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JPH0629808B2 - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

Info

Publication number
JPH0629808B2
JPH0629808B2 JP4673287A JP4673287A JPH0629808B2 JP H0629808 B2 JPH0629808 B2 JP H0629808B2 JP 4673287 A JP4673287 A JP 4673287A JP 4673287 A JP4673287 A JP 4673287A JP H0629808 B2 JPH0629808 B2 JP H0629808B2
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JP
Japan
Prior art keywords
silicon chip
pressure sensor
pressure
silicon
bridge circuit
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP4673287A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS63214631A (en
Inventor
恒樹 篠倉
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP4673287A priority Critical patent/JPH0629808B2/en
Publication of JPS63214631A publication Critical patent/JPS63214631A/en
Publication of JPH0629808B2 publication Critical patent/JPH0629808B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
  • Manipulator (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は圧覚センサに関し、詳しくはロボットハンド等
に装着され、把持した物体からの受圧力の検知が可能な
圧覚センサに関する。
The present invention relates to a pressure sensor, and more particularly to a pressure sensor mounted on a robot hand or the like and capable of detecting a pressure received from a grasped object.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年においては産業用ロボットに関する技術の進展が著
しく、特に注目される点は圧覚センサをロボットハンド
に取付けることにより、触角、圧覚といった知覚情報が
得られるようになり、その知能化することが進められて
いることである。そこで、かかる圧覚を検知するセンサ
としての必要な条件を述べると、高感度、高分解能、広
いダイナミックレンジ、耐熱性、直線性、応答性、柔軟
性、すべり感覚等を具え、しかも小型軽量でかつ低コス
トで得られ信頼性の高いこと等を挙げることができる。
In recent years, the technical progress of industrial robots has been remarkably advanced, and the point of particular interest is that by attaching a pressure sensor to a robot hand, it becomes possible to obtain sensory information such as tactile sensation and pressure sensation. It is that. Therefore, the necessary conditions for a sensor to detect such pressure sensation are as follows: high sensitivity, high resolution, wide dynamic range, heat resistance, linearity, responsiveness, flexibility, slippery feeling, etc. It can be mentioned that it can be obtained at low cost and has high reliability.

いま、数多く提案若しくは開発されているこの種の圧覚
センサのうちから代表的な数種のものを第5A図〜第5
C図によって示す。第5A図は押ボタン式センサを示
し、ここで、1はそのボタン、2および3はプラスおよ
びマイナス電極、4はコイルばねであり、その右側は図
示しない把持物と無接触の状態、その左側は把持物によ
りボタン1が押圧された状態を示している。
Of the many types of pressure sensors of this type that have been proposed or developed, several typical types are shown in FIGS. 5A to 5A.
This is shown by the C diagram. FIG. 5A shows a push-button type sensor, in which 1 is its button, 2 and 3 are positive and negative electrodes, 4 is a coil spring, and its right side is in a non-contact state with a gripping object not shown, its left side. Shows the state where the button 1 is pressed by the grasped object.

すなわち、ハンドにより物体が把持されると、ボタン1
が押込まれることによってプラス極2とマイナス極3と
の間の電気的導通がしゃ断されることによりその把持状
態が検知される。
That is, when an object is grasped by the hand, the button 1
When is pressed, the electrical connection between the positive electrode 2 and the negative electrode 3 is cut off, and the gripped state is detected.

第5B図は導電性ゴムを利用した方式のセンサを示し、
ここで5はその導電ゴム層である。そこで、第5B図の
右側に示すようにプラス極2の層側から把持物体によっ
て力を受けると、導電ゴム層5の位置で導電率、換言す
ると電気抵抗が変化することによって、把持状態が検知
される。
FIG. 5B shows a sensor using a conductive rubber,
Here, 5 is the conductive rubber layer. Therefore, as shown in the right side of FIG. 5B, when a force is applied by the gripping object from the layer side of the plus pole 2, the conductivity at the position of the conductive rubber layer 5, in other words, the electrical resistance changes, and the gripping state is detected. To be done.

