JPH06260418A - 成膜のための前処理方法 - Google Patents
成膜のための前処理方法Info
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- JPH06260418A JPH06260418A JP4259393A JP4259393A JPH06260418A JP H06260418 A JPH06260418 A JP H06260418A JP 4259393 A JP4259393 A JP 4259393A JP 4259393 A JP4259393 A JP 4259393A JP H06260418 A JPH06260418 A JP H06260418A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマＣＶＤ法を用いて、薄膜を構成する
粒子の平均粒径の大きなＰＣＶＤ薄膜を成膜するための
方法を提供すること。 【構成】 反応室１０の排気を行い、ガラス基板２２の
温度を３００℃とする。次に、反応室１０にＳｉＦ4 ガ
スを３００〜５００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ガスを０〜７００Ｓ
ＣＣＭそれぞれ導入し、全圧を１００〜４００Ｐａに調
整する。次に、１３．５６ＭＨｚの高周波を５０〜１０
０Ｗのｒｆパワー密度で印加して反応室１０に導入した
ガスを５〜１０分間プラズマ放電させる。次に、ＳｉＦ
4 及びＨ2ガスを継続的に導入したまま、ＳｉＨ4 を１
０ＳＣＣＭ導入し、Ｈ2 の導入量を５００ＳＣＣＭとし
て、再びプラズマ放電させて、ガラス基板２２上にポリ
シリコンを約４００ｎｍ堆積させる。
粒子の平均粒径の大きなＰＣＶＤ薄膜を成膜するための
方法を提供すること。 【構成】 反応室１０の排気を行い、ガラス基板２２の
温度を３００℃とする。次に、反応室１０にＳｉＦ4 ガ
スを３００〜５００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ガスを０〜７００Ｓ
ＣＣＭそれぞれ導入し、全圧を１００〜４００Ｐａに調
整する。次に、１３．５６ＭＨｚの高周波を５０〜１０
０Ｗのｒｆパワー密度で印加して反応室１０に導入した
ガスを５〜１０分間プラズマ放電させる。次に、ＳｉＦ
4 及びＨ2ガスを継続的に導入したまま、ＳｉＨ4 を１
０ＳＣＣＭ導入し、Ｈ2 の導入量を５００ＳＣＣＭとし
て、再びプラズマ放電させて、ガラス基板２２上にポリ
シリコンを約４００ｎｍ堆積させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマＣＶＤ法
（以下、ＰＣＶＤ法とも称する）を用いて、反応室中に
設置した下地上に４配位半導体または４配位半導体を含
む合金の薄膜（以下、ＰＣＶＤ薄膜とも称する）の形成
方法に関する。
（以下、ＰＣＶＤ法とも称する）を用いて、反応室中に
設置した下地上に４配位半導体または４配位半導体を含
む合金の薄膜（以下、ＰＣＶＤ薄膜とも称する）の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランジスタを集積した駆動回路
を形するため、ガラス等の大面積透明基板上に電子移動
度の大きな多結晶シリコン（ポリシリコン）等の薄膜を
成膜する方法の研究開発が盛んに行われている。多結晶
シリコン薄膜を成膜する従来周知の方法としては、アニ
ール法が知られている。アニール法には、レーザアニー
ル法と固相成長法とがある。
を形するため、ガラス等の大面積透明基板上に電子移動
度の大きな多結晶シリコン（ポリシリコン）等の薄膜を
成膜する方法の研究開発が盛んに行われている。多結晶
シリコン薄膜を成膜する従来周知の方法としては、アニ
ール法が知られている。アニール法には、レーザアニー
ル法と固相成長法とがある。
【０００３】レーザアニール法では、ガラス基板上にア
モルファス（非晶質）シリコン（以下、α−Ｓｉとも略
称す）膜を成膜した後、このα−Ｓｉ膜をレーザによっ
