JPH06275582A - Wafer machining device - Google Patents
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハの面取り装置において吸着テ−ブルに
よりウエハを真空チャックして支持し砥石に接触させて
ウエハのへりを研削している。ウエハと吸着テ−ブルの
間に異物を挟み込むと、ウエハの面が傷つくことがあ
る。ウエハの損傷を防止できる加工装置を与えることが
目的。
【構成】 吸着テ−ブルの裏面を洗浄水で洗い発泡軟質
樹脂の清拭器で拭いさらに空気を吹き付けて乾燥させ
る。ウエハもブラシで清掃する。ウエハと吸着テ−ブル
の両方からごみが除去されるので、吸着テ−ブルでウエ
ハを吸着してもウエハが傷つくことがない。
(57) [Abstract] [Purpose] In a wafer chamfering device, a wafer is vacuum chucked and supported by a suction table and brought into contact with a grindstone to grind the edge of the wafer. If a foreign matter is sandwiched between the wafer and the suction table, the surface of the wafer may be damaged. The purpose is to provide a processing device that can prevent damage to the wafer. [Structure] The back surface of the adsorption table is washed with washing water, wiped with a foaming soft resin wiper, and then blown with air to dry. Clean the wafer with a brush. Since dust is removed from both the wafer and the suction table, the wafer is not damaged even if the wafer is sucked by the suction table.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハの面取
り加工装置の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to improvement of a chamfering apparatus for semiconductor wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハは円形の薄い板である。イ
ンゴットを内周刃ブレ−ドなどにより薄層に切断する。
これをアズカットウエハという。これをエッチングした
りラッピングして厚さを整える。アズカットウエハは、
そのままではへりが鋭く尖っているので欠けたりする惧
れがある。そこで、ウエハの外周部のへりを丸く削ると
いう作業を行う。これを面取りという。凹曲面を有する
円形の回転砥石を用いて面取りを行う。凹曲面の形状曲
率は、所望の面取りの曲線に合致するように決定する。
ウエハは、円形の吸着テ−ブルに吸着させることによっ
て支持する。吸着テ−ブルも回転させ砥石も回転させ
る。2. Description of the Related Art A semiconductor wafer is a circular thin plate. The ingot is cut into a thin layer with an inner blade.
This is called an as-cut wafer. The thickness is adjusted by etching or lapping this. As cut wafer
As it is, the edges are sharp and pointed, so there is a fear of chipping. Therefore, the work of rounding the edge of the outer peripheral portion of the wafer is performed. This is called chamfering. Chamfering is performed using a circular rotary grindstone having a concave curved surface. The shape curvature of the concave curved surface is determined so as to match the curve of the desired chamfer.
The wafer is supported by adsorbing it on a circular adsorption table. The adsorption table is also rotated and the grindstone is also rotated.
【０００３】吸着テ−ブルを支持するパイプには、真空
排気装置が接続される。吸着テ−ブルの接触面にはパイ
プに連通する幾つかの穴を持っている。空気が漏れない
ように吸着テ−ブルとウエハは密着させる。真空排気装
置を作動させ吸着テ−ブルとウエハの間の空隙の空気を
吸い出す。ウエハと吸着テ−ブルの間が真空状態にな
る。真空力により吸着テ−ブルがウエハを吸着し固定す
る。An evacuation device is connected to the pipe that supports the adsorption table. The contact surface of the adsorption table has several holes communicating with the pipe. The adsorption table and the wafer are in close contact with each other so that air does not leak. The vacuum exhaust device is operated to suck out the air in the gap between the adsorption table and the wafer. A vacuum is created between the wafer and the suction table. The vacuum table attracts and fixes the wafer by the vacuum force.
【０００４】凹曲面を有する回転砥石により薄いウエハ
の周辺部に面取り部を形成するのであるから、砥石に対
してウエハの軸方向の高さが一定していなければならな
い。ウエハと砥石の位置（高さ）が食い違うと、所望の
曲面をウエハの周縁に設けることができない。Since the chamfered portion is formed in the peripheral portion of the thin wafer by the rotary grindstone having the concave curved surface, the height of the wafer in the axial direction with respect to the grindstone must be constant. If the positions (height) of the wafer and the grindstone are different from each other, a desired curved surface cannot be provided on the peripheral edge of the wafer.