第5C図は光学的検知手段と組合せて構成された圧覚セ
ンサの例を示す。本例ではアクリル板6の上下にシリコ
ンゴム板7と受光素子列8とが設けられており、アクリ
ル板6を光通路とする光源9がその側方に配設されてい
る。また、シリコンゴム板7にはその下面側に円錐状を
なす突起7Aが形成されており、その突起7Aの先端部
がアクリル板6の上面と軽く接触を保つようにしてあ
る。
FIG. 5C shows an example of a pressure sensor configured in combination with optical detection means. In this example, a silicon rubber plate 7 and a light-receiving element array 8 are provided above and below the acrylic plate 6, and a light source 9 having the acrylic plate 6 as an optical path is arranged laterally. Further, the silicon rubber plate 7 is provided with a conical projection 7A on its lower surface side, and the tip end of the projection 7A is kept in light contact with the upper surface of the acrylic plate 6.

そこで、把持物体によってシリコンゴム板7が加圧され
ると、その突起7Aが図に示すように圧縮されて変形す
る。いま、加圧前の状態においては光源9からの光はア
クリル板6内で均一に反射され、その反射光が受光素子
列8を形成している個々の受光素子8Aに受光される
が、上述の加圧力が加わると、その突起7Aが変形した
部分において乱反射するため、その部分に配置された受
光素子8Aでは受光感度が変化するので、これによって
力の大きさならびに分布を検知することができる。
When the gripping object presses the silicon rubber plate 7, the protrusion 7A is compressed and deformed as shown in the figure. Now, in the state before pressurization, the light from the light source 9 is uniformly reflected in the acrylic plate 6, and the reflected light is received by each of the light receiving elements 8A forming the light receiving element row 8. When the pressing force is applied, the projection 7A is diffusely reflected at the deformed portion, and the light receiving sensitivity of the light receiving element 8A arranged at that portion changes, so that the magnitude and distribution of the force can be detected. .

しかしながら、上述したような圧覚センサのうち、第5
A図に示す方式のものは、ボタン1による“オン”と
“オフ”との2つの状態から加圧力の有無が検知される
のみで、連続的に力の強弱を検知することができず、ま
た、第5B図に示す方式のものは力とゴム層5の導電率
との間の関係に非直線性やヒステリシスの問題があり、
正確に力の大きさとその分布を検出することが難しい。
更にまた、第5C図に示す方式のものにも同様に非直線
性やヒステリシスの問題があり、この場合は構造が複雑
な上に柔軟性に乏しい。また、ここでは例示しなかった
もので提案または開示されている圧覚センサの数は多い
が、特に柔軟性に富み、上述したような色々の条件を満
足する信頼性の高い圧覚センサは大方無いといっても換
言ではない。
However, of the pressure sensors as described above, the fifth
In the system shown in FIG. A, only the presence or absence of the pressing force is detected from the two states of "ON" and "OFF" by the button 1, and the strength of the force cannot be continuously detected. Further, in the system shown in FIG. 5B, there is a problem of non-linearity or hysteresis in the relationship between the force and the conductivity of the rubber layer 5,
It is difficult to accurately detect the magnitude of force and its distribution.
Furthermore, the system shown in FIG. 5C also has problems of non-linearity and hysteresis, and in this case, the structure is complicated and flexibility is poor. Further, although there are many pressure sensors proposed or disclosed by those not illustrated here, there are not many highly reliable pressure sensors that are particularly flexible and satisfy the various conditions described above. That is not a paraphrase.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

本発明の目的は、上述したような従来の問題点に着目
し、その解決を図るべく、圧力と出力との関係が直線性
を有し、ヒステリシスがなく、構造が簡単でしかも柔軟
性に富み、廉価で信頼性の高い圧覚センサを提供するこ
とにある。
The object of the present invention is to pay attention to the above-mentioned conventional problems, and in order to solve the problems, the relationship between pressure and output has linearity, there is no hysteresis, and the structure is simple and flexible. The purpose of the present invention is to provide an inexpensive and highly reliable pressure sensor.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

