JPH064497B2 - 酸化錫膜の形成方法 - Google Patents
酸化錫膜の形成方法Info
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- JPH064497B2 JPH064497B2 JP60172125A JP17212585A JPH064497B2 JP H064497 B2 JPH064497 B2 JP H064497B2 JP 60172125 A JP60172125 A JP 60172125A JP 17212585 A JP17212585 A JP 17212585A JP H064497 B2 JPH064497 B2 JP H064497B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3447—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide
- C03C17/3458—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a halide comprising a chloride
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は基体表面に酸化錫膜を形成する方法に関し、さ
らに詳しくは、ガラス基体を高温に加熱し次いで基体表
面に錫化合物を接触させて熱分解酸化反応により基体表
面に酸化錫膜を形成する技術の改善に関する。
らに詳しくは、ガラス基体を高温に加熱し次いで基体表
面に錫化合物を接触させて熱分解酸化反応により基体表
面に酸化錫膜を形成する技術の改善に関する。
一般にガラス基体表面に酸化錫膜を形成した場合には、
酸化錫膜が優れた硬度を有していることからビン製品や
食器、電球等の表面の傷付き防止に広く用いられてい
る。またハロゲン特にフッ素やアンチモンをドープした
酸化錫膜が金属的性質を示すことを利用した応用例も多
く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セル、太陽
電池を始めとする半導体デバイスの透明電極板として使
用されており、さらに防曇ガラスなどの面発熱体として
の用途にも使用されている。また酸化錫膜の優れた赤外
線反射特性を利用し、太陽熱集熱器のカバーガラスや暖
房効果向上を目的とした窓ガラスとしても極めて有用で
ある。
酸化錫膜が優れた硬度を有していることからビン製品や
食器、電球等の表面の傷付き防止に広く用いられてい
る。またハロゲン特にフッ素やアンチモンをドープした
酸化錫膜が金属的性質を示すことを利用した応用例も多
く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは液晶セル、太陽
電池を始めとする半導体デバイスの透明電極板として使
用されており、さらに防曇ガラスなどの面発熱体として
の用途にも使用されている。また酸化錫膜の優れた赤外
線反射特性を利用し、太陽熱集熱器のカバーガラスや暖
房効果向上を目的とした窓ガラスとしても極めて有用で
ある。
（従来の技術） 従来ガラス基体表面に酸化錫膜を被覆させる方法として
は種々考案されているが、量産に適した方法としては、
錫化合物の熱分解酸化反応を利用した方法が知られてお
り、古くから四塩化錫を溶媒に溶かした溶液を高温のガ
ラス基体表面に吹付ける方法（液スプレー法）や、酸化
ジブチル錫等の有機錫化合物の微粉末を懸濁させた気体
を高温のガラス基体表面に吹付ける方法（粉末スプレー
法）が用いられてきた。そして近年、四塩化錫、または
ジメチル二塩化錫を蒸発させて得られる蒸気を高温のガ
ラス基体表面に接触させるいわゆるCVD法も広く採用さ
れている。これらの方法で形成される酸化錫膜に対して
高い電導性と、高い光透過性が要求される応用分野が近
年急激に増加している。このため高い電導性を有する酸
化錫膜を得ることを目的とした新規の錫化合物を原料に
