JPH0631904B2 - 放射線像変換パネル - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法に
用いられる放射線像変換パネルに関するものである。

［発明の技術的背景および従来技術］ 従来の放射線写真法に代る方法として、たとえば特開昭
５５−１２１４５号公報などに記載されているような輝
尽性蛍光体を用いる放射線像変換方法が知られている。
この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線像変換パネ
ル（蓄積性蛍光体シートとも称する）を利用するもの
で、被写体を透過したあるいは被検体から発せられた放
射線を該パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののちに
輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起
光）で時系列的に励起することにより、該輝尽性蛍光体
中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光
光）として放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電
気信号を得、得られた電気信号に基づいて被写体あるい
は被検体の放射線画像を可視像として再生するものであ
る。

この放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真フィ
ルムと増感紙との組合せを用いる放射線写真法による場
合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情報量の豊富
な放射線画像を得ることができるという利点がある。さ
らに、従来の放射線写真法では一回の撮影ごとに放射線
写真フィルムを消費するのに対して、この放射線像変換
方法では放射線像変換パネルをくり返し使用するので資
源保護、経済効率の面からも有利である。

放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネルは、
基本構造として、支持体とその表面に設けられた輝尽性
蛍光体層とからなるものであるが、蛍光体層が自己支持
性である場合には必ずしも支持体を必要としない。

輝尽性蛍光体層としては、輝尽性蛍光体とこれを分散状
態で含有支持する結合剤とからなるものが一般に知られ
ているが、そればかりでなく、蒸着法や焼結法によって
形成される、結合剤を含まないで輝尽性蛍光体の凝集体
のみから構成されるものも知られている。また、輝尽性
蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸せしめられて
いる輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルも本願
出願人はすでに特許出願している（特願昭６２−９６８
０３号）。これらのいずれの蛍光体層でも、輝尽性蛍光
体はＸ線などの放射線を吸収したのち励起光の照射を受
けると輝尽発光を示す性質を有するものであるから、被
写体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線
は、その放射線量に比例して放射線像変換パネルの輝尽
性蛍光体層に吸収され、パネルには被写体あるいは被検
体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成さ
れる。この蓄積像は、上記励起光を照射することにより
輝尽発光光として放出させることができ、この輝尽発光
光を光電的に読み取って電気信号に変換し、得られた電
気信号に基づき放射線エネルギーの蓄積像を可視像とし
て再生することが可能となる。

輝尽性蛍光体層が支持体上に設けられる場合、輝尽性蛍
光体層の支持体とは反対側の表面（支持体に面していな
い側の表面）には一般に、保護膜が設けられ、この保護
膜は蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から
保護する。

輝尽性蛍光体からなる放射線像変換パネルが医療診断を
目的とするＸ線写真撮影などの放射線写真撮影に使用さ
れる場合には、人体の被曝線量を軽減させ、あるいはの
ちの電気的処理を容易にする必要から、パネルの感度は
できる限り高いことが望まれる。

放射線像変換パネルの感度は、基本的にはパネルに含有
されている輝尽性蛍光体の総輝尽発光量に依存してい
る。この総輝尽発光量は輝尽性蛍光体の量が一定でしか
も輝尽性蛍光体の発光効率が一定であれば、放射線に対
する吸収率が高い程、大きいものとなる。

従来、実用の放射線像変換パネルにおける放射線の吸収
率は６０％程度であり、医療診断等に有効な情報を有し
ている放射線の約４０％はパネルに記録されることな
く、パネルの裏面より透過している。従って、放射線像
変換パネルの感度を向上させるためには、上記の透過し
ている約４０％の放射線を少しでも吸収させて放射線利
用率を高めることが望まれる。