かかる目的を達成するために、本発明は、溝によって分
割されたシリコンチップをマトリックス状に配設し、シ
リコンチップの各々の受圧面中央部に凹部を設けてこの
凹部に受圧ボタンを嵌合し、凹部に対応するシリコンチ
ップの背面に複数の半導体歪ゲージによるブリッジ回路
を配設し、ブリッジ回路に接続されるスイッチ手段およ
び接続電極を背面側に設けると共に複数の歪ゲージを柔
軟性のある弾性材料の基板によって支持させ、シリコン
チップの各々の間を電気的に接続するようにしたことを
特徴とする。
In order to achieve such an object, according to the present invention, silicon chips divided by grooves are arranged in a matrix, and a concave portion is provided at the center of each pressure receiving surface of each silicon chip, and a pressure receiving button is fitted into this concave portion. , A bridge circuit with a plurality of semiconductor strain gauges is provided on the back surface of the silicon chip corresponding to the recess, switch means and connection electrodes connected to the bridge circuit are provided on the back side, and a plurality of strain gauges are provided with flexible elasticity. It is characterized in that it is supported by a substrate made of a material, and each of the silicon chips is electrically connected.

〔作 用〕[Work]

本発明圧覚センサにおいては、溝によって分割された形
態のシリコンチップ背面側にブリッジ回路に組込まれた
歪ゲージおよびこれに接続されるスイッチ手段、接続電
極が設けられていて、歪ゲージの設けられる範囲が柔軟
な弾性基板によって支持されるので、高感度の出力が得
られ、かつ、上記の溝によって分割された形態であるた
めに全体に柔軟性を保たせることができて、しかも小型
化、薄型化することができる。
In the pressure sensor of the present invention, the strain gauge incorporated in the bridge circuit, the switch means connected to the strain gauge, and the connecting electrode are provided on the back surface side of the silicon chip divided by the groove, and the range where the strain gauge is provided. Is supported by a flexible elastic substrate, high-sensitivity output can be obtained, and since it is divided by the above groove, flexibility can be maintained as a whole, and the size and thickness are small. Can be converted.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳細かつ具体
的に説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail and specifically with reference to the drawings.

第1A図は本発明の一実施例を示す。ここで、11は半
導体のシリコンチップであり、シリコンチップ11の下
面側には複数の歪ゲージ12および電極13が形成され
ている。14はエポキシ樹脂等によって成形したモール
ド基板であり、15はこのモールド基板14のうちの歪
ゲージ12と接する範囲に設けられ、例えばシリコンゴ
ム等の弾性体で成形された弾性基板である。また、シリ
コンチップ11の下面側に設けられている電極13は、
その隣接するセンサユニット10間を電気的に接続する
ための金またはアルミニウム等のボンディングワイヤ1
7によってボンディングされている。
FIG. 1A shows an embodiment of the present invention. Here, 11 is a semiconductor silicon chip, and a plurality of strain gauges 12 and electrodes 13 are formed on the lower surface side of the silicon chip 11. Reference numeral 14 is a molded substrate formed of epoxy resin or the like, and 15 is an elastic substrate which is provided in a range of the molded substrate 14 in contact with the strain gauge 12 and is formed of an elastic body such as silicon rubber. Further, the electrode 13 provided on the lower surface side of the silicon chip 11 is
Bonding wire 1 such as gold or aluminum for electrically connecting the adjacent sensor units 10
Bonded by 7.

18はセンサユニット10間を画成している切込溝であ
り、この切込溝18を設けることによって、センサ全体
に柔軟性が保たれるようにしており、またこの切込溝1
8を設けるためにボンディングワイヤ17には切損され
ないように撓みが持たせてある。19は受圧ボタンであ
り、シリコンチップ11の上面に設けた凹部11Aに摺
動自在に保持される。
Reference numeral 18 is a cut groove that defines the space between the sensor units 10. By providing the cut groove 18, the flexibility of the entire sensor is maintained.
In order to provide 8, the bonding wire 17 is bent so as not to be cut. Reference numeral 19 denotes a pressure receiving button, which is slidably held in a recess 11A provided on the upper surface of the silicon chip 11.

