縁層５は共通し
て存在している。ところが、上述のように第１電極２及
び第２電極６の存在する部分の有無は表示面の４つの領
域によってそれぞれ異なり、それら４つの領域での反射
率がそれぞれ異なることになる。すると、ＥＬ素子を表
示面側から見た場合、上述の４つの領域は異なった明る
さに見える。特に、電極材料としてアルミニウム（Ａl)
などの金属材料を用いた場合には、上記反射率が領域に
より著しく異なることになる。このために、非発光時の
表示面においても電極のパターン形状や配線電極が見え
てしまうことになり表示品質を阻害させていた。
表示面側（光取り出し側）から見たとき、表示面は次の
４つに分類できる領域から成り立っている。 （発光する領域） ：第１電極２と第２電極６とが共
に存在する部分。 （発光しない領域）：第１電極２のみが存在する部
分。 （発光しない領域）：第２電極６のみが存在する部
分。 （発光しない領域）：第１電極２と第２電極６とが共
に存在しない部分。 ここで、表示面の上記４つ領域において、ガラス基板
１、第１絶縁層３、発光層４及び第２絶縁層５は共通し
て存在している。ところが、上述のように第１電極２及
び第２電極６の存在する部分の有無は表示面の４つの領
域によってそれぞれ異なり、それら４つの領域での反射
率がそれぞれ異なることになる。すると、ＥＬ素子を表
示面側から見た場合、上述の４つの領域は異なった明る
さに見える。特に、電極材料としてアルミニウム（Ａl)
などの金属材料を用いた場合には、上記反射率が領域に
より著しく異なることになる。このために、非発光時の
表示面においても電極のパターン形状や配線電極が見え
てしまうことになり表示品質を阻害させていた。
【０００７】この問題を解決する方法として、Ｘ−Ｙド
ットマトリックス形ＥＬ素子においては、例えば、電極
ピッチは変更しないで電極幅を広く電極間隙を狭くして
上記表示面の（発光する領域）の割合を上げて反射率
を均一にする方法が考えられる。しかし、この方法で
は、外部駆動回路と接続するための電極の取出し端子電
極の電極間隙も同様に狭くなり従来のはんだ付けなどに
よる接続が困難となる。又、固定のパターン表示をする
セグメント形ＥＬ素子においては、この方法を用いる
と、両電極の対向する部分が新たに生じるため固定のパ
ターンのみを表示させることが不可能となる。この他、
表示面の上に、フィルタを装着して反射率の差を少なく
することも考えられるが、透過率の低いフィルタを使用
しなければ表示品質を向上させるという効果は期待でき
ない。このように、光の透過率を下げることはＥＬ素子
の発光輝度の低下と同様の状態を呈し問題となる。
ットマトリックス形ＥＬ素子においては、例えば、電極
ピッチは変更しないで電極幅を広く電極間隙を狭くして
上記表示面の（発光する領域）の割合を上げて反射率
を均一にする方法が考えられる。しかし、この方法で
は、外部駆動回路と接続するための電極の取出し端子電
極の電極間隙も同様に狭くなり従来のはんだ付けなどに
よる接続が困難となる。又、固定のパターン表示をする
セグメント形ＥＬ素子においては、この方法を用いる
と、両電極の対向する部分が新たに生じるため固定のパ
ターンのみを表示させることが不可能となる。この他、
表示面の上に、フィルタを装着して反射率の差を少なく
することも考えられるが、透過率の低いフィルタを使用
しなければ表示品質を向上させるという効果は期待でき
ない。このように、光の透過率を下げることはＥＬ素子
の発光輝度の低下と同様の状態を呈し問題となる。
【０００８】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、表示面の
全領域の反射率を均一として表示品質の優れたＥＬ素子
を提供することである。
されたものであり、その目的とするところは、表示面の
全領域の反射率を均一として表示品質の優れたＥＬ素子
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、絶縁性基板上に第１電極、第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層及び第２電極を順次積層すると
