JPH06275126A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH06275126A JPH06275126A JP5063995A JP6399593A JPH06275126A JP H06275126 A JPH06275126 A JP H06275126A JP 5063995 A JP5063995 A JP 5063995A JP 6399593 A JP6399593 A JP 6399593A JP H06275126 A JPH06275126 A JP H06275126A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率が大きく、かつ無負荷Ｑが大きく、
しかも共振周波数の温度変化が小さい誘電体磁器組成物
を提供するものである。 【構成】 組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）
2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3 A/2+2B（式中、０≦ｘ≦０．８、
０．２≦ｙ≦０．５、−０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．
５≦Ｂ≦＋０．５、ただし０．２≦ｘ＋ｙ≦１）で表さ
れるバリウム、ネオジム、サマリウム、ビスマス、チタ
ンおよび酸素からなる誘電体磁器組成物。
しかも共振周波数の温度変化が小さい誘電体磁器組成物
を提供するものである。 【構成】 組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）
2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3 A/2+2B（式中、０≦ｘ≦０．８、
０．２≦ｙ≦０．５、−０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．
５≦Ｂ≦＋０．５、ただし０．２≦ｘ＋ｙ≦１）で表さ
れるバリウム、ネオジム、サマリウム、ビスマス、チタ
ンおよび酸素からなる誘電体磁器組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器等の材料
として好適な誘電体磁器組成物に関する。本発明の誘電
体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えばマイ
クロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒などにも適用さ
れる。
として好適な誘電体磁器組成物に関する。本発明の誘電
体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えばマイ
クロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒などにも適用さ
れる。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Ｑが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Ｑが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
【０００３】この改良系としてＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ
2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０−３５４０６号公
報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公報）について
の提案がなされているが、さらに小型の誘電体共振器が
求められ、そのためさらに誘電率の大きい材料の開発が
望まれている。
2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０−３５４０６号公
報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公報）について
の提案がなされているが、さらに小型の誘電体共振器が
求められ、そのためさらに誘電率の大きい材料の開発が
望まれている。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は、マイクロ波誘電体共振
器材料としてさらに優れた特性を有する誘電体磁器組成
物、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の
温度変化の小さい誘電体磁器組成物を提供することにあ
る。
器材料としてさらに優れた特性を有する誘電体磁器組成
物、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の
温度変化の小さい誘電体磁器組成物を提供することにあ
る。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明は、組成式、Ｂ
ａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+
2B（式中、０≦ｘ≦０．８、０．２≦ｙ≦０．５、−
０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５、ただ
し０．２≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるバリウム、ネオジ
ム、サマリウム、ビスマス、チタンおよび酸素からなる
誘電体磁器組成物に関する。
ａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+
2B（式中、０≦ｘ≦０．８、０．２≦ｙ≦０．５、−
０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５、ただ
し０．２≦ｘ＋ｙ≦１）で表されるバリウム、ネオジ
ム、サマリウム、ビスマス、チタンおよび酸素からなる
誘電体磁器組成物に関する。
【０００６】本発明によれば、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12構
造においてＮｄの一部または全部をＳｍで置換すること
によって大きな誘電率を保持しながら、共振周波数の温
度変化を小さくできる。さらにＮｄの一部をＢｉで置換
することによってさらに誘電率を大きくでき、共振周波
数の温度変化を小さくできるが、Ｎｄの置換量が多くな
るとＱ値が低下するので置換量ｙは上記の範囲に設定さ
れる。
造においてＮｄの一部または全部をＳｍで置換すること
によって大きな誘電率を保持しながら、共振周波数の温
度変化を小さくできる。さらにＮｄの一部をＢｉで置換
することによってさらに誘電率を大きくでき、共振周波
数の温度変化を小さくできるが、Ｎｄの置換量が多くな
るとＱ値が低下するので置換量ｙは上記の範囲に設定さ
れる。
【０００７】さらに、組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx
Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+2Bにおいて、−０．５
≦Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５の範囲からは
ずれると、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12基本構造以外の異相を
形成しやすくなり、誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑ
値のいずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下す
る。またこの範囲からはずれるとＢｉなどが焼成時に離
脱しやすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的特
性のばらつきを生じやすくなり好ましくない。なお、Ａ
＝０、Ｂ＝０のとき、すなわちＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12構
造において良好な特性が得られる。
Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+2Bにおいて、−０．５
≦Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５の範囲からは
ずれると、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12基本構造以外の異相を
形成しやすくなり、誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑ
値のいずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下す
る。またこの範囲からはずれるとＢｉなどが焼成時に離
脱しやすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的特
性のばらつきを生じやすくなり好ましくない。なお、Ａ
＝０、Ｂ＝０のとき、すなわちＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12構
造において良好な特性が得られる。
【０００８】本発明による誘電体磁器組成物は、バリウ
ム、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよびチタンの炭
酸塩、酸化物などの仮焼・焼成により酸化物となるよう
な出発原料を混合して仮焼した後、成形、焼成して焼結
させる方法で製造することができる。
ム、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよびチタンの炭
酸塩、酸化物などの仮焼・焼成により酸化物となるよう
な出発原料を混合して仮焼した後、成形、焼成して焼結
させる方法で製造することができる。
【０００９】まず、炭酸バリウム、酸化ネオジム、酸化
サマリウム、酸化ビスマスおよび酸化チタンを各所定量
ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有
ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に９００〜１１００
℃で約１〜５時間程度仮焼する。これによって形成され
た仮焼物を湿式あるいは乾式で粉砕した後、ポリビニル
アルコールの如き有機バインダを加え、乾燥後、加圧成
形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。成
形方法としては、一軸加圧成形の他、ＨＩＰ、ドクター
成形、鋳込み成形などでもよい。得られた成形体を空気
の如き酸素含有ガス雰囲気下に１２００〜１４００℃で
焼成すれば、上記誘電体磁器組成物が得られる。
サマリウム、酸化ビスマスおよび酸化チタンを各所定量
ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有
ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に９００〜１１００
℃で約１〜５時間程度仮焼する。これによって形成され
た仮焼物を湿式あるいは乾式で粉砕した後、ポリビニル
アルコールの如き有機バインダを加え、乾燥後、加圧成
形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。成
形方法としては、一軸加圧成形の他、ＨＩＰ、ドクター
成形、鋳込み成形などでもよい。得られた成形体を空気
の如き酸素含有ガス雰囲気下に１２００〜１４００℃で
焼成すれば、上記誘電体磁器組成物が得られる。
【００１０】こうして得られた誘電体磁器組成物は、そ
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電
体基板、誘電体調整棒などの材料として利用することが
でき、特にＭＨｚ〜ＧＨｚ帯で使用される場合に優れた
効果が奏される。
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電
体基板、誘電体調整棒などの材料として利用することが
でき、特にＭＨｚ〜ＧＨｚ帯で使用される場合に優れた
効果が奏される。
【００１１】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
更に具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１００モル、酸化
ネオジム粉末（Ｎｄ2Ｏ3 ）０．０７５モル、酸化ビス
マス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）０．０２５モル、および酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．４００モルをエタノールと共
にボールミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶媒のエ
タノールを蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。粉砕
物は空気雰囲気下に１０００℃で仮焼した後、再びらい
潰機で１時間粉砕した。この粉砕物に適量のポリビニル
アルコール溶液を加えて乾燥後、直径約９mm、厚さ４mm
のペレットに成形し、空気雰囲気下に１２９０℃で２時
間焼成、焼結して本実施例の誘電体磁器組成物Ｂａ（Ｎ
ｄ0.81Ｂｉ0.19）2 Ｔｉ4Ｏ12を得た。こうして得られ
た磁器組成物を直径約７mm、厚さ約２mmのペレットに加
工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数（４
〜５ＧＨｚ）における無負荷Ｑおよび比誘電率εr を求
めた。また、共振周波数の温度依存性については、０℃
から５０℃の範囲で測定し、温度係数τf を求めた。そ
の結果を表１および表２に示す。
更に具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１００モル、酸化
ネオジム粉末（Ｎｄ2Ｏ3 ）０．０７５モル、酸化ビス
マス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）０．０２５モル、および酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．４００モルをエタノールと共
にボールミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶媒のエ
タノールを蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。粉砕
物は空気雰囲気下に１０００℃で仮焼した後、再びらい
潰機で１時間粉砕した。この粉砕物に適量のポリビニル
アルコール溶液を加えて乾燥後、直径約９mm、厚さ４mm
のペレットに成形し、空気雰囲気下に１２９０℃で２時
間焼成、焼結して本実施例の誘電体磁器組成物Ｂａ（Ｎ
ｄ0.81Ｂｉ0.19）2 Ｔｉ4Ｏ12を得た。こうして得られ
た磁器組成物を直径約７mm、厚さ約２mmのペレットに加
工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数（４