［発明の要旨］ 本発明は、画像情報を有する放射線の利用率を高めるこ
とにより感度の向上を図った放射線像変換パネルを提供
することを目的とするものである。

上記の目的は、本発明の、波長範囲が２５０ｎｍ未満の
放射線と波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫
外線とを吸収し、そのエネルギーを蓄積し、可視光乃至
赤外光の照射を受けることによって前記エネルギーを発
光として放出する輝尽性蛍光体と、波長範囲が２５０ｎ
ｍ未満の放射線によって励起され波長範囲が２５０ｎｍ
以上４００ｎｍ以下の紫外線を発光する蛍光体とを含む
蛍光体層からなることを特徴とする放射線像変換パネ
ル、および 波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線と波長範囲が２５０
ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線とを吸収し、そのエネ
ルギーを蓄積し、可視光乃至赤外光の照射を受けること
によって前記エネルギーを発光として放出する輝尽性蛍
光体を含む蛍光体層と、該蛍光体層の下に接して配置さ
れた波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線によって励起さ
れ波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線を
発光する蛍光体とを含む層とからなることを特徴と放射
線像変換パネルによって達成することができる。

本発明の放射線像変換パネルは、波長範囲が２５０ｎｍ
未満の放射線だけでなく２５０〜４００ｎｍの波長範囲
の紫外線のエネルギーをも蓄積する輝尽性発光体と、上
記の放射線によって励起され２５０〜４００ｎｍの波長
範囲の紫外線を発光する蛍光体（以下、本明細書におい
ては紫外線発光蛍光体とよぶ）とを用いているので、前
記輝尽性蛍光体が吸収しきれなかった放射線は前記紫外
線発光蛍光体によって吸収され、この放射線によって励
起された該紫外線発光蛍光体は上記波長範囲（２５０〜
４００ｎｍ）の紫外線を発光する。上記輝尽性蛍光体は
この波長範囲の紫外線でもエネルギーを蓄積することが
できるから、輝尽性蛍光体は直接吸収することが出来な
かった放射線のエネルギーを上記の紫外線発光蛍光体を
介して蓄積することができ、従って、結果として放射線
の利用率を向上させることができ、感度を向上させるこ
とができる。

本発明の放射線像変換パネルにおいては、上記の紫外線
発光蛍光体は輝尽性蛍光体とともに蛍光体層に含まれて
いてもよいし、また輝尽性蛍光体が含まれる蛍光体層の
下に接して配置される層に含まれていてもよい。

紫外線発光蛍光体が輝尽性蛍光体とともに蛍光体層に含
まれている本発明の放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光
体の量が同じであれば、この紫外線発光蛍光体を含む分
だけ、紫外線発光蛍光体を含まない蛍光体層を持つ従来
のパネルよりも高い吸収率を示す。すなわち、この本発
明の放射線像変換パネルは、従来の蛍光体層に紫外線発
光蛍光体を付加することによって、放射線の吸収率を増
大させたものである。

もちろん、吸収係数の高い紫外線発光蛍光体を用いれ
ば、より高い吸収率を得ることができるので、本発明に
おいては吸収係数の高い紫外線発光蛍光体を用いること
が好ましい。たとえば、第６図に示したように、輝尽性
蛍光体ＧｄＯＣｌ：Ｃｅと紫外線発光蛍光体（Ｙ，Ｓ
ｒ）ＴａＯ₄：ＧｄとのＸ線吸収係数はＸ線のエネルギ
ーが５０〜６７ＫｅＶの範囲でのみ、ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ
の方が高く、それ以外のエネルギー領域では（Ｙ，Ｓ
ｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄの方が高い吸収係数を示す。

また、輝尽性蛍光体が含まれる蛍光体層の下に接して紫
外線発光蛍光体が含まれる層を配置した本発明の放射線
像変換パネルは、単に紫外線発光蛍光体が含まれる上記
の層の分だけ蛍光体層を厚くしたパネルより高い感度を
示す。なぜならば、蛍光体層が厚くなると放射線の吸収
量は増すものの、放射線像の読み出しの際、蛍光体層の
深い部分にある輝尽性蛍光体には輝尽励起光が充分届か
ないために、蓄積したエネルギーを輝尽発光として放出
することができず、結果として蛍光体層の深い部分にあ
る輝尽性蛍光体は放射線像の変換にはなんらの寄与もし
ないことになるからである。