【０００５】吸着テ−ブルは下向きの面を持ち、この面
がウエハを吸着する。ウエハと吸着テ−ブルの吸着面と
の間にごみなどが存在すると、これが柔らかいウエハ面
を傷つける惧れがある。シリコンウエハの場合は硬い材
料であるのでごみなどにより傷つく可能性は少ない。し
かし化合物半導体ウエハの場合は柔らかいのでちょっと
したごみのために面が傷つくということがある。The suction table has a downward surface, and this surface sucks the wafer. The presence of dust or the like between the wafer and the suction surface of the suction table may damage the soft wafer surface. Since a silicon wafer is a hard material, it is unlikely to be damaged by dust. However, since the compound semiconductor wafer is soft, the surface may be damaged by a little dust.
【０００６】吸着テ−ブルによって吸着したウエハのへ
りを回転砥石で削るので吸着テ−ブルには切り屑が飛来
し付着する。吸着テ−ブルは何回も繰り返し使用される
ので切り屑などの汚れが付き易い。切り屑を付けたまま
ウエハを吸着すると屑のためにウエハが傷ついてしま
う。これを防ぐために、従来は吸着テ−ブルの下面に洗
浄水を吹き付けて洗浄しゴム製のワイパ−で拭き取りを
行っていた。これにより吸着テ−ブルに付着した屑など
を除去できる。この洗浄は毎回行う。これにより常に吸
着テ−ブルの下面を清浄に保つことができる。Since the edge of the wafer sucked by the suction table is ground by a rotary grindstone, chips are scattered and adhere to the suction table. Since the suction table is used many times, it is easy to get dirt such as chips. If the wafer is adsorbed with the chips attached, the wafer will be damaged due to the chips. In order to prevent this, conventionally, cleaning water is sprayed on the lower surface of the adsorption table to clean it and wiped with a rubber wiper. This makes it possible to remove dust and the like attached to the adsorption table. This washing is performed every time. As a result, the lower surface of the suction table can always be kept clean.
【０００７】これに反しウエハの表面は洗浄されない。
ウエハは多数枚がウエハカセットに収容されこれを１枚
ずつ搬送装置によって取り出して、吸着テ−ブルまで運
びこれに取り付ける。ウエハの表面は前工程により清浄
になっているとされているものか、ウエハ表面の清浄化
はなされていなかった。ウエハの上に屑がたとえ乗って
いたとしてもこれを除去するということはない。On the contrary, the surface of the wafer is not cleaned.
A large number of wafers are accommodated in a wafer cassette, and the wafers are taken out one by one by a transfer device, conveyed to a suction table, and attached to this. The surface of the wafer is said to have been cleaned in the previous process, or the surface of the wafer has not been cleaned. Even if there is dust on the wafer, it will not be removed.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体ウエハの
面取り加工装置において、吸着テ−ブルのみ簡易洗浄が
なされていた。しかしウエハはたとえ前工程において清
浄表面を持つとしてもこれがウエハカセットに収容され
搬送する間に異物が落下するということもありうる。ま
た吸着テ−ブルの清浄化作業も十分とは言えないと思
う。In the conventional chamfering apparatus for semiconductor wafers, only the suction table was simply cleaned. However, even if the wafer has a clean surface in the previous step, it is possible that foreign matter may fall during the transportation of the wafer in the wafer cassette. I also think that the work of cleaning the adsorption table is not sufficient.
【０００９】削り屑などの異物をウエハと吸着テ−ブル
の間に挟み込んだまま真空チャックすると、柔らかいウ
エハが異物のために傷ついてしまう。このあとエッチン
グしたり研磨したりしても深い傷の場合はこれを除去す
ることができない。If a vacuum chuck is performed with foreign matter such as shavings sandwiched between the wafer and the suction table, the soft wafer will be damaged by the foreign matter. Even if it is subsequently etched or polished, if it is a deep scratch, it cannot be removed.