共に前記第１電極又は前記第２電極のうち少なくとも光
取り出し側の一方を透明導電膜で形成したＥＬ素子であ
って、前記第１電極又は前記第２電極の少なくとも一方
の電極のパターン形状間隙に該電極と電気的に絶縁され
たダミーパターン部分を形成したことを特徴とする。
の発明の構成は、絶縁性基板上に第１電極、第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層及び第２電極を順次積層すると
共に前記第１電極又は前記第２電極のうち少なくとも光
取り出し側の一方を透明導電膜で形成したＥＬ素子であ
って、前記第１電極又は前記第２電極の少なくとも一方
の電極のパターン形状間隙に該電極と電気的に絶縁され
たダミーパターン部分を形成したことを特徴とする。
【００１０】
【作用及び効果】ＥＬ素子における電極の配線パターン
間隙にその電極とは電気的に絶縁されたダミーパターン
部分が形成されている。上記ダミーパターン部分を、例
えば、電極と同じ材質にて間隙により絶縁性を保って形
成する。すると、ＥＬ素子の表示面は、前述の表示面の
４つの領域のうち、（発光しない領域）：第１電極の
みが存在する部分と、（発光しない領域）：第２電極
のみが存在する部分とが無くなる。更に、（発光しな
い領域）：第１電極と第２電極とが共に存在しない部分
は、ダミーパターン部分の形成によりその領域の大きさ
を限りなく小さくすることが可能となり表示面に対する
割合も限りなく少なくすることが可能となる。つまり、
ＥＬ素子の表示面は、（発光する領域）：第１電極と
第２電極とが共に存在する部分以外に、（発光しない
領域）：第１電極の配線パターン間隙の第１ダミーパタ
ーン部分と第２電極の配線パターン間隙の第２ダミーパ
ターン部分が共に存在する部分と、（発光しない領
域）：第１電極と第２電極の配線パターン間隙の第２ダ
ミーパターン部分とが共に存在する部分と、（発光し
ない領域）：第２電極と第１電極の配線パターン間隙の
第１ダミーパターン部分とが共に存在する部分との４つ
の領域となる。
間隙にその電極とは電気的に絶縁されたダミーパターン
部分が形成されている。上記ダミーパターン部分を、例
えば、電極と同じ材質にて間隙により絶縁性を保って形
成する。すると、ＥＬ素子の表示面は、前述の表示面の
４つの領域のうち、（発光しない領域）：第１電極の
みが存在する部分と、（発光しない領域）：第２電極
のみが存在する部分とが無くなる。更に、（発光しな
い領域）：第１電極と第２電極とが共に存在しない部分
は、ダミーパターン部分の形成によりその領域の大きさ
を限りなく小さくすることが可能となり表示面に対する
割合も限りなく少なくすることが可能となる。つまり、
ＥＬ素子の表示面は、（発光する領域）：第１電極と
第２電極とが共に存在する部分以外に、（発光しない
領域）：第１電極の配線パターン間隙の第１ダミーパタ
ーン部分と第２電極の配線パターン間隙の第２ダミーパ
ターン部分が共に存在する部分と、（発光しない領
域）：第１電極と第２電極の配線パターン間隙の第２ダ
ミーパターン部分とが共に存在する部分と、（発光し
ない領域）：第２電極と第１電極の配線パターン間隙の
第１ダミーパターン部分とが共に存在する部分との４つ
の領域となる。
【００１１】これらＥＬ素子の表示面における４つの領
域は、積層方向の各構成及び材質が同じであるためそれ
ぞれの反射率は同じとなる。即ち、ＥＬ素子は発光・非
発光時を問わず表示面における電極のパターン形状や配
線電極が外光の反射により見えることがなくなり表示品
質が向上する。更に、上記ダミーパターン部分を、例え
ば、電極と同じ物性（光の透過率や反射率など）を有す
る絶縁性材料にて構成する。この場合には、ダミーパタ
ーン部分は基本的に絶縁性を有しているため電極との間
隙を保つ必要がなく電極のパターン形状間隙を完全に埋
め尽くすことができる。このＥＬ素子においても、発光
・非発光時を問わず表示面における電極のパターン形状
や配線電極が外光の反射により見えることなくなり表示
品質が向上する。
域は、積層方向の各構成及び材質が同じであるためそれ
ぞれの反射率は同じとなる。即ち、ＥＬ素子は発光・非
