JPH06302645A - 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した電子機器およびその端子接続用バンプ - Google Patents
電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した電子機器およびその端子接続用バンプInfo
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- JPH06302645A JPH06302645A JP5088244A JP8824493A JPH06302645A JP H06302645 A JPH06302645 A JP H06302645A JP 5088244 A JP5088244 A JP 5088244A JP 8824493 A JP8824493 A JP 8824493A JP H06302645 A JPH06302645 A JP H06302645A
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ギャップ量が数μｍから１００μｍ以上と広
い範囲において端子電極間の接続を可能にする電子部品
の端子接続方法を提供する。 【構成】 電子部品３に形成された端子電極２上の所定
位置にワイヤボンディングによってバンプ１３−１を形
成する工程（ａ，ｂ，ｃ）と、前記バンプの上に更にワ
イヤボンディングによりバンプ１３−２を形成する工程
（ｄ，ｅ，ｆ）と、最上段のバンプ１３−４の頂部また
は他方の部品に形成された端子電極に導電性接着剤を付
着させる工程と、導電性接着剤を介して一方の電子部品
に形成された端子電極と他方の電子部品に形成された端
子電極を接続する工程からなる複数の電子部品に形成さ
れた端子２間を接続する電子部品の端子接続方法。
い範囲において端子電極間の接続を可能にする電子部品
の端子接続方法を提供する。 【構成】 電子部品３に形成された端子電極２上の所定
位置にワイヤボンディングによってバンプ１３−１を形
成する工程（ａ，ｂ，ｃ）と、前記バンプの上に更にワ
イヤボンディングによりバンプ１３−２を形成する工程
（ｄ，ｅ，ｆ）と、最上段のバンプ１３−４の頂部また
は他方の部品に形成された端子電極に導電性接着剤を付
着させる工程と、導電性接着剤を介して一方の電子部品
に形成された端子電極と他方の電子部品に形成された端
子電極を接続する工程からなる複数の電子部品に形成さ
れた端子２間を接続する電子部品の端子接続方法。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子部品の端子間接
続方法と、この接続方法で一体化した複数の基板を有す
る電子機器または受光素子と発光素子を有する原稿読み
取り装置、およびその端子接続用の積層型金属ワイヤバ
ンプに関する。
続方法と、この接続方法で一体化した複数の基板を有す
る電子機器または受光素子と発光素子を有する原稿読み
取り装置、およびその端子接続用の積層型金属ワイヤバ
ンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品を基板の配線パターンに
接続するときに、電子部品の端子と基板に設けた端子間
の対面する端子電極間方向の接続には、対向する電極面
間に異方性導電膜や導電性粒子を介して接続する方法、
あるいは半田やボンディングによって端子上にバンプを
形成しこのバンプを介して両者を接続する方法が知られ
ている。異方性導電膜や導電性粒子を用いて接続する方
法は、プロセスが簡単である一方、微細ピッチの端子を
形成することが困難であるばかりでなく、耐熱性が低い
などの問題があり、また、半田付けによる方法は、信頼
性が高いが端子電極にメタライズ処理を施す必要があ
り、工程が複雑になるなどの欠点がある。これに対し
て、例えば、電子情報通信学会技術研究報告（ＣＰＭ８
９−４５，ｐｐ７−１２）“スタットバンプ方式による
ＣＯＧ実装方式”に開示されるようなボンディングによ
り形成する金属バンプを用いる方法は、微細ピッチの端
子にも対応でき、メタライズ処理も不要であるなどの利
点を持っている。
接続するときに、電子部品の端子と基板に設けた端子間
の対面する端子電極間方向の接続には、対向する電極面
間に異方性導電膜や導電性粒子を介して接続する方法、
あるいは半田やボンディングによって端子上にバンプを
形成しこのバンプを介して両者を接続する方法が知られ
ている。異方性導電膜や導電性粒子を用いて接続する方
法は、プロセスが簡単である一方、微細ピッチの端子を
形成することが困難であるばかりでなく、耐熱性が低い
などの問題があり、また、半田付けによる方法は、信頼
性が高いが端子電極にメタライズ処理を施す必要があ
り、工程が複雑になるなどの欠点がある。これに対し
て、例えば、電子情報通信学会技術研究報告（ＣＰＭ８
９−４５，ｐｐ７−１２）“スタットバンプ方式による
ＣＯＧ実装方式”に開示されるようなボンディングによ
り形成する金属バンプを用いる方法は、微細ピッチの端
子にも対応でき、メタライズ処理も不要であるなどの利
点を持っている。
【０００３】図４は、従来の金属バンプの形状と製造過
程を示すもので、同図（ａ）において、金属ワイヤ１の
一端を電気放電等によって球状の端部１１に形成し、同