【００１０】本発明はウエハと吸着テ−ブルの両者を面
取りの直前において清浄化し、異物がウエハと吸着テ−
ブルの間に挟み込まれないようにしたウエハ面取り加工
装置を提供することを目的とする。According to the present invention, both the wafer and the suction table are cleaned immediately before chamfering so that foreign matters are absorbed on the wafer and the suction table.
It is an object of the present invention to provide a wafer chamfering processing device that is prevented from being sandwiched between bulls.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ加工装置
は、面取り加工の直前に、ウエハをブラシで清掃し、吸
着テ−ブルも水によって洗浄し軟質樹脂で水とごみを拭
き取るようにしている。このためウエハの搬送装置の途
中にブラシを設けてウエハの上面を清掃する。また吸着
テ−ブルは面取り加工を行う加工室の上方に設けた洗浄
室で下面に水を吹き付けさらに樹脂製の清拭器で面を拭
うようにしている。さらにブラシで異物を除去したウエ
ハに空気を吹き付けるようにすれば一層効果があり、吸
着テ−ブルにも空気を吹き付けるとさらに良い。In the wafer processing apparatus of the present invention, a wafer is cleaned with a brush immediately before chamfering, the suction table is also washed with water, and water and dust are wiped off with a soft resin. There is. Therefore, a brush is provided in the middle of the wafer transfer device to clean the upper surface of the wafer. Further, the suction table is configured such that a cleaning chamber provided above a processing chamber for chamfering sprays water on the lower surface and wipes the surface with a resin wiper. Further, it is more effective to blow air to the wafer from which foreign substances have been removed with a brush, and it is even better to blow air to the adsorption table.
【００１２】[0012]
【作用】ウエハの面取り加工を行う場合、従来はウエハ
の上面を清掃しなかったし吸着テ−ブルの清掃も不十分
であったため、吸着テ−ブルによりウエハの面が傷つく
ことがあった。しかし本発明では、ウエハの上面をブラ
シで清掃するのでウエハの上に異物が付着しているとい
うことはない。When the wafer is chamfered, the upper surface of the wafer has not been conventionally cleaned and the suction table has not been sufficiently cleaned, so that the surface of the wafer may be damaged by the suction table. However, in the present invention, since the upper surface of the wafer is cleaned with a brush, foreign matter does not adhere to the wafer.
【００１３】また吸着テ−ブルの下面を洗浄し清拭器で
拭うようになっている。吸着テ−ブルの方にもごみなど
が付着しているということがない。ためにウエハを吸着
テ−ブルで真空チャックしてウエハのヘリを回転砥石で
面取りした場合、挟み込まれた異物によりウエハが傷つ
くということはない。従って歩留り良く面取り加工を行
うことができる。The lower surface of the suction table is cleaned and wiped with a wiper. No dust is attached to the suction table. Therefore, when the wafer is vacuum-chucked by the suction table and the edge of the wafer is chamfered by the rotary grindstone, the foreign matter sandwiched does not damage the wafer. Therefore, chamfering can be performed with good yield.
【００１４】また加工室とは別の空間で吸着テ−ブルを
洗浄し清拭器で清掃するようにすれば、加工室のよごれ
により吸着テ−ブルが汚染される可能性がない。より完
全に吸着テ−ブルが清浄化されるので、ごみ除去の効果
がより高くなる。Further, if the suction table is cleaned in a space different from the processing chamber and is cleaned with a wiper, there is no possibility that the suction table is contaminated due to dirt in the processing chamber. Since the adsorption table is cleaned more completely, the effect of removing dust becomes higher.