輝尽性蛍光体を含む蛍光体層の下に接して紫外線発光蛍
光体が含まれる層が配置されている本発明の放射線像変
換パネルは、前記蛍光体層を透過した放射線が紫外線発
光蛍光体を励起し、この励起によって該紫外線発光蛍光
体が紫外線を発光し、この発光が輝尽性蛍光体に蓄積さ
れる。従って、一度蛍光体層を透過した放射線を利用し
た放射線像の記録が、放射線像の読み出しの際に輝尽励
起光が充分届く深さの輝尽性蛍光体になされ、パネルの
高感度化を図ることができる。

本発明における好ましい態様を、以下に列記する。

（１）上記輝尽性蛍光体が、次式（Ｉ） ＬｎＯＸ：ｘＣｅ …（Ｉ） （ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群
より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり；Ｘは
Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも
一種のハロゲンであり；そしてｘは０＜ｘ≦０．２の範
囲の数値である）で表わされるセリウム賦活希土類オキ
シハロゲン化物蛍光体であることを特徴とする放射線像
変換パネル。

（２）上記波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線によって
励起され前記波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下
の紫外線を発光する蛍光体（紫外線発光蛍光体）が、
（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄであることを特徴とする放
射線像変換パネル。

（３）上記波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線によって
励起され前記波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下
の紫外線を発光する蛍光体（紫外線発光蛍光体）が、Ｂ
ａＳｉＯ₅：Ｐｂ²⁺であることを特徴とする放射線像変
換パネル。

（４）上記波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線によって
励起され前記波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下
の紫外線を発光する蛍光体（紫外線発光蛍光体）とを含
む蛍光体層における、該紫外線発光蛍光体の混合比が、
該紫外線発光蛍光体のモル数と上記輝尽性蛍光体のモル
数の総和に対して、モル比で５０モル％以下であること
を特徴とする放射線像変換パネル。

［発明の構成］ 本発明の放射線像変換パネルについて、以下に詳細に述
べる。

まず、本発明の放射線像変換パネルの蛍光体層を構成す
る波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線と波長範囲が２５
０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線とを吸収し、そのエ
ネルギーを蓄積し、可視光乃至赤外光の照射を受けるこ
とによって前記エネルギーを発光として放出する輝尽性
蛍光体について述べる。

このような輝尽性蛍光体としては、たとえば、特公昭５
９−４４３３９号公報に記載のある次式（Ｉ）： ＬｎＯＸ：ｘＣｅ （Ｉ） （ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群
より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり；Ｘは
Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも
一種のハロゲンであり；そしてｘは０＜ｘ≦０．２の範
囲の数値である） で表わされるセリウムで賦活した希土類オキシハロゲン
化物蛍光体を挙げることができる。

なお、上記の式（Ｉ）におけるＬｎＯＸという表記は、
希土類元素Ｌｎと酸素ＯとハロゲンＸがＬｎＯＸという
ＰｂＦＣｌ型の結晶構造を持つ母体結晶を構成している
ことを示すものであり、これら三つの元素が常に１：
１：１の原子比で蛍光体中に含有されていることを示し
ているものではない。たとえば、本願出願人による特願
昭６３−２６３５３０号明細書には、上記Ｌｎと上記Ｘ
との比率Ｘ／Ｌｎが原子比で、０．５０＜Ｘ／Ｌｎ＜
０．９５であるセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物
蛍光体が開示されており、勿論この蛍光体も上記の式
（Ｉ）に包含される。

具体的な例として、第２図には上記の式（Ｉ）において
Ｌｎ＝Ｌａ、Ｘ＝ＢｒとしたＬａＯＢｒ：Ｃｅ蛍光体
の、また第３図には式（Ｉ）においてＬｎ＝Ｇｄ、Ｘ＝
ＣｌとしたＧｄＯＣｌ：Ｃｅ蛍光体の蓄積光の波長依存
性（どの波長の光をどの程度吸収蓄積するか）を示すス
ペクトルを示した。第２図および第３図のスペクトルに
示されたように、上記の式（Ｉ）で表わされるセリウム
で賦活した希土類オキシハロゲン化物蛍光体は、２５０
〜４００ｎｍの波長範囲の光のエネルギーを比較的効率
よく吸収蓄積するので、本発明の放射線像変換パネルに
好適に用いられる。