発光時を問わず表示面における電極のパターン形状や配
線電極が外光の反射により見えることがなくなり表示品
質が向上する。更に、上記ダミーパターン部分を、例え
ば、電極と同じ物性（光の透過率や反射率など）を有す
る絶縁性材料にて構成する。この場合には、ダミーパタ
ーン部分は基本的に絶縁性を有しているため電極との間
隙を保つ必要がなく電極のパターン形状間隙を完全に埋
め尽くすことができる。このＥＬ素子においても、発光
・非発光時を問わず表示面における電極のパターン形状
や配線電極が外光の反射により見えることなくなり表示
品質が向上する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係るＸ−Ｙドットマトリックス
形ＥＬ素子のパターン構造を示した平面図である。尚、
このＥＬ素子の表示面における断面構造は図８と同様で
あり、同じ符号を付して示した。絶縁性基板であるガラ
ス基板１上には、Ｘ−Ｙドットマトリックス表示のため
の第１電極２とその電極間隙に電気的に絶縁されたダミ
ーパターン部分である第１ダミー電極２ａがＸ方向に形
成されている。その第１電極２及びダミー電極２ａが形
成されたガラス基板１上には、第１絶縁層３と第２絶縁
層５でサンドイッチ（二重絶縁）された発光層４が形成
されている。そして、第２絶縁層５上には第１電極２に
対向する第２電極６とその電極間隙に電気的に絶縁され
たダミーパターン部分である第２ダミー電極６ａがＹ方
向に形成され、Ｘ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子１
００が構成されている。
明する。図１は本発明に係るＸ−Ｙドットマトリックス
形ＥＬ素子のパターン構造を示した平面図である。尚、
このＥＬ素子の表示面における断面構造は図８と同様で
あり、同じ符号を付して示した。絶縁性基板であるガラ
ス基板１上には、Ｘ−Ｙドットマトリックス表示のため
の第１電極２とその電極間隙に電気的に絶縁されたダミ
ーパターン部分である第１ダミー電極２ａがＸ方向に形
成されている。その第１電極２及びダミー電極２ａが形
成されたガラス基板１上には、第１絶縁層３と第２絶縁
層５でサンドイッチ（二重絶縁）された発光層４が形成
されている。そして、第２絶縁層５上には第１電極２に
対向する第２電極６とその電極間隙に電気的に絶縁され
たダミーパターン部分である第２ダミー電極６ａがＹ方
向に形成され、Ｘ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子１
００が構成されている。
【００１３】図２，図３は、上述のＸ−Ｙドットマトリ
ックス形ＥＬ素子の製造工程を示した詳細説明図であ
る。先ず、ガラス基板１上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)
透明電極を真空蒸着法により形成した。ここで、蒸着材
料としては、酸化インジウム（Ｉn2Ｏ3)中に酸化錫(Ｓn
Ｏ2)をＩn 原子に対してＳn 原子が５％となるように混
合成形し焼成しペレット状としたものを用いた。又、電
子ビーム蒸着装置内にガラス基板１と上記ペレットをセ
ットし、ガラス基板１を 250℃に保持したまま真空槽内
を３×10-4Ｐa まで排気した。次に、6.7×10-2Ｐaまで
Ｏ2 ガスを導入し蒸着速度が0.1〜0.3nm/secとなるよう
に電子ビームの出力を調整しながらＩＴＯ透明導電膜を
200nm成膜した。このＩＴＯ透明導電膜をフォトリソグ
ラフィの手法を用いて、塩酸（ＨＣl)等のウエットエッ
チングにより、図２に示したように、第１電極２及び第
１ダミー電極２ａを同時に形成した。この第１電極２
は、電極幅Ｗを 220μm 、電極ピッチＰを 300μm とし
た。又、第１ダミー電極２ａは、80μm の第１電極２の
電極間隙に電極幅ｗを70μm 、第１電極２との電極間隙
距離ｓをそれぞれ５μm とした。
ックス形ＥＬ素子の製造工程を示した詳細説明図であ
る。先ず、ガラス基板１上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)
透明電極を真空蒸着法により形成した。ここで、蒸着材