一方、上述した複数の歪ゲージ12間には第2A図に示
すようなホィートストンブリッジ回路が構成されるもの
で、第2A図においては4つの歪ゲージ12がR,R
,RおよびRの抵抗として示されている。またこ
こで、S,SA2,SA1およびSは電界効果型トラン
ジスタFETによるアナログスイッチであり、これらの
スイッチの配列により隣接センサユニット10への信号
のまわり込みを防止し、個々のユニット10における信
号の独立性が保たれるようにしてある。なお、Sおよ
びSは行および列の指令選択手段であり、後述するよ
うにしてこれらの指令選択手段SおよびSを介して
所定の行および列を指定することによりそのブリッジ回
路からの出力Eを得ることができる。
On the other hand, a Wheatstone bridge circuit as shown in FIG. 2A is formed between the plurality of strain gauges 12 described above. In FIG. 2A, the four strain gauges 12 are R 1 , R 2.
It is shown as the resistance of 2 , R 3 and R 4 . Further, here, S V , S A2 , S A1 and S G are analog switches by field effect transistor FET, and arrangement of these switches prevents signals from sneaking into the adjacent sensor unit 10 and prevents the individual units from being spilled. The independence of the signals at 10 is maintained. Note that S X and S Y are row and column command selection means, and by designating a predetermined row and column via these command selection means S X and S Y as described later, the bridge circuit can be changed. Output E can be obtained.

第2B図および第2C図は上述の歪ゲージ12が抵抗R
,R,R,Rとしてシリコンチップ11の下面
に配設された状態およびその受圧状態を示すもので、こ
のような受圧によってシリコンチップ11が撓み、その
結果、ゲージRおよびRには引張応力、ゲージR
およびRには圧縮応力が発生し、第2D図に示すよう
な高感度の出力Eを得ることができる。
2B and 2C, the strain gauge 12 described above has a resistance R.
1 , R 2 , R 3 , and R 4 show the state of being disposed on the lower surface of the silicon chip 11 and the pressure receiving state thereof, and such pressure receiving causes the silicon chip 11 to bend and, as a result, the gauges R 1 and R 4. 3 is tensile stress, gauge R 2
A compressive stress is generated in R 4 and R 4 , and a highly sensitive output E as shown in FIG. 2D can be obtained.

そこで、R〜Rで示される歪ゲージ12およびアナ
ログスイッチS,SA2,SA1,Sに対して指令S
およびSを供給すべく電極13 と上述の歪ゲージ12およびアナログスイッチ間に第1
B図に示すような配線を設けることにより個々のセンサ
ユニット10から出力Eを得ることが可能となる。
Therefore, the command S X is issued to the strain gauge 12 indicated by R 1 to R 4 and the analog switches S V , S A2 , S A1 , and S G.
And electrode 13 to supply S Y Between the strain gauge 12 and the analog switch described above.
The output E can be obtained from each sensor unit 10 by providing the wiring as shown in FIG.

第3図は、第1B図によって示したような回路を行列的
に3×3の配列としたセンサユニット10間の全体の配
線図を一例として示したもので、行の指令選択手段SX1
〜SX3のうちから1つを選択し、更に列の指令選択手段
Y1〜SY3のうちから1つを選択することにより、3×
3のセンサユニット10のうちからいずれか1つのセン
サユニット10のブリッジ回路を介して任意選択的に出
力を得ることができ、また、行の指令選択手段を順次に
選択しながら1つの選択時に列の指令選択手段を次々と
選択することにより1行ずつ、3列のセンサユニット1
0からその順番で出力E,E,Eを次々と得るこ
とができる。
FIG. 3 shows, as an example, an overall wiring diagram between the sensor units 10 in which the circuit shown in FIG. 1B is arranged in a matrix of 3 × 3, and the row command selecting means S X1.
Selects one of the to S X3, by further selecting one of a command selection unit S Y1 to S Y3 column, 3 ×
An output can be optionally obtained from any one of the three sensor units 10 through the bridge circuit of any one of the sensor units 10, and the column command is selected at the time of one selection while sequentially selecting the command selection means of the rows. By sequentially selecting the command selecting means of, the sensor units 1 of one row and three columns
Outputs E 1 , E 2 , and E 3 can be obtained one by one from 0 in that order.

次に第4A図〜第4E図にしたがって本発明圧覚センサ
を製造する手順について説明する。
Next, a procedure for manufacturing the pressure sensor of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4E.