図（ｂ）に示すように、これを基板３上に形成した端子
電極２上に押し付け超音波併用の熱圧着によって接続し
て接続部１２を形成する。その後、同図（ｃ）に示すよ
うに、金属ワイヤ１に折り曲げ部１４を形成して他端１
５を切断して金属バンプを形成している。すなわち、こ
の金属ワイヤバンプは、その一端１２は端子電極２に接
続しているが、他端１５は遊端となっている。
程を示すもので、同図（ａ）において、金属ワイヤ１の
一端を電気放電等によって球状の端部１１に形成し、同
図（ｂ）に示すように、これを基板３上に形成した端子
電極２上に押し付け超音波併用の熱圧着によって接続し
て接続部１２を形成する。その後、同図（ｃ）に示すよ
うに、金属ワイヤ１に折り曲げ部１４を形成して他端１
５を切断して金属バンプを形成している。すなわち、こ
の金属ワイヤバンプは、その一端１２は端子電極２に接
続しているが、他端１５は遊端となっている。
【０００４】上記従来技術による金属ワイヤバンプを用
いた接続は、液晶表示素子などのように接続する電子部
品の端子電極と基板上の端子電極との間隙が数十μｍ程
度である場合には有効であるが、この間隙が５０μｍ以
上となる電子部品を接続する場合は金属バンプの高さが
足りず使用することが困難である。類似した方法とし
て、特開平１−２２７４５８号公報に記載されている方
法がある。これは金属ワイヤを用いてファーストボンデ
ィングのみ行い、セカンドボンディングせずにレーザー
光によりワイヤを切断して凸状のバンプを形成するもの
である。しかし、この方法は、形成できるバンプの高さ
が精々５０μｍであるため、本発明が適用されるような
対向電極間の間隙が大きくなる原稿読み取り装置には適
用できない。
いた接続は、液晶表示素子などのように接続する電子部
品の端子電極と基板上の端子電極との間隙が数十μｍ程
度である場合には有効であるが、この間隙が５０μｍ以
上となる電子部品を接続する場合は金属バンプの高さが
足りず使用することが困難である。類似した方法とし
て、特開平１−２２７４５８号公報に記載されている方
法がある。これは金属ワイヤを用いてファーストボンデ
ィングのみ行い、セカンドボンディングせずにレーザー
光によりワイヤを切断して凸状のバンプを形成するもの
である。しかし、この方法は、形成できるバンプの高さ
が精々５０μｍであるため、本発明が適用されるような
対向電極間の間隙が大きくなる原稿読み取り装置には適
用できない。
【０００５】一方、情報関連機器の中で画像入出力装置
が広く使われており、画像出力装置のひとつであるディ
スプレイには、陰極線管（ＣＲＴ），液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ），エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬＤ），プ
ラズマ表示装置（ＰＤＰ）などのいろいろな方法があ
る。高密度実装技術の発展とともにディスプレイ基板上
に駆動ＩＣが直接搭載されるようになり、最近では携帯
できるパーソナルコンピュータや電子手帳などのコンパ
クトなディスプレイをもった装置が開発されている。画
像入力装置のひとつであるイメージセンサは、アモルフ
ァスシリコンなどの光電変換膜を用いた原稿幅のサイズ
をもった密着型ラインイメージセンサが主流になってい
る。この種のイメージセンサに関しては、特開昭５３−
１１９６１９号公報に開示されたように、紙送りなどの
駆動系がいらない二次元イメージセンサが提案されてい
るが、このような構成のイメージセンサにおいては、走
査のために光源を移動できる照明装置が必要なこと、お
よび、原稿の大きさに律せられて小型化が難しいという
欠点がある。
が広く使われており、画像出力装置のひとつであるディ
スプレイには、陰極線管（ＣＲＴ），液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ），エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬＤ），プ
ラズマ表示装置（ＰＤＰ）などのいろいろな方法があ
る。高密度実装技術の発展とともにディスプレイ基板上
に駆動ＩＣが直接搭載されるようになり、最近では携帯
できるパーソナルコンピュータや電子手帳などのコンパ
クトなディスプレイをもった装置が開発されている。画
像入力装置のひとつであるイメージセンサは、アモルフ
ァスシリコンなどの光電変換膜を用いた原稿幅のサイズ
をもった密着型ラインイメージセンサが主流になってい
る。この種のイメージセンサに関しては、特開昭５３−
１１９６１９号公報に開示されたように、紙送りなどの
駆動系がいらない二次元イメージセンサが提案されてい
るが、このような構成のイメージセンサにおいては、走
査のために光源を移動できる照明装置が必要なこと、お
よび、原稿の大きさに律せられて小型化が難しいという
欠点がある。
【０００６】また、これらの表示素子と画像読み取り素
子を同じ基板上の離れた部分に形成し、画像を読み取っ
たすぐ後に表示素子によってモニタするという技術が特
開平１−１０６４６７号公報に示されている。しかし、
この公報開示の技術は表示素子と画像読み取り素子とが
別の領域に形成されているため、光源などの照明装置を
付加するとかなり大きな装置になってしまうという欠点
がある。
子を同じ基板上の離れた部分に形成し、画像を読み取っ