もちろん、本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、上記のセリウム賦活希土類オキシハロゲ
ン化物蛍光体だけでなく、波長範囲が２５０ｎｍ未満の
放射線と波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫
外線とを吸収し、そのエネルギーを蓄積し、可視光乃至
赤外光の照射を受けることによって前記エネルギーを発
光として放出するものであれば、いかなるものでもよ
い。

次に、本発明の放射線像変換パネルに用いられる、波長
範囲が２５０ｎｍ未満の放射線によって励起され前記波
長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線を発光
する蛍光体（紫外線発光蛍光体）について述べる。

このような蛍光体の例としては、（Ｙ，Ｓｒ）Ｔａ
Ｏ₄：Ｇｄ、ＢａＳｉＯ₅：Ｐｂ²⁺、Ｃａ₃（ＰＯ₄）₂：
Ｔｌ、（Ｃａ，Ｚｎ）₃（ＰＯ₄）₂：Ｔｌおよび（Ｂ
ａ，Ｚｎ，Ｍｇ）₃ＳｉＯ₂Ｏ₇：Ｐｂなどを挙げること
ができる。これらのうち、（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄ
およびＢａＳｉＯ₅：Ｐｂ²⁺は吸収係数が高いので、本
発明の放射線像変換パネルに好適に用いられる。第４図
には（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄを、第５図にはＢａＳ
ｉＯ₅：Ｐｂ²⁺をＸ線で励起したときの発光スペクトル
をそれぞれ示した。（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄは３１
５ｎｍ付近にシャープな発光を、ＢａＳｉＯ₅：Ｐｂ²⁺
は３００〜４００ｎｍに比較的ブロードな発光を示し、
いずれも、波長範囲の面からも本発明に好ましく用いら
れる蛍光体であるといえる。

本発明の放射線像変換パネルの蛍光体層は、輝尽性蛍光
体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるも
の、結合剤を含まないで輝尽性蛍光体の凝集体のみから
構成されるもの、あるいは輝尽性蛍光体の凝集体の間隙
に高分子物質が含浸せしめられている蛍光体層のいずれ
でもよい。

以下に、蛍光体層が、輝尽性蛍光体とこれを分散状態で
含有支持する結合剤とからなり、支持体上に設けられた
場合を例にとり、本発明の放射線像変換パネルを製造す
る方法を説明する。

上記の輝尽性蛍光体と紫外線発光蛍光体とが蛍光体層に
含まれている場合、蛍光体層は、たとえば、次のような
方法により支持体上に形成することができる。

上記した輝尽性蛍光体と紫外線発光蛍光体と結合剤とを
適当な溶剤に加え、これを充分に混合して、結合剤溶液
中に輝尽性蛍光体と紫外線発光蛍光体が均一に分散した
蛍光体層形成用塗布液を調製する。

このとき紫外線発光蛍光体の量は、多くなりすぎるとエ
ネルギーを蓄積する輝尽性蛍光体の量が相対的に減るの
で感度の低下を招く。

たとえば、第１図には、紫外線発光蛍光体（Ｙ，Ｓｒ）
ＴａＯ₄：Ｇｄのモル比（該紫外線発光蛍光体のモル数
と上記輝尽性蛍光体ＧｄＯＣｌ：Ｃｅのモル数との総和
に対する）とパネルの輝尽発光量の関係を示した。第１
図に示したように、紫外線発光蛍光体のモル比が４５モ
ル％以上になると、パネルの輝尽発光量は紫外線発光蛍
光体を全く含まない場合よりも低い値となる。

紫外線発光蛍光体と輝尽性蛍光体との混合比は、各々の
蛍光体の組み合せによって異なるが、一般的には両蛍光
体のモル数の総和に対する紫外線発光蛍光体のモル比が
５０モル％以下であることが好ましい。