〜５ＧＨｚ）における無負荷Ｑおよび比誘電率εr を求
めた。また、共振周波数の温度依存性については、０℃
から５０℃の範囲で測定し、温度係数τf を求めた。そ
の結果を表１および表２に示す。
【００１２】実施例２〜２１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、および焼成温度を１２５
０〜１３５０℃にかえた他は、実施例１と同様にして誘
電体磁器組成物を製造し、特性を測定した。その結果を
表１、表２、表３および表４に示す。
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、および焼成温度を１２５
０〜１３５０℃にかえた他は、実施例１と同様にして誘
電体磁器組成物を製造し、特性を測定した。その結果を
表１、表２、表３および表４に示す。
【００１３】比較例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉末（ＴｉＯ2 ）を
表３に示すようなモル比になるようにし、焼成温度を１
３５０℃にかえた他は実施例１と同様にして誘電体磁器
組成物を製造し、物性を測定した。その結果を表３およ
び表４に示す。
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉末（ＴｉＯ2 ）を
表３に示すようなモル比になるようにし、焼成温度を１
３５０℃にかえた他は実施例１と同様にして誘電体磁器
組成物を製造し、物性を測定した。その結果を表３およ
び表４に示す。
【００１４】比較例２〜５ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、および焼成温度を１２５
０〜１３５０℃にかえた他は実施例１と同様にして誘電
体磁器組成物を製造し、物性を測定した。その結果を表
３および表４に示す。
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、および焼成温度を１２５
０〜１３５０℃にかえた他は実施例１と同様にして誘電
体磁器組成物を製造し、物性を測定した。その結果を表
３および表４に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】
【表４】
【００１９】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、特に高誘
電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小
さく、誘電体共振器材料、特にＭＨｚからＧＨｚ帯で使
用される共振器材料として好適である。また、本発明の
誘電体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えば
マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒等にも適用
できる。
電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小
さく、誘電体共振器材料、特にＭＨｚからＧＨｚ帯で使
用される共振器材料として好適である。また、本発明の
誘電体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えば
マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒等にも適用
できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉ
y ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ 12+3A/2+2B（式中、０≦ｘ≦０．
８、０．２≦ｙ≦０．５、−０．５≦Ａ≦＋０．５、−
０．５≦Ｂ≦＋０．５、ただし０．２≦ｘ＋ｙ≦１）で
表されるバリウム、ネオジム、サマリウム、ビスマス、
チタンおよび酸素からなる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06399593A JP3243874B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06399593A JP3243874B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275126A true JPH06275126A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3243874B2 JP3243874B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=13245365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06399593A Expired - Fee Related JP3243874B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243874B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165927A (en) * | 1997-04-24 | 2000-12-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material and process for producing the same |
| EP1120385A1 (en) * | 1998-06-04 | 2001-08-01 | Sumitomo Special Metals Company Limited | Microwave dielectric ceramic composition |
| JP2004284941A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 低温焼成用誘電体組成物および電子部品 |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP06399593A patent/JP3243874B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165927A (en) * | 1997-04-24 | 2000-12-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material and process for producing the same |
| EP1120385A1 (en) * | 1998-06-04 | 2001-08-01 | Sumitomo Special Metals Company Limited | Microwave dielectric ceramic composition |
| EP1120385A4 (en) * | 1998-06-04 | 2009-12-02 | Hitachi Metals Ltd | HYPERFREQUENCY DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION |
| JP2004284941A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 低温焼成用誘電体組成物および電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3243874B2 (ja) | 2002-01-07 |
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