JPH0638707B2 - 逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタの制御方法 - Google Patents
逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタの制御方法Info
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- JPH0638707B2 JPH0638707B2 JP58115484A JP11548483A JPH0638707B2 JP H0638707 B2 JPH0638707 B2 JP H0638707B2 JP 58115484 A JP58115484 A JP 58115484A JP 11548483 A JP11548483 A JP 11548483A JP H0638707 B2 JPH0638707 B2 JP H0638707B2
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- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents
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- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/505—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
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- H03K17/732—Measures for enabling turn-off
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- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、同一の半導体基体に形成されたゲートターン
オフ形サイリスタとダイオードとが、逆極性に並列接続
されて使用される逆導通形ＧＴＯの制御方法に関する。
オフ形サイリスタとダイオードとが、逆極性に並列接続
されて使用される逆導通形ＧＴＯの制御方法に関する。
通常、サイリスタ又はゲートターンオフ形サイリスタ
（以下ＧＴＯと称する）からなるインバータ又はコンバ
ータ回路のサイリスタ又はＧＴＯ素子には、フリーホイ
ーリング用のダイオードが逆極性に並列接続されてい
る。このようなサイリスタ又はＧＴＯとダイオードが逆
極性に並列接続された半導体スイツチ回路は、同一のイ
ンバータ又はコンバータ回路に多数用いられている。
（以下ＧＴＯと称する）からなるインバータ又はコンバ
ータ回路のサイリスタ又はＧＴＯ素子には、フリーホイ
ーリング用のダイオードが逆極性に並列接続されてい
る。このようなサイリスタ又はＧＴＯとダイオードが逆
極性に並列接続された半導体スイツチ回路は、同一のイ
ンバータ又はコンバータ回路に多数用いられている。
そこでこのような半導体回路を同一の半導体基体に一体
的に形成し、装置全体を小形化することが提案されてい
る。例えば、学会（Session ９Power Device(3)，９−
４，９７５：Inter National Power Electronics Commi
ttee-TOKYO,March27〜31,1983）において、サイリスタ
とダイオードとを一体的に半導体装置が提案された。こ
れと同様に、ＧＴＯとダイオードにあつても、第１図に
示すような構成の逆導通形ＧＴＯとすることが考えられ
る。
的に形成し、装置全体を小形化することが提案されてい
る。例えば、学会（Session ９Power Device(3)，９−
４，９７５：Inter National Power Electronics Commi
ttee-TOKYO,March27〜31,1983）において、サイリスタ
とダイオードとを一体的に半導体装置が提案された。こ
れと同様に、ＧＴＯとダイオードにあつても、第１図に
示すような構成の逆導通形ＧＴＯとすることが考えられ
る。
第１図は、逆導通形ＧＴＯの断面構造を模式的に示した
もので、図示の如く、ダイオード部１、ＧＴＯ部２、及
びこれらダイオード部１とＧＴＯ部２とを隔離する隔離
部３とからなつている。ダイオード部１とＧＴＯ部２は
第１の導通形を有する第１ベース層４と、第２の導通形
を有する第２ベース層５とを共有している。これらベー
ス層４，５は隣接層となつており、ＧＴＯ部２の第１ベ
ース層４の下層には、第２の導通形を有する第１エミツ
タ層６が、ダイオード部１と隔離部３の第１ベース層４
の下層には、高濃度の第１の導電形を有する電気的接触
層７が形成され、それらは第１電極８によつて共通に接
続されている。一方、第２ベース層５のＧＴＯ部２の主
表面の一部領域に第１の導電形を有する第２エミッタ層
９が形成され、その主表面に第２電極１０が設けられて
いる。第２エミッタ層９に隣接する第２ベース層５の主
表面にゲート電極１１が設けられている。また、ダイオ
ード部１の第２ベース層５の主表面には第２電極１０が
設けられ、前記ＧＴＯ部２の第２電極１０とは引出線１
２によつて接続されている。なお電気的接触層７は第１
電極８との電気的接触を良好にするためのものである。
また、ダイオード部１の第１電極８はダイオードカソー
ドとして、第２電極１０はダイオードアノードとして機
能し、ＧＴＯ部２の第１電極８はＧＴＯアノードとし
て、第２電極１０はＧＴＯカソードとして機能するもの
である。
もので、図示の如く、ダイオード部１、ＧＴＯ部２、及
びこれらダイオード部１とＧＴＯ部２とを隔離する隔離
部３とからなつている。ダイオード部１とＧＴＯ部２は
第１の導通形を有する第１ベース層４と、第２の導通形
を有する第２ベース層５とを共有している。これらベー
ス層４，５は隣接層となつており、ＧＴＯ部２の第１ベ
ース層４の下層には、第２の導通形を有する第１エミツ
タ層６が、ダイオード部１と隔離部３の第１ベース層４
の下層には、高濃度の第１の導電形を有する電気的接触
層７が形成され、それらは第１電極８によつて共通に接
続されている。一方、第２ベース層５のＧＴＯ部２の主
表面の一部領域に第１の導電形を有する第２エミッタ層
９が形成され、その主表面に第２電極１０が設けられて
いる。第２エミッタ層９に隣接する第２ベース層５の主
表面にゲート電極１１が設けられている。また、ダイオ
ード部１の第２ベース層５の主表面には第２電極１０が
設けられ、前記ＧＴＯ部２の第２電極１０とは引出線１
２によつて接続されている。なお電気的接触層７は第１
電極８との電気的接触を良好にするためのものである。
また、ダイオード部１の第１電極８はダイオードカソー
ドとして、第２電極１０はダイオードアノードとして機
能し、ＧＴＯ部２の第１電極８はＧＴＯアノードとし
て、第２電極１０はＧＴＯカソードとして機能するもの
である。
このように構成される逆導通形ＧＴＯは、ゲート電極１
１から第２電極（ＧＴＯカソード）１０に電流を流すこ
とにより、ＧＴＯ部２を導通（オン）させ、逆に第２電
極（ＧＴＯカソード）１０からゲート電極１１に電流を
流すことにより、ＧＴＯ部２を遮断（オフ）させるとい
う周知のＧＴＯ機能と、第２電極１０から第１電極８方
向には、常にダイオード部１より導通（オン）させる機
能とを具えているのである。
１から第２電極（ＧＴＯカソード）１０に電流を流すこ
とにより、ＧＴＯ部２を導通（オン）させ、逆に第２電
極（ＧＴＯカソード）１０からゲート電極１１に電流を
流すことにより、ＧＴＯ部２を遮断（オフ）させるとい
う周知のＧＴＯ機能と、第２電極１０から第１電極８方
向には、常にダイオード部１より導通（オン）させる機
能とを具えているのである。
ところが、このような構造の逆導通形ＧＴＯにあつて、
第１電極８と第２電極１０間に印加される電圧が、ＧＴ
Ｏ部２の逆方向から順方向に切替わるときＧＴＯ部２が
誤点弧され、ＧＴＯ部２のエミツタが破壊されてしまう
ことが考えられる。このことを第２図を参照しながら説
明する。第２図(a)はダイオード部１に流れるダイオー
ド電流ＩＤの時間変化を、第２図(b)は第１電極８と第
２電極１０間の電圧ＶAKの時間変化を示している。
第１電極８と第２電極１０間に印加される電圧が、ＧＴ
Ｏ部２の逆方向から順方向に切替わるときＧＴＯ部２が
誤点弧され、ＧＴＯ部２のエミツタが破壊されてしまう
ことが考えられる。このことを第２図を参照しながら説
明する。第２図(a)はダイオード部１に流れるダイオー
ド電流ＩＤの時間変化を、第２図(b)は第１電極８と第
２電極１０間の電圧ＶAKの時間変化を示している。
関連するアームの逆導通形ＧＴＯのＧＴＯ部２がオフさ
れると、第２図(a)に示すようにダイオード部１に順方
向の還流電流ＩDFが流れる。ｔ１において対アームの逆
導通形ＧＴＯがオンされると、ダイオード電流ＩＤは次
第に減少し、ｔ３においてダイオード部１の電圧阻止能
力が回復されると、逆方向に流れｔ４にて零になる。こ
のときのＶAKは第２図(b)に示す波形のように上昇さ
れ、次第に回路電圧に安定する。
れると、第２図(a)に示すようにダイオード部１に順方
向の還流電流ＩDFが流れる。ｔ１において対アームの逆
導通形ＧＴＯがオンされると、ダイオード電流ＩＤは次
第に減少し、ｔ３においてダイオード部１の電圧阻止能
力が回復されると、逆方向に流れｔ４にて零になる。こ
のときのＶAKは第２図(b)に示す波形のように上昇さ
れ、次第に回路電圧に安定する。
しかし、ｔ２−ｔ３間におけるダイオード部１の逆方向
電流が大きくなると、ｔ３−ｔ４間にて流れる逆方向電
流が大きくなり、これによつてＶAKの上昇率ｄＶAK／ｄ
ｔが大きなものとなる。このｄＶAK／ｄｔがある値以上
に達すると変位電流が発生し、これによつてＧＴＯ部２
が誤点弧されるのである。このような逆導通形ＧＴＯの
誤点弧を引き起すｄＶAK／ｄｔは、通常の単体ＧＴＯの
ｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量よりもかなり低い値になつてし
まうのである。また、通常の単体ＧＴＯの場合には、ゲ
ート電極とカソード電極間にコンデンサや抵抗を挿入接
続し、エミツタ層をバイパスさせて変位電流をゲート電
極に流し、これによつてｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を増大
させることが知られている。しかし、逆導通形ＧＴＯの
場合の変位電流は極めて大きい（約１０倍）ことから、
上記の方法によつてはｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を向上さ
せることができない。つまり、変位電流の大部分とキヤ
リアはダイオード部１から第１ベース層４を介してＧＴ
Ｏ部２に流れ込むものであると推定される。
電流が大きくなると、ｔ３−ｔ４間にて流れる逆方向電
流が大きくなり、これによつてＶAKの上昇率ｄＶAK／ｄ
ｔが大きなものとなる。このｄＶAK／ｄｔがある値以上
に達すると変位電流が発生し、これによつてＧＴＯ部２
が誤点弧されるのである。このような逆導通形ＧＴＯの
誤点弧を引き起すｄＶAK／ｄｔは、通常の単体ＧＴＯの
ｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量よりもかなり低い値になつてし
まうのである。また、通常の単体ＧＴＯの場合には、ゲ
ート電極とカソード電極間にコンデンサや抵抗を挿入接
続し、エミツタ層をバイパスさせて変位電流をゲート電
極に流し、これによつてｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を増大
させることが知られている。しかし、逆導通形ＧＴＯの
場合の変位電流は極めて大きい（約１０倍）ことから、
上記の方法によつてはｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を向上さ
せることができない。つまり、変位電流の大部分とキヤ
リアはダイオード部１から第１ベース層４を介してＧＴ
Ｏ部２に流れ込むものであると推定される。
そこで、隔離部３の幅を広げたり、第１ベース層４の少
数キヤリアのライフタイムを短縮することにより、ある
程度はｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を向上させることができ
るが、それらの方法は素子を大形化させ、且つ製造上の
歩留りを悪化させるので好ましくない。
数キヤリアのライフタイムを短縮することにより、ある
程度はｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を向上させることができ
るが、それらの方法は素子を大形化させ、且つ製造上の
歩留りを悪化させるので好ましくない。
本発明の目的は、逆導通形ＧＴＯのダイオード部が接合
を回復する時に発生するＧＴ部の誤点弧を防止すること
ができる制御方法を提供することにある。
を回復する時に発生するＧＴ部の誤点弧を防止すること
ができる制御方法を提供することにある。
本発明は、逆導通形ＧＴＯのＧＴＯ部がオフ状態におい
て、少くとも、前記逆導通形ゲートターンオフ形サイリ
スタのサイリスタ部のオンゲート信号が消滅したのちダ
イオード部順方向電流が０になったときから前記ダイオ
ード部に逆方向電流が流れなくなる期間に、ＧＴＯ部の
ゲート電極と第２電極（以降、ゲートとカソードと略称
する）間に逆バイアス電圧を印加することにより、ダイ
オード部が電圧阻止能力を回復する時に流れる変位電流
を阻止して、ＧＴＯ部に発生する誤点弧を防止しようと
するものである。
て、少くとも、前記逆導通形ゲートターンオフ形サイリ
スタのサイリスタ部のオンゲート信号が消滅したのちダ
イオード部順方向電流が０になったときから前記ダイオ
ード部に逆方向電流が流れなくなる期間に、ＧＴＯ部の
ゲート電極と第２電極（以降、ゲートとカソードと略称
する）間に逆バイアス電圧を印加することにより、ダイ
オード部が電圧阻止能力を回復する時に流れる変位電流
を阻止して、ＧＴＯ部に発生する誤点弧を防止しようと
するものである。
即ち、少くとも第３図（ａ）に示した、ダイオード部順
方向電流が０になったときから還流電流が打ち消されて
逆方向のみの電流が流れる期間ｔ２−ｔ４）に、ＧＴＯ
部のゲートとカソード間に第３図（ｃ）に示すような逆
バイアス電圧ＶＧＫを印加するのである。これによっ
て、ゲートとカソード間に流れる変位電流（順電流）が
阻止され、変位電流に起因する誤点弧を防止することが
できるのである。
方向電流が０になったときから還流電流が打ち消されて
逆方向のみの電流が流れる期間ｔ２−ｔ４）に、ＧＴＯ
部のゲートとカソード間に第３図（ｃ）に示すような逆
バイアス電圧ＶＧＫを印加するのである。これによっ
て、ゲートとカソード間に流れる変位電流（順電流）が
阻止され、変位電流に起因する誤点弧を防止することが
できるのである。
また、前記逆導通形ＧＴＯが、ブリッジ結線されたイン
バータもしくはコンバータを構成するスイッチング素子
であり、第５図に示されるように前記逆バイアス電圧と
して逆導通形ＧＴＯに与えるゲートオフ信号を用いると
き、所定のゲートオフ信号を与えた後、少くとも、ダイ
オード部の逆方向電流、すなわち、逆導通形ＧＴＯ全体
としてみれば順方向に流れる電流が無くなるまで前記ゲ
ートオフ信号を連続して与えることによりＧＴＯ部の後
点弧が防止されるのである。
バータもしくはコンバータを構成するスイッチング素子
であり、第５図に示されるように前記逆バイアス電圧と
して逆導通形ＧＴＯに与えるゲートオフ信号を用いると
き、所定のゲートオフ信号を与えた後、少くとも、ダイ
オード部の逆方向電流、すなわち、逆導通形ＧＴＯ全体
としてみれば順方向に流れる電流が無くなるまで前記ゲ
ートオフ信号を連続して与えることによりＧＴＯ部の後
点弧が防止されるのである。
以下、本発明を第４図に示すインバータ装置に適用した
具体的な一実施例に基づいて説明する。第４図に示すイ
ンバータ装置は、３相ブリツジ結線された逆導通形ＧＴ
Ｏ２１〜２６から形成され、電源２７から供給される直
流電力を、所望の交流電力に変換して負荷（例えばイン
ダクシヨンモータ）２８に供給するものである。
具体的な一実施例に基づいて説明する。第４図に示すイ
ンバータ装置は、３相ブリツジ結線された逆導通形ＧＴ
Ｏ２１〜２６から形成され、電源２７から供給される直
流電力を、所望の交流電力に変換して負荷（例えばイン
ダクシヨンモータ）２８に供給するものである。
このように構成されるインバータ装置の制御方法を、第
５図に示すタイムチヤートを参照しながら説明する。第
５図はＵ相上側アームの逆導通形ＧＴＯ２１と、Ｕ相下
側アームの逆導通形ＧＴＯ２２とに注目したものであ
り、同図(a)は逆導通形ＧＴＯ２１のオン信号、同図
(b)，(c)はそれぞれ逆導通形ＧＴＯ２２のオン信号、オ
フ信号、同図(d)は逆導通形ＧＴＯ２１のＧＴＯ電流、
同図(e)は逆導通形ＧＴＯ２２のダイオード電流であ
る。
５図に示すタイムチヤートを参照しながら説明する。第
５図はＵ相上側アームの逆導通形ＧＴＯ２１と、Ｕ相下
側アームの逆導通形ＧＴＯ２２とに注目したものであ
り、同図(a)は逆導通形ＧＴＯ２１のオン信号、同図
(b)，(c)はそれぞれ逆導通形ＧＴＯ２２のオン信号、オ
フ信号、同図(d)は逆導通形ＧＴＯ２１のＧＴＯ電流、
同図(e)は逆導通形ＧＴＯ２２のダイオード電流であ
る。
第５図において、ｔ10以前は逆導通形ＧＴＯ２１のＧＴ
Ｏ部がオフしたことによつて、負荷２８−逆導通形ＧＴ
Ｏ２４のＧＴＯ部一逆導通形ＧＴＯ２２のダイオード部
からなる回路に、フリーホイール電流（還流電流）が流
れている。ｔ10において逆導通形ＧＴＯ２２にオフ信号
が出されてオフするが、ダイオード部には還流電流が流
れ続ける。その後相短絡を防止するため逆導通形ＧＴＯ
２２のオフ信号に遅れてｔ11において、逆導通形ＧＴＯ
２１にオン信号が出される。これにより逆導通形ＧＴＯ
２１がオンされそのＧＴＯ部に順方向電流が流れると、
その電流により打ち消されるまで逆導通形ＧＴＯ２２に
ダイオード電流が流れ、前述したと同様に逆導通形ＧＴ
Ｏ２２のＧＴＯ部のｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を低下させ
る条件が発生する。そこで本実施例では第５図(c)に示
すように逆導通形ＧＴＯ２２のオフ信号をｔ12まで連続
して出力している。即ち、対アームの逆導通形ＧＴＯ２
１がオンしてから逆導通形ＧＴＯ２２ダイオード部の接
合が回復するまでの間、逆導通形ＧＴＯ２２のゲート・
カソード間に逆バイアスに相当するオフ電流を流し続
け、これにより変位電流を阻止して誤点弧を防止してい
るのである。
Ｏ部がオフしたことによつて、負荷２８−逆導通形ＧＴ
Ｏ２４のＧＴＯ部一逆導通形ＧＴＯ２２のダイオード部
からなる回路に、フリーホイール電流（還流電流）が流
れている。ｔ10において逆導通形ＧＴＯ２２にオフ信号
が出されてオフするが、ダイオード部には還流電流が流
れ続ける。その後相短絡を防止するため逆導通形ＧＴＯ
２２のオフ信号に遅れてｔ11において、逆導通形ＧＴＯ
２１にオン信号が出される。これにより逆導通形ＧＴＯ
２１がオンされそのＧＴＯ部に順方向電流が流れると、
その電流により打ち消されるまで逆導通形ＧＴＯ２２に
ダイオード電流が流れ、前述したと同様に逆導通形ＧＴ
Ｏ２２のＧＴＯ部のｄＶAK／ｄｔ誤点弧耐量を低下させ
る条件が発生する。そこで本実施例では第５図(c)に示
すように逆導通形ＧＴＯ２２のオフ信号をｔ12まで連続
して出力している。即ち、対アームの逆導通形ＧＴＯ２
１がオンしてから逆導通形ＧＴＯ２２ダイオード部の接
合が回復するまでの間、逆導通形ＧＴＯ２２のゲート・
カソード間に逆バイアスに相当するオフ電流を流し続
け、これにより変位電流を阻止して誤点弧を防止してい
るのである。
なお、本発明は上記実施例の如きインバータに限定され
るものではなく、同一の動作条件下におかれる例えばコ
ンバータ等のものに対しても適用可能であり、同様の効
果が得られる。
るものではなく、同一の動作条件下におかれる例えばコ
ンバータ等のものに対しても適用可能であり、同様の効
果が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、逆導通形ＧＴＯ
のダイオード部が接合を回復するときＧＴＯ部に流れる
変位電流を阻止することができ、ＧＴＯ部の誤点弧を防
止して素子の破壊を防ぐことができる。
のダイオード部が接合を回復するときＧＴＯ部に流れる
変位電流を阻止することができ、ＧＴＯ部の誤点弧を防
止して素子の破壊を防ぐことができる。
第１図は本発明の適用可能な逆導通形ＧＴＯの断面構造
図、第２図は第１図図示逆導通形ＧＴＯの動作を説明す
るためのタイムチヤート、第３図は本発明の一実施例を
説明するためのタイムチヤート、第４図は本発明の適用
可能なインバータ装置の一実施例の構成図、第５図は第
４図図示実施例の動作を説明するためのタイムチヤート
である。 １……ダイオード部、２……ＧＴＯ部、３……隔離部、
４……第１ベース層、５……第２ベース層、８……第１
電極、１０……第２電極。
図、第２図は第１図図示逆導通形ＧＴＯの動作を説明す
るためのタイムチヤート、第３図は本発明の一実施例を
説明するためのタイムチヤート、第４図は本発明の適用
可能なインバータ装置の一実施例の構成図、第５図は第
４図図示実施例の動作を説明するためのタイムチヤート
である。 １……ダイオード部、２……ＧＴＯ部、３……隔離部、
４……第１ベース層、５……第２ベース層、８……第１
電極、１０……第２電極。
Claims (2)
- 【請求項１】共有層を有して同一の半導体基体に形成さ
れたゲートターンオフ形サイリスタ部とダイオード部と
を逆極性に並列接続してなる逆導通形ゲートターンオフ
形サイリスタの制御方法にあって、少くとも、前記逆導
通形ゲートターンオフ形サイリスタのサイリスタ部のオ
ンゲート信号が消滅したのちダイオード部順方向電流が
０になったときから前記ダイオード部に逆方向電流が流
れなくなる期間に、前記ゲートターンオフ形サイリスタ
部のゲートとカソード間に逆バイアス電圧を印加するこ
とを特徴とする逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタ
の制御方法。 - 【請求項２】前記逆導通形ゲートターンオフ形サイリス
タが、ブリッジ結線されたインバータもしくはコンバー
タを構成するスイッチング素子であり、前記逆バイアス
電圧として前記逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタ
に与えるゲートオフ信号を用い、前記逆導通形ゲートタ
ーンオフ形サイリスタに所定のゲートオフ信号を与えた
後、少くとも、前記逆導通形ゲートターンオフ形サイリ
スタに流れる順方向電流が無くなるまで連続して与える
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の逆導通
形ゲートターンオフ形サイリスタの制御方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115484A JPH0638707B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタの制御方法 |
| KR1019840003536A KR920009203B1 (ko) | 1983-06-27 | 1984-06-22 | 역도통형 gto 다이리스터의 제어 방법 및 장치 |
| US06/624,372 US4644240A (en) | 1983-06-27 | 1984-06-25 | Method and apparatus for controlling reverse-conducting GTO thyristor |
| EP84107331A EP0129909B1 (en) | 1983-06-27 | 1984-06-26 | Method and apparatus for controlling reverse-conducting gto thyristor |
| DE8484107331T DE3478732D1 (en) | 1983-06-27 | 1984-06-26 | Method and apparatus for controlling reverse-conducting gto thyristor |
| ZA844872A ZA844872B (en) | 1983-06-27 | 1984-06-26 | Method and apparatus for controlling reverse-conducting gto thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115484A JPH0638707B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタの制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609361A JPS609361A (ja) | 1985-01-18 |
| JPH0638707B2 true JPH0638707B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP58115484A Expired - Lifetime JPH0638707B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタの制御方法 |
Country Status (6)
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|---|---|
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| EP0129909A2 (en) | 1985-01-02 |
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