料としては、酸化インジウム（Ｉn2Ｏ3)中に酸化錫(Ｓn
Ｏ2)をＩn 原子に対してＳn 原子が５％となるように混
合成形し焼成しペレット状としたものを用いた。又、電
子ビーム蒸着装置内にガラス基板１と上記ペレットをセ
ットし、ガラス基板１を 250℃に保持したまま真空槽内
を３×10-4Ｐa まで排気した。次に、6.7×10-2Ｐaまで
Ｏ2 ガスを導入し蒸着速度が0.1〜0.3nm/secとなるよう
に電子ビームの出力を調整しながらＩＴＯ透明導電膜を
200nm成膜した。このＩＴＯ透明導電膜をフォトリソグ
ラフィの手法を用いて、塩酸（ＨＣl)等のウエットエッ
チングにより、図２に示したように、第１電極２及び第
１ダミー電極２ａを同時に形成した。この第１電極２
は、電極幅Ｗを 220μm 、電極ピッチＰを 300μm とし
た。又、第１ダミー電極２ａは、80μm の第１電極２の
電極間隙に電極幅ｗを70μm 、第１電極２との電極間隙
距離ｓをそれぞれ５μm とした。
【００１４】次に、図３に示したように、上記第１電極
２及び第１ダミー電極２ａが形成されたガラス基板１上
に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)と酸化アルミニウム（Ａl2
Ｏ3)の混合物より成る第１絶縁層３を高周波スパッタ法
にて成膜した。具体的には、上記透明な第１電極２及び
第１ダミー電極２ａが形成されたガラス基板１をスパッ
タ装置内にセットし 200℃に30分間保持した後、その真
空槽内を３×10-2Ｐa まで排気した。その後、Ａr ガス
を 180cc/min、Ｏ2 ガスを20cc/minの割合で真空槽内に
導入しつつ排気バルブを調整し真空槽内の圧力を１Ｐa
に設定した。ターゲットとしてはＴa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合
物から成る焼結ターゲットを用い高周波電力をターゲッ
ト単位面積あたり2.1W/cm2投入しプリスパッタを10分間
行った後、 5.8nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行い
500nm堆積した。
２及び第１ダミー電極２ａが形成されたガラス基板１上
に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)と酸化アルミニウム（Ａl2
Ｏ3)の混合物より成る第１絶縁層３を高周波スパッタ法
にて成膜した。具体的には、上記透明な第１電極２及び
第１ダミー電極２ａが形成されたガラス基板１をスパッ
タ装置内にセットし 200℃に30分間保持した後、その真
空槽内を３×10-2Ｐa まで排気した。その後、Ａr ガス
を 180cc/min、Ｏ2 ガスを20cc/minの割合で真空槽内に
導入しつつ排気バルブを調整し真空槽内の圧力を１Ｐa
に設定した。ターゲットとしてはＴa2Ｏ5,Ａl2Ｏ3 混合
物から成る焼結ターゲットを用い高周波電力をターゲッ
ト単位面積あたり2.1W/cm2投入しプリスパッタを10分間
行った後、 5.8nm/minの堆積速度の条件にて成膜を行い
500nm堆積した。
【００１５】次に、上記第１絶縁層３上に硫化亜鉛(Ｚn
Ｓ）を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)を
0.8重量％の割合で添加した硫化亜鉛：マンガン(Ｚn
Ｓ：Ｍn)発光層４を蒸着により 700nm形成した。具体的
には、ガラス基板１の温度を 200℃に保持し、電子ビー
ム蒸着装置内を５×10-4Ｐa 以下に維持し、堆積速度0.
1〜0.3nm/secの条件で電子ビーム蒸着を行った。更に、
その発光層４上に第１絶縁層３と同様に第２絶縁層５を
高周波スパッタ法にて成膜し 500nm堆積した。
Ｓ）を母体材料とし、発光中心としてマンガン（Ｍn)を
0.8重量％の割合で添加した硫化亜鉛：マンガン(Ｚn
Ｓ：Ｍn)発光層４を蒸着により 700nm形成した。具体的
には、ガラス基板１の温度を 200℃に保持し、電子ビー
ム蒸着装置内を５×10-4Ｐa 以下に維持し、堆積速度0.