【００１５】[0015]
【実施例】図１は本発明の実施例に係るウエハ加工装置
の平面図である。図２は同じ物の正面図である。ウエハ
１はウエハ搬送装置２によってウエハカセット（図示せ
ず）から水平方向に搬送される。ウエハの停止位置に
は、ウエハセンタリング３がありこれが、ウエハの位置
を正しく決める。ウエハ搬送装置２の上にウエハが戴置
されて真空チャックして運ばれるが、必ずしも正しい位
置にあるとは限らないので、ここで正しい位置に置き直
す。1 is a plan view of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a front view of the same object. The wafer 1 is horizontally transferred from the wafer cassette (not shown) by the wafer transfer device 2. At the wafer stop position, there is a wafer centering 3, which correctly positions the wafer. The wafer is placed on the wafer transfer device 2 and is vacuum chucked and carried, but it is not always in the correct position, so it is replaced here in the correct position.
【００１６】側方にウエハセンタリング３がある。これ
は前後にテフロンの円盤の緩衝材を付けたコの字型の部
材である。これが左右から接近してきてウエハ１を挟
む。するとウエハ１がウエハ搬送装置２の上で正しい位
置に直る。ウエハセンタリング３が開き、ウエハ１が開
放される。ウエハ搬送装置２がさらに進んで、ロ−ルブ
ラシ４の下を通過する。ロ−ルブラシ４はモ−タ５によ
って回転駆動される。ロ−ルブラシ４がウエハ１の上面
を擦ることにより清掃する。さらに、エアブロ−６によ
って、ウエハ１の上面が空気により清掃される。ふたつ
の装置によって、ウエハの上面に載っていた異物が除去
される。There is a wafer centering 3 on the side. This is a U-shaped member with a Teflon disk cushioning material attached to the front and back. This approaches from the left and right and sandwiches the wafer 1. Then, the wafer 1 is returned to the correct position on the wafer transfer device 2. The wafer centering 3 is opened and the wafer 1 is released. The wafer transfer device 2 further advances and passes under the roll brush 4. The roll brush 4 is rotationally driven by the motor 5. The roll brush 4 rubs the upper surface of the wafer 1 to clean it. Further, the air blower 6 cleans the upper surface of the wafer 1 with air. The foreign matter on the upper surface of the wafer is removed by the two devices.
【００１７】ロ−ルブラシ４は、回転してウエハを清掃
するものである。多くの直毛を植えたブラシ状のもので
も良い。さらに多孔性の軟質樹脂を円柱状に巻いて利用
しても良い。この場合、穴径が４０〜１００μｍで、気
孔率が８０〜９０％の軟質樹脂が適する。たとえばカネ
ボウベルクリン（商標名）が好適である。The roll brush 4 rotates to clean the wafer. It may be a brush with many straight hairs. Further, a porous soft resin may be wound in a cylindrical shape for use. In this case, a soft resin having a hole diameter of 40 to 100 μm and a porosity of 80 to 90% is suitable. For example, Kanebo Bergclin (trade name) is suitable.
【００１８】従来、このようにウエハ上面のごみを取る
作業はなされていなかった。本発明はウエハ上面を清掃
することによりウエハに載っていた異物によりウエハが
傷つく可能性を除くことができる。ウエハ搬送装置２が
さらに延びて、加工室７に入り吸着テ−ブル８によって
吸着されるのであるが、その前に吸着テ−ブル８が洗浄
される。Conventionally, such work for removing dust on the upper surface of the wafer has not been performed. According to the present invention, cleaning the upper surface of the wafer eliminates the possibility that the foreign matter on the wafer may damage the wafer. The wafer transfer device 2 further extends and enters the processing chamber 7 and is sucked by the suction table 8. Before that, the suction table 8 is cleaned.
【００１９】吸着テ−ブル８は、従来水洗いされゴムの
ワイパ−で拭き取られていただけであった。これでは不
十分であるので、本発明で加工室７の上に洗浄室１０を
設けここで吸着テ−ブル８を特別に洗浄する。これを図
３に示す。洗浄室１０と、加工室７の間には仕切り１１
があり、一部に開口１２がある。開口１２をシャッタ−
１３で開閉できる。The adsorption table 8 is conventionally only washed with water and wiped off with a rubber wiper. Since this is not sufficient, a cleaning chamber 10 is provided above the processing chamber 7 in the present invention, and the adsorption table 8 is specially cleaned here. This is shown in FIG. A partition 11 is provided between the cleaning room 10 and the processing room 7.