結合剤の例としては、ゼラチン等の蛋白質、デキストラ
ン等のポリサッカライド、またはアラビアゴムのような
天然高分子物質；および、ポリビニルブチラール、ポリ
酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩
化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル
（メタ）アクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリ
マー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレー
ト、ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどよう
な合成高分子物質などにより代表される結合剤を挙げる
ことができる。このような結合剤のなかで特に好ましい
ものは、ニトロセルロース、線状ポリエステル、ポリア
ルキル（メタ）アクリレート、ポリウレタン、ニトロセ
ルロースと線状ポリエステルとの混合物、およびニトロ
セルロースとポリアルキル（メタ）アクリレートとの混
合物である。

上記塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エ
タノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低
級アルコール；メチレンクロライド、エチレンクロライ
ドなどの塩素原子含有炭化水素；アセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低
級アルコールとのエステル；ジオキサン、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルなどのエーテル；そして、それらの混合物
を挙げることができる。

上記塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比
は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種
類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との
混合比は、１：１乃至１：１００（重量比）の範囲から
選ばれ、そして特に１：８乃至１：４０（重量比）の範
囲から選ぶのが好ましい。

なお、蛍光体層形成用塗布液には、該塗布液中における
蛍光体の分散性を向上させるための分散剤、また、形成
後の蛍光体層中における結合剤と蛍光体との間の結合力
を向上させるための可塑剤などの種々の添加剤が混合さ
れていてもよい。そのような目的に用いられる分散剤の
例としては、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親
油性界面活性剤などを挙げることができる。そして可塑
剤の例としては、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジ
ル、燐酸ジフェニルなどの燐酸エステル；フタル酸ジエ
チル、フタル酸ジメトキシエチルなどのフタル酸エステ
ル；グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸
ブチルフタリルブチルなどのグリコール酸エステル；そ
して、トリエチレングリコールとアジピン酸とのポリエ
ステル、ジエチレングリコールとコハク酸とのポリエス
テルなどのポリエチレングリコールと脂肪族二塩基酸と
のポリエステルなどを挙げることができる。

上記のようにして調製された輝尽性蛍光体と紫外線発光
蛍光体と結合剤とを含有する蛍光体層形成用塗布液を、
次に、支持体の表面に均一に塗布することにより塗膜を
形成する。この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえ
ば、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコータ
ーなどを用いることにより行なうことができる。

蛍光体層の下に接して紫外線発光蛍光体を含む層を設け
る場合は、上記の蛍光体層形成用塗布液の調製と同様に
して、紫外線発光蛍光体と結合剤とを適当な溶剤に加え
た塗布液を調製し、上記した蛍光体層形成用塗布液（こ
の場合、この蛍光体層形成用塗布液中には必ずしも紫外
線発光蛍光体が含まれている必要はない）の塗布に先だ
って、あるいはこれを同時に支持体上に塗布する。

支持体としては、従来の放射線像変換パネルの支持体と
して公知の材料から任意に選ぶことができる。そのよう
な材料の例としては、セルロースアセテート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどのプラ
スチック物質のフィルム、アルミニウム箔、アルミニウ
ム合金箔などの金属シート、通常の紙、バライタ紙、レ
ジンコート紙、二酸化チタンなどの顔料を含有するピグ
メント紙、ポリビニルアルコールなどをサイジングした
紙、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、チタニアなど
のセラミックスの板あるいはシートなどを挙げることが
できる。

公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層
との結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネル
としての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上さ
せるために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼ
ラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層とした
り、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる
光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物
質からなる光吸収層などを設けることが知られている。
本発明において用いられる支持体についても、これらの
各種の層を設けることができ、これら各種の層に紫外発
光蛍光体が含まれていても、もちろんよい。それらの構
成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じ
て任意に選択することができる。

さらに、特開昭５８−２００２００号公報に記載されて
いるように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的
で、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体層側の
表面に上記の紫外線発光蛍光体の層、あるいは接着性付
与層、光反射層、光吸収層などが設けられている場合に
は、その表面を意味する）には微小の凹凸が形成されて
いてもよい。