て局所的に順次加熱してαーＳｉ膜を多結晶シリコン膜
へと再結晶化を図っている。しかし、この方法を用いる
と以下の様な問題点がある。レーザビームの形状および
ビーム走査の精密な制御が必要なため、高価なレーザア
ニール装置を用いなければならない点。また、再結晶化
した多結晶シリコン膜に熱歪みが生じてしまう点。ま
た、均質な多結晶シリコン膜が得られない点。また、下
地の膜への損傷が大きい点等である。
モルファス（非晶質）シリコン（以下、α−Ｓｉとも略
称す）膜を成膜した後、このα−Ｓｉ膜をレーザによっ
て局所的に順次加熱してαーＳｉ膜を多結晶シリコン膜
へと再結晶化を図っている。しかし、この方法を用いる
と以下の様な問題点がある。レーザビームの形状および
ビーム走査の精密な制御が必要なため、高価なレーザア
ニール装置を用いなければならない点。また、再結晶化
した多結晶シリコン膜に熱歪みが生じてしまう点。ま
た、均質な多結晶シリコン膜が得られない点。また、下
地の膜への損傷が大きい点等である。
【０００４】一方、固相成長法では、ガラス基板上に成
膜したα−Ｓｉ膜の全体を６００℃以上の高温加熱でア
ニールして、α−Ｓｉ膜を多結晶シリコン膜へと再結晶
化を図っている。この方法を用いると、ガラス基板を６
００℃以上の高温に長時間曝すため、ガラス基板とし
て、高価な石英基板を用いなければならないという問題
がある。
膜したα−Ｓｉ膜の全体を６００℃以上の高温加熱でア
ニールして、α−Ｓｉ膜を多結晶シリコン膜へと再結晶
化を図っている。この方法を用いると、ガラス基板を６
００℃以上の高温に長時間曝すため、ガラス基板とし
て、高価な石英基板を用いなければならないという問題
がある。
【０００５】そこで、この出願に係る発明者を含む研究
者グループは、文献：「特開平３−２５０６２４号公
報」において、アニール法を用いずにＰＣＶＤ法を用い
て多結晶シリコン膜をガラス基板等の下地上に直接成膜
する方法を提案している。この文献に開示の技術によれ
ば、ＰＣＶＤ法を用いて下地上に多結晶シリコン膜を形
成するにあたり、原料ガスを四フッ化シラン（Ｓｉ
Ｆ4 ）、シラン（ＳｉＨ4 ）および水素（Ｈ2 ）の混合
比等の成膜条件を調節することにより、３００℃前後の
低温下で、多結晶シリコンを下地上に直接成膜すること
ができる。
者グループは、文献：「特開平３−２５０６２４号公
報」において、アニール法を用いずにＰＣＶＤ法を用い
て多結晶シリコン膜をガラス基板等の下地上に直接成膜
する方法を提案している。この文献に開示の技術によれ
ば、ＰＣＶＤ法を用いて下地上に多結晶シリコン膜を形
成するにあたり、原料ガスを四フッ化シラン（Ｓｉ
Ｆ4 ）、シラン（ＳｉＨ4 ）および水素（Ｈ2 ）の混合
比等の成膜条件を調節することにより、３００℃前後の
低温下で、多結晶シリコンを下地上に直接成膜すること
ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＣＶ
Ｄ法を用いて、ＰＣＶＤ薄膜として、例えばポリシリコ
ン薄膜を成膜すると、ポリシリコン薄膜を構成するポリ
シリコンの平均粒径が、アニール法を用いて成膜した場
合に比べて小さくなってしまう。ポリシリコンの平均粒
径が小さくなると、ポリシリコン薄膜の電子移動度が低
くなり、このため、ＰＣＶＤ法を用いて素子の薄膜を形
成すると、素子の動作速度が遅くなるという問題があ
る。
Ｄ法を用いて、ＰＣＶＤ薄膜として、例えばポリシリコ
ン薄膜を成膜すると、ポリシリコン薄膜を構成するポリ
シリコンの平均粒径が、アニール法を用いて成膜した場
合に比べて小さくなってしまう。ポリシリコンの平均粒
径が小さくなると、ポリシリコン薄膜の電子移動度が低
くなり、このため、ＰＣＶＤ法を用いて素子の薄膜を形
成すると、素子の動作速度が遅くなるという問題があ
る。
【０００７】従って、この発明の目的は、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いて、薄膜を形成する粒子の平均粒径の大きな