There is an opening 12 in part. Shutter opening 12
You can open and close with 13.
【００２０】加工室７では回転砥石９によりウエハの面
取りがなされるので、研磨材や水、削りくずが飛び散
る。洗浄室１０は汚れていてはいけない。そこで洗浄室
１０は別室としているのである。吸着テ−ブル８を上下
に移動させる機構があるが、図示を省略している。吸着
テ−ブル８を引き上げるために前記の開口１２がある。
吸着テ−ブル８を洗浄室１０に引き上げてからシャッタ
−１３を閉じる。Since the wafer is chamfered by the rotating grindstone 9 in the processing chamber 7, abrasives, water, and shavings scatter. The washing room 10 must not be dirty. Therefore, the cleaning room 10 is a separate room. Although there is a mechanism for moving the suction table 8 up and down, the illustration is omitted. The opening 12 is provided for raising the suction table 8.
After pulling up the suction table 8 to the cleaning chamber 10, the shutter 13 is closed.
【００２１】側方から洗浄器１４を延ばす。洗浄器１４
は吸着テ−ブル８の下で停止する。図４に示すように、
円盤状であるが、内部が空洞になっており、洗浄水と空
気を通すことができるようになっている。腕１６が洗浄
器１４と、清拭器１５とを支持しており、水平方向に移
動できるようになっている。腕１６はまた洗浄水とエア
の通り道にもなっている。The washer 14 is extended from the side. Washing machine 14
Stops under the adsorption table 8. As shown in FIG.
It is disk-shaped, but the inside is hollow so that wash water and air can pass through. The arm 16 supports the washer 14 and the wiper 15, and can move in the horizontal direction. The arm 16 also serves as a passageway for flush water and air.
【００２２】洗浄器１４が吸着テ−ブル８の真下に位置
し、回転しながら洗浄水を吹き上げる。吸着テ−ブル８
の下面が清掃される。さらにエアにより吸着テ−ブル８
の下面の水が除去される。このあと腕１６がさらに前進
し、吸着テ−ブル８の下面を清拭器１５が拭う。これが
重要である。清拭器１５は発泡体の軟質樹脂部を折り畳
んで上向きに二つの止め具の間に差し込んで固定したも
のである。The washing device 14 is located directly below the adsorption table 8 and blows washing water while rotating. Adsorption table 8
The underside of is cleaned. Adsorption table 8 with air
Water on the underside of is removed. After that, the arm 16 further advances, and the wiping device 15 wipes the lower surface of the suction table 8. This is important. The wiper 15 is formed by folding a soft resin portion of foam and inserting it upward and inserting it between two stoppers.
【００２３】軟質樹脂は、多孔質の樹脂が適する。たと
えば穴径が４０〜１００μｍで、気孔率が８０〜９０％
のものが良い。孔径が４０μｍよりも小さいと塵を吸着
する効果が少ない。孔径が１００μｍよりも大きいと小
さな塵を吸着できない。このようなものとして、カネボ
ウベルクリン（商標名）が好適である。多孔性であるの
が、ごみなどを効率良く吸着することができる。しかし
これよりも少し気孔率の低いものも使える。たとえば、
気孔率が３０〜８０％のものも利用できる。３０％以下
の気孔率のものは十分に塵を吸収することができない。A porous resin is suitable as the soft resin. For example, the hole diameter is 40 to 100 μm and the porosity is 80 to 90%.
Things are good. If the pore size is smaller than 40 μm, the effect of adsorbing dust is small. If the pore size is larger than 100 μm, small dust cannot be adsorbed. As such a material, Kanebo Bergclin (trademark) is preferable. Since it is porous, it can efficiently adsorb dust and the like. However, a material with a slightly lower porosity can be used. For example,
A material having a porosity of 30 to 80% can also be used. Those having a porosity of 30% or less cannot absorb dust sufficiently.