まず、第4A図に示すようにシリコンウエハ110の一
方の面にレジスト層111を形成すると共に他方の面に
歪ゲージ12と電極13とを薄膜技術によって形成し、
その点線で示した部分をエッチングによって取除き、第
4B図で示すように凹部11Aを形成する。次に、この
ようにして得られたシリコンウエハ110を天地して歪
ゲージ12とそのブリッジ回路が設けられた上から薄い
シリコンゴムフィルム等弾性体の層を設け、弾性基板1
5を形成する。
First, as shown in FIG. 4A, a resist layer 111 is formed on one surface of a silicon wafer 110, and a strain gauge 12 and an electrode 13 are formed on the other surface by a thin film technique.
The portion indicated by the dotted line is removed by etching to form the recess 11A as shown in FIG. 4B. Next, the silicon wafer 110 thus obtained is turned upside down, and an elastic layer such as a thin silicon rubber film is provided on the strain gauge 12 and its bridge circuit.
5 is formed.

更にまた隣接する電極13間をボンディングワイヤ17
によって接続した後、シリコンウエハ110の周囲を第
4C図に示すようにして比較的軟質の材料による弾性枠
112で取囲み、軟質エポキシ樹脂等の弾性材料を上面
にモールドしてモールド基板14を形成する。しかして
ここで再度天地して第4D図の状態とする。
Furthermore, the bonding wire 17 is provided between the adjacent electrodes 13.
After the connection, the silicon wafer 110 is surrounded by an elastic frame 112 made of a relatively soft material as shown in FIG. 4C, and an elastic material such as a soft epoxy resin is molded on the upper surface to form the mold substrate 14. To do. Then, up and down again, the state shown in FIG. 4D is obtained.