用いる方法の提案や、錫化合物に適量の添加物を混合す
ることを特徴とする酸化錫膜の形成方法の提案がなされ
ている。たとえばテトラメチル錫〔(CH3)4Sn〕とブロモ
トリフルオロメタン〔CF3Br〕の蒸気の混合物を用いCVD
法により電導性に優れた酸化錫膜を得ることが提案され
ている。（特開昭55-58363）。
は種々考案されているが、量産に適した方法としては、
錫化合物の熱分解酸化反応を利用した方法が知られてお
り、古くから四塩化錫を溶媒に溶かした溶液を高温のガ
ラス基体表面に吹付ける方法（液スプレー法）や、酸化
ジブチル錫等の有機錫化合物の微粉末を懸濁させた気体
を高温のガラス基体表面に吹付ける方法（粉末スプレー
法）が用いられてきた。そして近年、四塩化錫、または
ジメチル二塩化錫を蒸発させて得られる蒸気を高温のガ
ラス基体表面に接触させるいわゆるCVD法も広く採用さ
れている。これらの方法で形成される酸化錫膜に対して
高い電導性と、高い光透過性が要求される応用分野が近
年急激に増加している。このため高い電導性を有する酸
化錫膜を得ることを目的とした新規の錫化合物を原料に
用いる方法の提案や、錫化合物に適量の添加物を混合す
ることを特徴とする酸化錫膜の形成方法の提案がなされ
ている。たとえばテトラメチル錫〔(CH3)4Sn〕とブロモ
トリフルオロメタン〔CF3Br〕の蒸気の混合物を用いCVD
法により電導性に優れた酸化錫膜を得ることが提案され
ている。（特開昭55-58363）。
また、モノブチル錫トリクロライド〔C4H9・SnCl3〕とC
F2HX（Ｘは水素、ハロゲン、またはアルキル基）の構造
を持つ含フッ素化合物の蒸気の混合物を用いCVD法によ
り電導性に優れた酸化錫膜を得ることが提案されてい
る。（特開昭59-162269）。
F2HX（Ｘは水素、ハロゲン、またはアルキル基）の構造
を持つ含フッ素化合物の蒸気の混合物を用いCVD法によ
り電導性に優れた酸化錫膜を得ることが提案されてい
る。（特開昭59-162269）。
更に電導性に優れた酸化錫膜を得る目的でガラス基体と
してソーダライムガラスに代え、石英ガラスやホウ珪酸
ガラスを用いる方法や、基体がソーダライムガラスの場
合には、酸化錫膜の形成に先立ち予め基体表面を酸化珪
素膜で被覆する方法がよく知られている。
してソーダライムガラスに代え、石英ガラスやホウ珪酸
ガラスを用いる方法や、基体がソーダライムガラスの場
合には、酸化錫膜の形成に先立ち予め基体表面を酸化珪
素膜で被覆する方法がよく知られている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらこれらの方法を用いても得られる酸化錫膜
の電導性は例えば電気伝導率は、σ＝3000Ω-1cm-1（比
抵抗ρ＝１／σ＝3.3×10-4Ω・cm）が限度であり、酸化
錫を添加した酸化インジウム膜の電導性と比較すると劣
っている。
の電導性は例えば電気伝導率は、σ＝3000Ω-1cm-1（比
抵抗ρ＝１／σ＝3.3×10-4Ω・cm）が限度であり、酸化
錫を添加した酸化インジウム膜の電導性と比較すると劣
っている。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは熱分解酸化反応を利用した酸化錫膜の形成
において酸化錫膜の形成に先立ってガラス基体表面を処
理する方法（以下前処理と記す）に関して鋭意研究の結
果、ガラス基体表面とIVａ族塩化物溶液すなわち四塩化
チタン（TiCl4）、四塩化ジルコニウム（ZrCl4）、もし
くは四塩化ハフニウム（HfCl4）、あるいはそれらの混
合物の溶液（以下、処理液と記す）を接触させ基体表面
にIVａ族塩化物を主成分とする組成物の層を形成させる
前処理を施し、引き続きその基体を高温に加熱し、前処
理を施した基体表面に錫化合物を接触させて熱分解酸化
反応により基体表面に酸化錫膜を形成させることによ
り、得られる酸化錫膜が更に優れた電導性を有すること
を見い出した。