【００２４】このほかにポリエチレン、塩化ビニルなど
の発泡体を清拭器の材料として用いることも可能であ
る。In addition to this, it is also possible to use a foam such as polyethylene or vinyl chloride as a material for the wiper.
【００２５】このように吸着テ−ブル８は、洗浄室１０
に於いて、水洗いされ、空気で乾燥させ、ごみを吹き飛
ばし、加えて発泡軟質樹脂で拭き清められる。ために吸
着テ−ブルに付着していた異物は全て除去される。As described above, the adsorption table 8 is provided in the cleaning chamber 10.
At that time, it is washed with water, dried with air, blows away dust, and wiped clean with a soft foam resin. Therefore, all the foreign matters attached to the suction table are removed.
【００２６】本発明の効果を調べるために、４インチＧ
ａＡｓウエハと吸着テ−ブルを次の条件で洗浄清掃し、
ウエハを吸着テ−ブルで吸着し各２５枚ずつ面取り加工
を行った。そして洗浄清掃条件の違いにより２５枚のう
ち、不良枚数の発生を調べた。従来方法では不良枚数は
２５枚中２０枚であった。不良というのはウエハにキズ
が付いていたり割れたりするものを意味する。結果を表
１に示す。In order to investigate the effect of the present invention, a 4-inch G
Clean and clean the aAs wafer and suction table under the following conditions:
The wafer was sucked by a suction table and chamfering was performed on each 25 wafers. Then, the occurrence of defective sheets out of 25 sheets was examined due to the difference in washing and cleaning conditions. In the conventional method, the number of defective sheets was 20 out of 25. A defect means that the wafer is scratched or broken. The results are shown in Table 1.
【００２７】加工条件 ウエハ ４インチφ ７００μｍｔ ケミカル研磨量 ２０μｍ 吸着テ−ブル吸着面直径 ９０ｍｍφ 吸着圧力 ３ｋｇ／ｃｍ
2 ウエハ試験枚数 ２５枚Processing conditions Wafer 4 inches φ 700 μmt Chemical polishing amount 20 μm Adsorption table Adsorption surface diameter 90 mm φ Adsorption pressure 3 kg / cm
2 wafer test number 25
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】いずれの場合でも、従来法よりは不良発生
枚数が少ない。ウエハの清掃についていえば、エアブロ
−は少しであるが傷つき防止の効果を挙げている。ロ−
ルブラシの材質は、ゴムはあまりごみの除去に有効でな
いようである。弾性に富むが表面が平滑でごみなどを吸
い取ってしまうことができないからであろう。樹脂製ブ
ラシというのは線状の樹脂をブラシ状に植毛したもので
あるが、これはゴムよりは有効である。しかし、なおご
み取り効果が不十分である。これは一旦ごみを吸着して
も永久保持できず、ごみが再び表面に出てくるからであ
ろう。In any case, the number of defective sheets is smaller than that in the conventional method. Regarding the cleaning of the wafer, the effect of preventing scratches is mentioned although the air blow is small. Low
As for the material of rubrush, rubber does not seem to be very effective in removing dust. It is rich in elasticity, but the surface is smooth and it cannot absorb dust. The resin brush is a brush made of linear resin, which is more effective than rubber. However, the debris removal effect is still insufficient. This is because once dust is adsorbed, it cannot be retained permanently and the dust reappears on the surface.
【００３０】最も有効なのは、発泡軟質樹脂のものであ
る。これは先述のようにカネボウベルクリン等である。
軟質樹脂であるので、ウエハ面を柔らかくしかも前面に
接触しながら清掃できる。発泡してあるので擦り取った
異物を面積の広い内部の空洞部に吸着できる。ために異
物の除去に優れ再汚染を起こさないのであろう。軟質樹
脂部の材質は多孔質であることが望ましいが、気孔率で
いうと、８０〜９０％、孔径は４０〜１００μｍ程度で
あるのが良い。The most effective one is a foamed soft resin. This is Kanebo Bergclin, etc., as described above.