ＰＣＶＤ薄膜を成膜するための方法を提供することにあ
る。
Ｄ法を用いて、薄膜を形成する粒子の平均粒径の大きな
ＰＣＶＤ薄膜を成膜するための方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明の半導体薄膜の形成方法によれば、プラズ
マＣＶＤ法を用いて、反応室中に設置した下地上に４配
位半導体薄膜または４配位半導体を含む合金の薄膜を成
膜するための前処理方法において、薄膜の成膜開始前
に、ＳｉＦ4 ガス、ＳｉＦ4 とＨ2 の混合ガス、Ｆ2 ガ
ス及びＳｉＦ2 Ｈ2 ガスからなるガス群のうちから選ば
れた少なくとも１種類以上のガス（以下、プラズマクリ
ーニングガスとも称する）を反応室中に導入しながら、
この選ばれたガスを高周波プラズマ放電させて、反応室
内をクリーニングする（以下、成膜のためのこの前処理
をプラズマクリーニングとも称する）。
め、この発明の半導体薄膜の形成方法によれば、プラズ
マＣＶＤ法を用いて、反応室中に設置した下地上に４配
位半導体薄膜または４配位半導体を含む合金の薄膜を成
膜するための前処理方法において、薄膜の成膜開始前
に、ＳｉＦ4 ガス、ＳｉＦ4 とＨ2 の混合ガス、Ｆ2 ガ
ス及びＳｉＦ2 Ｈ2 ガスからなるガス群のうちから選ば
れた少なくとも１種類以上のガス（以下、プラズマクリ
ーニングガスとも称する）を反応室中に導入しながら、
この選ばれたガスを高周波プラズマ放電させて、反応室
内をクリーニングする（以下、成膜のためのこの前処理
をプラズマクリーニングとも称する）。
【０００９】また、プラズマ放電後も、ＰＣＶＤ薄膜の
成膜を開始するまで、ＳｉＦ4 等の選ばれたガスを反応
室に継続的に導入すると良い。
成膜を開始するまで、ＳｉＦ4 等の選ばれたガスを反応
室に継続的に導入すると良い。
【００１０】
【作用】この発明の半導体薄膜の形成方法によれば、Ｐ
ＣＶＤ薄膜を成膜するに先立ち、ＳｉＦ4 ガス、ＳｉＦ
4 とＨ2 の混合ガス、Ｆ2 ガス及びＳｉＦ2 Ｈ2 ガスか
らなるガス群のうちから選ばれた少なくとも１種類以上
のガスを反応室中に導入しながら、この選ばれたガスを
高周波プラズマ放電させて、反応室内をプラズマクリー
ニングする。プラズマクリーニングした反応室からの排
気を質量分析したところ、反応室内の水分及び炭化水素
が減少したことが確認できた。このことから、プラズマ
クリーニングによって、基板上の結晶核となる不純物が
減少し、その結果、ＰＣＶＤ薄膜を構成するポリシリコ
ン等の粒径が増大すると考えられる。
ＣＶＤ薄膜を成膜するに先立ち、ＳｉＦ4 ガス、ＳｉＦ
4 とＨ2 の混合ガス、Ｆ2 ガス及びＳｉＦ2 Ｈ2 ガスか
らなるガス群のうちから選ばれた少なくとも１種類以上
のガスを反応室中に導入しながら、この選ばれたガスを
高周波プラズマ放電させて、反応室内をプラズマクリー
ニングする。プラズマクリーニングした反応室からの排
気を質量分析したところ、反応室内の水分及び炭化水素
が減少したことが確認できた。このことから、プラズマ
クリーニングによって、基板上の結晶核となる不純物が
減少し、その結果、ＰＣＶＤ薄膜を構成するポリシリコ
ン等の粒径が増大すると考えられる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の成膜のた
めの前処理方法の一実施例について説明する。尚、以下
に参照する図は、この発明が理解できる程度に、各構成
成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあ
るにすぎない。従って、この発明は、図示例にのみ限定
されるものでないことは明らかである。
めの前処理方法の一実施例について説明する。尚、以下
に参照する図は、この発明が理解できる程度に、各構成
成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあ
るにすぎない。従って、この発明は、図示例にのみ限定
されるものでないことは明らかである。
【００１２】図１は、この実施例で使用するＰＣＶＤ装