次に、点線で示した部分に切込溝18を刻設する。なお
溝18の形成にあたっては先に配設したボンディングワ
イヤ17を切断しないよう砥石等を用いて切込めばよ
く、かくすることによってセンサ全体に柔軟性を付与
し、撓みを可能とし、例えばロボットハンドの指部に巻
着することも可能となる。第4E図は第4D図の状態と
したものに受圧ボタン19を嵌込み、その上部を皮膜1
13で被覆した状態を示し、このようにして実用可能な
状態の圧覚センサを得ることができる。
Next, the cut groove 18 is engraved in the portion indicated by the dotted line. When forming the groove 18, it is only necessary to cut the bonding wire 17 previously arranged with a grindstone or the like so as not to cut it. By doing so, flexibility is given to the entire sensor and bending is possible, for example, a robot hand. It is also possible to wrap it around the finger part of. FIG. 4E shows the state shown in FIG. 4D in which the pressure receiving button 19 is fitted and the upper part thereof is covered with the film 1.
A state in which the pressure sensor is covered with 13 is shown, and thus a pressure sensor in a practical state can be obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明してきたように、本発明によれば、溝により分
割されたシリコンチップをマトリックス状に配設し、個
々のシリコンチップの受圧面中央部に凹部を設けて受圧
ボタンを嵌合し、その凹部に対応するシリコンチップの
背面側にはブリッジ回路に組込んだ複数の半導体の歪ゲ
ージを配設し、ブリッジ回路に接続されるスイッチ手段
および接続電極を上記背面側に設けると共に上記複数の
歪ゲージを柔軟性のある弾性材料の基板によって支持さ
せ、個々のシリコンチップ間を電気的に接続するように
したので、薄型で柔軟性に富み実用性の高い理想的な圧
覚センサを提供することが可能となり、ロボットハンド
に適用すれば高度のマニピュレーション作業が可能であ
ってロボットの知能化に貢献することができる。
As described above, according to the present invention, the silicon chips divided by the groove are arranged in a matrix, and the concave portion is provided in the central portion of the pressure receiving surface of each silicon chip to fit the pressure receiving button. A plurality of semiconductor strain gauges incorporated in a bridge circuit are provided on the back surface side of the silicon chip corresponding to the recesses, and switch means and connection electrodes connected to the bridge circuit are provided on the back surface side and the plurality of strain gauges are provided. Since the gauge is supported by the flexible elastic material substrate and the individual silicon chips are electrically connected, it is possible to provide an ideal pressure sensor that is thin, flexible, and highly practical. It becomes possible, and if it is applied to a robot hand, high-level manipulation work is possible and it can contribute to the intelligence of the robot.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1A図は本発明圧覚センサの構成の一例を示す断面
図、 第1B図はそのシリコンチップにおける配線図、 第2A図は本発明に適用される歪ゲージ組込みのブリッ
ジ回路とスイッチ手段との間の原理的な回路構成図、 第2B図はその歪ゲージの配置の一例を示す模式図、 第2C図はその1つのシリコンチップを模式に示す断面
図、 第2D図はその歪ゲージに発生する応力の一例を示す特
性曲線図、 第3図はその圧覚センサを駆動するための回路図、 第4A図〜第4E図は本発明圧覚センサを製造するとき
の過程をその断面により順を追って示す説明図、 第5A図〜第5C図は従来の圧覚センサの3つの形態を
それぞれ模式に示す断面図である。 11……シリコンチップ、 11A……凹部、 12,R〜R……歪ゲージ、 13……電極、 14……モールド基板、 15……弾性基板、 17……ボンディングワイヤ、 18……切込溝、 19……受圧ボタン、 S,SAl,SA2,S……スイッチ(手段)、 110……シリコンウエハ、 111……レジスト層、 112……弾性枠、 113……皮膜。
FIG. 1A is a sectional view showing an example of the configuration of the pressure sensor of the present invention, FIG. 1B is a wiring diagram of the silicon chip, and FIG. 2A is between a bridge circuit incorporating a strain gauge applied to the present invention and a switch means. FIG. 2B is a schematic view showing an example of the arrangement of the strain gauge, FIG. 2C is a sectional view schematically showing one silicon chip, and FIG. 2D is generated in the strain gauge. Fig. 3 is a characteristic curve diagram showing an example of stress, Fig. 3 is a circuit diagram for driving the pressure sensor, and Figs. 4A to 4E show a process of manufacturing the pressure sensor of the present invention in order of its cross section. FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views schematically showing three forms of a conventional pressure sensor. 11 ...... silicon chips, 11A ...... recesses, 12, R 1 to R 4 ...... strain gauges, 13 ...... electrodes, 14 ...... mold board, 15 ...... elastic substrate, 17 ...... bonding wire, 18 ...... switching Komimizo, 19 ...... pressure button, S V, S Al, S A2, S G ...... switch (means), 110 ...... silicon wafer, 111 ...... resist layer, 112 ...... elastic frame, 113 ...... film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】溝によって分割されたシリコンチップをマ
トリックス状に配設し、前記シリコンチップの各々の受
圧面中央部に凹部を設けて該凹部に受圧ボタンを嵌合
し、前記凹部に対応する前記シリコンチップの背面に複
数の半導体歪ゲージによるブリッジ回路を配設し、該ブ
リッジ回路に接続されるスイッチ手段および接続電極を
前記背面側に設けると共に前記複数の歪ゲージを柔軟性
のある弾性材料の基板によって支持させ、前記シリコン
チップの各々の間を電気的に接続するようにしたことを
特徴とする圧覚センサ。
1. A silicon chip divided by a groove is arranged in a matrix form, a recess is provided in the center of each pressure receiving surface of the silicon chip, and a pressure receiving button is fitted into the recess to correspond to the recess. A bridge circuit formed of a plurality of semiconductor strain gauges is arranged on the back surface of the silicon chip, switch means and connection electrodes connected to the bridge circuit are provided on the back surface side, and the plurality of strain gauges are made of a flexible elastic material. A pressure sensor, which is supported by the substrate and is electrically connected to each of the silicon chips.
JP4673287A 1987-03-03 1987-03-03 Pressure sensor Expired - Lifetime JPH0629808B2 (en)

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JP4673287A JPH0629808B2 (en) 1987-03-03 1987-03-03 Pressure sensor

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JPS63214631A JPS63214631A (en) 1988-09-07
JPH0629808B2 true JPH0629808B2 (en) 1994-04-20

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ID=12755505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4673287A Expired - Lifetime JPH0629808B2 (en) 1987-03-03 1987-03-03 Pressure sensor

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