上記のようにして支持体上に塗膜を形成したのち乾燥し
て、支持体上への各層の形成を完了する。輝尽性蛍光体
を含む蛍光体層の層厚は、上記のいずれの場合も、目的
とする放射線像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体の種
類、紫外線発光蛍光体の種類、輝尽性蛍光体と紫外線発
光蛍光体との組み合せ、結合剤と蛍光体との混合比など
によって異なるが、通常は２０μｍ乃至１ｍｍとする。
ただし、この層厚は５０乃至５００μｍとするのが好ま
しい。

また、上記のいずれの層も、必ずしも上記のように支持
体上に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、たと
えば、別に、ガラス板、金属板、プラスチックシートな
どのシート上に塗布液を塗布し乾燥することにより層を
形成したのち、これを、支持体上に押圧するか、あるい
は接着剤を用いるなどして支持体と各層とを接合しても
よい。

通常の放射線像変換パネルにおいては、前述のように支
持体に接する側とは反対側の輝尽性蛍光体を含む蛍光体
層の表面に、該蛍光体層を物理的および化学的に保護す
るための透明な保護膜が設けられている。このような透
明保護膜は、本発明の放射線像変換パネルについても設
置することが好ましい。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース誘導体；あるいはポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢酸ビニルコポリマーなどの合成高分子物質のよう
な透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液を蛍光体層の表面に塗布する方法により形成すること
ができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアミドなどからなるプラスチックシート；
および透明なガラス板などの保護膜形成用シートを別に
形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて接着す
るなどの方法によっても形成することができる。

また、焼結によって蛍光体層を形成する場合には、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等の酸化物；ＭｇＦ₂等の弗化物；ＳｉＣ
等の炭化物などの無機材料を用いて蛍光体層形成材料と
一緒に焼結することにより、蛍光体層および保護膜を同
時に焼結形成してもよい。あるいは、保護膜は該材料を
蛍光体層表面に蒸着することにより形成してもよいし、
また低沸点の無機物を蛍光体層上で加熱溶融して膜化す
ることにより形成してもよい。

また、支持体を用いないパネルの場合は、蛍光体層の両
側の表面に保護膜を設けることが好ましい。

保護膜の膜厚は一般に約０．１乃至２０μｍの範囲にあ
る。

なお、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的と
して、本発明の放射線像変換パネルを構成する上記各層
の少なくとも一つの層が励起光を吸収し、輝尽発光光は
吸収しないような着色剤によって着色されていてもよ
い。（特公昭５９−２３４００号公報参照）。

以下に、本発明の実施例および比較例を記載する。ただ
し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

［実施例１］ 紫外線発光蛍光体（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄ２３．４
ｇをポリウレタン樹脂（大日本インキ（株）製クリスボ
ンＮＴ−５０）１０％メチルエチルケトン−イソプロピ
ルアルコール（７：３）混合溶媒溶液１０．４５ｇ中に
分散させた塗布液をドクターブレードによってポリエチ
レンテレフタレート上に塗布し、乾燥して紫外線発光蛍
光体を含む層を形成した。

次に、輝尽性蛍光体ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ２０．９ｇを上記
と同様にポリウレタン樹脂１０％メチルエチルケトン−
イソプロピルアルコール（７：３）混合溶媒溶液１０．
４５ｇに分散させた蛍光体層形成用塗布液をドクターブ
レードによって上記の層の上に塗布し、乾燥して輝尽性
蛍光体層を形成して、本発明の放射線像変換パネルを製
造した。

［実施例２］ 紫外線発光蛍光体（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄ７．０ｇ
と輝尽性蛍光体ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ２０．９ｇをポリウレ
タン樹脂１０％メチルエチルケトン−イソプロピルアル
コール（７：３）混合溶媒溶液１０．４５ｇに分散させ
た塗布液をドクターブレードによってポリエチレンテレ
フタレート上に塗布し、乾燥して蛍光体層を形成するこ
とで本発明の放射線像変換パネルを製造した。

