JPH06258235A - Surface inspection device - Google Patents
Surface inspection deviceInfo
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- JPH06258235A JPH06258235A JP4378793A JP4378793A JPH06258235A JP H06258235 A JPH06258235 A JP H06258235A JP 4378793 A JP4378793 A JP 4378793A JP 4378793 A JP4378793 A JP 4378793A JP H06258235 A JPH06258235 A JP H06258235A
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- JP
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- scanning
- inspection
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- foreign matter
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は検査面上に存在する微小
物や欠陥などを光学的に検査する技術分野に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the technical field of optically inspecting minute objects, defects and the like existing on an inspection surface.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の面検査装置の例を図6に示す。同
図において、光源部101からのレーザ光はポリゴンミ
ラー102とfθレンズ系103からなる走査光学系に
導かれる。そして走査光学系からの走査レーザ光はレチ
クル等の検査面107上にスポット光として照射され
る。このスポット光は位置104から位置105までの
走査領域106を一次元的に光走査する。これと同時に
ステージ108によって光走査方向と垂直方向に検査面
107を移動させることによって検査面107の全面を
二次元走査している。2. Description of the Related Art An example of a conventional surface inspection apparatus is shown in FIG. In the figure, the laser light from the light source unit 101 is guided to a scanning optical system including a polygon mirror 102 and an fθ lens system 103. Then, the scanning laser light from the scanning optical system is applied as spot light onto the inspection surface 107 such as a reticle. The spot light one-dimensionally optically scans the scanning region 106 from the position 104 to the position 105. At the same time, the entire surface of the inspection surface 107 is two-dimensionally scanned by moving the inspection surface 107 by the stage 108 in the direction perpendicular to the optical scanning direction.
【0003】走査スポット内に異物や欠陥が存在する場
合、これによってほぼ等方的に散乱光が生じる。この散
乱光を検出するために、集光光学系110と光電検出器
111を図のように側方方向に配置にして、走査領域1
06を光電検出器111の検出面に領域113として結
像し、いわゆるシャインプルーフの関係を満たしてい
る。なお、フィルタ系109は検査面107上の回路パ
ターン等の異物や欠陥以外からの散乱光を除去するため
のものである。When a foreign matter or defect exists in the scanning spot, this causes scattered light to be almost isotropic. In order to detect this scattered light, the condensing optical system 110 and the photoelectric detector 111 are arranged laterally as shown in the drawing, and the scanning area 1
The image of 06 is formed on the detection surface of the photoelectric detector 111 as a region 113, which satisfies the so-called Scheimpflug relationship. The filter system 109 is for removing scattered light from other than foreign matters and defects such as a circuit pattern on the inspection surface 107.
【0004】これにより、走査スポット内に異物が存在
しない場合は光電検出器111では散乱光は検出され
ず、異物が存在する場合にのみ光電検出器111で散乱
光が検出されることになる。そして、光電検出器111
にて検出された散乱光信号は信号処理系112に導かれ
て異物や欠陥検査が行なわれる。As a result, the scattered light is not detected by the photoelectric detector 111 when no foreign matter is present in the scanning spot, and the scattered light is detected by the photoelectric detector 111 only when the foreign matter is present. Then, the photoelectric detector 111
The scattered light signal detected at is guided to the signal processing system 112 to be inspected for foreign matters and defects.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の装置
においては以下のような課題があった。 (1)位置104と位置105では集光光学系110の
有効Fナンバーが異なるので、検出される光量が異なっ
てしまう。 (2)位置104と位置105では散乱光の検出角度が
異なるので、検出される光量が異なってしまう。However, the above-mentioned conventional apparatus has the following problems. (1) Since the effective F number of the condensing optical system 110 is different between the position 104 and the position 105, the amount of detected light is different. (2) Since the detection angles of scattered light are different between the position 104 and the position 105, the amount of detected light is different.
【0006】以上のように、走査領域106内の走査ス
ポット位置に応じて検出感度が異なるため、異物の粒径
判別等が困難となり高いSN比で異物や欠陥検出ができ
ない。As described above, since the detection sensitivity differs depending on the scanning spot position in the scanning area 106, it becomes difficult to discriminate the particle size of the foreign matter and the foreign matter and the defect cannot be detected with a high SN ratio.
【0007】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
ので、従来に比べてより高精度な検出が行なえる面検査
装置やこれを用いた露光装置等のシステムを提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a system such as a surface inspection apparatus and an exposure apparatus using the same, which can detect with higher accuracy than the conventional one. .
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の面検査装置の好ましい形態は、検査面に対して光ビ
ームを走査する走査手段と、該光ビームの走査領域に対
して空間的に対称位置に配置した少なくとも2つの光電
検出器と、該2つの光電検出器からの検出信号の和信号
を生成する手段とを有することを特徴とするものであ
る。A preferred embodiment of a surface inspection apparatus of the present invention for solving the above problems is a scanning means for scanning an inspection surface with a light beam, and a space for the scanning area of the light beam. It has at least two photoelectric detectors arranged at symmetrical positions, and means for generating a sum signal of detection signals from the two photoelectric detectors.
【0009】[0009]
<実施例1>図1は本発明の第1実施例の面検査装置の
構成図である。同図において、1はレーザ光源やコリメ
ータ光学系を含む光源部である。2はポリゴンミラー、
3はfθレンズ系であり両者によって走査光学系を構成
している。6は走査光学系により走査される領域、4,
5は走査スポットの両端位置、7はレチクル等の検査
面、8はステージである。又、9a,9bはフィルタ
系、10a,10bは集光光学系、11a,11bは光
電検出器、13は2つの光電検出器11a,11bから
の信号を電気的に足し合わせて和信号を生成する加算回
路、14は加算回路13からの信号を処理して異物判定
を行なう信号処理系である。<Embodiment 1> FIG. 1 is a block diagram of a surface inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a light source unit including a laser light source and a collimator optical system. 2 is a polygon mirror,
Reference numeral 3 denotes an fθ lens system, which together form a scanning optical system. 6 is an area scanned by the scanning optical system, 4,
Reference numeral 5 is both end positions of the scanning spot, 7 is an inspection surface such as a reticle, and 8 is a stage. Further, 9a and 9b are filter systems, 10a and 10b are condenser optical systems, 11a and 11b are photoelectric detectors, and 13 is a signal obtained by electrically adding signals from the two photoelectric detectors 11a and 11b. An adder circuit 14 is a signal processing system for processing the signal from the adder circuit 13 to determine a foreign matter.
【0010】光源部1から射出されるレーザ光が検査面
7を二次元的に走査する構成は図6の従来例と同様であ
る。本実施例の特徴は、検査面7上の走査領域6の走査
方向、換言すれば入射光方向に対して略90度の側方方
向に、走査領域6の中心から見て対称位置に2つの光電
検出器11a,11bを配置したことである。ここで集
光光学系10aによって走査領域6が光電検出器11a
の検出面上に12aとして結像されるようにシャインプ
ルーフの関係を満たしている。同様に集光光学系10b
もシャインプルーフの関係を満たし、走査領域6は光電
検出器11bの検出面に像12bとして結像するように
なっている。The structure in which the laser light emitted from the light source unit 1 scans the inspection surface 7 two-dimensionally is the same as that of the conventional example shown in FIG. The feature of this embodiment is that the two scanning directions of the scanning region 6 on the inspection surface 7, that is, the lateral direction of approximately 90 degrees with respect to the incident light direction, and the two symmetrical positions when viewed from the center of the scanning region 6 are provided. That is, the photoelectric detectors 11a and 11b are arranged. Here, the scanning area 6 is moved to the photoelectric detector 11a by the condensing optical system 10a.
The Scheimpflug relationship is satisfied so that the image is formed as 12a on the detection surface. Similarly, the condensing optical system 10b
Also satisfies the Scheimpflug relationship, and the scanning region 6 is formed as an image 12b on the detection surface of the photoelectric detector 11b.
【0011】又、各集光光学系の手前に置かれたフィル
タ系9a,9bは、偏光板やアパーチャを含み、検査面
7上の回路パターン等、異物や欠陥以外によって生じる
散乱光をできるだけ除去するようにしている。Further, the filter systems 9a and 9b placed in front of each condensing optical system include a polarizing plate and an aperture, and remove scattered light caused by foreign matters or defects such as a circuit pattern on the inspection surface 7 as much as possible. I am trying to do it.
【0012】各光電検出器11a,11bにおいては、
先に述べたように走査位置4と5とでは検出感度が異な
るが、本実施例のように走査領域6に対して対称位置に
2つの光電検出器11a,11bを配置して、加算回路
13でそれらの散乱光信号を加算して和をとることで検
出感度を補正して、走査領域6の任意の位置においてほ
ぼ均一な検出感度を得ることを可能としている。In each of the photoelectric detectors 11a and 11b,
Although the detection sensitivities are different between the scanning positions 4 and 5 as described above, the two photoelectric detectors 11a and 11b are arranged at symmetrical positions with respect to the scanning region 6 as in the present embodiment, and the adding circuit 13 is provided. Thus, the detection sensitivity is corrected by adding the scattered light signals to obtain the sum, and it is possible to obtain substantially uniform detection sensitivity at an arbitrary position of the scanning region 6.
【0013】図2はこの検出感度補正についての説明図
である。同図において、201は検査面7上の走査位置
xを表す軸、202は光電検出器の検出感度Iを表す
軸、204は走査位置4に対応する点、205は走査位
置5に対応する点であり、211aは光電検出器11a
の検出感度の近似曲線、211bは光電検出器11bの
検出感度の近似曲線、212は2つの光電検出器の信号
和をとることで得られる合成された検出感度の近似曲
線、である。FIG. 2 is an explanatory diagram of this detection sensitivity correction. In the figure, 201 is an axis representing the scanning position x on the inspection surface 7, 202 is an axis representing the detection sensitivity I of the photoelectric detector, 204 is a point corresponding to the scanning position 4, and 205 is a point corresponding to the scanning position 5. And 211a is the photoelectric detector 11a.
Is an approximate curve of the detection sensitivity of the photoelectric detector 11b, and 212 is an approximate curve of the combined detection sensitivity obtained by taking the signal sum of the two photoelectric detectors.
【0014】光電検出器11aの検出感度近似曲線21
1aについて説明する。集光光学系10aからみて、走
査位置4からの散乱光を集光する時の有効Fナンバー
と、走査位置5からの散乱光を集光する時の有効Fナン
バーでは、走査位置4の有効Fナンバーの方が大きい。
換言すると走査位置4の時の方が検出される光量が小さ
い。従って、同一強度の散乱光が走査スポットから生じ
ていると仮定すると、点204よりも点205の方が見
かけ上の検出感度が高くなるので、近似的に211aの
様な検出感度曲線が得られる。又、光電検出器11bに
ついては上記説明と逆の理由で、近似的に211bの様
な検出感度曲線が得られる。Detecting sensitivity approximate curve 21 of photoelectric detector 11a
1a will be described. When viewed from the condensing optical system 10a, the effective F number when collecting scattered light from the scanning position 4 and the effective F number when collecting scattered light from the scanning position 5 are the effective F number at the scanning position 4. The number is larger.
In other words, the light amount detected at the scanning position 4 is smaller. Therefore, assuming that the scattered light of the same intensity is generated from the scanning spot, the point 205 has a higher apparent detection sensitivity than the point 204, and thus a detection sensitivity curve such as 211a is approximately obtained. . For the photoelectric detector 11b, a detection sensitivity curve such as 211b can be approximately obtained for the reason opposite to the above description.
【0015】ここで、光電検出器11aと光電検出器1
1bによって検出される散乱光信号を加算回路13で加
算して和信号を生成すれば、ちょうど互いの検出感度を
補うような形になって、点204から点205に渡って
近似的に均一な検出感度曲線212を得ることができ
る。すなわち、走査領域6の任意の場所でほぼ均一な感
度で異物や欠陥検査が可能となる。Here, the photoelectric detector 11a and the photoelectric detector 1
If the scattered light signals detected by 1b are added by the adder circuit 13 to generate a sum signal, the detection sensitivities are complemented with each other, and approximately uniform values are obtained from point 204 to point 205. The detection sensitivity curve 212 can be obtained. That is, it is possible to inspect foreign matters and defects at an arbitrary position in the scanning region 6 with substantially uniform sensitivity.
【0016】このようにして得られた和信号を信号処理
系14で処理することにより、走査スポットの位置によ
る検出器感度の変動を補正し、高いSN比で異物や欠陥
検査を行なうことが可能となる。By processing the sum signal thus obtained by the signal processing system 14, it is possible to correct the fluctuation of the sensitivity of the detector due to the position of the scanning spot and to inspect foreign matters and defects with a high SN ratio. Becomes
【0017】なお、本実施例では2つの光電検出器11
a,11bを走査領域6の走査方向、すなわち90度側
方方向に配置したが、この角度は90度には限らない。
又、走査領域6の中心点に対して点対称な位置に2つの
光電検出器を配置するようにしても良い。又、光電検出
器の数は2つに限らず、例えば対称に4つ配置するよう
な構成としても良い。In this embodiment, two photoelectric detectors 11 are used.
Although a and 11b are arranged in the scanning direction of the scanning region 6, that is, in the lateral direction of 90 degrees, the angle is not limited to 90 degrees.
Further, the two photoelectric detectors may be arranged at positions symmetrical with respect to the center point of the scanning area 6. Further, the number of photoelectric detectors is not limited to two, and for example, four photoelectric detectors may be symmetrically arranged.
【0018】<実施例2>図3は本発明の第2実施例の
主要部の構成図である。同図において、301a,30
1bは光ファイバを束ねて切断面を揃えた光検出器(バ
ンドルファイバ)、302はバンドルファイバ301
a,301bを一つにまとめるカップラ、303は光電
検出器である。<Embodiment 2> FIG. 3 is a block diagram of the essential parts of a second embodiment of the present invention. In the figure, 301a, 30
Reference numeral 1b is a photodetector (bundle fiber) in which optical fibers are bundled and cut surfaces are aligned, and 302 is a bundle fiber 301.
A coupler for combining a and 301b into one, and 303 is a photoelectric detector.
【0019】先の第1実施例と同様、シャインプルーフ
の関係を満たした集光光学系10a,10bによって、
走査領域6をバンドルファイバ301a,301bのそ
れぞれの断面に結像させる。そしてバンドルファイバ3
01a,301bによって導かれた走査領域6からの散
乱光は、カップラ302によって一つに集められる。す
なわち先の実施例では電気的に加算したものを本実施例
ではカップら302によって光学的に加算している。カ
ップら302で集められた散乱光は光電検出器303に
導かれて散乱光の和信号を検出する。この和信号は信号
処理系14で処理する。As in the first embodiment, the condensing optical systems 10a and 10b satisfying the Scheimpflug relationship are used.
The scanning region 6 is imaged on each cross section of the bundle fibers 301a and 301b. And bundle fiber 3
The scattered light from the scanning region 6 guided by 01a and 301b is collected by the coupler 302. That is, what is electrically added in the previous embodiment is optically added by the cups 302 in this embodiment. The scattered light collected by the cups 302 is guided to the photoelectric detector 303 and detects the sum signal of the scattered light. This sum signal is processed by the signal processing system 14.
【0020】以上の第1実施例及び第2実施例によれば
以下の効果が得られる。 (1)検出感度が走査位置によって異なるという問題を
解決し、走査領域内でほぼ均一な感度で異物検査が可能
である。 (2)均一な検出感度が得られることで、異物の粒径判
別等の異物や欠陥検査を高いSN比で行なうことができ
る。According to the above-mentioned first and second embodiments, the following effects can be obtained. (1) The problem that the detection sensitivity differs depending on the scanning position can be solved, and the foreign substance inspection can be performed with substantially uniform sensitivity within the scanning region. (2) Since uniform detection sensitivity can be obtained, it is possible to perform foreign matter or defect inspection such as particle size discrimination of foreign matter with a high SN ratio.
【0021】<実施例3>図4はシリコンウエハ上にレ
チクルやフォトマスク等の原版の回路パターンを焼付け
て半導体デバイスを製造する製造システムの実施例を示
す図である。システムは大まかに、露光装置、原版収納
装置、原版検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンルーム内に配置される。<Embodiment 3> FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of a manufacturing system for manufacturing a semiconductor device by printing a circuit pattern of an original plate such as a reticle or a photomask on a silicon wafer. The system roughly includes an exposure device, an original storage device, an original inspection device, and a controller, which are arranged in a clean room.
【0022】901はエキシマレーザのような遠紫外光
源であり、902は照明系ユニットであって、露光位置
E.P.にセットされた原版を上部から同時(一括)に
所定のNA(開口数)で照明する働きを持つ。909は
原版上に形成された回路パターンをシリコンのウエハ9
10上に転写するための超高解像度レンズ系(もしくは
ミラー系)であり、焼付時にはウエハは移動ステージ9
11のステップ送りに従って1ショット毎ずらしながら
露光を繰り返す。900は露光動作に先立って原版とウ
エハを位置合わせするためのアライメント光学系であ
り、少なくとも1つの原版観察用顕微鏡系を有してい
る。以上の部材によって露光装置が構成されている。Reference numeral 901 denotes a far-ultraviolet light source such as an excimer laser, 902 denotes an illumination system unit, and the exposure position E.I. P. It has the function of illuminating the original set in the above at the same time (batch) from above with a predetermined NA (numerical aperture). Numeral 909 designates a circuit pattern formed on the original plate as a silicon wafer 9
10 is an ultra-high resolution lens system (or mirror system) for transferring onto the wafer 10, and the wafer is moved to the moving stage 9 during printing.
The exposure is repeated while shifting each shot according to the step feed of 11. Reference numeral 900 denotes an alignment optical system for aligning the original and the wafer prior to the exposure operation, and has at least one original observation microscope system. An exposure apparatus is configured by the above members.
【0023】一方、914は原版収納装置であり、内部
に複数の原版を収納する。913は原版検査装置であ
り、先の実施例の構成を含んでいる。この原版検査装置
913は、選択された原版が原版収納装置914から引
き出されて露光位置E.P.にセットされる前に原版上
の異物検査を行なうもので、異物検査の原理及び動作に
ついては前述の実施例と同一である。コントローラ91
8はシステム全体のシーケンスを制御するためのもの
で、原版収納装置914、原版検査装置913の動作指
令、並びに露光装置の基本動作であるアライメント・露
光・ウエハのステップ送り等のシーケンス等を制御す
る。On the other hand, reference numeral 914 is an original storage device which stores a plurality of originals inside. Reference numeral 913 is an original inspection device, which includes the configuration of the previous embodiment. The original inspection device 913 detects that the selected original is pulled out from the original storage device 914 and the exposure position E.E. P. The foreign matter inspection on the original plate is carried out before being set to 1. The principle and operation of the foreign matter inspection are the same as those in the above-mentioned embodiment. Controller 91
Reference numeral 8 is for controlling the sequence of the entire system, and controls the operation commands of the original storage device 914 and the original inspection device 913, as well as the basic operations of the exposure apparatus, such as alignment, exposure, and step feed of the wafer. .
【0024】以下、本実施例のシステムを用いた半導体
デバイスの製造工程を示す。まず、原版収納装置914
から使用する原版を取り出し原版検査装置913にセッ
トする。次に、原版検査装置914で原版上の異物検査
を行なう。検査の結果、異物が無いことが確認されたら
この原版を露光装置の露光位置E.P.にセットする。
次に、移動ステージ911上に被露光体であるシリコン
ウエハ910をセットする。そしてステップ&リピート
方式によって移動ステージ911のステップ送りに従っ
て1ショット毎ずらしながらシリコンウエハの各領域に
原版パターンを縮小投影して露光を繰り返す。1枚のシ
リコンウエハ上に露光が済んだら、これを収容して新た
なシリコンウエハを供給し、同様にステップ&リピート
方式で原版パターンの露光を繰り返す。The manufacturing process of a semiconductor device using the system of this embodiment will be described below. First, the original storage device 914
The original to be used is taken out and set in the original inspection device 913. Next, the original inspection device 914 inspects the foreign matter on the original. As a result of the inspection, when it is confirmed that there is no foreign matter, this original plate is exposed at the exposure position E. P. Set to.
Next, the silicon wafer 910 which is the exposure target is set on the moving stage 911. Then, according to the step-and-repeat method, the original pattern is reduced and projected onto each region of the silicon wafer while shifting each shot according to the step feed of the moving stage 911, and the exposure is repeated. After the exposure on one silicon wafer is completed, the silicon wafer is accommodated and a new silicon wafer is supplied, and similarly, the exposure of the original pattern is repeated by the step & repeat method.
【0025】露光の済んだ露光済シリコンウエハは本シ
ステムとは別に設けられた装置で現像やエッチングなど
の処理がなされる。この後に、ダイシング、ワイヤボン
ディング、パッケージング等のアッセンブリ工程を経
て、半導体デバイスが製造される。The exposed silicon wafer that has been exposed is subjected to processing such as development and etching by an apparatus provided separately from this system. Then, a semiconductor device is manufactured through an assembly process such as dicing, wire bonding, packaging and the like.
【0026】本実施例によれば、従来は製造が難しかっ
た非常に微細な回路パターンを有する高集積度半導体デ
バイスを製造することができる。According to this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device having a very fine circuit pattern, which has been difficult to manufacture in the past.
【0027】<実施例4>図5は半導体デバイスを製造
するための原版の洗浄検査システムの実施例を示す図で
ある。システムは大まかに、原版収納装置、洗浄装置、
乾燥装置、検査装置、コントローラを有し、これらはク
リーンチャンバ内に配置される。<Embodiment 4> FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of an original plate cleaning inspection system for manufacturing a semiconductor device. The system is roughly: original storage device, cleaning device,
It has a drying device, an inspection device, and a controller, which are arranged in a clean chamber.
【0028】920は原版収納装置であり、内部に複数
の原版を収納し洗浄すべき原版を供給する。921は洗
浄装置であり、純水によって原版の洗浄を行なう。92
2は乾燥装置であり、洗浄された原版を乾燥させる。9
23は原版検査装置であり、先の実施例の構成を含んで
おり、前記実施例の方法を用いて洗浄された原版上の異
物検査を行なう。924はコントローラでシステム全体
のシーケンス制御を行なう。Reference numeral 920 denotes an original storage device which stores a plurality of originals and supplies the originals to be cleaned. A cleaning device 921 cleans the original plate with pure water. 92
A drying device 2 dries the washed original plate. 9
Reference numeral 23 denotes an original inspection device, which includes the configuration of the previous embodiment, and inspects foreign materials on the original that has been washed using the method of the above-described embodiment. A controller 924 controls the sequence of the entire system.
【0029】以下、動作について説明する。まず、原版
収納装置920から洗浄すべき原版を取り出し、これを
洗浄装置921に供給する。洗浄装置921で洗浄され
た原版は乾燥装置922に送られて乾燥させる。乾燥が
済んだら検査装置923に送られ、検査装置923にお
いては先の実施例の方法を用いて原版上の異物を検査す
る。検査の結果、異物が確認されなければ、原版を原版
収納装置920に戻す。又、異物が確認された場合は、
この原版を洗浄装置921に戻して洗浄・乾燥動作を行
なった後に再度検査を行ない、異物が完全に除去される
までこれを繰り返す。そして完全に洗浄がなされた原版
を原版収納装置920に戻す。The operation will be described below. First, the original plate to be cleaned is taken out from the original plate storage device 920 and supplied to the cleaning device 921. The original plate cleaned by the cleaning device 921 is sent to the drying device 922 to be dried. After the drying, it is sent to the inspection device 923, and the inspection device 923 inspects the foreign matter on the original plate by using the method of the previous embodiment. If no foreign matter is found as a result of the inspection, the original is returned to the original storage device 920. Also, if foreign matter is confirmed,
The original plate is returned to the cleaning device 921, a cleaning / drying operation is performed, and then an inspection is performed again, and this is repeated until the foreign matter is completely removed. Then, the completely cleaned original plate is returned to the original plate storage device 920.
【0030】この後に、この洗浄された原版を露光装置
にセットして、シリコンウエハ上に原版の回路パターン
を焼付けて半導体デバイスを製造する。これによって従
来は製造が難しかった非常に微細な回路パターンを有す
る高集積度半導体デバイスを製造することができる。Thereafter, the cleaned original plate is set in an exposure apparatus, and a circuit pattern of the original plate is printed on a silicon wafer to manufacture a semiconductor device. As a result, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device having a very fine circuit pattern, which has been difficult to manufacture in the past.
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、従来は検出が難しかっ
た微小な異物や欠陥などを、高いS/N比で検出するこ
とができる。又、本発明を半導体製造に応用すれば、従
来は製造が難しかった高集積度半導体デバイスを製造す
ることができる。According to the present invention, it is possible to detect minute foreign matters, defects, etc., which were difficult to detect in the past, with a high S / N ratio. Further, by applying the present invention to semiconductor manufacturing, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been difficult to manufacture in the past.
【図1】本発明の第1実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図2】検出感度曲線を表す図である。FIG. 2 is a diagram showing a detection sensitivity curve.
【図3】第2実施例の主要部の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a main part of a second embodiment.
【図4】第3実施例の半導体製造システムのシステム構
成図である。FIG. 4 is a system configuration diagram of a semiconductor manufacturing system according to a third embodiment.
【図5】第4実施例の原版の洗浄検査システムのシステ
ム構成図である。FIG. 5 is a system configuration diagram of an original plate cleaning inspection system according to a fourth embodiment.
【図6】従来の検査装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional inspection device.
1 光源部 2 ポリゴンミラー 3 fθレンズ系 6 走査領域 7 検査面 8 ステージ 9a,9b フィルタ系 10a,10b 集光光学系 11a,11b 光電検出器 13 加算回路 14 信号処理系 1 Light Source 2 Polygon Mirror 3 fθ Lens System 6 Scanning Area 7 Inspection Surface 8 Stage 9a, 9b Filter System 10a, 10b Condensing Optical System 11a, 11b Photoelectric Detector 13 Adder Circuit 14 Signal Processing System
Claims (1)
手段と、 該光ビームの走査領域に対して空間的に対称位置に配置
した少なくとも2つの光電検出器と、 該2つの光電検出器からの検出信号の和信号を生成する
手段と、を有することを特徴とする面検査装置。1. A scanning means for scanning a light beam on an inspection surface, at least two photoelectric detectors arranged spatially symmetrically with respect to a scanning region of the light beam, and two photoelectric detectors. And a means for generating a sum signal of detection signals from the surface inspection apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4378793A JPH06258235A (en) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Surface inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4378793A JPH06258235A (en) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Surface inspection device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06258235A true JPH06258235A (en) | 1994-09-16 |
Family
ID=12673466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4378793A Pending JPH06258235A (en) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Surface inspection device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06258235A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0865072A1 (en) * | 1997-02-18 | 1998-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for surface inspection |
CN100395587C (en) * | 2005-05-23 | 2008-06-18 | 友达光电股份有限公司 | Detection device for liquid crystal display |
WO2019239502A1 (en) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 株式会社エフケー光学研究所 | Foreign matter inspection device and foreign matter inspection method |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP4378793A patent/JPH06258235A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0865072A1 (en) * | 1997-02-18 | 1998-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for surface inspection |
US5920387A (en) * | 1997-02-18 | 1999-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for surface inspection |
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