たすぐ後に表示素子によってモニタするという技術が特
開平１−１０６４６７号公報に示されている。しかし、
この公報開示の技術は表示素子と画像読み取り素子とが
別の領域に形成されているため、光源などの照明装置を
付加するとかなり大きな装置になってしまうという欠点
がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような状
況に鑑みて発明されたものであり、本発明の第１の目的
は、対向する端子電極間のギャップ量が数μｍから１０
０μｍ以上と広い範囲においても、端子電極間の接続を
可能にする電子部品の端子接続方法を提供することにあ
る。また、本発明の第２の目的は、二次元の発光素子と
受光素子をそれぞれ別の基板に作成し、それぞれの素子
が対向するように二つの基板を所望のギャップを介して
一体に固定させ、発光素子の駆動電極を受光素子基板側
へ高い信頼性を持って接続させる原稿読み取り装置のよ
うな電子機器を提供することにある。本発明の第３の目
的は、上記の接続のための積層状金属ワイヤバンプを提
供することにある。
況に鑑みて発明されたものであり、本発明の第１の目的
は、対向する端子電極間のギャップ量が数μｍから１０
０μｍ以上と広い範囲においても、端子電極間の接続を
可能にする電子部品の端子接続方法を提供することにあ
る。また、本発明の第２の目的は、二次元の発光素子と
受光素子をそれぞれ別の基板に作成し、それぞれの素子
が対向するように二つの基板を所望のギャップを介して
一体に固定させ、発光素子の駆動電極を受光素子基板側
へ高い信頼性を持って接続させる原稿読み取り装置のよ
うな電子機器を提供することにある。本発明の第３の目
的は、上記の接続のための積層状金属ワイヤバンプを提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記本発明の第１の目的
を達成するため、一方の端子電極上にワイヤボンディン
グにより第１の金属ワイヤバンプを形成する工程と、そ
の上に第２の金属ワイヤバンプを形成する工程と、この
工程を複数回繰り返す工程と、最上層の金属ワイヤバン
プの頂部あるいは他方の端子電極上に導電性接着剤を付
着させる工程と、この導電性接着剤を介して両者の端子
電極を接続させる電子部品接続工程からなる。また、上
記発明の第２の目的を達成するため、内面に受光素子と
端子電極をもつ受光素子基板と、内面に発光素子と端子
電極をもつ発光素基板とを対向して一体配置した原稿読
み取り装置が、前記受光素子基板と前記発光素子基板の
何れか一方に形成され端子電極上に形成された積層構造
のバンプ電極と、前記受光素子基板と前記発光素子基板
の何れか他方に端子電極を備え、前記一方の端子電極に
形成された積層構造バンプ電極の頂部または他方の端子
電極に付着させた導電性接着剤によって他方の端子電極
を積層構造バンプ電極に接続しするとともに、前記受光
素子基板と前記発光素子基板との間にギャップ形成用の
透明スペーサを設ける。そして、上記発明の第３の目的
を達成するために、放電により形成したワイヤボールを
端子電極に熱圧着し、ワイヤをクランプした状態でキャ
ピラリツールを引き上げワイヤを切断することにより形
成した凸状のバンプを何層にも積層した積層状金属ワイ
ヤバンプを構成する。
を達成するため、一方の端子電極上にワイヤボンディン
グにより第１の金属ワイヤバンプを形成する工程と、そ
の上に第２の金属ワイヤバンプを形成する工程と、この
工程を複数回繰り返す工程と、最上層の金属ワイヤバン
プの頂部あるいは他方の端子電極上に導電性接着剤を付
着させる工程と、この導電性接着剤を介して両者の端子
電極を接続させる電子部品接続工程からなる。また、上
記発明の第２の目的を達成するため、内面に受光素子と
端子電極をもつ受光素子基板と、内面に発光素子と端子
電極をもつ発光素基板とを対向して一体配置した原稿読
み取り装置が、前記受光素子基板と前記発光素子基板の
何れか一方に形成され端子電極上に形成された積層構造
のバンプ電極と、前記受光素子基板と前記発光素子基板
の何れか他方に端子電極を備え、前記一方の端子電極に
形成された積層構造バンプ電極の頂部または他方の端子
電極に付着させた導電性接着剤によって他方の端子電極
を積層構造バンプ電極に接続しするとともに、前記受光
素子基板と前記発光素子基板との間にギャップ形成用の
透明スペーサを設ける。そして、上記発明の第３の目的
を達成するために、放電により形成したワイヤボールを
端子電極に熱圧着し、ワイヤをクランプした状態でキャ
ピラリツールを引き上げワイヤを切断することにより形
成した凸状のバンプを何層にも積層した積層状金属ワイ
ヤバンプを構成する。
【０００９】
【作用】本発明によれば、積層状の金属ワイヤーバンプ
を用いることによって高い実装密度を保持したままで電
極との接触面積を大きくとることができるため、接続信
頼性を高くすることができるとともに、基板間のギャッ
プは透明スペーサによって維持されるので、ギャップば
らつきの小さい原稿読み取り装置の構成を実現すること
が可能となる。
を用いることによって高い実装密度を保持したままで電
極との接触面積を大きくとることができるため、接続信
頼性を高くすることができるとともに、基板間のギャッ
プは透明スペーサによって維持されるので、ギャップば
らつきの小さい原稿読み取り装置の構成を実現すること