［実施例３］ 実施例２において紫外線発光蛍光体をＢａＳｉ₂Ｏ₅：Ｐ
ｂ²⁺２５．４ｇにする以外は実施例２と同様にして本発
明の放射線像変換パネルを製造した。

［比較例１］ 輝尽性蛍光体ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ２０．９ｇを上記と同様
にポリウレタン樹脂１０％メチルエチルケトン−イソプ
ロピルアルコール（７：３）混合溶媒溶液１０．４５ｇ
に分散させた蛍光体層形成用塗布液をドクターブレード
によってポリエチレンテレフタレート上に塗布し、乾燥
して蛍光体層を形成することで、紫外線発光蛍光体を含
む層を有さない以外は実施例１と同様の放射線像変換パ
ネルを製造した。

放射線像変換パネルの評価 上記のようにして製造した各放射線像変換パネルに、管
電圧８０ｋｅＶのＸ線を１０秒間照射して、２０秒後に
Ｈｅ−Ｎｅレーザーを照射した時の輝尽発光量を測定し
た。結果を第１表に示す。ただし、輝尽発光量は比較例
１を１００とした時の相対値で示した。

また、紫外線発光蛍光体（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄと
輝尽性蛍光体ＧｄＯＣｌ：Ｃｅとの混合比を変化させた
種々の放射線像変換パネルを製造して、紫外線発光蛍光
体と輝尽性蛍光体との混合比と輝尽発光量との関係を求
めた。結果を第１図に示す。第１図において、横軸は紫
外線発光蛍光体（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄのモル比
（該紫外線発光蛍光体のモル数と上記輝尽性蛍光体Ｇｄ
ＯＣｌ：Ｃｅのモル数の総和に対する）であり、縦軸は
輝尽発光量である。

［実施例４］ 実施例１において、輝尽性蛍光体としてＬａＯＢｒ：Ｃ
ｅ２３．５ｇを用いる以外は、実施例１と同様にして本
発明の放射線像変換パネルを製造した。

［比較例２］ 比較例１において、輝尽性蛍光体としてＬａＯＢｒ：Ｃ
ｅ２３．５ｇを用いる以外は、比較例１と同様にして、
紫外線発光蛍光体を含む層を有さない以外は実施例４と
同様の放射線像変換パネルを製造した。

放射線像変換パネルの評価 実施例４および比較例２の放射線像変換パネルについて
も、上記と同様にして輝尽発光量を測定した。結果を比
較例２を１００とした時の相対値で第２表に示す。

以上の結果から明らかなように、本発明の放射線像変換
パネルは、放射線の吸収率を高めたために高い輝尽発光
量を示し、従って、従来の放射線像変換パネルよりも感
度の高い放射線像変換パネルである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、蛍光体層における紫外線発光蛍光体と輝尽性
蛍光体との混合比と輝尽発光量との関係を示すグラフで
ある。 第２図は、ＬａＯＢｒ：Ｃｅ蛍光体の蓄積光の波長依存
性を示すスペクトルである。 第３図は、ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ蛍光体の蓄積光の波長依存
性を示すスペクトルである。 第４図は、（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ₄：Ｇｄ蛍光体の発光ス
ペクトルである。 第５図は、ＢａＳｉ₂Ｏ₅：Ｐｂ²⁺蛍光体の発光スペクト
ルである。 第６図は、ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ蛍光体と（Ｙ，Ｓｒ）Ｔａ
Ｏ₄：Ｇｄ蛍光体とのＸ線吸収係数を示すグラフであ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線と波長
   範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線とを吸収
   し、そのエネルギーを蓄積し、可視光乃至赤外光の照射
   を受けることによって前記エネルギーを発光として放出
   する輝尽性蛍光体と、波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射
   線によって励起され波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎ
   ｍ以下の紫外線を発光する蛍光体とを含む蛍光体層から
   なることを特徴とする放射線像変換パネル。
2. 【請求項２】波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線と波長
   範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線とを吸収
   し、そのエネルギーを蓄積し、可視光乃至赤外光の照射
   を受けることによって前記エネルギーを発光として放出
   する輝尽性蛍光体を含む蛍光体層と、該蛍光体層の下に
   接して配置された波長範囲が２５０ｎｍ未満の放射線に
   よって励起され波長範囲が２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以
   下の紫外線を発光する蛍光体とを含む層とからなること
   を特徴とする放射線像変換パネル。