置の模式図である。この装置自体の構造は従来公知であ
るので、その詳細な説明は省略するが、この発明の説明
の便宜のため、その構造を簡単に説明する。この装置は
反応室１０内に下部電極１２と上部電極１４とを設けて
ある。下部電極１２は、モータ１６によって回転させる
ことができ、また、下部電極１２にはヒータ制御１８に
よって制御される加熱ヒータ２０を設けてある。また、
この下部電極１２の上部電極側１４の対向面上には下地
となるガラス基板２２あるいはその他等を載置できる構
造となっている。一方、上部電極１４はガス導入部２４
を構成しており、反応室１０をプラズマクリーニングす
るためのガス及び薄膜の原料ガス導入系２６と連結して
いる。このガス導入系２６は上部電極１４のガス吹き出
し孔から反応室１０へとガスを導入できる構造となって
いる。この実施例では、ガス導入系２６として、ＳｉＨ
4ガス導入系２６ａ、ＳｉＦ4 ガス導入系２６ｂ及びＨ
2 ガス導入系２６ｃを設けてあり、各ガス導入系２６ａ
〜ｃではそれぞれマスフローラコントローラ（ＭＦＣ）
２８ａ〜ｃによって個別にガス流量を制御することがで
きる。また、反応室１０の真空排気は、排気系３０を経
てロータリポンプ３２及び油拡散ポンプ３４で行う。さ
らに、上部電極１４はマッチング回路３６を介して高周
波電源３８と接続し、通常の１３．５６ＭＨｚでｒｆパ
ワーを反応室１０の反応空間に供給できる構造となって
いる。
置の模式図である。この装置自体の構造は従来公知であ
るので、その詳細な説明は省略するが、この発明の説明
の便宜のため、その構造を簡単に説明する。この装置は
反応室１０内に下部電極１２と上部電極１４とを設けて
ある。下部電極１２は、モータ１６によって回転させる
ことができ、また、下部電極１２にはヒータ制御１８に
よって制御される加熱ヒータ２０を設けてある。また、
この下部電極１２の上部電極側１４の対向面上には下地
となるガラス基板２２あるいはその他等を載置できる構
造となっている。一方、上部電極１４はガス導入部２４
を構成しており、反応室１０をプラズマクリーニングす
るためのガス及び薄膜の原料ガス導入系２６と連結して
いる。このガス導入系２６は上部電極１４のガス吹き出
し孔から反応室１０へとガスを導入できる構造となって
いる。この実施例では、ガス導入系２６として、ＳｉＨ
4ガス導入系２６ａ、ＳｉＦ4 ガス導入系２６ｂ及びＨ
2 ガス導入系２６ｃを設けてあり、各ガス導入系２６ａ
〜ｃではそれぞれマスフローラコントローラ（ＭＦＣ）
２８ａ〜ｃによって個別にガス流量を制御することがで
きる。また、反応室１０の真空排気は、排気系３０を経
てロータリポンプ３２及び油拡散ポンプ３４で行う。さ
らに、上部電極１４はマッチング回路３６を介して高周
波電源３８と接続し、通常の１３．５６ＭＨｚでｒｆパ
ワーを反応室１０の反応空間に供給できる構造となって
いる。
【００１３】次に、この発明の成膜のための前処理方法
の実施例について説明する。この実施例では、下地とし
てのガラス基板２２上に、ＰＣＶＤ薄膜としてポリシリ
コン薄膜を成膜ための前処理方法について説明する。
の実施例について説明する。この実施例では、下地とし
てのガラス基板２２上に、ＰＣＶＤ薄膜としてポリシリ
コン薄膜を成膜ための前処理方法について説明する。
【００１４】先ず、ＰＣＶＤ装置の反応室１０にガラス
基板２２を入れた後、ロータリポンプ３２及び油拡散ポ
ンプ３４で反応室１０の排気を行い、ガラス基板２２の
温度を３００℃とする。次に、ロータリポンプ３２のみ
の排気とした後、反応室１０にＳｉＦ4 ガスを３００〜
５００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ガスを０〜７００ＳＣＣＭそれぞ
れ導入し、コンダクタンスバルブ４０により、反応室１
０の全圧を１００〜４００Ｐａに調整する。次に、１
３．５６ＭＨｚの高周波を５０〜１００Ｗのｒｆパワー
で印加して反応室１０に導入したガスをプラズマ放電さ
せる。