Since it is a soft resin, the wafer surface is soft and can be cleaned while contacting the front surface. Since it is foamed, the scraped foreign matter can be adsorbed to the internal cavity having a large area. Therefore, it is likely to remove foreign matter and prevent recontamination. The material of the soft resin portion is preferably porous, but in terms of porosity, 80 to 90%, and the pore diameter is preferably 40 to 100 μm.
【００３１】吸着テ−ブルの清掃条件についていうと、
洗浄室は有ったほうが良い。洗浄室がないと、加工室で
吸着テ−ブルを洗浄し乾燥することになる。加工室は研
磨材粉末や研磨液などで汚れているから、吸着テ−ブル
に汚れが付き易いのであろう。清掃の方法について見る
と、水とエアだけのものよりも、水とエアと軟質樹脂の
清拭器により拭き取った方がより効果的であるというこ
とが分かる。Regarding the cleaning conditions of the suction table,
It is better to have a washing room. Without a cleaning chamber, the adsorption table would be cleaned and dried in the processing chamber. Since the processing chamber is contaminated with abrasive powder, polishing liquid, etc., the adsorption table is likely to be contaminated. Looking at the cleaning method, it can be seen that it is more effective to wipe with a water / air / soft resin wiper than with water / air only.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明は、半導体ウエハの面取り加工を
行う際、吸着テ−ブルの下面とウエハの上面をブラシや
清拭器によって清掃する。ために異物が吸着テ−ブルと
ウエハの間に挟み込まれるということがない。面取り加
工を行っている間において、ウエハが異物によってキズ
付くことがなく、次の効果を挙げることができる。According to the present invention, when chamfering a semiconductor wafer, the lower surface of the suction table and the upper surface of the wafer are cleaned with a brush or a wiper. Therefore, foreign matter is not caught between the suction table and the wafer. During the chamfering process, the wafer is not scratched by foreign matters, and the following effects can be achieved.
【００３３】ウエハと吸着テ−ブルに付着していた異
物を除去することによりウエハが傷つき難い。たとえ傷
ついても浅いキズである。By removing the foreign matters attached to the wafer and the suction table, the wafer is less likely to be damaged. Even if it is hurt, it is a shallow scratch.
【００３４】ウエハを擦るロ−ルブラシに発泡体の軟
質樹脂を用いれば異物除去効率がさらに良くなる。ウエ
ハの損傷をさらに効果的に防止できる。If a foam soft resin is used for the roll brush for rubbing the wafer, the foreign matter removal efficiency is further improved. Wafer damage can be prevented more effectively.
【００３５】ウエハをロ−ルブラシで擦って清掃した
後、さらにエアブロ−を行うとウエハ上の異物除去の効
率がさらに高揚する。After cleaning the wafer by rubbing it with a roll brush, air blowing is further performed to further enhance the efficiency of removing foreign matters on the wafer.
【００３６】吸着テ−ブルに洗浄水を回転しながら吹
き付け、発泡体の軟質樹脂で水を拭き取り、エアブロ−
で吹き飛ばすので、吸着テ−ブルから異物が効果的に除
去される。Washing water is sprayed onto the adsorption table while rotating, the water is wiped off with the soft resin of the foam, and the air blower is used.
The foreign matter is effectively removed from the adsorption table because it is blown away with.
【００３７】加工室とは別異の洗浄室で吸着テ−ブル
を洗浄するので、吸着テ−ブルへの新たな異物の付着を
防ぐことができる。Since the adsorption table is cleaned in a cleaning chamber different from the processing chamber, it is possible to prevent new foreign matter from adhering to the adsorption table.