が可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に
説明する。図１は、金属ワイヤバンプの形成工程を説明
する模式図である。図１（ａ）に示されるように、まず
電気放電等によって例えば金等の良導電性の金属ワイヤ
１の先端を加熱溶融し溶融球状部１１を形成する。次い
で、図１（ｂ）に示すように、この溶融球状部１１を基
板１の表面に設けた端子電極上２に超音波併用の熱圧着
等によって接続しボール１２を形成する。その後、同図
（ｃ）に示すように、金属ワイヤ１をクランプした状態
で図示しないキャピラリツールを引き上げた後、金属ワ
イヤ１を例えばレーザ光によって切断して凸状のバンプ
１３−１を形成する。次に、図１（ｄ）に示すように、
金属ワイヤ１の先端を同様の加熱方法によって加熱溶融
して溶融球状部１１−２を再度形成する。この球状部１
１−２を、同図（ｅ）に示すように、前回の工程で形成
したバンプ１３−１の上部に押し当て超音波併用の熱圧
着等によって接続しバンプ１３−１の上にボール１２−
２を形成する。その後、同図（ｆ）に示すように、金属
ワイヤ１をクランプした状態で図示しないキャピラリツ
ールを引き上げた後、金属ワイヤ１を同様の切断手法を
用いて切断してバンプ１３−１の上に２層目の凸状のバ
ンプ１３−２を形成する。図１（ｇ）は、同様の形成方
法を２回繰り返すことによってバンプが４層積み上げら
れた場合を示し、３段目のバンプ１３−３および４段目
のバンプ１３−４が積み上げられて積層状バンプ１３が
形成される。
説明する。図１は、金属ワイヤバンプの形成工程を説明
する模式図である。図１（ａ）に示されるように、まず
電気放電等によって例えば金等の良導電性の金属ワイヤ
１の先端を加熱溶融し溶融球状部１１を形成する。次い
で、図１（ｂ）に示すように、この溶融球状部１１を基
板１の表面に設けた端子電極上２に超音波併用の熱圧着
等によって接続しボール１２を形成する。その後、同図
（ｃ）に示すように、金属ワイヤ１をクランプした状態
で図示しないキャピラリツールを引き上げた後、金属ワ
イヤ１を例えばレーザ光によって切断して凸状のバンプ
１３−１を形成する。次に、図１（ｄ）に示すように、
金属ワイヤ１の先端を同様の加熱方法によって加熱溶融
して溶融球状部１１−２を再度形成する。この球状部１
１−２を、同図（ｅ）に示すように、前回の工程で形成
したバンプ１３−１の上部に押し当て超音波併用の熱圧
着等によって接続しバンプ１３−１の上にボール１２−
２を形成する。その後、同図（ｆ）に示すように、金属
ワイヤ１をクランプした状態で図示しないキャピラリツ
ールを引き上げた後、金属ワイヤ１を同様の切断手法を
用いて切断してバンプ１３−１の上に２層目の凸状のバ
ンプ１３−２を形成する。図１（ｇ）は、同様の形成方
法を２回繰り返すことによってバンプが４層積み上げら
れた場合を示し、３段目のバンプ１３−３および４段目
のバンプ１３−４が積み上げられて積層状バンプ１３が
形成される。
【００１１】この実施例では、ワイヤ径１を２５〜２８
μｍとすると、ボール１２は厚みｍが２０μｍ程度、径
ｎが８０〜８５μｍのボール１２が形成される。これを
４層積み上げた積層状バンプ１３は１００μｍ程度高さ
Ｈが得られる。
μｍとすると、ボール１２は厚みｍが２０μｍ程度、径
ｎが８０〜８５μｍのボール１２が形成される。これを
４層積み上げた積層状バンプ１３は１００μｍ程度高さ
Ｈが得られる。
【００１２】図２は、図１の製造方法で形成された積層
状バンプの頂部に導電性接着剤を付着する工程を説明す
る図である。基板３の表面に設けた端子電極２の上面に
前記方法で得た積層状金属ワイヤバンプ１３が形成され
ており、底面に導電性接着剤５を塗布した接着剤付着治
具４を矢印のように上方から下方に垂直に移動させるこ
とによって積層状金属ワイヤバンプ１３の頂部に均一に
接着剤を付着させる。導電性接着剤としては、Ａｇある
いはＰｄ微粉末を添加したエポキシ樹脂が好適である
が、良好な導電性と接着性を有する材料であればこれに
限らず使用することができる。
状バンプの頂部に導電性接着剤を付着する工程を説明す
る図である。基板３の表面に設けた端子電極２の上面に
前記方法で得た積層状金属ワイヤバンプ１３が形成され
ており、底面に導電性接着剤５を塗布した接着剤付着治
具４を矢印のように上方から下方に垂直に移動させるこ
とによって積層状金属ワイヤバンプ１３の頂部に均一に
接着剤を付着させる。導電性接着剤としては、Ａｇある
いはＰｄ微粉末を添加したエポキシ樹脂が好適である
が、良好な導電性と接着性を有する材料であればこれに
限らず使用することができる。
【００１３】図３は、図１，２に示した方法で形成され
た積層状金属ワイヤバンプを用いて、発光装置と受光装
置を接続した、第２の発明に係る一体装置を原稿読み取
り装置に適用した実施例の概略の構成を示す断面図であ
り、バンプ部の構造を示す部分拡大図がＡ図として添え
られている。この実施例の原稿読み取り装置は、受光装
置２０と発光装置３０とが間隙形成用の透明なスペーサ
４０を介して対向配置され一体化されて構成される。
た積層状金属ワイヤバンプを用いて、発光装置と受光装
置を接続した、第２の発明に係る一体装置を原稿読み取
り装置に適用した実施例の概略の構成を示す断面図であ
り、バンプ部の構造を示す部分拡大図がＡ図として添え