基板２２を入れた後、ロータリポンプ３２及び油拡散ポ
ンプ３４で反応室１０の排気を行い、ガラス基板２２の
温度を３００℃とする。次に、ロータリポンプ３２のみ
の排気とした後、反応室１０にＳｉＦ4 ガスを３００〜
５００ＳＣＣＭ、Ｈ2 ガスを０〜７００ＳＣＣＭそれぞ
れ導入し、コンダクタンスバルブ４０により、反応室１
０の全圧を１００〜４００Ｐａに調整する。次に、１
３．５６ＭＨｚの高周波を５０〜１００Ｗのｒｆパワー
で印加して反応室１０に導入したガスをプラズマ放電さ
せる。
【００１５】５〜１０分間プラズマ放電させて反応室１
０をプラズマクリーニングした後、高周波放電を切り、
ＳｉＦ4 及びＨ2 ガスを継続的に導入したまま、新規
に、ＳｉＨ4 を１０ＳＣＣＭの流量で導入し、さらにＨ
2 の導入量を５００ＳＣＣＭとして、導入したガスを再
びプラズマ放電させて、ポリシリコンをガラス基板２２
上に堆積させる。ポリシリコンを約４００ｎｍ堆積させ
た後、ポリシリコン薄膜を構成するポリシリコンの粒径
を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定したところ、
ポリシリコンの平均粒径は１０６ｎｍであった。この粒
径は、プラズマクリーニングを行わずに同条件で成膜し
た場合の平均粒径（６０ｎｍ）の約１．８倍である。
０をプラズマクリーニングした後、高周波放電を切り、
ＳｉＦ4 及びＨ2 ガスを継続的に導入したまま、新規
に、ＳｉＨ4 を１０ＳＣＣＭの流量で導入し、さらにＨ
2 の導入量を５００ＳＣＣＭとして、導入したガスを再
びプラズマ放電させて、ポリシリコンをガラス基板２２
上に堆積させる。ポリシリコンを約４００ｎｍ堆積させ
た後、ポリシリコン薄膜を構成するポリシリコンの粒径
を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定したところ、
ポリシリコンの平均粒径は１０６ｎｍであった。この粒
径は、プラズマクリーニングを行わずに同条件で成膜し
た場合の平均粒径（６０ｎｍ）の約１．８倍である。
【００１６】この様に、プラズマクリーニングを行うこ
とにより、ポリシリコンの平均粒径が大きくなったこと
が確認された。ところで、ポリシリコン薄膜中の電子移
動度はポリシリコンの平均粒径にほぼ比例する。従っ
て、プラズマクリーニングを行って素子の薄膜を成膜す
れば、素子の動作速度が倍増することが期待できる。
とにより、ポリシリコンの平均粒径が大きくなったこと
が確認された。ところで、ポリシリコン薄膜中の電子移
動度はポリシリコンの平均粒径にほぼ比例する。従っ
て、プラズマクリーニングを行って素子の薄膜を成膜す
れば、素子の動作速度が倍増することが期待できる。
【００１７】また、プラズマクリーニングを行うと、理
由は確かではないが、ポリシリコン薄膜がガラス基板２
２から剥れにくくなり、ポリシリコン薄膜とガラス基板
２２との密着性が向上することが分かった。
由は確かではないが、ポリシリコン薄膜がガラス基板２
２から剥れにくくなり、ポリシリコン薄膜とガラス基板
２２との密着性が向上することが分かった。
【００１８】上述した実施例では、この発明を、特定の
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例について
説明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこ
とができる。例えば、上述した実施例ではポリシリコン
薄膜を成膜したが、この発明は、例えば、ポリシリコン
ゲルマニウム、ポリゲルマニウムまたはポリシリコンカ
ーバイトの薄膜の成膜の前処理として用いても良い。
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例について
説明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこ
とができる。例えば、上述した実施例ではポリシリコン
薄膜を成膜したが、この発明は、例えば、ポリシリコン