において酸化錫膜の形成に先立ってガラス基体表面を処
理する方法（以下前処理と記す）に関して鋭意研究の結
果、ガラス基体表面とIVａ族塩化物溶液すなわち四塩化
チタン（TiCl4）、四塩化ジルコニウム（ZrCl4）、もし
くは四塩化ハフニウム（HfCl4）、あるいはそれらの混
合物の溶液（以下、処理液と記す）を接触させ基体表面
にIVａ族塩化物を主成分とする組成物の層を形成させる
前処理を施し、引き続きその基体を高温に加熱し、前処
理を施した基体表面に錫化合物を接触させて熱分解酸化
反応により基体表面に酸化錫膜を形成させることによ
り、得られる酸化錫膜が更に優れた電導性を有すること
を見い出した。
本発明の好ましい実施態様において、IVａ族塩化物はそ
の濃度が0.1重量％から10.0重量％、さらに好ましくは
0.3重量％から3.0重量％となるように溶媒に溶かされ
る。この時溶媒としては、水、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール、トルエン、メチル
エチルケトン等を用いることができる。
の濃度が0.1重量％から10.0重量％、さらに好ましくは
0.3重量％から3.0重量％となるように溶媒に溶かされ
る。この時溶媒としては、水、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール、トルエン、メチル
エチルケトン等を用いることができる。
このようにして得られた処理液とガラス基体表面を接触
させ、基体表面にIVａ族塩化物を主成分とする組成物の
層を形成させる方法は種々あるが、本発明の好ましい実
施態様においてガラス基体は、処理液中に浸せき、され
た後、すみやかに溶液外に取り出される。この時、基体
表面は処理液で濡れた状態となる。次いで基体表面に付
着した処理液の溶媒を蒸発させると、基体表面にIVａ族
塩化物を主成分とする組成物の層が形成される。
させ、基体表面にIVａ族塩化物を主成分とする組成物の
層を形成させる方法は種々あるが、本発明の好ましい実
施態様においてガラス基体は、処理液中に浸せき、され
た後、すみやかに溶液外に取り出される。この時、基体
表面は処理液で濡れた状態となる。次いで基体表面に付
着した処理液の溶媒を蒸発させると、基体表面にIVａ族
塩化物を主成分とする組成物の層が形成される。
本発明の別の実施態様において、処理液は、ガラス基体
の表面の内、電導性に優れた酸化物の形成を所望する部
分に塗布される。この時基体表面の一部は処理液で濡れ
た状態になる。次いで基体表面に付着した処理液の溶媒
を蒸発させることにより基体表面にIVａ族塩化物を主成
分とする組成物の層が形成される。
の表面の内、電導性に優れた酸化物の形成を所望する部
分に塗布される。この時基体表面の一部は処理液で濡れ
た状態になる。次いで基体表面に付着した処理液の溶媒
を蒸発させることにより基体表面にIVａ族塩化物を主成
分とする組成物の層が形成される。
さらに本発明の一実施態様において処理液は、ノズル機
構を通じて30℃から600℃に、好ましくは50℃から200℃
に加熱された基体表面に噴霧される。この時、噴霧され
基体表面に到達した処理液の溶媒は、すみやかに蒸発し
基体表面にIVａ族塩化物を主成分とする組成物の層が形
成される。
構を通じて30℃から600℃に、好ましくは50℃から200℃
に加熱された基体表面に噴霧される。この時、噴霧され
基体表面に到達した処理液の溶媒は、すみやかに蒸発し
基体表面にIVａ族塩化物を主成分とする組成物の層が形
成される。
このようにして前処理が施され、表面にIVａ族塩化物を
主成分とする組成物の層が形成されたガラス基体は、高
温に加熱され次いで錫化合物を基体表面、とりわけIVａ
族塩化物を主成分とする組成物の層が形成された表面と
接触させ熱分解反応を利用して酸化錫膜を形成させる。
主成分とする組成物の層が形成されたガラス基体は、高
温に加熱され次いで錫化合物を基体表面、とりわけIVａ
族塩化物を主成分とする組成物の層が形成された表面と
接触させ熱分解反応を利用して酸化錫膜を形成させる。
（作 用） このようにしてガラス基体の表面上で、IVａ族塩化物を
主成分とする組成物の層の上に形成された酸化錫膜は、
通常のガラス基体表面上に同一条件にて形成された酸化
錫膜に比して、高い電導性を有する。この理由は、いま
だ明確ではないが、IVａ族塩化物を主成分とする組成物
の層の上に形成される酸化錫膜では、多結晶体である酸
化錫膜の結晶粒が、通常のガラス基体表面上に同一条件
にて形成された酸化錫膜に比して大きく成長する傾向に
あり、これにより酸化錫膜の電気伝導を担うキャリアー
の易動度が向上するためと考えられる。
主成分とする組成物の層の上に形成された酸化錫膜は、
通常のガラス基体表面上に同一条件にて形成された酸化
錫膜に比して、高い電導性を有する。この理由は、いま
だ明確ではないが、IVａ族塩化物を主成分とする組成物
の層の上に形成される酸化錫膜では、多結晶体である酸
化錫膜の結晶粒が、通常のガラス基体表面上に同一条件
にて形成された酸化錫膜に比して大きく成長する傾向に
あり、これにより酸化錫膜の電気伝導を担うキャリアー
の易動度が向上するためと考えられる。
（実 施 例） 以下に本発明の実施例を示し本発明を詳しく説明する。
実施例−１ SiO2膜約1200Åで被覆したソーダライムガラス基体表面
を各種の金属塩化物水溶液で濡らした後、熱風乾燥によ
り溶媒を蒸発させ、基体表面に各々の金属塩化物を主成
分とする組成物の層を形成させる処理を行った。次いで
基体を550℃に加熱し、処理を施した基体表面にモノブ
チル錫トリクロライドの蒸気、１，１−ジフルオルエタ
ンの蒸気、水蒸気、酸素、窒素ガスの調製された混合気
体を接触させ基体表面に約4500Åの厚さの酸化錫膜を形
成させた。
を各種の金属塩化物水溶液で濡らした後、熱風乾燥によ
り溶媒を蒸発させ、基体表面に各々の金属塩化物を主成
分とする組成物の層を形成させる処理を行った。次いで
基体を550℃に加熱し、処理を施した基体表面にモノブ
チル錫トリクロライドの蒸気、１，１−ジフルオルエタ
ンの蒸気、水蒸気、酸素、窒素ガスの調製された混合気
体を接触させ基体表面に約4500Åの厚さの酸化錫膜を形
成させた。
表−１に各々の金属塩化物水溶液で処理を施した基体表
面に形成させた酸化錫膜の電気伝導率及び比抵抗を示
す。表−１には比較のため処理を施さずに同一基板の表
面上に同一条件にて直接酸化錫膜を形成した従来法によ
る膜の電気伝導率も示す。
面に形成させた酸化錫膜の電気伝導率及び比抵抗を示
す。表−１には比較のため処理を施さずに同一基板の表
面上に同一条件にて直接酸化錫膜を形成した従来法によ
る膜の電気伝導率も示す。
表−１よりIVａ族金属塩化物すなわち塩化チタン、塩化
ジルコニウム及び塩化ハフニウムの水溶液を、処理液に
用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫膜
は、処理を施さない場合に比べ、電導性に優れているこ
とが明らかであり、本発明の方法によれば、従来法に比
べたとえば電導率が１０％から２０％高い酸化錫膜を形
成することが可能である。
ジルコニウム及び塩化ハフニウムの水溶液を、処理液に
用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫膜
は、処理を施さない場合に比べ、電導性に優れているこ
とが明らかであり、本発明の方法によれば、従来法に比
べたとえば電導率が１０％から２０％高い酸化錫膜を形
成することが可能である。
実施例−２ 濃度の異なる塩化チタン水溶液を処理液として準備し、
約1000ÅのSiO2膜を被覆したソーダライム基体を各々の
処理液中に浸した後取り出し、熱風乾燥により、溶媒を
蒸発させる処理を行った。次いで基体を550℃に加熱し
た後、実施例−１に記述した方法により処理を施した基
体表面に2500Åの酸化錫膜を形成した。
約1000ÅのSiO2膜を被覆したソーダライム基体を各々の
処理液中に浸した後取り出し、熱風乾燥により、溶媒を
蒸発させる処理を行った。次いで基体を550℃に加熱し
た後、実施例−１に記述した方法により処理を施した基
体表面に2500Åの酸化錫膜を形成した。
処理液の濃度と、各々の濃度の処理液を用いて処理を施
した基体表面に形成された酸化錫膜の電導率の関係を図
−１に示した。
した基体表面に形成された酸化錫膜の電導率の関係を図
−１に示した。
図−１より0.3％から５％の濃度の塩化チタン水溶液を
用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫膜
は、同一条件にて無処理の同一基体表 面上に形成された酸化錫膜に比べ高い電導率を有するこ
とが明らかであり、特に0.6％から1.2％の濃度の処理液
を用いた場合は、従来法より約２０％高い電導率を有す
る酸化錫膜が得られる。
用いて処理を施した基体表面上に形成された酸化錫膜
は、同一条件にて無処理の同一基体表 面上に形成された酸化錫膜に比べ高い電導率を有するこ
とが明らかであり、特に0.6％から1.2％の濃度の処理液
を用いた場合は、従来法より約２０％高い電導率を有す
る酸化錫膜が得られる。
実施例−３ 塩化ジルコニウムの0.5％エタノール溶液を処理液とし
て準備し、約1000ÅのSiO2膜を被覆したソーダライムガ
ラス基体を処理液中に浸し取り出した後、熱風乾燥によ
りエタノールを蒸発させる処理を行った。次いで基体を
550℃に加熱した後、実施例−１に記述した方法により
処理を施した基体表面に2500Åの酸化錫膜を形成した。
て準備し、約1000ÅのSiO2膜を被覆したソーダライムガ
ラス基体を処理液中に浸し取り出した後、熱風乾燥によ
りエタノールを蒸発させる処理を行った。次いで基体を
550℃に加熱した後、実施例−１に記述した方法により
処理を施した基体表面に2500Åの酸化錫膜を形成した。
表−２に形成した酸化錫膜の電気特性を示した。表−２
には比較例として処理を施さない同一基体上に同一条件
にて形成した従来法による酸化錫膜の電気特性も示し
た。
には比較例として処理を施さない同一基体上に同一条件
にて形成した従来法による酸化錫膜の電気特性も示し
た。
表−２よりエタノールを溶媒として使用した処理液によ
っても本発明の方法により電導性に優れ特にキャリア易
動度の高い酸化錫膜が得られることがわかる。
っても本発明の方法により電導性に優れ特にキャリア易
動度の高い酸化錫膜が得られることがわかる。
実施例−４ 塩化ジルコニウムの1.0％エタノール溶液を処理液とし
て準備し、約150℃に加熱されたソーダライムガラス基
体表面上にエアスプレーガンを通じて処理液を噴霧し
た。この場合噴霧された処理液の溶媒は基体の持つ熱に
よりすみやかに蒸発し基体表面に塩化ジルコニウムを主
成分とする組成物の層が形成された。
て準備し、約150℃に加熱されたソーダライムガラス基
体表面上にエアスプレーガンを通じて処理液を噴霧し
た。この場合噴霧された処理液の溶媒は基体の持つ熱に
よりすみやかに蒸発し基体表面に塩化ジルコニウムを主
成分とする組成物の層が形成された。
次いで基体を600℃に加熱し、処理を施した基体表面上
にジブチル錫ジアセテートとトリフルオロ酢酸とエタノ
ールの調整された混合溶液を、エアスプレーガンにて噴
霧して接触させ、2300Åの厚さの酸化錫膜を形成した。
にジブチル錫ジアセテートとトリフルオロ酢酸とエタノ
ールの調整された混合溶液を、エアスプレーガンにて噴
霧して接触させ、2300Åの厚さの酸化錫膜を形成した。
別に600℃に加熱されたソーダライムガラス基体に直接
上記と同一方法により酸化錫膜を形成した。表−３に各
々の酸化錫膜の電導率を示した。表−３より本発明の方
法により電導性に優れた酸化錫膜が得られることが明ら
かである。
上記と同一方法により酸化錫膜を形成した。表−３に各
々の酸化錫膜の電導率を示した。表−３より本発明の方
法により電導性に優れた酸化錫膜が得られることが明ら
かである。
実施例−５ 塩化ジルコニウム1.0％水溶液を処理液として準備しホ
ウ珪酸ガラス基体表面に塗布した後、乾燥させ溶媒を蒸
発させた。次いで基体を550℃に加熱し処理を施した基
体表面上に実施例−１に記述した方法により4800Åの厚
さの酸化錫膜を形成させた。
ウ珪酸ガラス基体表面に塗布した後、乾燥させ溶媒を蒸
発させた。次いで基体を550℃に加熱し処理を施した基
体表面上に実施例−１に記述した方法により4800Åの厚
さの酸化錫膜を形成させた。
別に前処理を施していないホウ珪酸ガラス基体を550℃
に加熱し、同一条件にて酸化錫膜を形成させた。
に加熱し、同一条件にて酸化錫膜を形成させた。
各々の酸化錫膜の電気特性を表−４に示す。表−４では
従来法によれば電導率σ＝3.0×103Ω-1cm-1の酸化錫膜
が得られているが、本発明の方法によれば、さらに電導
性に優れた酸化錫膜が得られ3.6×103Ω-1cm-1に達す
る。この場合従来法による膜に比べキャリア易動度も高
くなっている。
従来法によれば電導率σ＝3.0×103Ω-1cm-1の酸化錫膜
が得られているが、本発明の方法によれば、さらに電導
性に優れた酸化錫膜が得られ3.6×103Ω-1cm-1に達す
る。この場合従来法による膜に比べキャリア易動度も高
くなっている。
（発明の効果） 本発明の方法により形成された酸化錫膜は優れた電導性
を有し、たとえば電導率が3.6×103Ω-1cm-1に達する。
また高いキャリア易動度を有する。
を有し、たとえば電導率が3.6×103Ω-1cm-1に達する。
また高いキャリア易動度を有する。
また本発明による酸化錫膜の形成方法は従来の熱分解酸
化反応を利用した酸化錫膜の形成方法、例えば液スプレ
ー法、粉末スプレー法、あるいはCVD法において、酸化
錫膜の形成に先立って基体表面に簡単な前処理を施す形
式の方法であるから、従来から熱分解酸化反応によりガ
ラス基体表面上に酸化錫膜を形成している技術分野の広
い範囲にわたって応用することができ、従来の酸化錫膜
の電導性の向上に対しきわめて有効である。
化反応を利用した酸化錫膜の形成方法、例えば液スプレ
ー法、粉末スプレー法、あるいはCVD法において、酸化
錫膜の形成に先立って基体表面に簡単な前処理を施す形
式の方法であるから、従来から熱分解酸化反応によりガ
ラス基体表面上に酸化錫膜を形成している技術分野の広
い範囲にわたって応用することができ、従来の酸化錫膜
の電導性の向上に対しきわめて有効である。
また本発明の方法では、ガラス基体を様々な手法により
IVａ族塩化物溶液と接触させることが可能であるという
利点も有し応用範囲が広い。
IVａ族塩化物溶液と接触させることが可能であるという
利点も有し応用範囲が広い。
第１図は本発明の実施例を示すもので、前処理溶液濃度
と酸化錫膜の電導率との関係を示すグラフである。
と酸化錫膜の電導率との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基体を高温に加熱し、次いで基体表
面に錫化合物または、錫化合物と含フッ素化合物の混合
物を接触させて熱分解酸化反応により基体表面に酸化錫
膜を形成する方法において、予めガラス基体を周期律表
におけるIVａ族金属の塩化物の溶液と接触させ、基体表
面にIVａ族金属塩化物を主成分とする組成物の層を形成
させることを特徴とする酸化錫膜の形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172125A JPH064497B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 酸化錫膜の形成方法 |
| US06/892,643 US4770901A (en) | 1985-08-05 | 1986-08-04 | Process for formation of tin oxide film |
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