られている。この実施例の原稿読み取り装置は、受光装
置２０と発光装置３０とが間隙形成用の透明なスペーサ
４０を介して対向配置され一体化されて構成される。
【００１４】受光装置２０は、受光素子基板２１の上に
複数の受光素子２２が配列されるとともに、該基板２１
の一方の端部には各受光素子に接続された受光素子用端
子電極２３が設けられ、この端子電極にはリード電極２
４が接続されて構成される。さらに、前記基板２１の他
端部には発光素子用端子電極２５が設けられ、この端子
電極にはリード電極２６が接続されるとともに、この端
子電極の表面には頂部に導電性接着剤１６が塗布された
積層状の金属ワイヤバンプ１３が設けられている。発光
装置３０は、ガラス等の透明な発光素子基板３１上に複
数の発光素子３２が設けられて構成される。発光素子の
表面は遮光層３３で被覆されるとともに、この遮光層に
は前記受光装置２０に設けた受光素子２２と対向する位
置に入射窓３４が設けられている。ガラス基板３１の端
部には、各発光素子２２に接続された発光素子用端子電
極３５が設けられ、受光装置２０側の発光素子用端子電
極２５上に設けたバンプ１３の頂部に設けた導電性接着
剤１６に接続されて、発光素子の端子電極を積層状金属
ワイヤバンプ１３を介して外部に取り出している。
複数の受光素子２２が配列されるとともに、該基板２１
の一方の端部には各受光素子に接続された受光素子用端
子電極２３が設けられ、この端子電極にはリード電極２
４が接続されて構成される。さらに、前記基板２１の他
端部には発光素子用端子電極２５が設けられ、この端子
電極にはリード電極２６が接続されるとともに、この端
子電極の表面には頂部に導電性接着剤１６が塗布された
積層状の金属ワイヤバンプ１３が設けられている。発光
装置３０は、ガラス等の透明な発光素子基板３１上に複
数の発光素子３２が設けられて構成される。発光素子の
表面は遮光層３３で被覆されるとともに、この遮光層に
は前記受光装置２０に設けた受光素子２２と対向する位
置に入射窓３４が設けられている。ガラス基板３１の端
部には、各発光素子２２に接続された発光素子用端子電
極３５が設けられ、受光装置２０側の発光素子用端子電
極２５上に設けたバンプ１３の頂部に設けた導電性接着
剤１６に接続されて、発光素子の端子電極を積層状金属
ワイヤバンプ１３を介して外部に取り出している。
【００１５】受光素子基板２１と発光素子基板３１を受
光素子２２および発光素子３２がそれぞれ内側になるよ
うに対面させ、また受光素子２２と発光素子３２のそれ
ぞれの素子の位置が対応するように配置させる。発光素
子基板３１はガラス等の透明材料からなり、この発光装
置３０の表面、すなわち発光素子３２とは反対の面には
原稿６が設置されるようになっている。発光素子３２か
らの光は原稿６で乱反射し、この反射光が入射窓３４を
通って受光素子２２に照射される。また発光素子３２か
らの光が直接受光素子２２に照射されないように遮光層
３３が形成されている。
光素子２２および発光素子３２がそれぞれ内側になるよ
うに対面させ、また受光素子２２と発光素子３２のそれ
ぞれの素子の位置が対応するように配置させる。発光素
子基板３１はガラス等の透明材料からなり、この発光装
置３０の表面、すなわち発光素子３２とは反対の面には
原稿６が設置されるようになっている。発光素子３２か
らの光は原稿６で乱反射し、この反射光が入射窓３４を
通って受光素子２２に照射される。また発光素子３２か
らの光が直接受光素子２２に照射されないように遮光層
３３が形成されている。
【００１６】このような構成の原稿読み取り装置では、
読み取り解像度の点で発光素子と原稿までの距離と発光
素子と受光素子までの距離は同じであることが望まし
く、またその値は小さいほうが望ましい。この実施例の
構成とした場合、上記値は、発光素子基板の厚みで律さ
れる。すなわち発光素子基板の最小厚は作成プロセス上
のハンドリング等の問題で５０〜１００μｍであるた
め、発光素子と受光素子の距離、すなわち金属ワイヤバ
ンプが必要とする高さは、１００μｍ程度まで形成可能
であることが必要となってくる。本発明の金属ワイヤバ
ンプを用いると、４層程度積層することによって、高さ
１００μｍ程度のバンプを形成することができるので、
本原稿読み取り装置のバンプに適している。さらに、基
板内でのギャップ量は透明な均質な径の球状のスペーサ
を挿入することによって装置の前面にわたって均一に保
つことができる。金属ワイヤバンプの直径は８０〜８５
μｍであることから、８ｌｉｎｅ/mm（１２５μｍピッ
チ）の高い実装密度を保持しながら、１００μｍという
広いギャップ量を実現できる。
読み取り解像度の点で発光素子と原稿までの距離と発光
素子と受光素子までの距離は同じであることが望まし
く、またその値は小さいほうが望ましい。この実施例の
構成とした場合、上記値は、発光素子基板の厚みで律さ
れる。すなわち発光素子基板の最小厚は作成プロセス上
のハンドリング等の問題で５０〜１００μｍであるた
め、発光素子と受光素子の距離、すなわち金属ワイヤバ
ンプが必要とする高さは、１００μｍ程度まで形成可能
であることが必要となってくる。本発明の金属ワイヤバ
ンプを用いると、４層程度積層することによって、高さ
１００μｍ程度のバンプを形成することができるので、
本原稿読み取り装置のバンプに適している。さらに、基