ゲルマニウム、ポリゲルマニウムまたはポリシリコンカ
ーバイトの薄膜の成膜の前処理として用いても良い。
【００１９】
【発明の効果】この発明の成膜のための前処理方法によ
れば、ＰＣＶＤ薄膜を構成するポリシリコン等の粒径が
増大する。その結果、ＰＣＶＤ薄膜中の電子移動度が大
きくなり、ＰＣＶＤ薄膜を有する素子の動作速度の高速
化が期待できる。また、プラズマクリーニングを行うこ
とによって、下地とＰＣＶＤ薄膜との密着性を向上させ
ることができる。
れば、ＰＣＶＤ薄膜を構成するポリシリコン等の粒径が
増大する。その結果、ＰＣＶＤ薄膜中の電子移動度が大
きくなり、ＰＣＶＤ薄膜を有する素子の動作速度の高速
化が期待できる。また、プラズマクリーニングを行うこ
とによって、下地とＰＣＶＤ薄膜との密着性を向上させ
ることができる。
【００２０】また、この発明の成膜のための前処理方法
は、特に、液晶ディスプレイおよびイメージセンサの駆
動回路等の形成に用いられる半導体薄膜の形成に先立っ
て行って好適な方法である。
は、特に、液晶ディスプレイおよびイメージセンサの駆
動回路等の形成に用いられる半導体薄膜の形成に先立っ
て行って好適な方法である。
【図１】この発明の成膜のための前処理方法の実施例の
説明に供する、ＰＣＶＤ装置の模式図である。
説明に供する、ＰＣＶＤ装置の模式図である。
１０：反応室 １２：下部電極 １４：上部電極 １６：モータ １８：ヒータ制御 ２０：加熱ヒータ ２２：ガラス基板 ２４：ガス導入部 ２６、２６ａ〜２６ｃ：ガス導入系 ２８ａ〜２８ｃ：マスフローラコントローラ ３０：排気系 ３２：ロータリポンプ ３４：油拡散ポンプ ３６：マッチング回路 ３８：高周波電源 ４０：コンダクタンスバルブ
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ法を用いて、反応室中に
設置した下地上に４配位半導体薄膜または４配位半導体
を含む合金の薄膜を成膜するための前処理方法におい
て、 前記薄膜の成膜開始前に、ＳｉＦ4 ガス、ＳｉＦ4 とＨ
2 の混合ガス、Ｆ2 ガス及びＳｉＦ2 Ｈ2 ガスからなる
ガス群のうちから選ばれた少なくとも１種類以上のガス
を前記反応室中に導入しながら、該選ばれたガスを高周
波プラズマ放電させて、前記反応室内をクリーニングす
ることを特徴とする成膜のための前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259393A JPH06260418A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 成膜のための前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259393A JPH06260418A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 成膜のための前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260418A true JPH06260418A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12640367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4259393A Withdrawn JPH06260418A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 成膜のための前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260418A (ja) |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP4259393A patent/JPH06260418A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |