JPH06334114A - マルチチップ半導体装置 - Google Patents
マルチチップ半導体装置Info
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- JPH06334114A JPH06334114A JP6669194A JP6669194A JPH06334114A JP H06334114 A JPH06334114 A JP H06334114A JP 6669194 A JP6669194 A JP 6669194A JP 6669194 A JP6669194 A JP 6669194A JP H06334114 A JPH06334114 A JP H06334114A
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- semiconductor device
- chip
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マルチチップ半導体装置の放熱性と信頼性と
を向上させる。 【構成】 金属基板１、絶縁層２及び配線回路層３が積
層された配線回路板４と、金属基板１の周辺に接着剤層
５で固定され且つ配線回路層３のターミナル３ａに電気
的に接続された外部端子としてのリード６とからなる半
導体搭載用配線基板に、複数の半導体チップ７ａ〜７ｄ
が搭載されたマルチチップ半導体装置において、配線回
路板４の半導体チップ７ａ〜７ｄを搭載すべき部分で金
属基板１を露出させる。そして、その金属基板１の露出
部分である半導体搭載部９ａ〜９ｄに、半導体チップ７
ａ〜７ｄを接着剤で直接的に接着固定する。金属基板１
としてアルミニウム板を使用する場合には、その陽極酸
化被膜を絶縁層２とすることが好ましい。また、金属基
板１として鉄ニッケル合金板を使用する場合には、その
化成処理被膜を絶縁層２とすることが好ましい。
を向上させる。 【構成】 金属基板１、絶縁層２及び配線回路層３が積
層された配線回路板４と、金属基板１の周辺に接着剤層
５で固定され且つ配線回路層３のターミナル３ａに電気
的に接続された外部端子としてのリード６とからなる半
導体搭載用配線基板に、複数の半導体チップ７ａ〜７ｄ
が搭載されたマルチチップ半導体装置において、配線回
路板４の半導体チップ７ａ〜７ｄを搭載すべき部分で金
属基板１を露出させる。そして、その金属基板１の露出
部分である半導体搭載部９ａ〜９ｄに、半導体チップ７
ａ〜７ｄを接着剤で直接的に接着固定する。金属基板１
としてアルミニウム板を使用する場合には、その陽極酸
化被膜を絶縁層２とすることが好ましい。また、金属基
板１として鉄ニッケル合金板を使用する場合には、その
化成処理被膜を絶縁層２とすることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、複数のＬＳＩなどの
半導体チップを搭載したマルチチップ半導体装置に関す
る。
半導体チップを搭載したマルチチップ半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のマルチチップ半導体装置において
は、図４に示すように、アイランドとリードとからなる
リードフレームの当該アイランド４１上に、絶縁性基板
４２とその上に配設された導体パターン４３と複数の半
導体チップ４４ａ、４４ｂとからなるプリント配線基板
４５が接着されている。この場合、更にプリント配線基
板４５の周囲にリードフレームのインナーリード４６を
配し、プリント配線基板４５の導体パターン４３とイン
ナーリード４６とがワイヤーボンディング法によりワイ
ヤー４７ａで接続される。また、半導体チップ４４ａ、
４４ｂも導体パターン４３とワイヤー４７ｂで接続さ
れ、全体が樹脂４８により封止された構造となってい
る。
は、図４に示すように、アイランドとリードとからなる
リードフレームの当該アイランド４１上に、絶縁性基板
４２とその上に配設された導体パターン４３と複数の半
導体チップ４４ａ、４４ｂとからなるプリント配線基板
４５が接着されている。この場合、更にプリント配線基
板４５の周囲にリードフレームのインナーリード４６を
配し、プリント配線基板４５の導体パターン４３とイン
ナーリード４６とがワイヤーボンディング法によりワイ
ヤー４７ａで接続される。また、半導体チップ４４ａ、
４４ｂも導体パターン４３とワイヤー４７ｂで接続さ
れ、全体が樹脂４８により封止された構造となってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マルチチップ半導体装置においては、プリント配線基板
の絶縁性基板として熱伝導性が十分でないガラスエポキ
シ基板やポリイミド基板を使用し、更に、このようなプ
リント配線基板に半導体チップを直接実装しているの
で、半導体装置が発した熱を外部へ放熱しにくいという
問題があった。また、リードとプリント基板とは細いワ
イヤーで接続されているだけなので、リードから放熱す
る効率が非常に低く、この点でも放熱性に問題があっ
た。特に、熱の発生源である半導体チップを複数搭載す
るマルチチップ半導体装置においては、放熱性を向上さ
せるということが重大な問題となっていた。
マルチチップ半導体装置においては、プリント配線基板
の絶縁性基板として熱伝導性が十分でないガラスエポキ
シ基板やポリイミド基板を使用し、更に、このようなプ
リント配線基板に半導体チップを直接実装しているの
で、半導体装置が発した熱を外部へ放熱しにくいという
問題があった。また、リードとプリント基板とは細いワ
イヤーで接続されているだけなので、リードから放熱す
る効率が非常に低く、この点でも放熱性に問題があっ
た。特に、熱の発生源である半導体チップを複数搭載す
るマルチチップ半導体装置においては、放熱性を向上さ
せるということが重大な問題となっていた。
【０００４】また、ガラスエポキシ基板やポリイミド基
板からなるプリント配線基板の熱膨脹係数は、半導体チ
ップの熱膨脹係数と大きく異なるために、プリント基板
と半導体チップとが膨脹、収縮を繰り返すことにより半
導体チップがプリント配線基板から剥離したり、半導体
チップにクラックが生じたりするため、半導体装置その
ものの信頼性が低下するという問題もあった。
板からなるプリント配線基板の熱膨脹係数は、半導体チ
ップの熱膨脹係数と大きく異なるために、プリント基板
と半導体チップとが膨脹、収縮を繰り返すことにより半
導体チップがプリント配線基板から剥離したり、半導体
チップにクラックが生じたりするため、半導体装置その
ものの信頼性が低下するという問題もあった。
【０００５】この発明は、以上のような従来技術の問題
点を解決しようとするものであり、優れた放熱性と高い
信頼性を有するマルチチップ半導体装置を提供すること
を目的とする。
点を解決しようとするものであり、優れた放熱性と高い
信頼性を有するマルチチップ半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明者らは、ガラス
エポキシ基板やポリイミド基板からなる絶縁性基板に代
えて、金属基板上に絶縁層を形成したものを使用し、半
導体チップをこの金属基板上に接着剤を用いて直接的に
接着固定することにより上述の目的が達成できることを
見出し、この発明を完成させるに至った。
エポキシ基板やポリイミド基板からなる絶縁性基板に代
えて、金属基板上に絶縁層を形成したものを使用し、半
導体チップをこの金属基板上に接着剤を用いて直接的に
接着固定することにより上述の目的が達成できることを
見出し、この発明を完成させるに至った。
【０００７】即ち、この発明は、金属基板、絶縁層及び
配線回路層が積層された配線回路板と、配線回路層のタ
ーミナルに電気的に接続された外部端子としてのリード
とからなる半導体搭載用配線基板に複数の半導体チップ
が搭載されたマルチチップ半導体装置において、配線回
路板の半導体チップを搭載すべき部分で金属基板が露出
しており、その露出した金属基板上に、半導体チップが
接着剤により接着固定されていることを特徴とするマル
チチップ半導体装置を提供する。
配線回路層が積層された配線回路板と、配線回路層のタ
ーミナルに電気的に接続された外部端子としてのリード
とからなる半導体搭載用配線基板に複数の半導体チップ
が搭載されたマルチチップ半導体装置において、配線回
路板の半導体チップを搭載すべき部分で金属基板が露出
しており、その露出した金属基板上に、半導体チップが
接着剤により接着固定されていることを特徴とするマル
チチップ半導体装置を提供する。
【０００８】
【作用】この発明のマルチチップ半導体装置において
は、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板等の絶縁性基
板に代えて金属基板が使用されており、そして配線回路
板の半導体チップを搭載すべき部分で、その金属基板が
露出している。従って、半導体チップを直接的に金属基
板に搭載できる。ここで、金属基板は高い熱伝導率を有
する。従って、この発明の半導体装置は放熱性が著しく
高まったものとなる。更に、リードも絶縁層を介して金
属基板上に配することが可能となるので、リードからの
放熱効率も高いものとなる。
は、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板等の絶縁性基
板に代えて金属基板が使用されており、そして配線回路
板の半導体チップを搭載すべき部分で、その金属基板が
露出している。従って、半導体チップを直接的に金属基
板に搭載できる。ここで、金属基板は高い熱伝導率を有
する。従って、この発明の半導体装置は放熱性が著しく
高まったものとなる。更に、リードも絶縁層を介して金
属基板上に配することが可能となるので、リードからの
放熱効率も高いものとなる。
【０００９】また、金属基板は、ガラスエポキシやポリ
イミドなどに比べ半導体チップとの熱膨張係数の差が比
較的小さいために、膨脹、収縮を繰り返しても半導体チ
ップの剥離などの問題が生じにくく、従ってマルチチッ
プ半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。
イミドなどに比べ半導体チップとの熱膨張係数の差が比
較的小さいために、膨脹、収縮を繰り返しても半導体チ
ップの剥離などの問題が生じにくく、従ってマルチチッ
プ半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明を図面に基づいて詳細に説明
する。なお、図において同じ番号は同じ又は同等の構成
要素を示している。
する。なお、図において同じ番号は同じ又は同等の構成
要素を示している。
【００１１】図１（ａ）は、この発明のマルチチップ半
導体装置の好ましい実施例の平面図であり、同図（ｂ）
はその概略断面図である。同図にあるように、この発明
のマルチチップ半導体装置は、金属基板１とその上に絶
縁層２を介して形成された配線回路層３とからなる配線
回路板４と、金属基板１の周辺に絶縁性接着剤層５によ
り固定された外部端子となるリード６とからなる半導体
搭載用配線基板に、複数の半導体チップ７ａ〜７ｄを搭
載した構造を有する。この場合、半導体チップ７ａ〜７
ｄは、金属基板１に接着剤を介して直接的に搭載されて
いる。また、リード６のインナーリード６ａは、配線回
路層３のターミナル３ａとワイヤーボンディング法によ
りワイヤー８ａにより接続され、半導体チップ７ａ〜７
ｄも配線回路層３とワイヤーボンディング法によりワイ
ヤー８ｂにより接続されている。
導体装置の好ましい実施例の平面図であり、同図（ｂ）
はその概略断面図である。同図にあるように、この発明
のマルチチップ半導体装置は、金属基板１とその上に絶
縁層２を介して形成された配線回路層３とからなる配線
回路板４と、金属基板１の周辺に絶縁性接着剤層５によ
り固定された外部端子となるリード６とからなる半導体
搭載用配線基板に、複数の半導体チップ７ａ〜７ｄを搭
載した構造を有する。この場合、半導体チップ７ａ〜７
ｄは、金属基板１に接着剤を介して直接的に搭載されて
いる。また、リード６のインナーリード６ａは、配線回
路層３のターミナル３ａとワイヤーボンディング法によ
りワイヤー８ａにより接続され、半導体チップ７ａ〜７
ｄも配線回路層３とワイヤーボンディング法によりワイ
ヤー８ｂにより接続されている。
【００１２】この発明における金属基板１は、配線回路
層３や半導体チップ７ａ〜７ｄなどの支持部材であり、
しかも半導体装置の放熱性を向上させるためのものであ
る。このような金属基板１としては、放熱性に優れ、半
導体チップと熱膨脹係数が近い金属、例えば、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、鉄系合金、銅系合金などを使
用することができる。なお、半導体チップ７ａ〜７ｄを
金属基板１上に搭載する際に、銀ペーストなどの導電性
接着剤を用いると、金属基板１をグランド層とすること
ができ、従って、半導体装置の配線の自由度が高まり、
より高密度で配線ができるようになる。また、金属基板
１をグランド層とすることで配線回路のインダクタンス
を低減させ、半導体装置内のノイズの発生を抑制するこ
とができる。
層３や半導体チップ７ａ〜７ｄなどの支持部材であり、
しかも半導体装置の放熱性を向上させるためのものであ
る。このような金属基板１としては、放熱性に優れ、半
導体チップと熱膨脹係数が近い金属、例えば、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、鉄系合金、銅系合金などを使
用することができる。なお、半導体チップ７ａ〜７ｄを
金属基板１上に搭載する際に、銀ペーストなどの導電性
接着剤を用いると、金属基板１をグランド層とすること
ができ、従って、半導体装置の配線の自由度が高まり、
より高密度で配線ができるようになる。また、金属基板
１をグランド層とすることで配線回路のインダクタンス
を低減させ、半導体装置内のノイズの発生を抑制するこ
とができる。
【００１３】絶縁層２は、金属基板１と配線回路層３と
を電気的に絶縁するための層であり、配線回路層３を形
成するためのベースとなる層である。このような絶縁層
２は、従来から用いられているような絶縁材料から形成