板内でのギャップ量は透明な均質な径の球状のスペーサ
を挿入することによって装置の前面にわたって均一に保
つことができる。金属ワイヤバンプの直径は８０〜８５
μｍであることから、８ｌｉｎｅ/mm（１２５μｍピッ
チ）の高い実装密度を保持しながら、１００μｍという
広いギャップ量を実現できる。
【００１７】上記実施例においては、導電性接着剤を積
層状金属ワイヤバンプの頂部に塗布した例で示したが、
導電性接着剤を端子電極側に例えばスクリーン印刷等に
よって塗布して接続することもできることは勿論であ
る。図３の実施例において、発光素子３２には、厚さ１
００μｍのガラスからなる発光素子基板３１基板の表面
に発光層の材料としてＺｎＳ：Ｍｎを用いたＥＬ（ｅｌ
ｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を形成し
て使用した。受光素子２２には、アモルファスＳｉによ
って形成されたフォトダイオードを用いた。アモルファ
スＳｉはプラズマＣＶＤ法等により均一な膜を大面積に
容易に着膜できるので、このようなラージエリアのデバ
イスに適している。発光装置としては上記のＥＬに替え
て、その他の様々な発光装置を当然用いることができ
る。
層状金属ワイヤバンプの頂部に塗布した例で示したが、
導電性接着剤を端子電極側に例えばスクリーン印刷等に
よって塗布して接続することもできることは勿論であ
る。図３の実施例において、発光素子３２には、厚さ１
００μｍのガラスからなる発光素子基板３１基板の表面
に発光層の材料としてＺｎＳ：Ｍｎを用いたＥＬ（ｅｌ
ｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を形成し
て使用した。受光素子２２には、アモルファスＳｉによ
って形成されたフォトダイオードを用いた。アモルファ
スＳｉはプラズマＣＶＤ法等により均一な膜を大面積に
容易に着膜できるので、このようなラージエリアのデバ
イスに適している。発光装置としては上記のＥＬに替え
て、その他の様々な発光装置を当然用いることができ
る。
【００１８】なお、本実施例の原稿読み取り装置にあっ
ては、二次元の発光素子は、原稿照射用の光源として機
能するのは勿論のこと、駆動装置を具備することによっ
て表示装置としても機能させることができる。
ては、二次元の発光素子は、原稿照射用の光源として機
能するのは勿論のこと、駆動装置を具備することによっ
て表示装置としても機能させることができる。
【００１９】上記実施例では、発光装置と受光装置を一
体化した原稿読み取り装置を示したが、この例に限定さ
れることなく、例えば、ＬＣＤ基板と発光装置基板とを
一体化した液晶表示装置等のように、個別の基板上に形
成した表示部と発光部もしくは駆動部を一体化した表示
装置にも適用することができることは勿論であり、その
他の一体化された電子機器にも当然適用することができ
る。
体化した原稿読み取り装置を示したが、この例に限定さ
れることなく、例えば、ＬＣＤ基板と発光装置基板とを
一体化した液晶表示装置等のように、個別の基板上に形
成した表示部と発光部もしくは駆動部を一体化した表示
装置にも適用することができることは勿論であり、その
他の一体化された電子機器にも当然適用することができ
る。
【００２０】
【発明の効果】上記したように、金属ワイヤバンプを積
層することによって、１００μｍ程度までの高さを自由
に実現することができるとともに、バンプ頂点にはエポ
キシ系の導電ペーストを一様に付着させ、発光素子基板
上の電極と位置合わせした後に発光素子基板を均一に加
圧し、１５０℃で１０分程度ベークすることによって、
受光素子基板上の電極２５と発光素子基板上の電極３５
を積層状金属ワイヤバンプ１３を介して接続させること
ができる。さらに、本発明によればＥＬ発光素子のよう
に高い駆動電圧で一素子あたり数ｍＡ流れる表示素子で
も実装密度を下げることなく電極の接触面積を大きくす
ることができ、信頼性の高い接続が可能となる。またギ
ャップ形成用の粒子により液晶セルと同等のギャップば
らつきの小さい構成にすることができる。以上のよう
に、実装密度の低下を招くことなく、高い信頼性で上下
の電極間の接触を図ることができる。
層することによって、１００μｍ程度までの高さを自由
に実現することができるとともに、バンプ頂点にはエポ
キシ系の導電ペーストを一様に付着させ、発光素子基板
上の電極と位置合わせした後に発光素子基板を均一に加
圧し、１５０℃で１０分程度ベークすることによって、
受光素子基板上の電極２５と発光素子基板上の電極３５
を積層状金属ワイヤバンプ１３を介して接続させること
ができる。さらに、本発明によればＥＬ発光素子のよう
に高い駆動電圧で一素子あたり数ｍＡ流れる表示素子で
も実装密度を下げることなく電極の接触面積を大きくす
ることができ、信頼性の高い接続が可能となる。またギ
ャップ形成用の粒子により液晶セルと同等のギャップば
らつきの小さい構成にすることができる。以上のよう
に、実装密度の低下を招くことなく、高い信頼性で上下
の電極間の接触を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る金属ワイヤバンプの形状および
該バンプの形成工程を示す模式図。
該バンプの形成工程を示す模式図。
【図２】 本発明に係る接着剤付着工程を説明する説明
図図。
図図。