1〜0.3nm/secの条件で電子ビーム蒸着を行った。更に、
その発光層４上に第１絶縁層３と同様に第２絶縁層５を
高周波スパッタ法にて成膜し 500nm堆積した。
【００１６】次に、アルミニウム（Ａl)の金属電極膜か
ら成る第２電極材料６を成膜する。蒸着材料としては高
純度の金属アルミニウム（Ａl)を用いた。上記第２絶縁
層５まで形成されたガラス基板１と蒸着材料とを電子ビ
ーム蒸着装置内にセットし、その真空槽内を 6.7×10-4
Ｐa 以下まで排気した後、成膜速度が 3nm/sec以上とな
るように電子ビームの出力を調整し 500nm堆積した。
ら成る第２電極材料６を成膜する。蒸着材料としては高
純度の金属アルミニウム（Ａl)を用いた。上記第２絶縁
層５まで形成されたガラス基板１と蒸着材料とを電子ビ
ーム蒸着装置内にセットし、その真空槽内を 6.7×10-4
Ｐa 以下まで排気した後、成膜速度が 3nm/sec以上とな
るように電子ビームの出力を調整し 500nm堆積した。
【００１７】次に、図２の工程と同様に、フォトリソグ
ラフィを用いて、燐酸(Ｈ3ＰＯ4)等のウエットエッチン
グにより、第２電極６及び第２ダミー電極６ａを同時に
形成し、図１に示したＸ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ
素子１００を形成した。ここで、第２電極６は、その電
極幅Ｗを 220μm 、電極ピッチＰを 300μm とした。
又、第２ダミー電極６ａは、80μm の第２電極６の電極
間隙に電極幅ｗを70μm 、第２電極６との電極間隙距離
ｓをそれぞれ５μm とした。このように構成されたＸ−
Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子１００は、表示面の全
領域の積層方向の各構成及び材質が同じであるため反射
率は同じとなる。即ち、ＥＬ素子１００は、発光・非発
光時を問わず表示面における電極のパターン形状や配線
電極が外光の反射により見えることがなくなり表示品質
の優れたものとなる。
ラフィを用いて、燐酸(Ｈ3ＰＯ4)等のウエットエッチン
グにより、第２電極６及び第２ダミー電極６ａを同時に
形成し、図１に示したＸ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ
素子１００を形成した。ここで、第２電極６は、その電
極幅Ｗを 220μm 、電極ピッチＰを 300μm とした。
又、第２ダミー電極６ａは、80μm の第２電極６の電極
間隙に電極幅ｗを70μm 、第２電極６との電極間隙距離
ｓをそれぞれ５μm とした。このように構成されたＸ−
Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子１００は、表示面の全
領域の積層方向の各構成及び材質が同じであるため反射
率は同じとなる。即ち、ＥＬ素子１００は、発光・非発
光時を問わず表示面における電極のパターン形状や配線
電極が外光の反射により見えることがなくなり表示品質
の優れたものとなる。
【００１８】図４は、本発明に係るセグメント形ＥＬ素
子のパターン構造を示した平面図である。尚、このＥＬ
素子の表示面における断面構造は図８と同様であり、同
じ符号を付して示した。このセグメント形ＥＬ素子もＸ
−Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子と同様のプロセスに
より作製する。
子のパターン構造を示した平面図である。尚、このＥＬ
素子の表示面における断面構造は図８と同様であり、同
じ符号を付して示した。このセグメント形ＥＬ素子もＸ
−Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子と同様のプロセスに
より作製する。
【００１９】図５〜図７は、上述のセグメント形ＥＬ素
子の製造工程を示した詳細説明図である。上述の実施例
と同様に、先ず、図５に示したように、ガラス基板１上
にＩＴＯ、酸化亜鉛(ＺnＯ）等の透明電極膜を成膜す
る。その透明電極膜をフォトリソグラフィを用いて、塩
酸（ＨＣl)等のウエットエッチングにより、第１電極２
及び第１ダミー電極２ａを同時に形成する。この第１ダ
ミー電極２ａは、第１電極２との電極間隙距離ｓを５μ
m として、表示面内の第１電極２の無い領域に形成す
る。
子の製造工程を示した詳細説明図である。上述の実施例
と同様に、先ず、図５に示したように、ガラス基板１上
にＩＴＯ、酸化亜鉛(ＺnＯ）等の透明電極膜を成膜す
る。その透明電極膜をフォトリソグラフィを用いて、塩
酸（ＨＣl)等のウエットエッチングにより、第１電極２
及び第１ダミー電極２ａを同時に形成する。この第１ダ
ミー電極２ａは、第１電極２との電極間隙距離ｓを５μ
m として、表示面内の第１電極２の無い領域に形成す
る。
【００２０】次に、図６に示したように、前工程で第１
電極２及び第１ダミー電極２ａが形成されたガラス基板
１上に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)等より成る絶縁層３を
高周波スパッタ法にて成膜する。その絶縁層３上にマン
ガン（Ｍn)を 0.8重量％の割合で含有する硫化亜鉛(Ｚn
Ｓ）や三フッ化テルビウム(ＴbＦ3)を４重量％の割合で
含有する硫化亜鉛(ＺnＳ）等から成る発光層４を電子ビ
ーム蒸着法や高周波スパッタ法により成膜する。更に、
その発光層４上に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)等より成る
絶縁層５を高周波スパッタ法にて成膜する。
電極２及び第１ダミー電極２ａが形成されたガラス基板
１上に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)等より成る絶縁層３を
高周波スパッタ法にて成膜する。その絶縁層３上にマン
ガン（Ｍn)を 0.8重量％の割合で含有する硫化亜鉛(Ｚn
Ｓ）や三フッ化テルビウム(ＴbＦ3)を４重量％の割合で
含有する硫化亜鉛(ＺnＳ）等から成る発光層４を電子ビ
ーム蒸着法や高周波スパッタ法により成膜する。更に、
その発光層４上に五酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5)等より成る
絶縁層５を高周波スパッタ法にて成膜する。
【００２１】次に、アルミニウム（Ａl)、ＩＴＯ、酸化
亜鉛(ＺnＯ）等の金属や透明電極膜等から成る電極材料
を成膜し、フォトリソグラフィを用いて、燐酸(Ｈ3ＰＯ
4)や塩酸（ＨＣl)等のウエットエッチングにより、図７
に示したように、第２電極６及び第２ダミー電極６ａを
同時に形成し、図４に示したセグメント形ＥＬ素子２０
０を形成した。尚、図７では、上述の工程でガラス基板
１上に成膜された第１電極２、第１ダミー電極２ａ、第
１絶縁層３、発光層４及び第２絶縁層５は省略されてい
る。ここで、第２ダミー電極６ａは、第１ダミー電極２
ａと同様に、第２電極６との電極間隙距離ｓを５μm と
して、表示面内の第２電極６の無い領域に形成した。こ
のように構成されたセグメント形ＥＬ素子２００は、表
示面の全領域の積層方向の各構成及び材質が同じである
ため反射率は同じとなる。即ち、ＥＬ素子２００は、発
光・非発光時を問わず表示面における電極のパターン形
状や配線電極が外光の反射により見えることがなくなり
表示品質の優れたものとなる。
亜鉛(ＺnＯ）等の金属や透明電極膜等から成る電極材料
を成膜し、フォトリソグラフィを用いて、燐酸(Ｈ3ＰＯ
4)や塩酸（ＨＣl)等のウエットエッチングにより、図７
に示したように、第２電極６及び第２ダミー電極６ａを
同時に形成し、図４に示したセグメント形ＥＬ素子２０
０を形成した。尚、図７では、上述の工程でガラス基板
１上に成膜された第１電極２、第１ダミー電極２ａ、第
１絶縁層３、発光層４及び第２絶縁層５は省略されてい
る。ここで、第２ダミー電極６ａは、第１ダミー電極２
ａと同様に、第２電極６との電極間隙距離ｓを５μm と
して、表示面内の第２電極６の無い領域に形成した。こ
のように構成されたセグメント形ＥＬ素子２００は、表
示面の全領域の積層方向の各構成及び材質が同じである
ため反射率は同じとなる。即ち、ＥＬ素子２００は、発
光・非発光時を問わず表示面における電極のパターン形
状や配線電極が外光の反射により見えることがなくなり
表示品質の優れたものとなる。
【００２２】以上説明したように、本発明に係るＥＬ素
子を構成するダミーパターン部分は、その電極の形状や
各層の材質や膜厚等に制限されることは無い。上述の実
施例では、２つの電極間に１つの発光層が挟まれた単層
型のＥＬ素子の構造について説明したが、本発明のＥＬ
素子は発光層を複数とした多層型や発光色が異なる発光
層を平面的に配置した平面配置型の多色ＥＬ素子であっ
ても良い。更に、本発明のＥＬ素子における発光層を、
例えば、赤色系、緑色系、青色系と積層することにより
フルカラー化への応用も可能である。
子を構成するダミーパターン部分は、その電極の形状や
各層の材質や膜厚等に制限されることは無い。上述の実
施例では、２つの電極間に１つの発光層が挟まれた単層
型のＥＬ素子の構造について説明したが、本発明のＥＬ
素子は発光層を複数とした多層型や発光色が異なる発光
層を平面的に配置した平面配置型の多色ＥＬ素子であっ
ても良い。更に、本発明のＥＬ素子における発光層を、
例えば、赤色系、緑色系、青色系と積層することにより
フルカラー化への応用も可能である。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係るＸ−Ｙドット
マトリックス形ＥＬ素子のパターン構造を示した平面図
である。
マトリックス形ＥＬ素子のパターン構造を示した平面図
である。
【図２】同実施例に係るＸ−Ｙドットマトリックス形Ｅ
Ｌ素子の製造工程を示した詳細説明図である。
Ｌ素子の製造工程を示した詳細説明図である。
【図３】同実施例に係るＸ−Ｙドットマトリックス形Ｅ
Ｌ素子の図２に続く製造工程を示した詳細説明図であ
る。
Ｌ素子の図２に続く製造工程を示した詳細説明図であ
る。
【図４】本発明に係るセグメント形ＥＬ素子のパターン
構造を示した平面図である。
構造を示した平面図である。
【図５】同実施例に係るセグメント形ＥＬ素子の製造工
程を示した詳細説明図である。
程を示した詳細説明図である。
【図６】同実施例に係るセグメント形ＥＬ素子の図５に
続く製造工程を示した詳細説明図である。
続く製造工程を示した詳細説明図である。
【図７】同実施例に係るセグメント形ＥＬ素子の第２電
極及び第２ダミー電極の形状を示した詳細説明図であ
る。
極及び第２ダミー電極の形状を示した詳細説明図であ
る。
【図８】従来のＥＬ素子の断面構造を示した模式図であ
る。
る。
【図９】従来のＸ−Ｙドットマトリックス形ＥＬ素子の
典型的なパターン構造を示した平面図である。
典型的なパターン構造を示した平面図である。
【図１０】従来のセグメント形ＥＬ素子の典型的なパタ
ーン構造を示した平面図である。
ーン構造を示した平面図である。
【符号の説明】 １…ガラス基板（絶縁性基板） ２…第１電極 ２ａ…第１ダミー電極（ダミーパターン部分） ３…第１絶縁層 ４…発光層 ５…第２絶縁層 ６…第２電極 ６ａ…第２ダミー電極（ダミーパターン部分） １００…ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 有 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 伊藤 信衛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に第１電極、第１絶縁層、
発光層、第２絶縁層及び第２電極を順次積層すると共に
前記第１電極又は前記第２電極のうち少なくとも光取り
出し側の一方を透明導電膜で形成したエレクトロルミネ
ッセンス素子であって、 前記第１電極又は前記第２電極の少なくとも一方の電極
のパターン形状間隙に該電極と電気的に絶縁されたダミ
ーパターン部分を形成したことを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221990A JPH0652990A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221990A JPH0652990A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652990A true JPH0652990A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16775358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4221990A Pending JPH0652990A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652990A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000001204A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Ecran electroluminescent |
| WO2001078461A1 (fr) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif el organique et panneau d'affichage |
| JP2002141170A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2005230180A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | 弾球遊技機 |
| US7288888B2 (en) | 2003-11-05 | 2007-10-30 | Samsung Sdi Co., Ltd | Organic electroluminescent display device including a dummy pattern for preventing short circuiting |
| JP2012134312A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Denso Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2013211102A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| WO2015155924A1 (ja) * | 2014-04-08 | 2015-10-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機ｅｌ素子及び照明装置 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP4221990A patent/JPH0652990A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000001204A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Ecran electroluminescent |
| US6624571B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-09-23 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Electroluminescent display |
| WO2001078461A1 (fr) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif el organique et panneau d'affichage |
| JP2002141170A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP4675005B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器 |
| US7288888B2 (en) | 2003-11-05 | 2007-10-30 | Samsung Sdi Co., Ltd | Organic electroluminescent display device including a dummy pattern for preventing short circuiting |
| JP2005230180A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Denso Corp | 弾球遊技機 |
| JP2012134312A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Denso Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2013211102A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| WO2015155924A1 (ja) * | 2014-04-08 | 2015-10-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機ｅｌ素子及び照明装置 |
| JPWO2015155924A1 (ja) * | 2014-04-08 | 2017-04-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機ｅｌ素子及び照明装置 |
| US10243028B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-03-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and lighting device with buffer layer |
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