することができ、例えば、ガラスエポキシ材料やポリイ
ミドフィルムなどを金属基板１に接着することにより形
成したり、絶縁性樹脂を金属基板１上にコートすること
により形成したりすることができる。
を電気的に絶縁するための層であり、配線回路層３を形
成するためのベースとなる層である。このような絶縁層
２は、従来から用いられているような絶縁材料から形成
することができ、例えば、ガラスエポキシ材料やポリイ
ミドフィルムなどを金属基板１に接着することにより形
成したり、絶縁性樹脂を金属基板１上にコートすること
により形成したりすることができる。
【００１４】また、絶縁層２としては、金属基板１を表
面処理することにより形成される絶縁被膜１ａを使用す
ることもできる。この場合には、図２に示すように、イ
ンナーリード６ａの一部、例えば先端を金属基板１に直
接接触させることができるので、リード６からの放熱効
率を高めることができる。なお、絶縁被膜１ａは、同図
のように、金属基板１の全面に形成してもよいが、少な
くともインナーリード６ａが接触する部分に形成すれ
ば、リード６による放熱性向上には十分である。
面処理することにより形成される絶縁被膜１ａを使用す
ることもできる。この場合には、図２に示すように、イ
ンナーリード６ａの一部、例えば先端を金属基板１に直
接接触させることができるので、リード６からの放熱効
率を高めることができる。なお、絶縁被膜１ａは、同図
のように、金属基板１の全面に形成してもよいが、少な
くともインナーリード６ａが接触する部分に形成すれ
ば、リード６による放熱性向上には十分である。
【００１５】このような金属基板１の絶縁被膜１ａは、
例えば、金属基板を陽極酸化処理することにより形成し
たり、金属基板を種々の薬剤により化成処理することに
より形成したりすることができる。
例えば、金属基板を陽極酸化処理することにより形成し
たり、金属基板を種々の薬剤により化成処理することに
より形成したりすることができる。
【００１６】絶縁被膜１ａとして陽極酸化被膜を形成す
る例としては、アルミニウム板を金属基板１として使用
する場合が挙げられる。具体的には、アルミニウム板を
１５％硫酸電解浴中、２０℃で１６Ｖの定電位で３０分
間陽極酸化した場合、約１０μ厚の陽極酸化被膜をその
表面に形成できる。この場合、形成された陽極酸化被膜
は有孔質であるので封孔処理を施すことが必要となる。
このような封孔処理の好ましい例としては、陽極酸化被
膜が形成されたアルミニウム板を１００℃の沸騰水中に
浸漬することを挙げることができる。約１０μ厚の陽極
酸化被膜の場合には１００℃の沸騰水中に約３０分間程
度浸漬すれば十分である。
る例としては、アルミニウム板を金属基板１として使用
する場合が挙げられる。具体的には、アルミニウム板を
１５％硫酸電解浴中、２０℃で１６Ｖの定電位で３０分
間陽極酸化した場合、約１０μ厚の陽極酸化被膜をその
表面に形成できる。この場合、形成された陽極酸化被膜
は有孔質であるので封孔処理を施すことが必要となる。
このような封孔処理の好ましい例としては、陽極酸化被
膜が形成されたアルミニウム板を１００℃の沸騰水中に
浸漬することを挙げることができる。約１０μ厚の陽極
酸化被膜の場合には１００℃の沸騰水中に約３０分間程
度浸漬すれば十分である。
【００１７】絶縁被膜１ａとして化成処理被膜を形成す
る例としては、鉄ニッケル合金（例えば４２アロイ）板
を金属基板１として使用する場合が挙げられる。具体的
には、まず、２２ｌリットルのＨ３ＰＯ４（純度７５
％）中へＭｎＣＯ３１０７Ｋｇを投入し、更に水２２７
リットルを投入して均一な溶液とし、この溶液５リット
ルを水４５リットルで希釈することにより化成処理液を
調整する。そして、この化成処理液を９３℃に加熱し、
その中へ鉄ニッケル合金板を浸漬することにより化成処
理被膜を形成することができる。この場合、被膜形成促
進剤を添加してもよく、例えばＺｎ（ＮＯ３）２を２０
ｇ／ｌの割合で添加すると５分間の浸漬で１μｍ厚の絶
縁性の化成処理被膜を形成することができる。
る例としては、鉄ニッケル合金（例えば４２アロイ）板
を金属基板１として使用する場合が挙げられる。具体的
には、まず、２２ｌリットルのＨ３ＰＯ４（純度７５
％）中へＭｎＣＯ３１０７Ｋｇを投入し、更に水２２７
リットルを投入して均一な溶液とし、この溶液５リット
ルを水４５リットルで希釈することにより化成処理液を
調整する。そして、この化成処理液を９３℃に加熱し、
その中へ鉄ニッケル合金板を浸漬することにより化成処
理被膜を形成することができる。この場合、被膜形成促
進剤を添加してもよく、例えばＺｎ（ＮＯ３）２を２０
ｇ／ｌの割合で添加すると５分間の浸漬で１μｍ厚の絶
縁性の化成処理被膜を形成することができる。
【００１８】なお、金属基板１上に絶縁被膜１ａが形成
されている場合、必要に応じてその絶縁被膜上に絶縁層
２を更に積層してもよい。
されている場合、必要に応じてその絶縁被膜上に絶縁層
２を更に積層してもよい。
【００１９】配線回路層３は、複数の半導体チップ同士
を互いに接続させ、また、半導体チップとリードとを接
続するためのものである。このような配線回路層３とし
ては、従来から一般的に半導体装置において使用されて
いるものを適用することができる。例えば、導電ペース
トのスクリーン印刷法により形成したり、絶縁膜上にメ
ッキ法により形成された銅箔をフォトリソグラフ技術、
エッチング技術を利用してパターニングすることにより
形成したり、金属薄膜を真空蒸着法やスパッタ法により
絶縁膜２上に形成してフォトリソグラフ技術、エッチン
グ技術を利用してパターニングすることにより形成した
りすることができる。なお、フォトリソグラフ技術を使
用すると、配線回路層３の微細パターン化が可能とな
り、従って、半導体装置の高密度実装を実現することが
できる。
を互いに接続させ、また、半導体チップとリードとを接
続するためのものである。このような配線回路層３とし
ては、従来から一般的に半導体装置において使用されて
いるものを適用することができる。例えば、導電ペース
トのスクリーン印刷法により形成したり、絶縁膜上にメ
ッキ法により形成された銅箔をフォトリソグラフ技術、
エッチング技術を利用してパターニングすることにより
形成したり、金属薄膜を真空蒸着法やスパッタ法により
絶縁膜２上に形成してフォトリソグラフ技術、エッチン
グ技術を利用してパターニングすることにより形成した
りすることができる。なお、フォトリソグラフ技術を使
用すると、配線回路層３の微細パターン化が可能とな
り、従って、半導体装置の高密度実装を実現することが
できる。
【００２０】このような絶縁層２と配線回路層３とを交
互に積層して、いわゆる積層配線基板を形成してもよ
い。これにより、更に高密度配線とすることができる。
互に積層して、いわゆる積層配線基板を形成してもよ
い。これにより、更に高密度配線とすることができる。
【００２１】絶縁性接着層５は、前述したようにリード
６を金属基板１に固定するためのもので、例えば、絶縁
性の両面接着テープを使用することができる。
６を金属基板１に固定するためのもので、例えば、絶縁
性の両面接着テープを使用することができる。
【００２２】リード６は、半導体装置の外部端子として
機能し、また、金属基板１からの熱を外部へ放熱させる
機能も有する。従って、放熱性を向上させるためには、
図１に示すように金属基板１上に固定することが好まし
い。このようなリード６としては、一般的なリードフレ
ームを好ましく使用することができる。その材質も一般
的な鉄系合金や銅系合金を使用することができる。な
お、リード６のインナーリード６ａには、配線回路層３
のターミナル３ａとの接続を容易にするために、金やハ
ンダなどの薄層を常法により形成しておいてもよい。
機能し、また、金属基板１からの熱を外部へ放熱させる
機能も有する。従って、放熱性を向上させるためには、
図１に示すように金属基板１上に固定することが好まし
い。このようなリード６としては、一般的なリードフレ
ームを好ましく使用することができる。その材質も一般
的な鉄系合金や銅系合金を使用することができる。な
お、リード６のインナーリード６ａには、配線回路層３
のターミナル３ａとの接続を容易にするために、金やハ
ンダなどの薄層を常法により形成しておいてもよい。
【００２３】ワイヤー８ａ及び８ｂは、一般的なワイヤ
ーボンディング法により形成ことができる。
ーボンディング法により形成ことができる。
【００２４】なお、図１の例では、リード６と配線回路
層３、及び半導体チップ７ａ〜７ｄと配線回路層３との
それぞれの電気的接続をワイヤーボンディング法により
行ったものを示したが、これに限らず金バンプなどをイ
ンナーリードや半導体チップの電極パッドに形成してバ
ンプ接続することや、異方性導電性接着剤を使用して接
続することもできる。また、図２に示すように、ＴＡＢ
接続部材（ＴＡＢ）を用いて接続することもできる。図
２の場合も、ワイヤーボンディング法により接続するこ
とができる。
層３、及び半導体チップ７ａ〜７ｄと配線回路層３との
それぞれの電気的接続をワイヤーボンディング法により
行ったものを示したが、これに限らず金バンプなどをイ
ンナーリードや半導体チップの電極パッドに形成してバ
ンプ接続することや、異方性導電性接着剤を使用して接
続することもできる。また、図２に示すように、ＴＡＢ
接続部材（ＴＡＢ）を用いて接続することもできる。図
２の場合も、ワイヤーボンディング法により接続するこ
とができる。
【００２５】この発明のマルチチップ半導体装置は、常
法により製造することができる。例えば、図１に示した
マルチチップ半導体装置は図３に示すように製造するこ
とができる。
法により製造することができる。例えば、図１に示した
マルチチップ半導体装置は図３に示すように製造するこ
とができる。
【００２６】まず、絶縁層２としてポリイミドフィルム
等の絶縁フィルムを用意し、その上に銅箔を貼り合わせ
て、フォトリソグラフ技術及びエッチング技術を利用し
て配線回路層３を形成し、更にその半導体チップ搭載部
分を打ち抜いて、得られた積層体を、絶縁層２側から、
０．５ｍｍ厚程度のアルミニウムからなる金属基板１に
接着剤で貼りつけて配線基板４を形成する。従って、半
導体搭載部９ａ〜９ｄは金属基板１が露出することにな
る。更に、この配線基板４の周辺部に絶縁性テープなど
の接着剤層５を設ける（図３（ａ））。
等の絶縁フィルムを用意し、その上に銅箔を貼り合わせ
て、フォトリソグラフ技術及びエッチング技術を利用し
て配線回路層３を形成し、更にその半導体チップ搭載部
分を打ち抜いて、得られた積層体を、絶縁層２側から、
０．５ｍｍ厚程度のアルミニウムからなる金属基板１に
接着剤で貼りつけて配線基板４を形成する。従って、半
導体搭載部９ａ〜９ｄは金属基板１が露出することにな
る。更に、この配線基板４の周辺部に絶縁性テープなど
の接着剤層５を設ける（図３（ａ））。
【００２７】次に、図３（ｂ）に示すような通常のリー
ドフレーム１０のインナーリード６ａを、図３（ａ）に
示した配線基板４の接着層５に固定する（図３
（ｃ））。
ドフレーム１０のインナーリード６ａを、図３（ａ）に
示した配線基板４の接着層５に固定する（図３
（ｃ））。
【００２８】次に半導体チップ７ａ〜７ｄを、常法によ
り、例えばダイボンダーを用いて半導体搭載部９ａ〜９
ｄに搭載し、更にワイヤーボンディング法により、配線
回路層３のターミナル３ａとインナーリード６ａ、配線
回路層３と半導体チップの電極パッドとを、それぞれ金
などのワイヤー８ａと８ｂとで接続する（図３
（ｄ））。
り、例えばダイボンダーを用いて半導体搭載部９ａ〜９
ｄに搭載し、更にワイヤーボンディング法により、配線
回路層３のターミナル３ａとインナーリード６ａ、配線
回路層３と半導体チップの電極パッドとを、それぞれ金
などのワイヤー８ａと８ｂとで接続する（図３
（ｄ））。
【００２９】この後は、常法により洗浄し、更に必要に
応じて樹脂封止を行い、リードフレームのフレーム部分
の除去をすることによりマルチチップ半導体装置を製造
することができる。
応じて樹脂封止を行い、リードフレームのフレーム部分
の除去をすることによりマルチチップ半導体装置を製造
することができる。
【００３０】なお、インナーリード６ａを配線基板４の
接着剤層５に固定するに先立って、半導体チップ７ａ〜
７ｄを配線基板４の半導体搭載部９ａ〜９ｄに搭載する
こともできる。この場合には、半導体チップの実装効率
並びに信頼性の向上を図ることができる。
接着剤層５に固定するに先立って、半導体チップ７ａ〜
７ｄを配線基板４の半導体搭載部９ａ〜９ｄに搭載する
こともできる。この場合には、半導体チップの実装効率
並びに信頼性の向上を図ることができる。
【００３１】
【発明の効果】この発明のマルチチップ半導体装置よれ
ば、絶縁層を介さずに高い熱伝導率を有する金属基板に
直接的に半導体チップを搭載しているので、優れた放熱
性を実現できる。更に、リードも絶縁層を介して金属基
板上に配することによりリードからの放熱効率も向上さ
せることができる。また、使用する金属基板は半導体チ
ップとの熱膨張係数の差が比較的小さいために、半導体
チップの剥離などの問題が生じにくく、従って高い信頼
性を実現できる。
ば、絶縁層を介さずに高い熱伝導率を有する金属基板に
直接的に半導体チップを搭載しているので、優れた放熱
性を実現できる。更に、リードも絶縁層を介して金属基
板上に配することによりリードからの放熱効率も向上さ
せることができる。また、使用する金属基板は半導体チ
ップとの熱膨張係数の差が比較的小さいために、半導体
チップの剥離などの問題が生じにくく、従って高い信頼
性を実現できる。
【図１】この発明のマルチチップ半導体装置の好ましい
実施例の平面図（図１（ａ））と概略断面図（図１
（ｂ））である。
実施例の平面図（図１（ａ））と概略断面図（図１
（ｂ））である。
【図２】この発明のマルチチップ半導体装置の別の実施
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図３】この発明のマルチチップ半導体装置の製造工程
図である。
図である。
【図４】従来のマルチチップ半導体装置の断面図であ
る。
る。
１ 金属基板 ２ 絶縁層 ３ 配線回路層 ３ａ ターミナル ４ 配線回路板 ５ 接着剤層 ６ リード ６ａ インナーリード ７ａ〜７ｄ 半導体チップ ８ａ、８ｂ ワイヤー ９ａ〜９ｄ 半導体搭載部 １０ リードフレーム
Claims (5)
- 【請求項１】 金属基板、絶縁層及び配線回路層が積層
された配線回路板と、配線回路層のターミナルに電気的
に接続された外部端子としてのリードとからなる半導体
搭載用配線基板に複数の半導体チップが搭載されたマル
チチップ半導体装置において、配線回路板の半導体チッ
プを搭載すべき部分で金属基板が露出しており、その露
出した金属基板上に、半導体チップが接着剤により接着
固定されていることを特徴とするマルチチップ半導体装
置。 - 【請求項２】 該配線回路板の絶縁層が、金属基板を表
面処理して形成された絶縁被膜である請求項１記載のマ
ルチチップ半導体装置。 - 【請求項３】 リードの少なくとも一部が金属基板の絶
縁被膜に接触している請求項２記載のマルチチップ半導
体装置。 - 【請求項４】 該金属基板がアルミニウム板であり、そ
の絶縁被膜が陽極酸化被膜である請求項２又は３記載の
マルチチップ半導体装置。 - 【請求項５】 該金属基板が鉄ニッケル合金板であり、
その絶縁被膜が化成処理被膜である請求項２又は３記載
のマルチチップ半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6669194A JPH06334114A (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-09 | マルチチップ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-90790 | 1993-03-25 | ||
| JP9079093 | 1993-03-25 | ||
| JP6669194A JPH06334114A (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-09 | マルチチップ半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334114A true JPH06334114A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=26407879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6669194A Pending JPH06334114A (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-09 | マルチチップ半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334114A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232500A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Nec Corp | マルチチップ半導体装置 |
| JP2012033813A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Denso Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2015053219A1 (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-09 JP JP6669194A patent/JPH06334114A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232500A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Nec Corp | マルチチップ半導体装置 |
| JP2012033813A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Denso Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2015053219A1 (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
| US9773720B2 (en) | 2013-10-07 | 2017-09-26 | Rohm Co., Ltd. | Power module and fabrication method for the same |
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