【図１】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の平面
図。FIG. 1 is a plan view of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の正面
図。FIG. 2 is a front view of the wafer processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の加工室
と洗浄室の縦断面図。FIG. 3 is a vertical sectional view of a processing chamber and a cleaning chamber of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例に係るウエハ加工装置の吸着テ
−ブル洗浄器の底面図。FIG. 4 is a bottom view of the suction table cleaning device of the wafer processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
１ ウエハ ２ ウエハ搬送装置 ３ ウエハセンタリング ４ ロ−ルブラシ ５ モ−タ ６ エアブロ− ７ 加工室 ８ 吸着テ−ブル ９ 回転砥石 １０ 洗浄室 １１ 仕切り １２ 開口 １３ シャッタ− １４ 洗浄器 １５ 清拭器（発泡体の軟質樹脂） １６ 腕 １７ 洗浄水及びエア吹き出し口 1 Wafer 2 Wafer transfer device 3 Wafer centering 4 Roll brush 5 Motor 6 Air blower 7 Processing chamber 8 Adsorption table 9 Rotating grindstone 10 Cleaning chamber 11 Partition 12 Opening 13 Shutter 14 Washer 15 Wiper (foaming) Soft resin of body) 16 arms 17 Wash water and air outlet
Claims (4)
する回転砥石と、ウエハを吸着し回転支持しながら砥石
にウエハを接触させる吸着テ−ブルと、ウエハを吸着テ
−ブルの下に搬送し加工されたウエハを吸着テ−ブルか
ら搬送する搬送装置と、回転砥石を収容する加工室とを
有し、ウエハの搬送経路の途中にブラシを設けウエハの
上面を清掃し、洗浄水と空気を吹き出す洗浄器を設けて
吸着テ−ブルの下面を洗浄し、さらに軟質樹脂の清拭器
によって吸着テ−ブルの下面を清掃するようにした事を
特徴とするウエハ加工装置。1. A rotary grindstone for grinding the outer periphery of a wafer to chamfer a rounded edge, a suction table for contacting the wafer with the grindstone while adsorbing the wafer and supporting the wafer, and transporting the wafer under the suction table. It has a transfer device for transferring the processed wafer from the suction table and a processing chamber for accommodating the rotary grindstone. A wafer processing apparatus characterized in that a cleaning device for blowing out the cleaning liquid is provided to clean the lower surface of the suction table, and further the lower surface of the suction table is cleaned by a soft resin wiping machine.
る洗浄室が設けられ、洗浄室と加工室との間にシャッタ
−が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
ウエハ加工装置。2. A cleaning chamber for accommodating a cleaning device for cleaning the adsorption table is provided, and a shutter is provided between the cleaning chamber and the processing chamber. Wafer processing equipment.
を清掃する清拭器のうち少なくとも一方が多孔性の軟質
樹脂からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の
ウエハ加工装置。3. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein at least one of a brush for cleaning the wafer and a wiping device for cleaning the suction table is made of a porous soft resin.
μｍであり、気孔率が８０〜９０％である請求項３に記
載のウエハ加工装置。4. The pore diameter of the porous soft resin is 40 to 100.
The wafer processing apparatus according to claim 3, wherein the wafer processing apparatus has a thickness of μm and a porosity of 80 to 90%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8532193A JPH06275582A (en) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | Wafer machining device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8532193A JPH06275582A (en) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | Wafer machining device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275582A true JPH06275582A (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=13855361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8532193A Pending JPH06275582A (en) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | Wafer machining device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275582A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216122A (en) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Surface grinding method for semiconductor wafer |
| JP4668350B1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-04-13 | イーティーシステムエンジニアリング株式会社 | Semiconductor wafer separator |
| JP6304349B1 (en) * | 2016-11-15 | 2018-04-04 | 株式会社Sumco | Wafer edge polishing apparatus and method |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP8532193A patent/JPH06275582A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216122A (en) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Surface grinding method for semiconductor wafer |
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| JP2011249640A (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Et System Engineering Co Ltd | Semiconductor wafer separation unit |
| JP6304349B1 (en) * | 2016-11-15 | 2018-04-04 | 株式会社Sumco | Wafer edge polishing apparatus and method |
| JP2018079523A (en) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Sumco | Wafer edge polishing device and method |
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