【図３】 本発明に係る原稿読み取り装置の構造を示す
断面図。
断面図。
【図４】 従来技術になる金属ワイヤバンプの形状とそ
の形成工程を示す模式図。
の形成工程を示す模式図。
１ 金属ワイヤ、 ２ 端子電極、 ３ 基板、 ４
接着剤付着治具、 ５導電性接着剤、 １１ 溶融球状
部、 １２ ボール、 １３ バンプ、 １６ 導電性
接着剤、 ２０ 受光装置、 ２１ 受光装置基板、
２２ 受光素子、 ２３ 受光素子用端子電極、 ２
４，２６ リード線、 ２５ 発光素子用端子電極、
３０ 発光装置、 ３１ 発光装置基板、 ３２ 発光
素子、３３ 遮光層、 ３４ 入射窓、 ３５ 発光装
置用端子電極。
接着剤付着治具、 ５導電性接着剤、 １１ 溶融球状
部、 １２ ボール、 １３ バンプ、 １６ 導電性
接着剤、 ２０ 受光装置、 ２１ 受光装置基板、
２２ 受光素子、 ２３ 受光素子用端子電極、 ２
４，２６ リード線、 ２５ 発光素子用端子電極、
３０ 発光装置、 ３１ 発光装置基板、 ３２ 発光
素子、３３ 遮光層、 ３４ 入射窓、 ３５ 発光装
置用端子電極。
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の電子部品に形成された端子間を接
続する電子部品の端子接続方法であって、 一方の電子部品に形成された端子電極上の所定位置にワ
イヤボンディングよってバンプを形成する工程と、 前記バンプの上に更にワイヤボンディングによってバン
プを積層形成する工程と、 最上段のバンプの頂部または他方の部品に形成された端
子電極に導電性接着剤を付着させる工程と、 前記導電性接着剤を介して前記一方の電子部品に形成さ
れた端子電極と前記他方の電子部品に形成された端子電
極を接続する電子部品間接続工程からなることを特徴と
する電子部品の端子接続方法。 - 【請求項２】 形成された積層状バンプの上に更にワイ
ヤボンディングによりバンプを所定段形成する工程を有
する請求項１記載の電子部品の端子接続方法。 - 【請求項３】 内面に電子部品と端子電極をもつ第１の
基板と、内面に他の電子部品と端子電極をもつ第２の基
板とを対向して一体配置した電子機器であって、 前記第１の基板または前記第２の基板の何れか一方に形
成された端子電極上に複数のバンプが積層されて形成さ
れた積層構造のバンプ電極と、 前記第１の基板または前記第２の基板の何れか他方に端
子電極を備え、 前記一方の端子電極に形成された積層構造のバンプ電極
の頂部または他方の端子電極に付着させた導電性接着剤
によって他方の端子電極を積層構造バンプ電極に接続し
たことを特徴とする電子機器。 - 【請求項４】 内面に受光素子と端子電極をもつ受光素
子基板と、内面に発光素子と端子電極をもつ発光素子基
板とを対向して一体配置した原稿読み取り装置におい
て、 前記受光素子基板または前記発光素子基板の何れか一方
に形成された端子電極上に複数のバンプが積層されて形
成された積層構造のバンプ電極と、 前記受光素子基板または前記発光素子基板の何れか他方
に端子電極を備え、 前記一方の端子電極に形成された積層構造のバンプ電極
の頂部または他方の端子電極に付着させた導電性接着剤
によって他方の端子電極を積層構造バンプ電極に接続す
るとともに、 前記受光素子基板と前記発光素子基板との間にギャップ
形成用の透明スペーサを設けたことを特徴とする原稿読
み取り装置。 - 【請求項５】 放電により形成したワイヤーボールを端
子電極に熱圧着し、ワイヤをクランプした状態でキャピ
ラリツールを引き上げワイヤを切断することにより形成
した凸状のバンプを、何層にも積層した事を特徴とする
積層状金属ワイヤバンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5088244A JPH06302645A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した電子機器およびその端子接続用バンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5088244A JPH06302645A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した電子機器およびその端子接続用バンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302645A true JPH06302645A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13937448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5088244A Pending JPH06302645A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 電子部品の端子接続方法とこの接続方法で接続した電子機器およびその端子接続用バンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302645A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264540A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | バンプ構造、バンプ製造用キャピラリ及びバンプ製造方 法 |
| WO1997048131A1 (fr) * | 1996-06-10 | 1997-12-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure de composant electronique |
| WO2001026155A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, procede et dispositif permettant d'obtenir ce dernier, carte de circuit imprime et equipement electronique |
| DE102004031920B4 (de) * | 2003-06-27 | 2005-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Mehrchippackung und Herstellungsverfahren |
| US7049217B2 (en) | 2003-10-28 | 2006-05-23 | Fujitsu Limited | Method of forming multi-piled bump |
| JP2017069401A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 基板及び発光装置、並びに発光装置の製造方法 |
| US20220001475A1 (en) * | 2018-11-06 | 2022-01-06 | Mbda France | Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP5088244A patent/JPH06302645A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264540A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | バンプ構造、バンプ製造用キャピラリ及びバンプ製造方 法 |
| WO1997048131A1 (fr) * | 1996-06-10 | 1997-12-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure de composant electronique |
| EP0844656A1 (en) * | 1996-06-10 | 1998-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component structure |
| EP0844656A4 (en) * | 1996-06-10 | 2000-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ELECTRONIC MODULE STRUCTURE |
| WO2001026155A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, procede et dispositif permettant d'obtenir ce dernier, carte de circuit imprime et equipement electronique |
| US6489687B1 (en) | 1999-10-01 | 2002-12-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, manufacturing device, circuit board, and electronic equipment |
| DE102004031920B4 (de) * | 2003-06-27 | 2005-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Mehrchippackung und Herstellungsverfahren |
| US7049217B2 (en) | 2003-10-28 | 2006-05-23 | Fujitsu Limited | Method of forming multi-piled bump |
| JP2017069401A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 基板及び発光装置、並びに発光装置の製造方法 |
| US20220001475A1 (en) * | 2018-11-06 | 2022-01-06 | Mbda France | Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints |
| US12070812B2 (en) * | 2018-11-06 | 2024-08-27 | Mbda France | Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints |
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